CN113745245B - 显示面板及其制作方法、移动终端 - Google Patents

显示面板及其制作方法、移动终端 Download PDF

Info

Publication number
CN113745245B
CN113745245B CN202110934658.XA CN202110934658A CN113745245B CN 113745245 B CN113745245 B CN 113745245B CN 202110934658 A CN202110934658 A CN 202110934658A CN 113745245 B CN113745245 B CN 113745245B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
node
insulating layer
display panel
inorganic insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110934658.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113745245A (zh
Inventor
张伟彬
刘红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110934658.XA priority Critical patent/CN113745245B/zh
Publication of CN113745245A publication Critical patent/CN113745245A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113745245B publication Critical patent/CN113745245B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L2021/775—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate comprising a plurality of TFTs on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、移动终端；该显示面板包括衬底和多个像素驱动电路，每个该像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管，该显示面板还包括位于该开关补偿晶体管外围的多个第一过孔，该开关补偿晶体管的膜层包括至少部分该第一过孔，在该显示面板的俯视视角，该第一过孔与对应该开关补偿晶体管之间的距离小于该第一过孔与任一该功能晶体管之间的距离；本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。

Description

显示面板及其制作方法、移动终端
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。
背景技术
近些年，显示面板的精细化程度越来越高，对于显示面板的线路电压稳定要求也越来越高，开关薄膜晶体管的开启电压较低，显示面板在长时间工作或高温工作时，开关薄膜晶体管的电压上升，导致漏电流增大，影响正常显示面板显示，由于不同的薄膜晶体管一般一并成膜形成，所以通过外部整体制程参数调节去调负开关薄膜晶体管的阈值电压，会影响其他薄膜晶体管的电压稳定，故开关薄膜晶体管电压不稳的技术问题难以解决。
因此，亟需一种显示面板及其制作方法、移动终端以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，可以缓解目前显示面板在长时间或高温工作时，某类薄膜晶体管电压不稳，导致漏电流增大，影响正常显示面板显示的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底和位于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管；
其中，所述显示面板还包括位于所述开关补偿晶体管外围的多个第一过孔，所述开关补偿晶体管的膜层包括至少部分所述第一过孔，在所述显示面板的俯视视角，所述第一过孔与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔与任一所述功能晶体管之间的距离。
在一实施例中，所述开关补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体、位于所述第一半导体上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第一栅极及位于所述第一栅极上的第二无机绝缘层；其中，所述第二无机绝缘层包括至少部分所述第一过孔。
在一实施例中，所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层；其中，所述第一过孔内填充有所述第一有机绝缘层。
在一实施例中，在所述显示面板的俯视视角，所述第一过孔的正投影位于所述第一栅极内，或者所述第一过孔的正投影位于所述第一栅极外。
在一实施例中，所述第一过孔包括多个第一类孔及多个第二类孔，在所述显示面板的俯视视角，所述第一类孔的正投影位于所述第一栅极内，所述第二类孔的正投影位于所述第一栅极外；其中，所述第二类孔的深度大于所述第一类孔的深度。
在一实施例中，在靠近所述第一过孔的方向上，所述开关补偿晶体管的所述第二无机绝缘层及所述第一无机绝缘层中的氢元素含量降低，第一半导体中的氢元素含量降低。
在一实施例中，所述开关补偿晶体管中的膜层的氢元素含量小于所述功能晶体管中的膜层的氢元素含量。
在一实施例中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、所述开关补偿晶体管、驱动晶体管、电压补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、以及第一电容；其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；所述开关补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关补偿晶体管的第一端连接数据信号，所述开关补偿晶体管的第二端连接于所述第二节点；所述电压补偿晶体管的栅极连接所述第二扫描信号，所述电压补偿晶体管的第一端连接于所述第三节点，所述电压补偿晶体管的第二端连接于所述第一节点；所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一初始化晶体管的第二端连接于所述第一节点，所述第一初始化晶体管通过所述第五节点与初始化信号相连；所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第六节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于所述第二节点，所述第一发光控制晶体管通过所述第六节点与电源高电位信号线相连；所述第二发光控制晶体管的栅极连接所述发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于所述第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点，所述第二发光控制晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连；所述第二初始化晶体管的栅连接所述第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于所述第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第五节点，所述第二初始化晶体管通过所述第五节点与所述初始化信号相连，所述第二初始化晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连；所述第一电容的第一电容电极连接于所述第六节点，所述第一电容的第二电容电极连接于所述第一节点，所述第一电容通过所述第六节点与电源高电位信号线相连。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在衬底上形成包括多个第一半导体及多个第二半导体的半导体层；
在所述半导体层上形成第一无机绝缘层；
在所述第一无机绝缘层上形成包括多个第一栅极及多个第二栅极的第一栅极层；
在所述第一栅极层上形成第二无机绝缘层；
在所述第二无机绝缘层上形成多个第一过孔；
通过所述第一过孔，对所述第一过孔周围的膜层进行高温去氢处理；
其中，所述第一半导体与所述第一栅极构成开关补偿晶体管，所述第一过孔位于所述开关补偿晶体管外围，所述第二半导体与所述第二栅极构成功能晶体管，在所述显示面板的俯视视角，所述第一过孔与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔与任一所述功能晶体管之间的距离。
本发明实施例还提供了一种移动终端，包括如任一上述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的显示面板的第三种结构的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的显示面板的第四种结构的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的显示面板的第五种结构的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的显示面板的像素驱动电路的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的显示面板的各膜层的平面叠加结构示意图；
图8是本发明实施例提供的显示面板的第六种结构的局部俯视示意图；
图9是本发明实施例提供的显示面板的第七种结构的局部俯视示意图；
图10是本发明实施例提供的显示面板的第八种结构的局部俯视示意图；
图11是本发明实施例提供的显示面板的第九种结构的局部俯视示意图；
图12是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；
图13是本发明实施例提供的移动终端的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
近些年，显示面板的精细化程度越来越高，对于显示面板的线路电压稳定要求也越来越高，开关薄膜晶体管的开启电压较低，显示面板在长时间工作或高温工作时，开关薄膜晶体管的电压上升，导致漏电流增大，影响正常显示面板显示，由于不同的薄膜晶体管一般一并成膜形成，所以通过外部整体制程参数调节去调负开关薄膜晶体管的阈值电压，会影响其他薄膜晶体管的电压稳定，使得开关薄膜晶体管电压不稳的技术问题难以解决。
请参阅图1至图11，本发明实施例提供一种显示面板100，包括衬底200和位于所述衬底200上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管T0；
其中，所述显示面板100还包括位于所述开关补偿晶体管外围的多个第一过孔110，所述开关补偿晶体管的膜层包括至少部分所述第一过孔110，在所述显示面板100的俯视视角，所述第一过孔110与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔110与任一所述功能晶体管T0之间的距离。
本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
本实施例中，所述开关补偿晶体管包括位于所述衬底200上的第一半导体311、位于所述第一半导体311上的第一无机绝缘层320、位于所述第一无机绝缘层320上的第一栅极331及位于所述第一栅极331上的第二无机绝缘层340；其中，所述第二无机绝缘层340包括至少部分所述第一过孔110，具体请参阅图1。
本实施例中，所述第一无机绝缘层320及所述第二无机绝缘层340的材料可以包括氮化硅化合物或/和氧化硅化合物。通过所述第一过孔110，在制作显示面板100时，通过高温去氢工艺，可以对所述第一过孔110周围的所述第一无机绝缘层320和所述第二无机绝缘层340中的氢元素进行去除，其中氢元素可以是氢离子或/和氢原子的形式存在，具体存在形式结合膜层材料即可，氢元素被去除，所述开关补偿晶体管中的缺陷增多，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，远离开启电压值，减少了漏电流，保证了显示面板100正常显示。
本实施例中，所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层340上的第一有机绝缘层350；其中，所述第一过孔110内填充有所述第一有机绝缘层350，具体请参阅图1。所述第一绝缘层的材料可以为聚酰亚胺等有机化合物，在此不做具体限定，将有机物填充于所述第一过孔110内，有利于膜层平坦化，提高电性稳定。
本实施例中，所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层340上的源漏极层370，所述第一有机绝缘层350位于所述源漏极层370上，具体请参阅图2，或者，所述第一有机绝缘层350位于所述第二无机绝缘层340与所述源漏极层370之间，具体请参阅图1。
本实施例中，在所述显示面板100的俯视视角，所述第一过孔110的正投影位于所述第一栅极331内，具体请参阅图3、图8，或者所述第一过孔110的正投影位于所述第一栅极331外，具体请参阅图1、图9。所述第一过孔110设置在所述第一栅极331周围，相比于所述第一半导体311，所述第一栅极331更靠近所述第二无机绝缘层340，更容易定位打孔，避免损伤所述第一栅极331或/和所述第一半导体311，有利于实现更大的打孔面积，有更好的去氢效果。
本实施例中，所述第一过孔110贯穿所述第二无机绝缘层340，所述第一有机绝缘层350通过所述第一过孔110与所述第一栅极331连接，具体请参阅图3。所述第二无机绝缘层340覆盖在所述第一栅极331上，所述第一过孔110可以正对所述第一栅极331，使所述第一栅极331的正面裸露，方便对打孔有终止点；或者，所述第一过孔110可以使所述第一栅极331的侧面裸露，这样第一过孔110的深度更深，去氢效果更好，开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏效果更好，所述第一有机绝缘层350的填充更深，绝缘平坦度更高。
本实施例中，所述第一过孔110包括多个第一类孔111及多个第二类孔112，在所述显示面板100的俯视视角，所述第一类孔111的正投影位于所述第一栅极331内，所述第二类孔112的正投影位于所述第一栅极331外；其中，所述第二类孔112的深度大于所述第一类孔111的深度，具体请参阅图4、图10、图11。所述第一类孔111与所述第二类孔112可以连接贯通设置，也可以间隔设置，具体请参阅图11。由于所述第二类孔112的正投影位于所述第一栅极331外，可以有更深的打孔深度，对周围膜层的去氢效果更好，开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏效果更好。
本实施例中，在所述显示面板100的俯视视角，所述第二类孔112的正投影位于所述第一半导体311外，具体请参阅图11；所述显示面板100还包括位于衬底200与所述像素驱动电路层之间的缓冲层210，所述第二类孔112使所述缓冲层210裸露，具体请参阅图5。当所述第二类孔112的正投影位于所述第一半导体311外时，所述第二类孔112可以有最大的打孔深度，但深度不超过所述缓冲层210，避免阻隔水氧能力下降。
本实施例中，在靠近所述第一过孔110的方向上，所述开关补偿晶体管的所述第二无机绝缘层340及所述第一无机绝缘层320中的氢元素含量降低，第一半导体311中的氢元素含量降低。去除氢元素，会给膜层带来缺陷，将缺陷更多设置在远离所述第一半导体311及所述第一栅极331一侧的方向，避免损伤到所述第一半导体311及所述第一栅极331，同时使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏效果更好。
本实施例中，所述开关补偿晶体管中的膜层的氢元素含量小于所述功能晶体管T0中的膜层的氢元素含量。通过所述第一过孔110，在制作显示面板100时，通过高温去氢工艺，针对所述开关补偿晶体管中的膜层，通过深度、打孔数量、打孔面积，使所述开关补偿晶体管中的膜层的氢元素含量小于所述功能晶体管T0中的膜层的氢元素含量，使得所述开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏更多，避免了漏电流产生，保证了显示面板100正常显示。
本实施例中，具体请参阅图6、图7，所述显示面板100还包括阵列设置的多个发光器件O和驱动所述发光器件O发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管T4、所述开关补偿晶体管T2、驱动晶体管T1、电压补偿晶体管T3、第二初始化晶体管T7、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、以及第一电容Cst。
其中，所述驱动晶体管T1的栅极连接于第一节点Q，所述驱动晶体管T1的第一端连接于第三节点B，所述驱动晶体管T1的第二端连接于第二节点A；
所述开关补偿晶体管T2的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述开关补偿晶体管T2的第一端连接数据信号Data，所述开关补偿晶体管T2的第二端连接于所述第二节点A。
所述电压补偿晶体管T3的栅极连接所述第二扫描信号Scan2，所述电压补偿晶体管T3的第一端连接于所述第三节点B，所述电压补偿晶体管T3的第二端连接于所述第一节点Q。
所述第一初始化晶体管T4的栅连接第一扫描信号Scan1，所述第一初始化晶体管T4的第一端连接于第五节点D，所述第一初始化晶体管T4的第二端连接于所述第一节点Q，所述第一初始化晶体管T4通过所述第五节点D与初始化信号VI相连。
所述第一发光控制晶体管T5的栅极连接发光控制信号EM，所述第一发光控制晶体管T5的第一端连接于第六节点E，所述第一发光控制晶体管T5的第二端连接于所述第二节点A，所述第一发光控制晶体管T5通过所述第六节点E与电源高电位信号线Vdd相连。
所述第二发光控制晶体管T6的栅极连接所述发光控制信号EM，所述第二发光控制晶体管T6的第一端连接于所述第三节点B，所述第二发光控制晶体管T6的第二端连接于第四节点C，所述第二发光控制晶体管T6通过所述第四节点C与所述发光器件O的阳极381相连。
所述第二初始化晶体管T7的栅连接所述第二扫描信号Scan2，所述第二初始化晶体管T7的第一端连接于所述第四节点C，所述第二初始化晶体管T7的第二端连接于所述第五节点D，所述第二初始化晶体管T7通过所述第五节点D与所述初始化信号VI相连，所述第二初始化晶体管T7通过所述第四节点C与所述发光器件O的阳极381相连。
所述第一电容Cst的第一电容电极连接于所述第六节点E，所述第一电容Cst的第二电容电极连接于所述第一节点Q，所述第一电容Cst通过所述第六节点E与电源高电位信号线Vdd相连。
本实施例中，所述电压补偿晶体管T3、所述第一初始化晶体管T4和所述第二初始化晶体管T7为氧化物晶体管，所述开关补偿晶体管T2、所述驱动晶体管T1、所述第一发光控制晶体管T5和所述第二发光控制晶体管T6为低温多晶硅晶体管。
本实施例中，所述功能晶体管可以为所述第一初始化晶体管T4、所述驱动晶体管T1、所述电压补偿晶体管T3、所述第二初始化晶体管T7、所述第一发光控制晶体管T5、所述第二发光控制晶体管T6中任一种。
本实施例中，所述显示面板100还包括位于所述像素驱动电路层上的发光器件层，所述发光器件层包括多个所述发光器件O，所述发光器件O包括阳极381、位于所述阳极381上的空穴功能单元、位于所述空穴功能单元上的发光材料单元、位于所述发光材料单元上的电子功能单元及位于所述电子功能单元上的阴极。
在本实施例中，所述衬底200可以包括刚性衬底200或柔性衬底200，当衬底200为刚性衬底200时，材料可以是金属或玻璃，当衬底200为柔性衬底200时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。
本实施例中，所述功能晶体管T0包括位于所述衬底200上的第二半导体312、位于所述第二半导体312上的所述第一无机绝缘层320、位于所述第一无机绝缘层320上的第二栅极332、位于所述第二栅极332上的第一无机层341、位于所述第一无机层341上的第三栅极333、位于所述第三栅极333上的第二无机层342、位于所述第二无机层342上的源漏极层370及位于所述源漏极层370上的有机平坦层360，所述第二无机绝缘层340包括部分所述第一过孔110，具体请参阅图1、图3。所述功能晶体管T0还可以包括与所述源漏极层370同层设置的电源高电位信号线371，所述电源高电位信号线371与所述第三栅极333电连接，所述第二栅极332与所述第一栅极331同层设置，所述第一栅极331与所述第二栅极332可以在同一制程中形成，所述第一半导体311与所述第二半导体312可以在同一制程中形成。
本实施例中，所述第一无机层341、所述第二无机层342构成所述第二无机绝缘层340。当所述第一有机绝缘层350为无机绝缘层时，所述第一有机绝缘层350为第三无机层343，所述第二无机绝缘层340还可以包括所述第三无机层343，所述有机平坦层360作为所述第一有机绝缘层350，所述第一过孔110内填充的是所述有机平坦层360，具体请参阅图3。
本实施例中，所述阳极381与所述源漏极层370电连接，所述显示面板100还包括位于所述阳极381上的像素定义层383，所述像素定义层383包括多个开口，所述空穴功能单元、所述发光材料单元及所述电子功能单元位于所述开口内，在图中，所述空穴功能单元、所述发光材料单元及所述电子功能单元用发光单元382代替，所述阴极可以位于所述开口内，或者所述阴极为整面设置，具体请参阅图1。
本实施例中，所述显示面板100还包括位于所述像素定义层383上的多个支撑隔垫柱384，具体请参阅图1。
本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。
请参阅图12，本发明实施例还提供了一种显示面板100的制作方法，包括：
S100、在衬底200上形成包括多个第一半导体311及多个第二半导体312的半导体层。
S200、在所述半导体层上形成第一无机绝缘层320。
S300、在所述第一无机绝缘层320上形成包括多个第一栅极331及多个第二栅极的第一栅极331层。
S400、在所述第一栅极331层上形成第二无机绝缘层340。
S500、在所述第二无机绝缘层340上形成多个第一过孔110。
S600、通过所述第一过孔110，对所述第一过孔110周围的膜层进行高温去氢处理。
其中，所述第一半导体311与所述第一栅极331构成开关补偿晶体管，所述第一过孔110位于所述开关补偿晶体管外围，所述第二半导体312与所述第二栅极构成功能晶体管T0，在所述显示面板100的俯视视角，所述第一过孔110与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔110与任一所述功能晶体管T0之间的距离。
本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
本实施例中，所述显示面板100的具体结构请结合任一上述的显示面板100的实施例及图1至图11，在此不再赘述。
请参阅图13，本发明实施例还提供了一种移动终端10，包括如任一上述的显示面板100及终端主体20，所述终端主体20与所述显示面板100组合为一体。
所述显示面板100的具体结构请结合任一上述的显示面板100的实施例及图1至图11，在此不再赘述。
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、移动终端；该显示面板包括衬底和多个像素驱动电路，每个该像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管，该显示面板还包括位于该开关补偿晶体管外围的多个第一过孔，该开关补偿晶体管的膜层包括至少部分该第一过孔，在该显示面板的俯视视角，该第一过孔与对应该开关补偿晶体管之间的距离小于该第一过孔与任一该功能晶体管之间的距离；本发明实施例通过在开关补偿晶体管的膜层附近设置第一过孔，在制作显示面板时，提高了开关补偿晶体管的膜层的高温去氢的效果，增强了开关补偿晶体管整体的稳压效果，使开关补偿晶体管在工作时的阈值电压负偏，减少了漏电流，保证显示面板正常显示。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (5)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管；
其中，所述显示面板还包括与所述开关补偿晶体管对应的多个第一过孔，所述开关补偿晶体管的膜层包括至少部分所述第一过孔，在所述显示面板的俯视视角，所述第一过孔与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔与任一所述功能晶体管之间的距离，所述开关补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体、位于所述第一半导体上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第一栅极及位于所述第一栅极上的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层包括至少部分所述第一过孔，所述第一过孔包括多个第一类孔及多个第二类孔，在所述显示面板的俯视视角，所述第一类孔的正投影位于所述第一栅极内，所述第二类孔的正投影位于所述第一栅极外，所述第二类孔的深度大于所述第一类孔的深度，所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层及位于所述第一有机绝缘层上的源漏极层，所述第一过孔内填充有所述第一有机绝缘层，在靠近所述第一过孔的方向上，所述开关补偿晶体管的所述第二无机绝缘层及所述第一无机绝缘层中的氢元素含量降低，第一半导体中的氢元素含量降低。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开关补偿晶体管中的膜层的氢元素含量小于所述功能晶体管中的膜层的氢元素含量。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、所述开关补偿晶体管、驱动晶体管、电压补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、以及第一电容；
其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关补偿晶体管的第一端连接数据信号，所述开关补偿晶体管的第二端连接于所述第二节点；
所述电压补偿晶体管的栅极连接所述第二扫描信号，所述电压补偿晶体管的第一端连接于所述第三节点，所述电压补偿晶体管的第二端连接于所述第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅极连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一初始化晶体管的第二端连接于所述第一节点，所述第一初始化晶体管通过所述第五节点与初始化信号相连；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第六节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于所述第二节点，所述第一发光控制晶体管通过所述第六节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接所述发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于所述第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点，所述第二发光控制晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连；
所述第二初始化晶体管的栅极连接所述第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于所述第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第五节点，所述第二初始化晶体管通过所述第五节点与所述初始化信号相连，所述第二初始化晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连；
所述第一电容的第一电容电极连接于所述第六节点，所述第一电容的第二电容电极连接于所述第一节点，所述第一电容通过所述第六节点与电源高电位信号线相连。
4.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成包括多个第一半导体及多个第二半导体的半导体层；
在所述半导体层上形成第一无机绝缘层；
在所述第一无机绝缘层上形成包括多个第一栅极及多个第二栅极的第一栅极层；
在所述第一栅极层上形成第二无机绝缘层；
在所述第二无机绝缘层上形成多个第一过孔；
通过所述第一过孔，对所述第一过孔周围的膜层进行高温去氢处理；
其中，所述第一半导体与所述第一栅极构成开关补偿晶体管，所述第一过孔与所述开关补偿晶体管对应，所述第二半导体与所述第二栅极构成功能晶体管，在所述显示面板的俯视视角，所述第一过孔与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔与任一所述功能晶体管之间的距离，所述开关补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体、位于所述第一半导体上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第一栅极及位于所述第一栅极上的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层包括至少部分所述第一过孔，所述第一过孔包括多个第一类孔及多个第二类孔，在所述显示面板的俯视视角，所述第一类孔的正投影位于所述第一栅极内，所述第二类孔的正投影位于所述第一栅极外，所述第二类孔的深度大于所述第一类孔的深度，所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层及位于所述第一有机绝缘层上的源漏极层，所述第一过孔内填充有所述第一有机绝缘层。
5.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1至3中任一项所述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
CN202110934658.XA 2021-08-16 2021-08-16 显示面板及其制作方法、移动终端 Active CN113745245B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110934658.XA CN113745245B (zh) 2021-08-16 2021-08-16 显示面板及其制作方法、移动终端

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110934658.XA CN113745245B (zh) 2021-08-16 2021-08-16 显示面板及其制作方法、移动终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113745245A CN113745245A (zh) 2021-12-03
CN113745245B true CN113745245B (zh) 2022-12-23

Family

ID=78731158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110934658.XA Active CN113745245B (zh) 2021-08-16 2021-08-16 显示面板及其制作方法、移动终端

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113745245B (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102415753B1 (ko) * 2015-05-04 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109994510B (zh) * 2018-01-03 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN109192144B (zh) * 2018-10-26 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 补偿子像素单元、制作及驱动方法、像素结构及显示面板
CN111554693B (zh) * 2020-04-27 2022-12-16 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111489700B (zh) * 2020-05-29 2022-07-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、驱动方法及显示装置
CN115148155B (zh) * 2021-03-22 2024-05-31 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113745245A (zh) 2021-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110649043B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN111584599B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
WO2020198975A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
JP5380056B2 (ja) 表示装置
US11943979B2 (en) Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device
CN110112317B (zh) 显示装置、柔性显示面板及其制造方法
US11127768B2 (en) Array substrate, display panel, display device and method for manufacturing array substrate
CN109309122B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN107579003B (zh) 薄膜晶体管及制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
CN105185816A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN111710685B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US9472617B2 (en) Semiconductor device
CN112331679B (zh) 显示装置
CN112687190B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
JP7460251B2 (ja) ディスプレイおよび電子デバイス
CN215896392U (zh) 一种显示基板、显示面板
US12096656B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN113745245B (zh) 显示面板及其制作方法、移动终端
WO2024119747A1 (zh) 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
CN112289813B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN116013932A (zh) 阵列基板和显示面板
CN111081723B (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置
CN107611163B (zh) 一种oled显示基板及其制作方法和显示装置
CN221080022U (zh) 一种阵列基板和显示装置
CN112530977B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant