CN105529351A - 有机发光显示装置 - Google Patents

Abstract

有机发光显示装置具有发射光的像素区域、透射外部光的透射区域和包括扫描配线、数据配线和电源配线的配线。数据配线和电源配线与像素区域和透射区域相邻。有机发光器件在像素区域中。数据配线和电源配线中的至少一个包括第一配线单元和第二配线单元。第一配线单元与像素区域相邻，并包括具有第一宽度的母线。第二配线单元包括从母线分叉的多个支线。支线与透射区域相邻，支线的每一个的宽度小于第一宽度。

Description

有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

2014年10月20日提交的标题为“有机发光显示装置”的韩国专利申请10-2014-0141698通过引用被整体合并于此。

技术领域

本文中描述的一个或多个示例性实施例涉及有机发光显示装置。

背景技术

有机发光显示器从包括有机发光器件的像素生成图像。每个有机发光器件包括在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层。在操作中，随着来自空穴注入电极的空穴和来自电子注入电极的电子在有机发射层中结合，激子被生成。当激子从激发态改变到基态时，发射光以形成图像。因此，有机发光显示器可被认为是一种自发光显示器。

因为它是自发光的，有机发光显示器不需要单独的光源。另外，与其它类型的显示器相比，有机发光显示器可以以低电压被驱动，并且更薄、重量上更轻，且具有优异的视角、对比度和响应速度。结果是，有机发光显示器不仅可用于诸如媒体播放器和移动电话的个人便携式设备中，而且可用于诸如监视器和电视机的更大显示器中。

发明内容

根据一个或多个实施例，有机发光显示装置具有发射光的像素区域和透射外部光的透射区域，有机发光显示装置包括：基底；被布置在基底上的扫描配线，扫描配线沿第一方向横穿像素区域而延伸；与扫描配线绝缘的数据配线和电源配线，数据配线和电源配线沿与第一方向相交的第二方向延伸，数据配线和电源配线与像素区域和透射区域相邻；在像素区域中并被连接到扫描配线和数据配线的开关晶体管；在像素区域中并被连接到开关晶体管和电源配线的驱动晶体管；以及在像素区域中并被连接到驱动晶体管的有机发光器件。数据配线和电源配线中的至少一个包括：与像素区域相邻并包括具有第一宽度的母线的第一配线单元，以及包括从母线分叉的多个支线的第二配线单元，支线与透射区域相邻，支线的每一个的宽度小于第一宽度。

支线的宽度的总和可以基本上等于或大于第一宽度。支线的宽度可以基本上彼此相等。支线的每一个的宽度可以小于10μm。

电源配线可以包括沿第一方向延伸的第一附加配线单元并具有网状结构。第一附加配线单元可以包括横穿透射区域而延伸、被彼此连接、具有小于第一宽度的宽度的多个配线。

装置可以进一步包括：初始化被施加到驱动晶体管的电极的电压的初始化电压配线，初始化电压配线沿第二方向延伸并且与像素区域和透射区域相邻。初始化电压配线可以包括：与像素区域相邻并包括具有第二宽度的母线的第一初始化电压配线单元、以及包括从具有第二宽度的母线分叉并与透射区域相邻的多个支线的第二初始化电压配线单元，其中第二初始化电压配线单元中的支线的每一个具有小于第二宽度的宽度。

初始化电压配线可以包括沿第一方向延伸的第二附加配线单元并具有网状结构。第二附加配线单元可以包括横穿透射区域而延伸、被彼此连接、并具有小于第二宽度的宽度的多个配线。

扫描配线、数据配线和电源配线的每一个可以包括钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。像素区域可以包括发射不同颜色的光的第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域，其中透射区域与第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域相邻。

有机发光器件可以包括被连接到驱动晶体管的像素电极、面对像素电极的对向电极、以及在像素电极与对向电极之间并包括发射光的有机发射层的中间层，其中开关晶体管和驱动晶体管与像素电极重叠。装置可以包括覆盖像素电极的至少一部分的像素限定膜，其中像素限定膜包括在透射区域中的开口。

根据一个或多个实施例，有机发光显示装置包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域和第二显示区域的每一个包括多个像素，像素的每一个具有发射光的像素区域和透射外部光的透射区域，像素包括：沿第一方向横穿像素区域而延伸的扫描配线；与扫描配线绝缘的数据配线和电源配线，数据配线和电源配线沿与第一方向相交的第二方向延伸，数据配线和电源配线与像素区域和透射区域相邻；在像素区域中并被连接到扫描配线和数据配线的开关晶体管；在像素区域中并被连接到开关晶体管和电源配线的驱动晶体管；以及在像素区域中并被连接到驱动晶体管的有机发光器件。

第一区域中的像素的每一个中的数据配线和电源配线中的至少一个包括：与像素区域相邻并包括具有第一宽度的母线的第一配线单元，以及包括从母线分叉并与透射区域相邻的多个支线的第二配线单元，支线的每一个的宽度小于第一宽度，第二显示区域中的像素中的数据配线和电源配线具有基本上均匀的宽度。

第一显示区域的透射率可以大于第二显示区域的透射率。第一显示区域和第二显示区域可以被彼此连接以形成一个屏幕。第一显示区域可围绕第二显示区域。支线的宽度的总和可以基本上等于或大于第一宽度。支线的宽度可以基本上彼此相等。支线的每一个的宽度可以小于10μm。扫描配线、数据配线和电源配线可以包括钛、钼、铝和铜中的至少一种。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，对于本领域技术人员来说特征将变得显而易见，附图中：

图1示出了子像素的一个实施例；

图2示出了像素的一个实施例；

图3示出了沿图2中的剖面线III-III的视图；

图4和图5示出了沿图2中的剖面线III-III的视图；

图6示出了子像素的另一实施例；

图7示出了像素的另一实施例；

图8示出了像素的另一实施例；

图9示出了显示区域的一个实施例；和

图10示出了像素的另一实施例。

具体实施方式

在下文中将参考附图更详细地描

述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式体现，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。

图1示出了显示设备中的子像素的一个实施例。显示设备可以是例如有机发光显示设备。参考图1，子像素包括多条配线S、D和Vdd、开关晶体管sTR、驱动晶体管dTR、电容器Cst和有机发光器件OLED。

配线S、D和Vdd可以包括沿第一方向延伸的扫描配线S以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的数据配线D和电源配线Vdd。虽然在图1中子像素包括两个薄膜晶体管和一个电容器，但在另一实施例中子像素可以具有不同数量的晶体管和/或电容器。

开关晶体管sTR包括栅极端子、源极端子和漏极端子。栅极端子、源极端子和漏极端子可以被分别连接到扫描配线S、数据配线D和驱动晶体管dTR。开关晶体管sTR响应于被施加到栅极端子的扫描信号将数据信号传送到驱动晶体管dTR。

驱动晶体管dTR包括栅极端子、源极端子和漏极端子。栅极端子、源极端子和漏极端子可以被分别连接到开关晶体管sTR、电源配线Vdd和有机发光器件OLED。驱动晶体管dTR使输出电流流过，其强度根据被施加在栅极端子与漏极端子之间的电压而变化。

电容器Cst被连接在驱动晶体管dTR的栅极端子与源极端子之间。电容器Cst充入被施加到驱动晶体管dTR的栅极端子的数据信号并在开关晶体管sTR被截止后维持数据信号。

有机发光器件OLED包括被连接到驱动晶体管dTR的漏极端子的像素电极(例如图3中的121)和被连接到共用电压线Vss的对向电极(例如图3中的122)。有机发光器件OLED通过根据驱动晶体管dTR的输出电流的强度改变光的强度来发射光。

图2示出了图1的有机发光显示装置中的像素P1的一个实施例。图3是沿图2的线III-III的剖视图。有机发光显示装置可以包括像P1那样发射光以显示图像的多个像素。

像素P1包括像素区域PA、透射区域TA和配线区域WA。像素区域PA发射光。透射区域TA透射外部光。配线区域WA包括数据配线D1、D2和D3、扫描配线S和电源配线Vdd。扫描配线S沿第一方向横穿像素区域PA而延伸，数据配线D1、D2和D3与电源配线Vdd沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻。

开关薄膜晶体管sTR被布置在像素区域PA中，并被电连接到扫描配线S和数据配线D1、D2和D3。驱动薄膜晶体管dTR被布置在像素区域PA中，并被电连接到开关薄膜晶体管sTR和电源配线Vdd。有机发光器件OLED被布置在像素区域PA中，并被电连接到驱动薄膜晶体管dTR。

在一个实施例中，配线区域WA包括扫描配线S、数据配线D1、D2和D3、以及电源配线Vdd。配线区域WA可以在像素区域PA和透射区域TA之外。像素P1可通过配线区域WA与另一像素分割，例如，配线区域WA可以在像素P1与相邻像素之间。

在一个实施例中，像素区域PA包括发射不同颜色的光的第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3。这些颜色的组合可形成白光。透射区域TA可以与第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3相邻。外部光可以在通过透射区域TA被透射之后被用户识别。

扫描配线S将扫描信号传送到开关晶体管sTR，并沿第一方向横穿像素区域PA而延伸。扫描配线S可以不横穿透射区域TA而延伸，并且可以具有大致均匀的宽度。

数据配线D1、D2和D3可以被电连接到开关晶体管sTR，数据信号可以通过开关晶体管sTR被传送到驱动晶体管dTR。数据配线D1、D2和D3可以将数据信号分别传送到第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3。

数据配线D1、D2和D3包括沿第二方向延伸而与像素区域PA相邻的第一配线单元Da、以及第二配线单元Db。第一配线单元Da包括与像素区域PA相邻并具有第一宽度L1D的母线Dm。第二配线单元Db包括从母线Dm分叉并和透射区域TA相邻的多个支线Db1、Db2和Db3。支线Db1、Db2和Db3的每一个的宽度可以小于第一宽度L1D。

多个配线可以被用来驱动有机发光显示装置中的像素P1。这些配线可能降低外部光的透射率，这降低了透视有机发光显示装置的能力。为了增大有机发光显示装置的透射率，透射区域TA可以被增大，像素区域PA可以被减小。然而，在这种情况下，开口率可能会降低。结果是，有机发光显示装置的寿命可能会减少。

根据一个实施例，多个支线Db1、Db2和Db3具有足够小的宽度，使得它们对于用户的肉眼有效地不可见或不可检测。在一个非限制性的实施例中，支线Db1、Db2和Db3的每一个的宽度可小于10μm。在另一实施例中，支线Db1、Db2和Db3可以具有不同的(例如更大的)宽度。

在一个实施例中，三个支线Db1、Db2和Db3可以被包括在数据配线D1、D2和D3的第二配线单元Db中，并可以具有基本相同的宽度。在另一实施例中，支线的数量可以是两个或多于三个，并且可以具有不同的宽度。

虽然支线Db1、Db2和Db3可具有小的宽度，但由于支线Db1、Db2和Db3被电连接到母线Dm并具有并联连接的形状，换句话说，支线Db1、Db2和Db3的每一个包括与母线Dm接触的连接部分和从连接部分延伸的主体部分，且支线Db1、Db2和Db3的主体部分彼此平行，因此，作为支线Db1、Db2和Db3的小宽度的结果可能出现的它们的电阻的任何增大可以被减小或最小化。在一个实施例中，第二配线单元Db中的支线Db1、Db2和Db3的宽度的总和可以等于或大于第一宽度L1D。在这种情况下，支线Db1、Db2和Db3的电阻的增大可以被进一步减小或最小化。

电源配线Vdd可以将电源信号供给到像素P1中的第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3中的每一个，并可以被电连接到驱动晶体管dTR。电源配线Vdd沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可以包括第一配线单元Va和第二配线单元Vb。第一配线单元Va包括与像素区域PA相邻并具有第一宽度L1V的母线Vm。第二配线单元Vb包括从母线Vm分叉的多个支线Vb1、Vb2和Vb3，并与透射区域TA相邻。支线Vb1、Vb2和Vb3的每一个的宽度可以小于第一宽度L1V。

支线Vb1、Vb2和Vb3的宽度可以具有使它们对于用户的肉眼有效地不可见的值。根据一个非限制性实施例，支线Vb1、Vb2和Vb3的每一个的宽度可小于10μm。在另一实施例中，当例如像素和/或显示设备的结构或布局允许那些宽度被用户几乎检测不到时，宽度可以基本上等于或大于10μm。

虽然支线Vb1、Vb2和Vb3可具有小的宽度，但由于支线Vb1、Vb2和Vb3被电连接到母线Vm并被彼此并联电连接，换句话说，支线Vb1、Vb2和Vb3中的每一个包括与母线Vm接触的连接部分和从连接部分延伸的主体部分，且支线Vb1、Vb2和Vb3的主体部分彼此平行，因此，基于小宽度的电源配线Vdd的电阻的增大可以被减小或最小化。

在一个实施例中，第二配线单元Vb中的支线Vb1、Vb2和Vb3的宽度的总和可以等于或大于第一宽度L1V。因此，无论支线Vb1、Vb2和Vb3是否平行，电源配线Vdd的电阻增大可被进一步减小或最小化。

在一个实施例中，三个支线Vb1、Vb2和Vb3可以在电源配线Vdd的第二配线单元Vb中，并且可以具有基本相同的宽度。在另一实施例中，支线的数量可以是两个或三个以上，并且可以具有不同的宽度。

在一个实施例中，数据配线D1、D2和D3与电源配线Vdd包括：包括具有第一宽度L1D和L1V的母线Dm和Vm的第一配线单元Da和Va、以及包括从母线Dm和Vm分叉的支线Db1、Db2、Db3、Vb1、Vb2和Vb3的第二配线单元Db和Vb。在一个实施例中，数据配线D1、D2和D3及电源配线Vdd中的仅一个可以包括第一配线单元Da和Va以及第二配线单元Db和Vb。

例如，数据配线D1、D2和D3和电源配线Vdd中的至少一个可以包括第一配线单元Da和Va以及第二配线单元Db和Vb。第二配线单元Db和Vb可以仅包括具有对用户有效地不可见或不可检测的小宽度的配线。因此，入射到有机发光显示装置的光可以通过第二配线单元Db和Vb被透射，并且不会被用户可见地识别。因此，可以产生将透射区域TA扩展到配线区域WA的一部分的效果。结果是，有机发光显示装置的透射率可通过不降低开口率同时减小或最小化配线的电阻的增大而得到提高。

图3示出了根据一个实施例的有机发光显示装置的剖面结构。基底110包括分别与像素P1的像素区域PA、透射区域TA和配线区域WA对应的区域，并可以由例如玻璃或塑料形成。缓冲层111可以在基底110上。缓冲层111可以防止杂质元素穿透基底110，还可以用于平整化基底110的表面。缓冲层111可以是单层，或可以包括多层无机材料，例如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。

开关薄膜晶体管sTR、驱动薄膜晶体管dTR和电容器Cst可以在缓冲层111上的像素区域PA中。开关薄膜晶体管sTR和驱动薄膜晶体管dTR的每一个可以包括有源层112a和112b、与有源层112a和112b绝缘的栅极114a和114b、以及分别与有源层112a和112b电连接的源极116a和116b与漏极117a和117b。第一绝缘膜113可以在有源层112a和112b与栅极114a和114b之间。第二绝缘膜115可以在栅极114a和114b与源极116a和116b以及漏极117a和117b之间。

第一绝缘膜113可以是例如SiO₂的单层膜。第二绝缘膜115可以是单层，或者可以包括例如SiO₂和/或SiNx的多层。

开关薄膜晶体管sTR和驱动薄膜晶体管dTR可以是例如栅极114a和114b在有源层112a和112b上的顶栅型(top-gatetype)。在另一实施例中，栅极114a和114b可以在有源层112a和112b下方。

有源层112a和112b可以包括各种材料。例如，有源层112a和112b可以包括无机半导体材料，诸如非晶硅或结晶硅。在另一示例中，有源层112a和112b可包括氧化物半导体或有机半导体材料。

栅极114a和114b可以是单层，或者可以包括多层，该多层包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。扫描配线S可以与栅极114a和114b在同一层上，并可包括与栅极114a和114b相同的材料。

在一个实施例中，扫描配线S可以包括例如钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种金属。在一个实施例中，扫描配线S可以包括Mo、Mo/Al、Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo等。

源极116a和116b与漏极117a和117b可包括例如Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu和其合金的至少两个金属层。数据配线D1、D2和D3以及电源配线Vdd可以与源极116a和116b以及漏极117a和117b在同一层上，并可以包括与源极116a和116b以及漏极117a和117b相同的材料。

在一个实施例中，数据配线D1、D2和D3以及电源配线Vdd可以包括Ti、Mo、Al、Cu中的至少一种或其它金属。在一个实施例中，数据配线D1、D2和D3以及电源配线Vdd可包括Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo。铝(Al)可以被包括在数据配线D1、D2和D3中，为了减小配线电阻，电源配线Vdd可以比扫描配线S中的铝(Al)更厚。虽然数据配线D1、D2和D3以及电源配线Vdd的宽度薄，但电阻可能不会显著增大。

电容器Cst可以包括下电极120a和上电极120b。

第三绝缘膜118可以在第二绝缘膜115上，以覆盖开关薄膜晶体管sTR、驱动薄膜晶体管dTR和电容器Cst。电连接到驱动薄膜晶体管dTR的漏极117b的像素电极121、面对像素电极121的对向电极122、在像素电极121与对向电极122之间的中间层123可被设置在第三绝缘膜118上。中间层123可包括发射光的有机发射层。

像素电极121的边缘可以由像素限定膜119覆盖。第三绝缘膜118和像素限定膜119可以各自包括有机材料，例如聚酰亚胺(PI)。第三绝缘膜118可以用来覆盖和平整化驱动元件。像素限定膜119可以用来限定发光区域，防止电场集中在像素电极121的边缘，并防止像素电极121和对向电极122短路。

像素限定膜119可包括在透射区域TA中的开口。例如，开口在透射区域TA的像素限定膜119的区域中。因此，具有比其他区域的透射率更高的透射率的透射窗口TW可以被形成在透射区域TA中，从而提高了有机发光显示装置的透射率。为了进一步提高透射率，开口可以被形成在第一至第三绝缘膜113、115和118中的至少一个中。

像素电极121可以是包括反射层的反射电极。反射层可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种。由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种形成的透明电极层和半透射电极层可以被进一步布置在反射层上。在一个实施例中，像素电极121可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构，并且可以通过充分提高Ag的厚度被配置为反射电极。

对向电极122可以是透明电极或半透明电极，可以包括Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中的至少一种。对向电极122可以是具有例如从几纳米到几十纳米的厚度的薄膜。对向电极122可贯穿有机发光显示装置的所有像素被电连接。

中间层123可以在像素电极121与对向电极122之间。中间层123包括发射光的有机发射层，并且可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。在一个实施例中，各种功能层可以被进一步布置在像素电极121与对向电极122之间。

有机发射层可发射红光、绿光或蓝光。在另一实施例中，有机发射层可以发射白光。在这种情况下，有机发射层可具有发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质彼此堆叠的结构、或发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质混合的结构。在另一实施例中，像素可以发射例如能够发射白光的其它颜色(例如与红、绿和/或蓝不同的颜色)的组合。

当有机发射层发射白光时，有机发光显示装置可以进一步包括分别对应于第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3的不同颜色的滤色器。

有机发光显示装置可以是例如在对向电极122的方向生成图像的顶部发射型(top-emissiontype)。开关薄膜晶体管sTR、驱动薄膜晶体管dTR和电容器Cst可以在平面图中与像素电极121重叠。例如，驱动电路单元可以与像素电极121重叠，因此不需要用于驱动电路单元的额外的空间，从而提高开口率，并便于实现高分辨率。

图4和图5示出了沿图2中的线III-III截取的各种实施例的剖视图。参考图4，有机发光显示装置包括沿像素限定膜119的上表面和像素限定膜119中的开口延伸到透射窗口TW的中间层223和对向电极222。

对向电极222可以是透明电极或半透明电极，中间层223也由透明有机材料形成。因此，尽管中间层223和对向电极222在透射区域TA中，但入射到有机发光显示装置的外部光也可以通过透射区域TA被用户可见地识别。作为这一配置的结果，中间层223和对向电极222可以被容易地沉积，从而提高了显示器的生产量。

参考图5，有机发光显示装置包括基底310，基底310包括分别与发射光的像素区域PA、用于透射外部光的透射区域TA、以及包括像素P1的配线的配线区域WA对应的区域。缓冲层311可布置在基底310上。

基底310可以包括例如玻璃或塑料。缓冲层311可以是单层，或者可以包括包含例如无机材料(诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx))的多层。

驱动晶体管dTR可以在缓冲层311上的像素区域PA中，并且可以包括有源层312b、栅极314b、源极316b和漏极317b。第一绝缘膜313可以在有源层312b与栅极314b之间。第二绝缘膜315可以在栅极314b、源极316b与漏极317b之间。

第三绝缘膜318可以用于平整化诸如驱动薄膜晶体管dTR的电路元件，并可以在第二绝缘膜315上。电连接到漏极317b的像素电极321、面对像素电极321的对向电极322、以及在像素电极321与对向电极322之间的中间层323可被设置在第三绝缘膜318上。中间层323可包括有机发射层。像素电极321的两个边缘可以由像素限定膜319覆盖。

像素电极321可以包括透明导电层和半透射层。透明导电层可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。半透射层可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和Yb中的至少一种，并可以由例如具有几纳米到几十纳米的厚度的薄膜形成。

对向电极322可以是反射电极，并且例如可包括Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中的至少一种。对向电极322可以包括透射区域TA中的开口。开口可以穿过透射区域TA中的第三绝缘膜318和像素限定膜319。包括开口的区域可以对应于例如透射区域TA中的透射窗口TW。对向电极322、中间层323、像素限定膜319和第三绝缘膜318没有被布置在透射窗口TW中。结果是，可以得到高透射率。

中间层323可以在像素电极321与对向电极322之间。中间层323包括发射光的有机发射层，并且可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，但不限于此。各种功能层可以被进一步布置在像素电极321与对向电极322之间。

有机发光显示装置可以例如是图像在沿基底310的方向形成的底部发射型(bottom-emissiontype)。一个或多个电路元件(例如驱动薄膜晶体管dTR)可以被提供，以便不与由像素限定膜319限定的发射区域重叠。例如，由中间层323发射的光可以在不受电路元件干扰的情况下被发射到外部。

图6示出了有机发光显示装置的子像素的另一实施例。参考图6，子像素包括多个配线Sn、Sn-1、EMn、D、Vdd和Vint、开关晶体管sTR、驱动晶体管dTR、补偿薄膜晶体管TR3、初始化薄膜晶体管TR4、操作控制薄膜晶体管TR5、发射控制薄膜晶体管TR6、电容器Cst和有机发光器件OLED。虽然在图6中子像素包括六个薄膜晶体管和一个电容器，但在其它实施例中子像素可以包括不同数量的晶体管和/或电容器。

驱动晶体管dTR具有被连接到电容器Cst的栅极、经由操作控制薄膜晶体管TR5被连接到电源配线Vdd的源极、以及经由发射控制薄膜晶体管TR6被连接到有机发光器件OLED的漏极。驱动晶体管dTR根据开关晶体管sTR的开关操作传送数据信号，并将驱动电流ID供给到有机发光器件OLED。

开关晶体管sTR具有被连接到扫描配线Sn的栅极、被连接到数据配线D的源极、以及被连接到驱动晶体管dTR的源极并经由操作控制薄膜晶体管TR5被连接到电源配线Vdd的漏极。开关晶体管sTR可根据通过扫描配线Sn接收的扫描信号被导通，并且执行用于将数据信号从数据配线D传送到驱动晶体管dTR的源极的开关操作。

补偿薄膜晶体管TR3可以根据通过扫描配线Sn接收的扫描信号被导通，使驱动晶体管dTR的栅极和漏极彼此连接，并使驱动晶体管dTR连接到二极管。因此，驱动晶体管dTR的阈值电压被补偿。

初始化薄膜晶体管TR4具有被连接到前一扫描配线Sn-1的栅极和被连接到初始化电压配线Vint的源极。初始化薄膜晶体管TR4可以根据来自前一扫描配线Sn-1的前一扫描信号被导通，以将初始化电压传送到驱动晶体管dTR，并初始化驱动晶体管dTR的栅极的电压。

操作控制薄膜晶体管TR5可以根据由发射控制线EMn传送的发射控制信号被导通，以将驱动电压传送到驱动晶体管dTR。

发射控制薄膜晶体管TR6可以根据由发射控制线EMn传送的发射控制信号被导通，以将驱动电压从驱动晶体管dTR传送到有机发光器件OLED。

在一个实施例中，操作控制薄膜晶体管TR5和发射控制薄膜晶体管TR6可以根据来自发射控制线EMn的发射控制信号被持续导通，以将驱动电压传送到有机发光器件OLED，并允许驱动电流I_D流到有机发光器件OLED。

电容器Cst可以被连接到驱动晶体管dTR和电源配线Vdd。有机发光器件OLED包括被连接到驱动晶体管dTR的漏极的像素电极和被连接到共用电压线Vss的对向电极。有机发光器件OLED通过根据驱动晶体管dTR的输出电流的强度来改变光的强度来发射光。

图7示出了图6中的有机发光显示装置的像素P2的一个实施例。参考图7，有机发光显示装置可以包括多个像素，其中像素P2是示例性的。像素P2包括发射光的像素区域PA、透射外部光的透射区域TA、以及包括配线Sn、Sn-1、EMn、D1、D2、D3、Vint和Vdd的配线区域WA。

扫描配线Sn、前一扫描配线Sn-1和发射控制线EMn可以沿第一方向横穿像素区域PA而延伸。数据配线D1、D2和D3、初始化配线Vint、电源配线Vdd可以沿与第一方向相交的第二方向延伸，以与像素区域PA和透射区域TA相邻。

在一个实施例中，像素区域PA可以包括发射不同颜色的光的第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3。这些颜色的组合可以形成白光。透射区域TA可以与第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3相邻。外部光在通过有机发光显示装置的透射区域TA被透射之后可以被用户识别。

根据一个实施例，扫描配线Sn、前一扫描配线Sn-1和发射控制线EMn可不横穿透射区域TA而延伸，并且可以具有大致均匀的宽度。

数据配线D1、D2和D3可以包括第一配线单元Da和第二配线单元Db。第一配线单元Da可以与像素区域PA相邻，并且可以包括具有第一宽度L1D的母线Dm。第二配线单元Db包括从母线Dm分叉的支线Db1、Db2和Db3，并且可以与透射区域TA相邻。在一个实施例中，多个支线Db1、Db2和Db3中的每一个的宽度可以小于第一宽度L1D。

支线Db1、Db2和Db3的宽度可以具有允许它们对于用户有效地不可见的值。例如，支线Db1、Db2和Db3的每一个的宽度可小于10μm。支线Db1、Db2和Db3的宽度可以基本上相同或不同。在一个实施例中，支线Db1、Db2和Db3的宽度的总和可以等于或大于第一宽度L1D。

电源配线Vdd沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可以包括包含与像素区域PA相邻并具有第一宽度L1V的母线Vm的第一配线单元Va。第二配线单元Vb包括从母线Vm分叉的多个支线Vb1、Vb2和Vb3，并可以与透射区域TA相邻。在一个实施例中，支线Vb1、Vb2和Vb3的每一个的宽度可以小于第一宽度L1V。

支线Vb1、Vb2和Vb3的宽度可以具有允许它们对于用户的肉眼有效地不可见或不可检测的值。例如，支线Vb1、Vb2和Vb3的每一个的宽度可小于10μm。支线Vb1、Vb2和Vb3的宽度可以基本上相同或不同。在一个实施例中，支线Vb1、Vb2和Vb3的宽度的总和可以等于或大于第一宽度L1V。

电源配线Vdd可以包括沿第一方向延伸的第一附加配线单元Vdd2。例如，电源配线Vdd可以包括沿第二方向延伸的主电源配线Vdd1以及第一附加配线单元Vdd2，并且可以具有网状结构，以减少随着电源配线Vdd远离电源单元延伸而导致的电源配线Vdd的电压降。

在一个实施例中，第一附加配线单元Vdd2可以沿与扫描配线Sn平行的方向横穿像素区域PA而延伸。第一附加配线单元Vdd2可以在与主电源配线Vdd1的层不同的层中，并且可以通过第一接触单元C1被电连接到主电源配线Vdd1。第一附加配线单元Vdd2可以具有大致均匀的宽度。

初始化电压配线Vint沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可包括包含与像素区域PA相邻并具有第二宽度L2V的母线Vim的第一初始化电压配线单元Via。第二初始化电压配线单元Vib包括从母线Vim分叉并被布置为与透射区域TA相邻的多个支线Vib1、Vib2和Vib3。在一个实施例中，支线Vib1、Vib2和Vib3的每一个的宽度可以小于第二宽度L2V。

初始化电压配线Vint可以包括沿第一方向延伸的第二附加配线单元Vint2。例如，初始化电压配线Vint可以包括沿第二方向延伸的主初始化电压配线Vint1、以及第二附加配线单元Vint2，并且可以具有网状结构。

在一个实施例中，第二附加配线单元Vint2可以沿与扫描配线Sn平行的方向横穿像素区域PA而延伸。第二附加配线单元Vint2可以在与主初始化电压配线Vint1的层不同的层中，并可以通过第二接触单元C2被电连接到主初始化电压配线Vint1。第二附加配线单元Vint2可具有大致均匀的宽度。

图8示出了像素P3的另一实施例，它可以是图6的有机发光显示装置的像素的示例。参考图8，像素P3中的电源配线Vdd可以具有包括第一附加配线单元Vdd2以及沿第二方向延伸的主电源配线Vdd1的网状结构。第一附加配线单元Vdd2可以包括横穿透射区域TA彼此电连接的多个配线，每一个具有小于第一宽度L1V的宽度。

第一附加配线单元Vdd2中的配线的宽度可以允许它们对用户的肉眼有效地不可见或不可检测，例如可以小于10μm。第一附加配线单元Vdd2可以包括例如三个配线。在另一实施例中，第一附加配线单元Vdd2可以包括两个或多于三个的配线。

第一附加配线单元Vdd2可以通过第三接触孔C3被电连接到主电源配线Vdd1。配线可以具有并联连接的形状。

主电源配线Vdd1沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可包括包含与像素区域PA相邻并具有第一宽度L1V的母线Vm的第一配线单元Va。第二配线单元Vb包括从母线Vm分叉并且与透射区域TA相邻的多个支线Vb1、Vb2和Vb3。

像素P3中的初始化电压配线Vint可以具有包括沿第二方向延伸的主初始化电压配线Vint1和沿第一方向延伸的第二附加配线单元Vint2的网状结构。第二附加配线单元Vint2可包括横穿透射区域TA彼此电连接并具有小于第二宽度L2V的宽度的多个配线。

第二附加配线单元Vint2中的配线的宽度可以允许它们对用户的肉眼有效地不可见或不可检测，例如可以小于10μm。第二附加配线单元Vint2可以包括三个配线。在另一实施例中，第二附加配线单元Vint2可以包括两个或多于三个的配线。

第二附加配线单元Vint2可以通过第四接触孔C4被电连接到主初始化电压配线Vint1。配线可以具有并联连接的形状。

主初始化电压配线Vint1沿第二方向延伸而与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可以包括包含与像素区域PA相邻并具有第二宽度L2V的母线Vim的第一初始化电压配线单元Via。第二初始化电压配线单元Vib包括从母线Vim分叉并与透射区域TA相邻的支线Vib1、Vib2和Vib3。

在实施例中，主电源配线Vdd1的第二配线单元Vb和主初始化电压配线Vint1的第二初始化电压配线单元Vib可以不仅延伸到与透射区域TA相邻的区域，而且延伸到通过将第一附加配线单元Vdd2和第二附加配线单元Vint2布置为横穿不同于像素区域PA的透射区域TA得到的与像素区域PA相邻的区域。

例如，外部光透射的区域不仅可以扩展到透射区域TA和与透射区域TA相邻的第二配线单元Vb和Vib，而且可以扩展到与像素区域PA相邻的区域B。因此，有机发光显示装置的透射率可被进一步提高。

数据配线D1、D2和D3与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且可以包括包含与像素区域PA相邻并具有第一宽度L1D的母线Dm的第一配线单元Da。第二配线单元Db包括从母线Dm分叉并与透射区域TA相邻的支线Db1、Db2和Db3。

数据配线D1、D2和D3的第二配线单元Db可以不仅延伸到与透射区域TA相邻的区域，而且可以延伸到通过将第一附加配线单元Vdd2和第二附加配线单元Vint2布置为横穿不同于像素区域PA的透射区域TA得到的与像素区域PA相邻的区域。

例如，外部光透射的区域不仅可以扩展到透射区域TA和与透射区域TA相邻的第二配线单元Db，而且可以扩展到与像素区域PA相邻的区域A。因此，有机发光显示装置的透射率可被进一步提高。

图9示出了有机发光显示装置的显示区域DA的一个实施例。图10示出了图9的像素Pb的一个实施例。

参考图9和图10，显示区域DA包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域具有多个像素Pa，每一个包括用于发射光的像素区域PA(图2、图7和图8)和用于透射外部光的透射区域TA(图2、图7和8)。第二显示区域DA2具有多个像素Pb，每一个包括用于发射光的像素区域PA(图10)和用于透射外部光的透射区域TA(图10)。

第一显示区域DA1中的像素Pa中的每一个可以包括数据配线D1、D2、D3和电源配线Vdd，它们包括第一配线单元Da和Va以及第二配线单元Db和Vb，其中，第一配线单元Da和Va包括与像素区域PA相邻的母线Dm和Vm，第二配线单元Db和Vb包括与透射区域TA相邻的支线Db1、Db2、Db3、Vb1、Vb2和Vb3(例如，如图2、图7或图8所示)。与例如配线具有均匀宽度的情况相比，第一显示区域DA1中的像素Pa可具有高透射率。

第二显示区域DA2中的像素Pb中的每一个可包括用于发射光的像素区域PA、用于透射外部光的透射区域TA和包括各种配线的配线区域WA。像素区域PA可以包括发射不同颜色的光的第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3，并且可以基于发射颜色的组合形成白光。透射区域TA可以与第一至第三发射单元SP1、SP2和SP3相邻。外部光可以在通过有机发光显示装置的透射区域TA被透射之后被用户识别。

扫描配线S、数据配线D1、D2和D3以及电源配线Vdd可以在配线区域WA中。扫描配线S可沿第一方向横穿像素区域PA而延伸，并可以具有大致均匀的宽度。数据配线D1、D2和D3与电源配线Vdd可沿与第一方向相交的第二方向延伸，以与像素区域PA和透射区域TA相邻，并且还可以具有大致均匀的宽度。

第一显示区域DA1可以具有比第二显示区域DA2的透射率更高的透射率。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以被彼此连接以配置一个屏幕。例如，需要通过在显示装置(诸如手表)中形成图像来传送信息的部分可以被配置为在第二显示区域DA2中的像素Pb，需要高透射率的部分可以被配置为第一显示区域DA1中的像素Pa。结果是，显示装置的功能性和美观也可以同时得到提高。

显示区域DA具有预定(例如矩形)形状，第一显示区域DA1可以围绕图9中的第二显示区域DA2，但这不是针对所有实施例的情况。例如，显示区域DA可以具有例如圆形形状，并且可以关于第一显示区域DA1和第二显示区域DA2以不同的方式被布置。

根据一个或多个前述实施例，提供了具有提高的透射率并且同时不降低开口率的透视(see-through)有机发光显示装置。

在本文中已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对递交本申请的领域内的技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可以在不脱离如在权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种具有发射光的像素区域和透射外部光的透射区域的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：

基底；

被布置在所述基底上的扫描配线，所述扫描配线沿第一方向横穿所述像素区域而延伸；

与所述扫描配线绝缘的数据配线和电源配线，所述数据配线和所述电源配线沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述数据配线和所述电源配线与所述像素区域和所述透射区域相邻；

在所述像素区域中并被连接到所述扫描配线和所述数据配线的开关晶体管；

在所述像素区域中并被连接到所述开关晶体管和所述电源配线的驱动晶体管；和

在所述像素区域中并被连接到所述驱动晶体管的有机发光器件，其中所述数据配线和所述电源配线中的至少一个包括：

与所述像素区域相邻并包括具有第一宽度的母线的第一配线单元，和

包括从所述母线分叉的多个支线的第二配线单元，所述多个支线与所述透射区域相邻，其中所述多个支线的每一个的宽度小于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个支线的宽度的总和等于或大于所述第一宽度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个支线的宽度彼此相等。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个支线的每一个的宽度小于10μm。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述电源配线包括沿所述第一方向延伸的第一附加配线单元并具有网状结构。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一附加配线单元包括横穿所述透射区域而延伸、被彼此连接、且具有小于所述第一宽度的宽度的多个配线。

7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

初始化被施加到所述驱动晶体管的电极的电压的初始化电压配线，所述初始化电压配线沿所述第二方向延伸并且与所述像素区域和所述透射区域相邻。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述初始化电压配线包括：

与所述像素区域相邻并包括具有第二宽度的母线的第一初始化电压配线单元，和

包括从具有所述第二宽度的所述母线分叉并与所述透射区域相邻的多个支线的第二初始化电压配线单元，其中所述第二初始化电压配线单元中的多个支线的每一个具有小于所述第二宽度的宽度。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述初始化电压配线包括沿所述第一方向延伸的第二附加配线单元并具有网状结构。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第二附加配线单元包括横穿所述透射区域而延伸、被彼此连接、并具有小于所述第二宽度的宽度的多个配线。