CN113540129A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括：衬底，以及位于衬底上的子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线。第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，显示装置的使用越来越广泛。常用的显示装置有智能手机、平板电脑、电视机和显示器等。
显示装置通常可以包括显示面板。该显示面板具有显示区域和非显示区域，且该显示面板包括：位于显示区域的多个子像素，以及位于非显示区内的栅极驱动(GateDriver on Array，GOA)电路。其中，GOA电路可以包括：多个GOA单元，一行子像素中的各个子像素可以与一条第一信号线电连接，且一条第一信号线的端部可以与一个GOA单元电连接。GOA电路中的各个GOA单元可以通过第二信号线电连接，如此，GOA电路可以通过GOA单元和第一信号线向子像素施加驱动扫描信号，使得显示面板能够根据该驱动扫描信号和后续子像素接收到的驱动数据信号，显示出相应的画面。
但是，在显示面板制造的过程中，第一信号线和第二信号线会聚集较多的静电荷，该第一信号线与第二信号线可能会发生静电击穿的现象，导致第一信号线与第二信号线之间出现短路的不良现象，严重影响了显示面板的良品率。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。可以解决现有技术中的第一信号线与第二信号线之间容易出现短路的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：衬底，所述衬底具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
位于所述显示区内的子像素和第一信号线，所述第一信号线与所述子像素电连接；
以及，位于所述非显示区内的栅极驱动GOA电路和第二信号线；
其中，所述GOA电路分别与所述第一信号线和所述第二信号线电连接，所述第一信号线与所述第二信号线异层设置。
可选的，所述显示面板还包括：第一绝缘层，所述第一信号线位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二信号线位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧。
可选的，所述第一信号线的端部具有条状的转接部，所述转接部用于与所述GOA电路电连接，且所述转接部的长度方向与所述第一信号线的长度方向相交。
可选的，所述显示面板还包括：与所述第一信号线异层设置，且与所述转接部搭接的转接线，所述转接线与所述GOA电路电连接；
所述第二信号线具有多个镂空结构，所述转接线在所述衬底上的第一正投影与所述镂空结构在所述衬底上的第二正投影部分重合。
可选的，所述镂空结构呈条状，所述第一正投影与所述第二正投影交叉，且所述第一正投影与所述第二正投影交叉的位置，位于所述第二正投影的中央区域。
可选的，所述多个镂空结构的排布方向与所述第二信号线的长度方向相同，所述显示面板还包括：与所述第二信号线异层设置的多个辅助导电结构，所述辅助导电结构与所述第二信号线搭接，且位于两个相邻的所述镂空结构之间。
可选的，所述转接线与所述辅助导电结构同层设置，且材料相同。
可选的，所述子像素包括：薄膜晶体管和遮光层，所述遮光层相对于所述薄膜晶体管靠近所述衬底，且所述薄膜晶体管中的有源层在所述衬底上的正投影位于所述遮光层在所述衬底上的正投影内；
所述第一信号线与所述薄膜晶体管中的栅极电连接，且所述第一信号线与所述栅极同层设置，且材料相同；
所述第二信号线与所述遮光层同层设置，且材料相同。
另一方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
在衬底上形成子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线；
其中，所述衬底具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区；所述子像素和所述第一信号线均位于所述显示区内；所述GOA电路和所述第二信号线均位于所述非显示区内；
所述GOA电路分别与所述第一信号线和所述第二信号线电连接，所述第一信号线与所述第二信号线异层设置。
又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件，以及上述的显示面板。
所述供电组件与所述显示面板连接，用于为所述显示面板供电。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
显示面板，包括：衬底，以及位于衬底上的子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线。第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中提供的一种显示面板的俯视图；
图2是图1示出的显示面板在A-A’处的膜层结构示意图；
图3是图2示出的显示面板中的绝缘层被击穿的效果图；
图4是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图5是图4示出的显示面板在B-B’处的膜层结构示意图；
图6是本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视图；
图7是图6示出的显示面板在C-C’处的膜层结构示意图；
图8是图6示出的显示面板在D-D’处的膜层结构示意图；
图9是本申请实施例提供的一种子像素的膜层结构示意图；
图10是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；
图11是本申请实施例提供的一种形成第二导电图形的俯视图；
图12是本申请实施例提供的一种形成第一导电图形的俯视图；
图13是本申请实施例提供的一种形成第三导电图形的俯视图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
在相关技术中，请参考图1和图2，图1是相关技术中提供的一种显示面板的俯视图，图2是图1示出的显示面板在A-A’处的膜层结构示意图。显示面板00具有显示区00a和非显示区00b。显示面板00可以包括：位于显示区00a内的多个子像素(图中未示出)和多条第一信号线01，以及位于非显示区域00b内的第二信号线02和GOA电路(图中未示出)。
其中，第一信号线01的长度方向与第二线02的长度方向垂直。GOA电路可以包括：多个GOA单元。其中，GOA电路中的各个GOA单元均与第二信号线02电连接。一条第一信号线01与一行子像素中的各个子像素电连接，且该第一信号线01的端部与GOA单元电连接。如此，GOA电路可以通过GOA单元和第一信号线01向子像素施加驱动扫描信号。
通常情况下，第一信号线01与第二信号线02同层设置，且材料相同。也即是，第一信号线01与第二信号线02是通过同一次构图工艺形成的。为了能够让第一信号线01与GOA单元电连接，需要在显示面板00中设置转接线03。该转接线03的一端可以与第一信号线01的端部搭接，另一端可以与GOA单元电连接。且，该转接线03所在的导电图形与第一信号线01所在的导电图形之间具有绝缘层04。其中，该绝缘层04具有过孔04a，转接线03的一端可以通过该过孔04a与第一信号线02的端部搭接，且该转接线03与第二信号线02之间通过绝缘层04绝缘。
为了保证第一信号线01与转接线03之间电信号的传输效果，需要增大第一信号线01与转接线03的搭接面积。如此，第一信号线01的端部具有条状的转接部011，转接线03的一端也具有条状的转接部031。该转接线03的转接部031可以与第一信号线01的转接部011搭接，以保证转接线03与第一信号线01的搭接面积较大。
在显示面板的制造过程中，在形成包含第一信号线01与第二信号线02的导电图形后，需要在该导电图形上形成绝缘层04。然而，在形成绝缘层04的过程中极易产生静电荷，且该静电荷会聚集在第一信号线01与第二信号线02中。由于第一信号线01的转接部011的长度方向与第一信号线01的长度方向平行。因此，第一信号线01的端部与第二信号线02之间的距离较小，二者之间的距离d1通常为50微米左右。
如此，第一信号线01与第二信号线02中聚集的静电荷极易出现放电现象(也称为静电释放现象)，导致绝缘层04极易被击穿。
例如，如图3所示，图3是图2示出的显示面板中的绝缘层被击穿的效果图。在第一信号线01与第二信号线02出现静电释放现象时，绝缘层04可能在位置B处被击穿。在被击穿的绝缘层04上形成跨接走线03后，跨接走线03会在位置B处与第二信号线02搭接，导致第一信号线01与第二信号线02之间出现短路的不良现象，严重影响了显示面板的良品率。
请参考图4和图5，图4是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图，图5是图4示出的显示面板在B-B’处的膜层结构示意图。该显示面板000可以包括：衬底100，以及位于衬底100上的子像素(图中未示出)、第一信号线200、GOA电路(图中未示出)和第二信号线300。
其中，衬底100可以具有显示区100a和位于显示区100a外围的非显示区100b。
衬底100上的子像素和第一信号线200可以均位于显示区100a内，且第一信号线200与子像素电连接。在本申请中，显示面板000中的子像素的个数为多个，第一信号线200的条数也为多条。这里，多个子像素阵列排布为多行，一条第一信号线200可以与一行子像素中的各个子像素电连接。
衬底100上的GOA电路和第二信号线300可以均位于非显示区100b内。例如，该GOA电路与第二信号线300均可以位于显示区100b中的GOA区域B1内。在本申请中，GOA电路可以分别与第一信号线200和第二信号线300电连接。示例的，GOA电路可以包括多个GOA单元，一条第一信号线200的端部可以与一个GOA单元电连接，且GOA电路中的各个GOA单元可以通过第二信号线300电连接。
在本申请实施例中，第一信号线200的长度方向与第二信号线300的长度方向垂直，第一信号线200与第二信号线300异层设置。也即是，第一信号线200所在的第一导电图形与第二信号线300所在第二导电图形不是同一个导电图形。而两层不同的导电图形之间通常具有绝缘层，因此第一信号线200所在的第一导电图形与第二信号线300所在第二导电图形之间也存在绝缘层(也即，后文中的第一绝缘层)。如此，可以增加第一信号线200的端部与第二信号线300之间的距离，有效的降低了在第一信号线200上形成绝缘层(也即，后文中的第二绝缘层)后，第一信号线200与第二信号线300出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线200上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线200与第二信号线300之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板000的良品率。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括：衬底，以及位于衬底上的子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线。第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
可选的，如图6和图7所示，图6是本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视图，图7是图6示出的显示面板在C-C’处的膜层结构示意图。显示面板000还可以包括：第一绝缘层400。其中，第一信号线200可以位于第一绝缘层400远离衬底100的一侧，第二信号线300可以位于第一绝缘层400靠近衬底100的一侧。也即是，该第一绝缘层400位于第一信号线200所在的第一导电图形与第二信号线300所在第二导电图形之间。
在本申请实施例中，显示面板000还可以包括：转接线500。其中，该转接线500与第一信号线200异层设置，且该转接线500的一端与第一信号线200的端部搭接，另一端与GOA电路电连接。通过转接线500可以实现显示区100a内的第一信号线200与非显示区100b内的GOA电路之间的电连接。示例的，第一信号线200所在的第一导电图形与转接线500所在的第三导电图形之间具有第二绝缘层600，该第二绝缘层600具有第一过孔V1，转接线500的一端可以通过第一过孔V1与第一信号线200的端部搭接。
在这种情况下，由于第二信号线300位于第一绝缘层400靠近衬底100的一侧，因此，在第二绝缘层600上形成第三导电图形后，第三导电图形与第二导电图形之间存在两层绝缘层，其分别为：第一绝缘层400和第二绝缘层600。如此，第二导电图形与第三导电图形之间的绝缘层的厚度较大，即使第二导电图形中的第二信号线300发生了静电释放的现象，静电释放后将第二导电图形与第三导电图形之间的绝缘层被击穿的概率较低，使得第三导电图形中的转接线500与第二导电图形中的第二信号线300之间出现短路的概率较低，从而进一步的降低了第一信号线200与第二信号线300之间出现短路的概率。
可选的，如图6所示，显示区100a内的第一信号线200的端部可以具有条状的转接部201，该转接部201用于与GOA电路电连接。示例的，转接线500的一端也具有条状的转接部501，该转接线500的转接部501可以与第一信号线的转接部201电连接，且转接线500远离转接部501的一端与GOA电路电连接。通过在第一信号线200中设置转接部201，不仅能够让第一信号线200与GOA电路电连接，还可以保证第一信号线200与第二信号线300之间的搭接面积较大，以保证GOA电路提供的驱动扫描信号能够稳定的传输到第一信号线200中。需要说明的是，第一信号线200的转接部201的形状和大小，分别与转接线500中的转接部501的形状和大小。
在本申请实施例中，第一信号线200的转接部201的长度方向与第一信号线200的长度方向相交。例如，第一信号线200的转接部201的长度方向与第一信号线200的长度方向垂直。如此，第一信号200的端部与非显示区100b内的第二信号线300之间的距离d2较大，二者之间的距离通常为90微米左右，进一步的降低了第一信号线200与第二信号线300出现静电释放现象的概率。
可选的，如图6和图7所示，非显示区100b内的第二信号线300可以具有多个镂空结构301，转接线500在衬底100上的第一正投影与镂空结构301在衬底100上的第二正投影部分重合。通过在第二信号线300中设置镂空结构301，即使第二信号线300与转接线500之间的绝缘层被静电击穿，导致转接线500与第二信号线300之间出现短路的现象，也可以对该短路的位置进行维修，以提高显示面板000的良品率。
示例的，第二信号线300中的镂空结构301可以呈条状，转接线500在衬底100上的第一正投影与镂空结构301在衬底100上的第二正投影交叉，且该第一正投影与第二正投影交叉的位置，位于第二正投影的中央区域。这样，转接线500在衬底100上的第一正投影与第二信号线300在衬底上的第三正投影存在两个交叉的位置，且这两个交叉的位置分别位于镂空结构301在衬底100上的第二正投影的两侧。假设，在这两个交叉位置中的任意一个交叉位置出现短路的现象时，可以将第二信号线300中位于镂空结构301一侧的出现短路的部分切除，此时，第二信号线300中的电信号会通过位于镂空结构301另一侧的部分传输。如此，可以保证第二信号线300中的电信号能够正常传输的前提下，对转接线500与第二信号线300之间出现短路进行维修。
在本申请实施例中，第二信号线300中的多个镂空结构301的排布方向与第二信号线300的长度方向相同。请参考图6和图8，图8是图6示出的显示面板在D-D’处的膜层结构示意图。该显示面板000还可以包括：与第二信号线300异层设置的多个辅助导电结构700，该辅助导电结构700与第二信号线300搭接，且位于两个相邻的镂空结构301之间。示例的，该辅助导电结构700可以与转接线500同层设置，且材料相同，也即是，辅助导电结构700与转接线500是通过同一次构图工艺形成的。该辅助导电结构700也属于第三导电图形中的一部分。如此，辅助导电结构700所在的第三导电图形与第二信号线300所在的第二导电图形之间存在：层叠设置的第一绝缘层400和第二绝缘层600。且第一绝缘层400和第二绝缘层600具有第二过孔V2，辅助导电结构700与第二信号线300可以通过该第二过孔V2搭接。这样，辅助导电结构700与第二信号线300相当于构成了两层导电图形。在显示面板000的制造过程中，若第二信号线300出现断线的现象时，电信号可以通过辅助导电结构700进行传输。如此，可以保证第二信号线300中传输电信号的稳定性，将进一步的提高了显示面板000的产品良率。
可选的，如图9所示，图9是本申请实施例提供的一种子像素的膜层结构示意图。显示面板000中的子像素可以包括：薄膜晶体管T和遮光层800，遮光层800相对于薄膜晶体管T靠近衬底100，且薄膜晶体管T中的有源层在衬底100上的正投影位于遮光层800在衬底100上的正投影内。这样，遮光层800可以对薄膜晶体管T进行遮挡，以避免薄膜晶体管T中的有源层在光线的照射下出现电压阈值偏移的现象。
其中，薄膜晶体管T可以包括：栅极G、源极S、漏极D和有源层Act。该源极S和漏极D可以均与有源层Act搭接，且该有源层Act可以与栅极G通过栅极绝缘层900绝缘。
在本申请实施例中，第一信号线200可以与薄膜晶体管T中的栅极G电连接，且第一信号线200与栅极G同层设置，且材料相同。也即是，第一信号线200与栅极G是通过同一次构图工艺形成的，该第一信号线200与栅极G均属于第一导电图形中的一部分。需要说明的是，该第一信号线200通常也被称为栅线。
第二信号线300可以与遮光层800同层设置，且材料相同。也即是，第二信号线300与遮光层800是通过同一次构图工艺形成的，该第二信号线300与遮光层800均属于第二导电图形中的一部分。
转接线500可以与薄膜晶体管T中源极S和漏极D同层设置，且材料相同。也即是，转接线500与薄膜晶体管T中源极S和漏极D是通过同一次构图工艺形成的，转接线500、源极S和漏极D均属于第三导图图形中的一部分。
在这种情况下，可以在不增加新的构图工艺的情况下，让第一信号线200与第二信号线300异层设置。如此，不仅可以提高显示面板000的良品率，还可以保证显示面板000的制造工艺较为简单。
需要说明的是，图9是以薄膜晶体管T可以为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明的，该薄膜晶体管也可以为底栅型薄膜晶体管，本申请实施例对此不做限定。
可选的，该显示面板还可以包括：与源极S和漏极D同层设置的数据线(图中未示出)，薄膜晶体管T中的源极S和漏极D中的一个可以与该数据线电连接。在本申请实施例中，子像素还可以包括：与薄膜晶体管T中的源极S和漏极D中的另一个电连接的发光器件L。该发光器件L可以包括：层叠设置的阳极层1100、发光层1200和阴极层1300。其中，薄膜晶体管T中的源极S和漏极D中的另一个可以与该发光器件L中的阳极层1100电连接。在本申请中，当阳极层1100上通过薄膜晶体管T施加驱动电压，阴极层1300上施加阴极电压时，位于阳极层1100与阴极层1300之间的发光层1200可以发光。
可选的，该显示面板还可以包括：平坦层1000和像素界定层1400。其中，平坦层1000可以位于阳极层1100所在的导电图形和第三导电图形之间。且平坦层1100上具有第三过孔，阳极层1100可以通过该第三过孔与源极S和漏极D中的另一个搭接。像素界定层1400位于平坦层1000远离衬底100的一侧，且该像素界定层1400具有像素开孔，发光器件L可以位于该像素开孔内。
需要说明的是，本申请实施例中的发光器件L可以为有机电致发光(英文：OrganicLight Emitting Display；简称：OELD)。本申请实施例中的显示面板000可以为顶发射型的显示面板，也可以为底发射型的显示面板。当该显示面板000为顶发射型的显示面板时，发光器件L中的阳极层1100为具有反光性的反射电极，阴极层1300为具有透光性的透明电极；当该显示面板000为底发射型的显示面板时，发光器件L中的阳极层1100为具有透光性的透明电极，阴极层1300为具有反光性的反射电极。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括：衬底，以及位于衬底上的子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线。第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
本申请实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法用于制造图3示出的显示面板。该显示面板的制造方法可以包括：
在衬底上形成子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线；
其中，衬底具有显示区和位于显示区外围的非显示区；子像素和第一信号线均位于显示区内；GOA电路和第二信号线均位于非显示区内；GOA电路分别与第一信号线和第二信号线电连接，第一信号线与第二信号线异层设置。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制造方法，第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
请参考图10，图10是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图。该显示面板的制造方法用于制造图7示出的显示面板。该显示面板的制造方法可以包括：
步骤S1、在衬底上形成第二导电图形。
如图11所示，图11是本申请实施例提供的一种形成第二导电图形的俯视图。可以在衬底100上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成一层第二导电薄膜。并对该第二导电薄膜执行一次构图工艺即可得到第二导电图形。其中，该第二导电图形可以包括：位于显示区内的遮光层(图中未示出)和位于非显示区内的第二信号线300，且该第二信号线300具有多个镂空结构301。可选的，该第二导电图形的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。
步骤S2、在第二导电图形上依次形成第一绝缘层、有源层图形、栅极绝缘层和第一导电图形。
首先，可以在形成有第二导电图形的衬底上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成第一绝缘层。可选的，该第一绝缘层的材料可以包括：氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料。
然后，可以在形成有第一绝缘层的衬底上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成有源层薄膜。并对该有源层薄膜执行一次构图工艺即可得到有源层图形。其中，该有源图形在衬底上的正投影位于遮光层在衬底上的正投影内，且该有源层图形包括：后续形成的各个薄膜晶体管中的有源层。可选的，该有源层图形的材料可以包括：多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等半导体材料。
之后，可以在形成有有源层图形的衬底上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成绝缘薄膜。可选的，该绝缘薄膜的材料可以包括：氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料。
之后，请参考图12，图12是本申请实施例提供的一种形成第一导电图形的俯视图。可以在形成有绝缘薄膜的衬底100上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成第一导电薄膜。并对该第一导电薄膜执行一次构图工艺即可得到第一导电图形。其中，该第一导电图形可以包括：第一信号线200和后续形成的各个薄膜晶体管中的栅极(图中未示出)，该第一信号线200可以与栅极电连接，且该第一信号线200的端部具有转接部201。可选的，该第一导电图形的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。
最后，将第一导电层作为掩膜，对绝缘薄膜进行刻蚀处理，以得到与第一导电图形的形状相同的栅极绝缘层，并对栅极绝缘层未覆盖的有源层图形进行导体化处理，以减小后续有源层图形与源漏极图形搭接时的电阻。
步骤S3、在第一导电图形上依次形成第二绝缘层和第三导电图形。
首先，可以在形成有第一导电图形的衬底上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成第二绝缘层。并对该第二绝缘层进行一次构图工艺，以形成第一过孔、第二过孔和用于让有源层图形与源漏极图形搭接的过孔。可选的，该第二绝缘层的材料可以包括：氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料。
然后，请参考图13，图13是本申请实施例提供的一种形成第三导电图形的俯视图。可以在形成有第二绝缘层的衬底100上通过沉积、涂敷和溅射等多种方式中的任一种形成第三导电薄膜。并对该第三导电薄膜执行一次构图工艺即可得到第三导电图形。其中，该第三导电图形可以包括：转接线500、辅助导电结构700、源漏极图形(图中未示出)和数据线(图中未示出)。
这里，转接线500可以通过第一过孔V1与第一信号线200的转接部201搭接；辅助导电结构700可以通过第二过孔与第二信号线300搭接；源漏极图形与有源层图形搭接，且该源漏极图形可以包括：各个薄膜晶体管中的第一极和第二极，该第一极可以与数据线电连接。
可选的，该第一导电图形的材料可以包括：金属铝、金属银、金属钼或合金等金属材料。
步骤S4、在第三导电图形上依次形成平坦层、阳极层、像素界定层、发光层和阴极层。
示例的，可以在形成有第三导电图形的衬底上依次形成平坦层、阳极层、像素界定层和阴极层。这里所形成的各个膜层的方式可以参考相关技术，本申请实施例对此不做赘述。
需要说明的是，上述实施例中的一次构图工艺是指：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制造方法，第一信号线与第二信号线异层设置，这样，第一信号线所在的第一导电图形与第二信号线所在第二导电图形之间存在绝缘层。如此，可以增加第一信号线的端部与第二信号线之间的距离，有效的降低了在第一信号线上形成绝缘层后，第一信号线与第二信号线出现静电释放现象的概率，进而降低了位于第一信号线上的绝缘层被击穿的概率，使得第一信号线与第二信号线之间出现短路的概率降低，进而有效的提高了显示面板的良品率。
本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：供电组件和显示面板。该供电组件用于为显示面板供电。其中，显示面板可以为上述实施例中的显示面板，例如，其可以为图4或图6示出的显示面板。该显示设备可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本申请中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅为本申请的可选的实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
位于所述显示区内的子像素和第一信号线，所述第一信号线与所述子像素电连接；
以及，位于所述非显示区内的栅极驱动GOA电路和第二信号线；
其中，所述GOA电路分别与所述第一信号线和所述第二信号线电连接，所述第一信号线与所述第二信号线异层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：第一绝缘层，所述第一信号线位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第二信号线位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一信号线的端部具有条状的转接部，所述转接部用于与所述GOA电路电连接，且所述转接部的长度方向与所述第一信号线的长度方向相交。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述第一信号线异层设置，且与所述转接部搭接的转接线，所述转接线与所述GOA电路电连接；
所述第二信号线具有多个镂空结构，所述转接线在所述衬底上的第一正投影与所述镂空结构在所述衬底上的第二正投影部分重合。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述镂空结构呈条状，所述第一正投影与所述第二正投影交叉，且所述第一正投影与所述第二正投影交叉的位置，位于所述第二正投影的中央区域。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述多个镂空结构的排布方向与所述第二信号线的长度方向相同，所述显示面板还包括：与所述第二信号线异层设置的多个辅助导电结构，所述辅助导电结构与所述第二信号线搭接，且位于两个相邻的所述镂空结构之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述转接线与所述辅助导电结构同层设置，且材料相同。
8.根据权利要求1至6任一所述的显示面板，其特征在于，所述子像素包括：薄膜晶体管和遮光层，所述遮光层相对于所述薄膜晶体管靠近所述衬底，且所述薄膜晶体管中的有源层在所述衬底上的正投影位于所述遮光层在所述衬底上的正投影内；
所述第一信号线与所述薄膜晶体管中的栅极电连接，且所述第一信号线与所述栅极同层设置，且材料相同；
所述第二信号线与所述遮光层同层设置，且材料相同。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成子像素、第一信号线、GOA电路和第二信号线；
其中，所述衬底具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区；所述子像素和所述第一信号线均位于所述显示区内；所述GOA电路和所述第二信号线均位于所述非显示区内；
所述GOA电路分别与所述第一信号线和所述第二信号线电连接，所述第一信号线与所述第二信号线异层设置。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：供电组件，以及如权利要求1至8任一所述的显示面板；
所述供电组件与所述显示面板连接，用于为所述显示面板供电。
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107664862A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 乐金显示有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN207517281U (zh) * | 2017-11-16 | 2018-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN207424484U (zh) * | 2017-11-27 | 2018-05-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| US20190189075A1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-06-20 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus |
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