CN113853643B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述显示基板包括：基底(50)和在基底(50)上阵列分布的多个子像素；子像素包括：沿第一方向延伸的数据线图形(DATA1)；初始化信号线图形(VINT1)，初始化信号线图形(VINT1)包括沿第二方向延伸的部分，第二方向与第一方向相交，初始化信号线图形(VINT1)用于传输具有固定电位的初始化信号；子像素驱动电路，子像素驱动电路包括：驱动晶体管(T3)，与驱动晶体管(T3)的栅极(203g)耦接的第一晶体管(T1)，以及与初始化信号线图形(VINT1)耦接的第一屏蔽部件(404)，第一屏蔽部件(404)在基底(50)上的正投影，位于第一晶体管(T1)在基底(50)上的正投影与目标数据线图形(DATA2)在基底(50)上的正投影之间；沿第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括目标数据线图形(DATA2)。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示产品，以其亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等优点被广泛的应用在各个领域。
而随着OLED显示产品的应用范围越来越广泛，对OLED显示产品的显示质量要求越来越高，影响显示产品显示质量的因素多种多样，其中显示产品中包括的像素电路结构产生的垂直串扰现象作为重要因素受到人们的广泛关注，导致该垂直串扰现象的原因大致有两种，分别是显示产品中电源信号线上的压降造成的垂直串扰和数据线传输变化的数据信号造成的垂直串扰。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置。
本公开的第一方面提供一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，位于所述第一晶体管在所述基底上的正投影与目标数据线图形在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
可选的，所述多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的多个所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；
所述第一屏蔽部件沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与所述初始化信号线图形异层设置，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形同材料设置。
可选的，所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
相耦接的第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；
所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；
所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。
可选的，所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。
可选的，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述子像素驱动电路还包括：
与所述第一屏蔽部件耦接的第二屏蔽部件，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件异层设置，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影与所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
可选的，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形同材料设置。
可选的，所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素还包括电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容中的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容中的第二极板与所述电源信号线图形耦接，所述存储电容中的第二极板位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形在所述基底上的正投影；
第二晶体管，所述第二晶体管的第一极通过所述第一导电连接部与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接。
可选的，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
可选的，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，分别与所述栅线图形在所述基底上的正投影，以及所述发光控制信号线图形在所述基底上的正投影部分交叠。
本公开的第二方面提供一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件用于与所述第一晶体管的第一极形成耦合电容，所述第一屏蔽部件在基底上正投影与目标数据线图形在所述基底上正投影不交叠，沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
可选的，所述阵列分布的多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；
所述第一屏蔽部件沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与所述初始化信号线图形异层设置，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
可选的，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形同材料设置。
可选的，所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；
所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；
所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。
可选的，所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。
可选的，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述子像素驱动电路还包括：
与所述第一屏蔽部件耦接的第二屏蔽部件，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件异层设置，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影与所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
可选的，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形同材料设置。
可选的，所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素还包括电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容中的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容中的第二极板与所述电源信号线图形耦接，所述存储电容中的第二极板位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
可选的，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形在所述基底上的正投影；
第二晶体管，所述第二晶体管的第一极通过所述第一导电连接部与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接。
可选的，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
可选的，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，分别与所述栅线图形在所述基底上的正投影，以及所述发光控制信号线图形在所述基底上的正投影部分交叠。
本公开的第三方面提供一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与所述电源信号线图形耦接；所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述两个开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电部，该第一导电部在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影，以及所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域与所述数据线图形在所述基底上的正投影不交叠。
可选的，所述驱动晶体管的第一极在所述基底上的正投影，位于所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影的内部。
可选的，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；且沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离，小于所述沟道区在所述基底上的正投影，与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间的最小距离。
可选的，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形和发光控制信号线图形，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管和第六晶体管；所述两个开关晶体管包括第四晶体管和第五晶体管；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的第一极、所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部，所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部在所述基底上的正投影与所述第二导电部在所述基底上的正投影之间；所述驱动晶体管的第一极和第二极均包括沿所述第二方向延伸的第一部分，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度与所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度不同。
基于上述显示基板的技术方案，本公开的第四方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
基于上述显示基板的技术方案，本公开的第五方面提供一种显示基板的制作方法，包括：
在基底上制作阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，位于所述第一晶体管在所述基底上的正投影与目标数据线图形在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开实施例提供的子像素驱动电路的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的子像素驱动电路对应的工作时序图；
图3为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第一布局示意图；
图4为本公开实施例提供的有源膜层的第一布局示意图；
图5为本公开实施例提供的第一栅金属层的第一布局示意图；
图6为本公开实施例提供的第二栅金属层的第一布局示意图；
图7为本公开实施例提供的源漏金属层的第一布局示意图。
图8为图3中沿A1A2方向的截面示意图；
图9为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第二布局示意图；
图10为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第三布局示意图；
图11为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第四布局示意图；
图12为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第五布局示意图；
图13为图11中沿B1B2方向的截面示意图；
图14为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第六布局示意图；
图15为本公开实施例提供的显示基板中多个子像素的第一布局示意图；
图16为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第七布局示意图；
图17为图16中沿C1C2方向的截面示意图；
图18为本公开实施例提供的有源膜层的第二布局示意图；
图19为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第八布局示意图；
图20为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第九布局示意图；
图21为本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第十布局示意图；
图22为图21中沿D1D2方向的截面示意图；
图23为第三金属层的布局示意图；
图24为本公开实施例提供的显示基板中多个子像素的第二布局示意图；
图25为相关技术中驱动晶体管的栅极出现的串扰现象示意图；
图26本公开实施例提供的显示基板中子像素驱动电路的第十一布局示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本公开实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
OLED显示产品中产生垂直串扰的原因大致包括：电源信号线上的压降造成的垂直串扰，以及数据线上加载变化的数据信号造成的垂直串扰；其中，由数据线造成的垂直串扰是导致OLED显示产品出现垂直串扰现象的主要因素，因此，如何解决由数据线造成的垂直串扰成为亟待解决的问题。
基于上述问题的存在，本公开的发明人经研究发现，可在数据线和受到该数据线串扰的部分之间设置屏蔽图形，通过该屏蔽图形减小数据线和所述部分之间的耦合影响，从而减弱由数据线产生的垂直串扰的问题，使显示产品实现更好的显示效果。
需要说明，本文描述的一个或多个实施方式对应于具有7TlC(即7个薄膜晶体管和1个电容)子像素驱动电路的显示基板。在另一实施方式中，所述显示基板可包括不同的子像素驱动电路，例如，大于或小于7个薄膜晶体管，以及包括一个或多个电容器。
如图1所示，本公开提供的显示基板中包括多个子像素，各子像素可均包括：栅线图形GATE、第一复位信号线图形RST1、第一初始化信号线图形VINT1、数据线图形DATA、发光控制信号线图形EM、电源信号线图形VDD、第二复位信号线图形RST2和第二初始化信号线图形VINT2。
各子像素中的子像素驱动电路可均包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容Cst。另外，图1中还包括了第一电容C1，该第一电容C1是寄生电容。
以一个子像素驱动电路为例，该子像素驱动电路包括的各晶体管均采用P型晶体管，其中，第一晶体管T1为双栅结构，第一晶体管T1的栅极201g与栅线图形GATE耦接，第一晶体管T1的源极S1与第三晶体管T3的漏极D3耦接，第一晶体管T1的漏极D1与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第二晶体管T2为双栅结构，第二晶体管T2的栅极202g与第一复位信号线图形RST1耦接，第二晶体管T2的源极S2与第一初始化信号线图形VINT1耦接，第二晶体管T2的漏极D2与第三晶体管T3的栅极203g耦接。
第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，第四晶体管T4的源极S4与数据线图形DATA耦接，第四晶体管T4的漏极D4与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第五晶体管T5的栅极205g与发光控制信号线图形EM耦接，第五晶体管T5的源极S5与电源信号线图形VDD耦接，第五晶体管T5的漏极D5与第三晶体管T3的源极S3耦接。
第六晶体管T6的栅极206g与发光控制信号线图形EM耦接，第六晶体管T6的源极S6与第三晶体管T3的漏极D3耦接，第六晶体管T6的漏极D6与发光元件OLED的阳极耦接。
第七晶体管T7的栅极207g与第二复位信号线图形RST2耦接，第七晶体管T7的漏极D7与所述发光元件OLED的阳极耦接，第七晶体管T7的源极S7与第二初始化信号线图形VINT2耦接。
存储电容Cst的第一极板Cst1与第三晶体管T3的栅极203g耦接，存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接。
如图2所示，上述结构的子像素驱动电路在工作时，每个工作周期均包括第一复位时段P1、写入补偿时段P2、第二复位时段P3和发光时段P4。
在所述第一复位时段P1，第一复位信号线图形RST1输入的第一复位信号处于有效电平，第二晶体管T2导通，由第一初始化信号线图形VINT1传输的初始化信号输入至第三晶体管T3的栅极203g，使得前一帧保持在第三晶体管T3上的栅源电压Vgs被清零，实现对第三晶体管T3的栅极203g复位。
在写入补偿时段P2，所述第一复位信号处于非有效电平，第二晶体管T2截止，栅线图形GATE输入的栅极扫描信号处于有效电平，控制第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，数据线图形DATA写入数据信号，并经所述第四晶体管T4传输至第三晶体管T3的源极S3，同时，第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，使得第三晶体管T3形成为二极管结构，因此通过第一晶体管T1、第三晶体管T3和第四晶体管T4配合工作，实现对第三晶体管T3的阈值电压补偿，当补偿的时间足够长时，可控制第三晶体管T3的栅极203g电位最终达到Vdata+Vth，其中，Vdata代表数据信号电压值，Vth代表第三晶体管T3的阈值电压。
在第二复位时段P3，所述栅极扫描信号处于非有效电平，第一晶体管T1和第四晶体管T4均截止，第二复位信号线RST2输入的第二复位信号处于有效电平，控制第七晶体管T7导通，由第二初始化信号线图形VINT2传输的初始化信号输入至发光元件OLED的阳极，控制发光元件OLED不发光。
在发光时段P4，发光控制信号线图形EM写入的发光控制信号处于有效电平，控制第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，使得由电源信号线图形VDD传输的电源信号输入至第三晶体管T3的源极S3，同时由于第三晶体管T3的栅极203g保持在Vdata+Vth，使得第三晶体管T3导通，第三晶体管T3对应的栅源电压为Vdata+Vth-VDD，其中VDD为电源信号对应的电压值，基于该栅源电压产生的漏电流流向对应的发光元件OLED的阳极，驱动对应的发光元件OLED发光。
如图3所示，在制作上述子像素驱动电路时，子像素驱动电路对应的各膜层的布局如下：
沿远离基底的方向上依次层叠设置的有源膜层、栅极绝缘层、第一栅金属层、第一层间绝缘层、第二栅金属层、第二层间绝缘层、第一源漏金属层和第三层间绝缘层。
如图4所示，有源膜层用于形成子像素驱动电路中各晶体管的沟道区(如：101pg～107pg)，源极形成区(如：101ps～107ps)和漏极形成区(如：101pd～107pd)，源极形成区和漏极形成区对应的有源膜层由于掺杂作用，导电性能会优于沟道区对应的有源膜层；有源膜层可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是，上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
另外，值得注意，所述源极形成区和漏极形成区对应的有源膜层可直接作为对应的源极或漏极，或者，也可以采用金属材料制作与所述源极形成区接触的源极，采用金属材料制作与所述漏极形成区接触的漏极。
如图5所示，第一栅金属层用于形成子像素驱动电路中各晶体管的栅极(如：201g～207g)，以及显示基板包括的栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、第一复位信号线图形RST1和第二复位信号线图形RST2等结构，每个子像素驱动电路中的第三晶体管T3的栅极203g均复用为该子像素驱动电路中的存储电容Cst的第一极板Cst1。
如图6所示，第二栅金属层用于形成存储电容Cst的第二极板Cst2，以及显示基板包括的第一初始化信号线图形VINT1和第二初始化信号线图形VINT2。
如图1、图3和7所示，第一源漏金属层用于形成子像素驱动电路中各晶体管的源极(如：S1～S7)和漏极(如：D1～D7)，以及显示基板包括的数据线图形(如DATA1和DATA2)和电源信号线图形VDD。
更详细地说，请继续参阅图3、图7～图10，第一晶体管T1的栅极201g覆盖第一沟道区101pg，第一晶体管T1的源极S1位于第一源极形成区101ps，第一晶体管T1的漏极D1位于第一漏极形成区101pd。
第二晶体管T2的栅极202g覆盖第二沟道区102pg，第二晶体管T2的源极S2位于第二源极形成区102ps，第二晶体管T2的漏极D2位于第二漏极形成区102pd。
第三晶体管T3的栅极203g覆盖第三沟道区103pg，第三晶体管T3的源极S3位于第三源极形成区103ps，第三晶体管T3的漏极D3位于第三漏极形成区103pd。
第四晶体管T4的栅极204g覆盖第四沟道区104pg，第四晶体管T4的源极S4位于第四源极形成区104ps，第四晶体管T4的漏极D4位于第四漏极形成区104pd。
第五晶体管T5的栅极205g覆盖第五沟道区105pg，第五晶体管T5的源极S5位于第五源极形成区105ps，第五晶体管T5的漏极D5位于第五漏极形成区105pd。
第六晶体管T6的栅极206g覆盖第六沟道区106pg，第六晶体管T6的源极S6位于第六源极形成区106ps，第六晶体管T6的漏极D6位于第六漏极形成区106pd。
第七晶体管T7的栅极207g覆盖第七沟道区107pg，第七晶体管T7的源极S7位于第七源极形成区107ps，第七晶体管T7的漏极D7位于第七漏极形成区107pd。
第三晶体管T3的栅极203g复用为存储电容Cst的第一极板Cst1，存储电容Cst的第二极板Cst2与电源信号线图形VDD耦接。
需要说明，图1中的连接线401、402和403，均是由第一源漏金属层形成，具体布局如图3和图7所示。图1中的第一电容C1为寄生电容，如图3所示，存储电容Cst的第二极板Cst2在基底上的正投影与第四晶体管T4对应的第四漏极形成区104pd的向下延长部分在基底上的正投影存在重叠区域，该重叠区域即形成为所示第一电容C1。
另外，本公开提供的显示基板中，包括的多个子像素可呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；所述子像素中包括的栅线图形GATE、第一复位信号线图形RST1、第一初始化信号线图形VINT1、发光控制信号线图形EM、第二复位信号线图形RST2和第二初始化信号线图形VINT2可均沿第二方向延伸；所述子像素中包括的数据线图形DATA和电源信号线图形VDD均沿第一方向延伸。
位于同一行的栅线图形GATE可形成为一体结构的一条栅线，位于同一行的第一复位信号线图形RST1可形成为一体结构的一条第一复位信号线，位于同一行的第一初始化信号线图形VINT1可形成为一体结构的一条第一初始化信号线，位于同一行的发光控制信号线图形EM可形成为一体结构的一条发光控制信号线，位于同一行的第二复位信号线图形RST2可形成为一体结构的一条第二复位信号线，位于同一行的第二初始化信号线图形VINT2可形成为一体结构的一条第二初始化信号线。位于同一列的数据线图形DATA可形成为一体结构的一条数据线，位于同一列的电源信号线图形VDD可形成为一体结构的一条电源信号线。
为了简化子像素的布局空间，可将一行子像素对应的第二复位信号线复用为相邻的下一行子像素对应的第一复位信号线；同样的，可将一行子像素对应的第二初始化信号线复用为相邻的下一行子像素对应的第一初始化信号线。
如图3所示，在一些实施例中，以一个子像素中包括的子像素驱动电路为例，在第一方向(如Y方向)上，第四晶体管T4的栅极204g、第一晶体管T1的栅极201g和第二晶体管T2的栅极202g均位于驱动晶体管的栅极(即第三晶体管T3的栅极203g)的第一侧，第七晶体管T7的栅极、第六晶体管T6的栅极206g、第五晶体管T5的栅极均位于驱动晶体管的栅极的第二侧。示例性的，所述驱动晶体管的栅极的第一侧和第二侧为在第一方向上驱动晶体管的栅极的彼此相对的两侧，进一步地，驱动晶体管的栅极的第一侧可以为驱动晶体管的栅极的上侧，驱动晶体管的栅极的第二侧可以为驱动晶体管T1的栅极的下侧。所述下侧，例如显示基板的用于绑定IC的一侧为显示基板的下侧，驱动晶体管的栅极的下侧，为驱动晶体管的栅极的更靠近IC的一侧。所述上侧为下侧的相对侧，例如为驱动晶体管的栅极的更远离IC的一侧。
在一些实施例中，如图3所示，在第二方向(如X方向)上，第四晶体管T4的栅极204g和第五晶体管T5的栅极205g均位于驱动晶体管的栅极的第三侧，第一晶体管T1的栅极201g和第六晶体管T6的栅极206g均位于驱动晶体管T1的栅极的第四侧。示例性的，驱动晶体管的栅极的第三侧和第四侧为在第二方向X上驱动晶体管的栅极的彼此相对的两侧；进一步地，驱动晶体管的栅极的第三侧可以为驱动晶体管的栅极的左侧，驱动晶体管的栅极的第四侧可以为驱动晶体管的栅极的右侧。所述左侧和右侧，例如在同一子像素中，第一数据线图形DATA1位于电源信号线图形VDD左侧，电源信号线图形VDD在第一数据线图形DATA1右侧。
请参阅图3和图8，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底50和在所述基底50上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形(如图3中的DATA1)；
初始化信号线图形(如图3中的VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管(如图3中的T3)，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管T1，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件404，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，位于所述第一晶体管T1在所述基底50上的正投影与目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
具体地，上述显示基板一般包括阵列分布的多个子像素，每个子像素均包括：沿第一方向延伸的数据线图形(如图3中的DATA1)，以及至少部分沿第二方向延伸的初始化信号线图形(如图3中的VINT1)；所述数据线图形用于传输数据信号，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；示例性的，所述第一方向包括Y方向，所述第二方向包括X方向。
所述目标数据线图形为：沿所述第二方向，与当前子像素相邻的下一个子像素中包括的数据线图形。
每个子像素还包括子像素驱动电路，以及与所述子像素驱动电路一一对应的发光元件，发光元件包括层叠设置的阳极、有机发光材料层和阴极，其中发光元件的阳极与对应的子像素驱动电路耦接，在子像素驱动电路提供的驱动信号的驱动下，发光元件实现发光。
更详细地说，如图1、图3和图4所示，以子像素驱动电路包括上述7T1C为例，第三晶体管T3(即所述驱动晶体管)的栅极203g通过连接线401与第一晶体管T1的漏极D1耦接，第三晶体管T3的漏极D3与第一晶体管T1的源极S1耦接。沿X方向，所述第一晶体管T1的第一沟道区101pg在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间最小距离，小于第三晶体管T3的第三沟道区103pg在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间最小距离。值得注意，上述沟道区(如：第一沟道区101pg和第三沟道区103pg)在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间最小距离是指：该沟道区在所述基底50上的正投影中最靠近所述目标数据线图形的边界，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间的最小距离。
上述结构的子像素驱动电路中，当目标数据线图形传输的数据信号发生变化时，会对第一晶体管T1的性能产生影响，由于第一晶体管T1通过连接线401与第三晶体管T3耦接，进而对第三晶体管T3的工作性能产生影响。
本公开实施例在所述子像素驱动电路中设置了与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)耦接的第一屏蔽部件404，使第一屏蔽部件404具有与所述初始化信号相同的固定电位，并设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，位于所述第一晶体管T1在所述基底50上的正投影与目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间，使得第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
另外，上述将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接，除了使得第一屏蔽部件404具有固定电位之外，还实现了加强了初始化信号线图形的电压，使得初始化信号线图形上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
值得注意，除了将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接外，还可以将第一屏蔽部件404与所述子像素包括的电源信号线图形VDD耦接，使得所述第一屏蔽部件404具有与电源信号线图形VDD传输的电源信号相同的固定电位。
上述将所述第一屏蔽部件404与所述电源信号线图形VDD耦接的方式，虽然能够保证所述第一屏蔽部件404具有固定的电位，但是会增大电源信号线图形VDD产生的寄生电容，使得电源信号线图形VDD的RC负载更大，不利于减弱垂直串扰现象。
如图3所示，在一些实施例中，所述第一晶体管T1的栅极201g和所述栅线图形GATE为一体结构，所述第一晶体管T1的栅极201g为该一体结构中能够在垂直于所述基底的方向上与有源膜层形成交叠区域的部分。
如图3所示，在一些实施例中，所述多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的多个所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；所述第一屏蔽部件404沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
具体地，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的一条初始化信号线。
上述设置所述第一屏蔽部件404沿所述第一方向延伸，并与至少一条所述初始化信号线耦接，不仅使得第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果；而且，还实现了加强了初始化信号线的电压，使得初始化信号线上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
如图9所示，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
具体地，当设置所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线耦接时，所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线的耦接方式，以及所述第一屏蔽部件404的具体结构和设置方式均多种多样，示例性的，如图3所示，可设置所述第一屏蔽部件404分别与其相邻的两条所述初始化信号线耦接；这种设置方式，使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，不仅位于所述第一晶体管T1在所述基底50的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50的正投影之间；还使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，能够位于连接线401在所述基底50上的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间；同时还使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，能够位于所述驱动晶体管(即第三晶体管T3)在所述基底50上的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间。
上述设置方式很好的降低了所述目标信号线图形与所述第一晶体管T1之间产生的第一串扰，以及所述目标信号线图形与连接线401之间产生的第二串扰，从而降低了由于上述第一串扰和第二串扰导致的对驱动晶体管产生的间接串扰。另外，上述设置方式还降低了所述目标信号线图形与所述驱动晶体管之间产生的直接串扰，从而更好的保证了显示基板的工作性能。
请继续参阅图3，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)异层设置，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件404通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
具体地，所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形同层设置或异层设置，当所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形异层设置时，可设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底50上的正投影均存在第一重叠区域，这样通过在所述第一重叠区域设置第一过孔，即可实现所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线之间的耦接。
需要说明，上述“所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形同层设置”包括：所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形位于同一水平面上；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形位于同一层膜层；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形均设置在同一层绝缘层背向基底的表面；以及所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形采用一次构图工艺形成等多种情况中的至少一种。
上述“所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形异层设置”包括：所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形不位于同一层膜层；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形无法采用一次构图工艺形成等多种情况中的至少一种。
在一些实施例中，可设置所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形(如图3中的DATA1)同材料设置。
在一些实施例中，可设置所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形(如图3中的DATA1)均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，按照上述方式设置所述第一屏蔽部件404，使得能够通过一次构图工艺，将所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形同时形成在所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面，避免为了制作所述第一屏蔽部件404而增加额外的构图工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了制作成本。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管T2，所述第二晶体管T2包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
相耦接的第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底50上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底50上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底50上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，如图7所示，上述第二晶体管T2为双栅结构，其包括的所述第一半导体图形和所述第二半导体图形形成为所述第二晶体管T2的沟道区(对应图7中的标记102pg位置)，其包括的所述第三导体图形102px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，所述第二晶体管T2包括的第一栅极图形和第二栅极图形一一对应覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，可共同作为所述第二晶体管T2的栅极202g。
上述结构的第二晶体管T2中，由于所述第三导体图形102px具有良好的导电性能，且未被栅极图形覆盖，因此，容易与其附近的其他导电图形之间耦合，产生串扰现象。上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第三导体图形在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述初始化信号线图形能够对所述第三导体图形102px进行遮盖，由于所述初始化信号线图形上传输具有固定电位的初始化信号，更好的减小了所述第三导体图形102px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，从而使得显示基板的工作性能更稳定。
如图4所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；所述第一延伸部包括第一部分61、第二部分62和第三部分63，所述第一部分61和所述第三部分63均沿所述第一方向延伸，所述第二部分62沿所述第二方向延伸，所述第二部分62的一端与所述第一部分61耦接，所述第二部分62的另一端与所述第三部分63耦接；所述第三部分63远离所述第二部分62的一端与所述第一晶体管T1耦接。
具体地，所述第一延伸部可与所述第一半导体图形在一次构图工艺中制作，并在形成所述第一半导体图形后，对该第一延伸部进行掺杂，使得该第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形。
在增加第一屏蔽部件404之后，将所述第一延伸部设置为上述结构，使得第二晶体管T2在通过所述第一延伸部分别与第一晶体管T1和驱动晶体管的栅极耦接时，更有利于降低由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能，以及第二晶体管T2的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
如图3和图4所示，在一些实施例中，所述第一晶体管T1包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底50上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底50上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底50上的正投影均不重叠。
具体地，如图4所示，所述第一晶体管为双栅结构，其包括的所述第四半导体图形和所述第五半导体图形形成为所述第一晶体管的沟道区(对应图4中的标记101pg)，其包括的所述第六导体图形101px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，所述第一晶体管包括的第三栅极图形和第四栅极图形一一对应覆盖所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，可共同作为所述第一晶体管T1的栅极201g。
如图10所示，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述结构的第一晶体管T1中，由于所述第六导体图形101px具有良好的导电性能，且未被栅极图形覆盖，因此，容易与其附近的其他导电图形之间耦合，产生串扰现象。上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第一屏蔽部件404能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一屏蔽部件404具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图11、图12和图13所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括：与所述第一屏蔽部件404耦接的第二屏蔽部件301，所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第二屏蔽部件301能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404耦接，使所述第二屏蔽部件301具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
因此，上述实施例提供的显示基板中，由于所述第一屏蔽部件404和所述第二屏蔽部件301均具有固定电位，从而更好的防止或减少了第一晶体管T1与目标数据线图形(如DATA2)之间形成寄生电容，有效防止或减少了垂直串扰缺陷。
进一步地，可设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影覆盖所述第六导体图形在所述基底50上的正投影的全部。
具体地，设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影覆盖所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影的全部，使得所述第二屏蔽部件301能够将所述第六导体图形101px完全遮盖，从而最大限度的减小所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，更好的提升显示基板的工作稳定性。
在一些实施例中，所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置，所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
具体地，所述第二屏蔽部件301可与所述第一屏蔽部件404同层设置或异层设置，当所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置时，可设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，这样通过在所述第二重叠区域设置第二过孔，使得所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间能够通过所述第二过孔实现耦接。
在一些实施例中，可设置所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置。
在一些实施例中，可设置所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，上述将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置，并将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述第二屏蔽部件301能够与所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，避免了增加额外的专门用于制作所述第二屏蔽部件301的制作工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素还包括电源信号线图形VDD，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容Cst，所述存储电容Cst中的第一极板Cst1复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容Cst中的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接，所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，所述子像素驱动电路中包括的存储电容Cst具有第一极板Cst1和第二极板Cst2，所述第一极板Cst1和所述第二极板Cst2相对设置，且所述第一极板Cst1与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接。在布局该存储电容Cst时，可将所述第一极板Cst1直接复用为所述驱动晶体管的栅极，这样不仅保证了存储电容Cst与驱动晶体管的栅极实现耦接，还缩小了子像素驱动电路占用的空间，更有利于提升显示基板的分辨率。另外，设置所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述存储电容Cst中的第二极板Cst2能够与所述第二屏蔽部件301和所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
如图14所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形(如图3中的RST1)，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部405，所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影；
第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的第一极(如源极S2)通过所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形(如VINT1)耦接，所述第二晶体管T2的第二极(如漏极D2)与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形(如RST1)耦接。
具体地，所述第一导电连接部405可采用金属材料制作，并可与数据线图形在同一次构图工艺中形成。
上述设置所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影，使得所述第一导电连接部405能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形耦接，使所述第一导电连接部405具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、复位信号线图形(如图3中的RST1)和电源信号线图形VDD；所述栅线图形GATE、所述发光控制信号线图形EM和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7；
所述驱动晶体管的栅极(如第三晶体管T3的栅极203g)与所述第一晶体管T1的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管T5的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管T1的第一极耦接；
所述第一晶体管T1的栅极201g与所述栅线图形GATE耦接；
所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线图形(如图3中的DATA1)耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管T5的栅极205g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线图形VDD耦接；
所述第六晶体管T6的栅极206g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管T7的栅极207g与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形(如RST2)耦接，所述第七晶体管T7的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形(如VINT2)耦接，所述第七晶体管T7的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
具体地，上述显示基板中，包括的多个子像素可呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交。
需要说明，上述沿所述第一方向相邻的下一个子像素，即与该第七晶体管T7位于同一列的相邻的下一个子像素。
将所述子像素和其包括的子像素驱动电路设置为上述结构，能够在保证子像素驱动电路的工作性能的情况下，有效减小所述子像素驱动电路占用的布局空间，有利于提升显示基板的分辨率。
需要说明，所述子像素驱动电路中包括的各晶体管的栅极，与其耦接的功能图形可形成为一体结构，示例性的，第一晶体管的栅极和第四晶体管的栅极均与对应耦接的栅线图形为一体结构，第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极均与对应耦接的发光控制信号线图形为一体结构，第二晶体管的栅极和第七晶体管的栅极与对应耦接的复位信号线图形为一体结构。
另外，所述第一晶体管T1用于对所述驱动晶体管(如第三晶体管T3)进行阈值补偿，所述第二晶体管T2用于对所述驱动晶体管的栅极进行复位，所述第四晶体管T4用于写入所述数据线图形传输的数据信号，所述第五晶体管T5用于向所述驱动晶体管的第一极写入电源信号线图形传输的电源信号，所述第六晶体管T6用于控制对应的发光元件是否发光，所述第七晶体管T7用于对所述发光元件的阳极进行复位。
在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、复位信号线图形RST和电源信号线图形VDD；所述栅线图形GATE、所述发光控制信号线图形EM和所述复位信号线图形RST均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，分别与所述栅线图形GATE在所述基底50上的正投影，以及所述发光控制信号线图形EM在所述基底50上的正投影部分交叠。
具体地，将所述第一屏蔽部件404按照上述方式布局，使得所述第一屏蔽部件404能够将所述第一晶体管T1、所述驱动晶体管均与所述目标数据线图形(如DATA2)隔离，从而更有利于减小所述目标数据线图形上数据信号变化，对所述第一晶体管T1和所述驱动晶体管引起的串扰。
在一些实施例中，所述第七晶体管T7的第二极与所述子像素中的发光元件耦接的方式多种多样，示例性的，所述发光元件的阳极在所述基底上的正头影，与所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影交叠，所述发光元件的阳极能够通过设置在该交叠处的过孔与所述第七晶体管T7的第二极耦接；或者，所述发光元件的阳极在所述基底上的正头影，与所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影不交叠，所述子像素驱动电路还包括第二导电连接部406和第三导电连接部407，所述发光元件的阳极在所述基底上的正投影与所述第三导电连接部407的第一端在所述基底上的正投影交叠，所述发光元件的阳极通过在该交叠处的过孔与所述第三导电连接部407的第一端耦接，第三导电连接部407的第二端与第二导电连接部406的第一端交叠，第三导电连接部407的第二端与第二导电连接部406的第一端通过在该交叠处的过孔实现耦接，所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影与所述第二导电连接部406的第二端在所述基底上的正投影交叠，所述第七晶体管T7的第二极通过在该交叠处的过孔与所述第二导电连接部406的第二端耦接，从而实现所述发光元件的阳极能够通过所述第二导电连接部406和第三导电连接部407与所述第七晶体管T7的第二极耦接。
当设置所述发光元件的阳极通过所述第二导电连接部406和第三导电连接部407与所述第七晶体管T7的第二极耦接时，所述第二导电连接部406可包括沿所述第一方向延伸的部分，所述发光元件的阳极可位于其对应的子像素中的发光控制信号线图形的上侧，所述第七晶体管T7的第二极可位于其对应的子像素中的发光控制信号线图形的下侧。
如图15和图24所示，以图中示出的三种颜色的子像素为例，对该三种颜色的子像素的结构进行说明。
第一颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第一阳极601、第一有机发光材料层和第一阴极；第一阳极601在所述基底上的正投影与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影部分交叠，所述第一阳极601通过在该交叠处的过孔与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
第二颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第二阳极602、第二有机发光材料层和第二阴极；第二阳极602在所述基底上的正头影，与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影不交叠，所述第二颜色子像素中的子像素驱动电路还包括第二导电连接部406和第三导电连接部407，所述第二阳极602通过第二导电连接部406和第三导电连接部407与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
第三颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第三阳极603、第三有机发光材料层和第三阴极；第三阳极603在所述基底上的正投影与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影部分交叠，所述第三阳极603通过在该交叠处的过孔与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
例如，如图15所示，各颜色子像素的有机发光元件的阳极均包括主体电极和连接电极，且主体电极的形状均为六边形。
如图15所示，第一颜色子像素的第一阳极601包括第一主体电极6011和第一连接电极6012，第一主体电极6011和第一连接电极6012可以为一体结构，且第一连接电极6012通过连接孔实现与第一颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。第二颜色子像素的第二阳极602包括第二主体电极6021和第二连接电极6022，第二主体电极6021和第二连接电极6022可以为一体结构，且第二连接电极6022通过第二导电连接部406和第三导电连接部407与第二颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。第三颜色子像素的第三阳极603包括第三主体电极6031和第三连接电极6032，第三主体电极6031和第三连接电极6032可以为一体结构，且第三连接电极6032通过连接孔与第三颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。
例如第一颜色子像素的第一连接电极6012，在X方向上位于第一主体电极6011中心远离该子像素像素电路的数据线图形的一侧，且在Y方向上位于第一主体电极6011中心远离该子像素像素电路的发光控制信号线的一侧。例如第一颜色子像素的第一连接电极6012和第一主体电极6011在Y方向排布，第一连接电极6012位于第一主体电极6011的右下角。例如，第二颜色子像素的第二连接电极6022，在X方向上位于第二主体电极6021中心远离该子像素像素电路数据线的一侧，且在Y方向上位于第二主体电极6021中心靠近该子像素像素电路发光控制信号线的一侧。例如，第二颜色子像素的第二连接电极6022和第二主体电极6021在Y方向排布，第二连接电极6022位于第一主体电极1231的右下角。例如，第三颜色子像素的第三连接电极6032与第三主体电极6031在X方向排布，第三连接电极6032位于第三主体电极6031的右侧，即靠近该子像素像素电路靠近屏蔽线的一侧。
如图15所示，第一颜色子像素的第一阳极601的第一主体电极6011覆盖第一颜色子像素的驱动晶体管，第二颜色子像素的第二阳极602的第二主体电极6021与第二颜色子像素的驱动晶体管基本没有交叠或者有部分交叠，第三颜色子像的第三阳极603的第三主体电极6031与第三颜色子像素的驱动晶体管没有交叠。
如图15所示，第一颜色子像素601(例如蓝色子像素)的第一主体电极6011与栅线图形和发光控制信号线图形有交叠；第二颜色子像素(例如红色子像素)的第二主体电极6021与栅线图形和复位信号线图形有交叠；第三颜色子像素(例如绿色子像素)的第三主体电极6031与发光控制信号线图形、下一行子像素驱动电路的复位信号线图形以及下一行子像素驱动电路的初始化信号线图形有交叠。例如第三颜色子像素(例如绿色子像素)的第三主体电极6031与下一行与其相邻的第一颜色子像素(例如蓝色子像素)的像素驱动电路区域有交叠。
例如，第一颜色子像素601的第一主体电极6011与相邻的第三颜色子像素的驱动晶体管的部分交叠，且第一颜色子像素601的第一主体电极6011与其子像素驱动电路中的数据线图形、第一屏蔽部件404以及相邻第二颜色子像素的子像素驱动电路中的数据线图形均有交叠。第二颜色子像素的第二主体电极6021与其子像素驱动电路中的数据线图形没有交叠，且与其子像素驱动电路中的电源信号线图形和相邻的第三颜色子像素的子像素驱动电路中的电源信号线图形以及数据线图形均有交叠。第三颜色子像素的第三主体电极6031与其子像素驱动电路中的数据线图形和电源信号线图形均有交叠，且与相邻第二颜色子像素的子像素驱动电路中的电源信号线图形有交叠。
例如，如图15所示，第一颜色子像素601的第一主体电极6011靠近下一行复位信号线图形的一侧设置有与其连接的第一连接电极6012；第二颜色子像素的第二主体电极6021靠近下一行复位信号线图形的一侧设置有与其连接的第二连接电极6022；第三颜色子像素的第三主体电极6031靠近其第七晶体管T7的一侧设置有与其连接的第三连接电极6032。
例如，如图15所示，第一颜色子像素601的第一连接电极6012与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极有交叠。第二颜色子像素的第二连接电极6022与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极没有交叠，而第二颜色子像素的第七晶体管T7的第二极与第三颜色子像素的第三主体电极6031有交叠。第三颜色子像素的第三连接电极6032与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极有交叠。
如图26所示，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括：基底50和在所述基底50上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形(如：DATA1)；
初始化信号线图形(如：VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管(如：第三晶体管T3)，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管T1，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件404，所述第一屏蔽部件404用于与所述第一晶体管T1的第一极(即源极S1)形成耦合电容，所述第一屏蔽部件404在基底50上正投影与目标数据线图形(如DATA2)在所述基底50上正投影不交叠，沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
具体地，上述显示基板一般包括阵列分布的多个子像素，每个子像素均包括：沿第一方向延伸的数据线图形(如图3中的DATA1)，以及至少部分沿第二方向延伸的初始化信号线图形(如图3中的VINT1)；所述数据线图形用于传输数据信号，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；示例性的，所述第一方向包括Y方向，所述第二方向包括X方向。
所述目标数据线图形为：沿所述第二方向，与当前子像素相邻的下一个子像素中包括的数据线图形。
每个子像素还包括子像素驱动电路，以及与所述子像素驱动电路一一对应的发光元件，发光元件包括层叠设置的阳极、有机发光材料层和阴极，其中发光元件的阳极与对应的子像素驱动电路耦接，在子像素驱动电路提供的驱动信号的驱动下，发光元件实现发光。
更详细地说，如图1、图3和图4所示，以子像素驱动电路包括上述7T1C为例，第三晶体管T3(即所述驱动晶体管)的栅极203g通过连接线401与第一晶体管T1的漏极D1耦接，第三晶体管T3的漏极D3与第一晶体管T1的源极S1耦接。沿X方向，所述第一晶体管T1的第一沟道区101pg在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间最小距离，小于第三晶体管T3的第三沟道区103pg在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间最小距离。值得注意，上述沟道区(如：第一沟道区101pg和第三沟道区103pg)在所述基底50上的正投影，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间最小距离是指：该沟道区在所述基底50上的正投影中最靠近所述目标数据线图形的边界，与所述目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间的最小距离。
上述结构的子像素驱动电路中，当目标数据线图形传输的数据信号发生变化时，会对第一晶体管T1的性能产生影响，由于第一晶体管T1通过连接线401与第三晶体管T3耦接，进而对第三晶体管T3的工作性能产生影响。
本公开实施例在所述子像素驱动电路中设置了与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)耦接的第一屏蔽部件404，使第一屏蔽部件404具有与所述初始化信号相同的固定电位，并设置所述第一屏蔽部件404能够与所述第一晶体管T1的第一极(即源极S1)形成耦合电容，使得第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
另外，上述将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接，除了使得第一屏蔽部件404具有固定电位之外，还实现了加强了初始化信号线图形的电压，使得初始化信号线图形上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
值得注意，除了将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接外，还可以将第一屏蔽部件404与所述子像素包括的电源信号线图形VDD耦接，使得所述第一屏蔽部件404具有与电源信号线图形VDD传输的电源信号相同的固定电位。
上述将所述第一屏蔽部件404与所述电源信号线图形VDD耦接的方式，虽然能够保证所述第一屏蔽部件404具有固定的电位，但是会增大电源信号线图形VDD产生的寄生电容，使得电源信号线图形VDD的RC负载更大，不利于减弱垂直串扰现象。
如图3所示，在一些实施例中，所述第一晶体管T1的栅极201g和所述栅线图形GATE为一体结构，所述第一晶体管T1的栅极201g为该一体结构中能够在垂直于所述基底的方向上与有源膜层形成交叠区域的部分。
如图3所示，在一些实施例中，所述多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的多个所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；所述第一屏蔽部件404沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
具体地，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交；位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的一条初始化信号线。
上述设置所述第一屏蔽部件404沿所述第一方向延伸，并与至少一条所述初始化信号线耦接，不仅使得第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果；而且，还实现了加强了初始化信号线的电压，使得初始化信号线上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
如图9所示，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
具体地，当设置所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线耦接时，所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线的耦接方式，以及所述第一屏蔽部件404的具体结构和设置方式均多种多样，示例性的，如图3所示，可设置所述第一屏蔽部件404分别与其相邻的两条所述初始化信号线耦接；这种设置方式，使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，不仅位于所述第一晶体管T1在所述基底50的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50的正投影之间；还使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，能够位于连接线401在所述基底50上的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间；同时还使得所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，能够位于所述驱动晶体管(即第三晶体管T3)在所述基底50上的正投影与所述目标数据线图形在所述基底50上的正投影之间。
上述设置方式很好的降低了所述目标信号线图形与所述第一晶体管T1之间产生的第一串扰，以及所述目标信号线图形与连接线401之间产生的第二串扰，从而降低了由于上述第一串扰和第二串扰导致的对驱动晶体管产生的间接串扰。另外，上述设置方式还降低了所述目标信号线图形与所述驱动晶体管之间产生的直接串扰，从而更好的保证了显示基板的工作性能。
请继续参阅图3，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)异层设置，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件404通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
具体地，所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形同层设置或异层设置，当所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形异层设置时，可设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底50上的正投影均存在第一重叠区域，这样通过在所述第一重叠区域设置第一过孔，即可实现所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线之间的耦接。
需要说明，上述“所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形同层设置”包括：所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形位于同一水平面上；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形位于同一层膜层；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形均设置在同一层绝缘层背向基底的表面；以及所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形采用一次构图工艺形成等多种情况中的至少一种。
上述“所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形异层设置”包括：所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形不位于同一层膜层；所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形无法采用一次构图工艺形成等多种情况中的至少一种。
在一些实施例中，可设置所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形(如图3中的DATA1)同材料设置。
在一些实施例中，可设置所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形(如图3中的DATA1)均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，按照上述方式设置所述第一屏蔽部件404，使得能够通过一次构图工艺，将所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形同时形成在所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面，避免为了制作所述第一屏蔽部件404而增加额外的构图工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了制作成本。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管T2，所述第二晶体管T2包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
相耦接的第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底50上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底50上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底50上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，如图7所示，上述第二晶体管T2为双栅结构，其包括的所述第一半导体图形和所述第二半导体图形形成为所述第二晶体管T2的沟道区(对应图7中的标记102pg位置)，其包括的所述第三导体图形102px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，所述第二晶体管T2包括的第一栅极图形和第二栅极图形一一对应覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，可共同作为所述第二晶体管T2的栅极202g。
上述结构的第二晶体管T2中，由于所述第三导体图形102px具有良好的导电性能，且未被栅极图形覆盖，因此，容易与其附近的其他导电图形之间耦合，产生串扰现象。上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第三导体图形在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述初始化信号线图形能够对所述第三导体图形102px进行遮盖，由于所述初始化信号线图形上传输具有固定电位的初始化信号，更好的减小了所述第三导体图形102px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，从而使得显示基板的工作性能更稳定。
如图4所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；所述第一延伸部包括第一部分61、第二部分62和第三部分63，所述第一部分61和所述第三部分63均沿所述第一方向延伸，所述第二部分62沿所述第二方向延伸，所述第二部分62的一端与所述第一部分61耦接，所述第二部分62的另一端与所述第三部分63耦接；所述第三部分63远离所述第二部分62的一端与所述第一晶体管T1耦接。
具体地，所述第一延伸部可与所述第一半导体图形在一次构图工艺中制作，并在形成所述第一半导体图形后，对该第一延伸部进行掺杂，使得该第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形。
在增加第一屏蔽部件404之后，将所述第一延伸部设置为上述结构，使得第二晶体管T2在通过所述第一延伸部分别与第一晶体管T1和驱动晶体管的栅极耦接时，更有利于降低由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能，以及第二晶体管T2的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
如图3和图4所示，在一些实施例中，所述第一晶体管T1包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底50上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底50上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底50上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底50上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底50上的正投影均不重叠。
具体地，如图4所示，所述第一晶体管为双栅结构，其包括的所述第四半导体图形和所述第五半导体图形形成为所述第一晶体管的沟道区(对应图4中的标记101pg)，其包括的所述第六导体图形101px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，所述第一晶体管包括的第三栅极图形和第四栅极图形一一对应覆盖所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，可共同作为所述第一晶体管T1的栅极201g。
如图10所示，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述结构的第一晶体管T1中，由于所述第六导体图形101px具有良好的导电性能，且未被栅极图形覆盖，因此，容易与其附近的其他导电图形之间耦合，产生串扰现象。上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第一屏蔽部件404能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一屏蔽部件404具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图11、图12和图13所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括：与所述第一屏蔽部件404耦接的第二屏蔽部件301，所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第二屏蔽部件301能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404耦接，使所述第二屏蔽部件301具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
因此，上述实施例提供的显示基板中，由于所述第一屏蔽部件404和所述第二屏蔽部件301均具有固定电位，从而更好的防止或减少了第一晶体管T1与目标数据线图形(如DATA2)之间形成寄生电容，有效防止或减少了垂直串扰缺陷。
进一步地，可设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影覆盖所述第六导体图形在所述基底50上的正投影的全部。
具体地，设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影覆盖所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影的全部，使得所述第二屏蔽部件301能够将所述第六导体图形101px完全遮盖，从而最大限度的减小所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，更好的提升显示基板的工作稳定性。
在一些实施例中，所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置，所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
具体地，所述第二屏蔽部件301可与所述第一屏蔽部件404同层设置或异层设置，当所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置时，可设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，这样通过在所述第二重叠区域设置第二过孔，使得所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间能够通过所述第二过孔实现耦接。
在一些实施例中，可设置所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置。
在一些实施例中，可设置所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，上述将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置，并将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述第二屏蔽部件301能够与所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，避免了增加额外的专门用于制作所述第二屏蔽部件301的制作工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素还包括电源信号线图形VDD，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容Cst，所述存储电容Cst中的第一极板Cst1复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容Cst中的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接，所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，所述子像素驱动电路中包括的存储电容Cst具有第一极板Cst1和第二极板Cst2，所述第一极板Cst1和所述第二极板Cst2相对设置，且所述第一极板Cst1与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接。在布局该存储电容Cst时，可将所述第一极板Cst1直接复用为所述驱动晶体管的栅极，这样不仅保证了存储电容Cst与驱动晶体管的栅极实现耦接，还缩小了子像素驱动电路占用的空间，更有利于提升显示基板的分辨率。另外，设置所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述存储电容Cst中的第二极板Cst2能够与所述第二屏蔽部件301和所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
如图14所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形(如图3中的RST1)，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部405，所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影；
第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的第一极(如源极S2)通过所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形(如VINT1)耦接，所述第二晶体管T2的第二极(如漏极D2)与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形(如RST1)耦接。
具体地，所述第一导电连接部405可采用金属材料制作，并可与数据线图形在同一次构图工艺中形成。
上述设置所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影，使得所述第一导电连接部405能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形耦接，使所述第一导电连接部405具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图3所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、复位信号线图形(如图3中的RST1)和电源信号线图形VDD；所述栅线图形GATE、所述发光控制信号线图形EM和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7；
所述驱动晶体管的栅极(如第三晶体管T3的栅极203g)与所述第一晶体管T1的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管T5的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管T1的第一极耦接；
所述第一晶体管T1的栅极201g与所述栅线图形GATE耦接；
所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线图形(如图3中的DATA1)耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管T5的栅极205g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线图形VDD耦接；
所述第六晶体管T6的栅极206g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管T7的栅极207g与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形(如RST2)耦接，所述第七晶体管T7的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形(如VINT2)耦接，所述第七晶体管T7的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
具体地，上述显示基板中，包括的多个子像素可呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交。
需要说明，上述沿所述第一方向相邻的下一个子像素，即与该第七晶体管T7位于同一列的相邻的下一个子像素。
将所述子像素和其包括的子像素驱动电路设置为上述结构，能够在保证子像素驱动电路的工作性能的情况下，有效减小所述子像素驱动电路占用的布局空间，有利于提升显示基板的分辨率。
需要说明，所述子像素驱动电路中包括的各晶体管的栅极，与其耦接的功能图形可形成为一体结构，示例性的，第一晶体管的栅极和第四晶体管的栅极均与对应耦接的栅线图形为一体结构，第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极均与对应耦接的发光控制信号线图形为一体结构，第二晶体管的栅极和第七晶体管的栅极与对应耦接的复位信号线图形为一体结构。
另外，所述第一晶体管T1用于对所述驱动晶体管(如第三晶体管T3)进行阈值补偿，所述第二晶体管T2用于对所述驱动晶体管的栅极进行复位，所述第四晶体管T4用于写入所述数据线图形传输的数据信号，所述第五晶体管T5用于向所述驱动晶体管的第一极写入电源信号线图形传输的电源信号，所述第六晶体管T6用于控制对应的发光元件是否发光，所述第七晶体管T7用于对所述发光元件的阳极进行复位。
在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、复位信号线图形RST和电源信号线图形VDD；所述栅线图形GATE、所述发光控制信号线图形EM和所述复位信号线图形RST均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，分别与所述栅线图形GATE在所述基底50上的正投影，以及所述发光控制信号线图形EM在所述基底50上的正投影部分交叠。
具体地，将所述第一屏蔽部件404按照上述方式布局，使得所述第一屏蔽部件404能够将所述第一晶体管T1、所述驱动晶体管均与所述目标数据线图形(如DATA2)隔离，从而更有利于减小所述目标数据线图形上数据信号变化，对所述第一晶体管T1和所述驱动晶体管引起的串扰。
在一些实施例中，所述第七晶体管T7的第二极与所述子像素中的发光元件耦接的方式多种多样，示例性的，所述发光元件的阳极在所述基底上的正头影，与所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影交叠，所述发光元件的阳极能够通过设置在该交叠处的过孔与所述第七晶体管T7的第二极耦接；或者，所述发光元件的阳极在所述基底上的正头影，与所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影不交叠，所述子像素驱动电路还包括第二导电连接部406和第三导电连接部407，所述发光元件的阳极在所述基底上的正投影与所述第三导电连接部407的第一端在所述基底上的正投影交叠，所述发光元件的阳极通过在该交叠处的过孔与所述第三导电连接部407的第一端耦接，第三导电连接部407的第二端与第二导电连接部406的第一端交叠，第三导电连接部407的第二端与第二导电连接部406的第一端通过在该交叠处的过孔实现耦接，所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影与所述第二导电连接部406的第二端在所述基底上的正投影交叠，所述第七晶体管T7的第二极通过在该交叠处的过孔与所述第二导电连接部406的第二端耦接，从而实现所述发光元件的阳极能够通过所述第二导电连接部406和第三导电连接部407与所述第七晶体管T7的第二极耦接。
当设置所述发光元件的阳极通过所述第二导电连接部406和第三导电连接部407与所述第七晶体管T7的第二极耦接时，所述第二导电连接部406可包括沿所述第一方向延伸的部分，所述发光元件的阳极可位于其对应的子像素中的发光控制信号线图形的上侧，所述第七晶体管T7的第二极可位于其对应的子像素中的发光控制信号线图形的下侧。
如图15所示，以图中示出的三种颜色的子像素为例，对该三种颜色的子像素的结构进行说明。
第一颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第一阳极601、第一有机发光材料层和第一阴极；第一阳极601在所述基底上的正投影与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影部分交叠，所述第一阳极601通过在该交叠处的过孔与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
第二颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第二阳极602、第二有机发光材料层和第二阴极；第二阳极602在所述基底上的正头影，与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影不交叠，所述第二颜色子像素中的子像素驱动电路还包括第二导电连接部406和第三导电连接部407，所述第二阳极602通过第二导电连接部406和第三导电连接部407与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
第三颜色子像素中的发光元件包括沿远离基底的方向依次层叠设置的第三阳极603、第三有机发光材料层和第三阴极；第三阳极603在所述基底上的正投影与对应的所述第七晶体管T7的第二极在所述基底上的正投影部分交叠，所述第三阳极603通过在该交叠处的过孔与对应的所述第七晶体管T7的第二极耦接。
例如，如图15所示，各颜色子像素的有机发光元件的阳极均包括主体电极和连接电极，且主体电极的形状均为六边形。
如图15所示，第一颜色子像素的第一阳极601包括第一主体电极6011和第一连接电极6012，第一主体电极6011和第一连接电极6012可以为一体结构，且第一连接电极6012通过连接孔实现与第一颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。第二颜色子像素的第二阳极602包括第二主体电极6021和第二连接电极6022，第二主体电极6021和第二连接电极6022可以为一体结构，且第二连接电极6022通过第二导电连接部406和第三导电连接部407与第二颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。第三颜色子像素的第三阳极603包括第三主体电极6031和第三连接电极6032，第三主体电极6031和第三连接电极6032可以为一体结构，且第三连接电极6032通过连接孔与第三颜色子像素的第七晶体管T7的第二极相连。
例如第一颜色子像素的第一连接电极6012，在X方向上位于第一主体电极6011中心远离该子像素像素电路的数据线图形的一侧，且在Y方向上位于第一主体电极6011中心远离该子像素像素电路的发光控制信号线的一侧。例如第一颜色子像素的第一连接电极6012和第一主体电极6011在Y方向排布，第一连接电极6012位于第一主体电极6011的右下角。例如，第二颜色子像素的第二连接电极6022，在X方向上位于第二主体电极6021中心远离该子像素像素电路数据线的一侧，且在Y方向上位于第二主体电极6021中心靠近该子像素像素电路发光控制信号线的一侧。例如，第二颜色子像素的第二连接电极6022和第二主体电极6021在Y方向排布，第二连接电极6022位于第一主体电极1231的右下角。例如，第三颜色子像素的第三连接电极6032与第三主体电极6031在X方向排布，第三连接电极6032位于第三主体电极6031的右侧，即靠近该子像素像素电路靠近屏蔽线的一侧。
如图15所示，第一颜色子像素的第一阳极601的第一主体电极6011覆盖第一颜色子像素的驱动晶体管，第二颜色子像素的第二阳极602的第二主体电极6021与第二颜色子像素的驱动晶体管基本没有交叠或者有部分交叠，第三颜色子像的第三阳极603的第三主体电极6031与第三颜色子像素的驱动晶体管没有交叠。
如图15所示，第一颜色子像素601(例如蓝色子像素)的第一主体电极6011与栅线图形和发光控制信号线图形有交叠；第二颜色子像素(例如红色子像素)的第二主体电极6021与栅线图形和复位信号线图形有交叠；第三颜色子像素(例如绿色子像素)的第三主体电极6031与发光控制信号线图形、下一行子像素驱动电路的复位信号线图形以及下一行子像素驱动电路的初始化信号线图形有交叠。例如第三颜色子像素(例如绿色子像素)的第三主体电极6031与下一行与其相邻的第一颜色子像素(例如蓝色子像素)的像素驱动电路区域有交叠。
例如，第一颜色子像素601的第一主体电极6011与相邻的第三颜色子像素的驱动晶体管的部分交叠，且第一颜色子像素601的第一主体电极6011与其子像素驱动电路中的数据线图形、第一屏蔽部件404以及相邻第二颜色子像素的子像素驱动电路中的数据线图形均有交叠。第二颜色子像素的第二主体电极6021与其子像素驱动电路中的数据线图形没有交叠，且与其子像素驱动电路中的电源信号线图形和相邻的第三颜色子像素的子像素驱动电路中的电源信号线图形以及数据线图形均有交叠。第三颜色子像素的第三主体电极6031与其子像素驱动电路中的数据线图形和电源信号线图形均有交叠，且与相邻第二颜色子像素的子像素驱动电路中的电源信号线图形有交叠。
例如，如图15所示，第一颜色子像素601的第一主体电极6011靠近下一行复位信号线图形的一侧设置有与其连接的第一连接电极6012；第二颜色子像素的第二主体电极6021靠近下一行复位信号线图形的一侧设置有与其连接的第二连接电极6022；第三颜色子像素的第三主体电极6031靠近其第七晶体管T7的一侧设置有与其连接的第三连接电极6032。
例如，如图15所示，第一颜色子像素601的第一连接电极6012与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极有交叠。第二颜色子像素的第二连接电极6022与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极没有交叠，而第二颜色子像素的第七晶体管T7的第二极与第三颜色子像素的第三主体电极6031有交叠。第三颜色子像素的第三连接电极6032与其子像素驱动电路中的第七晶体管T7的第二极有交叠。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
由于上述实施例提供的显示基板中，通过设置第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。另外，上述实施例提供的显示基板中，将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接，除了使得第一屏蔽部件404具有固定电位之外，还实现了加强了初始化信号线图形的电压，使得初始化信号线图形上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
因此，本公开实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述实施例提供的显示基板，所述制作方法包括：
在基底50上制作阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形(如图3中的DATA1)；
初始化信号线图形(如图3中的VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管(如图3中的T3)，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管T1，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件404，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，位于所述第一晶体管T1在所述基底50上的正投影与目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
采用本公开实施例提供的制作方法制作上述显示基板时，在所述子像素驱动电路中设置了与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)耦接的第一屏蔽部件404，使第一屏蔽部件404具有与所述初始化信号相同的固定电位，并设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，位于所述第一晶体管T1在所述基底50上的正投影与目标数据线图形(如图3中的DATA2)在所述基底50上的正投影之间，使得第一屏蔽部件404能够减小由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
另外，采用本公开实施例提供的制作方法制作上述显示基板时，将所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形耦接，除了使得第一屏蔽部件404具有固定电位之外，还实现了加强了初始化信号线图形的电压，使得初始化信号线图形上传输的初始化信号的电压更稳定，从而更有利于子像素驱动电路的工作性能。
如图16所示，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括：基底50和在所述基底50上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形(如DATA1)；
电源信号线图形VDD，所述电源信号线图形VDD包括沿所述第一方向延伸的部分；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管(如第四晶体管T4和第五晶体管T5)、驱动晶体管(如第三晶体管T3)和存储电容Cst；所述存储电容Cst的第一极板Cst1与所述驱动晶体管的栅极(如第三晶体管T3的栅极203g)耦接，所述存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接；所述两个开关晶体管的第二极(如第四晶体管T4的漏极D4和第五晶体管T5的漏极D5)均与所述驱动晶体管的第一极(如第三晶体管T3的源极S3)耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底50上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底50上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述显示基板一般包括阵列分布的多个子像素，每个子像素均包括：沿第一方向延伸的数据线图形(如DATA1)，以及至少部分沿第一方向延伸的电源信号线图形VDD；示例性的，所述第一方向包括Y方向，所述第二方向包括X方向。
值得注意，所述电源信号线图形VDD的具体结构多种多样，示例性的，所述电源信号线图形VDD为网格状结构，网格状结构的电源信号线图形VDD中包括沿所述第一方向延伸的部分。
每个子像素还包括子像素驱动电路，以及与所述子像素驱动电路一一对应的发光元件，发光元件包括层叠设置的阳极、有机发光材料层和阴极，其中发光元件的阳极与对应的子像素驱动电路耦接，在子像素驱动电路提供的驱动信号的驱动下，发光元件实现发光。
更详细地说，如图16所示，以子像素驱动电路包括上述7T1C为例，第三晶体管T3(即所述驱动晶体管)的栅极203g复用为所述存储电容Cst的第一极板Cst1，所述存储电容Cst的第二极板Cst2位于所述第一极板Cst1背向所述基底的一侧，所述第一极板Cst1在所述基底上的正投影，与所述第二极板Cst2在所述基底上的正投影至少部分重叠，且所述第二极板Cst2在所述基底上的正投影，与所述第四晶体管T4和第五晶体管T5中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底50上的正投影，以及与所述电源信号线图形VDD在所述基底50上的正投影均至少部分重叠。
根据上述显示基板的具体结构可知，本公开实施例提供的显示基板中，设置所述存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接，使得存储电容Cst的第二极板Cst2具有与所述电源信号线图形VDD上传输的电源信号相同的固定电位；同时设置所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底50上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底50上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极进行遮挡，从而减小了位于所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管周边的其它导电图形(如信号线图形)上的信号，对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极产生的串扰现象，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极产生的串扰现象。
如图16所示，在一些实施例中，所述两个开关晶体管(如第四晶体管T4和第五晶体管T5)的第二极与所述驱动晶体管(如第三晶体管T3)的第一极为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电部108，该第一导电部108在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底上的正投影，以及所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域与所述数据线图形(如DATA1)在所述基底50上的正投影不交叠。
具体地，将所述两个开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极形成为一体结构，使得所述两个开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极能够通过一次构图工艺形成。
上述实施例提供的显示基板中，设置所述一体结构包括沿所述第一方向延伸的第一导电部108，所述数据线图形在所述基底上的正投影位于所述第一导电部108在所述基底上的正投影远离与所述驱动晶体管在所述基底上的正投影的一侧，以及所述第一导电部108在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底上的正投影，以及所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影存在第一交叠区域，使得存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述第一导电部108进行遮挡，减小了所述数据线图形上传输的信号，对第一导电部108产生串扰，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极产生的串扰现象。
如图16所示，在一些实施例中，可设置所述驱动晶体管的第一极在所述基底50上的正投影，位于所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底上的正投影的内部。
上述设置方式使得所述存储电容Cst的第二极板Cst2能够将所述驱动晶体管的第一极完全覆盖，从而更有效的减小了所述数据线图形上传输的信号，对所述驱动晶体管的第一极产生的串扰现象。
如图16和图17所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形GATE和发光控制信号线图形EM，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管T1和第六晶体管T6；所述两个开关晶体管包括第四晶体管T4和第五晶体管T5；
所述第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线图形(如DATA1)耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述第五晶体管T5的第二极耦接，所述第五晶体管T5的栅极205g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线图形VDD耦接；
所述第一晶体管T1的栅极201g与所述栅线图形GATE耦接，所述第一晶体管T1的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管T1的第一极、所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部109，所述第六晶体管T6的栅极206g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区(如图18中的103pg)在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部108在所述基底50上的正投影与所述第二导电部109在所述基底50上的正投影之间；且沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部108在所述基底上的正投影之间的最小距离，小于所述沟道区在所述基底50上的正投影，与所述第二导电部109在所述基底上的正投影之间的最小距离。
具体地，上述显示基板中，包括的多个子像素可呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交。每列子像素中包括的子像素驱动电路均位于该列子像素包括的数据线图形，与该列子像素相邻的下一列子像素包括的数据线图形之间。
需要说明，上述沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部108在所述基底上的正投影之间的最小距离是指：沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影中，最靠近所述第一导电部108在所述基底上的正投影的边界，与所述第一导电部108在所述基底上的正投影之间的距离；上述沿所述第二方向，所述沟道区在所述基底50上的正投影，与所述第二导电部109在所述基底上的正投影之间的最小距离是指：沿所述第二方向，所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影中，最靠近所述第二导电部109在所述基底上的正投影的边界，与所述第二导电部109在所述基底上的正投影之间的距离。
更详细地说，每个子像素包括的子像素驱动电路均位于相邻的两个数据线图形(如：DATA1和DATA2)之间，由于该两个数据线图形上传输的数据均会发生变化，且当该数据发生变化时，容易对所述子像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极产生串扰，具体如图25所示，进而影响所述驱动晶体管的工作稳定性。
上述实施例提供的技术方案中，将所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第一晶体管T1和所述第六晶体管T6均设置在所述驱动晶体管的周边区域，并设置所述两个数据线图形中的一个(如DATA1)位于所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5远离所述驱动晶体管的一侧，设置所述两个数据线图形中的另一个(如DATA2)位于所述第一晶体管T1和所述第六晶体管T6远离所述驱动晶体管的一侧；同时通过设置所述驱动晶体管的沟道区(如图18中的103pg)在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部108在所述基底50上的正投影与所述第二导电部109在所述基底50上的正投影之间，且所述驱动晶体管的沟道区在所述基底上的正投影，与所述第一导电部108在所述基底上的正投影之间的最小距离，小于所述沟道区在所述基底上的正投影，与所述第二导电部109在所述基底上的正投影之间的最小距离；能够使得所述驱动晶体管的沟道区在保证与DATA1满足合适距离的情况下，最大限度的增加了所述驱动晶体管的沟道区域与DATA2之间的距离，从而更好的减小了所述DATA2对所述驱动晶体管产生的串扰。
而且，由于所述驱动晶体管的沟道区靠近DATA1的部分，能够被所述电源信号线图形VDD覆盖，因此，能够有效减小DATA1对所述驱动晶体管的沟道区产生的串扰，因此，上述实施例提供的技术方案中，即使所述驱动晶体管的沟道区与DATA相距较近，受到的串扰影响也较小。
另外，由于存储电容Cst的第二极板Cst2具有与所述电源信号线图形VDD上传输的电源信号相同的固定电位，且所述第一导电部108在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底上的正投影，以及所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影存在第一交叠区域，使得存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述第一导电部108进行遮挡，减小了DATA1上传输的信号，对第一导电部108产生串扰，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极和沟道区产生的串扰现象。
如图16所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：均沿第二方向延伸的栅线图形GATE和发光控制信号线图形EM，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管T1和第六晶体管T6；所述两个开关晶体管包括第四晶体管T4和第五晶体管T5；
所述第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线图形(如DATA1)耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述第五晶体管T5的第二极耦接，所述第五晶体管T5的栅极205g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线图形VDD耦接；
所述第一晶体管T1的栅极201g与所述栅线图形GATE耦接，所述第一晶体管T1的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管T1的第一极、所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极形成为一体结构，该一体结构包括沿所述第一方向延伸的第二导电部109，所述第六晶体管T6的栅极206g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述驱动晶体管的沟道区(如图18中的103pg)在所述基底上的正投影，位于所述第一导电部108在所述基底上的正投影与所述第二导电部109在所述基底上的正投影之间；所述驱动晶体管的第一极和第二极均包括沿所述第二方向延伸的第一部分，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度与所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度不同。
具体地，上述设置所述驱动晶体管的第一极和第二极均包括沿所述第二方向延伸的第一部分，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度与所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度不同，具体包括：如下两种情况：
第一种情况，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度H1小于所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度H2，这样所述驱动晶体管的沟道区(如图18中的103pg)靠近其所在的子像素包括的数据线图形(如DATA1)，且远离沿第二方向其所在的子像素相邻的下一个子像素包括的数据线图形(如DATA2)，能够使得所述驱动晶体管的沟道区在保证与DATA1满足合适距离的情况下，最大限度的增加了所述驱动晶体管的沟道区域与DATA2之间的距离，从而更好的减小了所述DATA2对所述驱动晶体管产生的串扰。同时由于存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述第一导电部108进行遮挡，减小了DATA1上传输的信号，对第一导电部108产生串扰，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极和沟道区产生的串扰现象。
第二种情况，所述第一极的第一部分沿所述第二方向的长度大于所述第二极的第一部分沿所述第二方向延伸的长度，这样所述驱动晶体管的沟道区(如图18中的103pg)远离其所在的子像素包括的数据线图形(如DATA1)，且靠近沿第二方向其所在的子像素相邻的下一个子像素包括的数据线图形(如DATA2)，能够使得所述驱动晶体管的沟道区在保证与DATA2满足合适距离的情况下，最大限度的增加了所述驱动晶体管的沟道区域与DATA1之间的距离，从而更好的减小了所述DATA1对所述驱动晶体管产生的串扰。而且，当所述显示基板中包括第一屏蔽部件，且该第一屏蔽部件能够将DATA2与第二导电部109完全阻隔时，能够减小DATA2上传输的信号，对第二导电部109产生串扰，进而减小了对所述驱动晶体管的第二极和沟道区产生的串扰现象。
如图16所示，在一些实施例中，所述子像素还包括初始化信号线图形(如VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管T2，所述第二晶体管T2包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
相耦接的第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
具体地，如图16所示，上述第二晶体管T2为双栅结构，其包括的所述第一半导体图形和所述第二半导体图形形成为所述第二晶体管T2的沟道区(对应图18中的标记102pg位置)，其包括的所述第三导体图形102px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，所述第二晶体管T2包括的第一栅极图形和第二栅极图形一一对应覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，可共同作为所述第二晶体管T2的栅极202g。
上述结构的第二晶体管T2中，由于所述第三导体图形102px具有良好的导电性能，且未被栅极图形覆盖，因此，容易与其附近的其他导电图形之间耦合，产生串扰现象。上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第三导体图形在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述初始化信号线图形能够对所述第三导体图形102px进行遮盖，由于所述初始化信号线图形上传输具有固定电位的初始化信号，更好的减小了所述第三导体图形102px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，从而使得显示基板的工作性能更稳定。
如图16和图18所示，在一些实施例中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；所述第一延伸部包括第一部分61、第二部分62和第三部分63，所述第一部分61和所述第三部分63均沿所述第一方向延伸，所述第二部分62沿所述第二方向延伸，所述第二部分62的一端与所述第一部分61耦接，所述第二部分62的另一端与所述第三部分63耦接；所述第三部分63远离所述第二部分62的一端与所述第一晶体管T1耦接。
具体地，所述第一延伸部可与所述第一半导体图形在一次构图工艺中制作，并在形成所述第一半导体图形后，对该第一延伸部进行掺杂，使得该第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形。
在增加第一屏蔽部件404之后，将所述第一延伸部设置为上述结构，使得第二晶体管T2在通过所述第一延伸部分别与第一晶体管T1和驱动晶体管的栅极耦接时，更有利于降低由于目标数据线图形上传输的信号变化对第一晶体管T1的性能，以及第二晶体管T2的性能产生的影响，进而减小驱动晶体管的栅极(即203g)和目标数据线图形之间的耦合的影响，减弱垂直串扰的问题，使得显示基板在用于显示时能够获得更好的显示效果。
在一些实施例中，所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。
具体地，如图16所示，所述第一晶体管为双栅结构，其包括的所述第四半导体图形和所述第五半导体图形形成为所述第一晶体管的沟道区(对应图18中的标记101pg)，其包括的所述第六导体图形101px由于进行了掺杂，导电性能优于所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，所述第一晶体管包括的第三栅极图形和第四栅极图形一一对应覆盖所述第四半导体图形和所述第五半导体图形，可共同作为所述第一晶体管T1的栅极201g。
如图19所示，在一些实施例中，所述子像素还包括初始化信号线图形(如VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
所述子像素驱动电路还包括：与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件404，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠。
上述实施例提供的技术方案中，通过设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第一屏蔽部件404能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一屏蔽部件404具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图20所示，在一些实施例中，所述子像素还包括初始化信号线图形(如VINT1)，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
所述子像素驱动电路还包括：与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件404，以及与所述第一屏蔽部件404耦接的第二屏蔽部件301，所述第二屏蔽部件301在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
具体地，上述设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影，与所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得所述第二屏蔽部件301能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404耦接，使所述第二屏蔽部件301具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
因此，上述实施例提供的显示基板中，由于所述第一屏蔽部件404和所述第二屏蔽部件301均具有固定电位，从而更好的防止或减少了第一晶体管T1与目标数据线图形(如DATA2)之间形成寄生电容，有效防止或减少了垂直串扰缺陷。
如图21和图22所示，在一些实施例中，所述多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的多个所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；所述第一屏蔽部件404沿所述第一方向延伸，所述第一屏蔽部件404与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
在一些实施例中，电源信号线图形的形状可根据实际需要布局，示例性的，沿所述第二方向，所述电源信号线图形在靠近所述驱动晶体管的沟道区的附近的宽度，要小于其远离所述驱动晶体管的沟道区的附近的宽度，使得在所述驱动晶体管的沟道区的附近，能够降低所述电源信号线图形对所述驱动晶体管的栅极的影响。
在一些实施例中，如图23所示，可在所述显示基板中设置补偿图形408，并将该补偿图形408与所述电源信号线图形并联，以提升所述电源信号线图形的传输性能。值得注意，所述补偿图形408可与所述第三导电连接部407同层同材料设置，以使所述补偿图形408可与所述第三导电连接部407在同一次构图工艺中形成。
在一些实施例中，在一个子像素中，所述电源信号线图形VDD在所述基底上的正投影，完全覆盖所述第一导电部108在所述基底上的正投影。
在一些实施例中，在一个子像素中，所述电源信号线图形VDD在所述基底上的正投影，覆盖所述第二晶体管T2的第一半导体图形、第二半导体图形和第三导体图形在所述基底上的正投影，同时还覆盖所述第二晶体管T2的第一极在所述基底上的正投影的至少部分，以及所述第二晶体管T2的第二极在所述基底上的正投影的至少部分。
在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404为由所述初始化信号线图形延伸出的延伸结构。
具体地，设置所述第一屏蔽部件404为由所述初始化信号线图形延伸出的延伸结构，使得所述第一屏蔽部件404和所述初始化信号线图形能够在同一次构图工艺中形成，从而更好的简化了显示基板的制作工艺流程。
如图20所示，在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形异层设置，所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底50上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接；
所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置，所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
具体地，所述第一屏蔽部件404可与所述初始化信号线图形同层设置或异层设置，当所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线图形异层设置时，可设置所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底50上的正投影均存在第一重叠区域，这样通过在所述第一重叠区域设置第一过孔，即可实现所述第一屏蔽部件404与所述初始化信号线之间的耦接。同样的，所述第二屏蔽部件301可与所述第一屏蔽部件404同层设置或异层设置，当所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404异层设置时，可设置所述第二屏蔽部件301在所述基底50上的正投影与所述第一屏蔽部件404在所述基底50上的正投影存在第二重叠区域，这样通过在所述第二重叠区域设置第二过孔，使得所述第二屏蔽部件301与所述第一屏蔽部件404之间能够通过所述第二过孔实现耦接。
在一些实施例中，所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形同材料设置。
在一些实施例中，所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，按照上述方式设置所述第一屏蔽部件404，使得能够通过一次构图工艺，将所述第一屏蔽部件404与所述数据线图形同时形成在所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面，避免为了制作所述第一屏蔽部件404而增加额外的构图工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了制作成本。
在一些实施例中，所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置。
在一些实施例中，所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
具体地，上述将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形同材料设置，并将所述第二屏蔽部件301与所述初始化信号线图形(如图3中的VINT1)均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述第二屏蔽部件301能够与所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，避免了增加额外的专门用于制作所述第二屏蔽部件301的制作工艺，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
在一些实施例中，所述存储电容中Cst的第一极板Cst1复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容Cst中的第二极板Cst2与所述第二屏蔽部件301同材料设置，且所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底50的表面。
具体地，所述子像素驱动电路中包括的存储电容Cst具有第一极板Cst1和第二极板Cst2，所述第一极板Cst1和所述第二极板Cst2相对设置，且所述第一极板Cst1与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接。在布局该存储电容Cst时，可将所述第一极板Cst1直接复用为所述驱动晶体管的栅极，这样不仅保证了存储电容Cst与驱动晶体管的栅极实现耦接，还缩小了子像素驱动电路占用的空间，更有利于提升显示基板的分辨率。另外，设置所述存储电容Cst中的第二极板Cst2位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面，使得所述存储电容Cst中的第二极板Cst2能够与所述第二屏蔽部件301和所述初始化信号线图形在同一次构图工艺中同时形成，从而很好的简化了显示基板的制作流程，节约了生产成本。
在一些实施例中，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形(如RST1)，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部405，所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影；
第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的第一极(如源极S2)通过所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形(如VINT1)耦接，所述第二晶体管T2的第二极(如漏极D2)与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形(如RST1)耦接。
具体地，所述第一导电连接部405可采用金属材料制作，并可与数据线图形在同一次构图工艺中形成。
上述设置所述第一导电连接部405在所述基底50上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形101px在所述基底50上的正投影，使得所述第一导电连接部405能够对所述第六导体图形101px进行遮盖，且由于所述第一导电连接部405与所述初始化信号线图形耦接，使所述第一导电连接部405具有固定电位，从而更好的减小了所述第六导体图形101px与其附近的其他导电图形之间的耦合作用，使得显示基板的工作性能更稳定。
如图16所示，在一些实施例中，所述子像素还包括：栅线图形GATE、发光控制信号线图形EM、复位信号线图形(如RST1)和初始化信号线图形(如VINT1)；所述栅线图形GATE、所述发光控制信号线图形EM、所述复位信号线图形和所述初始化信号线图形均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
所述两个开关晶体管包括第四晶体管T4和第五晶体管T5；
所述子像素驱动电路还包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第六晶体管T6和第七晶体管T7；
所述驱动晶体管的栅极(如第三晶体管T3的栅极203g)与所述第一晶体管T1的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管T5的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管T1的第一极耦接；
所述第一晶体管T1的栅极201g与所述栅线图形GATE耦接；
所述第二晶体管T2的栅极202g与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管T2的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管T4的栅极204g与所述栅线图形GATE耦接，所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线图形(如图()中的DATA1)耦接，所述第四晶体管T4的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管T5的栅极205g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线图形VDD耦接；
所述第六晶体管T6的栅极206g与所述发光控制信号线图形EM耦接，所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管T6的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管T7的栅极207g与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形(如RST2)耦接，所述第七晶体管T7的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形(如VINT2)耦接，所述第七晶体管T7的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
具体地，上述显示基板中，包括的多个子像素可呈阵列分布，所述多个子像素可划分为多行子像素和多列子像素，每行子像素均包括沿第二方向排列的多个子像素，每列子像素均包括沿第一方向排列的多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交。
需要说明，上述沿所述第一方向相邻的下一个子像素，即与该第七晶体管T7位于同一列的相邻的下一个子像素。
将所述子像素和其包括的子像素驱动电路设置为上述结构，能够在保证子像素驱动电路的工作性能的情况下，有效减小所述子像素驱动电路占用的布局空间，有利于提升显示基板的分辨率。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
由于上述实施例提供的显示基板中，设置所述存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接，使得存储电容Cst的第二极板Cst2具有与所述电源信号线图形VDD上传输的电源信号相同的固定电位；同时设置所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底50上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底50上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极进行遮挡，从而减小了位于所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管周边的其它导电图形(如信号线图形)上的信号，对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极产生的串扰现象，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极产生的串扰现象。
因此，本公开实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括：在基底上制作阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：沿第一方向延伸的数据线图形；电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：两个开关晶体管、驱动晶体管和存储电容；所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述存储电容的第二极板与所述电源信号线图形耦接；所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底上的正投影，与所述电源信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容的第二极板在所述基底上的正投影至少部分重叠。
采用本公开实施例提供的制作方法制作的显示基板中，设置所述存储电容Cst的第二极板Cst2与所述电源信号线图形VDD耦接，使得存储电容Cst的第二极板Cst2具有与所述电源信号线图形VDD上传输的电源信号相同的固定电位；同时设置所述两个开关晶体管的第二极均与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极在所述基底50上的正投影，与所述电源信号线图形VDD在所述基底50上的正投影至少部分重叠，且与所述存储电容Cst的第二极板Cst2在所述基底50上的正投影至少部分重叠，使得存储电容Cst的第二极板Cst2和所述电源信号线图形VDD均能够对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极进行遮挡，从而减小了位于所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管周边的其它导电图形(如信号线图形)上的信号，对所述两个开关晶体管中的至少一个开关晶体管的第二极产生的串扰现象，进而减小了对所述驱动晶体管的第一极产生的串扰现象。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (37)

1.一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，位于所述第一晶体管在所述基底上的正投影与目标数据线图形在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述阵列分布的多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；
所述第一屏蔽部件沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，
所述第一屏蔽部件与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件与所述初始化信号线图形异层设置，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形同材料设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；
所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；
所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括：
与所述第一屏蔽部件耦接的第二屏蔽部件，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件异层设置，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影与所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形同材料设置。
14.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
15.根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述子像素还包括电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容中的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容中的第二极板与所述电源信号线图形耦接，所述存储电容中的第二极板位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
16.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形在所述基底上的正投影；
第二晶体管，所述第二晶体管的第一极通过所述第一导电连接部与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接。
17.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
18.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，分别与所述栅线图形在所述基底上的正投影，以及所述发光控制信号线图形在所述基底上的正投影部分交叠。
19.一种显示基板，包括：基底和在所述基底上阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件用于与所述第一晶体管的第一极形成耦合电容，所述第一屏蔽部件在基底上正投影与目标数据线图形在所述基底上正投影不交叠，沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形；
所述阵列分布的多个子像素包括多行子像素，每行子像素均包括沿所述第二方向排列的所述子像素，位于同一行子像素中的所述初始化信号线图形依次耦接，形成该行子像素对应的初始化信号线；
所述第一屏蔽部件沿所述第一方向延伸，与至少一条所述初始化信号线耦接。
20.根据权利要求19所述的显示基板，其中，
所述第一屏蔽部件与其相邻的两条所述初始化信号线耦接。
21.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件与所述初始化信号线图形异层设置，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影存在第一重叠区域，所述第一屏蔽部件通过设置在所述第一重叠区域的第一过孔与所述初始化信号线图形耦接。
22.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形同材料设置。
23.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述显示基板包括第一层间绝缘层，所述第一屏蔽部件与所述数据线图形均位于所述第一层间绝缘层背向所述基底的表面。
24.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括与所述驱动晶体管的栅极耦接的第二晶体管，所述第二晶体管包括：
第一半导体图形、第二半导体图形和分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形耦接的第三导体图形，所述第三导体图形的导电性能优于所述第一半导体图形的导电性能和所述第二半导体图形的导电性能；
第一栅极图形和第二栅极图形，所述第一栅极图形在所述基底上的正投影与所述第一半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二栅极图形在所述基底上的正投影与所述第二半导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影与所述第一栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第二栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠；
所述第三导体图形在所述基底上的正投影，与所述初始化信号线图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
25.根据权利要求24所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括由所述第一半导体图形延伸出的第一延伸部，所述第一延伸部的导电性能优于所述第一半导体图形；
所述第一延伸部包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分均沿所述第一方向延伸，所述第二部分沿所述第二方向延伸，所述第二部分的一端与所述第一部分耦接，所述第二部分的另一端与所述第三部分耦接；
所述第三部分远离所述第二部分的一端与所述第一晶体管耦接。
26.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述第一晶体管包括：
第四半导体图形、第五半导体图形和分别与所述第四半导体图形和所述第五半导体图形耦接的第六导体图形，所述第六导体图形的导电性能优于所述第四半导体图形的导电性能和所述第五半导体图形的导电性能；
相耦接的第三栅极图形和第四栅极图形，所述第三栅极图形在所述基底上的正投影与所述第四半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠，所述第四栅极图形在所述基底上的正投影与所述第五半导体图形在所述基底上的正投影部分重叠；
所述第六导体图形在所述基底上的正投影与所述第三栅极图形在所述基底上的正投影，以及所述第四栅极图形在所述基底上的正投影均不重叠。
27.根据权利要求26所述的显示基板，其中，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
28.根据权利要求26所述的显示基板，其中，所述子像素驱动电路还包括：
与所述第一屏蔽部件耦接的第二屏蔽部件，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影，与所述第六导体图形在所述基底上的正投影至少部分重叠。
29.根据权利要求28所述的显示基板，其中，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件异层设置，所述第二屏蔽部件在所述基底上的正投影与所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影存在第二重叠区域，所述第二屏蔽部件与所述第一屏蔽部件之间通过设置在所述第二重叠区域的第二过孔耦接。
30.根据权利要求28所述的显示基板，其中，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形同材料设置。
31.根据权利要求28所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括第二层间绝缘层，所述第二屏蔽部件与所述初始化信号线图形均位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
32.根据权利要求31所述的显示基板，其中，所述子像素还包括电源信号线图形，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分，所述子像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容中的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容中的第二极板与所述电源信号线图形耦接，所述存储电容中的第二极板位于所述第二层间绝缘层背向所述基底的表面。
33.根据权利要求26所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的复位信号线图形，所述子像素驱动电路还包括：
第一导电连接部，所述第一导电连接部在所述基底上的正投影覆盖至少部分所述第六导体图形在所述基底上的正投影；
第二晶体管，所述第二晶体管的第一极通过所述第一导电连接部与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接。
34.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；
所述子像素驱动电路还包括：第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第一极与所述第五晶体管的第二极耦接，所述驱动晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极耦接；
所述第一晶体管的栅极与所述栅线图形耦接；
所述第二晶体管的栅极与所述复位信号线图形耦接，所述第二晶体管的第一极与所述初始化信号线图形耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
所述第四晶体管的栅极与所述栅线图形耦接，所述第四晶体管的第一极与所述数据线图形耦接，所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接；
所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线图形耦接；
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线图形耦接，所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第六晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接；
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素包括的复位信号线图形耦接，所述第七晶体管的第一极与该下一个子像素包括的初始化信号线图形耦接，所述第七晶体管的第二极与所述子像素中的发光元件耦接。
35.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述子像素还包括：栅线图形、发光控制信号线图形、复位信号线图形和电源信号线图形；所述栅线图形、所述发光控制信号线图形和所述复位信号线图形均沿所述第二方向延伸，所述电源信号线图形包括沿所述第一方向延伸的部分；所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，分别与所述栅线图形在所述基底上的正投影，以及所述发光控制信号线图形在所述基底上的正投影部分交叠。
36.一种显示装置，包括如权利要求1～35中任一项所述的显示基板。
37.一种权利要求1～35中任一项所述显示基板的制作方法，包括：
在基底上制作阵列分布的多个子像素；所述子像素包括：
沿第一方向延伸的数据线图形；
初始化信号线图形，所述初始化信号线图形包括沿第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述第一方向相交，所述初始化信号线图形用于传输具有固定电位的初始化信号；
子像素驱动电路，所述子像素驱动电路包括：驱动晶体管，与所述驱动晶体管的栅极耦接的第一晶体管，以及与所述初始化信号线图形耦接的第一屏蔽部件，所述第一屏蔽部件在所述基底上的正投影，位于所述第一晶体管在所述基底上的正投影与目标数据线图形在所述基底上的正投影之间；沿所述第二方向与该子像素相邻的下一个子像素中包括所述目标数据线图形。
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