CN107919378A - 具有发射层的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括信号线和连接到信号线的像素。第一像素包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电极、与第一栅电极叠置的第一沟道区、第一源区和面向第一源区的第一漏区，并且第一沟道区置于第一源区与第一漏区之间。第三晶体管包括第三栅电极、与第三栅电极叠置的第三沟道区、连接到第一栅电极的第三漏区和面向第三漏区的第三源区，并且第三沟道区置于第三源区与第三漏区之间。屏蔽部分与第三源区与第三沟道区之间的边界叠置，并且不与第三漏区与第三沟道区之间的边界叠置。

Description

具有发射层的显示装置
本申请要求于2016年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0131465号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括发射层的显示装置。
背景技术
用于显示图像的显示装置包括多个像素。例如，有机发光二极管(OLED)显示器的像素可以包括具有阴极、阳极和置于其间的有机发射层的有机发光二极管。用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和至少一个电容器也可以包括在其中。
在OLED显示器中，从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴在有机发射层中结合以形成激子。当激子在有机发射层内恢复到弛豫状态，能量以光的形式发射。
多个晶体管包括至少一个开关晶体管和驱动晶体管。至少一个开关元件可以根据扫描信号接收数据信号，并且可以向驱动晶体管传输电压。驱动晶体管直接或间接地连接到有机发光二极管以控制传输到有机发光二极管的电流量，从而通过每个像素发射所需亮度的光。
电容器连接到驱动晶体管的驱动栅电极，从而保持驱动栅电极的电压。
发明内容
显示装置包括多条信号线和连接到所述多条信号线的多个像素。所述多个像素的第一像素包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电极、在平面图中与第一栅电极至少部分地叠置的第一沟道区、第一源区和面向第一源区的第一漏区，并且第一沟道区置于第一源区与第一漏区之间。第三晶体管包括第三栅电极、在平面图中与第三栅电极至少部分地叠置的第三沟道区、连接到第一栅电极的第三漏区和面向第三漏区的第三源区，并且第三沟道区置于第三源区与第三漏区之间。在平面图中，屏蔽部分与第三源区与第三沟道区之间的边界至少部分地叠置，并且不与第三漏区与第三沟道区之间的边界叠置。
显示装置包括多条信号线和连接到所述多条信号线的多个像素。包括在所述多个像素中的第一像素包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电极、在平面图中与第一栅电极至少部分地叠置的第一沟道区以及彼此面对的第一源区和第一漏区，并且第一沟道区置于第一源区和第一漏区之间。第三晶体管包括第三栅电极、在平面图中与第三栅电极至少部分地叠置的第三沟道区、连接到第一栅电极的第三漏区和面向第三漏区的第三源区，并且第三沟道区置于第三漏区和第三源区之间。屏蔽部分与第三源区和第三沟道区之间的边界以及第三漏区和第三沟道区之间的边界中的至少一个边界至少部分地叠置。屏蔽部分被配置为传输初始化电压。
有机发光二极管(OLED)显示装置包括显示基底。多个像素设置在显示基底上。所述多个像素中的每个包括晶体管。多条信号线设置在显示基底上并连接到所述多个像素。所述多条信号线至少部分地覆盖所述多个像素中的每个晶体管。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，由于可以更好地领会本公开，因此将更容易获得本公开的更完整的理解及其许多附加的方面，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
图2是示出根据示例性实施例的显示装置的驱动信号的时序图；
图3是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的多个像素的俯视平面图；
图4至图6是示出图3中所示的多个像素之中的一个像素的俯视平面图；
图7是示出了沿线VII-VII'截取的图4中所示的显示装置的剖视图；
图8是示出了沿线VIII-VIII'截取的图4中所示的显示装置的剖视图；
图9是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的多个像素的俯视平面图；
图10是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的俯视平面图；
图11是示出了沿线XI-XI'截取的图10中所示的显示装置的剖视图；
图12是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的俯视平面图；
图13是示出了沿线XIII-XIII'截取的图12中所示的显示装置的剖视图；
图14是示出了沿线XIV-XIV'截取的图12中所示的显示装置的剖视图；
图15是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的俯视平面图。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在均不脱离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式进行修改。
在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以用于指示相同或相似的构成元件。
此外，为了更好地理解和易于描述，可以夸大附图中所示的每个构造(诸如层、膜、板、区域等)的尺寸和厚度，但是本发明不限于此。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。
下面将参照图1描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示装置包括响应于图像信号来显示图像的多个像素PX以及多条信号线151、152、153、154、171和172。一个像素PX可以包括连接到多条信号线151、152、153、154、171和172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst以及至少一个发光二极管(LED)ED。根据本发明的示例性实施例，主要描述一个像素PX包括一个发光二极管(LED)ED的示例。
信号线151、152、153、154、171和172可以包括多条扫描线151、152和154、多条控制线153、多条数据线171以及多条驱动电压线172。
多条扫描线151、152和154可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输用于导通/截止包括在像素PX中的晶体管T2、T3、T4和T7的栅极导通电压和栅极截止电压。
连接到一个像素PX的扫描线151、152和154可以包括传输扫描信号GWn的第一扫描线151、在与第一扫描线151不同的时间传输具有栅极导通电压的扫描信号GIn的第二扫描线152以及传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线154。根据本发明的示例性实施例，将主要描述第二扫描线152在比第一扫描线151早的时间传输栅极导通电压的示例。例如，当扫描信号GWn是在一帧期间施加的扫描信号中的第n扫描信号Sn(其中，n是正整数)时，扫描信号GIn可以是诸如第(n-1)扫描信号S(n-1)的前一扫描信号，扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。然而，发明不限于此，扫描信号GI(n+1)可以是除了第n扫描信号Sn以外的扫描信号。
控制线153可以传输控制信号。例如，控制线153可以传输控制包括在像素PX中的发光二极管(LED)ED的发光的发光控制信号。由控制线153传输的控制信号可以传输栅极导通电压和栅极截止电压，并且可以具有与由扫描线151、152和154传输的扫描信号的波形不同的波形。
数据线171可以传输数据信号Dm，驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。数据信号Dm可以响应于输入到显示装置的图像信号而具有不同的电压电平，驱动电压ELVDD可以具有基本恒定的电平。
显示装置还可以包括将信号传输到多条信号线151、152、153、154、171和172的驱动器。例如，驱动器可以包括将扫描信号传输到多条扫描线151、152和154的扫描驱动器以及将数据信号传输到数据线171的数据驱动器。至少一个驱动器可以与包括在像素PX中的多个晶体管T1至T7一起直接形成在显示装置的显示面板上。可选择地，至少一个驱动器可以以至少一个驱动电路芯片的类型附接在显示面板上。可选择地，至少一个驱动器可以附接在连接到显示面板的印刷电路膜上，以将信号传输到显示面板。驱动器或印刷电路膜可以围绕显示面板的设置有多个像素PX的显示区域设置。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括第一晶体管T1(也被称作驱动晶体管T1)、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
第一扫描线151可以将扫描信号GWn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3，第二扫描线152可以将扫描信号GIn传输到第四晶体管T4，第三扫描线154可以将扫描信号GI(n+1)传输到第七晶体管T7，控制线153可以将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
第一晶体管T1的栅电极G1通过驱动栅极节点GN连接到电容器Cst的一个端子Cst1，第一晶体管T1的源电极S1通过第五晶体管T5连接到驱动电压线172，第一晶体管T1的漏电极D1经由第六晶体管T6电连接到发光二极管(LED)ED的阳极。第一晶体管T1响应于第二晶体管T2的开关操作而接收由数据线171传输的数据信号Dm，以向发光二极管(LED)ED供应驱动电流Id。
第二晶体管T2的栅电极G2连接到第一扫描线151，第二晶体管T2的源电极S2连接到数据线171，第二晶体管T2的漏电极D2连接到第一晶体管T1的源电极S1并经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。第二晶体管T2响应于通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn而导通，使得从数据线171传输的数据信号Dm可以传输到第一晶体管T1的源电极S1。
第三晶体管T3的栅电极G3连接到第一扫描线151，第三晶体管T3的源电极S3连接到第一晶体管T1的漏电极D1并经由第六晶体管T6连接到发光二极管(LED)ED的阳极。第三晶体管T3的漏电极D3连接到第四晶体管T4的漏电极D4、电容器Cst的一个端子Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3响应于通过第一扫描线151传输的扫描信号GWn而导通，以通过将第一晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1彼此连接来二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4的栅电极G4连接到第二扫描线152，第四晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压Vint的端子，第四晶体管T4的漏电极D4通过第三晶体管T3的漏电极D3连接到电容器Cst的一个端子Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4响应于通过前一扫描线152传输的前一扫描信号GIn而导通，以将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1，从而执行使第一晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5的栅电极G5连接到控制线153，第五晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线172，第五晶体管T5的漏电极D5连接到第一晶体管T1的源电极S1和第二晶体管T2的漏电极D2。
第六晶体管T6的栅电极G6连接到控制线153，第六晶体管T6的源电极S6连接到第一晶体管T1的漏电极D1和第三晶体管T3的源电极S3，第六晶体管T6的漏电极D6电连接到发光二极管(LED)ED的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过控制线153传输的发光控制信号EM而同时导通，因此驱动电压ELVDD由二极管连接的驱动晶体管T1补偿，并且可以在被二极管连接的驱动晶体管T1补偿之后传输到发光二极管(LED)ED。
第七晶体管T7的栅电极G7连接到第三扫描线154，第七晶体管T7的源电极S7连接到第六晶体管T6的漏电极D6和发光二极管(LED)的阳极，第七晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压Vint的端子和第四晶体管T4的源电极S4。可选择地，第七晶体管T7的栅电极G7可以连接到单独的控制线。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以均是诸如PMOS的P型沟道晶体管，然而，本发明不限于此，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7之中的至少一个可以是N型沟道晶体管。
如上所述，电容器Cst的一个端子Cst1连接到第一晶体管T1的栅电极G1，并且电容器Cst的另一个端子Cst2连接到驱动电压线172。发光二极管(LED)ED的阴极可以连接到传输共电压ELVSS的共电压ELVSS端子，以接收共电压ELVSS。
根据本发明的示例性实施例的像素PX的结构不限于图1中所示的结构，并且可以对包括在一个像素PX中的晶体管的数量和电容器的数量以及它们的连接关系进行不同地修改。
接下来，将参照图2以及图1描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的驱动方法。在本说明书中，对晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7为P型沟道晶体管的示例进行描述，并将描述一帧的操作。
参照图2，在一帧中，低电平的扫描信号……、S(n-2)、S(n-1)、Sn、……可以顺序地施加到连接到多个像素PX的多条第一扫描线151。
在初始化时间段，通过第二扫描线152供应低电平的扫描信号GIn。例如，扫描信号GIn可以是第(n-1)扫描信号S(n-1)。然后，第四晶体管T4响应于低电平的扫描信号GIn而导通，初始化电压Vint通过第四晶体管T4连接到第一晶体管T1的栅电极G1，并且驱动晶体管T1被初始化电压Vint初始化。
随后，如果在数据编程和补偿时间段期间通过第一扫描线151供应低电平的扫描信号GWn，则第二晶体管T2和第三晶体管T3响应于低电平的扫描信号GWn而导通。例如，扫描信号GWn可以是第n扫描信号Sn。在这种情况下，第一晶体管T1由导通的第三晶体管T3二极管连接，并且在正向方向上偏置。因此，从数据线171供应的数据信号Dm中减小了第一晶体管T1的阈值电压Vth的补偿电压(Dm+Vth，Vth是负值)施加到第一晶体管T1的栅电极G1。例如，施加到第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压可以变成补偿电压(Dm+Vth)。
驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)可以分别施加到电容器Cst的两个端子，并且电容器Cst可以充入与两个端子的电压差对应的电量。
接下来，在发光时间段期间，从控制线153供应的发光控制信号EM从高电平变为低电平。在一帧中，发光控制信号EM从高电平变为低电平的时间可以在扫描信号GWn施加到所有第一扫描线151之后。因此，在发光时间段期间，第五晶体管T5和第六晶体管T6被低电平的发光控制信号EM导通。因此，响应于第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压与驱动电压ELVDD之间的电压差而产生驱动电流Id，驱动电流Id通过第六晶体管T6供应到发光二极管ED，从而电流led流向发光二极管ED。在发光时间段期间，第一晶体管T1的栅源电压Vgs通过电容器Cst保持为“(Dm+Vth)-ELVDD”，并且响应于第一晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id可以与通过驱动栅源电压减去阈值电压获得的值的平方“(Dm-ELVDD)2”成比例。因此，无论第一晶体管T1的阈值电压Vth如何，都可以确定驱动电流Id。
在初始化时间段期间，第七晶体管T7通过第三扫描线154接收低电平的扫描信号GI(n+1)而被导通。扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。在这种情况下，第七晶体管T7可以与第二晶体管T2和第三晶体管T3同时导通。由于导通的第七晶体管T7，驱动电流Id的一部分可以通过第七晶体管T7流出以作为旁路电流Ibp。
接下来，将参照图3至图8以及图1和图2描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的详细结构的示例。
为了易于理解，首先描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面结构，然后详细描述剖面结构。
图3是根据本发明的示例性实施例的显示装置的多个像素的俯视平面图，图4是图3中由“A”指示的区域的俯视平面图，图5是图3中由“B”指示的区域的俯视平面图，图6是图3中由“C”指示的区域的俯视平面图。
根据本发明的示例性实施例，包括在显示装置中的多个像素PX可以分别显示预定的颜色。例如，多个像素可以包括表示红色的红色像素R、表示绿色的绿色像素G和表示蓝色的蓝色像素B。图3示出了彼此相邻的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。可选择地，红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B之中的至少一个可以表示不同的颜色。
根据本发明的示例性实施例，显示装置可以包括第一导电层，所述第一导电层包括传输扫描信号GWn的第一扫描线151、传输扫描信号GIn的第二扫描线152、传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线154以及传输发光控制信号EM的控制线153。在剖视图中，第一导电层设置在基底110的一个表面上，并可以包括相同的材料，并可以设置在同一层上。
基底110可以包括诸如玻璃、塑料等的无机绝缘材料或有机绝缘材料，并且可以是柔性的。
在平面图中，多条扫描线151、152和154以及控制线153可以沿相同的方向(例如，图3中的水平方向)延伸。在平面图中，第一扫描线151可以设置在第二扫描线152与控制线153之间。当观察整个显示装置时，作为与第二扫描线152基本相似的扫描线的第三扫描线154可以传输与由第二扫描线152传输的扫描信号GIn相邻的扫描信号GI(n+1)。如上所述，当第一扫描线151传输第n扫描信号Sn时，第三扫描线154也可以传输第n扫描信号Sn。
根据本发明的示例性实施例，显示装置还可以包括包含存储线156和初始化电压线159的第二导电层。在剖视图中，第二导电层设置在与第一导电层不同的层上。例如，第二导电层可以设置在第一导电层上，可以包括相同的材料，并且可以设置在同一层中。
在平面图中，存储线156和初始化电压线159可以主要沿相同的方向(例如，图3中的水平方向)延伸。
在平面图中，存储线156可以设置在第一扫描线151与控制线153之间，并且可以包括设置在每个像素R、G和B中的延伸部分157。延伸部分157通过接触孔68连接到驱动电压线172，从而接收驱动电压ELVDD。延伸部分157可以具有开口51。
初始化电压线159可以传输初始化电压Vint并且可以在平面图中设置在第三扫描线154与控制线153之间，但是位置不限于此。
根据本发明的示例性实施例，显示装置还可以包括第三导电层，所述第三导电层包括传输数据信号Dm的数据线171和传输驱动电压ELVDD的驱动电压线172。在剖视图中，第三导电层设置在与第一导电层和第二导电层不同的层处。例如，在剖视图中，第三导电层可以设置在第二导电层上，可以包括相同的材料，并且可以设置在同一层中。
在平面图中，数据线171和驱动电压线172可以主要沿相同的方向(例如，图3中的竖直方向)延伸，并且可以与多条扫描线151、152和154、控制线153、初始化电压线159以及存储线156交叉。
像素R、G和B中的每个可以包括连接到扫描线151、152和154、控制线153、数据线171和驱动电压线172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst以及发光二极管(LED)ED。
用于一个像素PX的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道可以形成在一个有源图案130中，并且有源图案130可以以各种形状弯曲。有源图案130可以包括诸如多晶硅或氧化物半导体的半导体材料。
在剖视图中，有源图案130可以设置在基底110与第一导电层之间。
有源图案130包括形成晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的每个沟道的沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g以及导电区。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以具有双栅结构。在这种情况下，第三晶体管T3包括两个沟道区131c_1和131c_2，第四晶体管T4也包括两个沟道区131d_1和131d_2。
有源图案130的导电区设置在沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g中的每个的两侧处，并具有比沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g的载流子浓度高的载流子浓度。在有源图案130中，除了沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g之外的其余部分中的大部分可以是导电区。作为相应的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的源区和漏区的设置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的沟道区131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f和131g的两侧处的一对导电区可以用作源电极和漏电极。
第一晶体管T1包括沟道区131a、设置在沟道区131a的相应侧处作为有源图案130的导电区的源区136a和漏区137a以及在平面图中与沟道区131a叠置的驱动栅电极155a。
第一晶体管T1的沟道区131a可以弯曲至少一次。例如，沟道区131a可以具有曲折形状或之字形形状。图3至图6示出了沟道区131a具有朝上和朝下交替地设置的U形的示例。
在平面图中，源区136a和漏区137a连接到沟道区131a的相应侧。
驱动栅电极155a可以包括在第一导电层中，并可以通过接触孔61连接到连接件174。在平面图中，接触孔61可以设置在开口51的内部。在剖视图中，连接件174可以包括在第三导电层中。连接件174可以在主要与数据线171延伸的方向平行的方向上延长。连接件174以及驱动栅电极155a与图1的电路图中所示的驱动栅极节点GN对应。
第二晶体管T2包括沟道区131b、设置在沟道区131b的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136b和漏区137b以及在平面图中与沟道区131b叠置的栅电极155b。栅电极155b是第一扫描线151的一部分。在平面图中，源区136b基于第一扫描线151向上设置，连接到沟道区131b，并通过接触孔62连接到数据线171。在平面图中，漏区137b基于第一扫描线151向下设置，连接到沟道区131b，并连接到第一晶体管T1的源区136a。
第三晶体管T3可以由两部分形成以防止漏电流。例如，第三晶体管T3可以包括彼此相邻并彼此连接的上第三晶体管T3_1和下第三晶体管T3_2。
上第三晶体管T3_1包括在平面图中与第一扫描线151叠置的沟道区131c_1、设置在沟道区131c_1的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136c_1和漏区137c_1以及与沟道区131c_1叠置的栅电极155c_1。栅电极155c_1可以是第一扫描线151的突出的一部分。在平面图中，漏区137c_1基于第一扫描线151向上设置，并且通过接触孔63连接到连接件174。
下第三晶体管T3_2包括在平面图中与第一扫描线151叠置的沟道区131c_2、设置在沟道区131c_2的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136c_2和漏区137c_2以及与沟道区131c_2叠置的栅电极155c_2。栅电极155c_2是第一扫描线151的一部分。下第三晶体管T3_2的源区136c_2连接到第一晶体管T1的漏区137a，漏区137c_2连接到上第三晶体管T3_1的源区136c_1。
第四晶体管T4也可以由两部分形成，以防止漏电流。例如，第四晶体管T4可以包括彼此相邻并彼此连接的左第四晶体管T4_1和右第四晶体管T4_2。
左第四晶体管T4_1包括在平面图中与第二扫描线152叠置的沟道区131d_1、设置在沟道区131d_1的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136d_1和漏区137d_1以及与沟道区131d_1叠置的栅电极155d_1。栅电极155d_1是第二扫描线152的一部分。在平面图中，漏区137d_1基于第二扫描线152向下设置，连接到上第三晶体管T3_1的漏区137c_1，并通过接触孔63连接到连接件174。
右第四晶体管T4_2包括在平面图中与第二扫描线152叠置的沟道区131d_2、设置在沟道区131d_2的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136d_2和漏区137d_2以及与沟道区131d_2叠置的栅电极155d_2。栅电极155d_2是第二扫描线152的一部分。漏区137d_2连接到左第四晶体管T4_1的源区136d_1，源区136d_2通过接触孔65连接到连接件175。
在剖视图中，连接件175可以包括在第二导电层或第三导电层中。当连接件175包括在第三导电层中时，连接件175通过接触孔64电连接到初始化电压线159。当连接件175包括在第二导电层中时，连接件175在剖视图中与初始化电压线159设置在同一层上，并可以连接到初始化电压线159。
在平面图中，连接到传输驱动栅电极155a的电压的连接件174的左第四晶体管T4_1的沟道区131d_1与源区136d_1之间的边界和沟道区131d_1与漏区137d_1之间的边界以及沟道区131d_1可以均被驱动电压线172覆盖。在平面图中，沟道区131d_1、沟道区131d_1与源区136d_1之间的边界以及沟道区131d_1与漏区137d_1之间的边界与驱动电压线172叠置，并可以设置在驱动电压线172的平面区域中。在平面图中，左第四晶体管T4_1的沟道区131d_1、源区136d_1和漏区137d_1中的每个在水平方向上的宽度小于驱动电压线172在水平方向上的宽度，沟道区131d_1、源区136d_1和漏区137d_1均可以设置在驱动电压线172的区域内。
因此，虽然外部光(例如，诸如图8中所示的光)入射到显示装置，但是外部光被驱动电压线172阻挡，使得可以防止外部光入射到左第四晶体管T4_1的沟道区131d_1。因此，通过直接连接到驱动栅极节点GN的左第四晶体管T4_1防止否则会由光引起的漏电流，使得可以抑制电容器Cst的电压改变。因此可以防止诸如图像的亮度改变和颜色坐标改变的显示故障。
存在作为直接连接到传输驱动栅电极155a的电压的连接件174的一个晶体管的上第三晶体管T3_1。在平面图中，上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界和/或沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界被屏蔽部分176覆盖。例如，在平面图中，沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界中的至少一个与屏蔽部分176叠置，从而设置在屏蔽部分176的区域中。
例如，如上所示，在平面图中，屏蔽部分176和上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界叠置。屏蔽部分176可以不与上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界叠置，因此，在平面图中，这些元件可以与连接件174间隔开。
在平面图中，从上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界到屏蔽部分176的左侧或右侧的一个边缘之间的距离的宽度W1可以为约3微米或更大，然而，宽度W1不限于此。
屏蔽部分176可以包括在第二导电层或第三导电层中。当屏蔽部分176包括在第三导电层中时，屏蔽部分176可以与连接件175设置在同一层上，并且可以电连接和物理连接到连接件175。屏蔽部分176可以与连接到驱动栅电极155a的连接件174间隔开预定的距离。
可选择地，屏蔽部分176还可以包括在平面图中与上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界叠置的部分。例如，如上所述，当屏蔽部分176在剖视图中设置在与连接件174不同的层上时，屏蔽部分176可以包括在平面图中与上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1和源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1和漏区137c_1之间的边界叠置的部分。
根据本发明的示例性实施例，虽然外部光入射到显示装置，但是外部光被屏蔽部分176阻挡，使得可以防止外部光通过上第三晶体光T3_1的沟道区131c_1与源区136c_1和/或漏区137c_1之间的边界部分入射。因此，通过直接连接到驱动栅极节点GN的上第三晶体管T3_1防止由于光引起的漏电流，使得可以抑制电容器Cst的电压改变，因此可以防止诸如图像的亮度改变和颜色坐标改变的显示故障。
第五晶体管T5包括沟道区131e、设置在沟道区131e的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136e和漏区137e以及与沟道区131e叠置的栅电极155e。栅电极155e是控制线153的一部分。在平面图中，源区136e基于控制线153向下设置，连接到沟道区131e，并且通过接触孔67连接到驱动电压线172。在平面图中，漏区137e基于控制线153向上设置，连接到沟道区131e，并连接到第一晶体管T1的源区136a。
第六晶体管T6包括沟道区131f、设置在沟道区131f的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136f和漏区137f以及与沟道区131f叠置的栅电极155f。栅电极155f是控制线153的一部分。在平面图中，源区136f基于控制线153向上设置，连接到沟道区131f，并且连接到第一晶体管T1的漏区137a。在平面图中，漏区137f基于控制线153向下设置，连接到沟道区131f，并且通过接触孔69连接到连接件179。在剖视图中，连接件179可以包括在第三导电层中。
第七晶体管T7包括沟道区131g、设置在沟道区131g的相应侧处的作为有源图案130的导电区的源区136g和漏区137g以及与沟道区131g叠置的栅电极155g。栅电极155g是第三扫描线154的一部分。在平面图中，源区136g基于第三扫描线154向上设置，连接到沟道区131g，并且连接到第六晶体管T6的漏区137f。在平面图中，漏区137g基于第三扫描线154向下设置，并通过接触孔65连接到连接件175，从而接收初始化电压Vint。
电容器Cst可以包括在平面图中彼此叠置的驱动栅电极155a和存储线156的延伸部分157作为两个端子。电容器Cst可以保持与接收驱动电压ELVDD的存储线156的延伸部分157与驱动栅电极155a之间的电压差对应的电压差。在平面图中，存储线156的延伸部分157可以具有比驱动栅电极155a的区域宽的区域，并且可以覆盖相应的驱动栅电极155a的整个区域。
第二导电层还可以包括与数据线171叠置的屏蔽图案158。屏蔽图案158通过接触孔66连接到驱动电压线172，从而接收驱动电压ELVDD。屏蔽图案158使驱动栅极节点GN与数据线171之间屏蔽，从而阻挡由于数据信号Dm的改变而引起的驱动栅极节点GN的电压改变。根据本发明的一些示例性实施例，可以省略屏蔽图案158。
根据本发明的示例性实施例，显示装置还可以包括第四导电层，第四导电层包括多个像素电极191a、191b和191c以及像素导电图案192。在剖视图中，第四导电层设置在与第一导电层、第二导电层和第三导电层不同的层上。例如，在剖视图中，第四导电层可以设置在第三导电层上，并且可以包括相同的材料，并且可以设置在同一层上。
多个像素电极191a、191b和191c可以以Pentile矩阵结构布置。例如，红色像素R的像素电极191a和蓝色像素B的像素电极191c可以在水平方向上交替地布置，红色像素R的像素电极191a和绿色像素G的像素电极191b可以在第一对角线方向上交替地布置，蓝色像素B的像素电极191c和绿色像素G的像素电极191b可以在第二对角线方向上交替地布置，第二对角线方向可以与第一对角线方向不同。然而，像素电极191a、191b和191c的布置不限于此。
红色像素R的像素电极191a可以小于蓝色像素B的像素电极191c，绿色像素G的像素电极191b可以小于红色像素R的像素电极191a。
像素电极191a、191b和191c中的每个通过接触孔89连接到连接件179，从而接收电压。
像素导电图案192可以沿着相邻的像素电极191a、191b和191c的边缘弯折，并且可以包括分别交替布置的直部(192a、192b和192c)和斜部193。直部(192a、192b和192c)可以延伸为主要与扫描线151、152和154平行，斜部193可以沿直部(192a、192b和192c)的延伸方向倾斜地延伸。直部192a可以与红色像素R的像素电极191a相邻，直部192b可以与绿色像素G的像素电极191b相邻，直部192c可以与蓝色像素B的像素电极191c相邻。
像素导电图案192可以传输初始化电压Vint。
参照图3至图6，在平面图中，上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1、沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界均被第四导电层覆盖。
在平面图中，红色像素R的上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1、沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界均与像素电极191a叠置，从而被设置在像素电极191a的平面区域中。在平面图中，绿色像素G的上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1、沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界均与像素导电图案192叠置(例如，与像素导电图案192的直部192b叠置)，从而被设置在像素导电图案192的平面区域中。在平面图中，蓝色像素B的上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1、沟道区131c_1与源区136c_1之间的边界以及沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界均与像素电极191c叠置，从而被设置在像素电极191c的平面区域中。
因此，虽然外部光入射到显示装置，但是外部光被包括像素电极191a、191b和191c以及像素导电图案192的第四导电层阻挡，使得可以防止外部光入射到上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1中。例如，虽然上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界没有被屏蔽部分176覆盖，但是沟道区131c_1与漏区137c_1之间的边界与沟道区131c_1一起被第四导电层覆盖，使得可以阻挡外部光入射到上第三晶体管T3_1的沟道区131c_1中。因此，通过直接连接到驱动栅极节点GN的上第三晶体管T3_1阻挡由于光引起的漏电流，从而可以抑制电容器Cst的电压改变。
接下来，将参照图3至图8详细描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖面结构。
缓冲层120可以设置在基底110上。缓冲层120阻挡来自基底110的杂质污染缓冲层120上方的上层。例如，缓冲层120可以阻挡来自基底110的杂质渗入有源图案130中，以增加有源图案130的期望特性，并减小施加到有源图案130的应力。缓冲层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。可以省略缓冲层120的至少部分。
上述有源图案130设置在缓冲层120上，第一绝缘层141设置在有源图案130上。
上述第一导电层可以设置在第一绝缘层141上。第一导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的金属。
第二绝缘层142可以设置在第一导电层和第一绝缘层141上。
上述第二导电层可以设置在第二绝缘层142上。第二导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的金属。
第三绝缘层160可以设置在第二导电层和第二绝缘层142上。
第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160之中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160可以包括设置在驱动栅电极155a上的接触孔61、设置在第二晶体管T2的源区136b上的接触孔62、设置在上第三晶体管T3_1的漏区137c_1或左第四晶体管T4_1的漏区137d_1上的接触孔63、设置在初始化电压线159上的接触孔64、设置在右第四晶体管T4_2的源区136d_2或第七晶体管T7的漏区137g上的接触孔65、设置在屏蔽图案158上的接触孔66、设置在第五晶体管T5的源区136e上的接触孔67、设置在存储线156的延伸部分157上的接触孔68以及设置在第六晶体管T6的漏区137f上的接触孔69。接触孔61可以穿过存储线156的延伸部分157的开口51形成。
上述第三导电层可以设置在第三绝缘层160上。第三导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的金属。
存储线156的延伸部分157与驱动栅电极155a叠置，并且第二绝缘层142置于延伸部分157与驱动栅电极155a之间，从而形成电容器Cst。
钝化层180设置在第三导电层和第三绝缘层160上。钝化层180可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料，钝化层180的上表面可以基本上是平坦的。钝化层180可以包括设置在连接件179上的接触孔89。
上述第四导电层可以设置在钝化层180上。
像素限定层(PDL)350可以设置在钝化层180和第四导电层上。像素限定层350具有形成在像素电极191a、191b和191c上的开口351。
发射层370设置在像素电极191a、191b和191c上。发射层370可以设置在开口351中。发射层370可以包括有机发光材料或无机发光材料。
共电极270设置在发射层上。共电极270也可以形成在像素限定层350上，从而延伸穿过多个像素。
像素电极191a、191b和191c、发射层370以及共电极270一起形成发光二极管(LED)ED。
保护发光二极管(LED)ED的包封层可以设置在共电极270上。包封层可以包括交替堆叠的无机层和有机层。
接下来，将参照图9至图15以及上述附图描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。可以假设下面没有具体描述的元件与已经描述的相应元件相似或相同。
首先，参照图9，显示装置可以与图1至图8中所示的根据上述示例性实施例的显示装置大体相同，然而，在本示例中，屏蔽部分176与连接件175间隔开。在剖视图中，屏蔽部分176可以与连接件175设置在同一层处，并且可以设置在不同的层处。
接下来，参照图10和图11，根据本发明的示例性实施例的显示装置与根据上述示例性实施例的显示装置大体相同，然而，在剖视图中，连接件175包括在第二导电层中。因此，连接件175与初始化电压线159设置在同一层处，并且可以物理地连接和电气地连接到初始化电压线159。屏蔽部分176也可以包括在第二导电层中，并且可以连接到连接件175。
接下来，参照图12至图14，根据本发明的示例性实施例的显示装置与图10和图11中所示的根据上述示例性实施例的显示装置大体相同，然而，屏蔽部分176与连接件175间隔开。在剖视图中，屏蔽部分176可以设置在与连接件175不同的层处。例如，屏蔽部分176可以包括在第二导电层中。
接下来，参照图15，根据本发明的示例性实施例的显示装置与根据上述示例性实施例的显示装置大体相同，然而，可以省略包括存储线156、初始化电压线159、屏蔽图案158等的第二导电层。此外，可以省略第二绝缘层142。
驱动电压线172可以包括与驱动栅电极155a叠置的延伸部分173，在平面图中，延伸部分173和驱动栅电极155a彼此叠置，并且绝缘层(例如，上述第三绝缘层160)置于延伸部分173与驱动栅电极155a之间，以形成电容器Cst。因此，可以增大空间利用率，并且可以形成足够电容的电容器Cst。
钝化层180可以包括设置在连接件175上的接触孔88。像素导电图案192可以传输初始化电压Vint，并且可以通过接触孔88电连接到连接件175，从而将初始化电压Vint传输到连接件175。
虽然已经结合示例性实施例描述了本发明，但是将理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意图覆盖包括在本发明的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多条信号线；以及
多个像素，连接到所述多条信号线，
其中，所述多个像素的第一像素包括：
第一晶体管，包括第一栅电极、在平面图中与所述第一栅电极至少部分地叠置的第一沟道区、第一源区和面向所述第一源区的第一漏区，并且所述第一沟道区置于所述第一源区与所述第一漏区之间，
第三晶体管，包括第三栅电极、在所述平面图中与所述第三栅电极至少部分地叠置的第三沟道区、连接到所述第一栅电极的第三漏区和面向所述第三漏区的第三源区，并且所述第三沟道区置于所述第三源区与所述第三漏区之间，以及
屏蔽部分，在所述平面图中与所述第三源区和所述第三沟道区之间的边界至少部分地叠置，并且不与所述第三漏区和所述第三沟道区之间的边界叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一连接件，连接到所述第一栅电极，并与所述第一栅电极设置在不同的层中，
其中，所述第三漏区连接到所述第一连接件。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
初始化电压线，传输初始化电压；以及
第二连接件，连接到所述初始化电压线，
其中，所述屏蔽部分连接到所述第二连接件。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
在剖视图中，所述屏蔽部分与所述第二连接件设置在同一层中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
在剖视图中，所述屏蔽部分与所述第一连接件设置在同一层中。
6.一种显示装置，所述显示装置包括：
多条信号线和多个像素，所述多个像素连接到所述多条信号线，
其中，包括在所述多个像素中的第一像素包括：
第一晶体管，包括第一栅电极、在平面图中与所述第一栅电极至少部分地叠置的第一沟道区以及彼此面对的第一源区和第一漏区，并且所述第一沟道区置于所述第一源区与所述第一漏区之间，
第三晶体管，包括第三栅电极、在所述平面图中与所述第三栅电极至少部分地叠置的第三沟道区、连接到所述第一栅电极的第三漏区和面向所述第三漏区的第三源区，并且所述第三沟道区置于所述第三源区与所述第三漏区之间，以及
屏蔽部分，与所述第三源区和所述第三沟道区之间的边界以及所述第三漏区和所述第三沟道区之间的边界中的至少一个边界至少部分地叠置，
其中，所述屏蔽部分被配置为传输初始化电压。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一连接件，连接到所述第一栅电极，并与所述第一栅电极设置在不同的层处，并且
所述第三漏区连接到所述第一连接件。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
初始化电压线，传输所述初始化电压；以及
第二连接件，连接到所述初始化电压线，
其中，所述屏蔽部分连接到所述第二连接件。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
在剖视图中，所述屏蔽部分与所述第二连接件设置在同一层处。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第一像素还包括：
第六晶体管，包括连接到所述第一晶体管的所述第一漏区的第六源区、第六漏区以及设置在所述第六源区与所述第六漏区之间的第六沟道区，以及
第一像素电极，连接到所述第六漏区，
其中，还包括与所述第一像素电极设置在同一层处并与所述第一像素电极间隔开的像素导电图案，并且
在所述平面图中，所述第一像素电极或所述像素导电图案与所述第三源区和所述第三沟道区之间的所述边界以及所述第三漏区和所述第三沟道区之间的所述边界至少部分地叠置。
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