CN111192528A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：显示面板，包括多个晶体管并且在其前表面上显示图像；以及感测模块，位于显示面板的后表面上，其中，显示面板包括与感测模块叠置的第一区域以及不与感测模块叠置的第二区域，所述多个晶体管中的位于第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述多个晶体管中的位于第二区域中的另一晶体管的W/L值，W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以沟道的长度而获得。

Description

显示装置
于2018年11月15日在韩国知识产权局提交的且发明名称为“显示装置”的第10-2018-0140835号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以通过使用像素(或像素电路)来显示图像。显示装置可以包括位于显示装置的前侧(例如，显示图像的一侧)的边框(或边缘部分)上的红外线传感器，并且可以通过使用红外线传感器来识别物体。例如，显示装置可以通过使用红外线传感器来发射红外光，接收由物体反射的反射光，并基于反射光的强度来计算显示装置与物体之间的距离，并且如果该距离在预定距离内，则省略图像的显示。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强理解，因此它可以包含不形成对于本领域普通技术人员来说在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例可以通过提供一种显示装置来实现，所述显示装置包括：显示面板，包括多个晶体管并且在其前表面上显示图像；以及感测模块，位于显示面板的后表面上，其中：显示面板包括与感测模块叠置的第一区域以及不与感测模块叠置的第二区域，所述多个晶体管中的第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述多个晶体管中的第二区域中的另一晶体管的W/L值，W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以沟道的长度而获得。
第一区域中的所述一个晶体管和第二区域中的所述另一晶体管可以是驱动晶体管。
显示面板可以包括多个像素，并且第一区域的像素密度可以小于第二区域的像素密度。
第一区域的像素密度可以是第二区域的像素密度的20％至90％。
第一区域可以包括透射区域。
由透射区域占据的面积可以是第一区域的总面积的20％至90％。
显示面板还可以包括：第一基底，其上设置有多个晶体管；以及阻光层，位于第一基底与所述多个晶体管中的至少一个晶体管之间。
阻光层可以阻挡红外线。
阻光层可以位于第一区域中而不位于第二区域中。
在第一区域中，多个晶体管可以包括驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管，并且阻光层可以与驱动晶体管和开关晶体管叠置而不与补偿晶体管叠置。
在第一区域中，多个晶体管可以包括驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管，并且阻光层可以与驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管中的全部叠置。
显示装置还可以包括位于显示面板的前表面上的滤色器层，其中，滤色器层不与第一区域叠置。
显示装置还可以包括与第一区域叠置的透明层。
第一区域中的像素的亮度可以高于第二区域中的像素的亮度。
实施例可以通过提供一种显示装置来实现，所述显示装置包括包含多个像素的显示面板，其中，显示面板包括第一区域和第二区域，多个晶体管包括在第一区域和第二区域中，第一区域的像素密度小于第二区域的像素密度，第一区域中的一个晶体管的W/L值大于第二区域中的另一晶体管的W/L值，W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以沟道的长度而获得。
显示装置还可以包括位于显示面板的后表面上的感测模块，其中，感测模块与第一区域叠置。
第一区域的像素密度可以是第二区域的像素密度的20％至90％。
第一区域可以包括透射区域。
第一区域中的所述一个晶体管和第二区域中的所述另一晶体管可以是驱动晶体管。
显示面板还可以包括：第一基底，其上设置有第一区域中的所述一个晶体管和第二区域中的所述另一晶体管；以及阻光层，位于第一基底与所述一个晶体管和所述另一晶体管中的至少一个之间。
阻光层可以仅位于第一区域中而不位于第二区域中。
显示装置还可以包括：滤色器层，位于显示面板的前表面上，滤色器层不与第一区域叠置；以及透明层，与第一区域叠置。
第一区域中的一个像素的亮度可以高于第二区域中的一个像素的亮度。
实施例可以通过提供一种显示装置来实现，所述显示装置包括：显示面板，包括多个像素并且在其前表面上显示图像；以及感测模块，位于显示面板的后表面上，其中，显示面板包括与感测模块叠置的第一区域和不与感测模块叠置的第二区域，并且第一区域中的一个像素的亮度高于第二区域中的一个像素的亮度。
显示面板可以包括多个晶体管，并且第一区域中的一个晶体管的W/L值可以大于第二区域中的另一晶体管的W/L值，W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以沟道的长度而获得。
第一区域的像素密度可以小于第二区域的像素密度。
显示面板还可以包括：第一基底，其上设置有多个晶体管；以及阻光层，位于第一基底与所述多个晶体管中的至少一个晶体管之间。
阻光层可以位于第一区域中而不位于第二区域中。
显示装置还可以包括：滤色器层，位于显示面板的前表面上，滤色器层不与第一区域叠置；以及透明层，与第一区域叠置。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是明显的，在附图中：
图1和图2示出了示意性地示出根据示例性实施例的显示装置的视图。
图3示出了示出根据示例性实施例的显示装置中的第一区域和第二区域的像素布置的视图。
图4示出了示出根据另一示例性实施例的显示装置中的第一区域和第二区域的像素布置的视图。
图5至图7示出了根据各种示例性实施例的显示装置的视图。
图8示出了设置在根据示例性实施例的显示装置中的一个像素的等效电路图。
图9示出了施加到根据示例性实施例的显示装置的一个像素的信号的时序图。
图10示出了根据示例性实施例的显示装置的第一区域中的像素的布局图。
图11示出了沿图10中的线XI-XI'截取的剖视图。
图12示出了示出第二区域中的像素的布局图。
图13示出了根据另一示例性实施例的第一区域中的像素的布局图。
图14示出了根据另一示例性实施例的第一区域中的像素的布局图。
图15示出了根据示例性实施例的显示装置中的第一区域中的像素的布局图。
图16示出了沿图15的线XVI-XVI'截取的剖视图。
图17示出了根据图15的示例性实施例的发射型显示装置的一个像素的等效电路图。
图18示出了根据另一示例性实施例的显示装置中的第一区域的像素的布局图。
图19示出了沿图18的线XVIII-XVIII'截取的剖视图。
图20示出了根据图18的示例性实施例的发射型显示装置的一个像素的等效电路图。
图21示出了简单示出根据示例性实施例的显示装置中的第一区域和第二区域的晶体管和发光元件的视图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，为了说明的清楚性，可以夸大层和区域的尺寸。此外，将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“下”时，该元件可以直接在所述另一元件下，或者也可以存在一个或更多个中间元件。另外，还将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”表示位于对象部分上或位于对象部分下方，并且不一定表示基于重力方向位于对象部分的上侧上。
另外，除非明确地相反描述，否则词语“包括(包含)”及其变型将被理解为意味着包括所述元件，但不排除任何其它元件。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”表示当从上方观看物体部分时的情形，短语“在剖视图中”表示当从侧面观看通过垂直切割对象部分所截取的剖面时的情形。
现在，将参照附图详细地描述根据示例性实施例的显示装置。图1和图2示出了示意性地示出根据示例性实施例的显示装置的视图。
参照图1，根据示例性实施例的显示装置(在下文中，也称为发射型显示装置)1000可以包括显示面板2000和感测模块1200。
显示面板2000可以是包括有机发光元件的有机发光面板。显示面板2000可以包括与感测模块1200叠置的第一区域A1以及不与感测模块1200叠置(例如，围绕感测模块1200)的第二区域A2。
显示面板2000显示图像，并且图像可以位于显示面板2000的整个前表面(例如，在图2中示出的第一方向D1上的表面)上。例如，显示面板2000可以不包括在整个前表面上或围绕整个前表面的边框或非显示区域。
感测模块1200可以位于显示面板2000的后表面(例如，显示面板2000的在与第一方向D1相反的方向上的表面)上。例如，感测模块1200可以位于显示面板2000与壳体1400(或盖)之间。这里，壳体1400可以构成或限定显示装置1000的外部形状，并且可以有助于保护内部构成元件(例如，电池和存储器装置)免受外部应力的影响。
在实施方式中，感测模块1200可以包括例如红外线感测模块。
参照图2，当感测模块1200是红外线感测模块时，可以发射第一红外线光L1，可以接收第二红外线光L2，并且可以基于第二红外线光L2的变化来识别物体3000。例如，第一红外线光L1可以在第一方向D1上行进并且可以穿过显示面板2000的第一区域A1。第二红外线光L2可以包括第一红外线光L1的已被物体3000反射并且在与第一方向D1相反的方向上行进的反射光，并且可以透射回到显示面板2000的第一区域A1。
当感测模块1200是红外线成像元件时，它可以从红外线图像识别特定的图案(例如，指纹图案、虹膜图案等)。在实施方式中，感测模块1200可以执行面部识别。
参照图1，驱动晶体管T1的沟道尺寸在显示面板2000的第一区域A1和第二区域A2中可以是不同的。在图1中，每个驱动晶体管T1的沟道区域用斜线(例如，阴影线)示出。如图1中所示，在第一区域A1中，驱动晶体管T1的沟道的长度L可以比第二区域A2的驱动晶体管T1的沟道的长度L短。沟道的长度指图1中示出的粗线表示的部分的长度。例如，沟道的长度L不表示沟道的宽度(例如，在单个方向上的宽度)，而表示沟道区(沟道区的一侧)的总长度(例如，穿过沟道区的路径的长度)。在实施方式中，第一区域A1的驱动晶体管T1的沟道的宽度W可以比第二区域A2中的驱动晶体管T1的沟道的宽度W宽。
在实施方式中，第一区域A1中的驱动晶体管T1的沟道的W/L(沟道的宽度/沟道的长度)值可以大于第二区域A2中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值。每个晶体管中流动的电流量可以与沟道的W/L值成比例。例如，当相同的电压施加到整个显示面板2000时，第一区域A1的驱动晶体管T1中流动的电流量可以变得更大。例如，第一区域A1中的发光元件的亮度可以高于第二区域A2中的发光元件的亮度。
图3示出了示出根据示例性实施例的显示装置1000中的第一区域A1和第二区域A2的像素布置的视图。参照图3，第一区域A1的第一像素密度可以低于第二区域A2的第二像素密度。本说明书中的像素被限定为由图8中的虚线示出的区域。在本说明书中，像素密度指相同单位面积中的像素的数量。
例如，第一区域A1中的第一像素PX1的尺寸可以大于第二区域A2中的第二像素PX2的尺寸。例如，第一像素PX1的尺寸可以是第二像素PX2的尺寸的四倍。第一像素PX1和第二像素PX2可以包含相同的像素电路(例如，可以具有相同的像素电路结构)，但是第一像素PX1还可以包括空间(例如，透射光不被构成元件阻挡和/或反射的空间，或者不设置诸如布线和晶体管的构成元件以使光可以穿过其的空间)。
由于感测模块1200的第一红外线光L1和第二红外线光L2可以在第一区域A1中透射或者透射穿过第一区域A1，因此图3的像素结构是有助于增大红外线光的透射率的结构。例如，第一区域A1的像素密度可以低于第二区域A2的像素密度，并且感测模块1200的红外线光可以通过透射穿过显示面板2000而被接收和透射(例如，发射)。
在实施方式中，第一区域A1的像素密度可以是第二区域A2的像素密度的20％至90％。在实施方式中，第一区域A1的像素密度可以是第二区域A2的像素密度的25％至50％。例如，如果第一区域A1中的像素密度足够低，则可以增大红外线光的透射率。如果第一区域A1的像素密度太低，则显示质量会由于第一区域A1和第二区域A2中的像素密度差而不同。例如，具有较低像素密度的第一区域A1会比第二区域A2暗。
在实施方式中，如图1中所示，在根据本示例性实施例的显示装置1000中，第一区域A1中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值可以大于第二区域A2中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值。因此，当相同的电压施加到整个显示面板2000时，第一区域A1中的发光元件的亮度可以更高。因此，可以补偿由于像素密度差引起的第一区域A1相对于第二区域A2的上述较暗的显示，并且可以使第一区域A1和第二区域A2中的亮度差最小化。
参照图4，第一区域A1可以包括透射区域TA(或透射窗)。这里，透射区域TA可以具有比第二区域A2高的透射率。
例如，透射区域TA可以与子像素R、G和B相邻，并且像素电路(例如，电极、布线、晶体管等)可以不位于透射区域TA中。例如，透射区域TA的面积可以占据第一区域A1的约20％至约90％。在实施方式中，第一区域A1的像素密度可以是第二区域A2的像素密度的25％至50％。例如，第一区域A1可以是部分透明的。因此，入射在透射区域TA中的大部分第一红外线光L1可以穿过透射区域TA。在图4中，如在图3中一样，可能发生由于第一区域A1与第二区域A2之间的像素密度差而导致的亮度差。然而，如上所述，根据本示例性实施例的显示装置1000将第一区域A1中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值调节为大于第二区域A2的驱动晶体管T1的沟道的W/L值，使得第一区域A1中的发光元件的亮度高。因此，可以使第一区域A1和第二区域A2中的亮度差最小化。
在实施方式中，如图1中所示，第一区域A1可以是圆形区域。图5至图7示出了根据各种示例性实施例的显示装置1000。参照图5，在根据本示例性实施例的显示装置1000中，第一区域A1可以具有水平长矩形的形状。例如，它可以具有跨越显示面板2000的顶部的条形。在实施方式中，如图5中所示，第一区域A1可以位于显示面板2000的顶部(例如，一端)处。在实施方式中，第一区域A1可以位于显示面板2000的一侧处。在实施方式中，如果显示面板2000具有弯曲的侧表面，则第一区域A1可以位于显示面板2000的弯曲的侧表面上。参照图6，第一区域A1可以具有四边形形状。在实施方式中，如图6中所示，第一区域A1可以位于显示面板2000的左上处。在实施方式中，第一区域A1可以位于显示面板2000的任何区域中。在实施方式中，如图1中所示，第一区域A1可以位于显示面板2000的右上处。在实施方式中，第一区域A1可以设置在显示面板2000的任何区域中。参照图7，可以存在多个第一区域A1。在实施方式中，如图7中所示，多个第一区域A1可以在显示面板2000的上部处彼此分离或分隔开。在实施方式中，多个第一区域A1可以自由地设置在或者布置在显示面板2000的任何区域中。
图8示出了根据示例性实施例的显示装置1000中的一个像素PX的等效电路图，图9示出了施加到根据示例性实施例的显示装置1000的一个像素PX的信号的时序图。
参照图8，发射型显示装置1000的像素PX包括连接到信号线127、151、152、153、158、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst和发光二极管(LED)LED。
发射型显示装置1000包括其中显示图像的显示区域，并且像素PX以各种形式布置在显示区域中。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1，并且包括连接到扫描线151的开关晶体管，即，第二晶体管T2和第三晶体管T3，并且其它晶体管是用于执行操作发光二极管LED所需的操作的晶体管(在下文中，称为补偿晶体管)。这些补偿晶体管T4、T5、T6和T7可以包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
多条信号线127、151、152、153、158、171、172和741可以包括扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127和共电压线741。旁路控制线158可以是前一扫描线152的一部分或者可以电连接到前一扫描线152。此外，旁路控制线158可以是扫描线151的一部分或者可以电连接到扫描线151。
扫描线151连接到栅极驱动器，以将扫描信号Sn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3。前一扫描线152连接到栅极驱动器，以将施加到设置在前一级处的像素PX的前一扫描信号Sn-1传输到第四晶体管T4。发光控制线153连接到发光控制器，并且将控制发光二极管(LED)LED发射的时间的发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。旁路控制线158将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。
数据线171是传输由数据驱动器产生的数据电压Dm的布线，并且发光二极管LED(也称为发光元件)发射的亮度根据数据电压Dm而改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。初始化电压线127传输使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint。共电压线741施加共电压ELVSS。分别施加到驱动电压线172、初始化电压线127和共电压线741的电压可以是恒定电压。
在下文中，将描述多个晶体管。
驱动晶体管T1是调节根据数据电压Dm输出的电流的大小的晶体管。输出的驱动电流Id施加到发光二极管LED，以根据数据电压Dm来调节发光二极管(LED)的亮度。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极S1被设置为接收驱动电压ELVDD。第一电极S1经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。另外，驱动晶体管T1的第一电极S1连接到第二晶体管T2的第二电极D2，使得数据电压Dm也被接收。驱动晶体管T1的第二电极D1(输出电极)被设置为朝向发光二极管LED输出电流。驱动晶体管T1的第二电极D1经由第六晶体管T6连接到发光二极管LED的阳极。另一方面，驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个电极(第二存储电极E2)。因此，栅电极G1的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id相应地改变。
第二晶体管T2是将数据电压Dm接收到像素PX中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极G2连接到扫描线151，第二晶体管T2的第一电极S2连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极D2连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。当第二晶体管T2根据通过扫描线151传输的扫描信号而导通时，通过数据线171传输的数据电压Dm传输到驱动晶体管T1的第一电极S1。
第三晶体管T3是允许其数据电压Dm通过驱动晶体管T1而改变的补偿电压(电压Dm+Vth)传输到存储电容器Cst的第二存储电极E2的晶体管。第三晶体管T3的栅电极G3连接到扫描线151，第三晶体管T3的第一电极S3连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。第三晶体管T3的第二电极D3连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3根据通过扫描线151传输的扫描信号Sn而导通，以将驱动晶体管T1的栅电极G1连接到第二电极D1，并将驱动晶体管T1的第二电极D1连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2。
第四晶体管T4用于使驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2初始化。第四晶体管T4的栅电极G4连接到前一扫描线152，并且第四晶体管T4的第一电极S4连接到初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极D4经由第三晶体管T3的第二电极D3连接到存储电容器Cst的第二存储电极E2和驱动晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4根据通过前一扫描线152传输的前一扫描信号Sn-1将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。因此，驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压和存储电容器Cst被初始化。初始化电压Vint具有低电压值，从而使驱动晶体管T1导通。
第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线153，第五晶体管T5的第一电极S5连接到驱动电压线172。第五晶体管T5的第二电极D5连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。
第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的驱动电流Id传输到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线153，第六晶体管T6的第一电极S6连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。第六晶体管T6的第二电极D6连接到发光二极管LED的阳极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发光控制线153传输的发光控制信号EM而同时导通，并且当驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极S1时，驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极G1的电压(即，存储电容器Cst的第二存储电极E2的电压)来输出驱动电流Id。输出的驱动电流Id通过第六晶体管T6传输到发光二极管LED。当电流Iled流过发光二极管LED时，发光二极管LED发射光。
第七晶体管T7用于使发光二极管LED的阳极初始化。第七晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158，第七晶体管T7的第一电极S7连接到发光二极管LED的阳极，第七晶体管T7的第二电极D7连接到初始化电压线127。旁路控制线158可以连接到前一扫描线152，并且旁路信号GB被施加有与前一扫描信号Sn-1相同的时序的信号。旁路控制线158可以不连接到前一扫描线152，并且可以传输与前一扫描信号Sn-1不同的信号。当第七晶体管T7根据旁路信号GB而导通时，初始化电压Vint施加到LED的阳极以使它初始化。
存储电容器Cst的第一存储电极E1连接到驱动电压线172，第二存储电极E2连接到驱动晶体管T1的栅电极G1、第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。结果，第二存储电极E2确定驱动晶体管T1的栅电极G1的电压，并且通过第三晶体管T3的第二电极D3接收数据电压Dm或者通过第四晶体管T4的第二电极D4接收初始化电压Vint。
另一方面，发光二极管LED的阳极连接到第六晶体管T6的第二电极D6和第七晶体管T7的第一电极S7，发光二极管LED的阴极连接到传输共电压ELVSS的共电压线741。
在实施方式中，如图8中所示，像素电路可以包括七个晶体管T1至T7和一个电容器Cst。在实施方式中，晶体管的数量、电容器的数量和它们的连接可以不同地改变。
现在，参照图8和图9来描述根据示例性实施例的发射型显示装置1000的一个像素PX的操作。
在初始化时间段期间，处于低电平的前一扫描信号Sn-1通过前一扫描线152供应到像素PX。然后，当第四晶体管T4导通时，初始化电压Vint通过第四晶体管T4施加到驱动晶体管T1的栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。结果，驱动晶体管T1和存储电容器Cst被初始化。初始化电压Vint具有低电压，使得驱动晶体管T1可以被导通。
在初始化时间段期间，低电平的旁路信号GB也被施加到第七晶体管T7。因此，当第七晶体管T7导通时，初始化电压Vint通过第七晶体管T7施加到发光二极管LED的阳极。结果，发光二极管LED的阳极也被初始化。
然后，在数据写入时间段期间，低电平的扫描信号Sn通过扫描线151施加到像素PX。第二晶体管T2和第三晶体管T3通过低电平的扫描信号Sn而被导通。
如果第二晶体管T2被导通，则数据电压Dm经由第二晶体管T2输入到驱动晶体管T1的第一电极S1。
此外，在数据写入时间段期间，第三晶体管T3导通，结果，驱动晶体管T1的第二电极D1电连接到栅电极G1和存储电容器Cst的第二存储电极E2。驱动晶体管T1的栅电极G1和第二电极D1以二极管连接而连接。在初始化时间段期间，栅电极G1施加有低电压(初始化电压Vint)使得驱动晶体管T1处于导通状态。结果，输入到驱动晶体管T1的第一电极S1的数据电压Dm在穿过驱动晶体管T1的沟道之后从第二电极D1输出，然后通过第三晶体管T3存储在存储电容器Cst的第二存储电极E2中。
此时，施加到第二存储电极E2的电压根据驱动晶体管T1的阈值电压Vth而改变，并且当数据电压Dm施加到驱动晶体管T1的第一电极S1且初始化电压Vint施加到驱动晶体管T1的栅电极G1时，从第二电极D1输出的电压可以是(Vgs+Vth)。这里，Vgs是施加到驱动晶体管T1的栅电极G1和第一电极S1的电压之间的差，从而具有(Dm-Vint)的值。因此，从第二电极D1输出并存储在第二存储电极E2中的电压可以具有值(Dm-Vint+Vth)。
然后，在发光时间段期间，从发光控制线153供应的发光控制信号EM具有低电平值，因此第五晶体管T5和第六晶体管T6被导通。结果，驱动电压ELVDD施加到驱动晶体管T1的第一电极S1，驱动晶体管T1的第二电极D1与发光二极管LED连接。驱动晶体管T1根据栅电极G1的电压与第一电极S1的电压(即，驱动电压ELVDD)之间的电压差而产生驱动电流Id。驱动晶体管Tl的驱动电流Id可以具有与(Vgs-Vth)的平方成比例的值。这里，值Vgs等于施加到存储电容器Cst的两个端子的电压差，并且值Vgs是(Vg-Vs)的值，因此它具有(Dm-Vint+Vth-ELVDD)的值。这里，当通过减去值Vth获得值(Vgs-Vth)时，获得值(Dm-Vint-ELVDD)。也就是说，驱动晶体管T1的驱动电流Id具有不依赖驱动晶体管T1的阈值电压Vth的电流作为输出。
因此，尽管设置在每个像素PX中的驱动晶体管T1由于工艺分布而具有不同的阈值电压Vth，但每个驱动晶体管T1的输出电流可以是恒定的，从而改善其非均匀性特性。
在上述公式中，在使用多晶半导体的P型晶体管的情况下，值Vth可以略大于0或为负值。此外，+和-的表达式可以根据计算电压所沿的方向而改变。然而，在作为驱动晶体管T1的输出电流的驱动电流Id可以具有不取决于阈值电压Vth的值这一点上没有改变。
当上述发光时间段结束时，初始化时间段再次开始并且从头开始重复相同的操作。
对于多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极，根据电压或电流的施加的方向，一个可以是源电极，另一个可以是漏电极。
另一方面，根据示例性实施例，尽管在初始化时间段中第七晶体管T7使发光二极管LED的阳极初始化，但是也可以防止在驱动晶体管T1导通的条件下流过的少量电流流向发光二极管LED。在这种情况下，少量的电流作为旁路电流Ibp通过第七晶体管T7放电到初始化电压Vint端子。结果，由于发光二极管LED不发射不必要的光，所以可以更清楚地显示黑色灰度，并且还可以改善对比度。在这种情况下，旁路信号GB可以是与前一扫描信号Sn-1的时序不同的时序的信号。在实施方式中，可以省略第七晶体管T7。
接着，参照图10和图11连同图8和图9来描述根据示例性实施例的发射型显示装置1000的第一区域A1中的第一像素PX1。图10示出了根据示例性实施例的显示装置1000的第一区域A1中的第一像素PX1的布局图，图11示出了沿图10中的线XI-XI'截取的剖视图。图10示出了第一区域A1中的一个像素区域的布局图。下面参照图12来描述第二区域A2中的一个像素区域的布局图。
参照图10，根据示例性实施例的发射型显示装置1000包括在第一方向D1上延伸并传输扫描信号Sn的扫描线151、传输前一扫描信号Sn-1的前一扫描线152、传输发光控制信号EM的发光控制线153以及传输初始化电压Vint的初始化电压线127。旁路信号GB通过前一扫描线152传输。
发射型显示装置1000包括在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸并传输数据电压Dm的数据线171以及传输驱动电压ELVDD的驱动电压线172。
发射型显示装置1000包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容器Cst和发光二极管LED。
驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的每个沟道可以位于伸长的半导体层130中。此外，多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极之中的至少一部分可以位于半导体层130中。半导体层130(图10中添加阴影的部分)可以形成并弯曲成各种形状。半导体层130可以包括诸如多晶硅的多晶半导体或氧化物半导体。
半导体层130包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道以及位于沟道的相应侧处并且掺杂浓度比掺杂到沟道的杂质的掺杂浓度高的第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区分别与多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的第一电极和第二电极对应。如果第一掺杂区和第二掺杂区中的一个是源区，则另一个可以是漏区。此外，在半导体层130中，可以对不同晶体管的第一电极与第二电极之间的区域进行掺杂，使得一个晶体管的源电极和另一晶体管的漏电极可以彼此电连接。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道中的每个与晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的栅电极叠置，并且设置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的第一电极与第二电极之间。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以具有基本相同的堆叠结构。在下文中，主要详细地描述驱动晶体管T1，并且示意性地描述其余的晶体管T2至T7。
驱动晶体管T1包括沟道、第一栅电极155、第一电极S1和第二电极D1。驱动晶体管T1的沟道位于第一电极S1与第二电极D1之间，并且在平面图中与第一栅电极155叠置。沟道可以不是弯曲的，并且如图1中描述的，第一区域A1中的沟道的W/L值可以大于第二区域A2中的沟道的W/L值。例如，第一区域A1中的驱动晶体管T1的沟道的长度可以比第二区域A2中的沟道的长度短，并且第一区域A1中的沟道的宽度可以比第二区域A2中的沟道的宽度宽。
第一栅电极155在平面图中与沟道叠置。第一电极S1和第二电极D1分别设置在沟道的两侧上。在第一栅电极155上方，存储线126的延伸部分被设置为被隔离。存储线126的延伸部分在平面图中经由第二栅极绝缘层142与第一栅电极155叠置以形成存储电容器Cst。存储线126的延伸部分是存储电容器Cst的第一存储电极(图8的E1)，第一栅电极155是第二存储电极(图8的E2)。存储线126的延伸部分形成有开口56，使得第一栅电极155可以连接到第一数据连接构件71。第一数据连接构件71和第一栅电极155的顶表面经由开口56中的接触孔61电连接。第一数据连接构件71连接到第三晶体管T3的第二电极D3，以将驱动晶体管T1的第一栅电极155连接到第三晶体管T3的第二电极D3。
第二晶体管T2的栅电极可以是扫描线151的一部分。数据线171通过接触孔62连接到第二晶体管T2的第一电极S2。第一电极S2和第二电极D2可以设置在半导体层130上。
第三晶体管T3可以由彼此相邻的两个晶体管组成。在图10的第一像素PX1中，T3被示出为位于相对于半导体层130的折叠部分的左侧和下侧上。这两个部分中的每个起到第三晶体管T3的作用，并且具有其中一个第三晶体管T3的第一电极S3连接到另一第三晶体管T3的第二电极D3的结构。两个晶体管T3的栅电极可以是扫描线151的一部分或者从扫描线151向上突出的部分。这样的结构可以被称为双栅极结构，并且执行防止漏电流流动的作用。第三晶体管T3的第一电极S3连接到第六晶体管T6的第一电极S6和驱动晶体管T1的第二电极D1。第三晶体管T3的第二电极D3通过接触孔63连接到第一数据连接构件71。
第四晶体管T4也包括两个第四晶体管T4，并且两个第四晶体管T4形成在前一扫描线152与半导体层130相交的部分处。第四晶体管T4的栅电极可以是前一扫描线152的一部分。存在其中一个第四晶体管T4的第一电极S4连接到另一第四晶体管T4的第二电极D4的结构。这样的结构可以被称为双栅极结构，并且具有防止漏电流流动的功能。第二数据连接构件72通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4，第一数据连接构件71通过接触孔63连接到第四晶体管T4的第二电极D4。
如上所述，通过使用第三晶体管T3和第四晶体管T4的双栅极结构，在截止状态下阻挡了沟道的电子移动路径，从而有效地防止了漏电流产生。
第五晶体管T5的栅电极可以是发光控制线153的一部分。驱动电压线172通过接触孔67连接到第五晶体管T5的第一电极S5，第二电极D5通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第一电极S1。
第六晶体管T6的栅电极可以是发光控制线153的一部分。第三数据连接构件73通过接触孔69连接到第六晶体管T6的第二电极D6，第一电极S6通过半导体层130连接到驱动晶体管T1的第二电极D1。
第七晶体管T7的栅电极可以是前一扫描线152的一部分。第七晶体管T7的第一电极S7连接到第六晶体管T6的第二电极D6，第二电极D7连接到第四晶体管T4的第一电极S4。
存储电容器Cst包括经由第二栅极绝缘层142叠置的第一存储电极E1和第二存储电极E2。第二存储电极E2可以与驱动晶体管T1的第一栅电极155对应，第一存储电极E1可以是存储线126的延伸部分。这里，第二栅极绝缘层142成为介电材料，并且电容由在存储电容器Cst中充入的电荷以及第一存储电极E1与第二存储电极E2之间的电压来确定。通过使用第一栅电极155作为第二存储电极E2，可以在由驱动晶体管T1的在像素内占据大的面积的沟道而变窄的空间中确保用于形成存储电容器Cst的空间。
驱动电压线172通过接触孔68连接到第一存储电极E1。因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第一存储电极E1的驱动电压ELVDD和第一栅电极155的栅极电压Vg之间的差对应的电荷。
第二数据连接构件72通过接触孔64连接到初始化电压线127。第一电极191通过接触孔81连接到第三数据连接构件73。第一电极191可以是像素电极。
寄生电容器控制图案79可以形成在开关晶体管T3的双栅电极之间。在第一像素PX1内存在寄生电容器，并且如果施加到寄生电容器的电压改变，则图像质量特性会改变。驱动电压线172经由接触孔66连接到寄生电容器控制图案79。结果，能够通过将具有恒定DC电压的驱动电压ELVDD施加到寄生电容器来防止图像质量特性改变。寄生电容器控制图案79可以设置在与示出的区域不同的区域中，或者可以施加有与驱动电压ELVDD不同的电压。
第一数据连接构件71的一个端子通过接触孔61连接到第一栅电极155，另一端子通过接触孔63连接到第三晶体管T3的第二电极D3和第四晶体管T4的第二电极D4。
第二数据连接构件72的一个端子通过接触孔65连接到第四晶体管T4的第一电极S4和第七晶体管T7的第二电极D7，另一端子通过接触孔64连接到初始化电压线127。
第三数据连接构件73经由接触孔69连接到第六晶体管T6的第二电极D6。
在下文中，除了参照图10之外，还将参照图11以堆叠顺序来描述根据示例性实施例的发射型显示装置1000的剖面结构。
根据示例性实施例的发射型显示装置1000包括第一基底110。
第一基底110可以包括塑料层和阻挡层。塑料层和阻挡层可以交替地堆叠。
塑料层可以包括例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)或其组合。
阻挡层可以包括合适的无机材料，例如，氧化硅、氮化硅或氧化铝。
缓冲层112可以位于第一基底110上。缓冲层112可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧化铝的无机绝缘材料或者诸如聚酰亚胺、丙烯酰基化物的有机绝缘材料。
包括多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道、第一电极和第二电极的半导体层130可以位于缓冲层112上。
第一栅极绝缘层141可以覆盖半导体层130。包括第一栅电极155、扫描线151、前一扫描线152和发光控制线153的第一栅极导体可以位于第一栅极绝缘层141上。
第二栅极绝缘层142可以覆盖第一栅极导体。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
包括存储线126、初始化电压线127和寄生电容器控制图案79的第二栅极导体可以位于第二栅极绝缘层142上。
覆盖第二栅极导体的层间绝缘层160可以位于第二栅极导体上。层间绝缘层160可以包括诸如氮化硅、氧化硅和氧化铝的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料。
包括数据线171、驱动电压线172、第一数据连接构件71、第二数据连接构件72和第三数据连接构件73的数据导体可以位于层间绝缘层160上。第一数据连接构件71可以通过接触孔61连接到第一栅电极155。
覆盖数据导体的钝化层180设置在数据导体上。钝化层180可以是平坦化层，并且可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第一电极191可以位于钝化层180上。第一电极191可以经由形成在钝化层180中的接触孔81连接到第三数据连接构件73。
分隔件350可以位于钝化层180和第一电极191上。分隔件350具有与第一电极191叠置的开口351。发射层370可以位于开口351中。第二电极270可以位于发射层370和分隔件350上。第一电极191、发射层370和第二电极270可以形成发光二极管LED。第一电极191可以是像素电极，第二电极270可以是共电极。
根据示例性实施例，像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，共电极可以是作为电子注入电极的阴极。相反，像素电极可以是阴极，共电极可以是阳极。当空穴和电子分别从像素电极和共电极注入发射层中时，其中空穴和电子结合的激子在从激发态下降到基态时发光。
保护发光二极管LED的封装层400可以位于第二电极270上。封装层400可以如示出的与第二电极270接触，或者可以根据示例性实施例与第二电极270分隔开。
封装层400可以是其中无机膜和有机膜堆叠的薄膜封装层，并且可以包括由无机膜、有机膜和无机膜组成的三层。根据示例性实施例，盖层和功能层可以位于第二电极270与封装层400之间。
接着，描述第二区域A2中的第二像素PX2的布置。图12示出了示出第二区域A2中的第二像素PX2的布局图。参照图12，除了驱动晶体管T1的沟道形状之外，第二区域A2中的第二像素PX2的布置结构可以与图10中描述的第一像素PX1的布置结构相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。参照图12，第二区域A2中的驱动晶体管T1可以具有弯曲的沟道。由于沟道的长度变得更长，所以施加到驱动晶体管T1的第一栅电极155的栅极电压Vg的驱动范围可以变宽并且驱动电流Id根据栅极电压Vg而恒定地增加。结果，通过改变栅极电压Vg的大小，可以更精确地控制由发光二极管LED发射的光的灰度并且可以改善发射型显示装置1000的显示质量。
第二区域A2中的驱动晶体管T1的沟道可以是弯曲的，并且第一区域A1中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值可以大于第二区域A2中的驱动晶体管T1的沟道的W/L值。
因此，可以通过由增大第一区域A1的驱动晶体管T1的W/L值而增加发光元件的亮度来补偿由于第一区域A1的低像素密度引起的亮度劣化。例如，第一区域A1可以具有比第二区域A2小的数量的像素，但因为第一区域A1中的像素的亮度可以相对高，所以可以使第一区域A1和第二区域A2的亮度差最小化。
在实施方式中，如图10中所示，第一区域A1的驱动晶体管T1的沟道区域可以是直线，而不弯曲。在实施方式中，第一区域A1的驱动晶体管T1的沟道区域的形状可以改变，只要它具有使得W/L值与第二区域A2的驱动晶体管T1的沟道的W/L值相比增大的结构即可。
图13示出了根据另一示例性实施例的第一区域A1中的第一像素PX1的布局图。参照图13，除了驱动晶体管T1的沟道形状之外，根据本示例性实施例的第一像素PX1的布置结构与图10中描述的第一像素PX1的布置结构相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。参照图13，在根据本示例性实施例的显示装置1000中，第一区域A1的驱动晶体管T1可以具有宽的沟道宽度。例如，与图10相比，驱动晶体管T1的沟道长度可以相同，但沟道宽度可以变宽。在这种情况下，驱动晶体管T1中流动的电流量可以进一步增大，并且发光元件的亮度可以更高。在图13的示例性实施例中，类似于图10的示例性实施例，示出了发光元件的亮度增大效果，但亮度提高更大。
图14示出了根据另一示例性实施例的设置在第一区域A1中的第一像素PX1的布局图。参照图14，除了驱动晶体管T1的沟道形状之外，根据本示例性实施例的第一像素PX1的布置结构与图13中描述的第一像素PX1的布置结构相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。参照图14，在根据本示例性实施例的显示装置1000中，第一区域A1的驱动晶体管T1可以具有宽的沟道宽度并且沟道的一部分可以被去除。以这种方式，即使去除了沟道的一部分，沟道区域的宽度和长度也可以与图13中的沟道区域的宽度和长度相同，因此可以获得与图13的示例性实施例相同或相似水平的亮度增大效果。
上面已经描述了设置在第一区域A1中的第一像素PX1的驱动晶体管T1的沟道形状的各种示例性实施例。在实施方式中，可以包括具有比第二区域A1的驱动晶体管T1的沟道的W/L值大的W/L值的结构。
在下文中，将描述根据另一示例性实施例的显示装置1000。图15示出了设置在根据示例性实施例的显示装置1000中的第一区域A1中的第一像素PX1的布局图。图16示出了沿图15的线XVI-XVI'截取的剖视图。
参照图15和图16，除了阻光层30的构造之外，根据本示例性实施例的显示装置1000与图10和图11的示例性实施例的显示装置1000相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。
参照图15，根据本示例性实施例的显示装置1000可以包括阻光层30。阻光层30可以经由接触孔60连接到驱动电压线172。阻光层30可以在平面图中与驱动晶体管T1和第三晶体管T3叠置。图15中的阻光层30示出为被阴影化。阻光层30可以位于第一基底110与半导体层130之间以阻挡光进入半导体层130或者入射在半导体层130上。
第一区域A1可以与感测模块1200叠置，并且可以是通过其透射红外线的区域。这些红外线会改变在晶体管中流动的漏电流量和在截止状态下在晶体管中流动的电流量。因此，第一区域A1中的发光元件会由于透射的红外线而发射具有不同亮度的光。
然而，根据本示例性实施例的显示装置1000可以在与第一区域A1的驱动晶体管T1和第三晶体管T3叠置的区域中包括阻光层30，从而使由于红外线透射而引起的晶体管的漏电流变化最小化。
阻光层30可以是用于阻挡红外线的层。在实施方式中，阻光层30可以阻挡红外线和可见光线两者。在实施方式中，阻光层30可以是透射可见光线并且仅阻挡红外线的层。在本示例性实施例中，阻光层30可以仅位于很大程度上受漏电流影响的驱动晶体管T1和第三晶体管T3下方，使得可以在不大大降低红外线透射率的情况下防止由于红外线的透射引起的晶体管的特性变化。在驱动晶体管T1的情况下，可以存在金属层并且红外线的透射率可以是低的，并且由于添加了阻光层30而导致的红外线透射率的降低可能不明显。
参照图15，阻光层30可以连接到驱动电压线172。在实施方式中，阻光层30可以连接到扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和数据线171。
参照图16，除了还包括阻光层30之外，对于图16的描述可以与图11的示例性实施例的描述相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。例如，参照图16，阻光层30可以位于第一基底110与半导体层130之间。阻光层30可以位于第一基底110与缓冲层112之间。
图17示出了根据图15的示例性实施例的发射型显示装置1000的一个第一像素PX1的等效电路图。参照图17，除了连接到ELVDD并且与驱动晶体管T1和第三晶体管T3叠置的阻光层BML之外，本示例性实施例与图8中的描述相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。
在该实施例中，阻光层30可以仅位于第一区域A1中而不位于第二区域A2中。由于第一区域A1是红外线透射区域，需要用于阻挡红外线的阻光层30，但是由于第二区域A2不透射红外线，因此可以不需要阻光层30来阻挡红外线。
图18示出了根据另一示例性实施例的显示装置1000中的第一区域A1的第一像素PX1的布局图。图19示出了沿图18的线XVIII-XVIII'截取的剖视图。图20示出了根据图18的示例性实施例的发射型显示装置1000的一个第一像素PX1的等效电路图。参照图18和图19，除了位于第一像素PX1的整个表面上的阻光层30之外，根据本示例性实施例的显示装置1000与图15和图16的示例性实施例相同。可以省略对相同组成元件的详细描述。
例如，参照图18，阻光层30可以通过接触孔60连接到驱动电压线172。在本示例性实施例中，阻光层30可以与七个晶体管叠置。在这种情况下，能够有效地防止由于红外线的透射引起的漏电流变化和晶体管的亮度变化。然而，当第一区域A1中的所有第一像素PX1具有图18中示出的结构时，红外线不会被透射，所以在一些实施例中，例如在如图3中示出的实施例中，仅第一区域A1的一些第一像素PX1可以具有图18中所示的结构。
参照图19，在根据本示例性实施例的显示装置1000中，阻光层30可以位于整个像素表面上。此外，参照图20，连接到驱动电压线172的阻光层30可以与所有晶体管和存储电容器叠置。在实施方式中，阻光层30可以连接到扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和数据线171。
图21示出了简单示出根据示例性实施例的显示装置1000中的第一区域A1和第二区域A2的晶体管和发光元件的视图。参照图21，显示装置1000可以包括显示区域100和滤色器区域200。
显示区域100的剖面结构实际上可以与图10和图11中示出的剖面结构相同，然而在图21中对其进行了简化以更好地理解和易于描述。例如，显示区域100可以包括第一基底110上的晶体管TFT和连接到晶体管TFT的第一电极191。钝化层180可以位于第一电极191与晶体管TFT之间。分隔件350可以位于钝化层180和第一电极191上，分隔件350可以具有与第一电极191叠置的开口，并且发射层370可以位于开口191中。第二电极270可以位于发射层370和分隔件350上。封装层400可以位于第二电极270上。
滤色器层230、透明层300和阻光构件220可以位于封装层400上。例如，滤色器层230、透明层300和阻光构件220可以位于显示面板2000的前表面上。阻光构件220可以位于相邻的滤色器层230之间以及滤色器层230与透明层300之间。阻光构件220可以与分隔件350叠置，并且滤色器层230和透明层300可以与发射层370叠置。
参照图21，滤色器层230可以不位于第一区域A1中。相反，透明层300可以位于第一区域A1中。当第一区域A1的亮度会由于具有低于第二区域A2的像素密度的像素密度的第一区域A1而降低时，该结构可以帮助补偿亮度的降低。
例如，当在第二区域A2中发射的光穿过滤色器层230时，其亮度会降低。因此，通过应用透明层300来代替第一区域A1中的滤色器层230，可以补偿第一区域A1中的亮度降低，并且第一区域A1和第二区域A2可以具有类似的亮度。
图21的结构可以进一步应用于上述示例性实施例。例如，可以使第一区域A1的驱动晶体管T1的沟道的W/L值大于第二区域A2的驱动晶体管T1的沟道的W/L值，同时可以去除第一区域A1中的滤色器层。另外，可以使第一区域A1的驱动晶体管T1的沟道的W/L值大于第二区域A2的驱动晶体管T1的沟道的W/L值，并且可以去除第一区域A1中的滤色器层，同时将阻光层应用于位于第一区域A1中的一些或全部像素。
通过总结和回顾，由于显示装置的边框变得更薄，用户的视线可以固定或聚焦在图像(或显示装置的屏幕)上。近年来，已经开发了一种前向显示技术，该技术从显示装置的前部去除边框，将红外线传感器重新布置在显示面板的后表面(壳体)上，并且将图像显示在显示装置的整个前部上。
一个或更多个实施例可以提供一种通过使红外线传感器叠置区域与非叠置区域中的晶体管的沟道尺寸不同来使亮度差最小化的显示装置。
一个或更多个实施例可以提供一种使其中传感器位于显示面板的后表面上的显示装置中的传感器叠置区域与非叠置区域的亮度差最小化的显示装置。
根据示例性实施例，可以通过使传感器叠置区域与非叠置区域中的晶体管的沟道尺寸不同来提供具有最小化的亮度差的显示装置。
<标记的描述>
2000：显示面板 1200：感测模块
A1：第一区域 A2：第二区域
30：阻光层 300：透明层
110：第一基底 112：缓冲层
130：半导体层 141：第一栅极绝缘层
142：第二栅极绝缘层 160：层间绝缘层
180：钝化层
126：存储线 127：初始化电压线
151：扫描线 152：前一扫描线
153：发光控制线 155：栅电极
158：旁路控制线 171：数据线
172：驱动电压线 71、72、73：数据连接构件
741：共电压线 E1、E2：存储电极
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7：晶体管
这里已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是仅以一般性和描述性的意义来使用它们，并将对他们进行解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如对本领域普通技术人员将明显的是，自提交本申请之时起，除非另外明确表明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (29)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括多个晶体管并且在其前表面上显示图像；以及
感测模块，位于所述显示面板的后表面上，
其中：
所述显示面板包括与所述感测模块叠置的第一区域以及不与所述感测模块叠置的第二区域，并且
所述多个晶体管中的位于所述第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述多个晶体管中的位于所述第二区域中的另一晶体管的W/L值，所述W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以所述沟道的长度而获得。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域中的所述一个晶体管和所述第二区域中的所述另一晶体管是驱动晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示面板包括多个像素，并且
所述第一区域的像素密度小于所述第二区域的像素密度。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一区域的所述像素密度是所述第二区域的所述像素密度的20％至90％。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域包括透射区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，由所述透射区域占据的面积是所述第一区域的总面积的20％至90％。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
第一基底，其上设置有所述多个晶体管；以及
阻光层，位于所述第一基底与所述多个晶体管中的至少一个晶体管之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阻光层阻挡红外线。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阻光层位于所述第一区域中而不位于所述第二区域中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
在所述第一区域中，多个晶体管包括驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管，并且
所述阻光层与所述驱动晶体管和所述开关晶体管叠置而不与所述补偿晶体管叠置。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
在所述第一区域中，多个晶体管包括驱动晶体管、开关晶体管和补偿晶体管，并且
所述阻光层与所述驱动晶体管、所述开关晶体管和所述补偿晶体管中的全部叠置。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述显示面板的所述前表面上的滤色器层，其中，所述滤色器层不与所述第一区域叠置。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述第一区域叠置的透明层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域中的像素的亮度高于所述第二区域中的像素的亮度。
15.一种显示装置，所述显示装置包括包含多个像素的显示面板，其中：
所述显示面板包括第一区域和第二区域，多个晶体管包括在所述第一区域和所述第二区域中，
所述第一区域的像素密度小于所述第二区域的像素密度，并且
所述第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述第二区域中的另一晶体管的W/L值，所述W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以所述沟道的长度而获得。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述显示面板的后表面上的感测模块，其中，所述感测模块与所述第一区域叠置。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一区域的所述像素密度是所述第二区域的所述像素密度的20％至90％。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一区域包括透射区域。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一区域中的所述一个晶体管和所述第二区域中的所述另一晶体管是驱动晶体管。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
第一基底，其上设置有所述第一区域中的所述一个晶体管和所述第二区域中的所述另一晶体管；以及
阻光层，位于所述第一基底与所述一个晶体管和所述另一晶体管中的至少一个之间。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述阻光层仅位于所述第一区域中而不位于所述第二区域中。
22.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
滤色器层，位于所述显示面板的前表面上，所述滤色器层不与所述第一区域叠置，以及
透明层，与所述第一区域叠置。
23.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一区域中的一个像素的亮度高于所述第二区域中的一个像素的亮度。
24.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括多个像素并且在其前表面上显示图像；以及
感测模块，位于所述显示面板的后表面上，
其中：
所述显示面板包括与所述感测模块叠置的第一区域和不与所述感测模块叠置的第二区域，并且
所述第一区域中的一个像素的亮度高于所述第二区域中的一个像素的亮度。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中：
所述显示面板包括多个晶体管，并且
所述第一区域中的一个晶体管的W/L值大于所述第二区域中的另一晶体管的W/L值，所述W/L值通过将晶体管的沟道的宽度除以所述沟道的长度而获得。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第一区域的像素密度小于所述第二区域的像素密度。
27.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述显示面板还包括：
第一基底，其上设置有多个晶体管；以及
阻光层，位于所述第一基底与所述多个晶体管中的至少一个晶体管之间。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，所述阻光层位于所述第一区域中而不位于所述第二区域中。
29.根据权利要求24所述的显示装置，所述显示装置还包括：
滤色器层，位于所述显示面板的所述前表面上，所述滤色器层不与所述第一区域叠置，以及
透明层，与所述第一区域叠置。
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