CN107664862A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107664862A
CN107664862A CN201710630507.9A CN201710630507A CN107664862A CN 107664862 A CN107664862 A CN 107664862A CN 201710630507 A CN201710630507 A CN 201710630507A CN 107664862 A CN107664862 A CN 107664862A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
pixel
data wire
line
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710630507.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107664862B (zh
Inventor
姜秉旭
沈鍾植
金贤眞
金准东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN107664862A publication Critical patent/CN107664862A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107664862B publication Critical patent/CN107664862B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基板；在第一方向上依次布置在基板上的第一到第四子像素；第一电源线，第一电源线设置在第一子像素的左侧上并且被第一子像素和第二子像素共享；感测线，感测线设置在第二子像素与第三子像素之间并且被第一到第四子像素共享；第二电源线，第二电源线设置在第四子像素的右侧上并且被第三子像素和第四子像素共享；位于第一子像素的左侧上的第一数据线、位于第二子像素的右侧上的第二数据线、位于第三子像素的左侧上的第三数据线以及位于第四子像素的右侧上的第四数据线；和在第一方向上延伸的扫描线。第一电源线、第二电源线和感测线设置在与第一到第四数据线不同的层上。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
各种平板显示器(FPD)已取代了笨重且体积大的阴极射线管(CRT)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示器。
更详细地说，OLED显示器是配置成通过激发有机化合物来发光的自发光显示装置。OLED显示器不需要液晶显示器中使用的背光单元，因而具有薄外形和轻重量以及简单的制造工艺。OLED显示器还能够以低温进行制造并且具有1ms或更短的快速响应时间、低功耗、宽视角和高对比度。
此外，OLED显示器包括位于充当阳极的第一电极与充当阴极的第二电极之间的由有机材料形成的发光层。OLED显示器通过在发光层内部组合从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子形成电子空穴对，即激子，并且通过当激子返回地电平(ground level)时产生的能量发光。
根据从OLED器件发射的光的方向，OLED显示器可分为底部发光OLED显示器和顶部发光OLED显示器。底部发光OLED显示器在朝向基板的向下方向，即在从发光层到第一电极的方向上发射光。顶部发光OLED显示器在远离基板的向上方向，即在从发光层到第二电极的方向上发射光。
随着显示装置越来越多地实现为高分辨率显示装置，需要更小尺寸的像素。在子像素的有限空间内形成电路的布局的设计条件(limit design conditions)变得有限。在这种情况下，电极之间可发生短路，这可引起有缺陷的驱动，需要对其改进。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种显示装置，其基本上克服了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种显示装置及其制造方法，其能够防止当显示面板实现为高分辨率(例如，UHD或更高分辨率)显示面板时由于在子像素的有限空间内形成电路的布局的有限设计条件的限制而引起的电极之间的短路。
附加的特点和方面将在以下的描述中阐述，且部分从该描述将变得很清楚或者可以通过对本文提供的发明构思的实践而习知。本发明构思的其它特点和方面可通过在文字描述或其导出物、权利要求书以及在附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现本发明构思的这些和其它方面，如在此具体化和广义描述的，一种显示装置包括：基板；在第一方向上依次布置在所述基板上的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素；第一电源线，所述第一电源线设置在所述第一子像素的左侧上并且被所述第一子像素和所述第二子像素共享；感测线，所述感测线设置在所述第二子像素与所述第三子像素之间并且被所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素共享；第二电源线，所述第二电源线设置在所述第四子像素的右侧上并且被所述第三子像素和所述第四子像素共享；位于所述第一子像素的左侧上的第一数据线、位于所述第二子像素的右侧上的第二数据线、位于所述第三子像素的左侧上的第三数据线以及位于所述第四子像素的右侧上的第四数据线；和在所述第一方向上延伸的扫描线，其中所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线设置在与所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线不同的层上。
在另一个方面，一种制造显示装置的方法包括：在基板上同时形成第一电源线、第二电源线、感测线和遮光层；在所述第一电源线、第二电源线、感测线和遮光层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成层间介电层；在所述层间介电层上形成第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线；在所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线上形成涂覆层；以及分别在所述涂覆层上形成第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，其中所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素在所述基板上在第一方向上彼此依次相邻，其中所述第一电源线设置在所述第一子像素的左侧并且与所述第一子像素和所述第二子像素连接，其中所述感测线设置在所述第二子像素与所述第三子像素之间并且与所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素连接，其中所述第二电源线设置在所述第四子像素的右侧并且与所述第三子像素和所述第四子像素连接，其中所述第一数据线设置在所述第一子像素的左侧，所述第二数据线设置在所述第二子像素的右侧，所述第三数据线设置在所述第三子像素的左侧，所述第四数据线设置在所述第四子像素的右侧，其中所述扫描线在所述第一方向上延伸。
应当理解，前面的大体描述和下文的详细描述都是示例性的和说明性的，旨在对要求保护的发明构思提供进一步解释。
附图说明
被包括来给本发明提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是根据示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图2示意性图解了子像素的电路构造；
图3图解了根据示例性实施方式的子像素的电路构造的第一示例；
图4图解了根据示例性实施方式的子像素的电路构造的第二示例；
图5是根据示例性实施方式的子像素阵列的平面图；
图6是沿图5的线I-I’截取的剖面图；
图7是沿图5的线II-II’截取的剖面图；
图8图解了扫描线的分支部；
图9是根据比较例的显示装置的子像素阵列的平面图；
图10是沿图9的线III-III’截取的剖面图；
图11图解了根据比较例的线的剖面结构；以及
图12图解了根据示例性实施方式的线的剖面结构。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施方式，附图中图解了实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记指代相同或相似的部分。请注意，如果确定已知技术可能误导本发明的实施方式，则将省略对这些已知技术的详细描述。仅为了便于撰写说明书而选取了下面解释中使用的各个元件的名称，因而这些名称可能与实际产品中使用的名称不同。
根据示例性实施方式的显示装置可实现为有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)、电泳显示器等。通过示例的方式使用OLED显示器描述实施方式。OLED显示器包括位于充当阳极的第一电极与充当阴极的第二电极之间的由有机材料形成的发光层。OLED显示器是自发光显示装置，其配置成通过在发光层内部组合从第一电极接收的空穴和从第二电极接收的电子形成电子空穴对，即激子，并且通过当激子返回地电平时产生的能量发光。根据实施方式的OLED显示器可以是塑料显示装置，其中显示元件形成在柔性塑料基板而不是玻璃基板上。
图1是根据示例性实施方式的OLED显示器的框图。图2示意性图解了子像素的电路构造。图3图解了根据示例性实施方式的子像素的电路构造的第一示例。图4图解了根据示例性实施方式的子像素的电路构造的第二示例。
如图1中所示，根据示例性实施方式的OLED显示器可包括图像处理单元110、时序控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理单元110输出从外部提供的数据信号DATA、数据使能信号DE等。除数据使能信号DE以外，图像处理单元110还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个。为了简便和易于阅读，未示出这些信号。
时序控制器120接收来自图像处理单元110的数据信号DATA以及包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等的驱动信号。时序控制器120基于这些驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动器130的操作时序的数据时序控制信号DDC。
数据驱动器130响应于从时序控制器120接收的数据时序控制信号DDC采样并锁存从时序控制器120接收的数据信号DATA并且将采样和锁存的数据信号DATA转换为伽马基准电压。数据驱动器130将数据信号DATA输出至数据线DL1到DLn。数据驱动器130可以以集成电路(IC)的形式形成。
扫描驱动器140在响应于从时序控制器120接收的栅极时序控制信号GDC移位栅极电压的电平的同时输出扫描信号。扫描驱动器140将扫描信号输出至扫描线GL1到GLm。扫描驱动器140可以以IC的形式形成或者可以以面板内栅极(GIP)方式形成在显示面板150上。
显示面板150响应于分别从数据驱动器130和扫描驱动器140接收的数据信号DATA和扫描信号显示图像。显示面板150包括进行操作以显示图像的子像素SP。
子像素SP可配置为顶部发光结构、底部发光结构或双侧发光结构。子像素SP可包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者可包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，根据发光特性，子像素SP可具有一个或多个不同的发光面积。
如图2中所示，每个子像素可包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。
开关晶体管SW响应于通过第一扫描线GL1提供的扫描信号执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR基于存储在电容器Cst中的数据电压能够使驱动电流在第一电源线EVDD与第二电源线EVSS之间流动。有机发光二极管OLED根据通过驱动晶体管DR形成的驱动电流而发光。
补偿电路CC是添加至子像素的电路，其补偿驱动晶体管DR的阈值电压。补偿电路CC包括一个或多个晶体管。补偿电路CC的构造根据补偿方法可进行各种变化，下面参照图3和4进行描述。
如图3和4中所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF。感测晶体管ST连接至位于驱动晶体管DR的源极线与有机发光二极管OLED的阳极电极(或称为“第一电极”)之间的感测节点。感测晶体管ST可进行操作，以将通过感测线VREF传输的初始化电压(或称为“感测电压”)提供至感测节点或感测所述感测节点的电压或电流。
开关晶体管SW的源极电极连接至第一数据线DL1，并且开关晶体管SW的漏极电极连接至驱动晶体管DR的栅极电极。驱动晶体管DR的源极电极连接至第一电源线EVDD，并且驱动晶体管DR的漏极电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。电容器Cst的下电极连接至驱动晶体管DR的栅极电极，并且电容器Cst的上电极连接至有机发光二极管OLED的阳极电极。有机发光二极管OLED的阳极电极连接至驱动晶体管DR的漏极电极并且有机发光二极管OLED的阴极电极连接至第二电源线EVSS。感测晶体管ST的源极电极连接至感测线VREF，并且感测晶体管ST的漏极电极连接至与感测节点对应的有机发光二极管OLED的阳极电极。
根据补偿算法(或补偿电路的构造)，感测晶体管ST的操作时间可与开关晶体管SW的操作时间相似(或相同)或不同。例如，开关晶体管SW的栅极电极可连接至1a扫描线GL1a，并且感测晶体管ST的栅极电极可连接至1b扫描线GL1b。作为另一示例，连接至开关晶体管SW的栅极电极的1a扫描线GL1a和连接至感测晶体管ST的栅极电极的1b扫描线GL1b可连接在一起。
感测线VREF可连接至数据驱动器。在这种情形中，数据驱动器可在实时图像或N帧的非显示周期期间感测子像素的感测节点并且产生感测结果，其中N是等于或大于1的整数。另一方面，开关晶体管SW和感测晶体管ST可同时导通。在这种情形中，基于数据驱动器的时分方式，经由感测线VREF的感测操作和用于输出数据信号的数据输出操作彼此分开(或区分)。
此外，基于感测结果要被补偿的目标可以是数字数据信号、模拟数据信号、伽马信号等。用于基于感测结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可实现在数据驱动器内部、时序控制器内部或分开的电路内部。
图3和4通过示例的方式图解了具有3T(晶体管)1C(电容器)的构造的子像素，3T1C的构造包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST。然而，当给子像素添加补偿电路CC时，子像素可具有各种构造，比如3T2C、4T2C、5T1C和6T2C。
图3的子像素电路与图4的子像素电路之间的区别在于遮光层LS的构造。遮光层LS用于遮蔽外部光。当遮光层LS由金属材料形成时，导致充入寄生电压的问题。因此，遮光层LS连接至驱动晶体管DR的源极电极。
更具体地说，如图3中所示，遮光层LS可仅设置在驱动晶体管DR的沟道区域下方。可选择地，如图4中所示，遮光层LS可设置在驱动晶体管DR的沟道区域下方以及开关晶体管SW和感测晶体管ST的沟道区域下方。
遮光层LS可如图3中所示用于遮蔽外部光。此外，遮光层LS可连接至另一电极或另一线并且用作构成电容器的电极等。
下面详细描述根据示例性实施方式的显示装置的子像素阵列的结构。
<示例性实施方式>
图5是根据示例性实施方式的子像素阵列的平面图。图6是沿图5的线I-I’截取的剖面图。图7是沿图5的线II-II’截取的剖面图。图8图解了扫描线的分支部。
参照图5，第一到第四子像素SPn1到SPn4布置在基板上的第一方向例如水平方向上。例如，第一子像素SPn1可以是红色子像素R，第二子像素SPn2可以是绿色子像素G，第三子像素SPn3可以是蓝色子像素B。第四子像素SPn4可选择为白色子像素W。在一些实施方式中，第一到第三子像素SPn1到SPn3可形成单位像素，并且包括第四子像素SPn4和位于第四子像素SPn4之后的两个子像素的三个子像素可形成单位像素。例如，RGB、WRG、BWR和GBW的每一个可形成单位像素。可选择地，第一到第四子像素SPn1到SPn4可形成单位像素，RGBW和WRGB的每一个可形成单位像素。
第一电源线EVDD1沿垂直方向设置在第一子像素SPn1的左侧上。第一电源线EVDD1共同地连接至第一子像素SPn1和第二子像素SPn2。第二桥接部SBR2设置在从第一电源线EVDD1延伸的一端处并且位于第一子像素SPn1与第二子像素SPn2之间。第一子像素SPn1和第二子像素SPn2通过第二桥接部SBR2连接至第一电源线EVDD1。尽管未示出，但第一电源线EVDD1共同地连接至设置在第一电源线EVDD1的左侧上的两个子像素。就是说，根据实施方式的第一电源线EVDD1共同地连接至四个子像素。
第一数据线DLn1设置在第一子像素SPn1的与第一电源线EVDD1相邻的区域中，第二数据线DLn2设置在第二子像素SPn2的远离第一电源线EVDD1的区域中。第一数据线DLn1连接至第一子像素SPn1，并且第二数据线DLn2连接至第二子像素SPn2。
感测线VREF设置在第二子像素SPn2与第三子像素SPn3之间。感测线VREF共同地连接至第一到第四子像素SPn1到SPn4。感测线VREF设置在第二数据线DLn2与第三数据线DLn3之间。
第三数据线DLn3设置在第三子像素SPn3的与感测线VREF相邻的区域中，第四数据线DLn4设置在第四子像素SPn4的远离感测线VREF的区域中。第三数据线DLn3连接至第三子像素SPn3，并且第四数据线DLn4连接至第四子像素SPn4。第二电源线EVDD2沿垂直方向设置在第四子像素SPn4的右侧上。第二电源线EVDD2共同地连接至第三子像素SPn3和第四子像素SPn4。第二桥接部SBR2设置在从第二电源线EVDD2延伸的一端处并且位于第三子像素SPn3与第四子像素SPn4之间。第三子像素SPn3和第四子像素SPn4通过第二桥接部SBR2连接至第二电源线EVDD2。尽管未示出，但第二电源线EVDD2共同地连接至设置在第二电源线EVDD2的右侧上的两个子像素。就是说，根据实施方式的第二电源线EVDD2共同地连接至四个子像素。
与感测线VREF垂直交叉的扫描线GL1a设置在第一到第四子像素SPn1到SPn4上。扫描线GL1a连接至第一到第四子像素SPn1到SPn4的每一个的感测晶体管ST和开关晶体管SW的栅极电极。尽管在实施方式中显示并描述了一条扫描线GL1a，但可设置两条扫描线。
感测线VREF包括沿垂直方向设置的垂直感测线VREFM和沿水平方向设置的水平感测线VREFS。垂直感测线VREFM和水平感测线VREFS形成为一体。垂直感测线VREFM与第二数据线DLn2和第三数据线DLn3平行设置，并且水平感测线VREFS与扫描线GL1a平行设置。第一到第四子像素SPn1到SPn4的每一个的感测晶体管ST通过分别位于水平感测线VREFS的两端处的第一桥接部SBR1经由水平感测线VREFS连接至垂直感测线VREFM。
使用第一子像素SPn1作为示例描述子像素的平面结构。开关晶体管SW设置在第一数据线DLn1和扫描线GL1a的交叉部分处。感测晶体管ST设置成与扫描线GL1a和第一桥接部SBR1相邻，第一桥接部SBR1通过第一感测孔SCH1连接至水平感测线VREFS。第二桥接部SBR2从第一电源线EVDD1延伸并且通过第一电源孔VCH1连接至第一电源线EVDD1。电容器Cst包括下电容器电极LCst和上电容器电极UCst，下电容器电极LCst通过第一接触孔CH1连接至第二桥接部SBR2，上电容器电极UCst从开关晶体管SW延伸。驱动晶体管DR设置成与电容器Cst相邻，第一电极ANO通过通孔VIA连接至驱动晶体管DR。用于发光的发光单元LEP设置在第一电极ANO上。由此，形成第一子像素SPn1的平面结构。
更具体地，下面使用第一子像素的一部分作为示例描述显示面板的剖面结构。
参照图6和7，遮光层LS位于基板SUB上。遮光层LS遮蔽从外部进入的光并防止在晶体管中产生漏电流。因而，对应于驱动晶体管DR的沟道区域形成遮光层LS，或者对应于驱动晶体管DR、感测晶体管ST和开关晶体管SW的沟道区域分离地形成遮光层LS。
缓冲层BUF位于遮光层LS上。缓冲层BUF保护在随后工艺中形成的晶体管免受杂质，例如从遮光层LS或基板SUB释放的碱性离子的影响。缓冲层BUF可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或它们的多层。
半导体层ACT位于缓冲层BUF上，其可由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可包括非晶硅或结晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，超过100cm2/Vs)、低功耗和出色的可靠性。因而，多晶硅能够应用于驱动元件中使用的栅极驱动器和/或多路复用器(MUX)或者应用于每个像素的驱动晶体管。因为氧化物半导体具有低截止(OFF)电流，所以氧化物半导体适合于具有较短导通(ON)时间和较长截止(OFF)时间的开关晶体管。此外，因为氧化物半导体由于低OFF电流而能够增加像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合于需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层ACT包括分别具有p型或n型杂质的漏极区域和源极区域，并且还包括位于漏极区域与源极区域之间的沟道区域。
栅极绝缘层GI位于半导体层ACT上，其可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或它们的多层。栅极电极GAT在与半导体层ACT的预定区域(例如，注入杂质时的沟道区域)对应的位置处位于栅极绝缘层GI上。栅极电极GAT可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之一或它们的组合形成。此外，栅极电极GAT可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之一或它们的组合形成的多层。例如，栅极电极GAT可形成为Mo/AlNd或Mo/Al的双层。
层间介电层ILD可位于栅极电极GAT上并将栅极电极GAT绝缘。层间介电层ILD可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或它们的多层。在层间介电层ILD(以及栅极绝缘层GI(如果栅极绝缘层GI在半导体层ACT的整个上表面上方延伸的话))的每一个的一部分中形成暴露半导体层ACT的一部分的第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。
漏极电极DE和源极电极SE位于层间介电层ILD上。源极电极SE通过暴露半导体层ACT的源极区域的第一接触孔CH1连接至半导体层ACT并且还连接至遮光层LS。漏极电极DE通过暴露半导体层ACT的漏极区域的第二接触孔CH2连接至半导体层ACT。源极电极SE和漏极电极DE的每一个可形成为单层或多层。当源极电极SE和漏极电极DE的每一个形成为单层时，源极电极SE和漏极电极DE的每一个可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)之一或它们的组合之一形成。当源极电极SE和漏极电极DE的每一个形成为多层时，源极电极SE和漏极电极DE的每一个可形成为Mo/AlNd的双层或Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/AlNd/Mo的三层。因而，形成了包括半导体层ACT、栅极电极GAT、源极电极SE和漏极电极DE的驱动晶体管DR。
此外，钝化层PAS位于包括驱动晶体管DR的基板SUB上。钝化层PAS是用于保护位于钝化层PAS下方的组件的绝缘层，其可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或它们的多层。滤色器CF位于钝化层PAS上。滤色器CF将由有机发光二极管OLED发射的白色光转换为选自红色光、绿色光和蓝色光之中的一种。在此公开的实施方式中，通过示例的方式可使用红色滤色器CF。涂覆层(overcoat layer)OC位于滤色器CF上。涂覆层OC可以是用于减小下层结构的高度差的平坦化层，其可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯之类的有机材料形成。可通过涂布液态的有机材料然后固化有机材料的旋涂玻璃(SOG)方法形成涂覆层OC。
暴露驱动晶体管DR的漏极电极DE的通孔VIA位于涂覆层OC的一部分中。有机发光二极管OLED位于涂覆层OC上。更具体地说，有机发光二极管OLED包括位于涂覆层OC上的第一电极ANO。第一电极ANO充当像素电极并且通过通孔VIA连接至驱动晶体管DR的漏极电极DE。第一电极ANO是阳极电极，其可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)之类的透明导电材料形成。当第一电极ANO是反射电极时，第一电极ANO可进一步包括反射层。反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或它们的组合形成。例如，反射层可由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，限定像素的堤层BNK位于包括第一电极ANO的基板SUB上。堤层BNK可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂和丙烯酸酯之类的有机材料形成。堤层BNK包括暴露第一电极ANO的像素限定部。与第一电极ANO接触的发光层EML位于堤层BNK的像素限定部中。发光层EML是其中电子和空穴组合并发光的层。有机发光二极管OLED可包括位于发光层EML与第一电极ANO之间的空穴注入层和/或空穴传输层并且可包括位于发光层EML上的电子注入层和/或电子传输层。
有机发光二极管OLED包括位于发光层EML上的第二电极CAT。第二电极CAT可位于基板SUB的显示区域的整个表面上。此外，第二电极CAT是阴极电极，其可由分别具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或它们的组合形成。当第二电极CAT是透射电极时，第二电极CAT可足够薄以透射光。此外，当第二电极CAT是反射电极时，第二电极CAT可足够厚以反射光。
参照图5到7，在实施方式中，第一电源线EVDD1、第二电源线EVDD2和感测线VREF位于同一平面上并且还位于与遮光层LS相同的平面上。就是说，通过使用相同的材料图案化同时形成第一电源线EVDD1、第二电源线EVDD2、感测线VREF和遮光层LS。因而，第一电源线EVDD1、第二电源线EVDD2和感测线VREF设置在与第一到第四数据线DLn1到DLn4不同的层上。感测线VREF通过贯穿缓冲层BUF、栅极绝缘层GI和层间介电层ILD的第一感测孔SCH1连接至第一桥接部SBR1。此外，感测线VREF通过第一桥接部SBR1连接至第一到第四子像素Spn1到SPn4的每一个的感测晶体管ST。第一电源线EVDD1和第二电源线EVDD2分别通过贯穿缓冲层BUF、栅极绝缘层GI和层间介电层ILD的第一电源孔VCH1连接至第二桥接部SBR2。此外，第一电源线EVDD1通过第二桥接部SBR2连接至第一子像素SPn1和第二子像素SPn2的每一个的驱动晶体管DR，并且第二电源线EVDD2通过第二桥接部SBR2连接至第三子像素SPn3和第四子像素SPn4的每一个的驱动晶体管DR。
如上所述，在实施方式中，第一电源线EVDD1、第二电源线EVDD2和感测线VREF位于与遮光层LS相同的平面上。因为在第一子像素SPn1中第一电源线EVDD1和第一数据线DLn1设置在不同的层上，所以第一电源线EVDD1和第一数据线DLn1可设置为彼此非常靠近，而不用考虑图案化裕度。以与上述相同的方式，因为在第二子像素SPn2和第三子像素SPn3中感测线VREF设置在与第二数据线DLn2和第三数据线DLn3不同的层上，所以它们可设置为彼此非常靠近。此外，因为在第四子像素SPn4中第二电源线EVDD2和第四数据线DLn4设置在不同的层上，所以它们可设置为彼此非常靠近。因而，因为电源线、数据线和感测线设置为彼此靠近，所以能够充分确保第一到第四子像素Spn1到SPn4的设计裕度。
因为第一和第二电源线EVDD1和EVDD2、第一到第四数据线DLn1到DLn4、以及感测线VREF设置为与扫描线GL1a交叉，所以它们在线EVDD1、EVDD2、DLn1到DLn4、VREF与扫描线GL1a的交叉部分处彼此交叠。缓冲层BUF位于第一和第二电源线EVDD1和EVDD2、感测线VREF与扫描线GL1a之间，并且层间介电层ILD位于第一到第四数据线DLn1到DLn4与扫描线GL1a之间。如上所述，因为在扫描线GL1a与和扫描线GL1a交叠的线之间形成一个绝缘层，所以当在交叠的线之间产生短路时导致有缺陷的驱动。因而，扫描线GL1a包括分支部，以便当在扫描线GL1a与和扫描线GL1a交叠的线之间产生短路时修复或修正有缺陷的驱动。
参照图8，假设预定线(例如，第一数据线DLn1和第二数据线DLn2)与扫描线GL1a交叠，在第一数据线DLn1与扫描线GL1a之间可发生短路。在这种情形中，扫描线GL1a的分支部RDD中的短路产生部的两端被激光切割并且从分支部RDD断开。因而，扫描线GL1a的信号传输至分支部RDD的另一部分(未发生短路的部分)。因此，能够修复有缺陷的驱动。
再次参照图5，扫描线GL1a的分支部RDD表示其中在扫描线GL1a与和扫描线GL1a交叉的线之间扫描线GL1a分支为两部分，然后这两部分再次合并为一体的区域。就是说，扫描线GL1a的分支部RDD(第一分支部)位于其中第一电源线EVDD1、第一数据线DLn1与扫描线GL1a交叉的区域中，并且扫描线GL1a的分支部RDD(第二分支部)位于其中第二和第三数据线DLn2和DLn3、感测线VREF与扫描线GL1a交叉的区域中。此外，扫描线GL1a的分支部RDD(第三分支部)位于其中第四数据线DLn4与扫描线GL1a交叉的区域中。
然而，因为扫描线GL1a的分支部RDD在子像素中占据较大区域，所以随着显示面板的分辨率增加，在子像素的设计中存在困难。根据本实施方式，第一电源线EVDD1和第一数据线DLn1设置为彼此靠近，第二和第三数据线DLn2和DLn3及感测线VREF设置为彼此靠近，并且第二电源线EVDD2和第四数据线DLn4设置为彼此靠近。因而，由于在第一到第四子像素SPn1到SPn4中设置扫描线GL1a的总共三个分支部RDD，所以能够将扫描线GL1a的分支部RDD的数量最小化。结果，实施方式能够容易设计子像素并且提高开口率。
图9是根据比较例的显示装置的子像素阵列的平面图。图10是沿图9的线III-III’截取的剖面图。图11图解了根据比较例的线的剖面结构。图12图解了根据示例性实施方式的线的剖面结构。在下面的描述中，与上述实施方式具有相同构造的部件由相同的参考标记表示，并将简要或完全省略相关描述。
<比较例>
参照图9，第一到第四子像素SPn1到SPn4布置在水平方向上。第一电源线EVDD1沿垂直方向设置在第一子像素SPn1的左侧上。第一电源线EVDD1共同地连接至第一子像素SPn1和第二子像素SPn2。第一数据线DLn1和第二数据线DLn2设置在第一子像素SPn1与第二子像素SPn2之间。第一数据线DLn1连接至第一子像素SPn1，第二数据线DLn2连接至第二子像素SPn2。感测线VREF设置在第二子像素SPn2与第三子像素SPn3之间。感测线VREF共同地连接至第一到第四子像素SPn1到SPn4。第三数据线DLn3和第四数据线DLn4设置在第三子像素SPn3与第四子像素SPn4之间。第三数据线DLn3连接至第三子像素SPn3，第四数据线DLn4连接至第四子像素SPn4。第二电源线EVDD2沿垂直方向设置在第四子像素SPn4的右侧上。第二电源线EVDD2共同地连接至第三子像素SPn3和第四子像素SPn4。
参照图10，缓冲层BUF、栅极绝缘层GI和层间介电层ILD依次位于基板SUB上。第一和第二电源线EVDD1和EVDD2、第一到第四数据线DLn1到DLn4、以及感测线VREF位于层间介电层ILD上。钝化层PAS设置在第一和第二电源线EVDD1和EVDD2、第一到第四数据线DLn1到DLn4、以及感测线VREF上。红色、绿色和蓝色滤色器CF位于钝化层PAS上。涂覆层OC位于滤色器CF上，并且包括第一电极ANO、发光层EML和第二电极CAT的有机发光二极管OLED位于涂覆层OC上。通过堤层BNK限定像素。
根据比较例的显示装置配置成使得第一和第二电源线EVDD1和EVDD2、第一到第四数据线DLn1到DLn4、以及感测线VREF全部由相同的材料制成并且位于层间介电层ILD上。在比较例中，感测线VREF包括垂直感测线VREFM和水平感测线VREFS。此外，在图9中，垂直感测线VREFM使用额外的层通过第二感测孔SCH2连接至水平感测线VREFS，使得感测线VREF不与数据线交叠。
再次参照图9，在根据比较例的显示装置中，扫描线GL1a的总共五个分支部RDD位于第一到第四子像素SPn1到SPn4中。因此，比较例在子像素的设计和开口率方面是非常不利的。因而，如图5中所示的实施方式中，第一数据线可与第一电源线相邻设置，第二和第三数据线可与感测线相邻设置，并且第四数据线可与第二电源线相邻设置。结果，能够减少扫描线的分支部的数量。
然而，参照图11，在根据比较例的显示装置中，由于数据线，例如第二和第三数据线DLn2和DLn3、以及感测线VREF设置在同一层上，所以考虑到图案化裕度，第二数据线DLn2和感测线VREF可彼此分隔开第一距离A。因而，从第二数据线DLn2经过感测线VREF到第三数据线DLn3的第二距离B增加。
另一方面，参照图12，根据本发明的示例性实施方式的显示装置不需要考虑图案化裕度，因为第二和第三数据线DLn2和DLn3与感测线VREF位于不同的层上。因此，第二数据线DLn2和感测线VREF可彼此分隔开小于比较例的第一距离A的第三距离C。此外，从第二数据线DLn2经过感测线VREF到第三数据线DLn3的距离D小于比较例的第二距离B。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置配置成通过在与遮光层相同的层上形成感测线和电源线，使得垂直布置的线设置为彼此靠近。因此，本发明的显示装置的配置通过减少扫描线的分支部的数量，能够有助于设计高密度的子像素并且提高开口率。
下面的表1显示了根据比较例的子像素的开口率和根据示例性实施方式的子像素的开口率。
[表1]
如上面的表1所示，当单位像素具有RGB/WRG/BWR的布置时，与比较例相比，根据示例性实施方式的开口率增加了1.1％。此外，当单位像素具有RGBW/WRGB的布置时，在比较例中开口率的设计是不可能的，但在示例性实施方式中设计出16％的开口率。
如上所述，根据示例性实施方式的显示装置配置成通过在与遮光层相同的层上形成感测线和电源线，使得垂直布置的线设置为彼此靠近。因此，根据示例性实施方式的显示装置通过减少扫描线的分支部的数量，能够容易设计子像素并且提高开口率。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明的显示装置中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的修改和变化。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板；
在第一方向上依次布置在所述基板上的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素；
第一电源线，所述第一电源线设置在所述第一子像素的左侧上并且被所述第一子像素和所述第二子像素共享；
感测线，所述感测线设置在所述第二子像素与所述第三子像素之间并且被所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素共享；
第二电源线，所述第二电源线设置在所述第四子像素的右侧上并且被所述第三子像素和所述第四子像素共享；
位于所述第一子像素的左侧上的第一数据线、位于所述第二子像素的右侧上的第二数据线、位于所述第三子像素的左侧上的第三数据线以及位于所述第四子像素的右侧上的第四数据线；和
在所述第一方向上延伸的扫描线，
其中所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线设置在与所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线不同的层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述感测线沿所述第一方向设置在所述第二数据线与所述第三数据线之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电源线和所述第一数据线彼此相邻，
其中所述第二数据线、所述感测线和所述第三数据线彼此相邻，并且
其中所述第四数据线和所述第二电源线彼此相邻。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述扫描线的第一分支部位于所述第一电源线和所述第一数据线与所述扫描线交叉的区域中，所述扫描线的第二分支部位于所述第二数据线、所述感测线和所述第三数据线与所述扫描线交叉的区域中，所述扫描线的第三分支部位于所述第四数据线和所述第二电源线与所述扫描线交叉的区域中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一分支部构造成在所述扫描线与所述第一电源线和第一数据线的至少之一之间发生短路时修正短路，
其中所述第二分支部构造成在所述扫描线与所述第二数据线、感测线和第三数据线的至少之一之间发生短路时修正短路，并且
其中所述第三分支部构造成在所述扫描线与所述第四数据线和第二电源线的至少之一之间发生短路时修正短路。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述感测线包括垂直感测线和水平感测线，并且
其中所述垂直感测线与所述第二数据线和所述第三数据线平行设置，并且所述水平感测线与所述扫描线平行设置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述垂直感测线和所述水平感测线彼此形成为一体。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述感测线通过分别位于所述水平感测线的两端处的第一桥接部连接至所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的每一个。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括多个第二桥接部，所述第二桥接部分别设置在从所述第一电源线延伸的第一延伸部的一端和从所述第二电源线延伸的第二延伸部的一端处，
其中所述第二桥接部将所述第一电源线连接至所述第一子像素和所述第二子像素并且将所述第二电源线连接至所述第三子像素和所述第四子像素。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括位于所述基板上的遮光层，其中所述遮光层、所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线位于相同的平面上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
位于所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线上的缓冲层；以及位于所述缓冲层上的层间介电层，
其中所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线位于所述层间介电层上，使得所述缓冲层和所述层间介电层位于所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线与所述第一电源线和所述第二电源线之间。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线位于所述基板上并被所述缓冲层覆盖。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线位于同一平面上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一电源线、所述第二电源线和所述感测线由相同的材料形成。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的每一个包括连接至所述扫描线的开关晶体管、连接至所述感测线的感测晶体管、以及连接至所述第一电源线或所述第二电源线的驱动晶体管。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素在所述基板上彼此依次相邻。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一数据线与所述第一子像素连接，所述第二数据线与所述第二子像素连接，所述第三数据线与所述第三子像素连接，所述第四数据线与所述第四子像素连接。
18.一种制造显示装置的方法，包括：
在基板上同时形成第一电源线、第二电源线、感测线和遮光层；
在所述第一电源线、第二电源线、感测线和遮光层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成层间介电层；
在所述层间介电层上形成第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线；
在所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线上方形成涂覆层；以及
分别在所述涂覆层上形成第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，
其中所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素在所述基板上在第一方向上彼此依次相邻，
其中所述第一电源线设置在所述第一子像素的左侧并且与所述第一子像素和所述第二子像素连接，
其中所述感测线设置在所述第二子像素与所述第三子像素之间并且与所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素连接，
其中所述第二电源线设置在所述第四子像素的右侧并且与所述第三子像素和所述第四子像素连接，
其中所述第一数据线设置在所述第一子像素的左侧，所述第二数据线设置在所述第二子像素的右侧，所述第三数据线设置在所述第三子像素的左侧，所述第四数据线设置在所述第四子像素的右侧，
其中所述扫描线在所述第一方向上延伸。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线位于所述层间介电层上，使得所述缓冲层和所述层间介电层位于所述第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线与所述第一电源线和所述第二电源线之间。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述扫描线的第一分支部位于所述第一电源线和所述第一数据线与所述扫描线交叉的区域中，
其中所述扫描线的第二分支部位于所述第二数据线、所述感测线和所述第三数据线与所述扫描线交叉的区域中，并且
其中所述扫描线的第三分支部位于所述第四数据线和所述第二电源线与所述扫描线交叉的区域中。
CN201710630507.9A 2016-07-29 2017-07-28 显示装置及其制造方法 Active CN107664862B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160097462A KR102612734B1 (ko) 2016-07-29 2016-07-29 표시장치
KR10-2016-0097462 2016-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107664862A true CN107664862A (zh) 2018-02-06
CN107664862B CN107664862B (zh) 2021-01-05

Family

ID=61010093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710630507.9A Active CN107664862B (zh) 2016-07-29 2017-07-28 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10038049B2 (zh)
KR (1) KR102612734B1 (zh)
CN (1) CN107664862B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911443A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 乐金显示有限公司 平铺显示装置
CN111192528A (zh) * 2018-11-15 2020-05-22 三星显示有限公司 显示装置
CN111352280A (zh) * 2019-09-26 2020-06-30 友达光电股份有限公司 显示面板
WO2021102995A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113129824A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 显示面板及其修复方法
CN113540129A (zh) * 2021-07-20 2021-10-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2022165831A1 (zh) * 2021-02-08 2022-08-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
US11925084B2 (en) 2019-12-30 2024-03-05 Lg Display Co., Ltd. Display panel and repair method thereof

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102571354B1 (ko) * 2018-05-16 2023-08-28 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
CN109117733B (zh) * 2018-07-17 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种指纹识别oled显示面板及显示装置
CN109389907B (zh) * 2018-12-11 2022-06-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112419954A (zh) * 2019-08-21 2021-02-26 群创光电股份有限公司 电子装置
CN210073855U (zh) * 2019-08-26 2020-02-14 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN110752247A (zh) * 2019-11-19 2020-02-04 合肥京东方卓印科技有限公司 显示面板及其制备方法
US11765948B2 (en) * 2019-12-31 2023-09-19 Lg Display Co., Ltd. Display device including a repair pattern to repair a defective pixel and method of repairing same
CN112909065A (zh) * 2021-02-05 2021-06-04 合肥京东方卓印科技有限公司 阵列基板和显示装置
KR20240107211A (ko) * 2022-12-29 2024-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407373A (zh) * 2001-08-08 2003-04-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN102298473A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 乐金显示有限公司 具有内置触摸传感器的液晶显示装置及其驱动和制造方法
US20120026144A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Ki-Nyeng Kang Organic light emitting display device
CN103681751A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN104752479A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN105321986A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN105489627A (zh) * 2014-10-07 2016-04-13 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637444B (zh) * 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI445170B (zh) * 2010-12-03 2014-07-11 Au Optronics Corp 有機發光二極體畫素陣列
US9093023B1 (en) * 2014-11-19 2015-07-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and pixel repairing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407373A (zh) * 2001-08-08 2003-04-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN102298473A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 乐金显示有限公司 具有内置触摸传感器的液晶显示装置及其驱动和制造方法
US20120026144A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Ki-Nyeng Kang Organic light emitting display device
CN103681751A (zh) * 2012-09-24 2014-03-26 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN104752479A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN105321986A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN105489627A (zh) * 2014-10-07 2016-04-13 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911443A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 乐金显示有限公司 平铺显示装置
CN110911443B (zh) * 2018-09-14 2023-10-10 乐金显示有限公司 平铺显示装置
CN111192528A (zh) * 2018-11-15 2020-05-22 三星显示有限公司 显示装置
CN111192528B (zh) * 2018-11-15 2024-07-30 三星显示有限公司 显示装置
US11818917B2 (en) 2018-11-15 2023-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN111352280B (zh) * 2019-09-26 2022-09-16 友达光电股份有限公司 显示面板
CN111352280A (zh) * 2019-09-26 2020-06-30 友达光电股份有限公司 显示面板
CN113196370A (zh) * 2019-11-29 2021-07-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2021102995A1 (zh) * 2019-11-29 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113196370B (zh) * 2019-11-29 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113129824A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 乐金显示有限公司 显示面板及其修复方法
US11925084B2 (en) 2019-12-30 2024-03-05 Lg Display Co., Ltd. Display panel and repair method thereof
CN113129824B (zh) * 2019-12-30 2024-05-07 乐金显示有限公司 显示面板及其修复方法
WO2022165831A1 (zh) * 2021-02-08 2022-08-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
GB2611198A (en) * 2021-02-08 2023-03-29 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and display device
CN113540129A (zh) * 2021-07-20 2021-10-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113540129B (zh) * 2021-07-20 2023-09-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102612734B1 (ko) 2023-12-13
US10038049B2 (en) 2018-07-31
CN107664862B (zh) 2021-01-05
US20180033850A1 (en) 2018-02-01
US10714561B2 (en) 2020-07-14
US20180323251A1 (en) 2018-11-08
KR20180014381A (ko) 2018-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107664862A (zh) 显示装置及其制造方法
KR102392673B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN107799556B (zh) 显示装置
US10103342B2 (en) Organic light-emitting diode display
US10263058B2 (en) Organic light-emitting diode display
KR102422108B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11839113B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR20220099520A (ko) 유기 발광 표시 장치
TW201703017A (zh) 有機發光二極體顯示器
KR102351667B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102380161B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 리페어 방법
CN105529351A (zh) 有机发光显示装置
CN107871757A (zh) 有机发光二极管（oled）阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102684946B1 (ko) 표시장치
CN108122951A (zh) 超高密度透明平板显示器
KR102351507B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150079227A (ko) 유기전계 발광표시소자 및 이의 제조방법
CN109216417A (zh) 显示装置
CN111326673B (zh) 显示装置
CN110010652A (zh) 电致发光显示设备及其制造方法
KR20190070768A (ko) 표시장치
CN109979968A (zh) 电致发光显示设备及其制造方法
KR102646400B1 (ko) 표시장치
KR102623973B1 (ko) 표시장치
KR102341493B1 (ko) 유기발광 표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant