JP2007041612A - 発光装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】駆動トランジスタを隣接する2つの画素電極の間に配置された隔壁の下に配置された電流供給線の下方に配置し、駆動トランジスタのゲートをスイッチングトランジスタのソース側又はドレイン側の一方と電気的に接続し、駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の一方を電流供給線と電気的に接続し、駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の他方を隣接する2つの画素電極の一方に電気的に接続した配置とする。
【選択図】図1
Description
点線枠2300で囲まれた部分が画素部であり、その中に複数の画素を有する。
点線枠2310で囲まれた部分が1画素である。
このとき、駆動用TFT1505が線形領域で動作していると、動作点の移動に伴い、ΔIDだけ、EL素子1506を流れる電流値が減少することになる。したがって輝度が低下する。
まず図1を用いて説明する。ここでの発光装置は、フルカラー表示をするものとし、それぞれ、赤色を発光する画素(R)の駆動用TFTのソース領域とドレイン領域のうちの一方は赤色用の電流供給線に接続されていて、緑色を発光する画素(G)の駆動用TFTのソース領域とドレイン領域のうちの一方は緑色用の電流供給線に接続されていて、青色を発光する画素(B)の駆動用TFTのソース領域とドレイン領域のうちの一方は青色用の電流供給線に接続されている。RGBそれぞれのEL素子はストライプ状に塗り分けられる。
次に、画素を構成するTFTが3トランジスタ型の場合は、駆動用TFTを除く、スイッチング用TFTと消去用TFTの2つを直線状に配置することで開口率を稼ぎ、更にシンプルな開口部にすることが出来る。開口部をシンプルに、より長方形に近い形にすることでシュリンクの影響を少なくすることが出来る。
また、駆動用TFTのチャネル長とチャネル幅を決める際は、なるべくチャネル長×チャネル幅を大きくとることを目標とし、駆動用TFTを飽和領域で動作させる場合はチャネル幅に比べチャネル長を長くし、VGSがしきい値電圧の影響を受けにくい値にする必要がある。チャネル長を大きくすることで駆動用TFTの飽和領域特性もよりフラットになる。この時、VGSを大きくしすぎると消費電力が大きくなる事や、駆動用TFTの耐圧が問題となるため、|VGS|を4V以上14V以下の間になるようにチャネル長・チャネル幅を調整すると良い。
EL素子においては、一般的にはR、G、Bそれぞれで発光効率が異なり、したがって均一な輝度を得るのに必要な電流値も異なる。因って駆動用TFTの電流能力が全て同一である場合、電流値に差をつけるにはVgsに差をつける必要がある。故にR、G、BそれぞれのEL素子の発光効率の差が大きい場合にはVgsの差が大きくなり電圧設定が困難になる場合がある。
図13に、実測したPチャネル型TFTのゲート・ソース間容量、ゲート・ドレイン容量の値を示す。VGSは−6Vとし、VDSを16V〜−16Vまで変化させている。VDSがおよそ−5Vから、それよりも低くなる領域で、飽和領域となっている。図13(A)と(B)との和が駆動用TFTの容量となる。
ここでは図1を用い、2トランジスタ型の画素の構成・レイアウトについて説明する。
半導体層をこのような形状とすることで、開口率を落とさず、駆動用TFT5105のチャネル長をより長くすることが出来る。
ここで、ミアンダとは、「meander:曲がりくねって流れる」という意味を有し、ミアンダ形状とは、半導体層の形状が曲がりくねっている様子を指す。半導体層をこのような形状とすることで、開口率を落とさず、駆動用TFT5305のチャネル長をより長くし、チャネル幅もある程度大きくすることが出来る。
ここでは図5を用い、3トランジスタ型の画素の構成・レイアウトについて説明する。
半導体層をこのような形状とすることで、開口率を落とさず、駆動用TFT5607のチャネル長をより長くすることが出来る。
半導体層をこのような形状とすることで、開口率を落とさず、駆動用TFT5807のチャネル長をより長くし、チャネル幅もある程度大きくすることが出来る。
図9(A)に示すように、携帯電話等の電子機器の表示部として発光装置が使用される場合は、モジュール901という形で内蔵される。ここで、モジュール901とは、発光装置と、発光装置を駆動するための信号処理用LSI、メモリ等を実装した基板とを接続した形態を指す。
電源部911は、外部バッテリーより供給される電源より、ソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆動回路、発光素子等に、それぞれ所望の複数の電圧値の電源を生成し、供給する。信号制御部912には、映像信号、同期信号が入力され、発光装置901にて処理が出来るように、各種信号の変換を行う他、ソース信号線駆動回路、ゲート信号線駆動回路を駆動するためのクロック信号等を生成する。
本実施例では、本発明を用いて発光装置を作製した例について、図19を用いて説明する。
本実施例では充填材として窒素を用いた。
本実施例においては、実施例2、3にて示した構成の発光装置の作製工程について、図22を用いて説明する。なお、説明に際しては画素部のみについて説明するが、駆動回路部においては、作製工程はこの限りではなく、ここでは説明を省略する。
発光素子を用いた発光装置は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ、明るい場所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電子機器の表示部に用いることが出来る。
Claims (8)
- スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタと、隣接する2つの画素電極の間に配置された隔壁と、前記隔壁の下に配置された電流供給線、を有し、
前記駆動トランジスタは、前記電流供給線の下方に配置されており、
前記駆動トランジスタのゲートは、前記スイッチングトランジスタのソース側又はドレイン側の一方と電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の一方は、前記電流供給線と電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の他方は、前記隣接する2つの画素電極の一方に電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのチャネル長はチャネル幅よりも長いことを特徴とする発光装置。 - 消去用トランジスタと、スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタと、隣接する2つの画素電極の間に配置された隔壁と、前記隔壁の下に配置された電流供給線と、を有し、
前記駆動トランジスタは、前記電流供給線の下方に配置されており、
前記駆動トランジスタのゲートは、前記スイッチングトランジスタのソース側又はドレイン側の一方と、前記消去用トランジスタのソース側又はドレイン側の一方と、電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の一方は、前記電流供給線と、前記消去用トランジスタのソース側又はドレイン側の他方と、電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのソース側又はドレイン側の他方は、前記隣接する2つの画素電極の一方に電気的に接続されており、
前記駆動トランジスタのチャネル長はチャネル幅よりも長いことを特徴とする発光装置。 - 請求項2において、
前記隔壁は前記2つの画素電極の端部を覆っており、前記画素電極が前記隔壁に覆われていない部分の形状における角部は丸みをおびていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記駆動トランジスタの前記チャネル長がL、前記チャネル幅がWであるとき、L>5Wであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記駆動トランジスタの前記チャネル長がL、前記チャネル幅がWであるとき、L×W>200μm2であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧がVGS、ソース・ドレイン間電圧がVDS、しきい値電圧がVthであるとき、
|VDS|<|VGS|−|Vth|となるように駆動されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧がVGS、ソース・ドレイン間電圧がVDS、しきい値電圧がVthであるとき、
|VDS|≧|VGS|−|Vth|となるように駆動されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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