CN106129061B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光二极管显示器。一方面，半导体层位于基底上，并且半导体层是非线性的。栅极金属线位于半导体层上，绝缘层覆盖半导体层和栅极金属线并具有连接到半导体层的多个接触孔。数据金属线位于绝缘层上并经由接触孔中选择的一个电连接到半导体层。OLED电连接到栅极金属线和数据金属线，半导体层包括具有第一宽度的狭窄半导体层和与所选择的接触孔邻近形成并具有比第一宽度大的第二宽度的扩张半导体层。

Description

有机发光二极管显示器
本申请要求于2015年5月04日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0062597号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
所描述的技术总体涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)包括两个电极和插入的有机发光层。从阴极电极注入的电子和从阳极电极注入的空穴在有机发光层中彼此结合而形成激子。在激子释放能量的同时发光。
OLED显示器包括像素的矩阵，每个像素包括用于驱动OLED的多个薄膜晶体管和电容器。晶体管通常包括开关晶体管和驱动晶体管。
随着对更高分辨率的需求的增加，像素收缩的尺寸使得工艺余量减小。因此，会容易地产生由于布线宽度的改变、接触孔尺寸的改变或者取向误差而引起的缺陷。即，随着分辨率增大，实际布线具有比产品中预定的和设计的布线小的宽度，并且实际形成在产品中的接触孔可以形成为比预定的和设计的接触孔大，或者层间取向误差会容易增大。
当用于蚀刻数据金属线的蚀刻剂渗透被未对齐的接触孔暴露的半导体构件时，半导体构件可能被开口。因此，由于开口的半导体构件中的像素不发光而未开口的半导体构件中的像素发光，所以导致邻近像素之间的不均匀照明。
在该背景部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解，因此它可能包含不构成对本领域普通技术人员而言在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
一个发明方面涉及一种可以防止高分辨率结构中半导体构件的断开的OLED显示器。
另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，所述OLED显示器包括：基底；半导体层，位于基底上，其中，半导体层是非线性的；栅极金属线，位于半导体层上；绝缘层，覆盖半导体层和栅极金属线并且具有连接到半导体层的多个接触孔；数据金属线，位于绝缘层上并经由接触孔中选择的一个电连接到半导体层；OLED，电连接到栅极金属线和数据金属线，其中，半导体层包括具有第一宽度的狭窄半导体部和与所选择的接触孔邻近并具有比第一宽度大的第二宽度的扩张半导体部。
在上述OLED显示器中，扩张半导体部将所选择的接触孔围住。
在上述OLED显示器中，扩张半导体部包括与所选择的接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的接触半导体区域和不与所选择的接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的非接触半导体区域，其中，扩张半导体部的边缘与所选择的接触孔的边缘在非接触半导体区域中分开。
上述OLED显示器还包括：扫描线，位于基底上并构造为传输扫描信号；数据线和驱动电压线，与扫描线交叉并且构造为分别传输数据电压和驱动电压；开关晶体管，电连接到扫描线和数据线；驱动晶体管，电连接到开关晶体管并包括半导体层的一部分作为驱动沟道、在OLED显示器的深度尺寸上与驱动沟道叠置的驱动栅电极以及位于驱动沟道的端部处的驱动源电极和驱动漏电极；补偿晶体管，包括半导体层的另一部分作为补偿沟道、在OLED显示器的深度尺寸上与补偿沟道叠置的补偿栅电极以及位于补偿沟道的相对端处的补偿源电极和补偿漏电极，其中，补偿源电极电连接到驱动漏电极；驱动连接器，构造为将补偿漏电极电连接到驱动栅电极，其中，栅极金属线包括扫描线，其中，数据金属线包括驱动连接器。
上述OLED显示器还包括：前一扫描线，与扫描线基本平行并且构造为传输前一扫描信号；初始化电压线，构造为传输被配置为使驱动晶体管初始化的初始化电压；初始化晶体管，构造为基于前一扫描信号而导通并且包括初始化沟道以及初始化栅电极、初始化源电极和初始化漏电极，其中，扩张半导体部包括构造为将补偿漏电极电连接到初始化漏电极的第一扩张半导体部。
在上述OLED显示器中，所选择的接触孔包括：补偿接触孔，位于驱动连接器和第一扩张半导体部在OLED显示器的深度尺寸上彼此叠置处。
在上述OLED显示器中，第一扩张半导体部包括与补偿接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的第一接触半导体区域和不与补偿接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的第一非接触半导体区域，其中，第一扩张半导体部的边缘和补偿接触孔的边缘在第一非接触半导体区域中彼此分开。
在上述OLED显示器中，第一非接触半导体区域位于在补偿接触孔前面经过的最短路径上，其中，最短路径从狭窄半导体部的竖直部分向狭窄半导体部的水平部分延伸。
在上述OLED显示器中，第一非接触半导体区域位于在补偿接触孔周围的迂回路径上。
在上述OLED显示器中，数据金属线还包括数据线，其中，扩张半导体部还包括与数据线叠置的第二扩张半导体部。
在上述OLED显示器中，接触孔还包括位于数据线和第二扩张半导体部在OLED显示器的深度尺寸上彼此叠置处的开关接触孔。
在上述OLED显示器中，绝缘层包括：第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第二栅极绝缘层，覆盖扫描线；层间绝缘层，覆盖第二栅极绝缘层，其中，补偿接触孔和开关接触孔穿透第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层以及层间绝缘层。
在上述OLED显示器中，OLED包括：像素电极，电连接到驱动晶体管；有机发射层，位于像素电极上；共电极，位于有机发射层上。
另一方面是一种有机发光二极管(OLED)显示器，所述OLED显示器包括：基底；半导体层，位于基底上，其中，半导体层是非线性的；栅极金属线，位于半导体层上；绝缘层，覆盖半导体层和栅极金属线并且具有连接到半导体层的多个接触孔；数据金属线，位于绝缘层上并经由接触孔中所选择的一个电连接到半导体层；OLED，电连接到栅极金属线和数据金属线，其中，数据金属线包括具有第一宽度的正常数据金属层和与选择的接触孔邻近并具有比第一宽度大的第二宽度的扩张数据金属部。
在上述OLED显示器中，扩张数据金属部将所选择的接触孔围住。
在上述OLED显示器中，半导体层包括与所选择的接触孔邻近的弯曲半导体部和具有大致线形的半导体带部，其中，弯曲半导体部与扩张数据金属部在OLED显示器的深度尺寸上叠置。
在上述OLED显示器中，扩张数据金属部包括与所选择的接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的接触数据区域和不与所选择的接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的非接触数据区域，其中，扩张数据金属部的边缘和所选择的接触孔的边缘在非接触数据区域中彼此分开。
上述OLED显示器还包括：扫描线，位于基底上并构造为传输扫描信号；数据线和驱动电压线，与扫描线交叉并且构造为分别传输数据电压和驱动电压；开关晶体管，电连接到扫描线和数据线；驱动晶体管，电连接到开关晶体管并包括半导体层的一部分作为驱动沟道、在OLED显示器的深度尺寸上与驱动沟道叠置的驱动栅电极以及位于驱动沟道的端部处的驱动源电极和驱动漏电极；补偿晶体管，包括半导体层的另一部分作为补偿沟道、在OLED显示器的深度尺寸上与补偿沟道叠置的补偿栅电极以及位于补偿沟道的端部处的补偿源电极和补偿漏电极，其中，补偿源电极电连接到驱动漏电极；驱动连接器，构造为将补偿漏电极电连接到驱动栅电极，其中，栅极金属线包括扫描线，其中，数据金属线包括驱动连接器。
在上述OLED显示器中，接触孔包括：补偿接触孔，位于驱动连接器和第一扩张半导体部在OLED显示器的深度尺寸上彼此叠置处。
在上述OLED显示器中，驱动连接器包括：驱动连接部分，具有第一宽度；驱动扩张部，与补偿接触孔邻近并具有比第一宽度大的第二宽度。
在上述OLED显示器中，驱动扩张部包括与补偿接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的接触数据区域和不与补偿接触孔在OLED显示器的深度尺寸上叠置的非接触数据区域，其中，驱动扩张部的边缘和补偿接触孔的边缘在非接触数据区域中彼此分开。
在上述OLED显示器中，绝缘层包括：第一栅极绝缘层，覆盖半导体层；第二栅极绝缘层，覆盖扫描线；层间绝缘层，覆盖第二栅极绝缘层，其中，补偿接触孔穿透第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层以及层间绝缘层。
根据所公开的实施例中的至少一个，通过在半导体层之中在与接触孔对应的位置处形成具有比狭窄半导体部大的宽度的扩张半导体部，可以在扩张半导体部中充分地获得电流移动路径。因此，可以防止由于层间取向误差而会通过用于数据金属线的蚀刻剂穿过接触孔的渗透产生的扩张半导体部的开口。
因此，在高分辨率结构中可以防止邻近像素之间的不均匀照明。
附图说明
图1是根据示例性实施例的OLED显示器的像素的等效电路图。
图2是根据示例性实施例的施加到OLED显示器的像素的信号的时序图。
图3是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的多个像素的示意性布局图。
图4是形成根据示例性实施例的OLED显示器的红像素、绿像素和蓝像素的晶体管和电容器的示意性布局图。
图5是图4的一个像素的详细布局图。
图6是图4中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图7是当产生层间取向误差使得数据金属线移位到右侧时图6中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图8是当产生层间取向误差使得数据金属线移位到左侧时图6中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图9是沿着线IX-IX截取的图5的OLED显示器的剖视图。
图10是沿着线X-X和X'-X'截取的图5的OLED显示器的剖视图。
图11是沿着线XI-XI截取的图7的OLED显示器的剖视图。
图12是根据另一示例性实施例的OLED显示器的红像素和绿像素的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图13是当在图12中产生层间取向误差时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图14是根据另一示例性实施例的OLED显示器的红像素和绿像素的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
图15是当在图14中产生层间取向误差时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出公开的示例性实施例的附图更全面地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，在都不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
附图和描述将被视为本质上是说明性的，而不是限制性的。在整个说明书中，同样的标号指定同样的元件。
此外，因为为了更好的理解和便于描述而任意地给出附图中示出的组成构件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。在附图中，为了清楚而夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好的理解和便于描述，夸大一些层和区域的厚度。
另外，除非明确地给出相反的描述，否则词语“包括”及其诸如“包含”或“包含……的”的变型将被理解为意指包含所述元件但不排除任何其他元件。此外，在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在其他元件上，或者也可存在中间元件。在整个该说明书中，理解的是，术语“在……上”及相似术语被一般地使用而不是必然地与重力基准相关。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”意为从上方观察对象部分时，短语“在剖视图中”意为从侧面观察通过竖直地切割对象部分而截取的横截面时。
在附图中，有源矩阵(AM)型有机发光二极管(OLED)显示器示出为具有对一个像素设置七个晶体管和两个电容器的7Tr-2Cap结构，但本公开不限于此。因此，在OLED显示器中，每个像素可以设置有多个晶体管和至少一个电容器，并且可以通过还形成附加的布线或者省略现有的布线而形成为具有各种结构。在这种情况下，像素是用于显示图像的最小单元，OLED显示器通过多个像素来显示图像。在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或在一些应用下对本领域技术人员而言达到任何显著程度的含义。术语“连接”可以包括电连接。
现在将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器。
图1是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的一个像素的等效电路图。
如图1中所示，OLED显示器包括多条信号线151、152、153、158、171、172和192以及按矩阵布置并连接到多条信号线的多个像素PX。
一个像素PX包括连接到多条信号线151、152、153、158、171、172和192的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
信号线151、152、153、158、171、172和192包括传递扫描信号Sn的扫描线151、向初始化晶体管T4传递前一扫描信号Sn-1的前一扫描线152、向操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6传递发光控制信号EM的发光控制线153、向旁路晶体管T7传递旁路信号BP的旁路控制线158、与扫描线151交叉并传递数据信号Dm的数据线171、传递驱动电压ELVDD并设置为与数据线171基本平行的驱动电压线172以及传递使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint的初始化电压线192。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一端Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线172，驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6电连接到OLED的阳极。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm以向OLED供应驱动电流Id。
开关晶体管T2的栅电极G2连接到扫描线151，开关晶体管T2的源电极S2连接到数据线171，开关晶体管T2的漏电极D2连接到驱动晶体管T1的源电极S1并经由操作控制晶体管T5与驱动电压线172连接。开关晶体管T2根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，以执行向驱动晶体管T1的源电极传递被传递到数据线171的数据信号Dm的开关操作。
补偿晶体管T3的栅电极G3直接连接到扫描线151，补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管T1的漏电极D1并经由发光控制晶体管T6与OLED的阳极连接，补偿晶体管T3的漏电极D3同时连接到存储电容器Cst的一端Cst1和初始化晶体管T4的漏电极D4以及驱动晶体管T1的栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，以连接驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1从而二极管连接驱动晶体管T1。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接到前一扫描线152，初始化晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压线192，初始化晶体管T4的漏电极D4通过补偿晶体管T3的漏电极D3同时连接到存储电容器Cst的一端Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1。初始化晶体管T4根据通过前一扫描线152接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以向驱动晶体管T1的栅电极G1传递初始化电压Vint，然后执行使驱动晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线153，操作控制晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线172，操作控制晶体管T5的漏电极D5连接到驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线153，第一发光控制晶体管T6的源电极S6连接到驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3，发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接到OLED的阳极。操作控制晶体管T5和第一发光控制晶体管T6根据传输到发光控制线153的发光控制信号EM而基本同时地(或同步地)导通，使得驱动电压ELVDD通过二极管连接的驱动晶体管T1得到补偿并传输到OLED。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线158，旁路晶体管T7的源电极S7同时连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和OLED的阳极。旁路晶体管T7的漏电极D7同时连接到初始化电压线192和初始化晶体管T4的源电极S4。在这种情况下，前一扫描线152连接到在前一像素(未示出)中传输扫描信号Sn的扫描线151，旁路控制线158与前一扫描线152对应使得旁路信号BP与前一扫描信号Sn-1相同。
存储电容器Cst的另一端Cst2连接到驱动电压线172，OLED的阴极连接到传递共电压ELVSS的共电压线741。
在本公开的示例性实施例中描述了包括旁路晶体管T7的7-晶体管和1-电容器的结构，然而，本公开不限于此，可以按各种方式改变晶体管的数量和电容器的数量。
在下文中，将参照图2详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的一个像素的详细操作过程。
图2是根据本公开的示例性实施例的施加到OLED显示器的一个像素的信号的时序图。
如图2中所示，首先，对于初始化时段，通过前一扫描线152供应具有低电平的前一扫描信号Sn-1。然后，初始化晶体管T4响应于具有低电平的前一扫描信号Sn-1而导通，初始化电压Vint通过初始化晶体管T4从初始化电压线192连接到驱动晶体管T1的栅电极G1，然后驱动晶体管T1被初始化电压Vint初始化。
此后，对于数据编程时段，通过扫描线151供应具有低电平的扫描信号Sn。然后，开关晶体管T2和补偿晶体管T3响应于具有低电平的扫描信号Sn而导通。此时，驱动晶体管T1通过导通的补偿晶体管T3而二极管连接并且沿正向方向偏压。
然后，从数据线171供应的数据信号Dm减少了驱动晶体管T1的阈值电压Vth而得到的补偿电压Dm+Vth(Vth为负(-)值)被施加到驱动晶体管T1的栅电极G1。即，施加到驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压Vg变为补偿电压(Dm+Vth)。
驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)被施加到存储电容器Cst的两个端子，与两个端子之间的电压差对应的电荷存储在存储电容器Cst中。
接着，在发光时段期间，从发光控制线153供应的发光控制信号EM从高电平改变成低电平。因此，在发光时段期间操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6被低电平的发光控制信号EM导通。
因此，根据驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压和驱动电压ELVDD之间的电压差产生驱动电流Id，并且驱动电流Id通过发光控制晶体管T6供应到OLED。对于发光时段，驱动晶体管T1的栅-源电压Vgs通过存储电容器Cst被保持为“(Dm+Vth)-ELVDD”，根据驱动晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id与通过从栅源电压中减去阈值电压而获得的值的平方“(Dm-ELVDD)2”成比例。因此，驱动电流Id是确定的而不管驱动晶体管T1的阈值电压Vth如何。
在这种情况下，旁路晶体管T7被传输来自旁路控制线158的旁路信号BP以导通。因此，驱动电流Id通过旁路晶体管T7部分地放电作为旁路电流Ibp。
当显示黑色图像的驱动晶体管T1的最小电流作为驱动电流流动时，如果也省略OLED，则黑色图像无法正常显示。因此，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的旁路晶体管T7可以将驱动晶体管T1的最小电流这部分经过OLED侧的电流路径旁边的其他电流路径作为旁路电流Ibp分散。这里，驱动晶体管T1的最小电流是指在驱动晶体管T1由于驱动晶体管T1的栅源电压Vgs比阈值电压Vth小而截止的条件下的电流。在驱动晶体管T1截止的条件下的最小驱动电流(例如，大约10pA或更小的电流)传递到OLED以表示为具有黑色亮度的图像。当表示黑色图像的最小驱动电流流动时，对旁路电流Ibp的旁路传递的影响很大，但当表示诸如正常图像或白色图像的图像的大驱动电流流动时，对旁路电流Ibp的影响可以很小。因此，当显示黑色图像的驱动电流流动时，减少了从驱动电流Id通过旁路晶体管T7流出的旁路电流Ibp的电流量的OLED的发光电流Ioled具有作为可以准确地表示黑色图像的电平的最小电流量。因此，通过使用旁路晶体管T7来准确地实现黑色亮度图像，从而改善对比率。在图2中，旁路信号BP与前一扫描信号Sn-1相同，但不必限于此。
接着，将参照图3描述形成有图1和图2中示出的OLED显示器的多个像素的结构。
图3是根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的多个像素的示意性布局图。
如图3中所示，与第二像素对应的多个绿像素G以预定的间隔设置成在第一行1N上分开，与第一像素对应的红像素R和与第三像素对应的蓝像素B交替地设置在与第一行1N相邻的第二行2N上，多个绿像素G设置为在相邻的第三行3N上以预定的间隔分开，蓝像素B和红像素R交替地设置在与第三行3N相邻的第四行4N上。重复这些像素的布置直到第N行为止。在这种情况下，蓝像素B和红像素R设置为比绿像素G大。
在这种情况下，设置在第一行1N中的绿像素G与设置在第二行2N上的红像素R和蓝像素B设置为不匹配。因此，红像素R和蓝像素B交替地设置在第一列1M上，绿像素G以预定的间隔设置为在与第一列1M相邻的第二列2M上分开，蓝像素B和红像素R交替地设置在与第二列2M相邻的第三列3M上，绿像素G以预定的间隔设置为在与第三列3M相邻的第四列4M上分开。重复这些像素的布置直到第M列为止。
前述的像素设置结构被称为像素排列(pentile)矩阵，通过采用共享相邻像素的渲染驱动来表示颜色可以实现具有少量像素的高清晰度。
现在，将参照图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11描述应用有图3中示出的这种像素布置的根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的详细结构。
图4是形成根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的红像素、绿像素和蓝像素的晶体管和电容器的示意性布局图。图5是图4的一个像素的详细布局图。图6是图4中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。图7是当产生层间取向误差使得数据金属线移位到右侧时图6中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。图8是当产生层间取向误差使得数据金属线移位到左侧时图6中的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。图9是沿着线IX-IX截取的图5的OLED显示器的剖视图。图10是沿着线X-X和X'-X'截取的图5的OLED显示器的剖视图。图11是沿着线XI-XI截取的图7的OLED显示器的剖视图。
在下文中，首先将参照图4、图5、图6、图7和图8详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示器的详细平面结构，并且将参照图9、图10和图11详细地描述详细的横截面结构。
如图4和图5中所示，根据本公开的示例性实施例的OLED显示器包括栅极金属线(151、152、153和158)，所述栅极金属线包括分别施加扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发光控制信号EM和旁路信号BP并且设置在行方向上的扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和旁路控制线158。在本示例性实施例中，旁路控制线158与前一扫描线152基本相同。
此外，还包括与扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153和旁路控制线158交叉并且分别向像素PX施加数据信号Dm和驱动电压ELVDD的数据线171和驱动电压线172。初始化电压Vint通过初始化晶体管T4从初始化电压线192传输到补偿晶体管T3。在交替地具有笔直部192a和倾斜部192b的同时设置初始化电压线192。笔直部192a设置为与扫描线121平行，倾斜部192b相对于笔直部192a以预定的角度延伸。
此外，像素PX设置有驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst和OLED。图4和图5中示出的像素PX可以与形成像素排列矩阵结构的红像素R、绿像素G和蓝像素B对应。
OLED包括像素电极191、有机发射层370和共电极270。在这种情况下，补偿晶体管T3和初始化晶体管T4由具有双栅极结构的晶体管构成以切断漏电流。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7中的每个沟道设置在可以各种形状弯曲的一个连接的半导体构件(或半导体层)130的内部。半导体构件130可以由多晶硅或氧化物半导体形成。氧化物半导体可以包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物以及它们的如下复合氧化物中的一种：铟-镓-锌氧化物(InGaZnO4)、铟-锌氧化物(In-Zn-O)、锌-锡氧化物(Zn-Sn-O)、铟-镓氧化物(In-Ga-O)、铟-锡氧化物(In-Sn-O)、铟-锆氧化物(In-Zr-O)、铟-锆-锌氧化物(In-Zr-Zn-O)、铟-锆-锡氧化物(In-Zr-Sn-O)、铟-锆-镓氧化物(In-Zr-Ga-O)、铟-铝氧化物(In-Al-O)、铟-锌-铝氧化物(In-Zn-Al-O)、铟-锡-铝氧化物(In-Sn-Al-O)、铟-铝-镓氧化物(In-Al-Ga-O)、铟-钽氧化物(In-Ta-O)、铟-钽-锌氧化物(In-Ta-Zn-O)、铟-钽-锡氧化物(In-Ta-Sn-O)、铟-钽-镓氧化物(In-Ta-Ga-O)、铟-锗氧化物(In-Ge-O)、铟-锗-锌氧化物(In-Ge-Zn-O)、铟-锗-锡氧化物(In-Ge-Sn-O)、铟-锗-镓氧化物(In-Ge-Ga-O)、钛-铟-锌氧化物(Ti-In-Zn-O)和铪-铟-锌氧化物(Hf-In-Zn-O)。在半导体构件130由氧化物半导体材料形成的情况下，可以增加用于保护易于受到诸如高温的外部环境影响的氧化物半导体材料的单独的钝化层。
半导体构件130包括：沟道，掺杂有N型杂质或P型杂质；源极掺杂部分和漏极掺杂部分，设置在沟道的相应侧处并掺杂有与掺杂在沟道上的掺杂杂质类型相反的掺杂杂质。在示例性实施例中，源极掺杂部分与源电极对应，漏极掺杂部分与漏电极对应。设置在半导体构件130中的源电极和漏电极可以通过仅掺杂相应的区域来形成。此外，在半导体构件130中，不同晶体管的源电极和漏电极之间的区域被掺杂，从而源电极和漏电极可以彼此电连接。
如图5中所示，沟道131包括设置在驱动晶体管T1中的驱动沟道131a、设置在开关晶体管T2中的开关沟道131b、设置在补偿晶体管T3中的补偿沟道131c、设置在初始化晶体管T4中的初始化沟道131d、设置在操作控制晶体管T5中的操作控制沟道131e、设置在发光控制晶体管T6中的发光控制沟道131f以及设置在旁路晶体管T7中的旁路沟道131g。
驱动晶体管T1包括驱动沟道131a、驱动栅电极155a、驱动源电极136a和驱动漏电极137a。驱动沟道131a可以是弯曲的，并且可以具有蜿蜒状或锯齿状。这样，通过形成弯曲的驱动沟道131a，驱动沟道131a可以设置成在狭窄空间中延伸。因此，驱动栅电极155a和驱动源电极136a之间的驱动栅源电压Vgs的驱动范围因延长的驱动沟道131a而增大。因为栅极电压的驱动范围增大，所以可以通过改变栅极电压的大小来精细地控制从OLED发射的光的灰阶，结果，可以提高OLED显示装置的分辨率并且可以改善显示质量。可以通过对驱动沟道131a的形状进行不同地修改来实现诸如“反S”、“S”、“M”和“W”的各种示例。
驱动栅电极155a与驱动沟道131a叠置。驱动源电极136a和驱动漏电极137a设置在驱动沟道131a的相应侧处以闭合。驱动栅电极155a通过接触孔61连接到驱动连接构件(或驱动连接器)174。驱动栅电极155a与栅极金属线对应，驱动连接构件174与数据金属线对应。
开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b和开关漏电极137b。作为从扫描线151向下延伸这部分的一部分的开关栅电极155b与开关沟道131b叠置。开关源电极136b和开关漏电极137b在彼此邻近的同时设置在开关沟道131b的相应侧处。开关源电极136b通过开关接触孔62连接到数据线171。
补偿晶体管T3包括补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c和补偿漏电极137c。作为扫描线151的一部分的补偿栅电极155c形成为两个以防止漏电流，并且与补偿沟道131c叠置。补偿源电极136c和补偿漏电极137c设置为与补偿沟道131c的相应侧邻近。补偿漏电极137c通过接触孔63连接到驱动连接构件174。
初始化晶体管T4包括初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d和初始化漏电极137d。作为前一扫描线152的一部分的初始化栅电极155d形成为两个以防止漏电流，并且与初始化沟道131d叠置。初始化源电极136d和初始化漏电极137d设置为与初始化沟道131d的相应侧邻近。初始化源电极136d通过接触孔64连接到初始化连接构件175。
操作控制晶体管T5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极155e、操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e。作为发光控制线153的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e叠置，操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e设置为与操作控制沟道131e的相应侧邻近。操作控制源电极136e通过接触孔65连接到从驱动电压线172延伸的部分。
发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f。作为发光控制线153的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f叠置。发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f设置为与发光控制沟道131f的相应侧邻近。发光控制漏电极137f通过接触孔66连接到像素连接构件179。
旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g和旁路漏电极137g。作为旁路控制线158的一部分的旁路栅电极155g与旁路沟道131g叠置，旁路源电极136g和旁路漏电极137g设置为与旁路沟道131g的相应侧邻近。
旁路源电极136g直接连接到发光控制漏电极137f，旁路漏电极137g直接连接到初始化源电极136d。
驱动晶体管T1的驱动沟道131a的一端连接到开关漏电极137b和操作控制漏电极137e。驱动沟道131a的另一端连接到补偿源电极136c和发光控制源电极136f。
如图6中所示，半导体构件130包括具有第一宽度d2的狭窄半导体部(或狭窄半导体层)31以及具有比第一宽度d2大的第二宽度d1的扩张半导体部(或扩张半导体层)32。狭窄半导体部31与沟道131以及源电极和漏电极的大部分对应。
扩张半导体部32包括：第一扩张半导体部32a，使补偿漏电极137c和初始化漏电极137d彼此连接；第二扩张半导体部32b，与数据线171叠置。
补偿接触孔63在平面上位于第一扩张半导体部32a中，开关接触孔62位于第二扩张半导体部32b中。补偿接触孔63在平面上设置在第一扩张半导体部32a和驱动连接构件174彼此交叉的位置处，开关接触孔62在平面上设置在第二扩张半导体部32b和数据线171彼此叠置的位置处。
第一扩张半导体部32a的宽度d1可以比狭窄半导体部31的宽度d2大。此外，第一扩张半导体部32a的边缘将补偿接触孔63的边缘围住。即，第一扩张半导体部32a包括与补偿接触孔63叠置的第一接触半导体区域P1和不与补偿接触孔63叠置的第一非接触半导体区域Q1。第一扩张半导体部32a的边缘和补偿接触孔63的边缘在第一非接触半导体区域Q1中彼此分开。第一非接触半导体区域Q1位于使补偿漏电极137c与初始化漏电极137d彼此连接的最短路径A上。最短路径A在补偿接触孔63的前面经过。因此，可以通过设置在第一扩张半导体部32a中的第一非接触半导体区域Q1充分地获得电流移动路径。
第二扩张半导体部32b的宽度d3可以比狭窄半导体部的宽度d2大。即，第二扩张半导体部32b包括与开关接触孔62叠置的第二接触半导体区域P2和不与开关接触孔62叠置的第二非接触半导体区域Q2。第二扩张半导体部32b的边缘和开关接触孔62的边缘在第二非接触半导体区域Q2中彼此分开。因此，可以通过设置在第二扩张半导体部32b中的第二非接触半导体区域Q2充分地获得电流移动路径。
图7示出当产生层间取向误差使得数据金属线移动到图6中的右侧时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
如图7中所示，在高分辨率结构的制造工艺期间会容易地产生层间取向误差。当产生层间取向误差时，驱动连接构件174和数据线171相对于设置在原始设计上的位置向右侧移位了预定间隔t1。因此，驱动连接构件174的一端不完全地覆盖补偿接触孔63使得补偿接触孔63的一部分暴露在外面。蚀刻剂通过暴露的补偿接触孔63渗透使得第一扩张半导体部32a的部分受损。然而，即使第一扩张半导体部32a的第一接触半导体区域P1受损，第一非接触半导体区域Q1也不受损，从而获得补偿漏电极137c与初始化漏电极137d之间的电流移动路径A。电流移动路径与最短路径A对应。
如上所述，在补偿接触孔63的前面经过并且与最短路径对应的第一非接触半导体区域Q1设置在被设置在与补偿接触孔63对应的位置处的第一扩张半导体部32a中，从而在第一扩张半导体部32a中充分地获得电流移动路径。因此，可以防止由于层间取向误差而会通过用于数据金属线的蚀刻剂穿过补偿接触孔63的渗透产生的第一扩张半导体部32a的开口。因此，可以在高分辨率结构中防止邻近像素之间的不均匀照明。
图8示出当产生层间取向误差使得数据金属线移动到图6中的左侧时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
如图8中所示，当在高分辨率结构的制造工艺中产生层间取向误差时，驱动连接构件174和数据线171相对于设置在原始设计上的位置向左侧移位了预定间隔t2。因此，数据线171不完全地覆盖开关接触孔62使得开关接触孔62的一部分暴露在外面。蚀刻剂通过暴露的开关接触孔62渗透使得第二扩张半导体部32b的一部分受损。然而，即使第二扩张半导体部32b的第二接触半导体区域P2被蚀刻剂损害，第二非接触半导体区域Q2也不受损，从而获得数据线171与开关源电极136b之间的电流移动路径B。
如上所述，设置在与开关接触孔62对应的位置处的第二扩张半导体部32b的宽度d3比狭窄半导体部的宽度d2大，从而在第二扩张半导体部32b中充分地获得电流移动路径。因此，可以防止由于层间取向误差而会通过用于数据金属线的蚀刻剂穿过开关接触孔62的渗透产生的第二扩张半导体部32b的开口。因此，在高分辨率结构中，可以防止邻近像素之间的不均匀照明。
另一方面，电容器Cst包括第一存储电极155a和第二存储电极156，并使第二栅极绝缘层142设置在第一存储电极155a和第二存储电极156之间。第一存储电极155a与驱动栅电极155a对应。并且，第二存储电极156为从存储线157延伸的部分并且占据比驱动栅电极155a的区域更宽的区域并完全地覆盖驱动栅电极155a。
这里，第二栅极绝缘层142为介电材料，存储电容由充在存储电容器Cst中的电荷以及电极155a和156二者之间的电压来确定。这样，驱动栅电极155a用作第一存储电极155a，从而可以在由于驱动沟道131a在像素内占据大区域而变窄的空间中确保可设置存储电容器的空间。
作为驱动栅电极155a的第一存储电极155a通过驱动接触孔61连接到驱动连接构件174的一端。存储开口51为设置在第二存储电极156中的开口。因此，连接驱动连接构件174的一端与驱动栅电极155a的驱动接触孔61设置在存储开口51的内部。驱动连接构件174与数据线171设置在同一层上以与数据线171基本平行。并且，驱动连接构件174的另一端通过补偿接触孔63连接到补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。因此，驱动连接构件174使驱动栅电极155a与补偿晶体管T3的补偿漏电极137c和初始化晶体管T4的初始化漏电极137d彼此连接。
第二存储电极156通过接触孔69连接到驱动电压线172。
因此，存储电容器Cst存储与通过驱动电压线172传输到第二存储电极156的驱动电压ELVDD和驱动栅电极155a的栅极电压Vg之间的差对应的存储电容。
像素连接构件179通过接触孔81连接到像素电极191。并且，初始化连接构件175通过接触孔82连接到初始化电压线192。
在下文中，将参照图9、图10和图11根据堆叠顺序详细地描述根据本公开的示例性实施例的OLED显示装置的剖视结构。
在这种情况下，因为操作控制晶体管T5的堆叠结构与发光控制晶体管T6的结构大多相同，所以将省略对其详细的描述。
缓冲层120可以设置在绝缘基底110上。绝缘基底110可以由诸如玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘材料形成。缓冲层120在用于形成多晶半导体的结晶工艺期间阻挡来自绝缘基底110的杂质，以用于改善多晶半导体的特性并且减小作用于绝缘基底110的应力。
半导体构件130设置在缓冲层120上。半导体构件130包括具有驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e、发光控制沟道131f和旁路沟道131g的沟道131。在半导体构件130中驱动源电极136a和驱动漏电极137a设置在驱动沟道131a的相应侧上。开关源电极136b和开关漏电极137b设置在开关沟道131b的相应侧上。补偿源电极136c和补偿漏电极137c设置在补偿沟道131c的两侧处。初始化源电极136d和初始化漏电极137d设置在初始化沟道131d的两侧处。操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e设置在操作控制沟道131e的两侧处，发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f设置在发光控制沟道131f的两侧处。旁路源电极136g和旁路漏电极137g设置在旁路沟道131g的相应侧处。
半导体构件130包括具有第一宽度d2的狭窄半导体部31和具有比第一宽度d2大的第二宽度d1的扩张半导体部32。狭窄半导体部31与沟道131以及源电极和漏电极的大部分对应。扩张半导体部32包括：第一扩张半导体部32a，连接补偿漏电极137c与初始化漏电极137d；第二扩张半导体部32b，与数据线171叠置。第一扩张半导体部32a的宽度d1可以比狭窄半导体部的宽度d2大。
覆盖半导体构件130的第一栅极绝缘层141设置在半导体构件130上。包括开关栅电极155b、具有补偿栅电极155c的扫描线151、具有初始化栅电极155d的前一扫描线152、具有操作控制栅电极155e和发光控制栅电极155f的发光控制线153、具有旁路栅电极155g的旁路控制线158以及驱动栅电极(第一存储电极)155a的第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)设置在第一栅极绝缘层141上。
覆盖第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)和第一栅极绝缘层141的第二栅极绝缘层142设置在第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)和第一栅极绝缘层141上。第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
包括与扫描线151平行的存储线157和作为存储线157的扩张部的存储电极156的第二栅极金属线(157和156)设置在第二栅极绝缘层142上。
第二存储电极156比用作驱动栅电极的第一存储电极155a宽，使得第二存储电极156完全覆盖驱动栅电极155a。
包括第一栅极金属线(151、152、153、158和155a)和第二栅极金属线(156和157)的栅极金属线(151、152、153、158、155a、156和157)可以形成为堆叠有由铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任意材料形成的金属层的多层。
层间绝缘层160设置在第二栅极绝缘层142和第二栅极金属线(157和156)上。层间绝缘层160可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
层间绝缘层160具有接触孔61、62、63、64、65、66和69。包括数据线171、驱动电压线172、驱动连接构件174、初始化连接构件175和像素连接构件179的数据金属线(171、172、174、175和179)设置在层间绝缘层160上。数据金属线(171、172、174、175和179)可以形成为堆叠有包括钛(Ti)、铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任意材料的金属层的多层。例如，数据金属线(171、172、174、175和179)可以形成为钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层、钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的三层或者钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层。
数据线171通过设置在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的开关接触孔62连接到开关源电极136b。驱动连接构件174的一端通过设置在第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的驱动接触孔61连接到第一存储电极155a。并且，驱动连接构件174的另一端通过设置在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的补偿接触孔63连接到补偿漏电极137c和初始化漏电极137d。
与数据线171基本平行的初始化连接构件175通过设置在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的初始化接触孔64连接到初始化源电极136d。此外，像素连接构件179通过设置在第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间绝缘层160中的发光控制接触孔66连接到发光控制漏电极137f。
覆盖数据金属线(171、172、174、175和179)和层间绝缘层160的钝化层180设置在数据金属线(171、172、174、175和179)和层间绝缘层160上。钝化层180覆盖数据金属线(171、172、174、175和179)以使其平坦，使得像素电极191可以设置在钝化层180上而不具有台阶。钝化层180可以由诸如聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂等的有机材料的堆叠层或者有机材料和无机材料的堆叠层形成。
像素电极191和初始化电压线192设置在钝化层180上。像素连接构件179通过设置在钝化层180中的接触孔81连接到像素电极191。初始化连接构件175通过设置在钝化层180中的接触孔82连接到初始化电压线192。
覆盖钝化层180、初始化电压线192以及像素电极191的边缘的像素限定层(PDL)350设置在钝化层180、初始化电压线192以及像素电极191的边缘上。像素限定层350具有暴露像素电极191的像素开口351。像素限定层350可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂等的有机材料以及硅石基有机材料形成。
有机发射层370设置在通过像素开口351暴露的像素电极191上，共电极270设置在有机发射层370上。共电极270也设置在多个像素PX上方的像素限定层350上。这样，形成包括像素电极191、有机发射层370和共电极270的OLED。
这里，像素电极191是作为空穴注入电极的阳极，并且共电极270是作为电子注入电极的阴极。然而，根据本公开的示例性实施例不必限制于此，根据可折叠显示装置的驱动方法，像素电极191可以是阴极并且共电极270可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极191和共电极270注入到有机发射层370中。并且，通过使注入的空穴和电子结合而产生的激子从激发态降到基态。
有机发射层370由低分子有机材料或诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)的高分子有机材料形成。此外，有机发射层370可以形成有包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种的多层。当有机发射层370包括所有层时，空穴注入层设置在作为正电极的像素电极191上。空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层顺序地层叠在空穴注入层上。
有机发射层370可以包括发射红光的红有机发射层、发射绿光的绿有机发射层和发射蓝光的蓝有机发射层。红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层分别设置在红像素、绿像素和蓝像素处以实现彩色图像。
此外，在有机发射层370中，红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层均在红像素、绿像素和蓝像素上层叠在一起。为每个像素形成红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器以实现彩色图像。作为另一示例，发射白光的白有机发射层形成在红像素、绿像素和蓝像素中的所有像素上。并且，为每个像素形成红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器以实现彩色图像。当通过使用白有机发射层和滤色器来实现彩色图像时，在一些实施例中，不使用用于分别在单独的像素(即，红像素、绿像素和蓝像素)上沉积红有机发射层、绿有机发射层和蓝有机发射层的沉积掩模。
在另一示例中描述的白有机发射层可以通过一个有机发射层形成，并且可以包括可以通过使多个有机发射层层叠来发射白光的构造。作为示例，白有机发射层包括能够通过使至少一个黄有机发射层和至少一个蓝有机发射层结合来发射白光的构造。白有机发射层可以包括能够通过使至少一个青有机发射层和至少一个红有机发射层结合来发射白光的构造，能够通过使至少一个品红有机发射层和至少一个绿有机发射层结合来发射白光的构造等。
保护OLED的包封构件(未示出)可以设置在共电极270上。包封构件可以通过密封剂密封到基底110并且可以由诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金属的各种材料形成。薄膜包封层可以通过沉积无机层和有机层并使用密封剂来设置在共电极270上。
在示例性实施例中，第一非接触半导体区域位于在补偿接触孔的前面经过的最短路径上，但作为另一示例性实施例，第一非接触半导体区域可以位于在补偿接触孔后面的迂回路径上。
接着，将参照图12和图13描述根据本公开的另一示例性实施例的OLED显示器。
图12是根据本公开的另一示例性实施例的OLED显示器的红像素和绿像素的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。图13是当在图12中产生层间取向误差时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
除了位于在补偿接触孔后面的迂回路径上的第一非接触半导体区域之外，图12和图13中示出的示例性实施例与图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11中示出的示例性实施例基本相同，从而省略重复的描述。
如图12中所示，根据本公开的当前示例性实施例的OLED显示器的第一扩张半导体部32a的宽度d1可以比狭窄半导体部的宽度d2大。此外，第一扩张半导体部32a的边缘将补偿接触孔63的边缘围住。即，第一扩张半导体部32a包括与补偿接触孔63叠置的第一接触半导体区域P1和不与补偿接触孔63叠置的第一非接触半导体区域Q1。第一扩张半导体部32a的边缘和补偿接触孔63的边缘在第一非接触半导体区域Q1中彼此分开。第一非接触半导体区域Q1位于在补偿接触孔63后面的迂回路径C上。因此，可以通过设置在第一扩张半导体部32a中的第一非接触半导体区域Q1充分地获得电流移动路径。
图13是当产生层间取向误差使得数据金属线移位到图12中的右侧时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
如图13所示，当在高分辨率结构的制造工艺中产生层间取向误差时，驱动连接构件174和数据线171相对于设置在原始设计上的位置向右侧移位了预定间隔t1。因此，驱动连接构件174的一端不完全地覆盖补偿接触孔63，使得补偿接触孔63的一部分暴露。蚀刻剂穿过暴露的补偿接触孔63渗透，使得第一扩张半导体部32a的部分受损。然而，即使第一扩张半导体部32a的第一接触半导体区域P1受损，第一非接触半导体区域Q1也不受损，从而获得补偿漏电极137c与初始化漏电极137d之间的电流移动路径。电流移动路径与在补偿接触孔63后面的迂回路径C对应。
如上所述，通过在与补偿接触孔63对应的位置处设置的第一扩张半导体部32a中形成与补偿接触孔63后面的迂回路径C对应的第一非接触半导体区域Q1，可以在第一扩张半导体部32a中充分地获得电流移动路径。因此，可以防止由于层间取向误差而会通过用于数据金属线的蚀刻剂穿过补偿接触孔63的渗透产生的第一扩张半导体部32a的开口。因此，在高分辨率结构中可以防止邻近像素之间的不均匀照明。
另一方面，在示例性实施例中，为了防止半导体构件的开口，扩张半导体部的宽度比狭窄半导体部的宽度大，而作为另一示例性实施例，扩张数据金属部的宽度可以比数据金属部的宽度大以防止半导体构件的开口。
接着，将参照图14和图15描述根据本公开的另一示例性实施例的OLED显示器。
图14是根据本公开的另一示例性实施例的OLED显示器的红像素和绿像素的开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。图15是当在图14中产生层间取向误差时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
除了具有比正常数据金属部的宽度大的宽度的扩张数据金属部之外，图14和图15中示出的示例性实施例与图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11中示出的示例性实施例相同，从而省略重复的描述。
如图14和图15中所示，作为根据本公开的当前示例性实施例的OLED显示器的数据金属线(171、172、174、175和179)的一部分，驱动连接构件174包括：驱动连接部分174b，作为具有第一宽度d4的正常数据金属部；驱动扩张部174a，作为具有比第一宽度d4大的第二宽度d5的扩张数据金属部。
正常数据金属部174b与诸如数据线171和驱动电压线172的数据金属线的大部分对应。
半导体构件130包括：弯曲半导体部33，设置在与补偿接触孔63对应的位置处并且形成有弯曲形状；半导体带部34，形成有带状。弯曲半导体部33在平面上与驱动扩张部174a叠置。
驱动扩张部174a的边缘将补偿接触孔63的边缘围住。即，驱动扩张部174a包括与补偿接触孔63叠置的接触数据区域P3以及不与补偿接触孔63叠置的非接触数据区域Q3。驱动扩张部174a的边缘与补偿接触孔63的边缘在非接触数据区域Q3中分开。因此，可以通过设置在驱动扩张部174a中的非接触数据区域Q3来充分地获得电流移动路径。
图15示出当产生层间取向误差使得驱动连接构件移位到图14中的右侧时开关晶体管T2和补偿晶体管T3的放大布局图。
如图15中所示，当在高分辨率结构的制造工艺中产生层间取向误差时，驱动连接构件174和数据线171相对于设置在原始设计上的位置向右侧移位了预定间隔t1。
因此，绿像素G的驱动扩张部174a不完全地覆盖补偿接触孔63，使得补偿接触孔63的一部分暴露在外面。蚀刻剂穿过暴露的补偿接触孔63渗透，使得弯曲半导体部33的部分受损。然而，即使弯曲半导体部33的部分被蚀刻剂损害，也在绿像素G中获得补偿漏电极137c与初始化漏电极137d之间的电流移动路径D。
在这种情况下，驱动连接构件174的驱动扩张部174a的宽度d5比驱动连接部分174b的宽度d4大。驱动扩张部174a还通过非接触数据区域Q3将补偿接触孔63围住，使得红像素R的驱动扩张部174a事实上完全地覆盖补偿接触孔63，从而红像素R的弯曲半导体部33不被蚀刻剂损害。
因此，可以防止由于层间取向误差而会通过用于数据金属线的蚀刻剂穿过补偿接触孔63的渗透产生的弯曲半导体部33的开口。因此，可以防止在高分辨率结构中邻近像素之间的不均匀照明。
虽然已经结合目前被视为是实际示例性实施例的内容描述了发明技术，但要理解的是，本公开不限于所公开的实施例，而是相反，意在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
半导体层，位于所述基底上，其中，所述半导体层是非线性的；
栅极金属线，位于所述半导体层上并具有扫描线；
绝缘层，覆盖所述半导体层和所述栅极金属线并且具有连接到所述半导体层的多个接触孔；
数据金属线，位于所述绝缘层上并具有数据线、驱动电压线和驱动连接器；
开关晶体管，电连接到所述扫描线和所述数据线；
驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管，并且包括所述半导体层的一部分作为驱动沟道、在所述有机发光二极管显示器的深度尺寸上与所述驱动沟道叠置的驱动栅电极以及位于所述驱动沟道的端部处的驱动源电极和驱动漏电极；
补偿晶体管，包括所述半导体层的另一部分作为补偿沟道、在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上与所述补偿沟道叠置的补偿栅电极以及位于所述补偿沟道的相对端处的补偿源电极和补偿漏电极，其中，所述补偿源电极电连接到所述驱动漏电极；以及
有机发光二极管，电连接到所述驱动晶体管，
其中，所述多个接触孔包括补偿接触孔，所述补偿接触孔位于所述驱动连接器和所述半导体层在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上彼此叠置处，
其中，所述驱动连接器电连接到所述驱动栅电极并且经由所述补偿接触孔电连接到所述补偿漏电极，使得所述驱动连接器将所述补偿漏电极电连接到所述驱动栅电极，并且
其中，所述半导体层包括具有第一宽度的狭窄半导体部和与所述补偿接触孔邻近形成并具有比所述第一宽度大的第二宽度的扩张半导体部，所述扩张半导体部具有三角形形状。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述扩张半导体部将所述补偿接触孔围住。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述扩张半导体部包括与所述补偿接触孔在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上叠置的接触半导体区域和不与所述补偿接触孔在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上叠置的非接触半导体区域，其中，所述扩张半导体部的边缘与所述补偿接触孔的边缘在所述非接触半导体区域中分开。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
前一扫描线，与所述扫描线平行并且构造为传输前一扫描信号；
初始化电压线，构造为传输初始化电压，所述初始化电压被配置为使所述驱动晶体管初始化；以及
初始化晶体管，构造为基于所述前一扫描信号而导通并且包括初始化沟道以及初始化栅电极、初始化源电极和初始化漏电极，
其中，所述扫描线构造为传输扫描信号，
其中，所述数据线和所述驱动电压线与所述扫描线交叉，并且构造为分别传输数据电压和驱动电压，并且
其中，所述扩张半导体部构造为将所述补偿漏电极电连接到所述初始化漏电极。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述半导体层还包括与所述数据线叠置的第二扩张半导体部。
6.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
半导体层，位于所述基底上，其中，所述半导体层是非线性的；
栅极金属线，位于所述半导体层上并具有扫描线；
绝缘层，覆盖所述半导体层和所述栅极金属线并且具有连接到所述半导体层的多个接触孔；
数据金属线，位于所述绝缘层上并具有数据线、驱动电压线和驱动连接器；
开关晶体管，电连接到所述扫描线和所述数据线；
驱动晶体管，电连接到所述开关晶体管，并且包括所述半导体层的一部分作为驱动沟道、在所述有机发光二极管显示器的深度尺寸上与所述驱动沟道叠置的驱动栅电极以及位于所述驱动沟道的端部处的驱动源电极和驱动漏电极；
补偿晶体管，包括所述半导体层的另一部分作为补偿沟道、在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上与所述补偿沟道叠置的补偿栅电极以及位于所述补偿沟道的相对端处的补偿源电极和补偿漏电极，其中，所述补偿源电极电连接到所述驱动漏电极；以及
有机发光二极管，电连接到所述驱动晶体管，
其中，所述多个接触孔包括补偿接触孔，所述补偿接触孔位于所述驱动连接器和所述半导体层在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上彼此叠置处，
其中，所述驱动连接器电连接到所述驱动栅电极并且经由所述补偿接触孔电连接到所述补偿漏电极，使得所述驱动连接器将所述补偿漏电极电连接到所述驱动栅电极，
其中，所述驱动连接器包括具有第一宽度的正常数据金属部和与所述补偿接触孔邻近形成并具有比所述第一宽度大的第二宽度的扩张数据金属部，
其中，在所述扩张数据金属部的第一侧上的所述半导体层的延伸方向与在所述扩张数据金属部的第二侧上的所述半导体层的延伸方向垂直，并且
其中，所述扩张数据金属部具有在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上不与所述半导体层叠置的部分。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述扩张数据金属部将所述补偿接触孔围住。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述半导体层包括与所述补偿接触孔邻近形成的弯曲半导体部和具有线形的半导体带部，其中，所述弯曲半导体部与所述扩张数据金属部在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上叠置。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，所述扩张数据金属部包括与所述补偿接触孔在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上叠置的接触数据区域和不与所述补偿接触孔在所述有机发光二极管显示器的所述深度尺寸上叠置的非接触数据区域，其中，所述扩张数据金属部的边缘和所述补偿接触孔的边缘在所述非接触数据区域中彼此分开。
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