CN112740316A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

能够实现一种能够快速求出整个屏幕中的驱动晶体管的平均的劣化度以更有效地补偿驱动晶体管的劣化的显示装置。显示装置中设有：总电流测量电路(50)，其在显示有特定的图像的状态下测量多个像素电路的全部像素电路或2以上的像素电路中流过的驱动电流作为总电流；判断用数据存储部(110)，其保存判断用数据，该判断用数据用于判断是否执行特性检测监测，该特性检测监测用于检测驱动晶体管的特性；以及判断部(120)，其基于总电流和判断用数据来判断是否执行特性检测监测。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
以下公开涉及一种显示装置及其驱动方法，更详细地说，涉及一种具备有像素电路的显示装置及其驱动方法，该像素电路包含被电流驱动的有机EL元件等的显示元件。
背景技术
近年来，具备有像素电路的有机EL显示装置已经投入实际使用，其中该像素电路包含有机EL元件。有机EL元件也称为OLED(Organic Light-Emitting Diode)，其是以与在该有机EL元件中流过的电流对应的亮度来发光的自发光型显示元件。如此，由于有机EL元件是自发光型显示元件，因此与需要背光源和彩色滤光片的液晶显示装置相比，有机EL显示装置容易实现薄型化、低功耗、高亮度等。
作为有机EL显示装置的驱动方式，已知有无源矩阵方式(也称为简称为矩阵方式。)和有源矩阵方式。采用了无源矩阵方式的有机EL显示装置虽然结构简单，但难以实现大型化和高清晰度。对此，采用了有源矩阵方式的有机EL显示装置(以下称为“有源矩阵型有机EL显示装置”。)与采用无源矩阵方式的有机EL显示装置相比，可以容易地实现大型化和高清晰度。
在有源矩阵型有机EL显示装置中，以矩阵状形成有多个像素电路。有源矩阵型有机EL显示装置的像素电路典型地包含有用于选择像素的输入晶体管、和用于控制供给至有机EL元件电流的驱动晶体管。此外，在下文中，从驱动晶体管流向有机EL元件的电流有时被称为“驱动电流”。
顺便一提，在有机EL显示装置中，通常采用薄膜晶体管(TFT)作为驱动晶体管。然而，关于薄膜晶体管，阈值电压随着劣化而变化。在显示部内设置有多个驱动晶体管，劣化的程度因各驱动晶体管而不同，因此阈值电压产生偏差。其结果，产生亮度的偏差，显示品质降低。因此，从以往开始有进行用于补偿驱动晶体管劣化的处理。
作为补偿处理的方式之一，已知有外部补偿方式。根据外部补偿方式，在规定条件下，流过驱动晶体管的电流的大小通过设置在像素电路外部的电路来被测量。然后，基于该测量结果来校正影像信号。由此，驱动晶体管的劣化得到补偿。此外，在下文中，为了检测驱动晶体管等电路元件的特性，在规定条件下测量流过该电路元件的电流值的一系列处理被称为“特性检测监测”。关于采用了上述的外部补偿方式的有机EL显示装置的发明例如在国际公开2014/111299号公报中公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/112299号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
根据上述外部补偿方式，基于在对驱动晶体管的栅极端子施加某一规定电压(监测电压)时的电流值来判断该驱动晶体管的劣化度。然而，如果监测电压的值不是适当的值，则不能高精度地求出劣化度(所估算的劣化度与实际的劣化度之间的误差变大)。关于此，如果在执行特性检测监测时预先获得整个屏幕(整个显示部)上的平均劣化度的信息，则可以基于该信息来调整监测电压。然而，为了实现该动作，需要在作为原始监测的特性检测监测之前执行用于求出在整个屏幕上的驱动晶体管的平均劣化度的监测(在此，与电流值的测量相关联的一系列处理被称为“监测”。)。即，一个屏幕量的监测将重复两次。一般来说，一个屏幕量的监测的执行需要几十秒～几分钟(这是由于，电流值的测量是逐行地进行的)，在监测过程中不能进行通常的图像显示，所以不希望重复两次监测。另外，尽管驱动晶体管的劣化进展缓慢，但是如果频繁地执行特性检测监测，则用于补偿劣化的处理变得低效。
由此，以下公开的目的在于，实现一种能够快速求出整个屏幕中的驱动晶体管的平均的劣化度以更有效地补偿驱动晶体管的劣化的显示装置。
解决问题的方案
本公开的一些实施方式所涉及的显示装置包括：多条数据线；多条扫描线；多个像素电路，其包含被电流驱动的显示元件以及控制所述显示元件的驱动电流的驱动晶体管，且对应设置于所述多条数据线与所述多条扫描线的交叉点；数据线驱动电路，其对所述多条数据线施加数据电压；扫描线驱动电路，其驱动所述多条扫描线；第一电源电压部件，其用于向所述多个像素电路提供第一电源电压；以及第二电源电压部件，其用于向所述多个像素电路提供第二电源电压，所述显示装置具有执行特性检测处理的功能，所述特性检测处理用于检测所述驱动晶体管的特性，在各像素电路中，所述驱动晶体管和所述显示元件串联设置于所述第一电源电压部件与所述第二电源电压部件之间，所述显示装置具有总电流测量电路、判断用数据存储部、判断部，所述总电流测量电路在所述多个像素电路中被写入了与特定的图像对应的数据电压的状态下，测量所述多个像素电路的全部像素电路或所述多个像素电路中的2个以上的像素电路中流过的驱动电流作为总电流，所述判断用数据存储部保存判断用数据，所述判断用数据用于判断是否执行所述特性检测处理，所述判断部基于所述总电流和所述判断用数据来判断是否执行所述特性检测处理，在判断期间，当通过所述判断部判断为执行所述特性检测处理时，从所述判断期间过渡至执行所述特性检测处理的特性检测期间，在所述判断期间，当通过所述判断部判断为不执行所述特性检测处理时，从所述判断期间过渡至进行通常的图像显示的显示期间。
本公开的一些实施方式所涉及的显示装置的驱动方法中，所述显示装置具备多个像素电路并具有执行特性检测处理的功能，所述特性检测处理用于检测所述驱动晶体管的特性，所述像素电路包含被电流驱动的显示元件以及控制所述显示元件的驱动电流的驱动晶体管，所述显示装置具备判断用数据存储部，所述判断用数据存储部保存判断用数据，所述判断用数据用于判断是否执行所述特性检测处理，所述驱动方法包含如下步骤：总电流测量步骤，在所述总电流测量步骤中，在所述多个像素电路中被写入了与特定的图像对应的数据电压的状态下，测量所述多个像素电路的全部像素电路或所述多个像素电路中的2个以上的像素电路中流过的驱动电流作为总电流；判断步骤，在所述判断步骤中，基于所述总电流和所述判断用数据来判断是否执行所述特性检测处理；特性检测步骤，在所述特性检测步骤中，执行所述特性检测处理；以及显示步骤，在所述显示步骤中，进行通常的图像显示，在所述判断步骤中，仅在判断为执行所述特性检测处理时执行所述特性检测步骤。
有益效果
根据本公开的一些实施方式，在显示装置中设置有总电流测量电路，该总电流测量电路测量在显示有特定图像时在整个屏幕或两个以上像素电路中流过的总电流(总驱动电流)。因此，能够快速地求出驱动晶体管的平均劣化度。然后，在判断部中，基于驱动晶体管的平均劣化度，来判断是否执行特性检测处理(用于检测驱动晶体管的特性的处理)。因此，仅在进行劣化时才能够执行特性检测处理。其结果，能抑制不必要地频繁地执行特性检测处理，并能有效地补偿驱动晶体管的劣化。如上所述，能够实现一种能够快速求出驱动晶体管的平均的劣化度以更有效地补偿驱动晶体管的劣化的显示装置。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体构成的框图。
图2是用于对上述第一实施方式中的有机EL显示装置正在动作的期间进行说明的图。
图3是用于对上述第一实施方式中的源极驱动器的功能进行说明的图。
图4是示出上述第二实施方式中的像素电路与源极驱动器的一部分(作为电流监测部发挥作用的部分)的电路图。
图5是用于对上述第一实施方式中的用于进行特性检测监测的驱动方法进行说明的时序图。
图6是用于对上述第一实施方式中的检测驱动晶体管的特性时的电流测量期间内的电流的流动进行说明的图。
图7是用于对上述第一实施方式中的检测有机EL元件的特性时的电流测量期间内的电流的流动进行说明的图。
图8是用于对上述第一实施方式中的影像信号电压写入期间内的电流的流动进行说明的图。
图9是用于对上述第一实施方式中的总电流的测量进行说明的图。
图10是用于对上述第一实施方式中的驱动晶体管的平均阈值电压的求解方法进行说明的图。
图11是用于对第二实施方式中的总电流测量电路进行说明的图。
图12涉及第三实施方式，是用于说明当仅使用一个监测电压时无法以足够的精度来估算IV特性的情况的图。
图13是示意性地示出了在上述第三实施方式中的总电流与劣化度(驱动晶体管的劣化度)之间的对应关系的图。
图14是用于对上述第三实施方式中的效果进行说明的图。
图15是用于对第四实施方式中的总电流测量电路进行说明的图。
图16是示出第五实施方式中的显示部中的自下端起1/5的区域为专用区域的情况的一个构成例的图。
图17是示出上述第五实施方式中的显示部中的自上端起1/5的区域为专用区域的情况的一个构成例的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行说明。此外，在本说明书中，有时将经由数据线施加至像素电路的数据电压中的特性检测监测、在后述的平均劣化度检测监测时施加至像素电路的电压称为“监测电压”。另外，以下，m和n设为2以上的整数，i设为1以上且n以下的整数，j设为1以上且m以下的整数。
＜1.第一实施方式＞
＜1.1整体构成及概要＞
图1是示出第一实施方式所涉及的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体构成的框图。该有机EL显示装置包括显示控制电路10、栅极驱动器(扫描线驱动电路)20、源极驱动器(数据线驱动电路)30、显示部40、总电流测量电路50、高电压驱动电源61和低电压驱动电源62。显示控制电路10包含有判断用数据存储部110、判断部120、测量电流存储部130和补偿运算部140。
在本实施方式以及后述的第二至第五实施方式所涉及的有机EL显示装置中，为了求出整个屏幕(显示部40整体)上驱动晶体管的平均劣化度，将特定图像显示在显示部40上(换言之，将与特定图像对应的数据电压共同施加至所有驱动晶体管)以进行电流的测量。此时，通过在显示部40上显示特定的图像，从而将在整个屏幕或两个以上像素电路中流过的驱动电流集中流向一条干线，并将流过该干线的电流作为总电流进行测量。测量该总电流的是总电流测量电路50，并且基于测量结果即总电流数据DI来进行是否执行上述特性检测监测的判断。此外，在下文中，为了求出整个屏幕上的驱动晶体管的平均劣化度，在进行测量总电流时显示在显示部40上的特定图像被称为“总电流测量图像”。另外，将显示总电流测量用图像并进行总电流测量的一系列处理称为“平均劣化度检测监测”。
在本实施方式中，在有机EL显示装置的动作过程中，出现了进行判断是否执行特性检测监测(特性检测处理)的期间(以下称为“判断期间”。)、特性检测监测被执行的期间(以下称为“特性检测期间”。)和进行通常的图像显示的期间(以下称为“显示期间”。)。详细地说，如图2所示，在适当的时刻出现判断期间Pm1，若在判断期间Pm1判断为执行特性检测监测时，过渡到特性检测期间Pm2，若在判断期间Pm1判断为不执行特性检测监测时，过渡到显示期间Pd。即，仅在判断期间Pm1判断为执行特性检测监测的情况下，特性检测期间Pm2才会出现在显示期间Pd之前。此外，关于图2，箭头的长度与期间的长度不成比例。
关于图1，在显示部40中配设有m条数据线S(1)～S(m)和与它们垂直的n条扫描线G1(1)～G1(n)。另外，在显示部40中，以与n条扫描线G1(1)～G1(n)一一对应的方式，配设有n条监测控制线G2(1)～G2(n)。扫描线G1(1)～G1(n)与监测控制线G2(1)～G2(n)相互平行。此外，在显示部40中，设置有n×m个像素电路410，使得该n×m个像素电路410对应于n条扫描线G1(1)～G1(n)与m条数据线S(1)～S(m)的交叉点。通过以这种方式设置n×m个像素电路410，从而在显示部40中形成有n行×m列的像素矩阵。此外，在显示部40中设置有共用电极420，该共用电极420是设置在与上述n×m个像素电路410整体对应的区域中的平面状电极且是作为用于向该n×m个像素电路410供给共同的低电源电压ELVSS的电极，用于向n×m个像素电路410供给高电源电压ELVDD的m条高电源电压支线71(1)～71(m)被配设为与m条数据线S(1)～S(m)一一对应。共用电极420与低电压驱动电源62经由低电源电压干线75连接。高电源电压支线71(1)～71(m)与高电源电压干线70连接，该高电源电压干线70经由总电流测量电路50与高电压驱动电源61连接。
在本实施方式中，通过高电源电压ELVDD来实现第一电源电压，通过低电源电压ELVSS来实现第二电源电压，通过高电源电压支线71(1)～71(m)来实现第一电源电压部件，通过共同电极420来实现第二电源电压部件。此外，在本实施方式中，有机EL元件411从基板侧按阳极端子、发光层、阴极端子(共同电极)的顺序形成，但不限于此，也可以从基板侧按阴极端子、发光层、阳极端子(共同电极)的顺序形成有机EL元件411。在这种情况下，通过低电源电压ELVSS来实现第一电源电压，通过高电源电压ELVDD来实现第二电源电压，通过低电源电压支线来实现第一电源电压部件，通过共用电极来实现第二电源电压部件。
此外，在下文中，在不需要相互区分m条数据线S(1)～S(m)的情况下，仅对数据线标注附图标记S。同样地，在不需要相互区分n条扫描线G1(1)～G1(n)的情况下，仅对扫描线标注附图标记G1。
本实施方式中的数据线S不仅被用作传输用于使像素电路410内的有机EL元件以期望的亮度发光的亮度信号(影像信号)的信号线，而且被用作在特性检测监测或平均劣化度检测监测时将监测电压施加至像素电路410的信号线、和在特性检测监测时成为由后述的电流监测部320测量的电流的路径的信号线。
以下，对图1所示的各构成要素的动作进行说明。高电压驱动电源61经由高电源电压干线70向高电源电压支线71(1)～71(m)供给高电源电压ELVDD。低电压驱动电源62经由低电源电压干线75向共用电极420供给低电源电压ELVSS。总电流测量电路50在判断期间进行上述总电流的测量。更具体地，总电流测量电路50在判断期间内测量在n×m个像素电路410中写入了与特定的图像对应的数据电压的状态下流过整个n×m个像素电路410的驱动电流作为总电流。由总电流测量电路50测量的总电流的测量结果设为总电流数据DI被发送至显示控制电路10。
显示控制电路10在判断期间为在显示部40显示总电流测量用图像，通过对源极驱动器30施加数字影像信号(与总电流测量用图像所对应的数据电压相当的影像信号)VDa及源极控制信号SCTL来控制源极驱动器30的动作，并通过对栅极驱动器20施加栅极控制信号GCTL来控制栅极驱动器20的动作。另外，在判断期间内，显示控制电路10中的判断部120基于从总电流测量电路50输出的总电流数据DI来判断是否执行特性检测监测。判断用数据存储部110中存储有判断用数据，该判断用数据用于判断是否执行特性检测监测，并且该判断用数据被判断部120参考。此外，在本实施方式中，在判断用数据存储部110中存储有规定的电压值作为判断用数据。
显示控制电路10在特性检测期间为进行特性检测监测，通过对源极驱动器30施加数字影像信号(与特性检测用的监测电压相当的影像信号)VDa及源极控制信号SCTL来控制源极驱动器30的动作，并通过对栅极驱动器20施加栅极控制信号GCTL来控制栅极驱动器20的动作。显示控制电路10在特性检测期间内，还接收从源极驱动器30输出的监测数据MO。该监测数据MO存储在测量电流存储部130中。此外，监测数据MO是通过特性检测监测测量到的电流值的数据。
显示控制电路10内的补偿运算部140在显示期间接收输入影像信号(从外部发送的图像数据)VDb，并根据存储在测量电流存储部130中的监测数据(电流值的数据)MO对输入影像信号VDb实施补偿运算处理，从而生成要施加至源极驱动器30的数字影像信号VDa。而且，显示控制电路10在显示期间为进行通常的图像显示，通过对源极驱动器30施加数字影像信号(补偿运算处理后的影像信号)VDa以及源极控制信号SCTL来控制控制源极驱动器30的动作，并通过对栅极驱动器20施加栅极控制信号GCTL来控制栅极驱动器20的动作。
此外，源极控制信号SCTL中，包含有源极启动脉冲信号、源极时钟信号、锁存选通信号等。另外，栅极控制信号GCTL中，包含有栅极启动脉冲信号、栅极时钟信号、输出使能信号等。
栅极驱动器20连接到n条扫描线G1(1)～G1(n)及n条监测控制线G2(1)～G2(n)。栅极驱动器20由移位寄存器以及逻辑电路等构成。栅极驱动器20基于从显示控制电路10输出的栅极控制信号GCTL，驱动n条扫描线G1(1)～G1(n)及n条监测控制线G2(1)～G2(n)。
源极驱动器30与m条数据线S(1)～S(m)连接。源极驱动器30选择性地进行如下动作：驱动数据线S(1)～S(m)的动作、测量流过数据线S(1)～S(m)的电流的动作。即，如图3所示，在源极驱动器30中，功能上包含：作为驱动数据线S(1)～S(m)的数据线驱动部310而发挥功能的部分、作为测量从像素电路410输出到数据线S(1)～S(m)的电流而发挥功能的电流监测部320的部分。电流监测部320测量在数据线S(1)～S(m)中流过的电流，并输出基于测量值的监测数据MO。
如上所述，通过驱动n条扫描线G1(1)～G1(n)、n条监测控制线G2(1)～G2(n)以及m条数据线S(1)～S(m)，在显示部40中显示基于输入影像信号VDb的图像。此时，基于监测数据MO对输入影像信号VDb实施补偿运算处理，从而补偿驱动晶体管、有机EL元件的劣化。另外，仅在适当的时刻出现的判断期间判断为执行特性检测监测的情况下设置特性检测期间，所以补偿劣化的处理变得有效。
＜1.2像素电路及源极驱动器＞
接下来，详细描述像素电路410和源极驱动器30。当源极驱动器30作为数据线驱动部310发挥功能时，源极驱动器30进行如下动作。源极驱动器30接收从显示控制电路10输出的源极控制信号SCTL，并将与目标亮度对应的影像信号电压作为数据电压分别施加到m条数据线S(1)～S(m)。此时，在源极驱动器30中，以源极启动脉冲信号的脉冲为触发，在源极时钟信号的脉冲产生的时刻，依次保存表示要施加至各数据线S的电压的数字影像信号VDa。并且，在锁存选通信号的脉冲产生的时刻，上述被保存的数字影像信号VDa被转换为模拟电压。将上述转换后的模拟电压一并施加到所有数据线S(1)～S(m)作为数据电压。当源极驱动器30作为电流监测部320发挥功能时，源极驱动器30对数据线S(1)～S(m)施加监测电压，并通过这种方式，将流过数据线S(1)～S(m)的电流分别转换为电压。将上述转换后的数据作为监测数据MO从源极驱动器30输出。
图4是示出像素电路410与源极驱动器30的一部分(作为电流监测部320发挥作用的部分)的电路图。此外，在图4中，示出了第i行j列的像素电路410、和源极驱动器30中的与第j列的数据线S(j)对应的部分。该像素电路410包括一个有机EL元件411、三个晶体管T1～T3以及一个电容器Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管发挥功能，晶体管T2作为控制向有机EL元件411供给电流的驱动晶体管发挥功能，晶体管T3作为监测控制晶体管发挥功能，该监测控制晶体管控制是否进行电流测量，该电流测量用于检测驱动晶体管T2或有机EL元件411的特性。
输入晶体管T1设置在数据线S(j)与驱动晶体管T2的栅极端子之间。关于该输入晶体管T1，栅极端子与扫描线G1(i)连接，源极端子与数据线S(j)连接。驱动晶体管T2与有机EL元件411串联设置。关于该驱动晶体管T2，栅极端子与输入晶体管T1的漏极端子连接，漏极端子与供给高电源电压ELVDD的高电源电压支线71(j)连接，源极端子与有机EL元件411的阳极端子连接。关于该监测控制晶体管T3，栅极端子与监测控制线G2(i)连接，漏极端子与有机EL元件411的阳极端子连接，源极端子与数据线S(j)连接。关于电容器Cst，一端连接到驱动晶体管T2的栅极端子，另一端连接到驱动晶体管T2的漏极端子。有机EL元件411的阴极端子与供给低电源电压ELVSS的共用电极420连接。此外，作为像素电路410中的晶体管T1～T3，可以采用氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)和非晶硅TFT等。作为氧化物TFT，例如可以列举包含InGaZnO(氧化铟镓锌)的TFT。通过采用氧化物TFT，例如可以实现高分辨率、低功耗。
如图4所示，电流监测部320包含有DA转换器(DAC)31、运算放大器32、电容器33、开关34和AD转换器(ADC)35。由运算放大器32、电容器33和开关34构成电流/电压转换部39。此外，该电流/电压转换部39和DA转换器31还作为数据线驱动部310的构成要素发挥功能。
DA转换器31的输入端子中被施加数字影像信号VDa。DA转换器31将数字影像信号VDa转换为模拟电压。该模拟电压是影像信号电压或监测电压。DA转换器31的输出端子连接到运算放大器32的非反相输入端子。因此，运算放大器32的非反相输入端子中被施加影像信号电压或监测电压。运算放大器32的反相输入端子连接到数据线S(j)。开关34设置在运算放大器32的反相输入端子与输出端子之间。电容器33与开关34并联设置在运算放大器32的反相输入端子与输出端子之间。开关34的控制端子中被施加源极控制信号SCTL中所含的输入输出控制信号DWT。运算放大器32的输出端子连接到AD转换器35的输入端子。
在上述构成中，当输入输出控制信号DWT为高电平时，开关34变为导通状态，运算放大器32的反相输入端子-输出端子之间处于短路状态。此时，运算放大器32作为缓冲放大器发挥功能。由此，数据线S(j)中被施加对运算放大器32的非反相输入端子施加的电压(影像信号电压或监测电压)。当输入输出控制信号DWT为低电平时，开关34变为截止状态，运算放大器32的反相输入端子和输出端子经由电容器33连接。此时，运算放大器32和电容器33作为积分电路发挥功能。由此，运算放大器32的输出电压成为与流过数据线S(j)的电流对应的电压。AD转换器35将运算放大器32的输出电压转换为数字值。转换后的数据设为监测数据MO被发送至显示控制电路10。
此外，在本实施方式中，用于供给数据电压(影像信号电压和监测电压)的信号线和用于测量电流的信号线被设为共通的构成，但是本发明不限于此。也可以采用分别独立设置用于供给数据电压的信号线和用于测量电流的信号线的构成。此外，像素电路410的构成也可以采用图4所示的构成以外的构成。即，本发明不特别限定电流监测部320、像素电路410的具体电路结构。
＜1.3特性检测期间的处理＞
接着，说明在特性检测期间进行的处理。在特性检测期间执行特性检测监测。此外，在下文中，驱动晶体管T2的特性被称为“TFT特性”，并且有机EL元件411的特性被称为“OLED特性”。另外，将成为特性检测监测的对象的行称为“监测行”。
图5是用于对用于进行特性检测监测的驱动方法进行说明的时序图。此外，在图5中，示出了针对第i行执行特性检测监测的例子。在图5中，附图标记TM所示的期间是特性检测期间。特性检测期间TM由期间Ta、Tb和Tc构成，其中，Ta为在监测行中准备检测TFT特性或OLED特性的期间(以下，称为“检测准备期间”。)，Tb为进行用于检测特性的电流测量的期间(以下，称为“电流测量期间”。)，Tc为在监测行中进行影像信号电压(与通常的显示图像对应的数据电压)的写入的期间(以下称为“影像信号电压写入期间”。)。
在检测准备期间Ta内，扫描线G1(i)变为激活状态，并且监测控制线G2(i)维持在非激活状态。由此，输入晶体管T1变为导通状态，监测控制晶体管T3维持在截止状态。另外，在检测准备期间Ta内，数据线S(j)被施加监测电压Vmg(i，j)。此外，监测电压Vmg(i，j)不意味着某个固定的电压，在检测TFT特性时与在检测OLED特性时，监测电压Vmg(i，j)的大小不同。即，这里的监测电压是包含用于检测TFT特性的监测电压(以下，称为“TFT特性测量用电压”。)以及用于检测OLED特性的监测电压(以下，称为“OLED特性测量用电压”。)这两者的概念。监测电压Vmg(i，j)若为TFT特性测量用电压，则驱动晶体管T2变为导通状态。监测电压Vmg(i，j)若为OLED特性测量用电压，则驱动晶体管T2维持在截止状态。
然而，在检测准备期间Ta施加到数据线S(j)的TFT特性测量用电压被设置为满足“TFT特性测量用电压＜有机EL元件411的阈值电压+驱动晶体管T2的阈值电压”。通过以这种方式设定，从而在电流测量期间Tb，电流不流过有机EL元件411，能够仅测量驱动晶体管T2的特性。另外，在检测准备期间Ta施加到数据线S(j)的OLED特性测量用电压被设置为满足“OLED特性测量用电压＜有机EL元件411的阈值电压+驱动晶体管T2的阈值电压”。通过以这种方式设定，从而在电流测量期间Tb，驱动晶体管T2不处于导通状态，能够仅测量有机EL元件411的特性。
在电流测量期间Tb内，扫描线G1(i)维持在非激活状态，并且监测控制线G2(i)变为激活状态。由此，输入晶体管T1变为截止状态，监测控制晶体管T3变为导通状态。在此，监测电压Vmg(i，j)若为TFT特性测量用电压，则如上所述，驱动晶体管T2变为导通状态，并且电流不流过有机EL元件411。因此，如图6中用附图标记7表示的箭头所示，流过驱动晶体管T2的电流经由监测控制晶体管T3输出到数据线S(j)。在这种状态下，利用源极驱动器30内的电流监测部320来测量在数据线S(j)中流过的电流。另一方面，监测电压Vmg(i，j)若为OLED特性测量用电压，则如上所述，驱动晶体管T2维持在截止状态，并且电流流过有机EL元件411。即，如图7中用附图标记8表示的箭头所示，电流从数据线S(j)经由监测控制晶体管T3流向有机EL元件411，并且有机EL元件411发光。在这种状态下，利用源极驱动器30内的电流监测部320来测量在数据线S(j)中流过的电流。
在影像信号电压写入期间Tc内，扫描线G1(i)变为激活状态，监测控制线G2(i)维持在非激活状态。由此，输入晶体管T1变为导通状态，监测控制晶体管T3变为截止状态。另外，在影像信号电压写入期间Tc，对数据线S(j)施加与目标亮度相对应的数据电压。由此，驱动晶体管T2变为导通状态。其结果，如图8中用附图标记9表示的箭头所示，驱动电流经由驱动晶体管T2供给至有机EL元件411。由此，有机EL元件411以与驱动电流相对应的亮度发光。
＜1.4判断期间的处理＞
接着，对在判断期间内所进行的处理进行说明。在判断期间内，执行包含由总电流测量电路50进行的总电流的测量处理在内的平均劣化度检测监测，并且基于该结果判断是否执行上述特性检测监测。
在判断期间，为了由总电流测量电路50进行总电流的测量，首先，在与总电流测量用图像对应的数据电压(监测电压)被施加到数据线S(1)～S(m)的状态下，如图9所示，扫描线G1被依次逐条设为有源状态。然后，在扫描线G1(n)变为激活状态之后，开始由总电流测量电路50进行的总电流的测量。此外，经过判断期间，监测控制线G2(1)～G2(n)维持在非激活状态。
在图9所示的总电流测量期间内，在所有像素电路410中，流过与监测电压对应的驱动电流(但是，对应于驱动晶体管T2的阈值电压的偏差，驱动电流也产生偏差)。此时，上述总电流流过高电源电压干线70。总电流利用总电流测量电路50来测量。
此外，在本实施方式中，准备两个图像作为总电流测量图像。即，基于两个电平的监测电压来测量总电流。因此，在一个判断期间得到的总电流数据DI包含有两个总电流(第一总电流和第二总电流)的数据。此外，通过上述两个电平的监测电压来实现第一数据电压和第二数据电压。
在测量总电流结束之后，判断部120进行判断是否执行特性检测监测。此时，基于第一总电流和第二总电流，求出显示部40内的驱动晶体管T2的平均阈值电压。此外，这里的平均阈值电压的值不是严格的值(显示部40内的驱动晶体管T2的实际的阈值电压的平均值)，而是估算值。在此，参照图10说明驱动晶体管T2的平均阈值电压的求解方法。驱动晶体管T2的栅极-源极间电压Vgs的平方根与驱动晶体管T2的漏极-源极间电流Ids之间的关系为线性关系。因此，用于测量总电流的监测电压所对应的栅极-源极间电压Vgs的平方根与总电流所对应的漏极-源极间电流Ids的关系也为线性关系。因此，如由图10可知那样，可以基于从对应于两个监测电压V1和V2的两个总电流(第一总电流和第二总电流)获得的直线来求出显示部40内的驱动晶体管T2的平均阈值电压。即，可以获得驱动晶体管T2的平均劣化度。
关于图10，在某个时刻(称为“第一时刻”。)下分别对应于第一总电流和第二总电流的漏极-源极间电流Ids若为IA1和IA2，则基于连结点P1和点P2的直线，求出第一时刻下的驱动晶体管T2的平均阈值电压Vth1。另外，在第一时刻以后的其他时刻(称为“第二时刻”。)分别对应于第一总电流和第二总电流的漏极-源极间电流Ids若为IB1和IB2，则基于连结点P3和点P4的直线，求出第二时刻下的驱动晶体管的平均阈值电压Vth2。如此，通常，第二时刻下的平均阈值电压Vth2大于第一时刻下的平均阈值电压Vth1。
由此，求出了最后执行特性检测监测时的驱动晶体管T2的平均阈值电压与前一次的测量得到的驱动晶体管T2的平均阈值电压之差。并且，若大于该差被预先设定的值(例如0.2V)(该值被存储于判定用数据存储部110中。)，则进行执行特性检测监测的判断。
如上所述，在本实施方式中，总电流测量电路50测量第一总电流和第二总电流，该第一总电流是在所有像素电路410中写入了第一数据电压的状态下的总电流，该第二总电流是在所有像素电路410中写入第二数据电压的状态下的总电流。然后，在由总电流测量电路50进行的总电流的测量结束后，判断部120基于第一总电流和第二总电流，求出包含在所有像素电路410中的驱动晶体管T2的平均阈值电压，若该平均阈值电压(即，前一次求出的平均阈值电压)与最后执行特性检测监测时求出的平均阈值电压之差大于作为判断用数据的电压值，则进行执行特性检测监测的判断。
＜1.5效果＞
根据本实施方式，在有机EL显示装置中设置有总电流测量电路50，该总电流测量电路50测量在显示有特定的图像(总电流测量用图像)时流过整个屏幕(整个显示部40)的总电流。通过这样的构成，能够快速地求出整个画面上驱动晶体管T2的平均劣化度。然后，判断部120基于整个屏幕上的驱动晶体管T2的平均劣化程度来判断是否执行特性检测监测。其结果，如果劣化继续，则执行特性检测监测，但是如果不继续劣化，则不执行特性检测监测。因此，没有必要频繁地执行特性检测监测，而是有效地进行驱动晶体管T2的劣化的补偿。如上所述，根据本实施方式，能够实现一种能够快速求出整个屏幕中的驱动晶体管T2的平均的劣化度以更有效地补偿驱动晶体管T2的劣化的有机EL显示装置。
＜1.6变形例＞
在上述第一实施方式中，总电流测量电路50测量在显示有特定的图像(总电流测量用图像)时流过高电源电压干线70的电流作为总电流。然而，不限于此，总电流测量电路50也可以在显示有特定的图像(总电流测量用图像)时测量流过低电源电压干线75的电流作为总电流。在这种情况下，总电流测量电路50设置在低电压驱动电源62与共用电极420之间。
＜2.第二实施方式＞
以下，对第二实施方式进行说明。并且，以下，仅说明主要与第一实施方式不同的方面。
＜2.1构成＞
图11是用于对本实施方式中的总电流测量电路进行说明的图。在第一实施方式中，有机EL显示装置中设置有一个总电流测量电路50。与此相对，在本实施方式中，按照有机EL元件411的每个颜色设置一个总电流测量电路50。如果一个像素由红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成，则如图11所示，在有机EL显示装置中设置有一个红色用总电流测量电路50(R)、一个绿色用总电流测量电路50(G)和一个蓝色用总电流测量电路50(B)。各总电流测量电路测量与该总电流测量电路对应的颜色用的所有像素电路410中流过的驱动电流作为总电流。此外，如由图11可知那样，每个颜色的布线是独立的，因此可以在相同的时刻下测量所有颜色的总电流。
此外，这此例举由三个颜色的子像素形成一个像素的例子进行了说明，但在由四个以上的颜色的子像素形成一个像素的情况下，也可以采用本实施方式的构成。即，N设为3以上的整数，在由N色的子像素形成一个像素的情况下(换言之，由对应于N个颜色的N个像素电路410形成一个像素的情况下)，可以采用本实施方式的构成。
＜2.2效果＞
一般来说，有机EL元件的劣化特性根据颜色而不同。在这一方面上，根据本实施方式，可以按照每个颜色测量总电流，因此可以考虑每个颜色的劣化特性按照每个颜色设置特性检测监测时的监测电压。由此，能够更准确地把握驱动晶体管T2、有机EL元件411的劣化程度，并更高精度地补偿劣化。
＜3.第三实施方式＞
＜3.1概要＞
在第一实施方式中，在显示控制电路10内的判断用数据存储部110(参照图1)中存储有规定的电压值作为判断用数据。与此相对，在本实施方式中，总电流与劣化度(驱动晶体管T2的劣化度)之间的对应关系的信息作为判断用数据被存储在判断用数据存储110中。基于由平均劣化度检测监测的结果(即、总电流的值)估算到的IV特性(驱动晶体管T2的IV特性)得到上述判断用数据。
另外，在第一实施方式中，在一次平均劣化度检测监测时，使用了两个监测电压。然后，基于由作为监测结果的两个总电流(第一总电流和第二总电流)的值得到的直线，求出了驱动晶体管T2的平均阈值电压。与此相对，在本实施方式中，在一次平均劣化度检测监测时，仅使用一个监测电压。
然而，当仅使用一个监测电压来估算驱动晶体管T2的IV特性时，不能获得足够的估算精度(估算误差变大)。对于这一方面，参照图12进行说明。某个时刻(为了方便，称为“时刻A”。)下的驱动晶体管T2的IV特性估算成由图12中标注了附图标记80的曲线表示的情况。当在时刻A将监测电压设定为Vmo(1)来测量总电流时，总电流的值如图12所示为Ia(参照坐标点P21)。当从时刻A起经过规定期间后的时刻(为了方便，称为“时刻B”。)下将监测电压再次设定为Vmo(1)来测量总电流时，总电流的值变得小于Ia。这是因为随着时间的推移，由于劣化，驱动晶体管T2的阈值电压变大，像素电路410的电阻上升。如图12所示，总电流的值在时刻B下例如为Ib(参照坐标点P22)。此时，在表示时刻B下的驱动晶体管T2的IV特性的曲线上，坐标点P22相当于非常小的灰度的部分。因此，例如，当实际的IV特性由图12中标注了附图标记81的曲线表示时，进行“IV特性由图12中标注了附图标记82的曲线表示”的估算。如此，实际的IV特性与所估算的IV特性之差有时会显著增大。
因此，在本实施方式中，当由平均劣化度检测监测检测到的总电流的值与基准时相比减小了规定阈值以上时，监测电压的值被设置为高于此前的值，并且进行上述判断用数据的更新。以下，关于本实施方式的构成，详细说明与第一实施方式不同的方面。
＜3.2构成＞
如上所述，在本实施方式中，总电流与劣化度(驱动晶体管T2的劣化度)之间的对应关系的信息作为判断用数据被存储在显示控制电路10中的判断用数据存储部110中。总电流与劣化度之间的对应关系示意性地如图13中标注了附图标记83的直线所示。此外，总电流与劣化度之间的对应关系取决于监测电压的值。因此，对应于监测电压的值的改变，判断用数据(对应关系的信息)被更新。
显示控制电路10中的判断部120基于总电流值I(K)和总电流值I(L)，并参考总电流与劣化度之间的对应关系的信息，从而求出劣化进度ΔZ(参照图13)，总电流值I(K)为最后在判断用数据已被更新时(基准时)的平均劣化度检测监测中得到的总电流的值，总电流值I(L)为在前一次的平均劣化度检测监测中得到的总电流的值。此外，劣化进度ΔZ相当于对应于总电流值I(L)的劣化度Z(L)与对应于总电流值I(K)的劣化度Z(K)之差。每次执行平均劣化度检测监测时，判断部120都将劣化进度ΔZ与某个阈值进行比较。其结果，若劣化进度ΔZ大于阈值，则将监测电压的值设定为高于此前的值的高值。换言之，若总电流的值与基准时相比变小相当于劣化度的规定的增加量的规定阈值以上，则将监测电压的值设定为高于此前的值的高值。另外，若劣化进度ΔZ大于阈值，则基于总电流的值估算出的IV特性来更新判断用数据存储部110中存储的判断用数据(总电流与劣化度之间的对应关系的信息)，该总电流的值通过如上所述设定为高值的监测电压而得到。另外，若劣化进度ΔZ大于阈值，则在显示部40上显示催促用户执行特性检测监测的画面。然后，判断部120基于用户的操作来判断是否执行特性检测监测。
此外，关于与劣化进度ΔZ相比的阈值的值，优选设为相当于总电流值的1～5％的降低量的值。换言之，优选在总电流的值比基准时小1～5％时将监测电压的值设定为高于此前的值的高值。关于此，之所以将相当于总电流值的1％以上的值设为阈值值，是因为在检测到的劣化进度ΔZ小于总电流值的1％的情况下，检测结果在误差范围内的可能性比较高。另外，之所以将相当于总电流值的5％以下的值设为阈值，是因为如果将相当于总电流值的5％以上的值设定为阈值，则判断用数据(总电流与劣化度之间的对应关系的信息)的更新频率变少，从而IV特性的估算精度降低。
＜3.3效果＞
通过上述构成，例如，若从上述时刻A到上述时刻B为止的劣化进度ΔZ大于上述阈值，则监测电压的值从Vmo(1)提高到Vmo(2)(参照图14)。并且，若将监测电压设定为Vmo(2)而测量出的总电流的值为Ic，则图14所示的坐标点P23成为接近表示驱动晶体管T2的IV特性的曲线上的中心的点。因此，如由图14中标注了附图标记81的曲线所表示的那样，能够高精度地估算驱动晶体管T2的IV特性。
如上所述，根据本实施方式，能够高精度地估算驱动晶体管T2的IV特性。然后，基于上述的高精度地估算出的IV特性，用于判断是否执行特性检测监测的判断用数据被更新。因此，抑制不必要地执行特性检测监测。因此，更有效地补偿驱动晶体管T2的劣化。
＜4.第四实施方式＞
＜4.1构成＞
图15是用于对本实施方式中的总电流测量电路进行说明的图。在第一实施方式中，有机EL显示装置中设置有一个总电流测量电路50。与此相对，在本实施方式中，针对由多个子像素(例如由红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成的三个子像素)构成的每个像素设置有一个总电流测量电路50。各总电流测量电路测量形成与该总电流测量电路对应的像素的三个像素电路410中流过的驱动电流作为总电流。另外，不需要针对所有像素的每一个设置一个总电流测量电路50，也可以针对某个大小的区域中包含的每个像素设置有一个总电流测量电路50。例如，也可以将整个显示部40在理论上分割为8×6个区域，针对各区域中所包含的每个像素设置有一个总电流测量电路50。
此外，这此例举由三个颜色的子像素形成一个像素的例子进行了说明，但在由四个以上的颜色的子像素形成一个像素的情况下，也可以采用本实施方式的构成。即，N设为3以上的整数，在由N色的子像素形成一个像素的情况下(换言之，由对应于N个颜色的N个像素电路410形成一个像素的情况下)，可以采用本实施方式的构成。
＜4.2效果＞
根据本实施方式，由于可以针对由多个子像素构成的每个像素测量总电流，所以可以考虑在整个显示部40中的像素的位置，以针对每个像素设定特性检测监测时的监测电压。由此，能够更准确地把握驱动晶体管T2、有机EL元件411的劣化程度，并更高精度地补偿劣化。
＜5.第五实施方式＞
＜5.1构成＞
根据有机EL显示装置的用途，自显示部40的上端或下端起1/5区域有时被设为用于显示应用软件的图标的专用区域。在这样的专用区域中，与其他区域相比，平均亮度有变高的倾向，并且，有持续地进行静止画面的显示的倾向。因此认为，在专用区域中，驱动晶体管T2的劣化度比其他区域大。
因此，在本实施方式所涉及的有机EL显示装置中，在使专用区域以外的区域设为黑显示并且使专用区域显示总电流测量用图像的状态(参照图16和图17)下，通过总电流测量电路50来测量整个屏幕中流过的总电流。此时，由于在专用区域以外的区域中电流不流过像素电路410，所以通过总电流测量电路50测量到的总电流成为在专用区域的像素电路410中流过的合计电流。如上所述，在本实施方式中，总电流测量电路50测量在与所有像素电路410对应的区域之中的自数据线S所延伸的方向上的端部起1/5区域内所包含的像素电路410中流过的电流作为总电流。
此外，图16中示出了显示部40中自下端起1/5的区域为专用区域48的情况的一个构成例，图17中示出了显示部40中自上端起1/5的区域为专用区域49的情况的一个构成例。在图16和图17所示的例子中，与第二实施方式同样地，按照有机EL元件的每个颜色设置一个总电流测量电路50。即，在有机EL显示装置中设置有一个红色用总电流测量电路50(R)、一个绿色用总电流测量电路50(G)和一个蓝色用总电流测量电路50(B)。但是，与第一实施方式同样地，也可以整体上设置有一个总电流测量电路50，也可以与第四实施方式同样地，针对由多个子像素构成的像素设置有一个总电流测量电路50。
＜5.2效果＞
根据本实施方式，在仅在显示部40整体中的1/5的区域(专用区域)内显示总电流测量用图像的状态下，由总电流测量电路50进行总电流的测量。因此，显示总电流测量用图像所需的时间变短，能够更快速地求出用于判断是否执行特性检测监测的驱动晶体管T2的平均劣化度。
＜6.其它＞
在上述各实施方式(包括变形例)中，以有机EL显示装置为例进行了说明，但不限于此。如果是具有用电流驱动的显示元件(通过电流控制亮度或透射率的显示元件)的显示装置，则可以应用本发明。例如，本发明也可以适用于具有无机发光二极管的无机EL显示装置、具有量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diode(QLED))的QLED显示装置等。
附图标记说明
10…显示控制电路
20…栅极驱动器
30…源极驱动器
40…显示部
50…总电流测量电路
61…高电压驱动电源
62…低电压驱动电源
70…高电源电压干线
71(1)～71(m)…高电源电压支线
75…低电源电压干线
110…判断用数据存储部
120…判断部
130…测量电流存储部
140…补偿运算部
410…像素电路
411…有机EL元件
T2…驱动晶体管

Claims (16)

1.一种显示装置，其包括：
多条数据线；
多条扫描线；
多个像素电路，其包含被电流驱动的显示元件以及控制所述显示元件的驱动电流的驱动晶体管，且对应设置于所述多条数据线与所述多条扫描线的交叉点；
数据线驱动电路，其对所述多条数据线施加数据电压；
扫描线驱动电路，其驱动所述多条扫描线；
第一电源电压部件，其用于向所述多个像素电路提供第一电源电压；以及
第二电源电压部件，其用于向所述多个像素电路提供第二电源电压，
所述显示装置具有执行特性检测处理的功能，所述特性检测处理用于检测所述驱动晶体管的特性，所述显示装置的特征在于：
在各像素电路中，所述驱动晶体管和所述显示元件串联设置于所述第一电源电压部件与所述第二电源电压部件之间，
所述显示装置具有总电流测量电路、判断用数据存储部、判断部，
所述总电流测量电路在所述多个像素电路中被写入了与特定的图像对应的数据电压的状态下，测量所述多个像素电路的全部像素电路或所述多个像素电路中的2个以上的像素电路中流过的驱动电流作为总电流，
所述判断用数据存储部保存判断用数据，所述判断用数据用于判断是否执行所述特性检测处理，
所述判断部基于所述总电流和所述判断用数据来判断是否执行所述特性检测处理，
在判断期间，当通过所述判断部判断为执行所述特性检测处理时，从所述判断期间过渡至执行所述特性检测处理的特性检测期间，
在所述判断期间，当通过所述判断部判断为不执行所述特性检测处理时，从所述判断期间过渡至进行通常的图像显示的显示期间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括：
电流测量电路，其测量在所述特性检测期间向各像素电路提供的电流；
测量电流存储部，其存储电流值，所述电流值作为基于所述电流测量电路的电流测量结果；以及
补偿运算部，其根据被存储于所述测量电流存储部的电流值来校正输入影像信号，从而生成与要提供至各像素电路的数据电压相当的影像信号，
所述数据线驱动电路在所述特性检测期间，对所述多条数据线施加用于检测所述驱动晶体管的特性的规定的数据电压，
所述数据线驱动电路在所述显示期间，对所述多条数据线施加与由所述补偿运算部生成的影像信号相当的数据电压。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电源电压部件是以与所述多条数据线一一对应的方式设置的多条第一电源电压支线，
所述显示装置具备第一电源电压干线，所述第一电源电压干线与所述多条第一电源电压支线和所述第一电源电压的供给源连接，
所述总电流测量电路测量所述第一电源电压干线中流过的电流作为所述总电流。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述第二电源电压部件是共用电极，所述共用电极是设置在与所述多个像素电路的整体对应的区域的平面状的电极，
所述显示装置具备第二电源电压干线，所述第二电源电压干线与所述共用电极和所述第二电源电压的供给源连接，
所述总电流测量电路测量所述第二电源电压干线中流过的电流作为所述总电流。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述总电流测量电路一并测量所述多个像素电路的全部像素电路中流过的驱动电流作为所述总电流。
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
由对应于N个颜色的N个像素电路来形成1个像素，N为3以上的整数，
所述显示装置具备有分别与所述N个颜色对应的N个所述总电流测量电路，
各总电流测量电路测量所述多个像素电路之中与该总电流测量电路对应的颜色用的像素电路中流过的电流作为所述总电流。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述判断部按照每个颜色进行是否执行所述特性检测处理的判断，
在所述特性检测期间，仅对通过所述判断部判断为执行所述特性检测处理的颜色执行所述特性检测处理。
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
作为与所述特定的图像对应的数据电压，准备了第一数据电压和作为与所述第一数据电压不同电压的第二数据电压，
所述判断用数据为电压值，
所述总电流测量电路测量第一总电流和第二总电流，所述第一总电流为在所述多个像素电路中被写入了所述第一数据电压的状态下的总电流，所述第二总电流为在所述多个像素电路中被写入了所述第二数据电压的状态下的总电流，
所述判断部执行如下动作：
基于所述第一总电流和所述第二总电流来求出所述多个像素电路中所包含的驱动晶体管的平均阈值电压；
若在最后执行所述特性检测处理时求出的平均阈值电压与前一次求出的平均阈值电压之差大于作为所述判断用数据的电压值，则进行执行所述特性检测处理的判断。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述总电流测量电路一并测量所述多个像素电路的全部像素电路中流过的驱动电流作为所述第一总电流或所述第二总电流，
所述判断部求出所述多个像素电路的全部像素电路中所包含驱动晶体管的平均阈值电压。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
由对应于N个颜色的N个像素电路来形成1个像素，N为3以上的整数，
所述显示装置具备有分别与所述N个颜色对应的N个所述总电流测量电路，
各总电流测量电路测量所述多个像素电路之中与该总电流测量电路对应的颜色用的像素电路中流过的电流作为所述总电流，
所述判断部按照每个颜色求出所述驱动晶体管的平均阈值电压。
11.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述判断用数据是对应于在由所述总电流测量电路进行的总电流的测量时在所述多个像素电路中写入的数据电压的数据，且所述判断用数据为表示总电流与所述驱动晶体管的劣化度之间的对应关系的数据，
当由所述总电流测量电路测量得到的总电流的值与基准时相比减小了相当于劣化度的规定的增加量的规定阈值以上时，在由所述总电流测量电路进行的总电流的测量时在所述多个像素电路中写入的数据电压增加，并且所述判断用数据被更新。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
当前一次测量中求出的总电流的值与最后在所述判断用数据被更新时的测量中得到的总电流的值相比减少了1～5％时，在由所述总电流测量电路进行的总电流的测量时在所述多个像素电路中写入的数据电压增加。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
当由所述总电流测量电路测量得到的总电流的值与所述基准时相比减小了所述规定阈值以上时，显示催促执行所述特性检测处理的画面。
14.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
由对应于N个颜色的N个像素电路来形成1个像素，N为3以上的整数，
所述显示装置具备有与所有像素或一部分像素对应的多个所述总电流测量电路，
各总电流测量电路测量形成与该总电流测量电路对应的像素的像素电路中流过的电流作为所述总电流。
15.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述总电流测量电路测量在与所述多个像素电路的整体对应的区域之中自所述多条数据线所延伸的方向上的端部起1/5的区域内所包含的像素电路中流过的电流作为所述总电流。
16.一种驱动方法，其为显示装置的驱动方法，所述显示装置具备多个像素电路并具有执行特性检测处理的功能，所述特性检测处理用于检测所述驱动晶体管的特性，所述像素电路包含被电流驱动的显示元件以及控制所述显示元件的驱动电流的驱动晶体管，
所述驱动方法的特征在于：
所述显示装置具备判断用数据存储部，所述判断用数据存储部保存判断用数据，所述判断用数据用于判断是否执行所述特性检测处理，
所述驱动方法包含如下步骤：
总电流测量步骤，在所述总电流测量步骤中，在所述多个像素电路中被写入了与特定的图像对应的数据电压的状态下，测量所述多个像素电路的全部像素电路或所述多个像素电路中的2个以上的像素电路中流过的驱动电流作为总电流；
判断步骤，在所述判断步骤中，基于所述总电流和所述判断用数据来判断是否执行所述特性检测处理；
特性检测步骤，在所述特性检测步骤中，执行所述特性检测处理；以及
显示步骤，在所述显示步骤中，进行通常的图像显示，
在所述判断步骤中，仅在判断为执行所述特性检测处理时执行所述特性检测步骤。
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