WO2020065947A1 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

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WO2020065947A1
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total current
voltage
display device
data
pixel circuits
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古川　浩之
上野　雅史
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シャープ株式会社
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    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements

Definitions

  • the following disclosure relates to a display device and a driving method thereof, and more particularly, to a display device including a pixel circuit including a display element driven by a current such as an organic EL element and a driving method thereof.
  • the organic EL element is also called an OLED (Organic Light-Emitting Diode), and is a self-luminous display element that emits light at a luminance corresponding to a current flowing therethrough.
  • OLED Organic Light-Emitting Diode
  • the organic EL display apparatus can be easily made thinner, have lower power consumption, and have higher luminance than a liquid crystal display apparatus which requires a backlight and a color filter. Can be achieved.
  • a passive matrix method also called a simple matrix method
  • an active matrix method As a driving method of the organic EL display device, a passive matrix method (also called a simple matrix method) and an active matrix method are known.
  • the organic EL display device employing the passive matrix system has a simple structure, but it is difficult to increase the size and increase the definition.
  • an organic EL display device employing an active matrix system hereinafter referred to as an “active matrix organic EL display device” has a larger size and higher definition than an organic EL display device employing a passive matrix system. Can be easily realized.
  • a pixel circuit of an active matrix type organic EL display device typically includes an input transistor for selecting a pixel and a drive transistor for controlling supply of current to an organic EL element.
  • the current flowing from the drive transistor to the organic EL element may be referred to as “drive current”.
  • a thin film transistor In an organic EL display device, a thin film transistor (TFT) is typically used as a driving transistor.
  • TFT thin film transistor
  • the threshold voltage of a thin film transistor changes due to deterioration. Since a large number of drive transistors are provided in the display unit, and the degree of deterioration differs for each drive transistor, the threshold voltage varies. As a result, variations in luminance occur, and the display quality deteriorates. Therefore, processing for compensating for the deterioration of the driving transistor has been conventionally performed.
  • An external compensation method is known as one of the compensation processing methods.
  • the external compensation method the magnitude of the current flowing through the driving transistor under a predetermined condition is measured by a circuit provided outside the pixel circuit. Then, the video signal is corrected based on the measurement result. Thereby, the deterioration of the driving transistor is compensated.
  • a series of processes for measuring a current value flowing through a circuit element under a predetermined condition in order to detect a characteristic of a circuit element such as a driving transistor is referred to as a “characteristic detection monitor”.
  • An invention relating to an organic EL display device employing the above-described external compensation method is disclosed in, for example, International Publication WO 2014/112299.
  • the degree of deterioration of the drive transistor is determined based on the current value when a certain voltage (monitor voltage) is applied to the gate terminal of the drive transistor.
  • the value of the monitor voltage is an appropriate value, the degree of deterioration cannot be obtained with high accuracy (the error between the estimated degree of deterioration and the actual degree of deterioration increases).
  • the monitor voltage can be adjusted based on the information.
  • monitor for determining the average degree of deterioration of the drive transistors over the entire screen (here, the current detection).
  • a series of processes related to the measurement of the value is called "monitor." That is, the monitor for one screen is repeated twice. Generally, it takes several tens of seconds to several minutes to execute a monitor for one screen (because current values are measured line by line), and a normal image cannot be displayed during monitoring. It is not preferable that the monitoring is repeated twice. Further, if the characteristic detection monitor is frequently executed even though the progress of the deterioration of the drive transistor is slow, the process of compensating for the deterioration becomes inefficient.
  • an object of the following disclosure is to realize a display device that can quickly determine an average degree of deterioration of a driving transistor over the entire screen and more efficiently compensate for the deterioration of the driving transistor.
  • a display device includes a plurality of data lines, a plurality of scan lines, a display element driven by current, and a drive transistor that controls a drive current of the display element.
  • a plurality of pixel circuits provided corresponding to intersections of data lines and the plurality of scanning lines; a data line driving circuit for applying a data voltage to the plurality of data lines; and a scan for driving the plurality of scanning lines
  • a display device having a function of performing a characteristic detection process of detecting a characteristic of the driving transistor, In each pixel circuit, the driving transistor and the display element are provided in series between the first power supply voltage member and the second power supply voltage member, The display device, In a state where a data voltage corresponding to a specific image is written in the plurality of pixel circuits, a drive current flowing through the entire plurality of pixel circuits or two or more of the plurality of pixel circuits is measured as a total current.
  • Total current measurement circuit A determination data storage unit that holds determination data used for determining whether to perform the characteristic detection process, A determination unit that determines whether to perform the characteristic detection process based on the total current and the determination data, If the determination unit determines that the characteristic detection process is to be performed during the determination period, the process proceeds to the characteristic detection period for performing the characteristic detection process from the determination period, When the determination unit determines that the characteristic detection process is not to be performed during the determination period, the process shifts from the determination period to a display period in which normal image display is performed.
  • a driving method of a display device includes a plurality of pixel circuits including a display element driven by a current and a driving transistor controlling a driving current of the display element, and a characteristic of the driving transistor.
  • a method of driving a display device having a function of performing a characteristic detection process of detecting The display device includes a determination data storage unit that stores determination data used to determine whether to perform the characteristic detection process,
  • the driving method includes: In a state where a data voltage corresponding to a specific image is written in the plurality of pixel circuits, a drive current flowing through the entire plurality of pixel circuits or two or more of the plurality of pixel circuits is measured as a total current.
  • Total current measurement step A determining step of determining whether to execute the characteristic detection process based on the total current and the determination data, A characteristic detecting step of performing the characteristic detecting process; A display step of performing a normal image display, The characteristic detecting step is performed only when it is determined in the determining step that the characteristic detecting process is to be performed.
  • the display device includes a total current measurement circuit that measures a total current (total drive current) flowing through the entire screen or two or more pixel circuits when a specific image is displayed. Is provided. Therefore, the average degree of deterioration of the driving transistor can be quickly obtained. Then, the determination unit determines whether or not to execute the characteristic detection process (the process of detecting the characteristics of the driving transistor) based on the average degree of deterioration of the driving transistor. This makes it possible to execute the characteristic detection processing only when the deterioration is progressing. As a result, execution of the characteristic detection process unnecessarily frequently is suppressed, and compensation for deterioration of the driving transistor is efficiently performed. As described above, a display device that can quickly determine the average degree of deterioration of the driving transistor and more efficiently compensate for the deterioration of the driving transistor is realized.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of an active matrix type organic EL display device according to a first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for describing a period during which the organic EL display device is operating in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for describing a function of a source driver in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a pixel circuit and a part of a source driver (a part functioning as a current monitoring unit) in the first embodiment.
  • 5 is a timing chart for explaining a driving method for performing a characteristic detection monitor in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram for describing a current flow in a current measurement period when detecting the characteristics of a driving transistor in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for describing a period during which the organic EL display device is operating in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for describing a function of a source driver in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram
  • FIG. 4 is a diagram for describing a current flow during a current measurement period when detecting characteristics of an organic EL element in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for describing a current flow during a video signal voltage writing period in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram for describing measurement of a total current in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of obtaining an average threshold voltage of a driving transistor in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram for describing a total current measurement circuit according to a second embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram for describing that an IV characteristic is not estimated with sufficient accuracy when only one monitor voltage is used according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram schematically showing a correspondence between a total current and a degree of deterioration (degree of deterioration of a driving transistor) in the third embodiment. It is a figure for explaining an effect in a 3rd embodiment of the above.
  • FIG. 14 is a diagram for describing a total current measurement circuit according to a fourth embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration example in a case where a fifth area from the lower end of the display unit is a dedicated area in the fifth embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating a configuration example in a case where a fifth area from the upper end of the display unit is a dedicated area in the fifth embodiment.
  • the voltage applied to the pixel circuit at the time of the characteristic detection monitor or the average deterioration degree detection monitor described later among the data voltages applied to the pixel circuit via the data line may be referred to as a “monitor voltage”.
  • a monitoring voltage a voltage applied to the pixel circuit at the time of the characteristic detection monitor or the average deterioration degree detection monitor described later among the data voltages applied to the pixel circuit via the data line.
  • m and n are integers of 2 or more
  • i is an integer of 1 or more and n or less
  • j is an integer of 1 or more and m or less.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of an active matrix type organic EL display device according to the first embodiment.
  • This organic EL display device includes a display control circuit 10, a gate driver (scanning line driving circuit) 20, a source driver (data line driving circuit) 30, a display section 40, a total current measuring circuit 50, a high voltage driving power supply 61, and a low voltage. And a drive power supply 62.
  • the display control circuit 10 includes a determination data storage unit 110, a determination unit 120, a measured current storage unit 130, and a compensation calculation unit 140.
  • a specific image is displayed in order to determine the average degree of deterioration of the driving transistors over the entire screen (the entire display unit 40).
  • the current is displayed on the unit 40 (in other words, the data voltage corresponding to the specific image is commonly applied to all the driving transistors), and the current is measured.
  • the display unit 40 by displaying a specific image on the display unit 40, drive currents flowing through the entire screen or two or more pixel circuits are collectively passed to one trunk line, and the current flowing through the trunk line is measured as a total current. Is performed.
  • the total current measurement circuit 50 measures the total current, and determines whether or not to execute the above-described characteristic detection monitor based on the total current data DI as a measurement result.
  • a specific image displayed on the display unit 40 when the total current is measured in order to determine the average degree of deterioration of the driving transistor over the entire screen is referred to as a “total current measurement image”.
  • a series of processes for displaying the total current measurement image and measuring the total current is referred to as “average deterioration degree detection monitor”.
  • a period during which it is determined whether or not to execute the characteristic detection monitor (characteristic detection processing) (hereinafter, referred to as a “determination period”), and a characteristic detection monitor.
  • An execution period (hereinafter, referred to as “characteristic detection period”) and a period during which normal image display is performed (hereinafter, referred to as “display period”) appear. Specifically, as shown in FIG.
  • a determination period Pm1 appears at an appropriate timing, and when it is determined that the characteristic detection monitor is to be executed in the determination period Pm1, the process shifts to the characteristic detection period Pm2, and the characteristic detection is performed in the determination period Pm1 When it is determined that the monitoring is not to be performed, the process shifts to the display period Pd. That is, the characteristic detection period Pm2 appears before the display period Pd only when it is determined that the characteristic detection monitor is to be executed in the determination period Pm1. In FIG. 2, the length of the arrow is not proportional to the length of the period.
  • the display section 40 is provided with m data lines S (1) to S (m) and n scanning lines G1 (1) to G1 (n) orthogonal thereto. Further, the display unit 40 is provided with n monitor control lines G2 (1) to G2 (n) so as to correspond one-to-one with the n scan lines G1 (1) to G1 (n). Have been. The scanning lines G1 (1) to G1 (n) and the monitor control lines G2 (1) to G2 (n) are parallel to each other. Further, the display unit 40 includes n ⁇ m scanning lines G1 (1) to G1 (n) and m data lines S (1) to S (m) so as to correspond to the intersections. Pixel circuit 410 is provided.
  • the display section 40 includes a low power supply voltage ELVSS which is a planar electrode provided in a region corresponding to the entirety of the n ⁇ m pixel circuits 410 and is common to the n ⁇ m pixel circuits 410.
  • ELVSS low power supply voltage
  • m high power supply voltage branch wirings 71 (1) to 71 (71) for supplying the high power supply voltage ELVDD to the n ⁇ m pixel circuits 410 are provided.
  • m) are arranged so as to correspond one-to-one with m data lines S (1) to S (m).
  • the common electrode 420 and the low voltage drive power supply 62 are connected by a low power supply voltage main wiring 75.
  • the high power supply voltage branch wirings 71 (1) to 71 (m) are connected to the high power supply voltage main wiring 70, and the high power supply voltage main wiring 70 is connected to the high voltage driving power supply 61 via the total current measuring circuit 50. I have.
  • the first power supply voltage is realized by the high power supply voltage ELVDD
  • the second power supply voltage is realized by the low power supply voltage ELVSS
  • the first power supply voltage is provided by the high power supply voltage branch wires 71 (1) to 71 (m).
  • a voltage member is realized
  • a second power supply voltage member is realized by the common electrode 420.
  • the organic EL element 411 is formed in the order of the anode terminal, the light emitting layer, and the cathode terminal (common electrode) from the substrate side, but is not limited thereto. , A light emitting layer, and an anode terminal (common electrode) in this order.
  • the first power supply voltage is realized by the low power supply voltage ELVSS
  • the second power supply voltage is realized by the high power supply voltage ELVDD
  • the first power supply voltage member is realized by the low power supply voltage branch wiring
  • the second power supply is realized by the common electrode.
  • a voltage member is realized.
  • the data line S in the present embodiment is used not only as a signal line for transmitting a luminance signal (video signal) for causing the organic EL element in the pixel circuit 410 to emit light at a desired luminance, but also for a characteristic detection monitor and average deterioration. It is also used as a signal line for supplying a monitor voltage to the pixel circuit 410 at the time of degree detection monitoring and a signal line serving as a current path measured by a current monitoring unit 320 described later at the time of characteristic detection monitoring.
  • the high voltage drive power supply 61 supplies the high power supply voltage ELVDD to the high power supply voltage branch wirings 71 (1) to 71 (m) via the high power supply voltage main wiring 70.
  • the low-voltage drive power supply 62 supplies the low power supply voltage ELVSS to the common electrode 420 via the low power supply voltage main wiring 75.
  • the total current measuring circuit 50 measures the total current described above during the determination period. More specifically, the total current measurement circuit 50 flows through the n ⁇ m pixel circuits 410 in a state where the data voltage corresponding to the specific image is written in the n ⁇ m pixel circuits 410 during the determination period. The drive current is measured as the total current. The measurement result of the total current by the total current measurement circuit 50 is sent to the display control circuit 10 as total current data DI.
  • the display control circuit 10 supplies the source driver 30 with a digital video signal (a video signal corresponding to a data voltage corresponding to the total current measurement image) so that the total current measurement image is displayed on the display unit 40 during the determination period.
  • the operation of the source driver 30 is controlled by supplying VDa and the source control signal SCTL, and the operation of the gate driver 20 is controlled by supplying the gate control signal GCTL to the gate driver 20.
  • the determination unit 120 in the display control circuit 10 determines whether to execute the characteristic detection monitor based on the total current data DI output from the total current measurement circuit 50.
  • the determination data storage unit 110 holds determination data to be used for determining whether or not to execute the characteristic detection monitor, and the determination data is referred to by the determination unit 120. In the present embodiment, a predetermined voltage value is held in the determination data storage unit 110 as the determination data.
  • the display control circuit 10 supplies the source driver 30 with the digital video signal (video signal corresponding to the monitor voltage for characteristic detection) VDa and the source control signal SCTL so that the characteristic detection monitor is performed during the characteristic detection period.
  • the operation of the source driver 30 is controlled, and the operation of the gate driver 20 is controlled by applying a gate control signal GCTL to the gate driver 20.
  • the display control circuit 10 receives monitor data MO output from the source driver 30 during the characteristic detection period. This monitor data MO is stored in the measured current storage unit 130.
  • the monitor data MO is data of a current value measured by the characteristic detection monitor.
  • the compensation calculation unit 140 in the display control circuit 10 receives the input video signal (image data sent from the outside) VDb during the display period, and monitors the monitor data (current value data) MO stored in the measurement current storage unit 130.
  • the digital video signal VDa to be supplied to the source driver 30 is generated by performing a compensation calculation process on the input video signal VDb according to. Then, during the display period, the display control circuit 10 supplies the source driver 30 with the digital video signal (the video signal after the compensation calculation processing) VDa and the source control signal SCTL so that the normal image display is performed.
  • the operation of the gate driver 20 is controlled by controlling the operation of the gate driver 30 and applying a gate control signal GCTL to the gate driver 20.
  • the source control signal SCTL includes a source start pulse signal, a source clock signal, a latch strobe signal, and the like.
  • the gate control signal GCTL includes a gate start pulse signal, a gate clock signal, an output enable signal, and the like.
  • the gate driver 20 is connected to n scanning lines G1 (1) to G1 (n) and n monitor control lines G2 (1) to G2 (n).
  • the gate driver 20 includes a shift register, a logic circuit, and the like.
  • the gate driver 20 generates n scan lines G1 (1) to G1 (n) and n monitor control lines G2 (1) to G2 (n) based on the gate control signal GCTL output from the display control circuit 10. Drive).
  • the source driver 30 is connected to m data lines S (1) to S (m).
  • the source driver 30 selectively performs an operation of driving the data lines S (1) to S (m) and an operation of measuring a current flowing through the data lines S (1) to S (m). That is, as shown in FIG. 3, the source driver 30 functionally includes a portion functioning as the data line driving section 310 for driving the data lines S (1) to S (m), and a data from the pixel circuit 410. And a portion functioning as a current monitor 320 for measuring the current output to the lines S (1) to S (m). The current monitor 320 measures the current flowing through the data lines S (1) to S (m), and outputs monitor data MO based on the measured values.
  • the n scanning lines G1 (1) to G1 (n), the n monitor control lines G2 (1) to G2 (n), and the m data lines S (1) to S By driving m), an image based on the input video signal VDb is displayed on the display unit 40.
  • the characteristic detection period is provided only when it is determined that the characteristic detection monitor is to be executed in the determination period that appears at an appropriate timing, the processing for compensating for deterioration becomes efficient.
  • the source driver 30 performs the following operation when functioning as the data line driver 310.
  • the source driver 30 receives the source control signal SCTL output from the display control circuit 10, and applies a video signal voltage corresponding to a target luminance as a data voltage to each of the m data lines S (1) to S (m). .
  • the digital video signal VDa indicating the voltage to be applied to each data line S is sequentially held at the timing when the pulse of the source clock signal is generated with the pulse of the source start pulse signal as a trigger. .
  • the held digital video signal VDa is converted into an analog voltage at the timing when the pulse of the latch strobe signal is generated.
  • the converted analog voltage is simultaneously applied as a data voltage to all data lines S (1) to S (m).
  • the source driver 30 functions as the current monitoring unit 320, the source driver 30 applies a monitor voltage to the data lines S (1) to S (m), thereby changing the current flowing through the data lines S (1) to S (m). Each is converted to a voltage.
  • the converted data is output from the source driver 30 as monitor data MO.
  • FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a part of the pixel circuit 410 and the source driver 30 (a part functioning as the current monitoring unit 320).
  • FIG. 4 shows the pixel circuit 410 at the i-th row and the j-th column, and a portion of the source driver 30 corresponding to the data line S (j) at the j-th column.
  • the pixel circuit 410 includes one organic EL element 411, three transistors T1 to T3, and one capacitor Cst.
  • the transistor T1 functions as an input transistor for selecting a pixel
  • the transistor T2 functions as a drive transistor for controlling current supply to the organic EL element 411
  • the transistor T3 detects characteristics of the drive transistor T2 or the organic EL element 411. Function as a monitor control transistor for controlling whether or not to perform current measurement.
  • the input transistor T1 is provided between the data line S (j) and the gate terminal of the driving transistor T2.
  • a gate terminal is connected to the scanning line G1 (i), and a source terminal is connected to the data line S (j).
  • the driving transistor T2 is provided in series with the organic EL element 411.
  • the gate terminal is connected to the drain terminal of the input transistor T1, the drain terminal is connected to the high power supply voltage branch wiring 71 (j) to which the high power supply voltage ELVDD is supplied, and the anode of the organic EL element 411 is connected.
  • the source terminal is connected to the terminal.
  • the gate terminal is connected to the monitor control line G2 (i)
  • the drain terminal is connected to the anode terminal of the organic EL element 411
  • the source terminal is connected to the data line S (j).
  • One end of the capacitor Cst is connected to the gate terminal of the driving transistor T2, and the other end is connected to the drain terminal of the driving transistor T2.
  • the cathode terminal of the organic EL element 411 is connected to the common electrode 420 to which the low power supply voltage ELVSS is supplied.
  • an oxide TFT a thin film transistor using an oxide semiconductor for a channel layer
  • an amorphous silicon TFT or the like
  • the oxide TFT include a TFT containing InGaZnO (indium gallium zinc oxide).
  • the current monitor 320 includes a DA converter (DAC) 31, an operational amplifier 32, a capacitor 33, a switch 34, and an AD converter (ADC) 35.
  • a current / voltage converter 39 is configured by the operational amplifier 32, the capacitor 33, and the switch.
  • the current / voltage converter 39 and the DA converter 31 also function as components of the data line driver 310.
  • the digital video signal VDa is supplied to an input terminal of the DA converter 31.
  • the DA converter 31 converts the digital video signal VDa into an analog voltage. This analog voltage is a video signal voltage or a monitor voltage.
  • the output terminal of the DA converter 31 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 32. Therefore, the video signal voltage or the monitor voltage is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 32.
  • the inverting input terminal of the operational amplifier 32 is connected to the data line S (j).
  • the switch 34 is provided between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 32.
  • the capacitor 33 is provided between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 32 in parallel with the switch 34.
  • the input / output control signal DWT included in the source control signal SCTL is supplied to the control terminal of the switch 34.
  • the output terminal of the operational amplifier 32 is connected to the input terminal of the AD converter 35.
  • the switch 34 when the input / output control signal DWT is at the high level, the switch 34 is turned on, and the short circuit occurs between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 32. At this time, the operational amplifier 32 functions as a buffer amplifier. As a result, the voltage (video signal voltage or monitor voltage) applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 32 is applied to the data line S (j). When the input / output control signal DWT is at a low level, the switch 34 is turned off, and the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 32 are connected via the capacitor 33. At this time, the operational amplifier 32 and the capacitor 33 function as an integrating circuit.
  • the output voltage of the operational amplifier 32 becomes a voltage corresponding to the current flowing through the data line S (j).
  • the AD converter 35 converts the output voltage of the operational amplifier 32 into a digital value.
  • the converted data is sent to the display control circuit 10 as monitor data MO.
  • a signal line for supplying a data voltage (a video signal voltage and a monitor voltage) and a signal line for measuring a current are shared, but the present invention is not limited to this. Not limited. It is also possible to adopt a configuration in which a signal line for supplying a data voltage and a signal line for measuring a current are independently provided. Further, as for the configuration of the pixel circuit 410, a configuration other than the configuration illustrated in FIG. 4 can be employed. That is, in the present invention, the specific circuit configurations of the current monitor unit 320 and the pixel circuit 410 are not particularly limited.
  • a characteristic detection monitor is executed.
  • the characteristics of the driving transistor T2 are referred to as “TFT characteristics”
  • the characteristics of the organic EL element 411 are referred to as “OLED characteristics”.
  • a row targeted for the characteristic detection monitor is referred to as a “monitor row”.
  • FIG. 5 is a timing chart for explaining a driving method for performing the characteristic detection monitor.
  • FIG. 5 shows an example in which the characteristic detection monitor is performed for the i-th row.
  • a period indicated by a symbol TM is a characteristic detection period.
  • the characteristic detection period TM is a period in which preparation for detecting TFT characteristics or OLED characteristics in a monitor row is performed (hereinafter, referred to as a “detection preparation period”) Ta, and a period in which current measurement for detecting characteristics is performed (hereinafter, referred to as “detection preparation period”).
  • Video signal voltage writing period a period during which a video signal voltage (a data voltage corresponding to a normal display image) is written in a monitor row (hereinafter, referred to as a "video signal voltage writing period") Tc. It is constituted by.
  • the scanning line G1 (i) is in an active state, and the monitor control line G2 (i) is maintained in an inactive state.
  • the input transistor T1 is turned on, and the monitor control transistor T3 is maintained in the off state.
  • the monitor voltage Vmg (i, j) is applied to the data line S (j). It should be noted that the monitor voltage Vmg (i, j) does not mean a fixed voltage, but the magnitude of the monitor voltage Vmg (i, j) differs between when the TFT characteristic is detected and when the OLED characteristic is detected. different.
  • the monitor voltage here is a monitor voltage for detecting TFT characteristics (hereinafter referred to as “TFT characteristic measurement voltage”) and a monitor voltage for detecting OLED characteristics (hereinafter “OLED characteristic measurement”). Voltage)). If the monitor voltage Vmg (i, j) is the TFT characteristic measuring voltage, the drive transistor T2 is turned on. If the monitor voltage Vmg (i, j) is the OLED characteristic measurement voltage, the drive transistor T2 is maintained in the off state.
  • the TFT characteristic measurement voltage applied to the data line S (j) during the detection preparation period Ta is set so as to satisfy “TFT characteristic measurement voltage ⁇ threshold voltage of the organic EL element 411 + threshold voltage of the drive transistor T2”. Is done. With this setting, no current flows through the organic EL element 411 during the current measurement period Tb, and only the characteristics of the drive transistor T2 can be measured.
  • the OLED characteristic measurement voltage applied to the data line S (j) during the detection preparation period Ta is set so as to satisfy "OLED characteristic measurement voltage ⁇ threshold voltage of the organic EL element 411 + threshold voltage of the driving transistor T2". Is done. With this setting, the driving transistor T2 is not turned on during the current measurement period Tb, and only the characteristics of the organic EL element 411 can be measured.
  • the scanning line G1 (i) is in an inactive state, and the monitor control line G2 (i) is in an active state.
  • the input transistor T1 is turned off, and the monitor control transistor T3 is turned on.
  • the monitor voltage Vmg (i, j) is the TFT characteristic measurement voltage, as described above, the drive transistor T2 is turned on, and no current flows through the organic EL element 411. Therefore, as indicated by an arrow 7 in FIG. 6, a current flowing through the driving transistor T2 is output to the data line S (j) via the monitor control transistor T3. In this state, the current flowing in the data line S (j) is measured by the current monitor 320 in the source driver 30.
  • the drive transistor T2 is maintained in the off state as described above, and the current flows through the organic EL element 411. That is, a current flows from the data line S (j) to the organic EL element 411 via the monitor control transistor T3 as indicated by an arrow 8 in FIG. 7, and the organic EL element 411 emits light. In this state, the current flowing in the data line S (j) is measured by the current monitor 320 in the source driver 30.
  • the scanning line G1 (i) is in an active state, and the monitor control line G2 (i) is in an inactive state.
  • the input transistor T1 is turned on, and the monitor control transistor T3 is turned off.
  • a data voltage according to the target luminance is applied to the data line S (j).
  • the drive transistor T2 is turned on.
  • a driving current is supplied to the organic EL element 411 via the driving transistor T2, as indicated by an arrow 9 in FIG.
  • the organic EL element 411 emits light at a luminance corresponding to the drive current.
  • a data voltage (monitor voltage) corresponding to the total current measurement image is applied to the data lines S (1) to S (m) in order to measure the total current by the total current measurement circuit 50.
  • the scanning lines G1 are sequentially activated one by one as shown in FIG.
  • the measurement of the total current by the total current measuring circuit 50 is started. Note that the monitor control lines G2 (1) to G2 (n) are maintained in an inactive state throughout the determination period.
  • a drive current according to the monitor voltage flows in all the pixel circuits 410 (however, the drive current also varies according to the variation in the threshold voltage of the drive transistor T2). ). At this time, the above-described total current flows through the high power supply voltage main wiring 70. The total current is measured by the total current measuring circuit 50.
  • the total current data DI obtained in one determination period includes data of two total currents (a first total current and a second total current). Note that the first data voltage and the second data voltage are realized by the two levels of monitor voltages.
  • the determination unit 120 determines whether or not to execute the characteristic detection monitor. At this time, an average threshold voltage of the driving transistor T2 in the display unit 40 is obtained based on the first total current and the second total current. Note that the value of the average threshold voltage here is not a strict value (the average value of the actual threshold voltage of the driving transistor T2 in the display unit 40), but an estimated value.
  • a method of obtaining the average threshold voltage of the driving transistor T2 will be described with reference to FIG.
  • the relationship between the square root of the gate-source voltage Vgs of the driving transistor T2 and the drain-source current Ids of the driving transistor T2 is a linear relationship.
  • the relationship between the square root of the gate-source voltage Vgs corresponding to the monitor voltage for measuring the total current and the drain-source current Ids corresponding to the total current also has a linear relationship. Therefore, as understood from FIG. 10, the driving transistor in the display unit 40 is based on a straight line obtained from two total currents (first total current and second total current) corresponding to the two monitor voltages V1 and V2.
  • the average threshold voltage of T2 can be obtained. That is, the average deterioration degree of the driving transistor T2 can be obtained.
  • first time point the drain-source currents Ids corresponding to the first total current and the second total current at a certain time point (referred to as “first time point”) are IA1 and IA2, respectively, the points P1 and P2 The average threshold voltage Vth1 of the driving transistor T2 at the first point in time is obtained based on the straight line connecting.
  • second time point the drain-source currents Ids respectively corresponding to the first total current and the second total current at another time point after the first time point (hereinafter referred to as “second time point”) are IB1 and IB2, the point P3 The average threshold voltage Vth2 of the driving transistor at the second time is obtained based on the straight line connecting the point P4. As described above, the average threshold voltage Vth2 at the second time point is generally higher than the average threshold voltage Vth1 at the first time point.
  • the difference between the average threshold voltage of the driving transistor T2 when the characteristic detection monitor was last executed and the average threshold voltage of the driving transistor T2 obtained by the latest measurement is obtained. If the difference is larger than a predetermined value (for example, 0.2 V) (this value is stored in the determination data storage unit 110), it is determined that the characteristic detection monitor is to be executed. Done.
  • a predetermined value for example, 0.2 V
  • the total current measurement circuit 50 outputs the first total current that is the total current in a state where the first data voltage is written to all the pixel circuits 410 and the total current measurement circuit 50 A second total current, which is a total current in a state where the second data voltage is written, is measured.
  • the determination unit 120 determines the average threshold voltage of the driving transistors T2 included in all the pixel circuits 410 based on the first total current and the second total current. If the difference between the average threshold voltage (that is, the average threshold voltage most recently obtained) and the average threshold voltage obtained when the characteristic detection monitor is last executed is larger than the voltage value as the data for determination, It is determined that the characteristic detection monitor is to be executed.
  • the organic EL display device includes the total current measurement circuit 50 that measures the total current flowing through the entire screen (the entire display unit 40) when a specific image (the total current measurement image) is displayed. Is provided. With such a configuration, the average degree of deterioration of the drive transistor T2 over the entire screen can be quickly obtained. Then, the determination unit 120 determines whether or not to execute the characteristic detection monitor based on the average degree of deterioration of the driving transistor T2 over the entire screen. As a result, if the deterioration is advanced, the characteristic detection monitor is executed, but if the deterioration is not advanced, the characteristic detection monitor is not executed.
  • an organic EL display device that can quickly determine the average degree of deterioration of the driving transistor T2 over the entire screen and can compensate for the deterioration of the driving transistor T2 more efficiently. Is achieved.
  • the total current measurement circuit 50 measures the current flowing through the high power supply voltage main wiring 70 as a total current when a specific image (total current measurement image) is displayed.
  • the present invention is not limited to this, and the total current measurement circuit 50 may measure the current flowing through the low power supply voltage main wiring 75 as the total current when a specific image (image for total current measurement) is displayed. good.
  • the total current measuring circuit 50 is provided between the low voltage driving power supply 62 and the common electrode 420.
  • Second Embodiment> A second embodiment will be described. In the following, only the points different from the first embodiment will be mainly described.
  • FIG. 11 is a diagram for describing the total current measurement circuit according to the present embodiment.
  • one total current measuring circuit 50 is provided in the organic EL display device.
  • one total current measuring circuit 50 is provided for each color of the organic EL element 411. If one pixel is composed of a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, as shown in FIG. 11, the organic EL display device has one total current measuring circuit 50 (R) for red and one One green total current measuring circuit 50 (G) and one blue total current measuring circuit 50 (B) are provided.
  • Each total current measuring circuit measures a driving current flowing through all the pixel circuits 410 for the corresponding color as a total current. Note that the wiring is independent for each color as understood from FIG. 11, so that the total current can be measured at the same timing for all colors.
  • the present embodiment is also applicable to a case where one pixel is formed by four or more color sub-pixels.
  • N is an integer of 3 or more and one pixel is formed by N sub-pixels (in other words, one pixel is formed by N pixel circuits 410 corresponding to N colors). Configuration), the configuration according to the present embodiment can be adopted.
  • organic EL elements have different deterioration characteristics for each color.
  • the monitor voltage for the characteristic detection monitor for each color in consideration of the deterioration characteristics for each color. Become.
  • the degree of deterioration of the driving transistor T2 and the organic EL element 411 can be grasped more accurately, and the deterioration is compensated more accurately.
  • a predetermined voltage value is held as determination data in the determination data storage unit 110 (see FIG. 1) in the display control circuit 10.
  • information on the correspondence between the total current and the degree of deterioration is held in the determination data storage unit 110 as determination data.
  • the determination data is obtained based on the IV characteristic (IV characteristic of the driving transistor T2) estimated from the result of the average deterioration degree detection monitor (that is, the value of the total current).
  • ⁇ Circle around (2) ⁇ In the first embodiment, two monitor voltages are used in one average deterioration degree detection monitor. Then, the average threshold voltage of the driving transistor T2 has been determined based on a straight line obtained from the values of the two total currents (the first total current and the second total current) that are the monitoring results. On the other hand, in the present embodiment, only one monitor voltage is used in one average deterioration degree detection monitor.
  • the value of the total current becomes smaller than Ia. This is because, as time passes, the threshold voltage of the driving transistor T2 increases due to deterioration and the resistance of the pixel circuit 410 increases.
  • the value of the total current becomes, for example, Ib as shown in FIG. 12 (see the coordinate point P22).
  • the coordinate point P22 is located at a portion corresponding to a considerably small gradation on the curve representing the IV characteristic of the driving transistor T2 at the time point B.
  • the actual IV characteristic is represented by the curve denoted by reference numeral 81 in FIG. 12, it is estimated that "the IV characteristic is represented by the curve denoted by reference numeral 82 in FIG. 12".
  • the difference between the actual IV characteristic and the estimated IV characteristic may be significantly large.
  • the value of the total current detected by the average deterioration degree detection monitor becomes smaller than the reference time by a predetermined threshold value or more, the value of the monitor voltage becomes higher than the previous value. , And the above-described determination data is updated.
  • the determination unit 120 in the display control circuit 10 detects the total current value I (K) obtained by the average deterioration degree detection monitor when the determination data is updated last (reference time) and the latest average deterioration degree detection. Based on the total current value I (L) obtained by the monitor, the deterioration progress rate ⁇ Z is obtained by referring to information on the correspondence between the total current and the deterioration degree (see FIG. 13).
  • the degree of deterioration ⁇ Z corresponds to the difference between the degree of deterioration Z (L) corresponding to the total current value I (L) and the degree of deterioration Z (K) corresponding to the total current value I (K).
  • the determination unit 120 compares the deterioration progress ⁇ Z with a certain threshold. As a result, if the deterioration progression ⁇ Z is larger than the threshold value, the value of the monitor voltage is set to a value higher than the previous value. In other words, if the total current value is smaller than the reference time by a predetermined threshold value corresponding to a predetermined increase in the degree of deterioration, the monitor voltage value is set to a value higher than the previous value.
  • the determination data storage unit 110 stores the value in the determination data storage unit 110 based on the IV characteristic estimated from the value of the total current obtained by the monitor voltage set to a high value as described above.
  • the held determination data (information on the correspondence between the total current and the degree of deterioration) is updated. If the deterioration progression ⁇ Z is larger than the threshold, a screen prompting the user to execute the characteristic detection monitor is displayed on the display unit 40. Then, the determination unit 120 determines whether to execute the characteristic detection monitor based on the operation of the user.
  • the value of the threshold value to be compared with the degree of deterioration ⁇ Z be a value corresponding to a drop of 1 to 5% of the total current value.
  • the value of the monitor voltage be set to a higher value when the total current value becomes smaller than the reference value by 1 to 5%.
  • the reason why the value corresponding to 1% or more of the value of the total current is set as the threshold value is that when the detected deterioration progression ⁇ Z is less than 1% of the value of the total current, the detection result indicates an error. This is because the possibility of being within the range is relatively high.
  • the reason why the value corresponding to 5% or less of the total current value is set as the threshold value is that if the value corresponding to 5% or more of the total current value is set as the threshold value, the determination data (the total current and the This is because the accuracy of estimating the IV characteristics decreases due to a decrease in the frequency of updating the information on the correspondence relationship with the degree of deterioration.
  • the IV characteristics of the driving transistor T2 are accurately estimated. Then, the determination data to be used for determining whether or not to execute the characteristic detection monitor is updated based on the IV characteristic estimated with high accuracy. Therefore, unnecessary execution of the characteristic detection monitor is suppressed. Therefore, the deterioration of the driving transistor T2 is more efficiently compensated.
  • FIG. 15 is a diagram for describing the total current measurement circuit according to the present embodiment.
  • one total current measuring circuit 50 is provided in the organic EL display device.
  • one total current measuring circuit 50 is provided for each pixel including a plurality of sub-pixels (for example, three sub-pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel). Provided.
  • Each total current measuring circuit measures a driving current flowing through three pixel circuits 410 forming the corresponding pixel as a total current.
  • one total current measurement circuit 50 may be provided for each pixel included in a certain size region.
  • the entire display unit 40 may be logically divided into 8 ⁇ 6 regions, and one total current measurement circuit 50 may be provided for each pixel included in each region.
  • the present embodiment is also applicable to a case where one pixel is formed by four or more color sub-pixels.
  • N is an integer of 3 or more and one pixel is formed by N sub-pixels (in other words, one pixel is formed by N pixel circuits 410 corresponding to N colors). Configuration), the configuration according to the present embodiment can be adopted.
  • the monitor voltage at the time of the characteristic detection monitor can be measured for each pixel in consideration of the position of the pixel on the entire display unit 40. Can be set. As a result, the degree of deterioration of the driving transistor T2 and the organic EL element 411 can be grasped more accurately, and the deterioration is compensated more accurately.
  • an area one fifth of the upper or lower end of the display unit 40 may be a dedicated area for displaying application software icons.
  • the average brightness tends to be higher than other areas, and a still screen is continually displayed. Therefore, it is considered that the degree of deterioration of the drive transistor T2 is larger in the dedicated area than in other areas.
  • the image other than the dedicated area is displayed in black while the total current measurement image is displayed in the dedicated area (see FIGS. 16 and 17), and flows over the entire screen.
  • the total current is measured by the total current measuring circuit 50.
  • the total current measured by the total current measuring circuit 50 is the total current flowing through the pixel circuit 410 in the dedicated region.
  • the total current measuring circuit 50 includes the pixel circuits included in a region corresponding to all the pixel circuits 410 and one fifth of the region from the end in the direction in which the data line S extends. The current flowing through 410 is measured as the total current.
  • FIG. 16 shows an example of a configuration in which an area one fifth from the lower end of the display unit 40 is the dedicated area 48
  • FIG. 1 shows an example of a configuration in which one area is a dedicated area 49.
  • one total current measuring circuit 50 is provided for each color of the organic EL element, as in the second embodiment. That is, the organic EL display device includes one total current measuring circuit for red 50 (R), one total current measuring circuit for green 50 (G), and one total current measuring circuit for blue 50 (B). ing.
  • one total current measurement circuit 50 may be provided as in the first embodiment, or one total current measurement circuit may be provided for each pixel including a plurality of sub-pixels as in the fourth embodiment.
  • a circuit 50 may be provided.
  • the total current measurement is performed by the total current measurement circuit 50 in a state where the total current measurement image is displayed only in one fifth area (dedicated area) of the entire display unit 40. . For this reason, the time required for displaying the total current measurement image is reduced, and the average degree of deterioration of the drive transistor T2 for determining whether to execute the characteristic detection monitor can be obtained more quickly. .
  • the organic EL display device has been described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a display element driven by current (a display element whose luminance or transmittance is controlled by current).
  • the present invention can be applied to an inorganic EL display device including an inorganic light emitting diode, a QLED display device including a quantum dot light emitting diode (Quantum dot Light Emitting Diode (QLED)), and the like.
  • QLED Quantum dot Light Emitting Diode
  • Reference Signs List 10 display control circuit 20 gate driver 30 source driver 40 display unit 50 total current measuring circuit 61 high voltage driving power supply 62 low voltage driving power supply 70 high power supply voltage main wiring 71 (1) to 71 (m) High power supply voltage branch wiring 75 Low power supply voltage main wiring 110 Determination data storage unit 120 Determination unit 130 Measurement current storage unit 140 Compensation calculation unit 410 Pixel circuit 411 Organic EL element T2 Driving transistor

Abstract

画面全体での駆動トランジスタの平均的な劣化度を速やかに求めて駆動トランジスタの劣化をより効率的に補償することのできる表示装置を実現する。　表示装置に、特定の画像が表示された状態で複数の画素回路の全体または２以上の画素回路に流れる駆動電流を総電流として測定する総電流測定回路（５０）と、駆動トランジスタの特性を検出するための特性検出モニタを実行するか否かの判定に用いる判定用データを保持する判定用データ記憶部（１１０）と、特性検出モニタを実行するか否かを総電流と判定用データとに基づいて判定する判定部（１２０）とが設けられる。

Description

表示装置およびその駆動方法
　以下の開示は、表示装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、有機ＥＬ素子などの電流によって駆動される表示素子を含む画素回路を備える表示装置およびその駆動方法に関する。
　近年、有機ＥＬ素子を含む画素回路を備えた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれており、それに流れる電流に応じた輝度で発光する自発光型の表示素子である。このように有機ＥＬ素子は自発光型の表示素子であるので、有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化・低消費電力化・高輝度化などを図ることができる。
　有機ＥＬ表示装置の駆動方式として、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）とアクティブマトリクス方式とが知られている。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。
　アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置には、複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、有機ＥＬ素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。なお、以下においては、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、駆動トランジスタとして、典型的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタに関しては、劣化によって閾値電圧が変化する。表示部内には多数の駆動トランジスタが設けられており、劣化の程度は駆動トランジスタ毎に異なるので、閾値電圧にばらつきが生じる。その結果、輝度のばらつきが生じ、表示品位が低下する。そこで、駆動トランジスタの劣化を補償する処理が従来より行われている。
　補償処理の方式の１つとして外部補償方式が知られている。外部補償方式によれば、所定条件下で駆動トランジスタを流れる電流の大きさが画素回路の外部に設けられた回路で測定される。そして、その測定結果に基づいて、映像信号が補正される。これにより、駆動トランジスタの劣化が補償される。なお、以下においては、駆動トランジスタ等の回路素子の特性を検出するために所定条件下で当該回路素子を流れる電流値を測定する一連の処理のことを「特性検出モニタ」という。上記のような外部補償方式を採用した有機ＥＬ表示装置に関する発明は、例えば国際公開２０１４／１１２２９９号パンフレットに開示されている。
国際公開２０１４／１１２２９９号パンフレット
　上述した外部補償方式によれば、駆動トランジスタのゲート端子に或る所定の電圧（モニタ電圧）を与えたときの電流値に基づいて当該駆動トランジスタの劣化度が判断される。ところが、モニタ電圧の値が適切な値でなければ、劣化度が精度良く求められない（推定された劣化度と実際の劣化度との誤差が大きくなる）。これに関し、特性検出モニタを実行するに際して予め画面全体（表示部全体）での平均的な劣化度の情報が得られていれば、その情報に基づいてモニタ電圧を調整することができる。しかしながら、それを実現するためには、本来のモニタである特性検出モニタに先立って、画面全体での駆動トランジスタの平均的な劣化度を求めるためのモニタを実行する必要がある（ここでは、電流値の測定に関わる一連の処理のことを「モニタ」と呼んでいる。）。すなわち、１画面分のモニタが２回繰り返されることになる。一般に１画面分のモニタの実行には数十秒～数分を要し（何故ならば、電流値の測定が１行ずつ行われるため）、モニタ中は通常の画像表示を行うことができないので２回もモニタが繰り返されることは好ましくない。また、駆動トランジスタの劣化の進行が緩やかであるにもかかわらず頻繁に特性検出モニタが実行されると、劣化を補償する処理は非効率的なものとなる。
　そこで、以下の開示は、画面全体での駆動トランジスタの平均的な劣化度を速やかに求めて駆動トランジスタの劣化をより効率的に補償することのできる表示装置を実現することを目的とする。
　本開示のいくつかの実施形態に係る表示装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、電流によって駆動される表示素子および前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタを含み前記複数のデータ線と前記複数の走査線との交差点に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数のデータ線にデータ電圧を印加するデータ線駆動回路と、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、前記複数の画素回路に第１電源電圧を供給するための第１電源電圧部材と、前記複数の画素回路に第２電源電圧を供給するための第２電源電圧部材とを備え、前記駆動トランジスタの特性を検出する特性検出処理を実行する機能を有する表示装置であって、
　各画素回路において、前記駆動トランジスタと前記表示素子とは前記第１電源電圧部材と前記第２電源電圧部材との間に直列に設けられ、
　前記表示装置は、
　　前記複数の画素回路に特定の画像に対応するデータ電圧が書き込まれた状態において前記複数の画素回路の全体または前記複数の画素回路のうちの２以上の画素回路に流れる駆動電流を総電流として測定する総電流測定回路と、
　　前記特性検出処理を実行するか否かの判定に用いる判定用データを保持する判定用データ記憶部と、
　　前記総電流と前記判定用データとに基づいて、前記特性検出処理を実行するか否かを判定する判定部と
を備え、
　判定期間に前記判定部によって前記特性検出処理を実行する旨の判定がなされた場合には、前記判定期間から前記特性検出処理を実行する特性検出期間に移行し、
　前記判定期間に前記判定部によって前記特性検出処理を実行しない旨の判定がなされた場合には、前記判定期間から通常の画像表示を行う表示期間に移行する。
　本開示のいくつかの実施形態に係る表示装置の駆動方法は、電流によって駆動される表示素子および前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む複数の画素回路を備え、前記駆動トランジスタの特性を検出する特性検出処理を実行する機能を有する表示装置の駆動方法であって、
　前記表示装置は、前記特性検出処理を実行するか否かの判定に用いる判定用データを保持する判定用データ記憶部を備え、
　前記駆動方法は、
　　前記複数の画素回路に特定の画像に対応するデータ電圧が書き込まれた状態において前記複数の画素回路の全体または前記複数の画素回路のうちの２以上の画素回路に流れる駆動電流を総電流として測定する総電流測定ステップと、
　　前記総電流と前記判定用データとに基づいて、前記特性検出処理を実行するか否かを判定する判定ステップと、
　　前記特性検出処理を実行する特性検出ステップと、
　　通常の画像表示を行う表示ステップと
を含み、
　前記判定ステップで前記特性検出処理を実行する旨の判定がなされた場合のみ前記特性検出ステップが実行される。
　本開示のいくつかの実施形態によれば、表示装置には、特定の画像を表示した際に画面全体あるいは２以上の画素回路に流れる総電流（総駆動電流）を測定する総電流測定回路が設けられている。このため、駆動トランジスタの平均的な劣化度を速やかに求めることができる。そして、判定部では、駆動トランジスタの平均的な劣化度に基づいて、特性検出処理（駆動トランジスタの特性を検出する処理）を実行するか否かの判定が行われる。これにより、劣化が進んでいる場合のみ特性検出処理を実行するということが可能となる。その結果、不必要に頻繁に特性検出処理が実行されることが抑制され、駆動トランジスタの劣化の補償が効率的に行われる。以上のように、駆動トランジスタの平均的な劣化度を速やかに求めて駆動トランジスタの劣化をより効率的に補償することのできる表示装置が実現される。
第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の動作中の期間について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、ソースドライバの機能について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、画素回路とソースドライバの一部（電流モニタ部として機能する部分）を示す回路図である。 上記第１の実施形態において、特性検出モニタを行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態において、駆動トランジスタの特性を検出する場合の電流測定期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、有機ＥＬ素子の特性を検出する場合の電流測定期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、映像信号電圧書き込み期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、総電流の測定について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、駆動トランジスタの平均閾値電圧の求め方について説明するための図である。 第２の実施形態における総電流測定回路について説明するための図である。 第３の実施形態に関し、１つだけのモニタ電圧を用いた場合には充分な精度でＩＶ特性が推定されないことについて説明するための図である。 上記第３の実施形態において、総電流と劣化度（駆動トランジスタの劣化度）との対応関係を模式的に示した図である。 上記第３の実施形態において、効果について説明するための図である。 第４の実施形態における総電流測定回路について説明するための図である。 第５の実施形態において、表示部のうちの下端から５分の１の領域が専用領域である場合の一構成例を示す図である。 上記第５の実施形態において、表示部のうちの上端から５分の１の領域が専用領域である場合の一構成例を示す図である。
　以下、添付図面を参照しつつ、実施形態について説明する。なお、本明細書では、データ線を介して画素回路に与えるデータ電圧のうち特性検出モニタや後述する平均劣化度検出モニタの際に画素回路に与える電圧のことを「モニタ電圧」という場合がある。また、以下において、ｍおよびｎは２以上の整数、ｉは１以上ｎ以下の整数、ｊは１以上ｍ以下の整数であると仮定する。
　＜１．第１の実施形態＞
　＜１．１　全体構成および概要＞
　図１は、第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、表示制御回路１０とゲートドライバ（走査線駆動回路）２０とソースドライバ（データ線駆動回路）３０と表示部４０と総電流測定回路５０と高電圧駆動電源６１と低電圧駆動電源６２とを備えている。表示制御回路１０には、判定用データ記憶部１１０と判定部１２０と測定電流記憶部１３０と補償演算部１４０とが含まれている。
　本実施形態および後述する第２～第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、画面全体（表示部４０全体）での駆動トランジスタの平均的な劣化度を求めるために、特定の画像を表示部４０に表示して（換言すれば、特定の画像に対応するデータ電圧を全ての駆動トランジスタに共通的に与えて）電流の測定が行われる。このとき、特定の画像を表示部４０に表示することによって画面全体または２以上の画素回路に流れる駆動電流をまとめて一本の幹配線へと流し、その幹配線に流れる電流を総電流として測定が行われる。この総電流を測定するのが総電流測定回路５０であって、測定結果である総電流データＤＩに基づいて、上述した特性検出モニタを実行するか否かの判定が行われる。なお、以下においては、画面全体での駆動トランジスタの平均的な劣化度を求めるために総電流の測定を行う際に表示部４０に表示する特定の画像のことを「総電流測定用画像」という。また、総電流測定用画像を表示して総電流の測定を行う一連の処理のことを「平均劣化度検出モニタ」という。
　本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置の動作中、特性検出モニタ（特性検出処理）を実行するか否かの判定が行われる期間（以下、「判定期間」という。）と、特性検出モニタが実行される期間（以下、「特性検出期間」という。）と、通常の画像表示が行われる期間（以下、「表示期間」という。）とが現れる。詳しくは、図２に示すように適宜のタイミングで判定期間Ｐｍ１が現れ、判定期間Ｐｍ１において特性検出モニタを実行する旨の判定がなされると特性検出期間Ｐｍ２に移行し、判定期間Ｐｍ１において特性検出モニタを実行しない旨の判定がなされると表示期間Ｐｄに移行する。すなわち、判定期間Ｐｍ１において特性検出モニタを実行する旨の判定がなされた場合のみ、表示期間Ｐｄの前に特性検出期間Ｐｍ２が現れる。なお、図２に関し、矢印の長さは期間の長さには比例していない。
　図１に関し、表示部４０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびこれらに直交するｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）が配設されている。また、表示部４０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）と１対１で対応するように、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が配設されている。走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部４０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）との交差点に対応するように、ｎ×ｍ個の画素回路４１０が設けられている。このようにｎ×ｍ個の画素回路４１０が設けられることによって、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスが表示部４０に形成されている。さらにまた、表示部４０には、上記ｎ×ｍ個の画素回路４１０全体に対応する領域に設けられた平面状の電極であって当該ｎ×ｍ個の画素回路４１０に共通の低電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するための電極である共通電極４２０が設けられるとともに、当該ｎ×ｍ個の画素回路４１０に高電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するためのｍ本の高電源電圧枝配線７１（１）～７１（ｍ）がｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）と１対１で対応するように配設されている。共通電極４２０と低電圧駆動電源６２とは低電源電圧幹配線７５によって接続されている。高電源電圧枝配線７１（１）～７１（ｍ）は高電源電圧幹配線７０に接続され、当該高電源電圧幹配線７０は総電流測定回路５０を介して高電圧駆動電源６１に接続されている。
　本実施形態においては、高電源電圧ＥＬＶＤＤによって第１電源電圧が実現され、低電源電圧ＥＬＶＳＳによって第２電源電圧が実現され、高電源電圧枝配線７１（１）～７１（ｍ）によって第１電源電圧部材が実現され、共通電極４２０によって第２電源電圧部材が実現されている。なお、本実施形態では、有機ＥＬ素子４１１が基板側からアノード端子、発光層、カソード端子（共通電極）の順に形成されるが、これに限定されず、有機ＥＬ素子４１１が基板側からカソード端子、発光層、アノード端子（共通電極）の順に形成されてもよい。その場合、低電源電圧ＥＬＶＳＳによって第１電源電圧が実現され、高電源電圧ＥＬＶＤＤによって第２電源電圧が実現され、低電源電圧枝配線によって第１電源電圧部材が実現され、共通電極によって第２電源電圧部材が実現される。
　なお、以下においては、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線には単に符号Ｓを付す。同様に、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線には単に符号Ｇ１を付す。
　本実施形態におけるデータ線Ｓは、画素回路４１０内の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号（映像信号）を伝達する信号線として用いられるだけでなく、特性検出モニタや平均劣化度検出モニタの際にモニタ電圧を画素回路４１０に与えるための信号線および特性検出モニタの際に後述する電流モニタ部３２０で測定する電流の経路となる信号線としても用いられる。
　以下、図１に示す各構成要素の動作について説明する。高電圧駆動電源６１は、高電源電圧幹配線７０を介して高電源電圧枝配線７１（１）～７１（ｍ）に高電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する。低電圧駆動電源６２は、低電源電圧幹配線７５を介して共通電極４２０に低電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する。総電流測定回路５０は、判定期間に上述した総電流の測定を行う。より詳しくは、総電流測定回路５０は、判定期間に、ｎ×ｍ個の画素回路４１０に特定の画像に対応するデータ電圧が書き込まれた状態においてｎ×ｍ個の画素回路４１０の全体に流れる駆動電流を総電流として測定する。総電流測定回路５０による総電流の測定結果は、総電流データＤＩとして表示制御回路１０に送られる。
　表示制御回路１０は、判定期間には、表示部４０に総電流測定用画像が表示されるよう、ソースドライバ３０にデジタル映像信号（総電流測定用画像に対応するデータ電圧に相当する映像信号）ＶＤａおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ２０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ２０の動作を制御する。また、判定期間には、表示制御回路１０内の判定部１２０が、総電流測定回路５０から出力される総電流データＤＩに基づいて、特性検出モニタを実行するか否かを判定する。判定用データ記憶部１１０には特性検出モニタを実行するか否かの判定に用いるための判定用データが保持されており、当該判定用データは判定部１２０によって参照される。なお、本実施形態においては、判定用データ記憶部１１０には判定用データとして所定の電圧値が保持されている。
　表示制御回路１０は、特性検出期間には、特性検出モニタが行われるよう、ソースドライバ３０にデジタル映像信号（特性検出用のモニタ電圧に相当する映像信号）ＶＤａおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ２０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ２０の動作を制御する。表示制御回路１０は、特性検出期間には、また、ソースドライバ３０から出力されるモニタデータＭＯを受け取る。このモニタデータＭＯは、測定電流記憶部１３０に格納される。なお、モニタデータＭＯとは、特性検出モニタによって測定された電流値のデータである。
　表示制御回路１０内の補償演算部１４０は、表示期間に、入力映像信号（外部から送られる画像データ）ＶＤｂを受け取り、測定電流記憶部１３０に保持されているモニタデータ（電流値のデータ）ＭＯに応じて入力映像信号ＶＤｂに補償演算処理を施すことによって、ソースドライバ３０に与えるべきデジタル映像信号ＶＤａを生成する。そして、表示制御回路１０は、表示期間には、通常の画像表示が行われるよう、ソースドライバ３０にデジタル映像信号（補償演算処理後の映像信号）ＶＤａおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ２０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ２０の動作を制御する。
　なお、ソース制御信号ＳＣＴＬには、ソーススタートパルス信号，ソースクロック信号，ラッチストローブ信号などが含まれている。また、ゲート制御信号ＧＣＴＬには、ゲートスタートパルス信号，ゲートクロック信号，アウトプットイネーブル信号などが含まれている。
　ゲートドライバ２０は、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）に接続されている。ゲートドライバ２０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ゲートドライバ２０は、表示制御回路１０から出力されたゲート制御信号ＧＣＴＬに基づいて、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）を駆動する。
　ソースドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を駆動する動作と、データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に流れる電流を測定する動作とを選択的に行う。すなわち、図３に示すように、ソースドライバ３０には、機能的には、データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を駆動するデータ線駆動部３１０として機能する部分と、画素回路４１０からデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に出力された電流を測定する電流モニタ部３２０として機能する部分とが含まれている。電流モニタ部３２０は、データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に流れる電流を測定し、測定値に基づくモニタデータＭＯを出力する。
　以上のようにして、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ），ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ），およびｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）が駆動されることによって、入力映像信号ＶＤｂに基づく画像が表示部４０に表示される。その際、モニタデータＭＯに基づいて入力映像信号ＶＤｂに補償演算処理が施されることによって、駆動トランジスタや有機ＥＬ素子の劣化が補償される。また、適宜のタイミングで現れる判定期間において特性検出モニタを実行する旨の判定がなされた場合のみ特性検出期間が設けられるので、劣化を補償する処理が効率的なものとなる。
　＜１．２　画素回路およびソースドライバ＞
　次に、画素回路４１０およびソースドライバ３０について詳しく説明する。ソースドライバ３０は、データ線駆動部３１０として機能するときには次のような動作を行う。ソースドライバ３０は、表示制御回路１０から出力されたソース制御信号ＳＣＴＬを受け取り、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）にそれぞれ目標輝度に応じた映像信号電圧をデータ電圧として印加する。このとき、ソースドライバ３０では、ソーススタートパルス信号のパルスをトリガーとして、ソースクロック信号のパルスが発生するタイミングで、各データ線Ｓに印加すべき電圧を示すデジタル映像信号ＶＤａが順次に保持される。そして、ラッチストローブ信号のパルスが発生するタイミングで、上記保持されたデジタル映像信号ＶＤａがアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、データ電圧として全てのデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に一斉に印加される。ソースドライバ３０は、電流モニタ部３２０として機能するときには、データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）にモニタ電圧を印加して、それによってデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に流れる電流をそれぞれ電圧に変換する。その変換後のデータは、モニタデータＭＯとしてソースドライバ３０から出力される。
　図４は、画素回路４１０とソースドライバ３０の一部（電流モニタ部３２０として機能する部分）を示す回路図である。なお、図４には、ｉ行ｊ列目の画素回路４１０と、ソースドライバ３０のうちのｊ列目のデータ線Ｓ（ｊ）に対応する部分とが示されている。この画素回路４１０は、１個の有機ＥＬ素子４１１，３個のトランジスタＴ１～Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子４１１への電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３は駆動トランジスタＴ２あるいは有機ＥＬ素子４１１の特性を検出するための電流測定を行うか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。
　入力トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）と駆動トランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。その入力トランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。駆動トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子４１１と直列に設けられている。その駆動トランジスタＴ２に関し、入力トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、高電源電圧ＥＬＶＤＤが供給されている高電源電圧枝配線７１（ｊ）にドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子４１１のアノード端子にソース端子が接続されている。モニタ制御トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子４１１のアノード端子にドレイン端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、駆動トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、駆動トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子４１１のカソード端子は、低電源電圧ＥＬＶＳＳが供給されている共通電極４２０に接続されている。なお、画素回路４１０内のトランジスタＴ１～Ｔ３としては、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）やアモルファスシリコンＴＦＴなどを採用することができる。酸化物ＴＦＴとしては、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）を含むＴＦＴが挙げられる。酸化物ＴＦＴを採用することによって、例えば、高精細化や低消費電力化を図ることが可能となる。
　図４に示すように、電流モニタ部３２０は、ＤＡ変換器（ＤＡＣ）３１，オペアンプ３２，コンデンサ３３，スイッチ３４，およびＡＤ変換器（ＡＤＣ）３５を含んでいる。オペアンプ３２，コンデンサ３３，およびスイッチ３４によって電流／電圧変換部３９が構成されている。なお、この電流／電圧変換部３９およびＤＡ変換器３１は、データ線駆動部３１０の構成要素としても機能する。
　ＤＡ変換器３１の入力端子には、デジタル映像信号ＶＤａが与えられる。ＤＡ変換器３１は、デジタル映像信号ＶＤａをアナログ電圧に変換する。このアナログ電圧は、映像信号電圧またはモニタ電圧である。ＤＡ変換器３１の出力端子は、オペアンプ３２の非反転入力端子に接続されている。従って、オペアンプ３２の非反転入力端子には、映像信号電圧またはモニタ電圧が与えられる。オペアンプ３２の反転入力端子は、データ線Ｓ（ｊ）に接続されている。スイッチ３４は、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に設けられている。コンデンサ３３は、スイッチ３４と並列に、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に設けられている。スイッチ３４の制御端子には、ソース制御信号ＳＣＴＬに含まれる入出力制御信号ＤＷＴが与えられる。オペアンプ３２の出力端子は、ＡＤ変換器３５の入力端子に接続されている。
　以上のような構成において、入出力制御信号ＤＷＴがハイレベルのときには、スイッチ３４はオン状態となり、オペアンプ３２の反転入力端子－出力端子間は短絡状態となる。このとき、オペアンプ３２はバッファアンプとして機能する。これにより、データ線Ｓ（ｊ）には、オペアンプ３２の非反転入力端子に与えられている電圧（映像信号電圧またはモニタ電圧）が印加される。入出力制御信号ＤＷＴがローレベルのときには、スイッチ３４はオフ状態になり、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子とはコンデンサ３３を介して接続される。このとき、オペアンプ３２とコンデンサ３３とは積分回路として機能する。これにより、オペアンプ３２の出力電圧は、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流に応じた電圧となる。ＡＤ変換器３５は、オペアンプ３２の出力電圧をデジタル値に変換する。変換後のデータはモニタデータＭＯとして表示制御回路１０に送られる。
　なお、本実施形態においてはデータ電圧（映像信号電圧およびモニタ電圧）を供給するための信号線と電流を測定するための信号線とが共用された構成となっているが、本発明はこれに限定されない。データ電圧を供給するための信号線と電流を測定するための信号線とがそれぞれ独立して設けられている構成を採用することもできる。また、画素回路４１０の構成についても、図４に示した構成以外の構成を採用することもできる。すなわち、本発明は、電流モニタ部３２０や画素回路４１０の具体的な回路構成については特に限定されない。
　＜１．３　特性検出期間の処理＞
　次に、特性検出期間に行われる処理について説明する。特性検出期間には特性検出モニタが実行される。なお、以下においては、駆動トランジスタＴ２の特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、有機ＥＬ素子４１１の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。また、特性検出モニタの対象となっている行のことを「モニタ行」という。
　図５は、特性検出モニタを行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。なお、図５では、ｉ行目について特性検出モニタが行われる例を示している。図５において、符号ＴＭで示す期間が特性検出期間である。特性検出期間ＴＭは、モニタ行においてＴＦＴ特性あるいはＯＬＥＤ特性を検出する準備が行われる期間（以下、「検出準備期間」という。）Ｔａと、特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「電流測定期間」という。）Ｔｂと、モニタ行において映像信号電圧（通常の表示画像に対応するデータ電圧）の書き込みが行われる期間（以下、「映像信号電圧書き込み期間」という。）Ｔｃとによって構成されている。
　検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、入力トランジスタＴ１はオン状態となり、モニタ制御トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。また、検出準備期間Ｔａには、データ線Ｓ（ｊ）にモニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）が印加される。なお、モニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）は或る固定の電圧を意味するのではなく、ＴＦＴ特性を検出する時とＯＬＥＤ特性を検出する時とでモニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）の大きさは異なる。すなわち、ここでのモニタ電圧とは、ＴＦＴ特性を検出するためのモニタ電圧（以下、「ＴＦＴ特性測定用電圧」という。）およびＯＬＥＤ特性を検出するためのモニタ電圧（以下、「ＯＬＥＤ特性測定用電圧」という。）の両者を含む概念である。モニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＴＦＴ特性測定用電圧であれば、駆動トランジスタＴ２はオン状態となる。モニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＯＬＥＤ特性測定用電圧であれば、駆動トランジスタＴ２はオフ状態で維持される。
　ところで、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＴＦＴ特性測定用電圧は、「ＴＦＴ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子４１１の閾値電圧＋駆動トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定される。このように設定することによって、電流測定期間Ｔｂに、有機ＥＬ素子４１１に電流が流れず、駆動トランジスタＴ２の特性のみを測定することができる。また、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＯＬＥＤ特性測定用電圧は、「ＯＬＥＤ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子４１１の閾値電圧＋駆動トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定される。このように設定することによって、電流測定期間Ｔｂに、駆動トランジスタＴ２がオン状態にならず、有機ＥＬ素子４１１の特性のみを測定することができる。
　電流測定期間Ｔｂには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる。これにより、入力トランジスタＴ１はオフ状態となり、モニタ制御トランジスタＴ３はオン状態となる。ここで、モニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＴＦＴ特性測定用電圧であれば、上述したように、駆動トランジスタＴ２はオン状態となり、かつ、有機ＥＬ素子４１１に電流は流れない。従って、図６で符号７で示す矢印のように、駆動トランジスタＴ２を流れる電流が、モニタ制御トランジスタＴ３を介してデータ線Ｓ（ｊ）に出力される。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流がソースドライバ３０内の電流モニタ部３２０によって測定される。一方、モニタ電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＯＬＥＤ特性測定用電圧であれば、上述したように駆動トランジスタＴ２はオフ状態で維持され、有機ＥＬ素子４１１に電流が流れる。すなわち、図７で符号８で示す矢印のようにデータ線Ｓ（ｊ）からモニタ制御トランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子４１１に電流が流れ、有機ＥＬ素子４１１が発光する。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流がソースドライバ３０内の電流モニタ部３２０によって測定される。
　映像信号電圧書き込み期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる。これにより、入力トランジスタＴ１はオン状態となり、モニタ制御トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、映像信号電圧書き込み期間Ｔｃには、データ線Ｓ（ｊ）には目標輝度に応じたデータ電圧が印加される。これにより、駆動トランジスタＴ２はオン状態となる。その結果、図８で符号９で示す矢印のように、駆動トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子４１１に駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子４１１が発光する。
　＜１．４　判定期間の処理＞
　次に、判定期間に行われる処理について説明する。判定期間には、総電流測定回路５０による総電流の測定処理を含む平均劣化度検出モニタが実行され、その結果に基づいて上述した特性検出モニタを実行するか否かの判定が行われる。
　判定期間には、総電流測定回路５０による総電流の測定を行うために、まず、総電流測定用画像に対応するデータ電圧（モニタ電圧）がデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に印加された状態で、図９に示すように走査線Ｇ１が１本ずつ順次にアクティブな状態とされる。そして、走査線Ｇ１（ｎ）がアクティブな状態とされた後、総電流測定回路５０による総電流の測定が開始される。なお、判定期間を通じて、モニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）は非アクティブな状態で維持される。
　図９に示す総電流測定期間には、全ての画素回路４１０において、モニタ電圧に応じた駆動電流が流れている（但し、駆動トランジスタＴ２の閾値電圧のばらつきに応じて駆動電流にもばらつきが生じる）。このとき、高電源電圧幹配線７０には上述した総電流が流れている。その総電流が総電流測定回路５０によって測定される。
　なお、本実施形態においては、総電流測定用画像として２つの画像が用意される。すなわち、２つのレベルのモニタ電圧に基づいて総電流が測定される。従って、１回の判定期間に得られる総電流データＤＩには、２つの総電流（第１総電流および第２総電流）のデータが含まれている。なお、上記２つのレベルのモニタ電圧によって第１データ電圧と第２データ電圧とが実現される。
　総電流の測定の終了後、判定部１２０において、特性検出モニタを実行するか否かの判定が行われる。その際、第１総電流と第２総電流とに基づいて、表示部４０内の駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧が求められる。なお、ここでの平均閾値電圧の値は、厳密な値（表示部４０内の駆動トランジスタＴ２の実際の閾値電圧の平均値）ではなく、推定値である。ここで、駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧の求め方について、図１０を参照しつつ説明する。駆動トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓの平方根と駆動トランジスタＴ２のドレイン－ソース間電流Ｉｄｓとの関係は線形の関係となる。従って、総電流測定用のモニタ電圧に対応するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓの平方根と総電流に対応するドレイン－ソース間電流Ｉｄｓとの関係も線形の関係となる。そこで、図１０から把握されるように、２つのモニタ電圧Ｖ１，Ｖ２に対応する２つの総電流（第１総電流および第２総電流）から得られる直線に基づいて表示部４０内の駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧を求めることができる。すなわち、駆動トランジスタＴ２の平均的な劣化度を求めることができる。
　図１０に関し、或る時点（「第１時点」という。）における第１総電流，第２総電流にそれぞれ対応するドレイン－ソース間電流ＩｄｓがＩＡ１，ＩＡ２であれば、点Ｐ１と点Ｐ２とを結ぶ直線に基づいて第１時点における駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧Ｖｔｈ１が求められる。また、第１時点以降の別の時点（「第２時点」という。）における第１総電流，第２総電流にそれぞれ対応するドレイン－ソース間電流ＩｄｓがＩＢ１，ＩＢ２であれば、点Ｐ３と点Ｐ４とを結ぶ直線に基づいて第２時点における駆動トランジスタの平均閾値電圧Ｖｔｈ２が求められる。このように、通常、第２時点における平均閾値電圧Ｖｔｈ２は第１時点における平均閾値電圧Ｖｔｈ１よりも大きくなる。
　そこで、最後に特性検出モニタが実行された際の駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧と直近の測定で得られた駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧との差が求められる。そして、その差が予め定められた値（例えば、０．２Ｖ）（この値は、判定用データ記憶部１１０に保持されている。）よりも大きければ、特性検出モニタを実行する旨の判定が行われる。
　以上のように、本実施形態においては、総電流測定回路５０が、全ての画素回路４１０に第１データ電圧が書き込まれた状態における総電流である第１総電流と、全ての画素回路４１０に第２データ電圧が書き込まれた状態における総電流である第２総電流とを測定する。そして、総電流測定回路５０による総電流の測定の終了後、判定部１２０は、第１総電流と第２総電流とに基づいて全ての画素回路４１０に含まれる駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧を求め、当該平均閾値電圧（すなわち、直近に求めた平均閾値電圧）と最後に特性検出モニタが実行された際に求めた平均閾値電圧との差が判定用データとしての電圧値よりも大きければ、特性検出モニタを実行する旨の判定を行う。
　＜１．５　効果＞
　本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置には、特定の画像（総電流測定用画像）を表示した際に画面全体（表示部４０全体）に流れる総電流を測定する総電流測定回路５０が設けられている。このような構成により、画面全体での駆動トランジスタＴ２の平均的な劣化度を速やかに求めることができる。そして、判定部１２０では、画面全体での駆動トランジスタＴ２の平均的な劣化度に基づいて、特性検出モニタを実行するか否かの判定が行われる。その結果、劣化が進んでいれば特性検出モニタは実行されるが、劣化が進んでいなければ特性検出モニタは実行されない。従って、不必要に頻繁に特性検出モニタが実行されることはなく、駆動トランジスタＴ２の劣化の補償が効率的に行われる。以上のように、本実施形態によれば、画面全体での駆動トランジスタＴ２の平均的な劣化度を速やかに求めて駆動トランジスタＴ２の劣化をより効率的に補償することのできる有機ＥＬ表示装置が実現される。
　＜１．６　変形例＞
　上記第１の実施形態においては、総電流測定回路５０は、特定の画像（総電流測定用画像）が表示された際に高電源電圧幹配線７０に流れる電流を総電流として測定していた。しかしながら、これには限定されず、特定の画像（総電流測定用画像）が表示された際に低電源電圧幹配線７５に流れる電流を総電流として総電流測定回路５０が測定するようにしても良い。この場合、総電流測定回路５０は、低電圧駆動電源６２と共通電極４２０との間に設けられる。
　＜２．第２の実施形態＞
　第２の実施形態について説明する。なお、以下においては、主に第１の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
　＜２．１　構成＞
　図１１は、本実施形態における総電流測定回路について説明するための図である。第１の実施形態においては、有機ＥＬ表示装置には１つの総電流測定回路５０が設けられていた。これに対して、本実施形態においては、有機ＥＬ素子４１１の色毎に１つの総電流測定回路５０が設けられる。１つの画素が赤色サブ画素と緑色サブ画素と青色サブ画素とによって構成されていれば、図１１に示すように、有機ＥＬ表示装置には１つの赤色用総電流測定回路５０（Ｒ）と１つの緑色用総電流測定回路５０（Ｇ）と１つの青色用総電流測定回路５０（Ｂ）とが設けられる。各総電流測定回路は、それに対応する色用の全ての画素回路４１０に流れる駆動電流を総電流として測定する。なお、図１１から把握されるように色毎に配線は独立しているので、全ての色について同じタイミングで総電流を測定することができる。
　なお、ここでは３つの色のサブ画素によって１つの画素が形成されている例を挙げて説明したが、４つ以上の色のサブ画素によって１つの画素が形成されている場合にも本実施形態に係る構成を採用することができる。すなわち、Ｎを３以上の整数とし、Ｎ色のサブ画素によって１つの画素が形成されている場合（換言すれば、Ｎ個の色に対応するＮ個の画素回路４１０によって１つの画素が形成されている場合）に本実施形態に係る構成を採用することができる。
　＜２．２　効果＞
　一般に、有機ＥＬ素子は色毎に劣化特性が異なっている。この点、本実施形態によれば、色毎に総電流を測定することができるので、特性検出モニタの際のモニタ電圧を色毎の劣化特性を考慮して色毎に設定することが可能となる。これにより、駆動トランジスタＴ２や有機ＥＬ素子４１１の劣化の程度をより正確に把握することが可能となり、より精度良く劣化が補償される。
　＜３．第３の実施形態＞
　＜３．１　概要＞
　第１の実施形態においては、表示制御回路１０内の判定用データ記憶部１１０（図１参照）には判定用データとして所定の電圧値が保持されていた。これに対して、本実施形態においては、総電流と劣化度（駆動トランジスタＴ２の劣化度）との対応関係の情報が判定用データとして判定用データ記憶部１１０に保持される。その判定用データは、平均劣化度検出モニタの結果（すなわち、総電流の値）から推定されるＩＶ特性（駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性）に基づいて得られる。
　また、第１の実施形態においては、１回の平均劣化度検出モニタの際に２つのモニタ電圧が用いられていた。そして、モニタ結果である２つの総電流（第１総電流および第２総電流）の値から得られる直線に基づいて、駆動トランジスタＴ２の平均閾値電圧が求められていた。これに対して、本実施形態においては、１回の平均劣化度検出モニタの際に１つだけのモニタ電圧が用いられる。
　ところで、１つだけのモニタ電圧を用いて駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性の推定を行った場合には、充分な推定精度が得られない（推定誤差が大きくなる）。これについて、図１２を参照しつつ説明する。或る時点（便宜上「時点Ａ」という。）における駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性が図１２において符号８０を付した曲線で表されるものと仮定する。時点Ａにモニタ電圧をＶｍｏ（１）に設定して総電流を測定すると、総電流の値は図１２に示すようにＩａとなる（座標点Ｐ２１を参照）。時点Ａから所定期間経過後の時点（便宜上「時点Ｂ」という。）にモニタ電圧を再度Ｖｍｏ（１）に設定して総電流を測定すると、総電流の値はＩａよりも小さくなる。何故ならば、時間の経過に伴い、劣化によって駆動トランジスタＴ２の閾値電圧が大きくなり画素回路４１０の抵抗が上昇するからである。時点Ｂには、総電流の値は図１２に示すように例えばＩｂとなる（座標点Ｐ２２を参照）。このとき、座標点Ｐ２２は、時点Ｂにおける駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性を表す曲線上において、かなり小さな階調に相当する部分に位置することとなる。そのため、例えば、実際のＩＶ特性が図１２において符号８１を付した曲線で表されるときに「ＩＶ特性は図１２において符号８２を付した曲線で表される」旨の推定が行われる。このように、実際のＩＶ特性と推定されたＩＶ特性との差が顕著に大きくなることがある。
　そこで、本実施形態においては、平均劣化度検出モニタによって検出される総電流の値が基準時と比較して所定閾値以上小さくなったときに、モニタ電圧の値がそれまでの値よりも高い値に設定されるとともに、上述した判定用データの更新が行われる。以下、本実施形態における構成に関し、第１の実施形態と異なる点について詳しく説明する。
　＜３．２　構成＞
　上述したように、本実施形態においては、総電流と劣化度（駆動トランジスタＴ２の劣化度）との対応関係の情報が判定用データとして表示制御回路１０内の判定用データ記憶部１１０に保持される。総電流と劣化度との対応関係は、模式的には図１３において符号８３を付した直線のように表される。なお、総電流と劣化度との対応関係はモニタ電圧の値に依存する。従って、モニタ電圧の値が変更されるのに応じて、判定用データ（対応関係の情報）は更新される。
　表示制御回路１０内の判定部１２０は、最後に判定用データが更新されたとき（基準時）の平均劣化度検出モニタで得られた総電流の値Ｉ（Ｋ）と直近の平均劣化度検出モニタで得られた総電流の値Ｉ（Ｌ）とに基づいて、総電流と劣化度との対応関係の情報を参照することにより、劣化進行度ΔＺを求める（図１３参照）。なお、劣化進行度ΔＺは、総電流の値Ｉ（Ｌ）に対応する劣化度Ｚ（Ｌ）と総電流の値Ｉ（Ｋ）に対応する劣化度Ｚ（Ｋ）との差に相当する。平均劣化度検出モニタが実行される都度、判定部１２０は、劣化進行度ΔＺを或る閾値と比較する。その結果、劣化進行度ΔＺが閾値よりも大きければ、モニタ電圧の値がそれまでの値よりも高い値に設定される。換言すれば、総電流の値が基準時と比較して劣化度の所定の増加分に相当する所定閾値以上小さくなっていれば、モニタ電圧の値がそれまでの値よりも高い値に設定される。また、劣化進行度ΔＺが閾値よりも大きければ、上記のように高い値に設定されたモニタ電圧によって得られた総電流の値から推定されるＩＶ特性に基づいて、判定用データ記憶部１１０に保持されている判定用データ（総電流と劣化度との対応関係の情報）が更新される。また、劣化進行度ΔＺが閾値よりも大きければ、特性検出モニタの実行をユーザーに促す画面が表示部４０に表示される。そして、判定部１２０は、ユーザーのオペレーションに基づき、特性検出モニタを実行するか否かを判定する。
　なお、劣化進行度ΔＺと比較する閾値の値については、総電流の値の１～５％の降下分に相当する値とすることが好ましい。換言すれば、総電流の値が基準時に比べて１～５％小さくなったときにモニタ電圧の値をそれまでの値よりも高い値に設定することが好ましい。これに関し、総電流の値の１％以上に相当する値を閾値の値とする理由は、検出された劣化進行度ΔＺが総電流の値の１％未満に相当する場合、検出結果が誤差の範囲内である可能性が比較的高いからである。また、総電流の値の５％以下に相当する値を閾値の値とする理由は、仮に総電流の値の５％以上に相当する値を閾値の値に設定すると判定用データ（総電流と劣化度との対応関係の情報）の更新頻度が少なくなることによりＩＶ特性の推定精度が低下するからである。
　＜３．３　効果＞
　上述のような構成により、例えば、上記時点Ａから上記時点Ｂまでの劣化進行度ΔＺが上記閾値よりも大きければ、モニタ電圧の値がＶｍｏ（１）からＶｍｏ（２）へと高められる（図１４参照）。そして、モニタ電圧をＶｍｏ（２）に設定して測定された総電流の値がＩｃであるとすると、図１４に示す座標点Ｐ２３は、駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性を表す曲線上の中心に近い点となる。このため、図１４で符号８１を付した曲線で表されるように、駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性が精度良く推定される。
　以上のように、本実施形態によれば、駆動トランジスタＴ２のＩＶ特性が精度良く推定される。そして、その精度良く推定されたＩＶ特性に基づいて、特性検出モニタを実行するか否かの判定に用いるための判定用データが更新される。このため、不必要に特性検出モニタが実行されることが抑制される。従って、より効率的に駆動トランジスタＴ２の劣化が補償される。
　＜４．第４の実施形態＞
　＜４．１　構成＞
　図１５は、本実施形態における総電流測定回路について説明するための図である。第１の実施形態においては、有機ＥＬ表示装置には１つの総電流測定回路５０が設けられていた。これに対して、本実施形態においては、複数のサブ画素（例えば、赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素からなる３つのサブ画素）からなる画素毎に１つの総電流測定回路５０が設けられる。各総電流測定回路は、それに対応する画素を形成する３つの画素回路４１０に流れる駆動電流を総電流として測定する。ところで、全ての画素毎に１つの総電流測定回路５０が設けられる必要はなく、或る大きさの領域に含まれる１つの画素毎に１つの総電流測定回路５０が設けられても良い。例えば、表示部４０全体を論理的に８×６個の領域に分割し、各領域に含まれる１つの画素毎に１つの総電流測定回路５０が設けられていても良い。
　なお、ここでは３つの色のサブ画素によって１つの画素が形成されている例を挙げて説明したが、４つ以上の色のサブ画素によって１つの画素が形成されている場合にも本実施形態に係る構成を採用することができる。すなわち、Ｎを３以上の整数とし、Ｎ色のサブ画素によって１つの画素が形成されている場合（換言すれば、Ｎ個の色に対応するＮ個の画素回路４１０によって１つの画素が形成されている場合）に本実施形態に係る構成を採用することができる。
　＜４．２　効果＞
　本実施形態によれば、複数のサブ画素からなる画素毎に総電流を測定することができるので、特性検出モニタの際のモニタ電圧を表示部４０全体での画素の位置を考慮して画素毎に設定することが可能となる。これにより、駆動トランジスタＴ２や有機ＥＬ素子４１１の劣化の程度をより正確に把握することが可能となり、より精度良く劣化が補償される。
　＜５．第５の実施形態＞
　＜５．１　構成＞
　有機ＥＬ表示装置の用途によっては、表示部４０のうちの上端あるいは下端から５分の１の領域がアプリケーションソフトウェアのアイコンを表示するための専用領域とされることがある。そのような専用領域では、他の領域に比べて平均輝度が高くなる傾向にあり、また、継続的に静止画面の表示が行われる傾向にある。そのため、専用領域では他の領域に比べて駆動トランジスタＴ２の劣化度が大きくなると考えられる。
　そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、専用領域以外の領域を黒表示としつつ専用領域に総電流測定用画像を表示させた状態（図１６および図１７を参照）で画面全体に流れる総電流が総電流測定回路５０によって測定される。このとき、専用領域以外の領域では画素回路４１０に電流は流れないので、総電流測定回路５０によって測定される総電流は、専用領域の画素回路４１０に流れる合計電流となる。このように、本実施形態においては、総電流測定回路５０は、全ての画素回路４１０に対応する領域のうちデータ線Ｓが延びる方向についての端部から５分の１の領域に含まれる画素回路４１０に流れる電流を総電流として測定する。
　なお、図１６には表示部４０のうちの下端から５分の１の領域が専用領域４８である場合の一構成例を示しており、図１７には表示部４０のうちの上端から５分の１の領域が専用領域４９である場合の一構成例を示している。図１６および図１７に示す例では、第２の実施形態と同様、有機ＥＬ素子の色毎に１つの総電流測定回路５０が設けられている。すなわち、有機ＥＬ表示装置には１つの赤色用総電流測定回路５０（Ｒ）と１つの緑色用総電流測定回路５０（Ｇ）と１つの青色用総電流測定回路５０（Ｂ）とが設けられている。但し、第１の実施形態と同様に全体で１つの総電流測定回路５０が設けられていても良いし、第４の実施形態と同様に複数のサブ画素からなる画素毎に１つの総電流測定回路５０が設けられていても良い。
　＜５．２　効果＞
　本実施形態によれば、表示部４０全体のうちの５分の１の領域（専用領域）のみに総電流測定用画像を表示させた状態で総電流測定回路５０による総電流の測定が行われる。このため、総電流測定用画像の表示に要する時間が短くなり、特性検出モニタを実行するか否かを判定するための駆動トランジスタＴ２の平均的な劣化度をより速やかに求めることが可能となる。
　＜６．その他＞
　上記各実施形態（変形例を含む）では有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、これには限定されない。電流で駆動される表示素子（電流によって輝度または透過率が制御される表示素子）を備えた表示装置であれば、本発明を適用することができる。例えば、無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬ表示装置や量子ドット発光ダイオード（Quantum dot Light Emitting Diode（ＱＬＥＤ））を備えたＱＬＥＤ表示装置などにも本発明を適用することができる。
１０…表示制御回路
２０…ゲートドライバ
３０…ソースドライバ
４０…表示部
５０…総電流測定回路
６１…高電圧駆動電源
６２…低電圧駆動電源
７０…高電源電圧幹配線
７１（１）～７１（ｍ）…高電源電圧枝配線
７５…低電源電圧幹配線
１１０…判定用データ記憶部
１２０…判定部
１３０…測定電流記憶部
１４０…補償演算部
４１０…画素回路
４１１…有機ＥＬ素子
Ｔ２…駆動トランジスタ

Claims (16)

  1. 　複数のデータ線と、複数の走査線と、電流によって駆動される表示素子および前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタを含み前記複数のデータ線と前記複数の走査線との交差点に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数のデータ線にデータ電圧を印加するデータ線駆動回路と、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、前記複数の画素回路に第１電源電圧を供給するための第１電源電圧部材と、前記複数の画素回路に第２電源電圧を供給するための第２電源電圧部材とを備え、前記駆動トランジスタの特性を検出する特性検出処理を実行する機能を有する表示装置であって、
    　各画素回路において、前記駆動トランジスタと前記表示素子とは前記第１電源電圧部材と前記第２電源電圧部材との間に直列に設けられ、
    　前記表示装置は、
    　　前記複数の画素回路に特定の画像に対応するデータ電圧が書き込まれた状態において前記複数の画素回路の全体または前記複数の画素回路のうちの２以上の画素回路に流れる駆動電流を総電流として測定する総電流測定回路と、
    　　前記特性検出処理を実行するか否かの判定に用いる判定用データを保持する判定用データ記憶部と、
    　　前記総電流と前記判定用データとに基づいて、前記特性検出処理を実行するか否かを判定する判定部と
    を備え、
    　判定期間に前記判定部によって前記特性検出処理を実行する旨の判定がなされた場合には、前記判定期間から前記特性検出処理を実行する特性検出期間に移行し、
    　前記判定期間に前記判定部によって前記特性検出処理を実行しない旨の判定がなされた場合には、前記判定期間から通常の画像表示を行う表示期間に移行することを特徴とする、表示装置。
  2. 　前記特性検出期間に各画素回路から供給される電流を測定する電流測定回路と、
    　前記電流測定回路による電流の測定結果である電流値を保持する測定電流記憶部と、
    　前記測定電流記憶部に保持されている電流値に応じて入力映像信号を補正することによって、各画素回路に供給すべきデータ電圧に相当する映像信号を生成する補償演算部と
    を備え、
    　前記データ線駆動回路は、前記特性検出期間には、前記駆動トランジスタの特性を検出するための所定のデータ電圧を前記複数のデータ線に印加し、前記表示期間には、前記補償演算部によって生成された映像信号に相当するデータ電圧を前記複数のデータ線に印加することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記第１電源電圧部材は、前記複数のデータ線と１対１で対応するように設けられた複数の第１電源電圧枝配線であって、
    　前記表示装置は、前記複数の第１電源電圧枝配線と前記第１電源電圧の供給源とに接続された第１電源電圧幹配線を備え、
    　前記総電流測定回路は、前記第１電源電圧幹配線に流れる電流を前記総電流として測定することを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　前記第２電源電圧部材は、前記複数の画素回路全体に対応する領域に設けられた平面状の電極である共通電極であって、
    　前記表示装置は、前記共通電極と前記第２電源電圧の供給源とに接続された第２電源電圧幹配線を備え、
    　前記総電流測定回路は、前記第２電源電圧幹配線に流れる電流を前記総電流として測定することを特徴とする、請求項１または２に記載の表示装置。
  5. 　前記総電流測定回路は、前記複数の画素回路の全体に流れる駆動電流を前記総電流として一度に測定することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  6. 　Ｎ個（Ｎは３以上の整数）の色に対応するＮ個の画素回路によって１つの画素が形成され、
    　前記表示装置は、前記Ｎ個の色にそれぞれ対応するようＮ個の前記総電流測定回路を備え、
    　各総電流測定回路は、前記複数の画素回路のうちそれに対応する色用の画素回路に流れる電流を前記総電流として測定することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  7. 　前記判定部は、前記特性検出処理を実行するか否かの判定を色ごとに行い、
    　前記特性検出期間には、前記判定部によって前記特性検出処理を実行する旨の判定がなされた色についてのみ前記特性検出処理が実行されることを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記特定の画像に対応するデータ電圧として、第１データ電圧と、前記第１データ電圧とは異なる電圧である第２データ電圧とが用意され、
    　前記判定用データは、電圧値であって、
    　前記総電流測定回路は、前記複数の画素回路に前記第１データ電圧が書き込まれた状態における総電流である第１総電流と、前記複数の画素回路に前記第２データ電圧が書き込まれた状態における総電流である第２総電流とを測定し、
    　前記判定部は、
    　　前記第１総電流と前記第２総電流とに基づいて、前記複数の画素回路に含まれる駆動トランジスタの平均閾値電圧を求め、
    　　最後に前記特性検出処理が実行された際に求めた平均閾値電圧と直近に求めた平均閾値電圧との差が前記判定用データとしての電圧値よりも大きければ、前記特性検出処理を実行する旨の判定を行うことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 　前記総電流測定回路は、前記複数の画素回路の全体に流れる駆動電流を前記第１総電流または前記第２総電流として一度に測定し、
    　前記判定部は、前記複数の画素回路の全てに含まれる駆動トランジスタの平均閾値電圧を求めることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
  10. 　Ｎ個（Ｎは３以上の整数）の色に対応するＮ個の画素回路によって１つの画素が形成され、
    　前記表示装置は、前記Ｎ個の色にそれぞれ対応するようＮ個の前記総電流測定回路を備え、
    　各総電流測定回路は、前記複数の画素回路のうちそれに対応する色用の画素回路に流れる電流を前記総電流として測定し、
    　前記判定部は、前記駆動トランジスタの平均閾値電圧を色ごとに求めることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
  11. 　前記判定用データは、前記総電流測定回路による総電流の測定が行われる際に前記複数の画素回路に書き込むデータ電圧に応じた、総電流と前記駆動トランジスタの劣化度との対応関係を表すデータであって、
    　前記総電流測定回路によって測定された総電流の値が基準時と比較して劣化度の所定の増加分に相当する所定閾値以上小さくなったときに、前記総電流測定回路による総電流の測定が行われる際に前記複数の画素回路に書き込むデータ電圧が高められるとともに前記判定用データが更新されることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 　直近の測定で得られた総電流の値が最後に前記判定用データが更新されたときの測定で得られた総電流の値に比べて１～５％小さくなったときに、前記総電流測定回路による総電流の測定が行われる際に前記複数の画素回路に書き込むデータ電圧が高められることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記総電流測定回路によって測定された総電流の値が前記基準時と比較して前記所定閾値以上小さくなったときに、前記特性検出処理の実行を促す画面を表示することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
  14. 　Ｎ個（Ｎは３以上の整数）の色に対応するＮ個の画素回路によって１つの画素が形成され、
    　前記表示装置は、全ての画素または一部の画素に対応するよう複数個の前記総電流測定回路を備え、
    　各総電流測定回路は、それに対応する画素を形成するＮ個の画素回路に流れる電流を前記総電流として測定することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  15. 　前記総電流測定回路は、前記複数の画素回路全体に対応する領域のうち前記複数のデータ線が延びる方向についての端部から５分の１の領域に含まれる画素回路に流れる電流を前記総電流として測定することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の表示装置。
  16. 　電流によって駆動される表示素子および前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタを含む複数の画素回路を備え、前記駆動トランジスタの特性を検出する特性検出処理を実行する機能を有する表示装置の駆動方法であって、
    　前記表示装置は、前記特性検出処理を実行するか否かの判定に用いる判定用データを保持する判定用データ記憶部を備え、
    　前記駆動方法は、
    　　前記複数の画素回路に特定の画像に対応するデータ電圧が書き込まれた状態において前記複数の画素回路の全体または前記複数の画素回路のうちの２以上の画素回路に流れる駆動電流を総電流として測定する総電流測定ステップと、
    　　前記総電流と前記判定用データとに基づいて、前記特性検出処理を実行するか否かを判定する判定ステップと、
    　　前記特性検出処理を実行する特性検出ステップと、
    　　通常の画像表示を行う表示ステップと
    を含み、
    　前記判定ステップで前記特性検出処理を実行する旨の判定がなされた場合のみ前記特性検出ステップが実行されることを特徴とする、駆動方法。
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