JP2001051622A - 電気光学装置及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
提供する。 【解決手段】 画素内に形成されるスイッチング用TF
T201はマルチゲート構造になっており、オフ電流値
の低減に重点をおいた構造となっている。また、電流制
御用TFT202はスイッチング用TFTよりも大きな
チャネル幅を有し、電流を流すのに適した構造となって
いる。さらに、電流制御用TFT202のLDD領域3
3は、ゲート電極35と一部が重なるように形成され、
ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点を
おいた構造となっている。
Description
薄膜を用いた素子)を基板上に作り込んで形成されたE
L(エレクトロルミネッセンス)表示装置に代表される
電気光学装置及びその電気光学装置を表示ディスプレイ
(表示部ともいう)として有する電子装置(電子デバイ
ス)に関する。
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応
用開発が進められている。特に、ポリシリコン膜を用い
たTFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたT
FTよりも電界効果移動度(モビリティともいう)が高
いので、高速動作が可能である。そのため、従来、基板
外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の
基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となってい
る。
置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで
製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上
昇、スループットの低減など、様々な利点が得られると
して注目されている。
各画素のそれぞれにTFTでなるスイッチング素子を設
け、そのスイッチング素子によって電流制御を行う駆動
素子を動作させてEL層(発光層)を発光させる。この
時、典型的な画素構造は、例えば米国特許番号5,68
4,365号(特開平8−234683号)のFIG.
1に開示されている。
に、スイッチング用素子(T1)のドレインは電流制御
用素子(T2)のゲート電極に接続されているが、それ
と並列にコンデンサ(Cs)にも接続されている。この
コンデンサ(Cs)に蓄積された電荷で電流制御用素子
(T2)のゲート電圧を維持するのである。
非選択時にある時、コンデンサ(Cs)がなければスイ
ッチング素子(T1)を通じて電荷が漏れてしまい(こ
の時流れる電流をオフ電流という)、電流制御用素子
(T2)のゲート電極にかかる電圧を維持できなくな
る。これはスイッチング素子(T1)をトランジスタで
形成する上で避けられない問題である。しかしながら、
このコンデンサ(Cs)は画素内に設けられるため、画
素の有効発光面積(有効画像表示面積)を狭める要因に
なっていた。
発光させるために大電流を流す必要がある。即ち、TF
Tに求められる性能がスイッチング素子と電流制御用素
子とではまるで異なってくる。このような場合、同一構
造のTFTだけでは全ての回路又は素子が求める性能を
確保することは困難であった。
を鑑みてなされたものであり、動作性能及び信頼性の高
い電気光学装置、特にEL表示装置を提供することを課
題とする。そして、電気光学装置の画質を向上させるこ
とにより、それを表示ディスプレイとして有する電子装
置(電子デバイス)の品質を向上させることを課題とす
る。
に、本発明ではEL表示装置の各画素に含まれる素子が
求める機能を鑑みて、最適な構造のTFTを割り当てて
いる。即ち、同一画素内に異なる構造のTFTが存在す
ることになる。
ることを最重要課題とする素子(スイッチング用素子な
ど)は、動作速度よりもオフ電流値を低減させることに
重点を置いたTFT構造とし、電流を流すことを最重要
課題とする素子(電流制御用素子など)は、オフ電流値
を低減させることよりも、電流を流すこと及びそれと同
時に顕著な問題となるホットキャリア注入による劣化を
抑制することに重点を置いたTFT構造とする。
FTの使い分けを行うことによって、EL表示装置の動
作性能の向上と信頼性の向上とを可能とする。なお、本
発明の思想は、画素部に限ったものではなく、画素部と
画素部を駆動する駆動回路部とを含めてTFT構造の最
適化を図る点にも特徴がある。
1、図2を用いて説明する。図1に示したのは本発明で
あるEL表示装置の画素の断面図であり、図2(A)は
その上面図、図2(B)はその回路構成である。実際に
はこのような画素がマトリクス状に複数配列されて画素
部(画像表示部)が形成される。
上面図においてA−A’で切断した切断面を示してい
る。ここでは図1及び図2で共通の符号を用いているの
で、適宜両図面を参照すると良い。また、図2の上面図
では二つの画素を図示しているが、どちらも同じ構造で
ある。
である。基板11としてはガラス基板、ガラスセラミッ
クス基板、石英基板、シリコン基板、セラミックス基
板、金属基板若しくはプラスチック基板(プラスチック
フィルムも含む)を用いることができる。
基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効である
が、石英基板には設けなくても構わない。下地膜12と
しては、珪素(シリコン)を含む絶縁膜を設ければ良
い。なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」と
は、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸
化珪素膜(SiOxNyで示される)など珪素、酸素若
しくは窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。
いる。201はスイッチング用素子として機能するTF
T(以下、スイッチング用TFTという)、202はE
L素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機
能するTFT(以下、電流制御用TFTという)であ
り、どちらもnチャネル型TFTで形成されている。
チャネル型TFTの電界効果移動度よりも大きいため、
動作速度が早く電流を流しやすい。また、同じ電流量を
流すにもTFTサイズはnチャネル型TFTの方が小さ
くできる。そのため、nチャネル型TFTを電流制御用
TFTとして用いた方が表示部の有効面積が広くなるの
で好ましい。
が殆ど問題にならず、オフ電流値が低いといった利点が
あって、スイッチング用TFTとして用いる例や電流制
御用TFTとして用いる例が既に報告されている。しか
しながら本発明では、LDD領域の位置を異ならせた構
造とすることでnチャネル型TFTにおいてもホットキ
ャリア注入の問題とオフ電流値の問題を解決し、全ての
画素内のTFT全てをnチャネル型TFTとしている点
にも特徴がある。
TFTと電流制御用TFTをnチャネル型TFTに限定
する必要はなく、両方又はどちらか片方にpチャネル型
TFTを用いることも可能である。
域13、ドレイン領域14、LDD領域15a〜15d、
高濃度不純物領域16及びチャネル形成領域17a、1
7bを含む活性層、ゲート絶縁膜18、ゲート電極19
a、19b、第1層間絶縁膜20、ソース配線21並びに
ドレイン配線22を有して形成される。
極19a、19bは別の材料(ゲート電極19a、19bよ
りも低抵抗な材料)で形成されたゲート配線211によ
って電気的に接続されたダブルゲート構造となっている
点である。勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプ
ルゲート構造などいわゆるマルチゲート構造(直列に接
続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を
含む構造)であればよい。マルチゲート構造はオフ電流
値を低減する上で極めて有効であり、本発明では画素の
スイッチング用TFT201をマルチゲート構造とする
ことによりオフ電流値の低いスイッチング用TFTを実
現している。
形成される。即ち、単結晶半導体膜でも良いし、多結晶
半導体膜や微結晶半導体膜でも良い。また、ゲート絶縁
膜18は珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。また、ゲ
ート電極、ソース配線若しくはドレイン配線としてはあ
らゆる導電膜を用いることができる。
いては、LDD領域15a〜15dは、ゲート絶縁膜18
を挟んでゲート電極19a、19bと重ならないように設
ける。このような構造はオフ電流値を低減する上で非常
に効果的である。
間にオフセット領域(チャネル形成領域と同一組成の半
導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域)を設け
ることはオフ電流値を下げる上でさらに好ましい。ま
た、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の
場合、チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物
領域がオフ電流値の低減に効果的である。
造のTFTを画素のスイッチング用TFT201として
用いることにより、十分にオフ電流値の低いスイッチン
グ素子を実現することに特徴がある。そのため、従来例
で述べたようなコンデンサ(Cs)を設けなくても十分
な時間(選択されてから次に選択されるまでの間)電流
制御用素子のゲート電圧を維持しうる。
なっていたコンデンサを排除することが可能となり、有
効発光面積を広くすることが可能となる。このことはE
L表示装置の画質を明るくできることを意味する。
領域31、ドレイン領域32、LDD領域33及びチャ
ネル形成領域34を含む活性層、ゲート絶縁膜18、ゲ
ート電極35、第1層間絶縁膜20、ソース配線36並
びにドレイン配線37を有して形成される。なお、ゲー
ト電極35はシングルゲート構造となっているが、マル
チゲート構造であっても良い。
201のドレインは電流制御用TFT202のゲートに
電気的に接続されている。具体的には電流制御用TFT
202のゲート電極35はスイッチング用TFT201
のドレイン領域14とドレイン配線(接続配線とも言え
る)22を介して電気的に接続されている。また、ソー
ス配線36は電流供給線212に接続される。
ャネル幅がスイッチング用TFT201のチャネル幅よ
りも大きい点である。即ち、図8に示すように、スイッ
チング用TFTのチャネル長をL1、チャネル幅をW1
とし、電流制御用TFTのチャネル長をL2、チャネル
幅をW2とした場合、W2/L2≧5×W1/L1(好
ましくはW2/L2≧10×W1/L1)という関係式
が成り立つようにする。このため、スイッチング用TF
Tよりも多くの電流を容易に流すことが可能である。
グ用TFTのチャネル長L1は、形成された二つ以上の
チャネル形成領域のそれぞれのチャネル長の総和とす
る。図8の場合、ダブルゲート構造であるので、二つの
チャネル形成領域のそれぞれのチャネル長L1a及びL
1bを加えたものがスイッチング用TFTのチャネル長
L1となる。
びチャネル幅W1、W2は特定の数値範囲に限定される
ものではないが、W1は0.1〜5μm(代表的には1
〜3μm)、W2は0.5〜30μm(代表的には2〜1
0μm)とするのが好ましい。この時、L1は0.2〜
18μm(代表的には2〜15μm)、L2は0.1〜5
0μm(代表的には1〜20μm)とするのが好ましい。
流れることを防止するためチャネル長Lの長さを長めに
設定することが望ましい。好ましくはW2/L2≧3
(好ましくはW2/L2≧5)とするとよい。望ましく
はは一画素あたり0.5〜2μA(好ましくは1〜1.
5μA)となるようにする。
クラスの画素数(640×480)を有するEL表示装
置からハイビジョンクラスの画素数(1920×108
0又は1280×1024)を有するEL表示装置ま
で、あらゆる規格を網羅することができる。
されるLDD領域の長さ(幅)は0.5〜3.5μm、
代表的には2.0〜2.5μmとすれば良い。
制御用TFT202において、ドレイン領域32とチャ
ネル形成領域34との間にLDD領域33が設けられ、
且つ、LDD領域33がゲート絶縁膜18を挟んでゲー
ト電極35に重なっている領域と重なっていない領域と
を有する点にも特徴がある。
3を発光させるための電流を供給すると同時に、その供
給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流
を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による
劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示す
る際は、電流制御用TFT202をオフ状態にしておく
が、その際、オフ電流値が高いときれいな黒色表示がで
きなくなり、コントラストの低下等を招く。従って、オ
フ電流値も抑える必要がある。
は、ゲート電極に対してLDD領域が重なった構造が非
常に効果的であることが知られている。しかしながら、
LDD領域全体をゲート電極に重ねてしまうとオフ電流
値が増加してしまうため、本出願人はゲート電極に重な
らないLDD領域を直列に設けるという新規な構造によ
って、ホットキャリア対策とオフ電流値対策とを同時に
解決している。
の長さは0.1〜3μm(好ましくは0.3〜1.5μ
m)にすれば良い。長すぎては寄生容量を大きくしてし
まい、短すぎてはホットキャリアを防止する効果が弱く
なってしまう。また、ゲート電極に重ならないLDD領
域の長さは1.0〜3.5μm(好ましくは1.5〜
2.0μm)にすれば良い。長すぎると十分な電流を流
せなくなり、短すぎるとオフ電流値を低減する効果が弱
くなる。
D領域とが重なった領域では寄生容量が形成されてしま
うため、ソース領域31とチャネル形成領域34との間
には設けない方が好ましい。電流制御用TFTはキャリ
ア(ここでは電子)の流れる方向が常に同一であるの
で、ドレイン領域側のみにLDD領域を設けておけば十
分である。
点から見れば、電流制御用TFT202の活性層(特に
チャネル形成領域)の膜厚を厚くする(好ましくは50
〜100nm、さらに好ましくは60〜80nm)こと
も有効である。逆に、スイッチング用TFT201の場
合はオフ電流値を小さくするという観点から見れば、活
性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を薄くする(好ま
しくは20〜50nm、さらに好ましくは25〜40n
m)ことも有効である。
り、膜厚は10nm〜1μm(好ましくは200〜50
0nm)とすれば良い。材料としては、珪素を含む絶縁
膜(特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい)を
用いることができる。このパッシベーション膜41は形
成されたTFTを汚染物質や水分から保護する役割をも
つ。最終的にTFTの上方に設けられるEL層にはナト
リウム等のアルカリ金属が含まれている。即ち、第1パ
ッシベーション膜41はこれらのアルカリ金属(可動イ
オン)をTFT側に侵入させない保護層として働く。な
お、本明細書中ではアルカリ金属とアルカリ土類金属を
含めて「アルカリ金属」と呼ぶ。
を持たせることでEL層の熱劣化を防ぐことも有効であ
る。但し、図1の構造のEL表示装置は基板11側に光
が放射されるため、パッシベーション膜41は透光性を
有することが必要である。
(ホウ素)、C(炭素)、N(窒素)から選ばれた少な
くとも一つの元素と、Al(アルミニウム)、Si(珪
素)、P(リン)から選ばれた少なくとも一つの元素と
を含む化合物が挙げられる。例えば、窒化アルミニウム
(AlxNy)に代表されるアルミニウムの窒化物、炭
化珪素(SixCy)に代表される珪素の炭化物、窒化
珪素(SixNy)に代表される珪素の窒化物、窒化ホ
ウ素(BxNy)に代表されるホウ素の窒化物、リン化
ホウ素(BxPy)に代表されるホウ素のリン化物を用
いることが可能である。また、酸化アルミニウム(Al
xOy)に代表されるアルミニウムの酸化物は透光性に
優れ、熱伝導率が20Wm-1K-1であり、好ましい材料
の一つと言える。これらの材料には放熱効果だけでな
く、水分やアルカリ金属等の侵入を防ぐ効果もある。な
お、上記透光性材料において、x、yは任意の整数であ
る。
ることもできる。例えば、酸化アルミニウムに窒素を添
加して、AlNxOyで示される窒化酸化アルミニウム
を用いることも可能である。この材料にも放熱効果だけ
でなく、水分やアルカリ金属等の侵入を防ぐ効果があ
る。なお、上記窒化酸化アルミニウムにおいて、x、y
は任意の整数である。
載された材料を用いることができる。即ち、Si、A
l、N、O、Mを含む化合物(但し、Mは希土類元素の
少なくとも一種、好ましくはCe(セリウム),Yb
(イッテルビウム),Sm(サマリウム),Er(エル
ビウム),Y(イットリウム)、La(ランタン)、G
d(ガドリニウム)、Dy(ジスプロシウム)、Nd
(ネオジウム)から選ばれた少なくとも一つの元素)を
用いることもできる。これらの材料にも放熱効果だけで
なく、水分やアルカリ金属等の侵入を防ぐ効果がある。
ーボン(特にダイヤモンドに特性の近いもの、ダイヤモ
ンドライクカーボンと呼ばれる。)等の炭素膜を用いる
こともできる。これらは非常に熱伝導率が高く、放熱層
として極めて有効である。但し、膜厚が厚くなると褐色
を帯びて透過率が低下するため、なるべく薄い膜厚(好
ましくは5〜100nm)で用いることが好ましい。
はあくまで汚染物質や水分からTFTを保護することに
あるので、その効果を損なうものであってはならない。
従って、上記放熱効果をもつ材料からなる薄膜を単体で
用いることもできるが、これらの薄膜と、アルカリ金属
や水分を遮断する性質を有する薄膜(代表的には窒化珪
素膜(SixNy)や窒化酸化珪素膜(SiOxN
y))とを積層することは有効である。なお、上記窒化
珪素膜又は窒化酸化珪素膜において、x、yは任意の整
数である。
光体(蛍光色素層ともいう)である。どちらも同色の組
み合わせで、赤(R)、緑(G)若しくは青(B)の色
素を含む。カラーフィルター42は色純度を向上させる
ために設け、蛍光体43は色変換を行うために設けられ
る。
のカラー化表示方式があり、RGBに対応した三種類の
EL素子を形成する方式、白色発光のEL素子とカラー
フィルターを組み合わせた方式、青色又は青緑発光のE
L素子と蛍光体(蛍光性の色変換層:CCM)とを組み
合わせた方式、陰極(対向電極)に透明電極を使用して
RGBに対応したEL素子を重ねる方式、がある。
とを組み合わせた方式を用いた場合の例である。ここで
はEL素子203として青色発光の発光層を用いて紫外
光を含む青色領域の波長をもつ光を形成し、その光によ
って蛍光体43を励起して赤、緑若しくは青の光を発生
させる。そしてカラーフィルター42で色純度を上げて
出力する。
ることが可能であり、上記四つの全ての方式を本発明に
用いることができる。
を形成した後で、第2層間絶縁膜44で平坦化を行う。
第2層間絶縁膜44としては、樹脂膜が好ましく、ポリ
イミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロ
ブテン)等を用いると良い。勿論、十分な平坦化が可能
であれば、無機膜を用いても良い。
段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成さ
れるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによ
って発光不良を起こす場合がある。従って、EL層をで
きるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する
前に平坦化しておくことが望ましい。
高い絶縁膜(以下、放熱層という)を設けることは有効
である。膜厚は5nm〜1μm(典型的には20〜30
0nm)が好ましい。このような放熱層は、EL素子で
発生した熱を逃がしてEL素子に熱が蓄積しないように
機能する。また、第2層間絶縁膜44が樹脂膜である場
合は熱に弱いため、EL素子で発生した熱が第2層間絶
縁膜44に悪影響を与えないようにする。
たってTFTを樹脂膜で平坦化することは有効である
が、EL素子で発生した熱による樹脂膜の劣化を考慮し
た構造は従来なかった。従って放熱層を設けることによ
ってその点を解決することは非常に有効であると言え
る。
リ金属を透過しない材料(第1パッシベーション膜41
と同様の材料)を用いれば、上記熱によるEL素子又は
樹脂膜の劣化が防がれると同時に、EL層中のアルカリ
金属がTFT側へと拡散しないようにするための保護層
としても機能する。さらにはEL層側へTFT側から水
分や酸素が侵入しないようにする保護層としても機能す
る。
膜もしくはダイヤモンドライクカーボン膜等の炭素膜が
好ましく、水分等の侵入を防ぐためには炭素膜と窒化珪
素膜(又は窒化酸化珪素膜)との積層構造を用いること
がさらに好ましい。
効果が高く、且つ、水分やアルカリ金属を遮断しうる絶
縁膜で分離するという構造は有効である。
(EL素子の陽極)であり、第2層間絶縁膜44及び第
1パッシベーション膜41にコンタクトホールを開けた
後、電流制御用TFT202のドレイン配線37に接続
されるように形成される。
材料が好ましい)46、陰極47、保護電極48が形成
される。EL層46は単層又は積層構造で用いられる
が、積層構造で用いられる場合が多い。発光層、電子輸
送層、電子注入層、正孔注入層又は正孔輸送層などを組
み合わせて様々な積層構造が提案されているが、本発明
ではいずれの構造であっても良い。勿論、EL層に対し
て蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、本明細
書中では、画素電極(陽極)、EL層及び陰極で形成さ
れる発光素子をEL素子と呼ぶ。
用いることができる。公知の材料としては、有機材料が
広く知られており、駆動電圧を考慮すると有機材料を用
いるのが好ましい。有機EL材料としては、例えば、以
下の米国特許又は公開公報に開示された材料を用いるこ
とができる。
特許第4,539,507号、 米国特許第4,72
0,432号、 米国特許第4,769,292号、
米国特許第4,885,211号、 米国特許第4,9
50,950号、 米国特許第5,059,861号、
米国特許第5,047,687号、 米国特許第5,
073,446号、 米国特許第5,059,862
号、 米国特許第5,061,617号、 米国特許第
5,151,629号、 米国特許第5,294,86
9号、 米国特許第5,294,870号、特開平10
−189252号公報、特開平8−241048号公
報、特開平8−78159号公報。
は次のような一般式で表されるものを用いることができ
る。
り、Mは金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化物であ
り、Rは水素、アルキル、アラルキル、アリル又はアル
カリルであり、T1、T2は水素、アルキル又はハロゲ
ンのような置換基を含む不飽和六員環である。
族第三アミンを用いることができ、好ましくは次のよう
な一般式で表されるテトラアリルジアミンを含む。
から4の整数であり、Ar、R7、R8、R9はそれぞれ
選択されたアリル群である。
としての有機材料は金属オキシノイド化合物を用いるこ
とができる。金属オキシノイド化合物としては以下のよ
うな一般式で表されるものを用いれば良い。
のような金属オキシノイド化合物を用いることもでき
る。
あり、L1−L5は1から12の炭素元素を含む炭水化物
群であり、L1、L2又はL2、L3は共にベンゾ環を形成
することができる。また、次のような金属オキシノイド
化合物でも良い。
のように有機EL材料としては有機リガンドを有する配
位化合物を含む。但し、以上の例は本発明のEL材料と
して用いることのできる有機EL材料の一例であって、
これに限定する必要はまったくない。
ット方式を用いる場合、EL材料としてはポリマー系材
料が好ましい。代表的なポリマー系材料としては、ポリ
パラフェニレンビニレン(PPV)系やポリフルオレン
系などの高分子材料が挙げられる。カラー化するには、
例えば、赤色発光材料にはシアノポリフェニレンビニレ
ン、緑色発光材料にはポリフェニレンビニレン、青色発
光材料にはポリフェニレンビニレン及びポリアルキルフ
ェニレンが好ましい。インクジェット法に使用できる有
機EL材料については、特開平10−012377号公
報に記載されている材料を全て引用することができる。
いマグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セシウム
(Cs)、バリウム(Ba)、カリウム(K)、ベリリ
ウム(Be)若しくはカルシウム(Ca)を含む材料を
用いる。好ましくはMgAg(MgとAlをMg:Ag
=10:1で混合した材料)でなる電極を用いれば良
い。他にもMgAgAl電極、LiAl電極、また、L
iFAl電極が挙げられる。また、保護電極48は陰極
47を外部の湿気等から保護膜するために設けられる電
極であり、アルミニウム(Al)若しくは銀(Ag)を
含む材料が用いられる。この保護電極48には放熱効果
もある。
せずに連続形成することが望ましい。即ち、EL層や陰
極がどのような積層構造であってもマルチチャンバー
(クラスターツールともいう)方式の成膜装置にて全て
連続形成することが望ましい。これはEL層として有機
材料を用いる場合、水分に非常に弱いため、大気解放し
た時の吸湿を避けるためである。さらに、EL層46及
び陰極47だけでなく、その上の保護電極48まで連続
形成するとさらに良い。
常に弱いため、真空蒸着法(特に、有機分子線蒸着法は
分子オーダーレベルの超薄膜を形成する上で有効であ
る。)、スパッタ法、プラズマCVD法、スピンコーテ
ィング法、スクリーン印刷法又はイオンプレーティング
法が好ましいが、インクジェット方式で形成することも
可能である。インクジェット方式にはキャビテーション
を用いるバブルジェット(登録商標)方式(特開平5−
116297号等)とピエゾ素子を用いるピエゾ方式
(特開平8−290647号等)とがあるが、有機EL
材料が熱に弱いことを鑑みればピエゾ方式が好ましい。
り、膜厚は10nm〜1μm(好ましくは200〜50
0nm)とすれば良い。第2パッシベーション膜49を
設ける目的は、EL層46を水分から保護する目的が主
であるが、第1パッシベーション膜41と同様に放熱効
果をもたせても良い。従って、形成材料としては第1パ
ッシベーション膜41と同様のものを用いることができ
る。但し、EL層46として有機材料を用いる場合、酸
素との結合により劣化するので、酸素を放出しやすい絶
縁膜は用いないことが望ましい。
で、なるべく低温(好ましくは室温から120℃までの
温度範囲)で成膜するのが望ましい。従って、プラズマ
CVD法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法又は溶液塗布法(スピンコーティング法)が望ま
しい成膜方法と言える。
の画素を含む画素部を有し、画素内において機能に応じ
て構造の異なるTFTが配置されている。これによりオ
フ電流値の十分に低いスイッチング用TFTと、ホット
キャリア注入に強い電流制御用TFTとが同じ画素内に
形成でき、高い信頼性を有し、良好な画像表示が可能な
EL表示装置が形成できる。
点はスイッチング用TFTとしてマルチゲート構造のT
FTを用いる点であり、LDD領域の配置等の構成に関
しては図1の構成に限定する必要はない。
示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。
〜図5を用いて説明する。ここでは、画素部とその周辺
に設けられる駆動回路部のTFTを同時に作製する方法
について説明する。但し、説明を簡単にするために、駆
動回路に関しては基本回路であるCMOS回路を図示す
ることとする。
板300上に下地膜301を300nmの厚さに形成す
る。本実施例では下地膜301として窒化酸化珪素膜を
積層して用いる。この時、ガラス基板300に接する方
の窒素濃度を10〜25wt%としておくと良い。
示した第1パッシベーション膜41と同様の材料からな
る放熱層を設けることは有効である。電流制御用TFT
は大電流を流すことになるので発熱しやすく、なるべく
近いところに放熱層を設けておくことは有効である。
非晶質珪素膜(図示せず))を公知の成膜法で形成す
る。なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質
構造を含む半導体膜(微結晶半導体膜を含む)であれば
良い。さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶
質構造を含む化合物半導体膜でも良い。また、膜厚は2
0〜100nmの厚さであれば良い。
結晶化し、結晶質珪素膜(多結晶シリコン膜若しくはポ
リシリコン膜ともいう)302を形成する。公知の結晶
化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レー
ザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用
いたランプアニール結晶化法がある。本実施例では、X
eClガスを用いたエキシマレーザー光を用いて結晶化
する。
発振型のエキシマレーザー光を用いるが、矩形であって
も良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振
型のエキシマレーザー光を用いることもできる。
層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも可能で
ある。しかし、電流制御用TFTは大電流を流す必要性
があるため、電流を流しやすい結晶質珪素膜を用いた方
が有利である。
ッチング用TFTの活性層を非晶質珪素膜で形成し、電
流制御用TFTの活性層を結晶質珪素膜で形成すること
は有効である。非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いた
め電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。即ち、電流
を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪
素膜の両者の利点を生かすことができる。
素膜302上に酸化珪素膜でなる保護膜303を130
nmの厚さに形成する。この厚さは100〜200nm
(好ましくは130〜170nm)の範囲で選べば良
い。また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。
この保護膜303は不純物を添加する際に結晶質珪素膜
が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な
濃度制御を可能にするために設ける。
a、304bを形成し、保護膜303を介してn型を付与
する不純物元素(以下、n型不純物元素という)を添加
する。なお、n型不純物元素としては、代表的には周期
表の15族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用
いることができる。なお、本実施例ではフォスフィン
(PH3)を質量分離しないでプラズマ励起したプラズ
マドーピング法を用い、リンを1×1018atoms/cm3の
濃度で添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプラ
ンテーション法を用いても良い。
305、306には、n型不純物元素が2×1016〜5
×1019atoms/cm3(代表的には5×1017〜5×10
18atoms/cm3)の濃度で含まれるようにドーズ量を調節
する。
03を除去し、添加した周期表の15族に属する元素の
活性化を行う。活性化手段は公知の技術を用いれば良い
が、本実施例ではエキシマレーザー光の照射により活性
化する。勿論、パルス発振型でも連続発振型でも良い
し、エキシマレーザー光に限定する必要はない。但し、
添加された不純物元素の活性化が目的であるので、結晶
質珪素膜が溶融しない程度のエネルギーで照射すること
が好ましい。なお、保護膜303をつけたままレーザー
光を照射しても良い。
活性化に際して、熱処理による活性化を併用しても構わ
ない。熱処理による活性化を行う場合は、基板の耐熱性
を考慮して450〜550℃程度の熱処理を行えば良
い。
06の端部、即ち、n型不純物領域305、306の周
囲に存在するn型不純物元素を添加していない領域との
境界部(接合部)が明確になる。このことは、後にTF
Tが完成した時点において、LDD領域とチャネル形成
領域とが非常に良好な接合部を形成しうることを意味す
る。
素膜の不要な部分を除去して、島状の半導体膜(以下、
活性層という)307〜310を形成する。
07〜310を覆ってゲート絶縁膜311を形成する。
ゲート絶縁膜311としては、10〜200nm、好ま
しくは50〜150nmの厚さの珪素を含む絶縁膜を用
いれば良い。これは単層構造でも積層構造でも良い。本
実施例では110nm厚の窒化酸化珪素膜を用いる。
成し、パターニングしてゲート電極312〜316を形
成する。なお、本実施例ではゲート電極と、ゲート電極
に電気的に接続された引き回しのための配線(以下、ゲ
ート配線という)とを別の材料で形成する。具体的には
ゲート電極よりも低抵抗な材料をゲート配線として用い
る。これは、ゲート電極としては微細加工が可能な材料
を用い、ゲート配線には微細加工はできなくとも配線抵
抗が小さい材料を用いるためである。勿論、ゲート電極
とゲート配線とを同一材料で形成してしまっても構わな
い。
ても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜と
することが好ましい。ゲート電極の材料としては公知の
あらゆる導電膜を用いることができる。ただし、上述の
ように微細加工が可能、具体的には2μm以下の線幅に
パターニング可能な材料が好ましい。
(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)も
しくはクロム(Cr)から選ばれた元素でなる膜、また
は前記元素の窒化物膜(代表的には窒化タンタル膜、窒
化タングステン膜、窒化チタン膜)、または前記元素を
組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金、Mo−
Ta合金)、または前記元素のシリサイド膜(代表的に
はタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜)ま
たは導電性を持たせたシリコン膜を用いることができ
る。勿論、単層で用いても積層して用いても良い。
(TaN)膜と、350nm厚のTa膜とでなる積層膜
を用いる。これはスパッタ法で形成すれば良い。また、
スパッタガスとしてXe、Ne等の不活性ガスを添加す
ると応力による膜はがれを防止することができる。
それぞれn型不純物領域305、306の一部とゲート
絶縁膜311を挟んで重なるように形成する。この重な
った部分が後にゲート電極と重なったLDD領域とな
る。
極312〜316をマスクとして自己整合的にn型不純
物元素(本実施例ではリン)を添加する。こうして形成
される不純物領域317〜323にはn型不純物領域3
05、306の1/2〜1/10(代表的には1/3〜
1/4)の濃度でリンが添加されるように調節する。具
体的には、1×1016〜5×1018atoms/cm3(典型的
には3×1017〜3×1018atoms/cm3)の濃度が好ま
しい。
極等を覆う形でレジストマスク324a〜324dを形成
し、n型不純物元素(本実施例ではリン)を添加して高
濃度にリンを含む不純物領域325〜331を形成す
る。ここでもフォスフィン(PH3)を用いたイオンド
ープ法で行い、この領域のリンの濃度は1×1020〜1
×1021atoms/cm3(代表的には2×1020〜5×10
20atoms/cm3)となるように調節する。
ース領域若しくはドレイン領域が形成されるが、スイッ
チング用TFTでは、図4(A)の工程で形成したn型
不純物領域320〜322の一部を残す。この残された
領域が、図1におけるスイッチング用TFTのLDD領
域15a〜15dに対応する。
マスク324a〜324dを除去し、新たにレジストマス
ク332を形成する。そして、p型不純物元素(本実施
例ではボロン)を添加し、高濃度にボロンを含む不純物
領域333、334を形成する。ここではジボラン(B
2H6)を用いたイオンドープ法により3×1020〜3×
1021atoms/cm3(代表的には5×1020〜1×1021a
toms/cm3)濃度となるようにボロンを添加する。
1×1016〜5×1018atoms/cm3の濃度でリンが添加
されているが、ここで添加されるボロンはその少なくと
も3倍以上の濃度で添加される。そのため、予め形成さ
れていたn型の不純物領域は完全にP型に反転し、P型
の不純物領域として機能する。
後、それぞれの濃度で添加されたn型またはp型不純物
元素を活性化する。活性化手段としては、ファーネスア
ニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール
法で行うことができる。本実施例では電熱炉において窒
素雰囲気中、550℃、4時間の熱処理を行う。
とが重要である。なぜならば酸素が少しでも存在してい
ると露呈したゲート電極の表面が酸化され、抵抗の増加
を招くと共に後にオーミックコンタクトを取りにくくな
るからである。従って、上記活性化工程における処理雰
囲気中の酸素濃度は1ppm以下、好ましくは0.1p
pm以下とすることが望ましい。
厚のゲート配線335を形成する。ゲート配線335の
材料としては、アルミニウム(Al)又は銅(Cu)を
主成分(組成として50〜100%を占める。)とする
金属膜を用いれば良い。配置としては図2のゲート配線
211のように、スイッチング用TFTのゲート電極3
14、315(図2のゲート電極19a、19bに相当す
る)を電気的に接続するように形成する。(図4
(D))
配線抵抗を非常に小さくすることができるため、面積の
大きい画像表示領域(画素部)を形成することができ
る。即ち、画面の大きさが対角10インチ以上(さらに
は30インチ以上)のEL表示装置を実現する上で、本
実施例の画素構造は極めて有効である。
絶縁膜336を形成する。第1層間絶縁膜336として
は、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組み
合わせた積層膜を用いれば良い。また、膜厚は400n
m〜1.5μmとすれば良い。本実施例では、200n
m厚の窒化酸化珪素膜の上に800nm厚の酸化珪素膜
を積層した構造とする。
中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処理を行い
水素化処理を行う。この工程は熱的に励起された水素に
より半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。
水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマに
より励起された水素を用いる)を行っても良い。
を形成する間に入れても良い。即ち、200nm厚の窒
化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を
行い、その後で残り800nm厚の酸化珪素膜を形成し
ても構わない。
タクトホールを形成し、ソース配線337〜340と、
ドレイン配線341〜343を形成する。なお、本実施
例ではこの電極を、チタン膜を100nm、チタンを含
むアルミニウム膜を300nm、チタン膜150nmを
スパッタ法で連続形成した3層構造の積層膜とする。勿
論他の導電膜でも良く、銀、パラジウム及び銅を含む合
金膜を用いても良い。
0〜300nm)の厚さで第1パッシベーション膜34
4を形成する。本実施例では第1パッシベーション膜3
44として300nm厚の窒化酸化珪素膜を用いる。こ
れは窒化珪素膜で代用しても良い。勿論、図1の第1パ
ッシベーション膜41と同様の材料を用いることが可能
である。
2、NH3等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行う
ことは有効である。この前処理により励起された水素が
第1層間絶縁膜336に供給され、熱処理を行うこと
で、第1パッシベーション膜344の膜質が改善され
る。それと同時に、第1層間絶縁膜336に添加された
水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化
することができる。
ィルター345と蛍光体346を形成する。これらの材
料は公知のものを用いれば良い。また、これらは別々に
パターニングして形成しても良いし、連続的に形成して
一括でパターニングして形成しても良い。また形成方法
としては、スクリーン印刷法、インクジェット法、マス
ク蒸着法(マスク材を用いて選択的に形成する方法)等
を用いれば良い。
には1〜2μm)の範囲で選択する。特に、蛍光体34
6は用いる材料によって最適な膜厚が異なる。即ち、薄
すぎると色変換効率が悪くなり、厚すぎると段差が大き
くなる上に光の透過光量が落ちてしまう。従って、両特
性の兼ね合いで最適な膜厚を決定しなければならない。
を色変換するカラー化方式を例にとって説明している
が、RGBに対応するEL層を個別に作製する方式を採
用する場合は、カラーフィルターや蛍光体を省略するこ
ともできる。
47を形成する。有機樹脂としてはポリイミド、ポリア
ミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン)等を使
用することができる。特に、第2層間絶縁膜347は平
坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが
好ましい。本実施例ではカラーフィルター345及び蛍
光体346の段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル
膜を形成する。好ましくは1〜5μm(さらに好ましく
は2〜4μm)とすれば良い。
ベーション膜344にドレイン配線343に達するコン
タクトホールを形成し、画素電極348を形成する。本
実施例では酸化インジウムと酸化スズとの化合物(IT
O)膜を110nmの厚さに形成し、パターニングを行
って画素電極とする。この画素電極348がEL素子の
陽極となる。なお、他の材料として、酸化インジウムと
酸化亜鉛との化合物膜や酸化ガリウムを含む酸化亜鉛膜
を用いることも可能である。
イン配線343を介して電流制御用TFTのドレイン領
域331へと電気的に接続された構造となっている。こ
の構造には次のような利点がある。
輸送層などの有機材料に直接接することになるため、E
L層に含まれた可動イオンが画素電極中を拡散する可能
性がある。即ち、本実施例の構造は画素電極348を直
接活性層の一部であるドレイン領域331へ接続せず、
ドレイン配線343を中継することによって活性層中へ
の可動イオンの侵入を防ぐことができる。
49、陰極(MgAg電極)350、保護電極351を
大気解放しないで連続形成する。このときEL層349
及び陰極350を形成するに先立って画素電極348に
対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが
望ましい。なお、EL層349としては公知の材料を用
いることができる。
ができる。本実施例では図19に示すように、正孔注入
層(Hole injecting layer)、正孔輸送層(Hole trans
porting layer)、発光層(Emitting layer)及び電子
輸送層(Electron transporting layer)でなる4層構
造をEL層とするが、電子輸送層を設けない場合もある
し、電子注入層を設ける場合もある。また、正孔注入層
を省略する場合もある。このように組み合わせは既に様
々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても
構わない。
系のTPD(トリフェニルアミン誘導体)を用いればよ
く、他にもヒドラゾン系(代表的にはDEH)、スチル
ベン系(代表的にはSTB)、スターバスト系(代表的
にはm−MTDATA)等を用いることができる。特に
ガラス転移温度が高く結晶化しにくいスターバスト系材
料が好ましい。また、ポリアニリン(PAni)、ポリ
チオフェン(PEDOT)もしくは銅フタロシアニン
(CuPc)を用いても良い。
C、ペリレン、DCMが用いることができるが、特にE
u(DBM)3(Phen)で示されるEu錯体(J.Kid
o et.al,Appl.Phys.,vol.35,pp.L394-396,1996に詳し
い。)は620nmの波長に鋭い発光をもち単色性が高
い。
3(8-hydroxyquinoline alminium)に数モル%のキナク
リドン又はクマリンを添加した材料を用いることができ
る。化学式は以下のようになる。
(ジスチルアリーレン誘導体)にアミノ置換DSAを添
加したジスチルアリーレンアミン誘導体を用いることが
できる。特に、性能の高い材料であるジスチリルビフェ
ニル(DPVBi)を用いることが好ましい。化学式は
以下のようになる。
て300nm厚の窒化珪素膜を設けるが、これも保護電
極351の後に大気解放しないで連続的に形成しても構
わない。勿論、第2パッシベーション膜352として
は、図1の第2パッシベーション膜49と同一の材料を
用いることができる。
光層及び電子注入層でなる4層構造をEL層とするが、
組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいず
れの構成を用いても構わない。また、本実施例ではEL
素子の陰極としてMgAg電極を用いるが、公知の他の
材料であっても良い。
0の劣化を防ぐために設けられ、アルミニウムを主成分
とする金属膜が代表的である。勿論、他の材料でも良
い。また、EL層349、MgAg電極350は非常に
水分に弱いので、保護電極351までを大気解放しない
で連続的に形成し、外気からEL層を保護することが望
ましい。
nm(典型的には60〜160nm)、MgAg電極3
50の厚さは180〜300nm(典型的には200〜
250nm)とすれば良い。
クティブマトリクス型EL表示装置が完成する。ところ
で、本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置
は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のTF
Tを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動
作特性も向上しうる。
ットキャリア注入を低減させる構造を有するTFTを、
駆動回路を形成するCMOS回路のnチャネル型TFT
205として用いる。なお、ここでいう駆動回路として
は、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプ
リング回路(トランスファゲートともいう)などが含ま
れる。デジタル駆動を行う場合には、D/Aコンバータ
などの信号変換回路も含まれうる。
に、nチャネル型205の活性層は、ソース領域35
5、ドレイン領域356、LDD領域357及びチャネ
ル形成領域358を含み、LDD領域357はゲート絶
縁膜311を挟んでゲート電極313と重なっている。
ているのは、動作速度を落とさないための配慮である。
また、このnチャネル型TFT205はオフ電流値をあ
まり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視し
た方が良い。従って、LDD領域357は完全にゲート
電極313に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくする
ことが望ましい。即ち、いわゆるオフセットはなくした
方がよい。
206は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にな
らないので、特にLDD領域を設けなくても良い。勿
論、nチャネル型TFT205と同様にLDD領域を設
け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。
は他の回路と比べて少し特殊であり、チャネル形成領域
を双方向に大電流が流れる。即ち、ソース領域とドレイ
ン領域の役割が入れ替わるのである。さらに、オフ電流
値を極力低く抑える必要があり、そういった意味でスイ
ッチング用TFTと電流制御用TFTの中間程度の機能
を有するTFTを配置することが望ましい。
ャネル型TFTは、図9に示すような構造のTFTを配
置することが望ましい。図9に示すように、LDD領域
901a、901bの一部がゲート絶縁膜902を挟んで
ゲート電極903と重なる。この効果は電流制御用TF
T202の説明で述べた通りであり、サンプリング回路
の場合はチャネル形成領域904を挟む形でLDD領域
901a、901bを設ける点が異なる。
成して画素部を形成している。画素内に形成されるスイ
ッチング用TFT及び電流制御用TFTの構造について
は、図1で既に説明したのでここでの説明は省略する。
ら、さらに外気に曝されないように気密性の高い保護フ
ィルム(ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム
等)やセラミックス製シーリングカンなどのハウジング
材でパッケージング(封入)することが好ましい。その
際、ハウジング材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部
に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置することで
EL層の信頼性(寿命)が向上する。
性を高めたら、基板上に形成された素子又は回路から引
き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネ
クター(フレキシブルプリントサーキット:FPC)を
取り付けて製品として完成する。このような出荷できる
状態にまでしたEL表示装置を本明細書中ではELモジ
ュールという。
EL表示装置の構成を図6の斜視図を用いて説明する。
本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置は、ガ
ラス基板601上に形成された、画素部602と、ゲー
ト側駆動回路603と、ソース側駆動回路604で構成
される。画素部のスイッチング用TFT605はnチャ
ネル型TFTであり、ゲート側駆動回路603に接続さ
れたゲート配線606、ソース側駆動回路604に接続
されたソース配線607の交点に配置されている。ま
た、スイッチング用TFT605のドレインは電流制御
用TFT608のゲートに電気的に接続されている。
は電流供給線609に接続され、電流制御用TFT60
8のドレインにはEL素子610が電気的に接続されて
いる。このとき、電流制御用TFT608がnチャネル
型TFTであればそのドレインにはEL素子610の陰
極が接続されることが好ましい。また、電流制御用TF
T608がpチャネル型TFTであればそのドレインに
はEL素子610の陽極が接続されることが好ましい。
には駆動回路まで信号を伝達するための入力配線(接続
配線)612、613、及び電流供給線609に接続さ
れた入力配線614が設けられている。
成の一例を図7に示す。本実施例のEL表示装置は、ソ
ース側駆動回路701、ゲート側駆動回路(A)70
7、ゲート側駆動回路(B)711、画素部706を有
している。なお、本明細書中において、駆動回路とはソ
ース側処理回路およびゲート側駆動回路を含めた総称で
ある。
タ702、レベルシフタ703、バッファ704、サン
プリング回路(トランスファゲート)705を備えてい
る。また、ゲート側駆動回路(A)707は、シフトレ
ジスタ708、レベルシフタ709、バッファ710を
備えている。ゲート側駆動回路(B)711も同様な構
成である。
動電圧が5〜16V(代表的には10V)であり、回路
を形成するCMOS回路に使われるnチャネル型TFT
は図5(C)の205で示される構造が適している。
ファ704、710は、駆動電圧は14〜16Vと高く
なるが、シフトレジスタと同様に、図5(C)のnチャ
ネル型TFT205を含むCMOS回路が適している。
なお、ゲート配線をダブルゲート構造、トリプルゲート
構造といったマルチゲート構造とすることは、各回路の
信頼性を向上させる上で有効である。
が14〜16Vであるが、ソース領域とドレイン領域が
反転する上、オフ電流値を低減する必要があるので、図
9のnチャネル型TFT208を含むCMOS回路が適
している。
6Vであり、図1に示した構造の画素を配置する。
工程に従ってTFTを作製することによって容易に実現
することができる。また、本実施例では画素部と駆動回
路の構成のみ示しているが、本実施例の作製工程に従え
ば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ回路、
オペアンプ回路、γ補正回路など駆動回路以外の論理回
路を同一基板上に形成することが可能であり、さらには
メモリ部やマイクロプロセッサ等を形成しうると考えて
いる。
のELモジュールについて図17(A)、(B)を用い
て説明する。なお、必要に応じて図6、図7で用いた符
号を引用することにする。
0上には画素部1701、ソース側駆動回路1702、
ゲート側駆動回路1703が形成されている。それぞれ
の駆動回路からの各種配線は、入力配線612〜614
を経てFPC611に至り外部機器へと接続される。
動回路及び画素部を囲むようにしてハウジング材170
4を設ける。なお、ハウジング材1704はEL素子の
外寸よりも内寸が大きい凹部を有する形状又はシート形
状であり、接着剤1705によって、基板1700と共
同して密閉空間を形成するようにして基板1700に固
着される。このとき、EL素子は完全に前記密閉空間に
封入された状態となり、外気から完全に遮断される。な
お、ハウジング材1704は複数設けても構わない。
ス、ポリマー等の絶縁性物質が好ましい。例えば、非晶
質ガラス(硼硅酸塩ガラス、石英等)、結晶化ガラス、
セラミックスガラス、有機系樹脂(アクリル系樹脂、ス
チレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹
脂等)、シリコーン系樹脂が挙げられる。また、セラミ
ックスを用いても良い。また、接着剤1705が絶縁性
物質であるならステンレス合金等の金属材料を用いるこ
とも可能である。
系樹脂、アクリレート系樹脂等の接着剤を用いることが
可能である。さらに、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接
着剤として用いることもできる。但し、可能な限り酸
素、水分を透過しない材質であることが必要である。
間の空隙1706は不活性ガス(アルゴン、ヘリウム、
窒素等)を充填しておくことが望ましい。また、ガスに
限らず不活性液体(パーフルオロアルカンに代表される
の液状フッ素化炭素等)を用いることも可能である。不
活性液体に関しては特開平8−78159号で用いられ
ているような材料で良い。また、樹脂を充填しても良
い。
ことも有効である。乾燥剤としては特開平9−1480
66号公報に記載されているような材料を用いることが
できる。典型的には酸化バリウムを用いれば良い。ま
た、乾燥剤だけでなく酸化防止剤を設けることも有効で
ある。
には個々に孤立したEL素子を有する複数の画素が設け
られ、それらは全て保護電極1707を共通電極として
有している。本実施例では、EL層、陰極(MgAg電
極)及び保護電極を大気解放しないで連続形成すること
が好ましいとしたが、EL層と陰極とを同じマスク材を
用いて形成し、保護電極だけ別のマスク材で形成すれば
図17(B)の構造を実現することができる。
ればよく、駆動回路の上に設ける必要はない。勿論、駆
動回路上に設けられていても問題とはならないが、EL
層にアルカリ金属が含まれていることを考慮すると設け
ない方が好ましい。
れる領域において、入力配線1709に接続される。入
力配線1709は保護電極1707に所定の電圧を与え
るための配線であり、導電性ペースト材料(代表的には
異方導電性膜)1710を介してFPC611に接続さ
れる。
造を実現するための作製工程を図18を用いて説明す
る。
の状態を得る。このとき、基板端部(図17(B)にお
いて1708で示される領域)において第1層間絶縁膜
336及びゲート絶縁膜311を除去し、その上に入力
配線1709を形成する。勿論、図5(A)のソース配
線及びドレイン配線と同時に形成される。(図18
(A))
347及び第1パッシベーション膜344をエッチング
する際に、1801で示される領域を除去し、且つ開孔
部1802を形成する。(図18(B))
(画素電極、EL層及び陰極の形成工程)が行われる。
この際、図18に示される領域ではマスク材を用いてE
L素子が形成されないようにする。そして、陰極349
を形成した後、別のマスク材を用いて保護電極350を
形成する。これにより保護電極350と入力配線170
9とが電気的に接続される。さらに、第2パッシベーシ
ョン膜352を設けて図18(C)の状態を得る。
で示される領域のコンタクト構造が実現される。そし
て、入力配線1709はハウジング材1704と基板1
700との間の隙間(但し接着剤1705で充填されて
いる。即ち、接着剤1705は入力配線の段差を十分に
平坦化しうる厚さが必要である。)を通ってFPC61
1に接続される。なお、ここでは入力配線1709につ
いて説明したが、他の入力配線612〜614も同様に
してハウジング材1704の下を通ってFPC611に
接続される。
図2(B)に示した構成と異なるものとした例を図10
に示す。
画素を、電流供給線について対称となるように配置す
る。即ち、図10に示すように、電流供給線213を隣
接する二つの画素間で共通化することで、必要とする配
線の本数を低減することができる。なお、画素内に配置
されるTFT構造等はそのままで良い。
素部を作製することが可能となり、画像の品質が向上す
る。
程に従って容易に実現可能であり、TFT構造等に関し
ては実施例1や図1の説明を参照すれば良い。
構造の画素部を形成する場合について図11を用いて説
明する。なお、第2層間絶縁膜44を形成する工程まで
は実施例1に従えば良い。また、第2層間絶縁膜44で
覆われたスイッチング用TFT201、電流制御用TF
T202は図1と同じ構造であるので、説明は省略す
る。
第1パッシベーション膜41に対してコンタクトホール
を形成したら、画素電極51、陰極52及びEL層53
を形成する。本実施例では陰極52とEL層53を大気
解放しない真空蒸着法で連続的に形成するが、その際に
マスク材を用いて選択的に赤色発光のEL層、緑色発光
のEL層、青色発光のEL層を別々の画素に形成する。
なお、図11には一つの画素しか図示していないが、同
一構造の画素が赤、緑又は青のそれぞれの色に対応して
形成され、これによりカラー表示を行うことができる。
これら各色のEL層は公知の材料を採用すれば良い。
nm厚のアルミニウム合金膜(1wt%のチタンを含有し
たアルミニウム膜)を設ける。なお、画素電極の材料と
しては金属材料であれば如何なる材料でも良いが、反射
率の高い材料であることが好ましい。また、陰極52と
して230nm厚のMgAg電極を用い、EL層53の
膜厚は90nm(下から電子輸送層20nm、発光層4
0nm、正孔輸送層30nm)とする。
膜)からなる陽極54を110nmの厚さに形成する。
こうしてEL素子209が形成され、実施例1に示した
材料でもって第2パッシベーション膜55を形成すれば
図11に示すような構造の画素が完成する。
された赤色、緑色又は青色の光はTFTが形成された基
板とは反対側に放射される。そのため、画素内のほぼ全
域、即ちTFTが形成された領域をも有効な発光領域と
して用いることができる。その結果、画素の有効発光面
積が大幅に向上し、画像の明るさやコントラスト比(明
暗の比)が向上する。
いずれの構成とも自由に組み合わせることが可能であ
る。
2とは異なる構造の画素を形成する場合について図12
(A)、(B)を用いて説明する。
チング用TFTであり、活性層56、ゲート電極57
a、ゲート配線57b、ソース配線58及びドレイン配線
59を構成として含む。また、1202は電流制御用T
FTであり、活性層60、ゲート電極61、ソース配線
62及びドレイン配線63を構成として含む。そして、
電流制御用TFT1202のソース配線62は電流供給
線64に接続され、ドレイン配線63はEL素子65に
接続される。この画素の回路構成を表したのが図12
(B)である。
スイッチング用TFTの構造である。本実施例では線幅
が0.1〜5μmと細いゲート電極57aを形成し、その
部分を横切るようにして活性層56を形成する。そして
各画素のゲート電極57aを電気的に接続するようにゲ
ート配線57bが形成される。これにより面積をさほど
専有することなくトリプルゲート構造を実現している。
実施例のような構造とするとスイッチング用TFTの専
有する面積が小さくなるため有効発光面積が広くなる、
即ち画像の明るさが向上する。また、オフ電流値を低減
するための冗長性を高めたゲート構造を実現しうるた
め、さらなる画質の向上を図ることができる。
電流供給線64を隣接する画素間で共通化しても良い
し、実施例3のような構造としても良い。また、作製工
程に関しては実施例1に従えば良い。
ト型TFTの場合について説明したが、本発明はボトム
ゲート型TFTを用いて実施しても構わない。本実施例
では逆スタガ型TFTで本発明を実施した場合について
図13に示す。なお、TFT構造以外は図1の構造と同
様であるので必要に応じて図1と同じ符号を用いる。
は実施例1と同様の材料を用いることができる。そし
て、下地膜12上にはスイッチング用TFT1301及
び電流制御用TFT1302が形成される。
ゲート電極70a、70b、ゲート配線71、ゲート絶縁
膜72、ソース領域73、ドレイン領域74、LDD領
域75a〜75d、高濃度不純物領域76、チャネル形成
領域77a、77b、チャネル保護膜78a、78b、第1
層間絶縁膜79、ソース配線80及びドレイン配線81
を含む。
は、ゲート電極82、ゲート絶縁膜72、ソース領域8
3、ドレイン領域84、LDD領域85、チャネル形成
領域86、チャネル保護膜87、第1層間絶縁膜79、
ソース配線88及びドレイン配線89を含む。この時、
ゲート電極82はスイッチング用TFT1301のドレ
イン配線81と電気的に接続される。
及び電流制御用TFT1302は公知の逆スタガ型TF
Tの作製方法によって形成すれば良い。また、上記TF
Tを形成する各部位(配線、絶縁膜、活性層等)の材料
は実施例1のトップゲート型TFTにおいて対応する各
部位と同様の材料を用いることができる。但し、トップ
ゲート型TFTの構成にはないチャネル保護膜78a、
78b、87に関しては、珪素を含む絶縁膜で形成すれ
ば良い。また、ソース領域、ドレイン領域又はLDD領
域等の不純物領域の形成については、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて個別に不純物濃度を変えて形成すれば良
い。
ン膜41、絶縁膜(平坦化膜)44、画素電極(陽極)
45、EL層46、MgAg電極(陰極)47、アルミ
ニウム電極(保護電極)48、第2パッシベーション膜
49を順次形成してEL素子1303を有する画素が完
成する。これらの作製工程及び材料に関しては実施例1
を参考にすれば良い。
いずれの構成とも自由に組み合わせることが可能であ
る。
1の構造において、活性層と基板との間に設けられる下
地膜として、第1パッシベーション膜41や第2パッシ
ベーション膜49と同様に放熱効果の高い材料を用いる
ことは有効である。特に電流制御用TFTは多くの電流
を流すことになるため発熱しやすく、自己発熱による劣
化が問題となりうる。そのような場合に、本実施例のよ
うに下地膜が放熱効果を有することでTFTの熱劣化を
防ぐことができる。
から防ぐ効果も重要であるので、第1パッシベーション
膜41と同様にSi、Al、N、O、Mを含む化合物と
珪素を含む絶縁膜との積層構造を用いることも好まし
い。
いずれの構成とも自由に組み合わせることが可能であ
る。
した場合、EL層から発する光は基板とは反対側に放射
されるため、基板と画素電極との間に存在する絶縁膜等
の透過率を気にする必要がない。即ち、多少透過率の低
い材料であっても用いることができる。
ン膜41としてダイヤモンド薄膜、ダイヤモンドライク
カーボン膜又はアモルファスカーボン膜と呼ばれる炭素
膜を用いる上で有利である。即ち、透過率の低下を気に
する必要がないため、膜厚を100〜500nmという
ように厚く設定することができ、放熱効果をより高める
ことが可能である。
炭素膜を用いる場合に関しては、やはり透過率の低下は
避けるべきであるので、膜厚は5〜100nm程度にし
ておくことが好ましい。
1パッシベーション膜41又は第2パッシベーション膜
49のいずれに炭素膜を用いる場合においても、他の絶
縁膜と積層して用いることは有効である。
造とする場合において有効であり、その他の構成に関し
ては、実施例1〜6のいずれの構成とも自由に組み合わ
せることが可能である。
素においてスイッチング用TFTをマルチゲート構造と
することによりスイッチング用TFTのオフ電流値を低
減し、保持容量の必要性を排除することを特徴としてい
る。これは保持容量の専有する面積を発光領域として有
効に活用するための工夫である。
いまでも専有面積を小さくするだけで有効発光面積を広
げるという効果は得られる。即ち、スイッチング用TF
Tをマルチゲート構造にすることによりオフ電流値を低
減し、保持容量の専有面積を縮小化するだけでも十分に
本発明の目的は達成される。
ることも可能である。なお、図14では必要に応じて図
1と同じ符号を引用している。
用TFTに接続された保持容量1401が存在する点で
ある。保持容量1401はスイッチング用TFT201
のドレイン領域14から延長された半導体領域(下部電
極)1402とゲート絶縁膜18と容量電極(上部電
極)1403とで形成される。この容量電極1403は
TFTのゲート電極19a、19b、35と同時に形成さ
れる。
(A)の上面図をA−A’で切った断面図が図14に相
当する。図15(A)示すように、容量電極1403は
電気的に接続された接続配線1404を介して電流制御
用TFTのソース領域31と電気的に接続される。な
お、接続配線1404はソース配線21、36及びドレ
イン配線22、37と同時に形成される。また、図15
(B)は図15(A)に示す上面図の回路構成を表して
いる。
いずれの構成とも自由に組み合わせることができる。即
ち、画素内に保持容量が設けられるだけであって、TF
T構造やEL層の材料等に限定を加えるものではない。
302の形成手段としてレーザー結晶化を用いている
が、本実施例では異なる結晶化手段を用いる場合につい
て説明する。
後、特開平7−130652号公報に記載された技術を
用いて結晶化を行う。同公報に記載された技術は、結晶
化を促進(助長)する触媒として、ニッケル等の元素を
用い、結晶性の高い結晶質珪素膜を得る技術である。
に用いた触媒を除去する工程を行っても良い。その場
合、特開平10−270363号若しくは特開平8−3
30602号に記載された技術により触媒をゲッタリン
グすれば良い。
967の出願明細書に記載された技術を用いてTFTを
形成しても良い。
は一実施例であって、図1又は実施例1の図5(C)の
構造が実現できるのであれば、他の作製工程を用いても
問題はない。
いずれの構成とも自由に組み合わせることが可能であ
る。
動するにあたって、画像信号としてアナログ信号を用い
たアナログ駆動を行うこともできるし、デジタル信号を
用いたデジタル駆動を行うこともできる。
TFTのソース配線にはアナログ信号が送られ、その階
調情報を含んだアナログ信号が電流制御用TFTのゲー
ト電圧となる。そして、電流制御用TFTでEL素子に
流れる電流を制御し、EL素子の発光強度を制御して階
調表示を行う。この場合、電流制御用TFTは飽和領域
で動作させることが望ましい。即ち、|Vds|>|Vgs
−Vth|の条件内で動作させることが望ましい。なお、
ここでVdsはソース領域とドレイン領域との間の電圧、
Vgsはソース領域とゲート電極との間の電圧、VthはT
FTのしきい値電圧である。
的な階調表示とは異なり、時分割駆動(時間階調駆動)
もしくは面積階調駆動と呼ばれる階調表示を行う。即
ち、発光時間の長さや発光面積比率を調節することで、
視覚的に色階調が変化しているように見せる。この場
合、電流制御用TFTは線形領域で動作させることが望
ましい。即ち、|Vds|<|Vgs−Vth|の条件内で動
作させることが望ましい。
度が速いため、高速で駆動することが可能である。その
ため、1フレームを複数のサブフレームに分割して階調
表示を行う時分割駆動に適した素子であると言える。ま
た、1フレーム期間が短いため電流制御用TFTのゲー
ト電圧を保持しておく時間も短くて済み、保持容量を小
さくする、もしくは省略する上で有利と言える。
術であるので、駆動方法は如何なるものであっても構わ
ない。
L表示装置の画素構造の例を図21(A)、(B)に示
す。なお、本実施例において、4701はスイッチング
用TFT4702のソース配線、4703はスイッチン
グ用TFT4702のゲート配線、4704は電流制御
用TFT、4705は電流供給線、4706は電源制御
用TFT、4707は電源制御用ゲート配線、4708
はEL素子とする。電源制御用TFT4706の動作に
ついては特願平11−341272号を参照すると良
い。
06を電流制御用TFT4704とEL素子4708と
の間に設けているが、電源制御用TFT4706とEL
素子4708との間に電流制御用TFT4704が設け
られた構造としても良い。また、電源制御用TFT47
06は電流制御用TFT4704と同一構造とするか、
同一の活性層で直列させて形成するのが好ましい。
流供給線4705を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線4705を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。
3と平行に電流供給線4710を設け、ソース配線47
01と平行に電源制御用ゲート配線4711を設けた場
合の例である。なお、図21(B)では電流供給線47
10とゲート配線4703とが重ならないように設けた
構造となっているが、両者が異なる層に形成される配線
であれば、絶縁膜を挟んで重なるように設けることもで
きる。この場合、電流供給線4710とゲート配線47
03とで専有面積を共有させることができるため、画素
部をさらに高精細化することができる。
L表示装置の画素構造の例を図22(A)、(B)に示
す。なお、本実施例において、4801はスイッチング
用TFT4802のソース配線、4803はスイッチン
グ用TFT4802のゲート配線、4804は電流制御
用TFT、4805は電流供給線、4806は消去用T
FT、4807は消去用ゲート配線、4808はEL素
子とする。消去用TFT4806の動作については特願
平11−338786号を参照すると良い。
御用TFT4804のゲートに接続され、電流制御用T
FT4804のゲート電圧を強制的に変化させることが
できるようになっている。なお、消去用TFT4806
はnチャネル型TFTとしてもpチャネル型TFTとし
ても良いが、オフ電流を小さくできるようにスイッチン
グ用TFT4802と同一構造とすることが好ましい。
流供給線4805を共通とした場合の例である。即ち、
二つの画素が電流供給線4805を中心に線対称となる
ように形成されている点に特徴がある。この場合、電流
供給線の本数を減らすことができるため、画素部をさら
に高精細化することができる。
3と平行に電流供給線4810を設け、ソース配線48
01と平行に消去用ゲート配線4811を設けた場合の
例である。なお、図22(B)では電流供給線4810
とゲート配線4803とが重ならないように設けた構造
となっているが、両者が異なる層に形成される配線であ
れば、絶縁膜を挟んで重なるように設けることもでき
る。この場合、電流供給線4810とゲート配線480
3とで専有面積を共有させることができるため、画素部
をさらに高精細化することができる。
素内にいくつのTFTを設けた構造としても良い。実施
例11、12ではTFTを三つ設けた例を示している
が、四つ乃至六つのTFTを設けても構わない。本発明
はEL表示装置の画素構造に限定されずに実施すること
が可能である。
制御用TFT202としてpチャネル型TFTを用いた
場合の例について説明する。なお、その他の部分は図1
と同様であるので詳細な説明は省略する。
す。本実施例で用いるpチャネル型TFTの作製方法は
実施例1を参考にすれば良い。pチャネル型TFTの活
性層はソース領域91、ドレイン領域92およびチャネ
ル形成領域93を含み、ソース領域91はソース配線3
6に、ドレイン領域92はドレイン配線37に接続され
ている。
の陽極が接続される場合は、電流制御用TFTとしてp
チャネル型TFTを用いることが好ましい。
のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが
可能である。
起子からの燐光を発光に利用できるEL材料を用いるこ
とで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることがで
きる。これにより、EL素子の低消費電力化、長寿命
化、および軽量化が可能になる。ここで、三重項励起子
を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Proce
sses in Organized Molecular Systems, ed.K.Honda,
(Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)上記論文に
報告されたEL材料(クマリン色素)の分子式を以下に
示す。
stikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Natur
e 395 (1998) p.151.) 上記論文に報告されたEL材料(Pt錯体)の分子式を
以下に示す。
M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.,75 (199
9) p.4.) (T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Wat
anabe, T.tsuji, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi,
Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.) 上記論文に報告されたEL材料(Ir錯体)の分子式を
以下に示す。
を利用できれば原理的には一重項励起子からの蛍光発光
を用いる場合より3〜4倍の高い外部発光量子効率の実
現が可能となる。なお、本実施例の構成は、実施例1〜
実施例13のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施
することが可能である。
有機EL材料を用いることが好ましいとしたが、本発明
は無機EL材料を用いても実施できる。但し、現在の無
機EL材料は非常に駆動電圧が高いため、アナログ駆動
を行う場合には、そのような駆動電圧に耐えうる耐圧特
性を有するTFTを用いなければならない。
機EL材料が開発されれば、本発明に適用することは可
能である。
のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能であ
る。
たアクティブマトリクス型EL表示装置(ELモジュー
ル)は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明る
い場所での視認性に優れている。そのため直視型のEL
ディスプレイ(ELモジュールを組み込んだ表示ディス
プレイを指す)として用途は広い。
イよりも有利な点の一つとして視野角の広さが挙げられ
る。従って、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角3
0インチ以上(典型的には40インチ以上)の表示ディ
スプレイ(表示モニタ)として本発明のELディスプレ
イを用いるとよい。
タ、TV放送受信用モニタ、広告表示モニタ等)として
用いるだけでなく、様々な電子装置の表示ディスプレイ
として用いることができる。
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッド
マウントディスプレイ)、カーナビゲーション、パーソ
ナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュー
タ、携帯電話または電子書籍等)、記録媒体を備えた画
像再生装置(具体的にはコンパクトディスク(CD)、
レーザーディスク(登録商標)(LD)又はデジタルビ
デオディスク(DVD)等の記録媒体を再生し、その画
像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げ
られる。それら電子装置の例を図16に示す。
あり、本体2001、筐体2002、表示部2003、
キーボード2004を含む。本発明は表示部2003に
用いることができる。
2101、表示部2102、音声入力部2103、操作
スイッチ2104、バッテリー2105、受像部210
6を含む。本発明を表示部2102に用いることができ
る。
あり、本体2201、表示部2202、アーム部220
3を含む。本発明は表示部2202に用いることができ
る。
ュータであり、本体2301、カメラ部2302、受像
部2303、操作スイッチ2304、表示部2305を
含む。本発明は表示部2305に用いることができる。
装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体240
1、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2402、
操作スイッチ2403、表示部(a)2404、表示部
(b)2405を含む。表示部(a)は主として画像情
報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示す
るが、本発明はこれら表示部(a)、(b)に用いるこ
とができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置とし
ては、CD再生装置、ゲーム機器などに本発明を用いる
ことができる。
筐体2501、支持台2502、表示部2503を含
む。本発明は表示部2503に用いることができる。本
発明のELディスプレイは特に大画面化した場合におい
て有利であり、対角10インチ以上(特に対角30イン
チ以上)のディスプレイには有利である。
なれば、フロント型若しくはリア型のプロジェクターに
用いることも可能となる。
ATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。EL材料の応答速
度は非常に高いため、そのような動画表示を行うのに適
している。
電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように
情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端
末、特に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を
主とする表示部にEL表示装置を用いる場合には、非発
光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するよう
に駆動することが望ましい。
体2601、音声出力部2602、音声入力部260
3、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ
2606を含む。本発明のEL表示装置は表示部260
4に用いることができる。なお、表示部2604は黒色
の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電
力を抑えることができる。
(カーオーディオ)であり、本体2701、表示部27
02、操作スイッチ2703、2704を含む。本発明
のEL表示装置は表示部2702に用いることができ
る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、据
え置き型オーディオに用いても良い。なお、表示部27
02は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電
力を抑えられる。
く、あらゆる分野の電子装置に適用することが可能であ
る。また、本実施例の電子装置は実施例1〜16のどの
ような組み合わせからなる構成を用いても実現すること
ができる。
素子の求める仕様に応じて適切な性能のTFTを配置し
た画素を形成することが可能となり、アクティブマトリ
クス型EL表示装置の動作性能や信頼性を大幅に向上さ
せることができる。
スプレイとして有することで、画像品質が良く、耐久性
のある(信頼性の高い)応用製品(電子装置)を生産す
ることが可能となる。
図。
を示す図。
製工程を示す図。
製工程を示す図。
製工程を示す図。
図。
造を示す図。
図。
を示す図。
図。
図。
を示す図。
図。
図。
図。
Claims (7)
- 【請求項1】第1のTFT、該第1のTFTに電気的に
接続されたゲートを有する第2のTFT及び該第2のT
FTに電気的に接続されたEL素子を画素に有する電気
光学装置において、 前記第1のTFTは、直列に接続された二つ以上のチャ
ネル形成領域を有する活性層を含むことを特徴とする電
気光学装置。 - 【請求項2】第1のTFT、該第1のTFTに電気的に
接続されたゲートを有する第2のTFT及び該第2のT
FTに電気的に接続されたEL素子を画素に有する電気
光学装置において、 前記第1のTFTは直列に接続された二つ以上のチャネ
ル形成領域を有する活性層を含み、 前記第2のTFTのチャネル幅は前記第1のTFTのチ
ャネル幅よりも大きいことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項3】第1のTFT、該第1のTFTに電気的に
接続されたゲートを有する第2のTFT及び該第2のT
FTに電気的に接続されたEL素子を画素に有する電気
光学装置において、 少なくとも前記第1のTFTは直列に接続された二つ以
上のチャネル形成領域を有する活性層を含み、 前記第2のTFTのチャネル長をL2、チャネル幅をW
2とし、前記第1のTFTのチャネル長をL1、チャネ
ル幅をW1とした時、W2/L2≧5×W1/L1の関
係式が成り立つことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項4】請求項3において、前記前記第2のTFT
のチャネル長(L2)が0.1〜50μm、同チャネル
幅(W2)が0.5〜30μmであり、前記第1のTF
Tのチャネル長(L1)が0.2〜18μm、同チャネ
ル幅(W1)が0.1〜5μmであることを特徴とする
電気光学装置。 - 【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一におい
て、前記第1のTFTはスイッチング用素子であり、前
記第2のTFTは電流制御用素子であることを特徴とす
る電気光学装置。 - 【請求項6】請求項1乃至請求項4のいずれか一におい
て、前記第1のTFTのLDD領域は、該第1のTFT
のゲート電極とゲート絶縁膜を挟んで重ならないように
形成され、 前記第2のTFTのLDD領域は、該第2のTFTのゲ
ート電極とゲート絶縁膜を挟んで一部若しくは全部が重
なるように形成されていることを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項7】請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載
された電気光学装置を有することを特徴とする電子装
置。
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Related Child Applications (1)
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Publications (3)
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---|---|
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003084683A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003295793A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003330391A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US6909240B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR100560777B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부 |
JP2007041612A (ja) * | 2002-01-18 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器 |
JP2007256926A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
US7385223B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-06-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with thin film transistor |
US7579220B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
KR100920316B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2009-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JP2010191368A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Casio Computer Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
US7853217B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Wireless communication terminal apparatus and CQI selecting method |
US7864698B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Radio communication device and CQI generation method |
JP2011209612A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US8575611B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-11-05 | Panasonic Corporation | Light-emitting display device and manufacturing method for light-emitting display device |
JP2014038342A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-02-27 | Japan Display Inc | 表示装置 |
JP2014067039A (ja) * | 2005-09-16 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2019040207A (ja) * | 2006-07-21 | 2019-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2019070817A (ja) * | 2018-12-04 | 2019-05-09 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置 |
JP2020031223A (ja) * | 2009-08-07 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021500588A (ja) * | 2017-08-31 | 2021-01-07 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | アレイ基板、表示装置およびアレイ基板の製造方法 |
JP2021052187A (ja) * | 2013-06-05 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7449280B2 (ja) | 2019-04-23 | 2024-03-13 | 京セラ株式会社 | マイクロled素子基板および表示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0580712A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-02 | General Motors Corp <Gm> | 放射性デイスプレイ |
JPH0595115A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mosトランジスタの製造方法 |
JPH0945930A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH09166788A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH09293879A (ja) * | 1996-04-27 | 1997-11-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその作製方法 |
WO1998013811A1 (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Seiko Epson Corporation | Display device |
WO1998036406A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Current-driven emissive display device and method for manufacturing the same |
JPH11103067A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JPH11112001A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
2000
- 2000-06-02 JP JP2000166749A patent/JP3904807B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0580712A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-02 | General Motors Corp <Gm> | 放射性デイスプレイ |
JPH0595115A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mosトランジスタの製造方法 |
JPH0945930A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH09166788A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH09293879A (ja) * | 1996-04-27 | 1997-11-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその作製方法 |
WO1998013811A1 (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Seiko Epson Corporation | Display device |
WO1998036406A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Current-driven emissive display device and method for manufacturing the same |
JPH11103067A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JPH11112001A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012118533A (ja) * | 2000-09-29 | 2012-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
KR100560777B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부 |
JP2003084683A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
US8648338B2 (en) | 2001-11-09 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising an organic compound layer |
US8154015B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device including thin film transistor |
US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100920316B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2009-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2007041612A (ja) * | 2002-01-18 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、電子機器 |
JP4490403B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2010-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR100938641B1 (ko) * | 2002-01-18 | 2010-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
JP2010002938A (ja) * | 2002-01-18 | 2010-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US10978613B2 (en) | 2002-01-18 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US7262556B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US6909240B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2012083771A (ja) * | 2002-01-18 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2012150483A (ja) * | 2002-01-18 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびモジュール |
JP2003330391A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003295793A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004126106A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US7385223B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-06-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display with thin film transistor |
TWI384525B (zh) * | 2005-05-20 | 2013-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
US7579220B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
US7947538B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7853217B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Wireless communication terminal apparatus and CQI selecting method |
JP2014067039A (ja) * | 2005-09-16 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2007256926A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
US7864698B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Radio communication device and CQI generation method |
US10692961B2 (en) | 2006-07-21 | 2020-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
JP2019040207A (ja) * | 2006-07-21 | 2019-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10586842B2 (en) | 2006-07-21 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
US10854704B2 (en) | 2006-07-21 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
US11937475B2 (en) | 2006-07-21 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
US11605696B2 (en) | 2006-07-21 | 2023-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
JP2010191368A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Casio Computer Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
JP2020031223A (ja) * | 2009-08-07 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2011209612A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
US8575611B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-11-05 | Panasonic Corporation | Light-emitting display device and manufacturing method for light-emitting display device |
JP2021052187A (ja) * | 2013-06-05 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022024073A (ja) * | 2013-06-05 | 2022-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2014038342A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-02-27 | Japan Display Inc | 表示装置 |
US11239297B2 (en) | 2017-08-31 | 2022-02-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate with capacitor including conductive part of active layer and method of fabricating thereof |
JP7060210B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-04-26 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | アレイ基板、表示装置およびアレイ基板の製造方法 |
JP2021500588A (ja) * | 2017-08-31 | 2021-01-07 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | アレイ基板、表示装置およびアレイ基板の製造方法 |
JP2019070817A (ja) * | 2018-12-04 | 2019-05-09 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置 |
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