TW201703017A - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種有機發光二極體顯示器。顯示器包含形成於基板上，並設置以傳輸掃描訊號之掃描線。第一資料線和第二資料線彼此相鄰並與掃描線交錯。第一資料線及第二資料線設置以傳輸資料電壓。與掃描線交錯之驅動電壓線，設置以傳輸驅動電壓，且切換電晶體電性連接掃描線及資料線，並包含設置以輸出資料電壓之切換汲極電極。驅動電晶體包含驅動閘極電極及電連接至切換汲極電極之驅動源極電極。有機發光二極體電連接至驅動電晶體之驅動汲極電極，且連接器連接至驅動電晶體之驅動閘極電極，且插設於第一資料線和第二資料線之間。

Description

有機發光二極體顯示器
本申請案主張2015年02月13日於韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2015-0022527號之優先權及利益，申請案之所有揭示內容係以引用之方式併入本文中。
所述技術主要與有機發光二極體(OLED)顯示器相關。
有機發光二極體包含兩個電極及置於其間之有機發光層。從一電極注入之電子與從另一電極注入之電洞在有機發光層中彼此耦合以產生激子(exciton)，激子以光的形式發射能量。有機發光二極體顯示器包含像素矩陣，每個像素包含(i)為自發光裝置之OLED；(ii)用以驅動OLED之複數個薄膜電晶體(TFTs)；以及(iii)儲存電容。這些電晶體與儲存電容經由包含半導體、閘極線或資料線的複數個導線連接。
產生水平線圖案可能因為導線重疊所致之寄生電容而輕易地產生於顯示圖像中。在寄生電容的存在下，傳輸至驅動電晶體的閘極訊號將根據資料訊號的改變而發生變化。橫越顯示器之閘極訊號的無預期變化會導致影像品質下降。
以上揭露於先前技術部份的資訊，僅用於加強對所述技術背景的瞭解，因此可包含不構成在本國所屬技術領域具通常知識者已知之先前技術之資訊。
一個本發明態樣是關於OLED顯示器，其最小化傳輸資料訊號之導線與傳輸閘極訊號之導線間的寄生電容以防止閘極訊號因為資料訊號的改變而變化。
另一個態樣為一種OLED顯示器，其包含：基板；在基板上並傳輸掃描訊號之掃描線；與掃描線交錯，且傳輸資料電壓並彼此相鄰之第一資料線和第二資料線；與掃描線交錯並傳輸驅動電壓之驅動電壓線；連接掃描線和第一資料線，且包含輸出資料電壓之切換汲極電極之切換電晶體；包含連接至切換汲極電極之驅動源極電極之驅動電晶體；電連接驅動電晶體之驅動汲極電極之OLED；連接至驅動電晶體之驅動閘極電極，並設置於第一資料線和第二資料線之間之連接構件；於連接構件與第一資料線之間之第一屏蔽電極；以及於連接構件與第二資料線之間之第二屏蔽電極。第一屏蔽電極與第二屏蔽電極被供以具有恆定大小的電壓。
第一屏蔽電極與第二屏蔽電極可連接至驅動電壓線。
第一屏蔽電極及第一資料線可相互平行延伸，且第二屏蔽電極及第二資料線可相互平行延伸。
連接構件可與第一屏蔽電極及第二屏蔽電極形成在相同層上。
連接構件可與第一第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
OLED顯示器可進一步包含位於基板上且包含切換電晶體之切換通道及驅動電晶體之驅動通道之半導體及半導體上之第一閘極絕緣層，且驅動通道可在平面上彎曲。
OLED顯示器可進一步包含：包含形成在第一閘極絕緣層上之第一儲存電極並與閘極通道重疊之儲存電容；覆蓋第一儲存電極之第二閘極絕緣層；形成在第二閘極絕緣層上並與第一儲存電極重疊之第二儲存電極；且第一儲存電極可為驅動電晶體之驅動閘極電極。
OLED顯示器可進一步包含覆蓋第二儲存電極之層間絕緣層；且第一資料線與第二資料線可設置於層間絕緣層之上。
連接構件、第一屏蔽電極及第二屏蔽電極與第一資料線及第二資料線可形成於相同層上。
另一發明態樣為一種OLED顯示器，其包含：基板；形成於基板上並設置以傳輸掃描訊號之掃描線；彼此相鄰並與掃描線交錯之第一資料線與第二資料線，其中第一資料線與第二資料線設置以傳輸資料電壓；與掃描線交錯，並設置以傳輸驅動電壓之驅動電壓線；電連接至掃描線和資料線，並包含設置以輸出資料電壓之切換汲極電極之切換電晶體；包含驅動閘極電極及電性連接至切換汲極電極之驅動源極電極之驅動電晶體；電性連接至驅動電晶體之驅動汲極電極之OLED；連接至驅動電晶體之驅動閘極電極，並插設於第一資料線與第二資料線之間之連接器；插設於連接器與第一資料線之間之第一屏蔽電極；以及插設於連接器與第二資料線之間之第二屏蔽電極，其中第一屏蔽電極與第二屏蔽電極連接至具有恆定大小之電壓源。
上述之OLED顯示器中，第一屏蔽電極與第二屏蔽電極電連接至驅動電壓線。
上述之OLED顯示器中，第一屏蔽電極與第一資料線相互平行延伸，其中第二屏蔽電極與第二資料線相互平行延伸。
上述之OLED顯示器中，連接器與第一屏蔽電極及第二屏蔽電極形成在相同層上。
上述之OLED顯示器中，連接器之至少一部分與第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
上述之OLED顯示器中，第一屏蔽電極之至少一部份與第一資料線相互平行延伸，其中第二屏蔽電極與第二資料線相互平行延伸。
上述之OLED顯示器中，連接器之至少一部分與第一屏蔽電極及第二屏蔽電極形成在相同層上。
上述之OLED顯示器，連接器之至少一部分與第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
上述之OLED顯示器，連接器之至少一部分與第一屏蔽電極及第二屏蔽電極形成在相同層上。
上述之OLED顯示器中，連接器與第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
OLED顯示器進一步包含：形成於基板上，且包含切換電晶體之切換通道及驅動電晶體之驅動通道之半導體；以及形成於半導體上之第一閘極絕緣層，其中驅動通道是彎曲的。
OLED顯示器進一步包含：包含形成在第一閘極絕緣層上之第一儲存電極，並與驅動通道重疊之儲存電容；覆蓋第一儲存電極之第二閘極絕緣層；以及形成於第二閘極絕緣層上，並與第一儲存電極於OLED顯示器之深度方向上重疊之第二儲存電極，其中第一儲存電極包含驅動電晶體之驅動閘極電極。
OLED顯示器進一步包含：覆蓋第二儲存電極之層間絕緣層，其中第一資料線與第二資料線形成在層間絕緣層上。
上述OLED顯示器中，連接器、第一屏蔽電極、第二屏蔽電極、第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
上述OLED顯示器中，連接器、第一屏蔽電極、第二屏蔽電極、第一資料線及第二資料線形成在相同層上。
另一發明態樣為一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：基板；形成於基板上並設置以傳輸資料電壓之第一資料線；形成於基板上並平行於第一資料線之驅動電壓線，其中驅動電壓線設置以傳輸驅動電壓；插設於第一資料線與第二資料線之間之資料連接器；以及插設於資料連接器與第一資料線之間之第一屏蔽電極，其中第一屏蔽電極連接至具有恆定大小的電壓源。
OLED顯示器進一步包含：形成於基板上並平行於第一資料線之第二資料線，其中第二資料線設置以傳輸資料電壓；以及插設於資料連接器與第二資料線之間之第二屏蔽電極，其中第二屏蔽電極電性連接電壓源。
於上述之OLED顯示器中，資料連接器插設於第一屏蔽電極與第二屏蔽電極之間。
於上述之OLED顯示器中，第一屏蔽電極與第二屏蔽電極形成於相同層上。
於上述之OLED顯示器中，第一資料線及第二資料線與第一屏蔽層及第二屏蔽層形成在相同層上。
OLED顯示器進一步包含：形成於基板上並與第一屏蔽層及第二屏蔽層在OLED顯示器之深度方向上重疊之OLED。
於上述之OLED顯示器中，OLED與資料連接器在OLED顯示器之深度方向上 重疊。
根據至少一揭露的實施例，資料訊號與閘極訊號之間的寄生電容可被最小化，因此可避免資料訊號改變所造成之閘極訊號變化。
接著，下文中將參照其中顯示例示實施例之附圖而更加充分的描述所述的技術。領域中具有通常知識者將瞭解，所述實施例可以各種不同方式作修改，而皆不偏離所述技術之精神或範疇。
為清楚說明所述技術，和說明無關的部分將被省略，且在說明書中，相同的元件將以相同的參考符號指代。
此外，為了更容易地了解及更簡單地說明，在圖式中各個配置的大小與厚度是任意的，且所述技術並不因此而受到限制。
在圖式中，層、膜、面板及區域等厚度為了明確而被誇大。在圖式中，為了更容易了解及更簡易地說明，一些層或區域的厚度被誇大。
此外，除非有明確相反的描述，用語“包含(comprise)”及其變形，像是“包含(comprises)”或“包含(comprising)”將被理解為意指包括所闡明的元件，但並不排除其他任何元件。再者，在說明書中，“在...上(on)”表示位在目標部分之上或之下，且不必然表示以重力方向為基礎地位於目標部分上側上。
再者，在說明書中，用語“在平面上 (on a flat surface)”指從目標部分上方觀測，而用語“在橫截面上(on a cross-section)”指從側邊觀看垂直切割目標部分所截取之橫截面。在本揭露中，“實質上(substantially)”其意義包含完全地、幾乎完全地、或在某些應用上符合技術中具有通常知識者之任何顯著的程度。再者，“形成、設置、位於．．．上方(formed, disposed or positioned over)”亦可意指“形成、設置、位於．．．之上(formed, disposed or positioned on)”。且“連接(connected)”包含電性連接。
現在根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素之等效電路圖將參照第1圖被詳細描述。第1圖為根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素之等效電路圖。
參照第1圖，根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素1包含：複數個訊號線、連接至複數個訊號線之複數個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7、儲存電容Cst和OLED。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7包含：驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6及旁路電晶體T7。
訊號線包含：傳輸掃描訊號Sn之掃描線151、傳輸前掃描訊號Sn-1至初始化電晶體T4之前掃描線152、傳輸發光控制訊號EM至操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6之發光控制線153、傳輸旁路訊號BP至旁路電晶體T7之旁路控制線158、與掃描線151交錯並傳輸資料訊號Dm之資料線171、傳輸驅動電壓ELVDD並形成以實質上平行於資料線171之驅動電壓線172、以及傳輸初始化驅動電晶體T1之初始化電壓Vint之 初始化電壓線192。驅動電壓線172包含第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b。
驅動電晶體T1之閘極電極G1連接至儲存電容Cst之一端Cst1、驅動電晶體T1之源極電極S1經由操作控制電晶體T5連接至驅動電壓線172、而驅動電晶體T1之汲極電極D1經由發光控制電晶體T6電連接至OLED之陽極。驅動電晶體T1根據切換電晶體T2的切換操作接收的資料訊號Dm以提供驅動電流Id至OLED。
切換電晶體T2之閘極電極G2連接至掃描線151、切換電晶體T2之源極電極S2連接至資料線171、而切換電晶體T2之汲極電極D2連接至驅動電晶體T1之源極電極S1，並經由操作控制電晶體T5連接至驅動電壓線172。切換電晶體T2依據透過掃描線151接收之掃描訊號Sn而導通，以執行將傳輸至資料線171之資料訊號Dm傳輸至驅動電晶體T1之源極電極之切換操作。
補償電晶體T3之閘極電極G3直接連接至掃描線151、補償電晶體T3之源極電極S3連接至驅動電晶體T1之汲極電極D1，並經由發光控制電晶體T6連接至OLED之陽極。補償電晶體T3之汲極電極D3與驅動電晶體T1之閘極電極G1一起連接至儲存電容Cst之一端Cst1及初始化電晶體T4之汲極電極D4。補償電晶體T3根據透過掃描線151接收之掃描訊號Sn而導通，以連接驅動電晶體T1之閘極電極G1與汲極電極D1，並二極體連接(diode-connect)驅動電晶體T1。
初始化電晶體T4之閘極電極G4連接至前掃描線152；初始化電晶體T4之源極電極S4連接至初始化電壓線192；初始化電晶體T4之汲極電極D4與驅動電晶體T1之閘極電極G1一起連接至儲存電容Cst之一端Cst1、補償電晶體T3之汲極電極D3。初始化電晶體T4根據透過前掃描線152接收之前掃描訊號Sn-1導通，以傳輸初始化電壓Vint至驅動電晶體T1之閘極電極G1，然後執行初始化驅動電晶體T1閘極電極G1電壓之初始化操作。
操作控制電晶體T5之閘極電極G5連接至發況控制線153、操作控制電晶體T5之源極電極S5連接至驅動電壓線172、而操作控制電晶體T5之汲極電極D5連接至驅動電晶體T1之源極電極S1及切換電晶體T2之汲極電極D2。
發光控制電晶體T6之閘極電極G6連接至發光控制線153、發光控制電晶體T6之源極電極S6連接至驅動電晶體T1之汲極電極D1及補償電晶體T3之源極電極S3、發光控制電晶體T6之汲極電極D6電連接至OLED之陽極。操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6根據傳輸至發光控制線153之發光控制訊號EM而同時打開，使得驅動電壓ELVDD透過二極體連接之驅動電晶體T1補償並傳輸至OLED。
旁路電晶體T7之閘極電極G7連接至旁路控制線158、旁路電晶體T7之源極電極S7同時連接至發光控制電晶體T6之汲極電極D6及OLED之陽極、而旁路電晶體T7之汲極電極D7連接至初始化電壓線192及初始化電晶體T4之源極電極S4。於此，旁路控制線158連接前掃描線152，使得旁路訊號BP與前掃描訊號Sn-1相同。
儲存電容Cst之另一端Cst2連接至驅動電壓線172，而OLED之陰極連接至傳輸共同電壓ELVSS之共同電壓線741。
因為閘極訊號與資料訊號Dm之間的交互干擾，施加至驅動電晶體T1閘極電極G1之閘極訊號可因為施加至鄰近於閘極電極G1之資料線171之資料訊號改變而發生變化。交互干擾改變了閘極電壓的大小，因此造成顯示品質惡化。然而，根據例示實施例的OLED顯示器中，連接至傳輸具恆定大小驅動電壓ELVDD的驅動電壓線172之第一屏蔽電極172a與第二屏蔽電極172b，設置在連接至驅動閘極電極155a的第一資料連接構件174與資料線171之間。因此，可避免閘極訊號與資料訊號之間的交互干擾。此將在下文中更詳細地描述。
同時，在例示實施例中，顯示出具有7個電晶體及1個電容的結構，但所述技術並不限於此，電晶體及電容的數量可進行各種修改。
以下，將參照第2圖描述根據例示實施例之OLED顯示器的像素單元中之一個像素的詳細操作流程。
第2圖為施加至根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素的訊號之時序圖。
如第2圖所示，首先，在初始化週期中，透過前掃描線152提供具有低位準之前掃描訊號Sn-1。然後，初始化電晶體T4響應於具有低位準之前掃描訊號Sn-1而被導通，初始化電壓Vint經由初始化電晶體T4，從初始化電壓線192提供到驅動電晶體T1之閘極電極G1，接著驅動電晶體T1藉由初始化電壓Vint初始化。
下文中，在資料編程週期中，透過掃描線151提供具有低位準的掃描訊號Sn。然後，切換電晶體T2及補償電晶體T3響應於具有低位準之掃描訊號Sn而被導通。此時，驅動電晶體T1透過導通之補償電晶體T3而為二極體連接，並形成順向偏壓。
然後， 為由從資料線171提供之資料訊號Dm加上驅動電晶體T1之臨界電壓Vth之補償電壓(Dm+Vth)(Vth為(-)負值)，被施加在驅動電晶體T1之閘極電極G1上。驅動電壓ELVDD及補償電壓(Dm+Vth)被施加於儲存電容的兩端，且對應於兩端間之電位差之電荷被儲存於儲存電容Cst中。
接著，在發光週期期間，由發光控制線153所提供之發光控制訊號EM由高位準變為低位準。因此，操作控制電晶體T5及發光控制電晶體T6在發光週期期間藉由低位準的發光訊號EM而被導通。
因此，驅動電流Id根據驅動電晶體T1之閘極電極G1的閘極電壓與驅動電壓ELVDD之間的電位差而產生，此驅動電流Id透過發光控制電晶體T6提供至OLED。在發光週期，驅動電晶體T1之閘-源極電壓Vgs透過儲存電容Cst而被保持在(Dm+Vth)-ELVDD，且根據驅動電晶體T1之電流-電壓關係，驅動電流Id正比自閘-源極電壓Vgs減去臨界電壓Vth所獲得的值之平方 “(Dm-ELVDD)2 ”。因此驅動電流Id的決定與驅動電晶體T1之臨界電壓Vth無關。
在本例中，旁路電晶體T7被傳輸有來自旁路控制線158之旁路訊號BP。旁路訊號BP為可永遠關閉旁路電晶體T7之具預定位準的電壓，且旁路電晶體T7經由閘極電極G7接收關閉位準的電壓，使得旁路電晶體T7永遠處於關閉狀態，且驅動電流Id的一部分透過關閉狀態的旁路電晶體T7放電作為旁路電流Ibp。
當顯示黑色影像之驅動電晶體T1之最小電流流過作為驅動電流時，若OLED也在發光，則黑色影像無法正常顯示。據此，根據例示實施例之OLED顯示器的旁路電晶體T7可透過OLED側之電流路徑旁的其他電流路徑分散部分驅動電晶體的最小電流作為旁路電流Ibp。於此，驅動電晶體T1的最小電流指驅動電晶體T1因為驅動電晶體T1之閘-源極電壓小於臨界電壓Vth而關閉時的電流。在驅動電晶體T1關閉的條件下的最小驅動電流(例如，電流大約10pA或更小)傳輸到OLED，以表現為具有黑色亮度的圖像。當為表現黑色圖像的最小驅動電流流過時，旁路電流Ibp的旁路傳輸有大的影響，但當表現像是一般圖像或白色圖像的大驅動電流流過時，旁路電流Ibp的影響是微小的。因此，當顯示黑色圖像之驅動電流流動時，減少透過旁路電晶體T7從驅動電流Id流出之旁路電流Ibp之電流量的OLED的發光電流Ioled具有作為可以準確表現黑色圖像的程度之最小電流值。因此，黑色發光圖像藉由使用旁路電晶體T7而被準確達成，從而使對比率獲得提升。 在第2圖中，旁路訊號BP與後掃描訊號Sn+1相同，但不限於此。
接著， 具有應用上述結構之根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素的詳細結構將參照第3圖至第7圖而詳細地描述。第3圖為根據例示實施例之OLED顯示器的佈局圖。第4圖為描繪第3圖之OLED顯示器的複數個電晶體與電容之示意圖。第5圖為描繪第3圖之OLED顯示器之訊號線的具體佈局圖。第6圖為沿線VI-VI截取之第4圖之OLED顯示器之剖面圖。第7圖為沿線VII-VII截取之第4圖之OLED顯示器之剖面圖。
參照第3圖，根據例示實施例之OLED包含：分別傳輸掃描訊號Sn、前掃描訊號Sn-1、發光控制訊號EM及旁路訊號BP，並沿著列方向形成之掃描線151、前掃描線152、發光控制線153及旁路控制線158。另外，進一步包括與掃描線151、前掃描線152、發光控制線153及旁路控制線158交錯，並分別施加資料訊號Dm及驅動電壓ELVDD至像素1之資料線171及驅動電壓線172。初始化電壓Vint從初始化電壓線192經初始化電晶體T4傳輸至補償電晶體T3。
再者，於像素1中形成驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6、旁路電晶體T7、儲存電容Cst及OLED。OLED包含像素電極191、有機發光層370及共同電極270。於本例中，補償電晶體T3及初始化電晶體T4設置為雙閘極結構電晶體以阻擋電流漏電。
驅動電晶體T1、切換電晶體T2、補償電晶體T3、初始化電晶體T4、操作控制電晶體T5、發光控制電晶體T6及旁路電晶體T7的各個通道形成在一個半導體130中，而半導體130可形成為以各種形狀彎曲。半導體130可由多晶半導體材料或氧化物半導體材料形成。氧化半五導體材料可包括以鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、或銦(In)中之任一為基礎之氧化物，及為其複合氧化物之氧化銦鎵鋅(InGaZnO4 )、氧化銦鋅(Zn-In-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦-鋯(In-Zr-O)、氧化銦-鋯-鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦-鋯-錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦-鋯-鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦-鋁(In-Al-O)、氧化銦-鋅-鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦-錫-鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦-鋁-鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、氧化銦-鉭-鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦-鉭-錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦-鉭-鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦-鍺(In-Ge-O)、氧化銦-鍺-鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦-鍺-錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銦-鍺-鎵(In-Ge-Ga-O)、氧化鈦-銦-鋅(Ti-In-Zn-O)或氧化鉿-銦-鋅(Hf-In-Zn-O)。在半導體層為氧化半導體材料的例子中，為保護易受外界環境影響的氧化物半導體材料，可另外增加鈍化層。
半導體130包含摻雜有N型或P型雜質之通道131；分別形成於通道的各個側，並摻雜有與通道相反類型之雜質之源極摻雜部及汲極摻雜部。在例示實施例中，源極摻雜部及汲極摻雜部分別對應於源極電極及汲極電極。形成在半導體130之源極電極及汲極電極可利用僅摻雜相對應之區域而形成。再者，於半導體130中，摻雜不同電晶體之源極電極及汲極電極之間的區域，從而可使源極電極及汲極電極彼此電性連接。
如第4圖所示，通道131包含形成在驅動電晶體T1中之驅動通道131a、 形成在切換電晶體T2中之切換通道131b、 形成在補償電晶體T3中之補償通道131c、 形成在初始化電晶體T4中之初始化通道131d、 形成在操作控制電晶體T5中之操作控制通道131e、 形成在發光控制電晶體T6中之發光控制通道131f、及形成在旁路電晶體T7中之旁路通道131g。
驅動電晶體T1包含驅動通道131a、驅動閘極電極155a、驅動源極電極136a、及驅動汲極電極137a。驅動通道131a為彎曲的，並可為歪斜狀(oblique shape)或鋸齒狀(zigzag shape)。因此，利用形成彎曲狀之驅動通道131a，在狹窄空間中，可形成被拉長之驅動通道131a。因此，施加在驅動閘極電極155a的閘極電壓範圍因為被拉長的驅動通道131a而增加。因為閘極電壓的驅動範圍增加，從OLED發射之光的灰階可利用改變閘極電壓的大小，而被精確地控制，因此，可提高OLED顯示器的解析度並改善顯示品質。通過各式各樣地修改驅動通道131a的形狀，可執行像是反S形、S形、M形或W形的各種範例。
驅動閘極電極155a重疊驅動通道131a，且驅動源極電極136a與驅動汲極電極137a形成於靠近驅動通道131a之各個側。驅動閘極電極155a經由接觸孔61連接到第一資料連接構件174。
如第5圖所示， 連接至驅動電壓線172之第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b被置放於連接至驅動閘極電極155a之第一資料連接構件174及設置於第一資料連接構件174的各個側之兩條資料線171之間。第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b連接至驅動電壓線172，且被供給具恆定大小的驅動電壓ELVDD。
如上所述，被供給具恆定大小的驅動電壓ELVDD之第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b，被設置於資料線171與連接至驅動閘極電極155a的第一資料連接構件174之間。因此，資料線171與連接至驅動閘極電極155a之第一資料連接構件174之間產生的寄生電容可被最小化。因此，可避免透過資料線171傳輸之資料訊號Dm、Dm+1與供給於驅動閘極電極155a之閘極電壓Vg之間的相互干擾。
切換電晶體T2包含切換通道131b、切換閘極電極155b、切換源極電極136b及切換汲極電極137b。為從掃描線151向下延伸的部分之切換閘極電極155b與切換通道131b重疊，切換源極電極136b及切換汲極電極137b分別形成於靠近切換通道131b之各個側。切換源極電極136b經由接觸孔62連接至資料線171。
形成兩個補償電晶體T3以防止電流漏電，且包含相互鄰近的第一補償電晶體T3-1及第二補償電晶體T3-2。第一補償電晶體T3-1位於掃描線151附近，第二補償電晶體T3-2位於掃描線151的突出部附近。第一補償電晶體T3-1包含第一補償通道131c1、第一補償閘極電極155c1、第一補償源極電極136c1及第一補償汲極電極137c1。第二補償電晶體T3-2包含第二補償通道131c2、第二補償閘極電極155c2、第二補償源極電極136c2及第二補償汲極電極137c2。
為掃描線151之一部分之第一補償閘極電極155c1與第一補償通道131c1重疊。第一補償源極電極136c1及第一補償汲極電極137c1分別形成於靠近第一補償通道131c1之各個側。第一補償源極電極136c1連接於發光控制源極電極136f及驅動汲極電極137a，而第一補償汲極電極137c1連接至第二補償源極電極136c2。
為從掃描線151向上突出之突出部之第二補償閘極電極155c2與第二補償通道131c2重疊，而第二補償源極電極136c2及第二補償汲極電極137c2形成於靠近第二補償通道131c2之各個側。第二補償汲極電極137c2經由接觸孔63連接至第一資料連接構件174。
形成兩個初始化電晶體T4以避免電流漏流，並包括相互鄰近之第一初始化電晶體T4-1及第二初始化電晶體T4-2。第一初始化電晶體T4-1位於前掃描線152附近，第二初始化電晶體T4-2位於前掃描線152之突出部附近。第一初始化電晶體T4-1包含第一初始化通道131d1、第一初始化閘極電極155d1、第一初始化源極電極136d1及第一初始化汲極電極137d1。第二初始化電晶體T4-2包含第二初始化通道131d2、第二初始化閘極電極155d2、第二初始化源極電極136d2及第二初始化汲極電極137d2。
為前掃描線152之一部分之第一初始化閘極電極155d1與第一初始化通道131d1重疊，且形成於靠近第一初始化通道131d1的各個側。第一初始化源極電極136d1經由接觸孔64連接於第二資料連接構件175。第一初始化汲極電極137d1連接於第二初始化源極電極136d2。
為從前掃描線152向下突出之突出部之第二初始化閘極電極155d2與第二初始化通道131d2重疊。以及第二初始化源極電極136d2與第二初始化汲極電極137d2形成於靠近第二初始化通道1312c2之各個側。第二初始化汲極電極137d2經由接觸孔63連接至第一資料連接構件174。
如此，補償電晶體T3包含第一補償電晶體T3-1及第二補償電晶體T3-2中之其二，而初始化電晶體T4包含第一初始化電晶體T4-1及第二初始化電晶體T4-2中之其二，且因此，其能夠利用阻擋半導體130在截止狀態時之電子移動路徑，而有效地避免電流漏電之產生。
操作控制電晶體T5包含操作控制通道131e、操作控制閘極電極、操作控制源極電極及操作控制汲極電極。為發光控制線153之一部分之操作控制閘極電極，與操作控制通道131e重疊，且作控制源極電極及操作控制汲極電極形成於靠近操作控制通道131e之各個側。操作控制源極電極經由接觸孔65連接至驅動電壓線172之一部分。
發光控制電晶體T6包含發光控制通道131f、發光控制閘極電極155f、發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f。為發光控制線153之一部分之發光控制閘極電極155f與發光控制通道131f重疊，且發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f形成於靠近發光控制通道131f之各個側。發光控制汲極電極137f經由接觸孔66連接至第三資料連接構件179。
旁路電晶體T7包含旁路通道131g、旁路閘極電極155g、旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g。為旁路控制線158之一部分之旁路閘極電極155g與旁路通道131g重疊，且旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g形成於靠近旁路通道131g之各個側。旁路源極電極136g經由接觸孔81連接至第三資料連接構件179，且旁路汲極電極137g直接與第一初始化源極電極136d1連接。
驅動電晶體T1之驅動通道131a的一端連接至切換汲極電極137b及操作控制汲極電極，而驅動通道131a的另一端連接至第一補償源極電極136c1及發光控制源極電極136f。
儲存電容Cst包含第一儲存電極、第二儲存電極156及設置於其間的第二絕緣層142。第一儲存電極對應於驅動閘極電極155a，而第二儲存電極156為從儲存線126延伸的部份且占據比驅動閘極電極155a大的面積，並完全覆蓋驅動閘極電極155a。於此，第二絕緣層142為介電材料，而儲存電容值係由儲存於儲存電容Cst之電荷與兩電極155a及156之間的電壓決定。如此，驅動閘極電極155a被用作為第一儲存電極，且因此可在像素中，於具大面積的驅動通道131a而變窄的空間內，確保形成儲存電容的空間。
為驅動閘極電極155a之第一儲存電極係經由接觸孔61與儲存開口68連接至第一資料連接構件174的一端。儲存開口68為形成於第二儲存電極156中的開口。第一資料連接構件174形成在與資料線171相同之層上，且與資料線171實質上平行，而第一資料連接構件174的另一端經由接觸孔63連接至第二補償電晶體T3-2的第二補償汲極電極137c2及第二初始化電晶體T4-2的第二初始化汲極電極137d2。據此，第一資料連接構件174將驅動閘極電極155a、第二補償電晶體T3-2的第二補償汲極電極137c2及第二初始化電晶體T4-2的第二初始化汲極電極137d2彼此連接。
第二儲存電極156經由接觸孔69連接至驅動電壓線172。
據此，儲存電容Cst儲存對應於透過驅動電壓線172傳輸至第二儲存電極156之驅動電壓ELVDD及驅動閘極電極155a之閘極電壓Vg之間的電壓差異之儲存電容值。
第三資料連接構件179經由接觸孔81連接至像素電極191，且第二資料連接構件175經由接觸孔82連接至初始化電壓線192。
下文中，將併同第3圖至第5圖參照第6圖及第7圖以詳細描述根據例示實施例的OLED顯示器中的像素單元及周邊單元的剖面結構。
於本例中，因操作控制電晶體T5的層疊結構幾乎與發光控制電晶體T6相同，所以省略其細節之描述。
緩衝層120可形成在基板100上。基板100可由以玻璃、結晶體、陶瓷、塑膠等形成之絕緣基板所形成，且緩衝層120在形成多晶半導體之結晶化過程期間阻隔來自基板100的雜質，以用以增進多晶半導體特性，且減少施加於基板100的應力。
半導體層130形成在像素單元的緩衝層120上，其包含驅動通道131a、切換通道131b、補償通道131c、初始化通道131d、操作控制通道131e及發光控制通道131f。驅動源極電極136a及驅動汲極電極137a形成於半導體層130中之驅動通道131a之各個側上，且切換源極電極136b及切換汲極電極137b形成於切換通道131b之各個側上。此外，第一補償源極電極136c1及第一補償汲極電極137c1形成於第一補償通道131c1之各個側上，第二補償源極電極136c2及第二補償汲極電極137c2形成於第二補償通道131c2之各個側上，第一初始化源極電極136d1及第一初始化汲極電極137d1形成於第一初始化通道131d1之各個側上，以及第二初始化源極電極136d2及第二初始化汲極電極137d2形成於第二初始化通道131d2之各個側上。另外，操作控制源極電極及操作控制汲極電極形成於操作控制通道131e之各個側上，發光控制源極電極136f及發光控制汲極電極137f形成於發光控制通道131f之各個側上。且旁路源極電極136g及旁路汲極電極137g形成於旁路通道131g之各個側上。
覆蓋半導體層130之第一閘極絕緣層141形成於半導體層130上。第一閘極配線包括:包含切換閘極電極155b、第一補償閘極電極155c1及第二補償閘極電極155c2之掃描線151；包含第一初始化閘極電極155d1及第二初始化閘極電極155d2之前掃描線152；包含操作控制閘極電極155e及發光控制閘極電極155f之發光控制線153；包含旁路閘極電極155g之旁路控制線158；且驅動閘極電極(第一儲存電極) 155a，係形成在第一閘極絕緣層141上。
覆蓋第一閘極配線及第一閘極絕緣層141之第二閘極絕緣層142係形成於第一閘極配線及第一閘極絕緣層141上。第一閘極絕緣層141及第二閘極絕緣層142由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)所形成。
第二閘極配線形成於第二閘極絕緣層142上，其包括設置以平行於掃描線151之儲存線126；及為從儲存線126延伸之部份之第二儲存電極156。
層間絕緣層160形成於第二閘極絕緣層142及第二閘極配線上。層間絕緣層160可由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)所形成。
層間絕緣層160具有接觸孔61、62、63、64、65、66及69。包括資料線171、驅動電壓線172、第一資料連接構件174、第二資料連接構件175及第三資料連接構件179之資料配線形成於層間絕緣層160上。資料配線皆形成於同一層上。
資料線171經由形成於第一閘極絕緣層141、第二閘極絕緣層142及層間絕緣層160中之接觸孔62連接至切換源極電極136b。第一資料連接構件174的一端經由形成於第二閘極絕緣層142及層間絕緣層160中之接觸孔61連接至驅動閘極電極155a。第一資料連接構件174的另一端經由形成於第一閘極絕緣層141、第二閘極絕緣層142及層間絕緣層160中之接觸孔63連接至第二補償汲極電極137c2及第二初始化汲極電極137d2。
連接至驅動電壓線172之第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b，設置於連接至驅動閘極電極155a之第一資料連接構件174及設置於第一資料連接構件174之兩側上之兩條資料線171之間。第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b連接至驅動電壓線172，且被供給具恆定大小的驅動電壓ELVDD。如上所述，被供給具恆定大小的驅動電壓ELVDD之第一屏蔽電極172a及第二屏蔽電極172b，被設置於資料線171與連接至驅動閘極電極155a的第一資料連接構件174之間。因此，可以避免資料線171與連接至驅動閘極電極155a的第一資料連接構件174間所產生的寄生電容。
因此，可避免當透過資料線傳輸資料訊號Dm、Dm+1時，透過資料線傳輸的資料訊號Dm、Dm+1與供給至驅動閘極電極155a的閘極電壓Vg間的相互干擾。
四邊形之第二資料連接構件175經由形成於第一閘極絕緣層141、第二閘極絕緣層142及層間絕緣層160中之接觸孔64連接至第一初始化源極電極136d1。此外，四邊形之第三資料連接構件179經由形成於第一閘極絕緣層141、第二閘極絕緣層142及層間絕緣層160中之接觸孔66連接至發光控制汲極電極137f。
覆蓋資料配線及層間絕緣層160之鈍化層180形成於資料配線及層間絕緣層160上。鈍化層180可由有機層形成。
像素電極191及初始化電壓線192形成於鈍化層180上。第三資料連接構件179經由形成在鈍化層180之接觸孔81連接至像素電極191，且第二資料連接構件175經由形成在鈍化層180之接觸孔82連接至初始化電壓線192。
覆蓋鈍化層180之像素定義層(PDL)350、初始化電壓線192及像素電極191，並形成在鈍化層180、初始化電壓線192及像素電極191的邊緣上，且像素定義層PDL350具有暴露像素電極191之像素開口351。像素定義層350可以由樹脂，如聚丙烯酸樹脂(polyacrylate resin)、聚醯亞胺(polyimide)或氧化矽類無機材料(silica-series inorganic)所製成。
有機發光層370形成於經像素開口351暴露的像素電極191上，且共同電極270形成於有機發光層370上。共同電極270形成於像素定義層PDL350上以形成於複數個像素。因此形成了包含像素電極191、有機發光層370及共同電極270之OLED。
於此，像素電極191為陽極，其係為電洞注入電極，而共同電極270為陰極，其係為電子注入電極。然而，根據所述技術之例示實施例並不必然限於此，根據OLED顯示器的驅動方法，像素電極191可以為陰極，而共同電極270可以為陽極。當電洞與電子分別從像素電極191及共同電極270注入至有機發光層370時，結合注入之電洞電子得到的激子於從激發態落回激態時，發射光。
有機發光層370係由低分子有機材料或高分子有機材料，如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(poly3,4-ethylenedioxythiophene，DEPOT)所製成。另外，有機發光層370可由包括電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)及發光層中之至少其一之多個層形成。當有機發光層370包含所有層時，電洞注入層設置於為正電極的像素電極191上，且電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層依序層疊於其上。
有機發光層370可包含發射紅光之紅色有機發光層、發射綠光之綠色有機發光層及發射藍光之藍色有機發光層，紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層分別形成於紅色像素、綠色像素及藍色像素以實現彩色圖像。
另外，在有機發光層370中，紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層全部都在紅色像素、綠色像素及藍色像素上層疊在一起，且每個像素形成紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片以實現彩色圖像。作為其他範例，發射白光之白色有機發光層形成在所有紅色像素、綠色像素及藍色像素上，且每個像素形成紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片以實現彩色圖像。當利用白色有機發光層及彩色濾光片實現彩色圖像時，可不使用分別用來沉積紅色有機發光層、綠色有機發光層及藍色有機發光層在個別像素，即，紅色像素、綠色像素及藍色像素上的沉積遮罩。
在另一範例中描述的白色有機發光層疊當然可以藉由一個有機發光層形成，且甚至包含可以藉由層疊複數個有機發光層而發射白光之構造。作為一範例，白色有機發光層可以包含藉由結合至少一黃色有機發光層及至少一藍色有機發光層而使其發射白光之構造、藉由結合至少一青色有機發光層及至少一紅色有機發光層而使其發射白光之構造、藉由結合至少一洋紅色有機發光層及至少一綠色有機發光層而使其發射白光之構造等。
保護OLED之封裝構件可形成在共同電極270上，且封裝構件可藉由密封件密封至基板100，其可由各種材料，如玻璃、石英、陶瓷、塑膠及金屬形成。另一方面，薄膜封裝層可使用密封材料利用沉積無機層或有機層來形成在共同電極270上。
雖然本發明技術已結合目前被認為實用的例示實施例描述，但要瞭解的是本發明並不限於所揭露的實施例，而是相反的，指在涵括包含於所附申請專利範圍的精神及範圍內之各種修改及等效配置。
1‧‧‧像素
100‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
126‧‧‧儲存線
130‧‧‧半導體層
131‧‧‧通道
131a‧‧‧驅動通道
131b‧‧‧切換通道
131c‧‧‧補償通道
131c1‧‧‧第一補償通道
131c2‧‧‧第二補償通道
131d‧‧‧初始化通道
131d1‧‧‧第一初始化通道
131d2‧‧‧第二初始化通道
131e‧‧‧操作控制通道
131f‧‧‧發光控制通道
131g‧‧‧旁路通道
136a‧‧‧驅動源極電極
136b‧‧‧切換源極電極
136c1‧‧‧第一補償源極電極
136c2‧‧‧第二補償汲極電極
136d1‧‧‧第一初始化源極電極
136d2‧‧‧第二初始化源極電極
136f‧‧‧發光控制源極電極
136g‧‧‧旁路源極電極
137a‧‧‧驅動汲極電極
137b‧‧‧切換汲極電極
137c1‧‧‧第一補償汲極電極
137c2‧‧‧第二補償汲極電極
137d1‧‧‧第一初始化汲極電極
137d2‧‧‧第二初始化汲極電極
137f‧‧‧發光控制汲極電極
137g‧‧‧旁路汲極電極
141‧‧‧第一閘極絕緣層
142‧‧‧第二閘極絕緣層
151‧‧‧掃描線
152‧‧‧前掃描線
153‧‧‧發光控制線
155a‧‧‧驅動閘極電極
155b‧‧‧切換閘極電極
155c1‧‧‧第一補償閘極電極
155c2‧‧‧第二補償閘極電極
155d1‧‧‧第一初始化閘極電極
155d2‧‧‧第二初始化閘極電極
155f‧‧‧發光控制閘極電極
155g‧‧‧旁路閘極電極
156‧‧‧第二儲存電極
158‧‧‧旁路控制線
160‧‧‧層間絕緣層
171‧‧‧資料線
172‧‧‧驅動電壓線
172a‧‧‧第一屏蔽電極
172b‧‧‧第二屏蔽電極
174‧‧‧第一資料連接構件
175‧‧‧第二資料連接構件
179‧‧‧第三資料連接構件
180‧‧‧鈍化層
191‧‧‧像素電極
192‧‧‧初始化電壓線
270‧‧‧共同電極
350‧‧‧像素定義層
351‧‧‧像素開口
370‧‧‧有機發光層
61、62、63、64、65、66、69、81、82‧‧‧接觸孔
68‧‧‧儲存開口
741‧‧‧共同電壓線
BP‧‧‧旁路訊號
Cst‧‧‧儲存電容
Cst1、Cst2‧‧‧儲存電容端
D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7‧‧‧汲極電極
Dm、Dm+1‧‧‧資料訊號
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共同電壓
EM‧‧‧發光控制訊號
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7‧‧‧閘極電極
Ibp‧‧‧旁路電流
Id‧‧‧驅動電流
Ioled‧‧‧發光電流
OLED‧‧‧有機發光二極體
S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7‧‧‧源極電極
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧前掃描訊號
T1‧‧‧驅動電晶體
T2‧‧‧切換電晶體
T3‧‧‧補償電晶體
T3-1‧‧‧第一補償電晶體
T3-2‧‧‧第二補償電晶體
T4‧‧‧初始化電晶體
T4-1‧‧‧第一初始化電晶體
T4-2‧‧‧第二初始化電晶體
T5‧‧‧操作控制電晶體
T6‧‧‧發光控制電晶體
T7‧‧‧旁路電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓
第1圖為根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素之等效電路圖。
第2圖為施加於根據例示實施例之OLED顯示器的一個像素的訊號之時序圖。
第3圖為根據例示實施例之OLED顯示器的佈局圖。
第4圖為描繪第3圖之OLED顯示器的複數個電晶體與電容之示意圖。
第5圖為描繪第3圖之OLED顯示器之訊號線的具體佈局圖。
第6圖為沿線VI-VI截取之第4圖之OLED顯示器之剖面圖。
第7圖為沿線VII-VII截取之第4圖之OLED顯示器之剖面圖。
130‧‧‧半導體層
151‧‧‧掃描線
152‧‧‧前掃描線
153‧‧‧發光控制線
155a‧‧‧驅動閘極電極
156‧‧‧第二儲存電極
158‧‧‧旁路控制線
171‧‧‧資料線
172‧‧‧驅動電壓線
172a‧‧‧第一屏蔽電極
172b‧‧‧第二屏蔽電極
174‧‧‧第一資料連接構件
191‧‧‧像素電極
192‧‧‧初始化電壓線
270‧‧‧共同電極
370‧‧‧有機發光層
61、62、63、64、65、66、69、81、82‧‧‧接觸孔
Cst‧‧‧儲存電容
Dm、Dm+1‧‧‧資料訊號
ELVDD‧‧‧驅動電壓
EM‧‧‧發光控制訊號
OLED‧‧‧有機發光二極體
Sn‧‧‧掃描訊號
Sn-1‧‧‧前掃描訊號
T1‧‧‧驅動電晶體
T2‧‧‧切換電晶體
T3-1‧‧‧第一補償電晶體
T3-2‧‧‧第二補償電晶體
T4-1‧‧‧第一初始化電晶體
T4-2‧‧‧第二初始化電晶體
T5‧‧‧操作控制電晶體
T6‧‧‧發光控制電晶體
T7‧‧‧旁路電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓

Claims (15)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含： 一基板； 一掃描線，形成於該基板上且設置以傳輸一掃描訊號； 一第一資料線及一第二資料線，彼此相鄰並與該掃描線交錯；其中該第一資料線及該第二資料線設置以傳輸一資料電壓； 一驅動電壓線，與該掃描線交錯且設置以傳輸一驅動電壓； 一切換電晶體，電連接至該掃描線及該第一資料線，且包含設置以輸出該資料電壓之一切換汲極電極； 一驅動電晶體，包含一驅動閘極電極及電連接至該切換汲極電極之一驅動源極電極； 一有機發光二極體，電連接至該驅動電晶體之一驅動汲極電極； 一連接器，連接至該驅動電晶體之該驅動閘極電極並插設於該第一資料線及該第二資料線之間； 一第一屏蔽電極，插設於該連接器及該第一資料線之間；以及 一第二屏蔽電極，插設於該連接器及該第二資料線之間，其中該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極連接至具有恆定大小的一電壓源。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極電連接至該驅動電壓線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一屏蔽電極與該第一資料線相互平行延伸，且其中該第二屏蔽電極與該第二資料線相互平行延伸。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器與該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極形成於相同層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器之至少一部份與該第一資料線及該第二資料線形成於相同層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一屏蔽電極之至少一部份與該第一資料線相互平行延伸，且其中該第二屏蔽電極與該第二資料線相互平行延伸。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器之至少一部份與該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極形成於相同層上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器之至少一部份與該第一資料線及該第二資料線形成於相同層上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器之至少一部份與該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極形成於相同層上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器與該第一資料線及該第二資料線形成於相同層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含： 一半導體，形成於該基板上，且包含該切換電晶體之一切換通道及該驅動電晶體之一驅動通道；以及 一第一閘極絕緣層，形成於該半導體上，其中該驅動通道為彎曲的。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含： 一儲存電容，包含形成在該第一閘極絕緣層上並與該驅動通道重疊之一第一儲存電極； 一第二閘極絕緣層，覆蓋於該第一儲存電極；及 一第二儲存電極，形成在該第二閘極絕緣層之上，並與該第一儲存電極在該有機發光二極體顯示器之深度方向上重疊， 其中該第一儲存電極包含該驅動電晶體之該驅動閘極電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含覆蓋該第二儲存電極之一層間絕緣層，其中該第一資料線及該第二資料線形成在該層間絕緣層上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器、該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極與該第一資料線及該第二資料線形成於相同層上。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該連接器、該第一屏蔽電極及該第二屏蔽電極與該第一資料線及該第二資料線形成在相同層上。
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