JPH11133463A

JPH11133463A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器

Info

Publication number: JPH11133463A
Application number: JP31656797A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Otani; 久大谷; Yoshiharu Hirakata; 吉晴平形
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1997-10-31
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】高精細かつ高コントラストのアクティブマト
リクス型液晶表示装置を実現する。【解決手段】画素マトリクス回路を構成する画素内に
おいて、スイッチング素子と補助容量とを重ねることで
遮光すべき面積を縮小する。また、ラビング方向と画素
内の横方向電界の向きを考慮してディスクリネーション
の発生箇所を予測し、そこにスイッチング素子を配置し
てディスクリネーションの遮光とスイッチング素子の遮
光とをできるだけ省スペースで行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦ
Ｔと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置の画素領域の回路構成・配置に関する。特に、補助
容量の構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、安価なガラス基板上にＴＦＴを作
製する技術が急速に発達してきている。その理由は、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（以下、ＡＭＬＣＤ
と呼ぶ）の需要が高まったことにある。

【０００３】ＡＭＬＣＤはマトリクス状に配置された数
十〜数百万個もの各画素のそれぞれにＴＦＴを配置し、
各画素電極に出入りする電荷をＴＦＴのスイッチング機
能により制御するものである。

【０００４】各画素電極と対向電極との間には液晶が挟
み込まれ、一種のコンデンサを形成している。従って、
ＴＦＴによりこのコンデンサへの電荷の出入りを制御す
ることで液晶の電気光学特性を変化させ、液晶パネルを
透過する光を制御して画像表示を行うことができる。

【０００５】この様な液晶を用いた表示装置に特有の現
象としてディスクリネーションと呼ばれる現象がある。
液晶は画素電極と対向電極との間にある規則性をもった
配向性をもって配列しているが、電極表面の凹凸やラビ
ング不良に起因して配向性が乱れる場合がある。

【０００６】この場合、正常なドメイン（領域）とそれ
とは逆向きに配向した領域（リバースチルトドメイン）
との間では液晶分子が光シャッタとして機能せず、光漏
れなどの表示不良を起こす。この時、正常なドメインと
リバースチルトドメインとの境界に現れる光漏れがディ
スクリネーションである。

【０００７】この様なディスクリネーションは表示コン
トラストを低下させるため、発生箇所領域をブラックマ
スクで隠すという手段がとられている。しかしながら、
ディスクリネーションは液晶の僅かな配向不良から発生
するため、発生箇所の予測が難しい。また、ブラックマ
スクを設けることでディスクリネーションを隠すことは
できても、その分、実効的な画素面積（有効画素面積）
が小さくなるという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、リバースチ
ルトドメインは主に電界の乱れ（代表的には横方向の電
界）に起因して液晶分子が正常な状態とは逆のプレチル
ト角で配向した領域である。このリバースチルトドメイ
ンは電界分布が把握できれば発生箇所の予測が比較的容
易であると言える。

【０００９】そこで、本願発明ではリバースチルトドメ
インの形成箇所を特定の領域に制御し、ディスクリネー
ションの発生箇所を制限する。そして、ブラックマスク
の占有面積を縮小化することで有効画素面積を拡大し、
高精細かつ高コントラストなＡＭＬＣＤを実現すること
を課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、少なくとも一つのスイッチング素子と補助容
量とを具備する画素がマトリクス状に設けられたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置であって、前記スイッチ
ング素子の活性層に接続されたソース配線及び当該ソー
ス配線と同一層のドレイン電極と、前記ソース配線及び
ドレイン電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に
形成された導電層と、を構成に含み、前記ドレイン電極
と前記導電層は、前記絶縁層の一部を誘電体とする補助
容量を前記活性層及びゲイト電極と重畳する位置に形成
していることを特徴とする。

【００１１】また、他の発明の構成は、少なくとも一つ
のスイッチング素子と補助容量とを具備する複数の画素
がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、前記スイッチング素子のゲイト配
線と、前記ゲイト配線の上方に形成されたソース配線及
び当該ソース配線と同一層のドレイン電極と、前記ソー
ス配線及びドレイン電極上に形成された絶縁層と、前記
絶縁層上に形成された導電層と、前記導電層の上方に形
成された画素電極及び配向膜と、を構成に含み、前記ス
イッチング素子及び補助容量は、前記画素内において最
も早くラビング処理が行われる角部に配置されることを
特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】本願発明の実施形態について図１
を用いて説明する。図１に示すのは本願発明の構成を有
するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画
素マトリクス回路を構成する画素の一つを拡大した図で
ある。

【００１３】図１（Ａ）において、１０１は蛇行パター
ンに加工された結晶性珪素膜でなる活性層、１０２はゲ
イト配線であり、ゲイト配線１０２のうちゲイト絶縁膜
を介して活性層上に配置された部分はゲイト電極として
機能する。

【００１４】また、ゲイト配線１０２の上には層間絶縁
膜を介してソース配線１０３、ドレイン電極１０４が形
成される。ソース配線１０３はコンタクトホール１０５
で活性層１０１のソース領域と接続し、ドレイン電極１
０４はコンタクトホール１０６によって活性層１０１の
ドレイン領域と接続する。

【００１５】なお、本明細書中では、図１（Ａ）におい
て１０７で示される領域内に構成された素子をスイッチ
ング素子（代表的にはＴＦＴ、ＭＩＭ素子でも良い）と
呼ぶ。即ち、この後で形成されるブラックマスクや画素
電極等はスイッチング素子の構造には含まない。

【００１６】また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の配置構成
にブラックマスク（ＢＭ）１０８を重ねた図である。ブ
ラックマスク１０８は各配線やスイッチング素子及びデ
ィスクリネーションを隠すために配置される。

【００１７】この時、１０９（太線）で示される領域が
補助容量（Ｃｓ）を形成する領域となる。補助容量１０
９はドレイン電極１０４とブラックマスク１０８とを上
下電極として構成し、その間の絶縁層を誘電体として利
用する。本願発明では補助容量１０９をスイッチング素
子１０７の上方に形成する点が特徴である。

【００１８】スイッチング素子１０７も補助容量１０９
も結局はブラックマスク１０８で隠す必要があるため、
同一領域に重ねた方が有効画素面積を増やす上で非常に
有効である。なお、有効画素面積とは、実際に画像表示
領域として機能しうる領域のことを指す。

【００１９】また、本願発明は補助容量１０９の誘電体
の形成方法に特徴がある。図２に示すのは、図１（Ｂ）
における補助容量１０９の断面構造である。図２におい
て、２００は絶縁表面を有する基板、２０１は活性層、
２０２は第１の絶縁層（ゲイト絶縁膜を含む）、２０３
はドレイン電極、２０４は窒化珪素膜、２０５は酸化珪
素膜、２０６は有機性樹脂膜である。

【００２０】有機性樹脂膜２０６はエッチングにより凹
部２０７が形成され、有機性樹脂膜２０６及び凹部２０
７を被覆する様にしてブラックマスク２０８が形成され
る。そのため、凹部２０７では底面の絶縁層（窒化珪素
膜２０４、酸化珪素膜２０５）のみを介してドレイン電
極２０３とブラックマスク２０８とが近接し、その絶縁
層を誘電体とする補助容量２０９が形成される。

【００２１】また、図１（Ｂ）において、１１０はドレ
イン電極１０４と画素電極（図示せず）とのコンタクト
部である。この様に、ブラックマスク１０８上には層間
絶縁膜を介して画素電極が設けられ、その上に配向膜が
形成される。

【００２２】本願発明の他の特徴としては、配向膜に対
するラビングの方向（以下、断りがない限り、素子形成
側の基板に対するラビングの方向を指す）を考慮してス
イッチング素子を配置を設計している点が挙げられる。

【００２３】図３（Ａ）に示す様に、ラビング工程とは
円周面にバフ布等を設けたローラー３０２を用いて配向
膜３０１に微小な溝を形成する工程である。この時、回
転するローラー３０２に対して逆行する様な形で基板が
移動する（又はローラーが移動する）ことになる。

【００２４】この様な過程で配向膜３０１の表面（ラビ
ング処理後の配向膜面）３０３には、のこぎりの歯の様
な形状の非常に微細な溝が形成される。液晶分子はこの
溝に沿って配列することで規則的な配向性を有すること
になるが、模式的に図示すると配向膜３０１付近では図
３（Ｂ）に示す様な状態に配列される。３０４は配列し
た液晶分子である。

【００２５】本明細書中でラビング方向と呼ぶ方向は、
図３（Ａ）に示すラビング方向であり、ローラー３０２
の移動方向に一致し、基板の移動方向とは逆である。な
お、ＡＭＬＣＤが完成した後も液晶分子の配列状態（プ
レチルト角、長軸方向等）によってラビング方向を判別
することは可能である。視覚的にも視野角依存性などか
ら液晶分子の配向状態、即ちラビング方向は判別でき
る。

【００２６】ここで図１（Ｂ）では画素に対して左斜め
上から右斜め下に向かう様な方向にラビングが施されて
いる。この時、画素内において最も早くラビング処理が
始まる角部にスイッチング素子１０７及び補助容量１０
９の配置される点が重要である。即ち、ラビング処理は
画素内を斜めに横切る様にして行われるためラビング筋
は画素内を斜めに形成され、スイッチング素子の存在す
る側の角部からラビング処理が始まる（厳密にはラビン
グ処理の方向を考慮してスイッチング素子の配置を決定
している）ことを意味している。

【００２７】ラビング方向が図１（Ｂ）の様な方向であ
る場合、ディスクリネーションは画素に向かって左上の
位置に発生しやすい。また、画素電極とのコンタクト部
１１０は最上層であるが故に平坦化することが困難であ
り、非常に大きな段差を生じるため、ここでもラビング
処理の不足による配向不良が発生しやすい。

【００２８】図１（Ｂ）に示す構成はこれらのディスク
リネーション発生原因を全て考慮して設計されており、
ディスクリネーションを特定の位置に閉じ込めることを
目的としている。

【００２９】そのため、第１にスイッチング素子と補助
容量とを重ねて形成することで遮光領域の縮小化を図
り、第２にラビング方向に起因するディスクリネーショ
ンが発生しやすい領域にスイッチング素子と補助容量と
を配置することでディスクリネーションを画素の特定の
位置に固定する。上述の画素電極のコンタクト部１１０
はディスクリネーションの固定に大きく寄与している。

【００３０】また、図１に示す構成は駆動回路（ドライ
バー回路）の駆動方法をソースライン反転駆動とする時
に有効である。ソースライン反転駆動とすることで任意
のソース配線とそれに隣接するソース配線との間に僅か
な横方向電界が発生し、その電界に起因するリバースチ
ルトドメインが発生する。図１の構成はソースライン反
転駆動に対応したリバースチルトドメインに対する対策
である。

【００３１】勿論、ゲイトライン反転駆動とする場合に
はそれに対応してリバースチルトドメインの発生位置も
変化するため、ディスクリネーションの発生箇所も変化
する。その場合には、スイッチング素子と補助容量の配
置やラビング方向をディスクリネーションの発生箇所に
応じて変えなければならない。

【００３２】以上の様な構成を総合的にまとめると、図
４に示す状態が得られる。図４に示す状態は任意の画素
において「黒」を表示した際に、ディスクリネーション
の発生位置とブラックマスクの位置との関係を示してい
る。

【００３３】図４において、ブラックマスク４０１に設
けられた開口部４０２が画像表示領域であり、実質的に
画素として機能する領域である。また、４０３は本願発
明の構成を実施した際に発生するディスクリネーション
である。

【００３４】本願発明の構成では、ラビング方向に対応
して画素の左上の位置にディスクリネーション４０３が
発生し、その領域（画素の左上）にスイッチング素子及
び補助容量が配置され、さらに画素電極のコンタクト部
によってディスクリネーション４０３が固定される。

【００３５】従って、ディスクリネーションが画素の端
部に発生する様な設計を意図的に行い、そうして形成さ
れたディスクリネーション４０３をブラックマスクで隠
すことで、必然的にスイッチング素子や補助容量も隠さ
れ、画素領域内におけるブラックマスクの占有面積を必
要最小限に抑えることが可能となる。即ち、有効画素面
積を最大限に確保することが可能である。

【００３６】以上の構成でなる本願発明について、以下
に示す実施例でもって詳細な説明を行うこととする。

【００３７】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例では、画素内に配置されるスイッ
チング素子としてＴＦＴを作製する例を図５を用いて説
明する。

【００３８】まず、絶縁表面を有する基板（図示せず）
上に活性層５０１を形成する。活性層５０１は膜厚が20
〜100 nm（好ましくは25〜70nm）の結晶性半導体膜（代
表的には結晶性珪素膜）で構成すれば良い。（図５
（Ａ））

【００３９】結晶性珪素膜の形成方法は公知の如何なる
手段を用いても良いが、本実施例では特開平８−７８３
２９号公報記載の技術を用いる。

【００４０】また、本実施例ではさらに、同公報記載の
技術で結晶性珪素膜を得た後、リンを用いたゲッタリン
グ手段（特願平９−６５４０６号）で結晶化に利用した
触媒元素を低減している。他にも、ハロゲン元素を含む
雰囲気中で加熱処理（特願平８−３０１２４９号）を行
って触媒元素を低減することもできる。

【００４１】こうして形成した結晶性珪素膜をパターニ
ングして活性層５０１を形成し、プラズマＣＶＤ法によ
りゲイト絶縁膜（図示せず）を形成した後、熱酸化行程
を行って活性層５０１とゲイト絶縁膜との界面特性を向
上させる。なお、熱酸化後の最終的な活性層膜厚は10〜
75nm（好ましくは15〜45nm）となる様にする。

【００４２】次に、アルミニウムまたはアルミニウムを
主成分とする材料（本実施例では２wt％のスカンジウム
を含有したアルミニウム膜）を成膜し、パターニングし
てゲイト配線５０２を形成する。（図５（Ｂ））

【００４３】次に、特開平７−１３５３１８号公報記載
の技術を用いてソース／ドレイン領域、チャネル形成領
域及びＬＤＤ（Lightly doped drain ）領域の形成を行
う。本実施例ではソース／ドレイン領域とチャネル形成
領域との間に 0.5〜1.5 μｍ（代表的には 0.7〜１μ
ｍ）のＬＤＤ領域５０３を形成する。（図５（Ｃ））

【００４４】次に、活性層に添加した不純物元素（１３
族または１５族元素）を熱アニールによって活性化し、
その後ゲイト配線５０２を覆って第１の層間絶縁膜（図
示せず）を形成する。さらに、第１の層間絶縁層にコン
タクトホール５０４、５０５を形成して、ソース配線５
０６とドレイン電極５０７を形成する。

【００４５】なお、本実施例ではソース配線５０６及び
ドレイン電極５０７として、チタン／アルミニウム／チ
タンの三層積層構造を用いる。膜厚は 150/500/100nmと
すれば良い。（図５（Ｄ））

【００４６】以上の作製工程で画素電極に液晶制御用の
電圧を印加するためのスイッチング素子（ＴＦＴ）が完
成する。

【００４７】次に、ソース配線５０６及びドレイン電極
５０７を覆って第２の層間絶縁層（図示せず）を形成
し、後に補助容量を構成する部分のみに凹部５０８を設
ける。第２の層間絶縁膜は単層でも良いし、二層以上の
積層構造としても良い。

【００４８】本実施例では第２の層間絶縁層として、下
から窒化珪素膜（50nm）、酸化珪素膜（20nm）、アクリ
ル膜（１μｍ）からなる積層構造の絶縁層を用いる。ア
クリルの代わりにポリイミド等の他の有機性樹脂材料を
用いても構わない。（図５（Ｅ））

【００４９】そして、凹部５０８を形成するには、ドラ
イエッチング法によりアクリル膜を開口する。この時、
酸化珪素膜がエッチングストッパとして機能する。従っ
て、凹部５０８の底面には窒化珪素膜と酸化珪素膜とで
なる積層膜が残る。本実施例の場合にはこの積層膜を補
助容量の誘電体として利用する。勿論、酸化珪素膜をウ
ェットエッチングによって選択的に除去して窒化珪素膜
のみを残す構成とすることも可能である。

【００５０】なお、本実施例では窒化珪素膜／酸化珪素
膜／有機性樹脂膜の積層構造を用いているが、この構造
に限定されないことは言うまでもない。本願発明を効果
的に実施するためには、なるべく比誘電率が高い絶縁膜
を薄く下層に設け、その上に比誘電率が低い絶縁膜を厚
く設ければ良い。即ち、凹部５０８では補助容量の誘電
体として効果的に機能し、それ以外では層間絶縁膜とし
て効果的に機能する様な構成であることが必要である。

【００５１】また、第２の層間絶縁膜を単層とする場
合、ハーフエッチングにより凹部を形成して薄膜化され
た部分を補助容量の誘電体として使用しても良い。

【００５２】こうして第２の絶縁層に対して凹部５０８
を形成したら、ブラックマスク５０９を形成する。本実
施例ではブラックマスク５０９としてはチタンを用いる
が、クロムやタンタル等の他の金属膜であっても良い。

【００５３】この状態ではドレイン電極５０７、ブラッ
クマスク５０９を上下電極とし、第２の絶縁層（正確に
は窒化珪素／酸化珪素の積層膜）を誘電体とする補助容
量５１０が形成される。（図５（Ｆ））

【００５４】次に、ブラックマスク５０９上に第３の層
間絶縁層（図示せず）として１μｍ厚のアクリル膜を形
成する。勿論、他の有機性樹脂膜であっても良い。そし
て、コンタクトホール５１１を形成して、画素電極５１
２となる透明導電膜（代表的にはＩＴＯ膜）を形成す
る。（図５（Ｇ））

【００５５】こうして画素構造が完成したら、水素化を
行ってＴＦＴの活性層内に残る不対結合手を水素終端す
る。以上の作製工程によって、複数の画素を形成し、画
素マトリクス回路を完成する。画素マトリクス回路内の
各画素には少なくとも一つのスイッチング素子と補助容
量とを配置すれば良い。

【００５６】なお、同一基板上には画素マトリクス回路
以外にも駆動回路（ドライバー回路）や信号処理回路
（γ補正回路、Ｄ／Ａコンバータ等のロジック回路）を
形成することが可能である。これらの回路の作製工程
は、基本的には本実施例に示した作製工程と同一（実際
には図５（Ｄ）の工程で完成する）であるため、詳細な
説明は省略する。

【００５７】また、本願発明は画素の配置構成に関する
発明であるため、同一基板上に形成される他の回路（上
述の駆動回路やロジック回路）の構成は如何なるもので
あっても良い。その様な回路の作製工程や構造は実施者
が適宜決定すれば良い。

【００５８】また、本実施例では画素電極として透明導
電膜を用いた透過型ＬＣＤを例に挙げているが、画素電
極として反射性電極を用いることで容易に反射型ＬＣＤ
を作製することが可能である。

【００５９】〔実施例２〕実施例１ではゲイト配線とし
てアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料
を用いているが、他の導電膜を用いるても良い。他の導
電膜としては一導電性を呈する結晶性珪素膜、タンタル
膜、タングステン膜、モリブデン膜、クロム膜などを用
いることが可能である。

【００６０】また、ＬＤＤ構造を形成するにあたって
も、陽極酸化法を利用した手段、サイドウォール技術を
利用した手段等、公知の手段を用いることができる。

【００６１】〔実施例３〕実施例１ではトップゲイト構
造の例としてプレーナ型ＴＦＴを作製する場合を例にと
ったが、画素のスイッチング素子としてボトムゲイト型
ＴＦＴ（代表的には逆スタガ型ＴＦＴ）を用いても構わ
ない。

【００６２】勿論、逆スタガ型ＴＦＴを用いる場合にお
いても実施例２の構成をとることは可能である。

【００６３】〔実施例４〕本実施例では実施例１〜３に
示した構成のアクティブマトリクス基板（素子形成側基
板）を用いてＡＭＬＣＤを構成した場合の例について説
明する。ここで本実施例のＡＭＬＣＤの外観を図６に示
す。

【００６４】図６（Ａ）において、６０１はアクティブ
マトリクス基板であり、画素マトリクス回路６０２、ソ
ース側駆動回路６０３、ゲイト側駆動回路６０４が形成
されている。駆動回路はＮ型ＴＦＴとＰ型ＴＦＴとを相
補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路で構成することが好ま
しい。また、６０５は対向基板である。

【００６５】図６（Ａ）に示すＡＭＬＣＤはアクティブ
マトリクス基板６０１と対向基板６０５とが端面を揃え
て貼り合わされている。ただし、ある一部だけは対向基
板６０５を取り除き、露出したアクティブマトリクス基
板に対してＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキッ
ト）６０６を接続してある。このＦＰＣ６０６によって
外部信号を回路内部へと伝達する。

【００６６】また、ＦＰＣ６０６を取り付ける面を利用
してＩＣチップ６０７、６０８が取り付けられている。
これらのＩＣチップはビデオ信号の処理回路、タイミン
グパルス発生回路、γ補正回路、メモリ回路、演算回路
など、様々な回路をシリコン基板上に形成して構成され
る。図６（Ａ）では２個取り付けられているが、１個で
も良いし、さらに複数個であっても良い。

【００６７】また、図６（Ｂ）の様な構成もとりうる。
図６（Ｂ）において図６（Ａ）と同一の部分は同じ符号
を付してある。ここでは図６（Ａ）でＩＣチップが行っ
ていた信号処理を、同一基板上にＴＦＴでもって形成さ
れたロジック回路６０９によって行う例を示している。
この場合、ロジック回路６０９も駆動回路６０３、６０
４と同様にＣＭＯＳ回路を基本として構成される。

【００６８】また、本実施例のＡＭＬＣＤはブラックマ
スクをアクティブマトリクス基板に設ける構成（ＢＭ o
n ＴＦＴ）を採用するが、それに加えて対向側にブラッ
クマスクを設ける構成とすることも可能である。

【００６９】また、カラーフィルターを用いてカラー表
示を行っても良いし、ＥＣＢ（電界制御複屈折）モー
ド、ＧＨ（ゲストホスト）モードなどで液晶を駆動し、
カラーフィルターを用いない構成としても良い。

【００７０】また、特開昭8-15686 号公報に記載された
技術の様に、マイクロレンズアレイを用いる構成にして
も良い。

【００７１】〔実施例５〕実施例４に示したＡＭＬＣＤ
は、様々な電子機器のディスプレイとして利用される。
なお、本実施例に挙げる電子機器とは、アクティブマト
リクス型液晶表示装置を搭載した製品と定義する。

【００７２】その様な電子機器としては、ビデオカメ
ラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクション
ＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーショ
ン、パーソナルコンピュータ（ノート型を含む）、携帯
情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが
挙げられる。それらの一例を図７に示す。

【００７３】図７（Ａ）は携帯電話であり、本体２００
１、音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装
置２００４、操作スイッチ２００５、アンテナ２００６
で構成される。本願発明は表示装置２００４等に適用す
ることができる。

【００７４】図７（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２
１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６で構成される。本願発明は表示装置２１０２に適用す
ることができる。

【００７５】図７（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モー
ビルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２
２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示
装置２２０５で構成される。本願発明は表示装置２２０
５等に適用できる。

【００７６】図７（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイ
であり、本体２３０１、表示装置２３０２、バンド部２
３０３で構成される。本発明は表示装置２３０２に適用
することができる。

【００７７】図７（Ｅ）はリア型プロジェクターであ
り、本体２４０１、光源２４０２、表示装置２４０３、
偏光ビームスプリッタ２４０４、リフレクター２４０
５、２４０６、スクリーン２４０７で構成される。本発
明は表示装置２４０３に適用することができる。

【００７８】図７（Ｆ）はフロント型プロジェクターで
あり、本体２５０１、光源２５０２、表示装置２５０
３、光学系２５０４、スクリーン２５０５で構成され
る。本発明は表示装置２５０３に適用することができ
る。

【００７９】以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて
広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能で
ある。また、他にも電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレ
イなどにも活用することができる。

【００８０】

【発明の効果】本願発明はＡＭＬＣＤの画素マトリクス
回路を構成する各画素の構造に関する発明である。そし
て、本願発明を実施することで画素に発生するディスク
リネーションの発生位置を制御し、ディスクリネーショ
ンを効率良く隠すことが可能である。

【００８１】その様な構成とすることで、各画素におけ
る有効画素面積が大幅に拡大され、実質的な画像表示領
域が増加する。そして、より高精細なＬＣＤディスプレ
イにおいても高いコントラストを実現することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】画素の構成を示す図。

【図２】スイッチング素子部の断面構造を構成を示
す図。

【図３】ラビング方向を説明するための図。

【図４】ブラックマスクによる遮光領域とディスク
リネーションの発生位置との関係を示す図。

【図５】画素マトリクス回路の作製工程を示す図。

【図６】ＡＭＬＣＤの構成を示す図。

【図７】本願発明のＡＭＬＣＤを搭載した電子機器
を示す図。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一つのスイッチング素子と補助
容量とを具備する画素がマトリクス状に設けられたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記スイッチング素子の活性層に接続されたソース配線
及び当該ソース配線と同一層のドレイン電極と、前記ソース配線及びドレイン電極上に形成された絶縁層
と、前記絶縁層上に形成された導電層と、を構成に含み、前記ドレイン電極と前記導電層は、前記絶縁層の一部を
誘電体とする補助容量を前記活性層及びゲイト電極と重
畳する位置に形成していることを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】少なくとも一つのスイッチング素子と補助
容量とを具備する複数の画素がマトリクス状に設けられ
たアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、前記スイッチング素子のゲイト配線と、前記ゲイト配線の上方に形成されたソース配線及び当該
ソース配線と同一層のドレイン電極と、前記ソース配線及びドレイン電極上に形成された絶縁層
と、前記絶縁層上に形成された導電層と、前記導電層の上方に形成された画素電極及び配向膜と、を構成に含み、前記スイッチング素子及び補助容量は、前記画素内にお
いて最も早くラビング処理が行われる角部に配置される
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項３】請求項２において、前記スイッチング素子
と前記補助容量とは重畳して形成されていることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３において、前記絶縁
層は少なくとも２層以上の積層構造からなることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４において、前記絶縁
層は最下層が窒化珪素膜であり、当該窒化珪素膜よりも
上の層に有機性樹脂膜を含む積層膜であることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項６】請求項５において、前記窒化珪素膜と前記
有機性樹脂膜との間には酸化珪素膜または酸化窒化珪素
膜でなる絶縁層が存在することを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６において、前記絶縁
層は少なくとも最下層を残して設けられた凹部を有し、
且つ、前記導電層は当該凹部を被覆する様にして形成さ
れており、前記ドレイン電極と前記導電層は、前記凹部
の底面となる絶縁層を誘電体として補助容量を形成して
いることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
装置。
【請求項８】請求項１乃至請求項７に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を具備することを特徴とする
電子機器。