JP2008233148A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】フローティングゲートを画素信号電荷の蓄積に用いると共に、TFTがオフ時のリーク電流を無くすことが可能なTFT構造を提供し、また、このようなTFT素子を用いることによりコントラスト等の画像特性の向上、及び消費電力の低減を図ることが可能な電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた液晶プロジェクタ等の電子機器に関する。
液晶装置等の電気光学装置は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTという)等を画素選択用のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス駆動形式を採ることが多い。
ところで、TFTを画素のスイッチング素子に用いる場合、TFTのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してTFTの特性が劣化し、表示面における画質の不均一やコントラスト比の低下、フリッカ特性の劣化等の原因となる。これは、高階調な画像表現の妨げともなる。
そこで、例えば特許文献1には、フローティングゲートを用いてTFTのゲート線として使用し、TFTの閾値を調整することにより、TFTがオフの時のリーク電流を小さくすることが記載されている。
特開平9−244067号公報
しかしながら、特許文献1では、TFTの閾値をずらすことで、TFTがオフの時のリーク電流を小さくするので、閾値の調整が必要になるという問題がある。
そこで、本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、フローティングゲートを画素信号電荷の蓄積に用いると共に、TFTがオフ時のリーク電流を無くすことが可能なTFT構造を提供することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
本発明による電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備えたものである。
このような構成においては、表示用電極としての画素電極には薄膜トランジスタのソース、チャンネル及びドレインを構成する導電性を有する半導体層が接続していないので、画素電極に保持した電荷が半導体層を通してリークすることが無く、コントラスト等の画像特性の向上、及び消費電力の低減を図ることができる。
本発明の装置において、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された蓄積容量を有し、
前記フローティングゲートが前記蓄積容量の一方の電極を兼ねることを特徴とする。
このような構成においては、フローティングゲートには更に容量としての蓄積容量が接続されるので、表示電荷の保持能力を高めることができる。
前記フローティングゲートが前記蓄積容量の一方の電極を兼ねることを特徴とする。
このような構成においては、フローティングゲートには更に容量としての蓄積容量が接続されるので、表示電荷の保持能力を高めることができる。
本発明の装置において、前記フローティングゲートは、前記ゲート電極に電気的に接続された走査線と重なるように形成されていることを特徴とする。
このような構成においては、走査線は遮光膜としても機能するので、フローティングゲートは外部からの光(戻り光を含む)の影響を受けることが少ない状態に置かれることになる。
このような構成においては、走査線は遮光膜としても機能するので、フローティングゲートは外部からの光(戻り光を含む)の影響を受けることが少ない状態に置かれることになる。
本発明による電子機器は、上述のいずれかの電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このような構成においては、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、リーク電流の発生を無くし、高品位の表示が可能な各種電子機器を実現できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
本発明の電気光学装置に係る一実施形態について、図1から図5を参照して説明する。
最初に、本実施形態に係る液晶装置全体の構成を、図1及び図2を参照して説明する。ここに、図1は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示しており、図2は図1のI−I’線断面を示している。
図1において、液晶装置は、対向配置されたTFTアレイ基板(以下、単にTFT基板という)10と対向基板20との間に液晶層50が挟持された構造をしている。即ち、本発明の一具体例として、この液晶装置には駆動回路内蔵型TFTアクティブマトリクス駆動方式が採用されている。画像が表示される画像表示領域10aは、表示領域を囲む遮光膜53によって規定され、TFT基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲において、シール材52により接着されている。画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路101、及び、配線105によって相互接続された2つの走査線駆動回路104が配設される。更に、周辺領域には、TFT基板10の一辺に沿って、外部接続端子102が複数配列するように形成されている。
また、対向基板20の4つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFT基板10にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、TFT基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
図2において、TFT基板10側には、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9aが設けられている。そして、画素電極9aの直上に配向膜16が形成されている。一方、対向基板20側には、ストライプ状の遮光膜23を介して対向電極21が形成されている。対向電極21の上層には、配向膜22が形成されている。液晶層50は、TFT基板10及び対向基板20の周縁をシール材52により封止して形成した空間に、液晶を封入して形成される。液晶層50における液晶配向は、画素電極9aと対向電極21との間に印加される電界に応じて変化するが、電界が印加されていない状態では、配向膜16及び配向膜22によって規定される配向状態をとるようになっている。
尚、このような液晶装置においては、光が入射する対向基板20側及び透過光が射出されるTFT基板10側の夫々に、例えばTN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード、VA(Vertically Aligned)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などを配置してもよい。また、TFT基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
次に、本実施形態に係る液晶装置の主要部の構成について、図3乃至図5を参照して説明する。
図3は、本実施形態に係る液晶装置のうち、画像表示領域における1つの画素部の等価回路を表している。
図3は、本実施形態に係る液晶装置のうち、画像表示領域における1つの画素部の等価回路を表している。
図3に示すように、画像表示領域10aにおいては、複数の走査線11a及び複数のデータ線6aが相交差して配列しており、その配線間に、走査線11a,データ線6aの各一により選択される画素部が設けられている。各画素部は、TFT30、画素電極9a及び蓄積容量70を含んで構成されている。画素電極9aは、配向膜等のほかに、液晶層50(図2参照)を介して、対向基板20側の対向電極21に対向する構成となっている。対向電極21は図示しない基準電位に電気的に接続されている。
TFT30は、チャネル領域を有する半導体層1aと、該半導体層1aの上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートとしての下部電極71と、該下部電極71の上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられたコントロールゲート電極としてのゲート電極3aとを含んで構成されている。即ち、ゲート電極3aに比較的高い電圧を印加することで、半導体層1aに供給される画素信号を下部電極71に書き込むフラッシュメモリ構造を構成している。半導体層1aは、中央のチャンネル領域1a’の両側にソース領域1d及びドレイン領域1eを備えて構成されている。下部電極71は、半導体層1aとゲート電極3a間に配置され、かつその位置から延出されており、その延出部分に対して上部電極としての容量電極300が対向して配置され、下部電極71と容量電極300とで蓄積容量70が構成されている。
TFT30はデータ線6aから供給される画像信号Sを選択画素に印加するために設けられ、ゲート電極3aが走査線11aに電気的に接続され、ソース領域1dがデータ線6aに電気的に接続され、ドレイン領域1eが下部電極71に対して容量結合されている。なお、画像信号Sは各画素部にはサンプリングされた1つの画素信号として印加される。画素電極9aは、対向電極21との間で液晶容量を形成し、入力される画像信号Sを一定期間保持するようになっている。蓄積容量70の一方の電極は、前述したようにフローティングゲートとしての下部電極71であり、もう一方の上部電極である容量電極300は、定電位となるように、電位固定の容量配線400に電気的に接続されている。
この液晶装置は、例えばTFTアクティブマトリクス駆動方式を採り、走査線駆動回路104(図1参照)から走査線11aに走査信号Gを印加すると共に、それによってTFT30がオン状態となる水平方向の選択画素に対し、データ線駆動回路101(図1参照)からの画像信号Sを、データ線6aを通して印加するようになっている。これにより、画像信号が選択画素に対応する、フローティングゲートとしての下部電極71に画像信号のレベルに応じた電荷量で負に蓄積(帯電)され、表示用電極としての画素電極9aに供給される。即ち、画素電極9aにより画素毎の表示領域(‘画素領域’と呼ばれる)が画定される。TFT基板10は、液晶層50を介して対向基板20と対向配置されているので(図2参照)、以上のようにして区画された画素部毎に液晶層50に電界を印加することにより、両基板10,20間の透過光量が画素毎に制御され、画像が階調表示される。また、このとき画素部に保持された画像信号は、蓄積容量70により保持能力がより向上される。
このように、アクティブマトリクス方式では、画素部毎に電荷を保持することで画質を維持しているため、従来、画素部における電荷の流出(即ちリーク電流)を極力低く抑える工夫が必要があった。これに対して、本実施形態におけるTFT30では、画像信号がソース,チャンネル及びドレインを通して直接、画素電極9aに供給されて保持されるわけではなく、画像信号に対応した電荷が第1のゲート絶縁膜を介在してフローティングゲートである下部電極71に書き込まれて画素電極9aに保持される結果、蓄積電荷がTFTの半導体層1aを通してリークする導電径路が全くないためにリーク電流を生じることが無くなる。本実施形態では、このようなTFT30を本発明の「薄膜トランジスタ」の一具体例としている。
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図4及び図5を参照して説明する。
図4は、TFT基板上の1つの画素部に係る部分構成を表す平面図である。図5は、図4のII−II’線における断面図である。なお、図5においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。
図4は、TFT基板上の1つの画素部に係る部分構成を表す平面図である。図5は、図4のII−II’線における断面図である。なお、図5においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。
図4及び図5では、上述した画素部の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてTFT基板10上に構築されている。本実施形態のTFT基板10は、石英基板からなり、ガラス基板や石英基板等からなる対向基板20(図2参照)と対向配置されている。
TFT基板10には、走査線11aがパターン形成されており、その上に下地絶縁膜12が積層されている。
走査線11aは、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6a(或いは容量配線400)が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線11aは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態における走査線11aは、できるだけ画素領域の間の領域を覆うことで、TFT30を下側から遮光する下側遮光膜としても機能する。
走査線11aは、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6a(或いは容量配線400)が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線11aは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態における走査線11aは、できるだけ画素領域の間の領域を覆うことで、TFT30を下側から遮光する下側遮光膜としても機能する。
下地絶縁膜12は、例えば、HTO等のシリコン酸化膜、或いはNSG(ノンシリケートガラス)膜からなり、走査線11aと上層のTFT30(TFTは符号1a,2a,71,2b及び3aの部材を含んで構成される)との層間を絶縁する他、TFT基板10の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすTFT30の素子特性の変化を防止する機能を有している。
下地絶縁膜12の上には、例えばポリシリコンからなる半導体層1aが形成されている。半導体層1aは、ソース領域1d,チャンネル領域1a’及びドレイン領域1eからなる。半導体層1aの上には、第1のゲート絶縁膜2aが積層されている。第1のゲート絶縁膜2aは、例えばHTO(High Temperature Oxide)等の熱酸化されたシリコン酸化膜からなる。なお、ドレイン領域1eの端部は、下部電極71に対して容量結合する構造に構成すればよい(図5参照)。
そして、第1のゲート絶縁膜2aの上に、フローティングゲートである下部電極71が形成されている。下部電極71には、例えば導電性のポリシリコンが用いられる。その他、Al,Cr等の金属やITO等の導電材料を用いることも可能である。下部電極71の上には、第2のゲート絶縁膜2bが積層されている。第2のゲート絶縁膜2bは、例えばHTO(High Temperature Oxide)等の熱酸化されたシリコン酸化膜からなる。
第2のゲート絶縁膜2bの上には、コントロールゲート電極としてのゲート電極3aが形成されている。ゲート電極3aは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。
上部電極としての容量電極300と下部電極71とが、誘電体膜75を介して対向配置されて蓄積容量70が構成される。
フローティングゲートである下部電極71は、走査線11aに沿うX方向に延出されており(即ち、走査線11aとデータ線6aの交差する領域からX方向に延出されて)おり、その延出部分の上に誘電体膜75が積層されて、その誘電体膜75の上に上部電極としての容量電極300が形成されている。容量電極300は、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極300は、TFT30に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。また、誘電体膜75は、例えば、膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等からなる。
フローティングゲートである下部電極71は、走査線11aに沿うX方向に延出されており(即ち、走査線11aとデータ線6aの交差する領域からX方向に延出されて)おり、その延出部分の上に誘電体膜75が積層されて、その誘電体膜75の上に上部電極としての容量電極300が形成されている。容量電極300は、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極300は、TFT30に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。また、誘電体膜75は、例えば、膜厚5〜200nm程度の比較的薄いHTO膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等からなる。
容量電極300は、図示しない容量配線400(図3参照)に電気的に接続されている。下部電極71は、コンタクトホールを介して画素電極9aに電気的に接続されている。
ゲート電極3a及び容量電極300の上には、層間絶縁膜41が積層されている。符号401はAl等の中継電極である。さらに、層間絶縁膜41の上にデータ線6aが形成され、データ線6aの上に層間絶縁膜42が積層されている。
ゲート電極3a及び容量電極300の上には、層間絶縁膜41が積層されている。符号401はAl等の中継電極である。さらに、層間絶縁膜41の上にデータ線6aが形成され、データ線6aの上に層間絶縁膜42が積層されている。
層間絶縁膜41及び42には、例えば、NSGによって形成されている。その他、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
また、データ線6aは、例えば、下から順にアルミニウム層、窒化チタン層、及び窒化シリコン層の3層膜として形成される。上層の窒化シリコン層は、下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされる。
以上の構成では、半導体層とゲート電極との間にフローティングゲートとして機能可能でかつ蓄積容量の一方の電極を構成する下部電極を配置し、下部電極を第1及び第2のゲート絶縁膜で挟み込み、画素電極を半導体層のドレイン領域に電気的に接続することなく下部電極に電気的に接続する構成としたので、ゲート電極への印加電圧の制御によってフローティングゲートとしての下部電極への画像信号の書込み及び消去を行い、書き込まれた画像信号を表示用電極である画素電極に供給して表示させたり消去させたりすることが可能となる。しかも、下部電極へ画像信号を書き込んだ状態では、消去動作を実行させない限り、書き込んだ電荷が半導体層へリークすることがない。
図6は、TFT30における半導体層1aに供給される画素信号を下部電極71に書き込むフラッシュメモリ動作を説明する図である。
ゲート電極3aに比較的高い正の電圧(+)を印加することで、チャンネル領域の電子を負の電荷として下部電極71へ書き込むことができる。また、ゲート電極3aに比較的高い負の電圧(−)を印加することで、下部電極71に蓄積された負の電荷を半導体層1aへ追い出して消去することができる。従って、ゲート電極3aに印加するゲート電圧の制御によって下部電極71への画素信号の書き込み及び消去を行うことで、動画像信号のようにフレームごとに変化してもその変化に追随して画像信号を表示させることができる。
以上述べたように、本発明の実施形態によれば、フローティングゲートを画素信号電荷の蓄積に用いると共に、TFTがオフ時のリーク電流を無くすことが可能なTFT構造を提供し、また、このようなTFT素子を用いることによりコントラスト等の画像特性の向上、及び消費電力の低減を図ることが可能となる。
以上に説明した液晶装置は、例えばプロジェクタに適用される。ここでは、上記実施形態の液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
図7は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図7は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図7において、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置100R、100B及び100Gに入射される。液晶装置100R、100B及び100Gの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。B光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。ダイクロイックプリズム1112では、各色の画像が合成され、カラー画像として射出される。カラー画像は、投射レンズ1114を介して、スクリーン1120等に投写される。
なお、上記実施形態の液晶装置は、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー表示装置に適用することもできる。その場合、対向基板20上における画素電極9aに対向する領域に、RGBのカラーフィルタをその保護膜と共に形成すればよい。或いは、TFT基板10上のRGBに対向する画素電極9a下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更に、以上の各場合において、対向基板20上に画素と1対1に対応するマイクロレンズを設けるようにすれば、入射光の集光効率が向上し、表示輝度を向上させることができる。更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用してRGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい表示が可能となる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
以上では、液晶装置及び液晶プロジェクタを例に挙げて本発明について説明したが、本発明の電気光学装置は、TFTを用いて画素を駆動する装置であればよく、液晶装置の他にも、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置(Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display)等として実現することができる。また、本発明の電子機器は、このような本発明の電気光学装置を備えることで実現され、上述したプロジェクタの他に、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器として実現可能である。
1a…半導体層、1a’…チャネル領域、2a…第1のゲート絶縁膜、2b…第2のゲート絶縁膜、3a…ゲート電極、9a…画素電極(表示用電極)、10…基板、11a…走査線、30…TFT(薄膜トランジスタ)、70…蓄積容量、71…下部電極(フローティングゲート)、75…誘電体膜、300…容量電極(上部電極)。
Claims (4)
- 基板上に、
半導体層と、該半導体層上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第2の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記薄膜トランジスタに電気的に接続された蓄積容量を有し、
前記フローティングゲートが前記蓄積容量の一方の電極を兼ねることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記フローティングゲートは、前記ゲート電極に電気的に接続された走査線と重なるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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