CN111584599B - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决解决显示产品使用过程中，平坦层中的水分子会逸出，侵蚀发光功能层，使显示产品寿命缩减的问题。显示面板包括：基底，以及设置在基底上的多个像素单元，多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；子像素包括依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层和阳极图形；至少部分子像素中的阳极图形包括中间部分和包围中间部分的边缘部分，平坦层背向基底的表面具有沟槽，沟槽在基底上的正投影包围中间部分在基底上的正投影，至少部分边缘部分在基底上的正投影位于沟槽在基底上的正投影的内部。本发明提供的显示面板用于显示画面。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示产品中，阳极层背向显示面板的基底的一侧设置有发光功能层，阳极层面向所述基底的一侧设置有平坦层，平坦层的材质一般为聚酰亚胺类有机高分子，聚酰亚胺高分子材料一般由低聚物聚合形成，在发生聚合反应时的副产物为水，而且聚酰亚胺还具备一定的吸水性。
显示面板制备过程中，由于平坦层被结构致密的阳极层覆盖，常规加热的方法无法使平坦层中的水分子完全释放出来，导致显示产品使用过程中，平坦层中的水分子会逸出，侵蚀发光功能层，使显示产品寿命缩减。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用于解决显示产品使用过程中，平坦层中的水分子会逸出，侵蚀发光功能层，使显示产品寿命缩减的问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种显示面板，包括：基底，以及设置在所述基底上的多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；
所述子像素包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层和阳极图形；至少部分子像素中的所述阳极图形包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，所述沟槽在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述沟槽包括槽底和槽壁，所述边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽的槽底在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括位于所述平坦层朝向所述基底的一侧的补偿图形，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述补偿图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和一个绿色子像素；沿第二方向所述红色子像素与所述绿色子像素位于同一列，所述蓝色子像素位于另一列；所述绿色子像素包括：
第一电源信号线图形，所述第一电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
与所述第一电源信号线图形耦接的第一补偿图形，所述第一补偿图形沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
第一平坦层，所述第一平坦层上形成有矩形的第一沟槽，所述第一沟槽包括沿所述第二方向相对设置的第一部分和第二部分，以及沿第一方向相对设置的第三部分和第四部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述第一补偿图形在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和一个绿色子像素；沿第二方向所述红色子像素与所述绿色子像素位于同一列，所述蓝色子像素位于另一列；所述蓝色子像素包括：
第二电源信号线图形，所述第二电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
与所述第二电源信号线图形耦接的第二补偿图形，所述第二补偿图形沿第一方向突出于所述第二电源信号线图形，所述第二补偿图形沿所述第二方向延伸；
第二平坦层，所述第二平坦层上形成有矩形的第二沟槽，所述第二沟槽包括沿所述第二方向相对设置的第五部分和第六部分，以及沿第一方向相对设置的第七部分和第八部分，所述第七部分在所述基底上的正投影与所述第二补偿图形在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素包括电源信号线图形，所述电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸，所述电源信号线图形包括第一电源部和第二电源部，沿垂直于所述第二方向的方向上，所述第一电源部的宽度大于所述第二电源部的宽度；
所述第一电源部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
电源信号线图形，所述电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
数据线图形，所述数据线图形的至少部分沿所述第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管，在一个子像素中，所述电源信号线图形在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的输出电极在所述基底上的正投影，与所述数据线图形在所述基底上的正投影之间；
所述电源信号线图形在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述电源信号线图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠；
所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部的至少部分沿第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极通过所述第一导电连接部与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第一导电连接部在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
第二导电连接部，所述第二导电连接部的至少部分沿第二方向延伸；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形的至少部分沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
复位信号线图形，所述复位信号线图形沿所述第一方向延伸；
所述子像素驱动电路包括第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极通过所述第二导电连接部与对应的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的所述阳极图形耦接；
所述第二导电连接部在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第二导电连接部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
可选的，所述子像素还包括：
位于所述阳极图形背向所述基底的一侧的像素界定层，所述像素界定层具有像素开口，所述像素开口在所述基底上的正投影，位于所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述子像素呈阵列分布，所述子像素还包括：
电源信号线图形、数据线图形、初始化信号线图形、栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形、第一导电连接部和第二导电连接部；
所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极通过对应的所述第一导电连接部与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与对应的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的阳极图形耦接。
基于上述显示面板的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示面板。
基于上述显示面板的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
在基底上制作多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；
所述子像素包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层和阳极图形；至少部分子像素中的所述阳极图形包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，所述沟槽在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述子像素包括电源信号线图形和补偿图形，所述制作方法还包括：
通过一次构图工艺，同时形成所述电源信号线图形与补偿图形，所述补偿图形位于所述平坦层朝向所述基底的表面，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠，和/或，所述补偿图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
本发明提供的技术方案中，通过设置所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，使得所述平坦层形成为中间高，四周低的结构；同时通过设置所述沟槽在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽在所述基底上的正投影的内部，使得阳极图形能够覆盖所述平坦层中被沟槽包围的部分，以及平坦层中位于沟槽内部的至少部分，这种设置方式不仅对水分子在平坦层内的扩散通道实现了压缩，还延长水分子到达发光功能层的扩散路径，因此，本发明提供的技术方案中，通过压缩水分子从平坦层中扩散出来的通道，以及延长水分子从平坦层中扩散出来的路径，有效减慢了平坦层中水分的释放速度，从而减慢了水分子对发光功能层的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，本发明实施例提供的技术方案中，通过设置所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，使得在所述沟槽处，所述平坦层在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得所述平坦层在沟槽处的体积缩小，使得所述平坦层内水分的残余总量减少，进而有效的减少了水分子对发光功能层的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的子像素驱动电路的电路图；
图2为本发明实施例提供的子像素驱动电路的时序图；
图3为本发明实施例提供的三个子像素驱动电路的布局示意图；
图4为图3中有源层的布局示意图；
图5为图3中第一栅金属层的布局示意图；
图6为图3中第二栅金属层的布局示意图；
图7为图3中源漏金属层的布局示意图；
图8为阳极图形与图3中源漏金属层布局示意图；
图9为图8中沿A1A2方向的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的源漏金属层和平坦层沟槽的布局示意图；
图11为图10中的源漏金属层的单层布局示意图；
图12为图10中的平坦层沟槽的布局示意图；
图13为本发明实施例提供的平坦层沟槽和阳极图形的布局示意图；
图14为图13中沿B1B2方向的截面示意图；
图15为图13中沿C1C2方向的截面示意图；
图16为图13中沿D1D2方向的截面示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
如图3和图8所示，本发明提供一种显示面板，该显示面板包括呈阵列分布的多个像素单元，每个像素单元均包括多个子像素。每个子像素均包括子像素驱动电路、电源信号线图形901、数据线图形908、栅线图形902、发光控制信号线图形903、复位信号线图形905、初始化信号线图形904和阳极图形320；所述电源信号线图形901的至少部分和所述数据线图形908沿第二方向延伸；所述栅线图形902、所述发光控制信号线图形903、所述复位信号线图形905、所述初始化信号线图形904均沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。示例性的，所述第一方向包括X方向，所述第二方向包括Y方向。
如图3所示，所述显示面板中包括的多个子像素驱动电路能够划分为沿所述第二方向依次排列的多行子像素驱动电路，以及沿所述第一方向依次排列的多列子像素驱动电路，位于同一行的子像素驱动电路对应的所述初始化信号线图形904依次电连接，形成为一体结构；位于同一行的子像素驱动电路对应的所述栅线图形902依次电连接，形成为一体结构；位于同一行的子像素驱动电路对应的所述发光控制信号线图形903依次电连接，形成为一体结构；位于同一行的子像素驱动电路对应的所述复位信号线图形905依次电连接，形成为一体结构；位于同一列的子像素驱动电路对应的所述数据线图形908依次电连接，形成为一体结构；位于同一列的子像素驱动电路对应的所述电源信号线图形901依次电连接，形成为一体结构。
示例性的，每行子像素驱动电路均包括沿X方向依次排列的多个子像素驱动电路，所述初始化信号线图形904、栅线图形902、发光控制信号线图形903和复位信号线图形905均沿所述X方向延伸，每行子像素驱动电路中包括的多个子像素驱动电路均能够分别与对应的初始化信号线图形904，栅线图形902，发光控制信号线图形903和复位信号线图形905耦接；每列子像素驱动电路均包括沿Y方向依次排列的多个子像素驱动电路，数据线图形908和电源信号线图形901均沿所述Y方向延伸，每列子像素驱动电路中包括的多个子像素驱动电路均能够分别与对应的数据线图形908和电源信号线图形901耦接。
如图1和图3所示，以一个子像素驱动电路为例，该子像素驱动电路包括7个薄膜晶体管和1个电容。该子像素驱动电路包括的各晶体管均采用P型晶体管，其中，第一晶体管T1为双栅结构，第一晶体管T1的栅极201g与栅线图形902耦接，第一晶体管T1的源极S1与第三晶体管T3(即驱动晶体管)的漏极D3耦接，第一晶体管T1的漏极D1与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第二晶体管T2为双栅结构，第二晶体管T2的栅极202g与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的所述复位信号线图形905'耦接，第二晶体管T2的源极S2与所述下一个子像素中的初始化信号线图形904'耦接，第二晶体管T2的漏极D2与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形902耦接，第四晶体管T4的源极S4与数据线图形908耦接，第四晶体管T4的漏极D4与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第五晶体管T5的栅极205g与发光控制信号线图形903耦接，第五晶体管T5的源极S5与电源信号线图形901耦接，第五晶体管T5的漏极D5与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第六晶体管T6的栅极206g与发光控制信号线图形903耦接，第六晶体管T6的源极S6与第三晶体管T3的漏极D3耦接，第六晶体管T6的漏极D6与阳极图形耦接。
第七晶体管T7的栅极207g与所述复位信号线图形905耦接，第七晶体管T7的漏极D7与阳极图形耦接，第七晶体管T7的源极S7与所述初始化信号线图形904耦接。
存储电容Cst的第一极板Cst1复用为第三晶体管T3的栅极203g，存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形901耦接。
如图1和图2所示，上述结构的显示子像素驱动电路在工作时，每个工作周期均包括复位时段P1、写入补偿时段P2和发光时段P3。图2中，E1代表当前子像素中的发光控制信号线图形903上传输的发光控制信号，R1代表当前子像素中的复位信号线图形905上传输的复位信号，D1代表当前子像素中的数据线图形908上传输的数据信号，G1代表当前子像素中的栅线图形902上传输的栅极扫描信号，R1'代表当前子像素沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的复位信号线图形905'上传输的复位信号。显示面板功能工作时，按照自下向上的方向逐行扫描。
在所述第一复位时段P1，所述复位信号线图形905’输入的复位信号处于有效电平，第二晶体管T2导通，将由所述初始化信号线图形904’传输的初始化信号输入至第三晶体管T3的栅极203g，使得前一帧保持在第三晶体管T3上的栅源电压Vgs被清零，实现对第三晶体管T3的栅极203g复位。
在写入补偿时段P2，所述复位信号线图形905’输入的复位信号处于非有效电平，第二晶体管T2截止，栅线图形902输入的栅极扫描信号处于有效电平，控制第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，数据线图形908写入数据信号，并经所述第四晶体管T4传输至第三晶体管T3的源极S3，同时，第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，使得第三晶体管T3形成为二极管结构，因此通过第一晶体管T1、第三晶体管T3和第四晶体管T4配合工作，实现对第三晶体管T3的阈值电压补偿，当补偿的时间足够长时，可控制第三晶体管T3的栅极203g电位最终达到Vdata+Vth，其中，Vdata代表数据信号电压值，Vth代表第三晶体管T3的阈值电压。
在写入补偿时段P2，所述复位信号线图形905输入的复位信号处于有效电平，控制第七晶体管T7导通，由所述初始化信号线图形904传输的初始化信号输入至发光元件EL的阳极，控制发光元件EL不发光。
在发光时段P3，发光控制信号线图形903写入的发光控制信号处于有效电平，控制第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，使得由电源信号线图形901传输的电源信号输入至第三晶体管T3的源极S3，同时由于第三晶体管T3的栅极203g保持在Vdata+Vth，使得第三晶体管T3导通，第三晶体管T3对应的栅源电压为Vdata+Vth-VDD，其中VDD为电源信号对应的电压值，基于该栅源电压产生的漏电流流向对应的发光元件EL的阳极，驱动对应的发光元件EL发光。
如图4～7所示，在制作上述显示子像素驱动电路时，显示子像素驱动电路对应的各膜层的布局如下：
沿远离基底的方向上依次层叠设置的有源膜层、栅极绝缘层、第一栅金属层、第一层间绝缘层、第二栅金属层、第二层间绝缘层、第一源漏金属层和第三层间绝缘层。
如图4所示，有源膜层用于形成显示子像素驱动电路中各晶体管的沟道区(如：101pg～107pg)，源极形成区和漏极形成区，源极形成区和漏极形成区对应的有源膜层由于掺杂作用，导电性能会优于沟道区对应的有源膜层；有源膜层可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
另外，值得注意，所述源极形成区和漏极形成区对应的有源膜层可直接作为对应的源极(如：S1～S7)和漏极(如：D1～D7)，或者，也可以采用金属材料制作与所述源极形成区接触的源极，采用金属材料制作与所述漏极形成区接触的漏极。
如图5所示，第一栅金属层用于形成子像素驱动电路中各晶体管的栅极(如：201g～207g)，以及显示面板包括的栅线图形902、发光控制信号线图形903、复位信号线图形905等结构，每个子像素驱动电路中的第三晶体管T3的栅极203g均复用为该子像素驱动电路中的第二存储电容Cst的第一极板Cst1。
如图6所示，第二栅金属层用于形成第二存储电容Cst的第二极板Cst2，具有屏蔽作用的遮挡图形801，以及显示基板包括的初始化信号线图形904。
如图7所示，第一源漏金属层用于形成显示面板包括的数据线图形908、电源信号线图形901和一些导电连接部。
更详细地说，请继续参阅图3～5，第一晶体管T1的栅极201g覆盖第一沟道区101pg，第二晶体管T2的栅极202g覆盖第二沟道区102pg，第三晶体管T3的栅极203g覆盖第三沟道区103pg，第四晶体管T4的栅极204g覆盖第四沟道区104pg，第五晶体管T5的栅极205g覆盖第五沟道区105pg，第六晶体管T6的栅极206g覆盖第六沟道区106pg，第七晶体管T7的栅极207g覆盖第七沟道区107pg。第三晶体管T3的栅极203g复用为存储电容Cst的第一极板Cst1，存储电容Cst的第二极板Cst2与电源信号线图形901耦接。
另外，如图3所示，本公开提供的显示面板中，在第二方向(如Y方向)上，第四晶体管T4的栅极204g、第一晶体管T1的栅极201g和第二晶体管T2的栅极202g均位于驱动晶体管的栅极(即第三晶体管T3的栅极203g)的第一侧，第七晶体管T7的栅极、第六晶体管T6的栅极206g、第五晶体管T5的栅极均位于驱动晶体管的栅极的第二侧。示例性的，所述驱动晶体管的栅极的第一侧和第二侧为沿第二方向相对的两侧，进一步地，驱动晶体管的栅极的第一侧可以为驱动晶体管的栅极的下侧，驱动晶体管的栅极的第二侧可以为驱动晶体管的栅极的上侧。所述下侧，例如显示面板的用于绑定IC的一侧为显示面板的下侧，驱动晶体管的栅极的下侧，为驱动晶体管的栅极的更靠近IC的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管的栅极的更远离IC的一侧。
在第一方向(如X方向)上，第四晶体管T4的栅极204g和第五晶体管T5的栅极205g均位于驱动晶体管的栅极的第三侧，第一晶体管T1的栅极201g和第六晶体管T6的栅极206g均位于驱动晶体管的栅极的第四侧。示例性的，驱动晶体管的栅极的第三侧和第四侧为沿第一方向相对的两侧；进一步地，驱动晶体管的栅极的第三侧可以为驱动晶体管的栅极的右侧，驱动晶体管的栅极的第四侧可以为驱动晶体管的栅极的左侧。所述左侧和右侧，例如在同一子像素中，数据线图形908位于电源信号线图形901右侧，电源信号线图形901位于数据线图形908左侧。
上述显示面板虽然能够改善显示产品使用过程中，平坦层中的水分子缓慢逸出，侵蚀发光功能层的问题，但改善效果有限。具体参见图8和图9，图9为图8中沿A1A2方向的截面示意图，图9中的黑色原点代表水分子，图9中带有箭头的虚线代表水分子扩散路径。可见，水分子向右侧扩散的通道虽然在垂直于显示面板的基底的方向上缩窄，但其向左侧仍然存在较大的扩散通道，使得水分子仍然能够沿着左侧通道对发光功能层EL产生严重的侵蚀。
因此，上述显示面板中的像素结构还需要进一步优化，以解决显示产品使用过程中，平坦层中的水分子缓慢逸出，侵蚀发光功能层的问题。
如图10、图13和图14所示，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：基底，以及设置在所述基底上的多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；所述子像素包括依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层PLN和阳极图形320；至少部分子像素中的所述阳极图形320包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部。
具体地，所述显示面板可包括呈阵列分布的多个像素单元，每个像素单元均包括多个子像素，示例性的，每个像素单元均包括一个红色子像素R，一个绿色子像素G和一个蓝色子像素B；或者每个像素单元均包括一个红色子像素R，两个绿色子像素G和一个蓝色子像素B。
每个子像素均包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层PLN和阳极图形320。所述子像素驱动电路可选为7T1C结构(即包括：7个薄膜晶体管和一个存储电容)，但不仅限于此。所述子像素驱动电路与其所在子像素中的阳极图形320耦接，用于为该阳极图形320提供驱动信号。
示例性的，每个子像素还包括位于阳极图形320背向所述基底的一侧的发光功能层EL，和阴极层，所述发光功能层EL可具体包括：空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层。显示面板工作时，阴极层上施加有负电源信号，子像素驱动电路为对应耦接的阳极图形320提供驱动信号，从而控制所述发光材料层发光，实现显示面板的显示功能。
所述平坦层PLN位于所述子像素驱动电路与所述阳极图形320之间，其作用是平坦子像素驱动电路背向所述基底的表面的段差，使得形成为其上的阳极图形320更加平坦，以避免所述显示面板出现色偏现象。
如图14所示，所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，所述沟槽310的具体结构多种多样，示例性的，所述沟槽310在所述基底上的正投影为闭合结构，或者，所述沟槽310在所述基底上的正投影为非闭合结构。示例性的，沿垂直于所述基底的方向上，所述沟槽310的深度小于所述平坦层PLN的最小厚度；这种设置方式使得所述平坦层PLN在沟槽310处仍然能够将其下方的结构完全覆盖，能够更好的避免位于平坦层PLN上表面的结构(如：阳极图形320)与位于平坦层PLN下表面的结构(如：源漏金属层)在沟槽310处发生短路。示例性的，所述沟槽310贯穿所述平坦层PLN；这种设置方式使得沟槽310能够将位于其下方的结构(如：绝缘膜层)暴露出来，当设置这种方式时，需要保证在沟槽310处，位于平坦层PLN上、下两侧的结构不会在沟槽310处发生短路。
需要说明图14中的标记40代表基底，以及形成在基底上的一些膜层。
所述平坦层PLN可具体采用半色调掩膜技术制作，利用半色调掩膜板曝光工艺形成的平坦层PLN中，可以包括：贯穿所述平坦层PLN的过孔，该过孔用于耦接分别位于平坦层PLN两侧的阳极图形320和子像素驱动电路；还可以包括所述沟槽310，沿垂直于所述基底的方向上，所述沟槽310的深度小于所述平坦层PLN的最小厚度。
至少部分子像素中的所述阳极图形320可具体包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述中间部分和所述边缘部分形成为一体结构。所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部。
图14中，L3代表沿Y方向阳极图形320进入沟槽310槽底的宽度，L4代表平坦层PLN在沟槽310槽壁处的膜层厚度过渡区沿Y方向的宽度，L5代表沿Y方向像素界定层PDL在其形成的像素开口处的边界超出过渡区的宽度，为避免结构设计受不同膜层制作时的设备对位偏差影响，L3和L4的设计值需大于2μm。需要说明，图14中的Z方向代表垂直于基底的方向。
根据上述显示面板的具体结构可知，本发明实施例提供的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得所述平坦层PLN形成为中间高，四周低的结构；同时通过设置所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部，使得阳极图形320能够覆盖所述平坦层PLN中被沟槽310包围的部分，以及平坦层PLN中位于沟槽310内部的至少部分，如图14所示，这种设置方式不仅对水分子在平坦层PLN内的扩散通道实现了压缩(如图14中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度相对于平坦层PLN其它部分的厚度减小)，还延长水分子到达发光功能层EL的扩散路径(图14中的虚线箭头指示水分子的扩散路径)，因此，本发明实施例提供的显示面板中，通过压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，以及延长水分子从平坦层PLN中扩散出来的路径，有效减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，本发明实施例提供的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
在一些实施例中，所述沟槽310包括槽底和槽壁，所述边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽310的槽底在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述阳极图形320与所述沟槽310的交叠程度可根据实际需要设置，示例性的，设置所述阳极图形320的边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽310的槽壁在所述基底上的正投影交叠。
示例性的，设置所述阳极图形320的边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽310的槽底在所述基底上的正投影交叠。
示例性的，设置所述阳极图形320的边缘部分在所述基底上的正投影，完全覆盖所述沟槽310的槽底在所述基底上的正投影。
上述设置所述边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽310的槽底在所述基底上的正投影交叠，使得所述阳极图形320能够覆盖所述平坦层PLN中位于沟槽310槽底的至少部分，如图14所示，这种设置方式不仅对水分子在平坦层PLN内的扩散通道实现了压缩(如图14中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度相对于平坦层PLN其它部分的厚度减小)，还延长水分子到达发光功能层ELEL的扩散路径(图14中的虚线箭头指示水分子的扩散路径)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，以及延长水分子从平坦层PLN中扩散出来的路径，有效减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图11、图13、图15和图16所示，在一些实施例中，所述子像素还包括位于所述平坦层PLN朝向所述基底的一侧的补偿图形906，所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠。
示例性的，所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310的槽底在所述基底上的正投影交叠。
示例性的，所述补偿图形906可具体位于所述基底与至少部分所述平坦层PLN之间，且所述补偿图形906与所述平坦层PLN朝向所述基底的表面接触。
示例性的，所述补偿图形906采用所述显示面板中的源漏金属层制作，即与所述显示面板中的电源信号线图形901和数据线图形908同层同材料设置，能够与所述电源信号线图形901和所述数据线图形908在同一次构图工艺中形成。
由于所述平坦层PLN用于平坦其所覆盖的结构的段差，因此，在垂直于所述基底的方向上，所述平坦层PLN的厚度不均一，且所述平坦层PLN中用于覆盖第一结构的部分厚度较薄，所述平坦层PLN中用于覆盖第二结构的部分厚度较厚，在垂直于所述基底的方向上，所述第一结构背向所述基底的表面的高度高于所述第二结构背向所述基底的表面的高度。
上述设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得水分子在平坦层PLN内的扩散通道被进一步压缩(如图15和图16中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度进一步减小)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过进一步压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，更有效的减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而更有效减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图15所示，在一些实施例中，所述补偿图形906在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
上述通过设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠，使得在所述中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述平坦层PLN在所述中间部分覆盖的区域的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图12、图13和图15所示，在一些实施例中，所述像素单元包括一个红色子像素R、一个蓝色子像素B和一个绿色子像素G；沿第二方向所述红色子像素R与所述绿色子像素G位于同一列，所述蓝色子像素B位于另一列；所述绿色子像素G包括：
第一电源信号线图形，所述第一电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
与所述第一电源信号线图形耦接的第一补偿图形9061，所述第一补偿图形9061沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
如图10～图12所示，第一平坦层，所述第一平坦层上形成有矩形的第一沟槽3101，所述第一沟槽3101包括沿所述第二方向相对设置的第一部分3101a和第二部分3101b，以及沿第一方向相对设置的第三部分3101c和第四部分3101d，所述第一部分3101a在所述基底上的正投影与所述第一补偿图形9061在所述基底上的正投影交叠。
具体地，如图13所示，图13中示出了一个像素单元包括的三个子像素(RGB)中源漏金属层、平坦层PLN的沟槽310和阳极图形320的布局。
示例性的，如图11所示，所述第一电源信号线图形与所述第一补偿图形9061形成为一体结构。这种设置方式不仅使得所述第一补偿图形9061具有与所述第一电源信号线图形901相同的稳定电位，还使得所述第一补偿图形9061能够与所述第一电源信号线图形在一次构图工艺中形成。
示例性的，所述第一平坦层上形成有矩形的第一沟槽3101，所述第一沟槽3101包括沿所述第二方向相对设置的第一部分3101a和第二部分3101b，以及沿第一方向相对设置的第三部分3101c和第四部分3101d，所述第一部分3101a和所述第二部分3101b均沿第一方向延伸，所述第三部分3101c和所述第四部分3101d均沿第二方向延伸。
上述设置所述第一部分3101a在所述基底上的正投影与所述第一补偿图形9061在所述基底上的正投影交叠，使得在所述第一沟槽3101的第一部分3101a所在位置，所述第一平坦层在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得水分子在第一平坦层内的扩散通道被进一步压缩(如图15中第一平坦层在第一沟槽3101底部的厚度进一步减小)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过进一步压缩水分子从第一平坦层中扩散出来的通道，更有效的减慢了第一平坦层中水分的释放速度，从而更有效减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置所述第一部分3101a在所述基底上的正投影与所述第一补偿图形9061在所述基底上的正投影交叠，使得在所述第一沟槽3101的第一部分3101a所在位置，所述第一平坦层在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述第一平坦层在第一沟槽3101处的体积进一步缩小，使得所述第一平坦层内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图11、图12、图13和图16所示，在一些实施例中，所述像素单元包括一个红色子像素R、一个蓝色子像素B和一个绿色子像素G；沿第二方向所述红色子像素R与所述绿色子像素G位于同一列，所述蓝色子像素B位于另一列；所述蓝色子像素B包括：
第二电源信号线图形，所述第二电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
如图11所示，与所述第二电源信号线图形耦接的第二补偿图形9062，所述第二补偿图形9062沿第一方向突出于所述第二电源信号线图形，所述第二补偿图形9062沿所述第二方向延伸；
如图12所示，第二平坦层，所述第二平坦层上形成有矩形的第二沟槽3102，所述第二沟槽3102包括沿所述第二方向相对设置的第五部分3102a和第六部分3102b，以及沿第一方向相对设置的第七部分3102c和第八部分3102d，所述第七部分3102c在所述基底上的正投影与所述第二补偿图形9062在所述基底上的正投影交叠。
示例性的，所述第二电源信号线图形与所述第二补偿图形9062形成为一体结构。这种设置方式不仅使得所述第二补偿图形9062具有与所述第二电源信号线图形相同的稳定电位，还使得所述第二补偿图形9062能够与所述第二电源信号线图形在一次构图工艺中形成。
示例性的，所述第二平坦层上形成有矩形的第二沟槽3102，所述第二沟槽3102包括沿所述第二方向相对设置的第五部分3102a和第六部分3102b，以及沿第一方向相对设置的第七部分3102c和第八部分3102d，所述第五部分3102a和所述第六部分3102b均沿第一方向延伸，所述第七部分3102c和所述第八部分3102d均沿第二方向延伸。
上述设置所述第七部分3102c在所述基底上的正投影与所述第二补偿图形9062在所述基底上的正投影交叠，使得在所述第二沟槽3102的第七部分3102c所在位置，所述第二平坦层在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得水分子在第二平坦层内的扩散通道被进一步压缩(如图16中第二平坦层在第二沟槽3102底部的厚度进一步减小)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过进一步压缩水分子从第二平坦层中扩散出来的通道，更有效的减慢了第二平坦层中水分的释放速度，从而更有效减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置所述第七部分3102c在所述基底上的正投影与所述第二补偿图形9062在所述基底上的正投影交叠，使得在所述第二沟槽3102的第七部分3102c所在位置，所述第二平坦层在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述第二平坦层在第二沟槽3102处的体积进一步缩小，使得所述第二平坦层内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图12所示，所述红色子像素R包括第三平坦层，所述第三平坦层上形成有矩形的第三沟槽3103，所述第三沟槽3103包括沿所述第二方向相对设置的第九部分3103a和第十部分3103b，以及沿第一方向相对设置的第十一部分3103c和第十二部分3103d。
需要说明，上述实施例提供的显示面板中，各子像素中包括的平坦层PLN形成为一体结构，该一体结构的平坦层PLN能够有效平坦显示面板中各子像素驱动电路背向基底的一侧的段差。
如图11和图13所示，在一些实施例中，所述子像素包括电源信号线图形901，所述电源信号线图形901的至少部分沿第二方向延伸，所述电源信号线图形901包括第一电源部9012和第二电源部9011，沿垂直于所述第二方向的方向上，所述第一电源部9012的宽度L2大于所述第二电源部9011的宽度L1；所述第一电源部9012在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述电源信号线图形901可具体包括第一电源部9012和第二电源部9011，示例性的，所述第一电源部9012与所述第二电源部9011沿所述第二方向交替排列，相邻的所述第一部分与所述第二部分耦接在一起。示例性的，所述第一电源部9012和第二电源部9011形成为一体结构。
示例性的，可设置沿垂直于所述第二方向的方向上，所述第一电源部9012的最小宽度大于所述第二电源部9011的最大宽度。
上述设置所述第一电源部9012在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠，使得在所述阳极图形320的中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被有效减薄，从而使得所述平坦层PLN的体积被缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图13所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：
电源信号线图形901，所述电源信号线图形901的至少部分沿第二方向延伸；
数据线图形908，所述数据线图形908的至少部分沿所述第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管，在一个子像素中，所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的输出电极在所述基底上的正投影，与所述数据线图形908在所述基底上的正投影之间；
所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠；
所述数据线图形908在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述数据线图形908在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述驱动晶体管包括栅极、第一极和第二极，所述驱动晶体管的第一极可作为驱动晶体管的输入电极，所述驱动晶体管的第二极可作为所述驱动晶体管的输出电极。所述驱动晶体管的输入电极能够接收所述电源信号线图形901传输的电源信号。
所述电源信号线图形901、所述数据线图形908和所述驱动晶体管的具体布局方式多种多样，示例性的，在一个子像素中，所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的输出电极在所述基底上的正投影，与所述数据线图形908在所述基底上的正投影之间；或者，在一个子像素中，所述数据线图形908在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的输出电极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影之间。
上述设置所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述电源信号线图形901在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。以及所述数据线图形908在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述数据线图形908在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠；均能够使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得水分子在平坦层PLN内的扩散通道被进一步压缩，更有效的减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置方式还使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
此外，上述设置方式还使得在所述阳极图形320的中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被有效减薄，从而使得所述平坦层PLN的体积被缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图13所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：
第一导电连接部907，所述第一导电连接部907的至少部分沿第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极通过所述第一导电连接部907与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第一导电连接部907在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第一导电连接部907在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管接在所述驱动晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极之间，用于在补偿时段对所述驱动晶体管进行阈值电压补偿。
上述设置所述第一导电连接部907在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第一导电连接部907在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得水分子在平坦层PLN内的扩散通道被进一步压缩，更有效的减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置方式还使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。此外，上述设置方式还使得在所述阳极图形320的中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被有效减薄，从而使得所述平坦层PLN的体积被缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图13所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：
第二导电连接部909，所述第二导电连接部909的至少部分沿第二方向延伸；
初始化信号线图形904，所述初始化信号线图形904的至少部分沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
复位信号线图形905，所述复位信号线图形905沿所述第一方向延伸；
所述子像素驱动电路包括第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形905耦接，所述第七晶体管的第一极通过所述第二导电连接部909与对应的初始化信号线图形904耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的所述阳极图形320耦接；
所述第二导电连接部909在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第二导电连接部909在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述第七晶体管用于在所述复位信号线图形905上传输的复位信号的控制下，将所述初始化信号线图形904上传输的初始化信号线传输至对应的阳极图形320，实现对所述阳极图形320上的电位进行复位。
上述设置所述第二导电连接部909在所述基底上的正投影与所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第二导电连接部909在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得水分子在平坦层PLN内的扩散通道被进一步压缩，更有效的减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，上述设置方式还使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积被缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。此外，上述设置方式还使得在所述阳极图形320的中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被有效减薄，从而使得所述平坦层PLN的体积被缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
如图14～图16所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：位于所述阳极图形320背向所述基底的一侧的像素界定层PDL，所述像素界定层PDL具有像素开口，所述像素开口在所述基底上的正投影，位于所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影的内部。
具体地，所述子像素还包括：位于所述阳极图形320背向所述基底的一侧的像素界定层PDL，所述像素界定层PDL具有像素开口，所述像素开口能够暴露所述阳极图形320的中间部分中的至少部分，所述像素界定层PDL背向基底的一侧还形成有发光功能层EL，所述发光功能层EL位于所述像素开口中的部分能够与所述中间部分中的至少部分接触。
上述设置所述像素开口在所述基底上的正投影，位于所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影的内部，使得所述发光功能层EL与所述阳极图形320接触的部分具有良好的平坦性，从而更好的保证了所述发光功能层EL的制作良率和发光效果。
在一些实施例中，所述子像素呈阵列分布，所述子像素还包括：
电源信号线图形901、数据线图形908、初始化信号线图形904、栅线图形902、发光控制信号线图形903、复位信号线图形905；
所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极通过对应的所述第一导电连接部与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与对应的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的阳极图形耦接。
具体地，如图1和图3所示，所述子像素驱动电路包括的各晶体管均采用P型晶体管，各晶体管的第一极为源极，第二极为漏极。
第一晶体管T1为双栅结构，第一晶体管T1的栅极201g与栅线图形902耦接，第一晶体管T1的源极S1与第三晶体管T3(即驱动晶体管)的漏极D3耦接，第一晶体管T1的漏极D1与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第二晶体管T2为双栅结构，第二晶体管T2的栅极202g与沿所述第二方向相邻的下一个子像素中的所述复位信号线图形905'耦接，第二晶体管T2的源极S2与所述下一个子像素中的初始化信号线图形904'耦接，第二晶体管T2的漏极D2与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形902耦接，第四晶体管T4的源极S4与数据线图形908耦接，第四晶体管T4的漏极D4与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第五晶体管T5的栅极205g与发光控制信号线图形903耦接，第五晶体管T5的源极S5与电源信号线图形901耦接，第五晶体管T5的漏极D5与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第六晶体管T6的栅极206g与发光控制信号线图形903耦接，第六晶体管T6的源极S6与第三晶体管T3的漏极D3耦接，第六晶体管T6的漏极D6与阳极图形耦接。
第七晶体管T7的栅极207g与所述复位信号线图形905耦接，第七晶体管T7的漏极D7与阳极图形耦接，第七晶体管T7的源极S7与所述初始化信号线图形904耦接。
存储电容Cst的第一极板Cst1复用为第三晶体管T3的栅极203g，存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形901耦接。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示面板。
上述实施例提供的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得所述平坦层PLN形成为中间高，四周低的结构；同时通过设置所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部，使得阳极图形320能够覆盖所述平坦层PLN中被沟槽310包围的部分，以及平坦层PLN中位于沟槽310内部的至少部分，如图14所示，这种设置方式不仅对水分子在平坦层PLN内的扩散通道实现了压缩(如图14中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度相对于平坦层PLN其它部分的厚度减小)，还延长水分子到达发光功能层ELEL的扩散路径(图14中的虚线箭头指示水分子的扩散路径)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，以及延长水分子从平坦层PLN中扩散出来的路径，有效减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。另外，上述实施例提供的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
因此，本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示面板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了显示面板的制作方法，所述制作方法包括：
在基底上制作多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；
所述子像素包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层PLN和阳极图形320；至少部分子像素中的所述阳极图形320包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部。
具体地，制作所述像素单元中包括的子像素的步骤具体包括：先在基底上形成子像素驱动电路，然后在子像素驱动电路背向基底的一侧制作平坦层PLN，并在所述平坦层PLN上形成沟槽310，然后在所述平坦层PLN背向所述基底的一侧制作阳极图形320。
采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得所述平坦层PLN形成为中间高，四周低的结构；同时通过设置所述沟槽310在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽310在所述基底上的正投影的内部，使得阳极图形320能够覆盖所述平坦层PLN中被沟槽310包围的部分，以及平坦层PLN中位于沟槽310内部的至少部分，如图14所示，这种设置方式不仅对水分子在平坦层PLN内的扩散通道实现了压缩(如图14中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度相对于平坦层PLN其它部分的厚度减小)，还延长水分子到达发光功能层ELEL的扩散路径(图14中的虚线箭头指示水分子的扩散路径)，因此，采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示面板中，通过压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，以及延长水分子从平坦层PLN中扩散出来的路径，有效减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示面板中，通过设置所述平坦层PLN背向所述基底的表面具有沟槽310，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被减薄，从而使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
在一些实施例中，所述子像素包括电源信号线图形901和补偿图形906，所述制作方法还包括：
通过一次构图工艺，同时形成所述电源信号线图形901与补偿图形906，所述补偿图形906位于所述平坦层PLN朝向所述基底的一侧，所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠，和/或，所述补偿图形906在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
具体地，所述电源信号线图形901与所述补偿图形906可形成为一体结构，从而使得所述补偿图形906具有与所述电源信号线图形901相同的稳定电位，还使得所述补偿图形906能够与所述电源信号线图形901在一次构图工艺中形成。
通过设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得水分子在平坦层PLN内的扩散通道被进一步压缩(如图15和图16中平坦层PLN在沟槽310底部的厚度进一步减小)，因此，上述实施例提供的显示面板中，通过进一步压缩水分子从平坦层PLN中扩散出来的通道，更有效的减慢了平坦层PLN中水分的释放速度，从而更有效减慢了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
另外，通过设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层PLN的沟槽310在所述基底上的正投影交叠，使得在所述沟槽310处，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述平坦层PLN在沟槽310处的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
此外，上述通过设置所述补偿图形906在所述基底上的正投影与所述阳极图形320的中间部分在所述基底上的正投影交叠，使得在所述中间部分覆盖的区域，所述平坦层PLN在垂直于所述基底的方向上的厚度被进一步减薄，从而使得所述平坦层PLN在所述中间部分覆盖的区域的体积进一步缩小，使得所述平坦层PLN内水分的残余总量减少，进而更有效的减少了水分子对发光功能层EL的侵蚀，实现提升显示面板寿命的有益效果。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：基底，以及设置在所述基底上的多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；
所述子像素包括依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层和阳极图形；至少部分子像素中的所述阳极图形包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，所述沟槽在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽在所述基底上的正投影的内部；
所述沟槽包括槽底和槽壁；
所述子像素还包括电源信号线图形；
所述子像素还包括位于所述平坦层朝向所述基底的一侧的补偿图形，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽的槽底在所述基底上的正投影交叠，和/或，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽的槽壁在所述基底上的正投影交叠；所述补偿图形与所述电源信号线图形同层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述边缘部分在所述基底上的正投影，与所述沟槽的槽底在所述基底上的正投影交叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述补偿图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和一个绿色子像素；沿第二方向所述红色子像素与所述绿色子像素位于同一列，所述蓝色子像素位于另一列；所述绿色子像素包括：
第一电源信号线图形，所述第一电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
与所述第一电源信号线图形耦接的第一补偿图形，所述第一补偿图形沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
第一平坦层，所述第一平坦层上形成有矩形的第一沟槽，所述第一沟槽包括沿所述第二方向相对设置的第一部分和第二部分，以及沿第一方向相对设置的第三部分和第四部分，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述第一补偿图形在所述基底上的正投影交叠。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和一个绿色子像素；沿第二方向所述红色子像素与所述绿色子像素位于同一列，所述蓝色子像素位于另一列；所述蓝色子像素包括：
第二电源信号线图形，所述第二电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
与所述第二电源信号线图形耦接的第二补偿图形，所述第二补偿图形沿第一方向突出于所述第二电源信号线图形，所述第二补偿图形沿所述第二方向延伸；
第二平坦层，所述第二平坦层上形成有矩形的第二沟槽，所述第二沟槽包括沿所述第二方向相对设置的第五部分和第六部分，以及沿第一方向相对设置的第七部分和第八部分，所述第七部分在所述基底上的正投影与所述第二补偿图形在所述基底上的正投影交叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸，所述电源信号线图形包括第一电源部和第二电源部，沿垂直于所述第二方向的方向上，所述第一电源部的宽度大于所述第二电源部的宽度；
所述第一电源部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述电源信号线图形的至少部分沿第二方向延伸；
所述子像素还包括：
数据线图形，所述数据线图形的至少部分沿所述第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管，在一个子像素中，所述电源信号线图形在所述基底上的正投影，位于所述驱动晶体管的输出电极在所述基底上的正投影，与所述数据线图形在所述基底上的正投影之间；
所述电源信号线图形在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述电源信号线图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠；
所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述数据线图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部的至少部分沿第二方向延伸；
所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第一晶体管的第二极通过所述第一导电连接部与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第一导电连接部在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素还包括：
第二导电连接部，所述第二导电连接部的至少部分沿第二方向延伸；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形的至少部分沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；
复位信号线图形，所述复位信号线图形沿所述第一方向延伸；
所述子像素驱动电路包括第七晶体管，所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极通过所述第二导电连接部与对应的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的所述阳极图形耦接；
所述第二导电连接部在所述基底上的正投影与所述平坦层的沟槽在所述基底上的正投影交叠；和/或，所述第二导电连接部在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素还包括：
位于所述阳极图形背向所述基底的一侧的像素界定层，所述像素界定层具有像素开口，所述像素开口在所述基底上的正投影，位于所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影的内部。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素呈阵列分布，所述子像素还包括：
数据线图形、初始化信号线图形、栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形；
所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极通过对应的第一导电连接部与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与沿第二方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与对应的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与对应的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与对应的阳极图形耦接。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～11中任一项所述的显示面板。
13.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在基底上制作多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列分布，每个像素单元均包括多个子像素；
所述子像素包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的子像素驱动电路、平坦层和阳极图形；至少部分子像素中的所述阳极图形包括中间部分和包围所述中间部分的边缘部分，所述平坦层背向所述基底的表面具有沟槽，所述沟槽在所述基底上的正投影包围所述中间部分在所述基底上的正投影，至少部分所述边缘部分在所述基底上的正投影位于所述沟槽在所述基底上的正投影的内部；
所述沟槽包括槽底和槽壁；
所述子像素包括电源信号线图形和补偿图形，所述补偿图形与所述电源信号线图形同层设置，所述制作方法还包括：
通过一次构图工艺，同时形成所述电源信号线图形与补偿图形，所述补偿图形位于所述平坦层朝向所述基底的表面，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽的槽底在所述基底上的正投影交叠，和/或，所述补偿图形在所述基底上的正投影与至少部分所述平坦层的沟槽的槽壁在所述基底上的正投影交叠。
14.根据权利要求13所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述补偿图形在所述基底上的正投影与所述阳极图形的中间部分在所述基底上的正投影交叠。
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