TWI746657B - 具有發射層之顯示裝置 - Google Patents

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TWI746657B
TWI746657B TW106134062A TW106134062A TWI746657B TW I746657 B TWI746657 B TW I746657B TW 106134062 A TW106134062 A TW 106134062A TW 106134062 A TW106134062 A TW 106134062A TW I746657 B TWI746657 B TW I746657B
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金東秀
方鉉喆
卞昌洙
李知恩
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

一種顯示裝置包含複數訊號線及與其連接之複數畫素。一第一畫素包含一第一電晶體，第一電晶體包含：一第一閘電極；一與第一閘電極交疊之第一通道區；一第一源極區；及一面對第一源極區之第一汲極區；其中第一通道區夾置於第一源極區與第一汲極區之間。一第三電晶體包含：一第三閘電極；一與第三閘電極交疊之第三通道區；一連接至第一閘電極之第三汲極區；及一面對第三汲極區之第三源極區；其中第三通道區夾置於第三源極區與第三汲極區之間。一遮擋部和第三源極區與第三通道區間之邊界交疊且不和第三汲極區與第三通道區間之邊界交疊。

Description

具有發射層之顯示裝置
[優先權聲明]
本申請案主張於2016年10月11日在韓國智慧財產局提出申請之韓國第10-2016-0131465號專利申請案之優先權及權利，該韓國專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本發明是關於一種顯示裝置，且更具體而言，是關於一種包含一發射層之顯示裝置。
一種用於顯示一影像之顯示裝置包含複數個畫素。舉例而言，一有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示器之一畫素可包含一有機發光二極體，該有機發光二極體具有一陰極、一陽極及設置於該陰極與該陽極間之一有機發射層。該畫素中亦可包含複數個電晶體及至少一個電容器，以用於驅動該有機發光二極體。
在有機發光二極體顯示器中，自陰極注入之電子與自陽極注入之電洞在有機發射層中組合以形成一激子(exciton)。當激子在有機發射層內返回至一鬆弛狀態(relaxed state)時，會以光之形式發射能量。
該等電晶體包含至少一個切換電晶體及一驅動電晶體。至少一個切換元件可接收相依於一掃描訊號之一資料訊號，且可將一電壓傳送至驅動電晶體。驅動電晶體直接或間接地連接至有機發光二極體，以控制傳送至有機發光二極體之一電流量，藉此經由各該畫素發射具有一所需亮度之光。
電容器連接至驅動電晶體之一驅動閘電極，藉此維持該驅動閘電極之一電壓。
一種顯示裝置包含複數個訊號線及連接至該等訊號線之複數個畫素。該等畫素其中之一第一畫素包含一第一電晶體，該第一電晶體包含：一第一閘電極；一第一通道區，在一平面圖中，至少局部地與該第一閘電極交疊；一第一源極區；以及一第一汲極區，面對該第一源極區，其中該第一通道區夾置於該第一源極區與該第一汲極區之間。一第三電晶體包含：一第三閘電極；一第三通道區，在該平面圖中，至少局部地與該第三閘電極交疊；一第三汲極區，連接至該第一閘電極；以及一第三源極區，面對該第三汲極區，其中該第三通道區夾置於該第三源極區與該第三汲極區之間。在該平面圖中，一遮擋部(shielding part)至少局部地和該第三源極區與該第三通道區間之一邊界交疊且不和該第三汲極區與該第三通道區間之一邊界交疊。
一種顯示裝置包含複數個訊號線及連接至該等訊號線之複數個畫素。該等畫素中所包含之一第一畫素包含一第一電晶體，該第一電晶體包含：一第一閘電極；一第一通道區，在一平面圖中，至少局部地與該第一閘電極交疊；以及彼此面對的一第一源極區及一第一汲極區，其中該第一通道區夾置於 該第一源極區與該第一汲極區之間。一第三電晶體包含：一第三閘電極；一第三通道區，在該平面圖中，至少局部地與該第三閘電極交疊；一第三汲極區，連接至該第一閘電極；以及一第三源極區，面對該第三汲極區，其中該第三通道區夾置於該第三源極區與該第三汲極區之間。一遮擋部至少局部地與以下至少其中之一交疊：該第三源極區與該第三通道區間之一邊界及該第三汲極區與該第三通道區間之一邊界。該遮擋部用以傳送一初始化電壓(initialization voltage)。
一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置包含一顯示基板。該顯示基板上設置有複數個畫素。各該畫素包含一電晶體。複數個訊號線設置於該基板上且連接至該等畫素。該等訊號線至少局部地覆蓋該等畫素之各該電晶體。
51:開口
61:接觸孔
62:接觸孔
63:接觸孔
64:接觸孔
65:接觸孔
66:接觸孔
67:接觸孔
68:接觸孔
69:接觸孔
88:接觸孔
89:接觸孔
110:基板
120:緩衝層
130:主動圖案
131a:通道區
131b:通道區
131c_1:通道區
131c_2:通道區
131d_1:通道區
131d_2:通道區
131e:通道區
131f:通道區
131g:通道區
136a:源極區
136b:源極區
136c_1:源極區
136c_2:源極區
136d_1:源極區
136d_2:源極區
136e:源極區
136f:源極區
136g:源極區
137a:汲極區
137b:汲極區
137c_1:汲極區
137c_2:汲極區
137d_1:汲極區
137d_2:汲極區
137e:汲極區
137f:汲極區
137g:汲極區
141:第一絕緣層
142:第二絕緣層
151:訊號線/第一掃描線
152:訊號線/第二掃描線
153:訊號線/控制線
154:訊號線/第三掃描線
155a:驅動閘電極
155b:閘電極
155c_1:閘電極
155c_2:閘電極
155d_1:閘電極
155d_2:閘電極
155e:閘電極
155f:閘電極
155g:閘電極
156:儲存線
157:延伸部
158:遮擋圖案
159:初始化電壓線
160:第三絕緣層
171:訊號線/資料線
172:訊號線/驅動電壓線
173:延伸部
174:連接器
175:連接器
176:遮擋部
179:連接器
180:鈍化層
191a:畫素電極
191b:畫素電極
191c:畫素電極
192:畫素導電圖案
192a:筆直部
192b:筆直部
192c:筆直部
193:傾斜部
270:共同電極
350:畫素界定層
351:開口
370:發射層
A:區
B:區
C:區
Cst:電容器
Cst1:端子
Cst2:端子
D1:汲電極
D2:汲電極
D3:汲電極
D4:汲電極
D5:汲電極
D6:汲電極
D7:汲電極
Dm:資料訊號
ED:發光二極體(LED)
ELVDD:驅動電壓
ELVSS:共同電壓
EM:發光控制訊號
G1:閘電極
G2:閘電極
G3:閘電極
G4:閘電極
G5:閘電極
G6:閘電極
G7:閘電極
GIn:掃描訊號
GI(n+1):掃描訊號
GN:驅動閘極節點
GWn:掃描訊號
Ibp:旁路電流
Id:驅動電流
led:電流
PX:畫素
R,G,B:紅色畫素，綠色畫素，藍色畫素
S1:源電極
S2:源電極
S3:源電極
S4:源電極
S5:源電極
S6:源電極
S7:源電極
S(n-2):掃描訊號
S(n-1):第(n-1)掃描訊號
Sn:第n掃描訊號
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T3_1:上部第三電晶體
T3_2:下部第三電晶體
T4:第四電晶體
T4_1:左側第四電晶體
T4_2:右側第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
VII-VII':線
VIII-VIII':線
Vint:初始化電壓
W1:寬度
XI-XI':線
XIII-XIII':線
XIV-XIV':線
藉由參照以下詳細說明並結合圖式進行考量，由於本發明以及其隨附態樣中之諸多態樣會變得更好理解，因而將會輕易地獲得對本發明以及該等態樣的更完整瞭解，在圖式中：第1圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之一個畫素之等效電路圖；第2圖是例示根據一實例性實施例之一顯示裝置之驅動訊號之時序圖；第3圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之複數個畫素之俯視平面圖；第4圖至第6圖是例示第3圖所示複數個畫素中之一個畫素之俯視平面圖；第7圖是例示沿一線VII-VII'所截取的第4圖所示顯示裝置之剖視圖；第8圖是例示沿一線VIII-VIII'所截取的第4圖所示顯示裝置之剖視圖； 第9圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之複數個畫素之俯視平面圖；第10圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之一個畫素之俯視平面圖；第11圖是例示沿一線XI-XI'所截取的第10圖所示顯示裝置之剖視圖；第12圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之一個畫素之俯視平面圖；第13圖是例示沿一線XIII-XIII'所截取的第12圖所示顯示裝置之剖視圖；第14圖是例示沿一線XIV-XIV'所截取的第12圖所示顯示裝置之剖視圖；以及第15圖是例示根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之一個畫素之俯視平面圖。
在下文中，將參照其中顯示本發明實例性實施例之圖式來更全面地闡述本發明。如熟習此項技術者將認識到，所述實施例可以各種不同方式來加以修改，此皆不背離本發明之精神或範圍。
在整個說明書及圖式中，可使用相同元件符號來標示相同或類似之構成元件。
另外，為更好地理解且易於說明，可擴大圖式中所示之每一構形(例如：層、膜、面板、區等)之尺寸及厚度，但本發明並非僅限於此。
將理解，當將一元件(例如：一層、膜、區、或基板)稱為位於另一元件「上」時，該元件可以是直接位於另一元件上，或者亦可能存在中間元件。
下文將參照第1圖來闡述根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置。
第1圖是根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之一個畫素之等效電路圖。
參照第1圖，根據本發明之一實例性實施例，一顯示裝置包含複數個畫素PX以及複數個訊號線151、152、153、154、171及172，該等畫素PX因應於一影像訊號而顯示一影像。一個畫素PX可包含複數個電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7、一電容器Cst以及至少一個發光二極體(light emitting diode；LED)ED，該等電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7連接至該等訊號線151、152、153、154、171及172。根據本發明之一實例性實施例，主要闡述其中一個畫素PX包含一個發光二極體(LED)ED之一實例。
訊號線151、152、153、154、171及172可包含複數個掃描線151、152及154、複數個控制線153、複數個資料線171以及複數個驅動電壓線172。
該等掃描線151、152及154可分別傳送掃描訊號GWn、GIn及GI(n+1)。掃描訊號GWn、GIn及GI(n+1)可傳送用於將畫素PX中所包含之電晶體T2、T3、T4及T7導通/關斷之一閘極導通電壓(gate-on voltage)及一閘極關斷電壓(gate-off voltage)。
連接至一個畫素PX之掃描線151、152及154可包含傳送一掃描訊號GWn之一第一掃描線151、在與第一掃描線151不同之一時間傳送具有閘 極導通電壓之一掃描訊號GIn之一第二掃描線152以及傳送掃描訊號GI(n+1)之一第三掃描線154。根據本發明之一實例性實施例，將主要闡述其中第二掃描線152在較第一掃描線151早之一時間傳送閘極導通電壓之一實例。舉例而言，當掃描訊號GWn是在一個訊框期間施加之複數個掃描訊號中之第n掃描訊號Sn(其中n是一正整數)時，掃描訊號GIn可以是一前一掃描訊號(例如：一第(n-1)掃描訊號S(n-1))，且掃描訊號GI(n+1)可以是一第n掃描訊號Sn。然而，本發明並非僅限於此，且掃描訊號GI(n+1)可以是除第n掃描訊號Sn以外之一掃描訊號。
控制線153可傳送一控制訊號。舉例而言，控制線153可傳送一發光控制訊號，以控制畫素PX中所包含之發光二極體(LED)ED之發光。由控制線153傳送之控制訊號可傳送閘極導通電壓及閘極關斷電壓，且可具有與由掃描線151、152及154傳送之掃描訊號不同之一波形。
資料線171可傳送一資料訊號Dm，且驅動電壓線172可傳送一驅動電壓ELVDD。資料訊號Dm可因應於輸入至顯示裝置之影像訊號而具有不同電壓位準，且驅動電壓ELVDD可具有一實質上恆定位準。
該顯示裝置可更包含將訊號傳送至該等訊號線151、152、153、154、171及172之一驅動器。舉例而言，該驅動器可包含將掃描訊號傳送至該等掃描線151、152及154之一掃描驅動器以及將資料訊號傳送至資料線171之一資料驅動器。至少一個驅動器可連同畫素PX中所包含之該等電晶體T1至T7一起直接形成於顯示裝置之一顯示面板上。或者，至少一個驅動器可以至少一個驅動電路晶片之一類型附裝於顯示面板上。又或者，至少一個驅動器可附裝於與顯示面板連接以將訊號傳送至顯示面板之一印刷電路膜上。驅動器或印刷 電路膜可設置於顯示面板之一顯示區域周圍，該等畫素PX設置於該顯示區域中。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7可包含一第一電晶體T1、一第二電晶體T2、一第三電晶體T3、一第四電晶體T4、一第五電晶體T5、一第六電晶體T6及一第七電晶體T7。
第一掃描線151可將掃描訊號GWn傳送至第二電晶體T2及第三電晶體T3，第二掃描線152可將掃描訊號GIn傳送至第四電晶體T4，第三掃描線154可將掃描訊號GI(n+1)傳送至第七電晶體T7，且控制線153可將發光控制訊號EM傳送至第五電晶體T5及第六電晶體T6。
第一電晶體T1之一閘電極G1經由一驅動閘極節點GN連接至電容器Cst之一個端子Cst1，第一電晶體T1之一源電極S1經由第五電晶體T5連接至驅動電壓線172，且第一電晶體T1之一汲電極D1經由第六電晶體T6電性連接至發光二極體(LED)ED之一陽極。第一電晶體T1接收由資料線171因應於第二電晶體T2之一切換操作而傳送之一資料訊號Dm，以將一驅動電流Id供應至發光二極體(LED)ED。
第二電晶體T2之一閘電極G2連接至第一掃描線151，第二電晶體T2之一源電極S2連接至資料線171，且第二電晶體T2之一汲電極D2連接至第一電晶體T1之源電極S1並經由第五電晶體T5連接至驅動電壓線172。第二電晶體T2因應於經由第一掃描線151傳送之掃描訊號GWn而導通，俾使自資料線171傳送之資料訊號Dm可傳送至第一電晶體T1之源電極S1。
第三電晶體T3之一閘電極G3連接至第一掃描線151，且第三電晶體T3之一源電極S3連接至第一電晶體T1之汲電極D1並經由第六電晶體T6 連接至發光二極體(LED)ED之陽極。第三電晶體T3之一汲電極D3連接至第四電晶體T4之一汲電極D4、電容器Cst之一個端子Cst1及第一電晶體T1之閘電極G1。第三電晶體T3因應於經由第一掃描線151傳送之掃描訊號GWn而導通，以藉由將第一電晶體T1之閘電極G1與汲電極D1彼此連接來對第一電晶體T1進行二極體式連接(diode-connect)。
第四電晶體T4之一閘電極G4連接至第二掃描線152，第四電晶體T4之一源電極S4連接至一初始化電壓Vint之一端子，且第四電晶體T4之一汲電極D4經由第三電晶體T3之汲電極D3連接至電容器Cst之一個端子Cst1及第一電晶體T1之閘電極G1。第四電晶體T4因應於經由前一掃描線152傳送的前一掃描訊號GIn而導通，以將初始化電壓Vint傳送至第一電晶體T1之閘電極G1，藉此執行將第一電晶體T1之閘電極G1之電壓初始化之一初始化操作。
第五電晶體T5之一閘電極G5連接至控制線153，第五電晶體T5之一源電極S5連接至驅動電壓線172，第五電晶體T5之一汲電極D5連接至第一電晶體T1之源電極S1及第二電晶體T2之汲電極D2。
第六電晶體T6之一閘電極G6連接至控制線153，第六電晶體T6之一源電極S6連接至第一電晶體T1之汲電極D1及第三電晶體T3之源電極S3，且第六電晶體T6之一汲電極D6電性連接至發光二極體(LED)ED之陽極。第五電晶體T5及第六電晶體T6因應於經由控制線153傳送之發光控制訊號EM而同時導通，且因此，驅動電壓ELVDD由經二極體式連接之驅動電晶體T1進行補償並可在被經二極體式連接之驅動電晶體T1補償之後傳送至發光二極體(LED)ED。
第七電晶體T7之一閘電極G7連接至第三掃描線154，第七電晶體T7之一源電極S7連接至第六電晶體T6之汲電極D6及發光二極體(LED)ED之陽極，且第七電晶體T7之一汲電極D7連接至初始化電壓Vint之端子及第四電晶體T4之源電極S4。另一選擇為，第七電晶體T7之閘電極G7可連接至一單獨之控制線。
電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7可各自是一P型通道電晶體(例如：一P通道金屬氧化物半導體(P-channel Metal Oxide Semiconductor；PMOS))，然而，本發明並非僅限於此，且電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7中之至少一者可以是一N型通道電晶體。
電容器Cst之一個端子Cst1如上所述連接至第一電晶體T1之閘電極G1，且電容器Cst之另一端子Cst2連接至驅動電壓線172。發光二極體(LED)ED之一陰極可連接至傳送一共同電壓ELVSS之一共同電壓ELVSS端子，以接收共同電壓ELVSS。
根據本發明之一實例性實施例，畫素PX之結構並非僅限於第1圖所示結構，且一個畫素PX中所包含之電晶體之一數目及電容器之一數目以及該等電晶體與該等電容器之一連接關係可進行各種修改。
接下來，將參照第2圖連同第1圖來闡述根據本發明一實例性實施例：顯示裝置之一驅動方法。在本說明中將闡述其中電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7是P型通道電晶體之一實例，且將闡述一個訊框內之一操作。
參照第2圖，在一個訊框中，可將具有一低位準之掃描訊號「...、S(n-2)、S(n-1)、Sn、...」依序施加至與該等畫素PX連接之該等第一掃描線151。
在一初始化週期內經由第二掃描線152供應具有一低位準之一掃描訊號GIn。舉例而言，掃描訊號GIn可以是一第(n-1)掃描訊號S(n-1)。然後，第四電晶體T4因應於具有低位準之掃描訊號GIn而導通，初始化電壓Vint經由第四電晶體T4連接至第一電晶體T1之閘電極G1，且驅動電晶體T1由初始化電壓Vint初始化。
隨後，若在一資料程式化與補償週期期間經由第一掃描線151供應具有低位準之掃描訊號GWn，則第二電晶體T2及第三電晶體T3因應於具有低位準之掃描訊號GWn而導通。舉例而言，掃描訊號GWn可以是一第n掃描訊號Sn。在此種情形中，第一電晶體T1藉由導通之第三電晶體T3被二極體式連接且沿一正向方向被施加偏壓。因此，將相對於自資料線171供應之資料訊號Dm被減小了第一電晶體T1之一臨限電壓Vth的一補償電壓(Dm+Vth，Vth是一負值)施加至第一電晶體T1之閘電極G1。舉例而言，對第一電晶體T1之閘電極G1施加之閘極電壓可變為補償電壓(Dm+Vth)。
驅動電壓ELVDD及補償電壓(Dm+Vt)可分別被施加至電容器Cst之二個端子，且電容器Cst可被充以與二個端子之一電壓差對應之一電荷。
接下來，在一發光週期期間，自控制線153供應之發光控制訊號EM自高位準改變成低位準。在一個訊框中，發光控制訊號EM自高位準改變成低位準時之一時間可以是在對所有第一掃描線151施加掃描訊號GWn之後。因此，在發光週期期間，第五電晶體T5及第六電晶體T6由具有低位準之發光控制訊號EM導通。因此，因應於第一電晶體T1之閘電極G1之閘極電壓與驅動電壓ELVDD間之電壓差而產生一驅動電流Id，且驅動電流Id經由第六電晶體T6供應至發光二極體ED，藉此，一電流led流至發光二極體ED。在發光週期 期間，第一電晶體T1之閘極-源極電壓Vgs由電容器Cst維持為「(Dm+Vt)-ELVDD」，且因應於第一電晶體T1之一電流-電壓關係，驅動電流Id可與藉由自驅動閘極-源極電壓減去臨限電壓而獲得之一值之一平方「(Dm-ELVDD)2」成比例。因此，不管第一電晶體T1之臨限電壓Vth如何，皆可確定出驅動電流Id。
在一初始化週期期間，第七電晶體T7經由第三掃描線154接收具有低位準之掃描訊號GI(n+1)而導通。掃描訊號GI(n+1)可以是一第n掃描訊號Sn。在此種情形中，第七電晶體T7可與第二電晶體T2及第三電晶體T3同時導通。驅動電流Id之一部分可藉由導通之第七電晶體T7而經由第七電晶體T7作為一旁路電流Ibp流出。
接下來，將參照第3圖至第8圖連同第1圖及第2圖來闡述根據本發明一實例性實施例，顯示裝置之詳細結構之一實例。
為易於理解，首先闡述根據本發明一實例性實施例之顯示裝置之一平面結構，且然後詳細闡述一橫截面結構。
第3圖是根據本發明一實例性實施例之一顯示裝置之複數個畫素之俯視平面圖，第4圖是第3圖中之「A」所示之一區之俯視平面圖，第5圖是第3圖中之「B」所示之一區之俯視平面圖，且第6圖是第3圖中之「C」所示之一區之俯視平面圖。
根據本發明之一實例性實施例，顯示裝置中所包含之該等畫素PX可分別顯示一預定顏色。舉例而言，該等畫素可包含表示一紅色顏色之一紅色畫素R、表示一綠色顏色之一綠色畫素G及表示一藍色顏色之一藍色畫素B。 第3圖顯示彼此相鄰的紅色畫素R、綠色畫素G及藍色畫素B。另一選擇為，紅色畫素R、綠色畫素G及藍色畫素B中之至少一者可表示不同之顏色。
根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置可包含一第一導電層，該第一導電層包含傳送掃描訊號GWn之第一掃描線151、傳送掃描訊號GIn之第二掃描線152、傳送掃描訊號GI(n+1)之第三掃描線154及傳送發光控制訊號EM之控制線153。第一導電層在剖視圖中設置於一基板110之一個表面上，且第一導電層可包含相同材料並可設置於同一層上。
基板110可包含一無機絕緣材料或一有機絕緣材料(例如：玻璃、塑膠等)，且可以是可撓性的。
在平面圖中，該等掃描線151、152及154以及控制線153可沿相同方向延伸(例如：第3圖中之一水平方向)。在平面圖中，第一掃描線151可設置於第二掃描線152與控制線153之間。當觀看整個顯示裝置時，作為實質上例如第二掃描線152之一掃描線，第三掃描線154可緊接在由第二掃描線152傳送之掃描訊號GIn之後傳送掃描訊號GI(n+1)。如上所述，當第一掃描線151傳送第n掃描訊號Sn時，第三掃描線154亦可傳送第n掃描訊號Sn。
根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置可更包含一第二導電層，該第二導電層包含一儲存線156及一初始化電壓線159。在剖視圖中，第二導電層設置於與第一導電層不同之一層上。舉例而言，第二導電層可設置於第一導電層上，第二導電層可包含相同材料且可設置於同一層中。
在平面圖中，儲存線156與初始化電壓線159可基本上沿相同方向(例如：第3圖中之水平方向)延伸。
儲存線156可在平面圖中設置於第一掃描線151與控制線153之間，且可包含設置於每一畫素R、G及B中之一延伸部157。延伸部157經由一接觸孔68連接至驅動電壓線172，藉此接收驅動電壓ELVDD。延伸部157可具有一開口51。
初始化電壓線159可傳送初始化電壓Vint，且可在平面圖中設置於第三掃描線154與控制線153之間，但位置並非僅限於此。
根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置可更包含一第三導電層，該第三導電層包含傳送資料訊號Dm之資料線171及傳送驅動電壓ELVDD之驅動電壓線172。在剖視圖中，第三導電層設置於與第一導電層及第二導電層不同之層處。舉例而言，第三導電層可在剖視圖中設置於第二導電層上，第三導電層可包含相同材料且可設置於同一層中。
資料線171與驅動電壓線172可在平面圖中基本上沿相同方向(例如：第3圖中之垂直方向)延伸，且可與該等掃描線151、152及154、控制線153、初始化電壓線159以及儲存線156交叉。
畫素R、G及B其中之每一者可包含該等電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7、電容器Cst以及發光二極體(LED)ED，該等電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7連接至掃描線151、152及154、控制線153、資料線171及驅動電壓線172。
一個畫素PX之該等電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7之每一通道可形成於一個主動圖案130中，且主動圖案130可彎曲成各種形狀。主動圖案130可包含一半導體材料，例如：多晶矽或氧化物半導體。
在剖視圖中，主動圖案130可設置於基板110與第一導電層之間。
主動圖案130包含通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g以及一導電區，通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g形成電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7之每一通道。舉例而言，第三電晶體T3與第四電晶體T4可具有一雙重閘極結構(dual gate structure)。在此種情形中，第三電晶體T3包含二個通道區131c_1及131c_2，且第四電晶體T4亦包含二個通道區131d_1及131d_2。
主動圖案130之導電區設置於通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g其中之每一者之二側處，且具有較通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g之載子濃度高之一載子濃度。在主動圖案130中，除通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g外之其餘部分中之大多數可以是導電區。設置於電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7其中之每一者之通道區131a、131b、131c_1、131c_2、131d_1、131d_2、131e、131f及131g之二側處以作為對應電晶體T1、T2、T3、T4、T5、T6及T7之一源極區及一汲極區之一對導電區可充當源電極及汲電極。
第一電晶體T1包含：一通道區131a；一源極區136a及一汲極區137a，是主動圖案130被設置於通道區131a之相應側處之導電區；以及一驅動閘電極155a，在平面圖中，與通道區131a交疊。
第一電晶體T1之通道區131a可彎折至少一次。舉例而言，通道區131a可具有一蜿蜒形狀(meandering shape)或一曲折形狀(zigzag shape)。 第3圖至第6圖顯示其中通道區131a具有交替地設置成面向上及面向下之一U形狀之一實例。
在平面圖中，源極區136a及汲極區137a連接至通道區131a之相應側。
驅動閘電極155a可包含於第一導電層中，且可經由一接觸孔61連接至一連接器174。在一平面圖中，接觸孔61可設置於開口51之內。在剖視圖中，連接器174可包含於第三導電層中。連接器174可沿基本上與資料線171之一延伸方向平行之一方向伸長。連接器174連同驅動閘電極155a一起對應於第1圖之一電路圖中所示之一驅動閘極節點GN。
第二電晶體T2包含：通道區131b；一源極區136b及一汲極區137b，是主動圖案130被設置於通道區131b之相應側處之導電區；以及一閘電極155b，在平面圖中，與通道區131b交疊。閘電極155b是第一掃描線151之一部分。源極區136b在平面圖中是基於第一掃描線151向上設置，連接至通道區131b，且經由一接觸孔62連接至資料線171。汲極區137b在平面圖中是基於第一掃描線151向下設置，連接至通道區131b，且連接至第一電晶體T1之源極區136a。
第三電晶體T3可由二個部分形成，以防止出現洩漏電流。舉例而言，第三電晶體T3可包含彼此相鄰且彼此連接的一上部第三電晶體T3_1及一下部第三電晶體T3_2。
上部第三電晶體T3_1包含：通道區131c_1，在平面圖中與第一掃描線151交疊；一源極區136c_1及一汲極區137c_1，是主動圖案130被設置於通道區131c_1之相應側處之導電區；以及一閘電極155c_1，與通道區131c_1 交疊。閘電極155c_1可以是第一掃描線151之一突出部之一部分。汲極區137c_1在平面圖中是基於第一掃描線151向上設置，且經由一接觸孔63連接至連接器174。
下部第三電晶體T3_2包含：通道區131c_2，在平面圖中，與第一掃描線151交疊；一源極區136c_2及一汲極區137c_2，是主動圖案130被設置於通道區131c_2之相應側處之導電區；以及一閘電極155c_2，與通道區131c_2交疊。閘電極155c_2是第一掃描線151之一部分。下部第三電晶體T3_2之源極區136c_2連接至第一電晶體T1之汲極區137a，且汲極區137c_2連接至第三電晶體T3_1之上部源極區136c_1。
第四電晶體T4亦可由二個部分形成，以防止出現洩漏電流。舉例而言，第四電晶體T4可包含彼此相鄰且彼此連接的一左側第四電晶體T4_1及一右側第四電晶體T4_2。
左側第四電晶體T4_1包含：通道區131d_1，在平面圖中，與第二掃描線152交疊；一源極區136d_1及一汲極區137d_1，是主動圖案130被設置於通道區131d_1之相應側處之導電區；以及一閘電極155d_1，與通道區131d_1交疊。閘電極155d_1是第二掃描線152之一部分。汲極區137d_1在平面圖中是基於第二掃描線152向下設置，連接至上部第三電晶體T3_1之汲極區137c_1，且經由接觸孔63連接至連接器174。
右側第四電晶體T4_2包含：通道區131d_2，在平面圖中，與第二掃描線152交疊；一源極區136d_2及一汲極區137d_2，是主動圖案130被設置於通道區131d_2之相應側處之導電區；以及一閘電極155d_2，與通道區131d_2交疊。閘電極155d_2是第二掃描線152之一部分。汲極區137d_2連接 至左側第四電晶體T4_1之源極區136d_1，且源極區136d_2經由一接觸孔65連接至一連接器175。
在剖視圖中，連接器175可包含於一第二導電層或一第三導電層中。當連接器175包含於第三導電層中時，連接器175經由一接觸孔64電性連接至初始化電壓線159。當連接器175包含於第二導電層中時，連接器175在剖視圖中設置於與初始化電壓線159相同之層上，且可連接至初始化電壓線159。
在平面圖中，和為驅動閘電極155a傳送一電壓之連接器174連接之左側第四電晶體T4_1之通道區131d_1與源極區136d_1間之一邊界以及通道區131d_1與汲極區137d_1間之一邊界可各自連同通道區131d_1被驅動電壓線172覆蓋。通道區131d_1、通道區131d_1與源極區136d_1間之邊界以及通道區131d_1與汲極區137d_1間之邊界在平面圖中與驅動電壓線172交疊，且可設置於驅動電壓線172之一平面區中。在平面圖中，左側第四電晶體T4_1之通道區131d_1、源極區136d_1及汲極區137d_1其中之每一者在水平方向上之一寬度小於驅動電壓線172在水平方向上之一寬度，且通道區131d_1、源極區136d_1及汲極區137d_1皆可設置於驅動電壓線172之區以內。
因此，雖然外部光(例如：第8圖中所示之光)入射至顯示裝置，但外部光被驅動電壓線172阻擋，進而使得可防止外部光入射至左側第四電晶體T4_1之通道區131d_1。因此，直接連接至驅動閘極節點GN之左側第四電晶體T4_1會防止原本將由該光引起之洩漏電流出現，俾使電容器Cst之電壓改變可得以抑制。可相應地防止一顯示故障(例如：影像之一亮度改變及一顏色座標改變)發生。
存在一上部第三電晶體T3_1，其作為與為驅動閘電極155a傳送電壓之連接器174直接連接之一個電晶體。在平面圖中，上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及/或通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界被一遮擋部176覆蓋。舉例而言，在平面圖中，通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界至少其中之一與遮擋部176交疊，藉此設置於遮擋部176之區中。
舉例而言，如上所示，在平面圖中，遮擋部176和上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界交疊。遮擋部176可不和上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與汲極區137c_1之邊界交疊，且因此，在平面圖中，此等元件可與連接器174間隔開。
在平面圖中，作為自上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界至遮擋部176在一左側或一右側之一個邊緣之一距離的寬度W1可以是約3微米或大於3微米，然而，寬度W1並非僅限於此。
遮擋部176可包含於第二導電層或第三導電層中。當遮擋部176包含於第三導電層中時，遮擋部176可設置於與連接器175相同之層上，且可電性連接及實體連接至連接器175。遮擋部176可與連接至驅動閘電極155a之連接器174間隔開一預定距離。
此外，遮擋部176可更包含在平面圖中和上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與汲極區137c_1之間的邊界交疊之一部分。舉例而言，當遮擋部176在剖視圖中設置於與連接器174不同之一層上時，如上所述，遮擋部176可包含在平面圖中和上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1之間的邊界交疊之一部分。
根據本發明之一實例性實施例，雖然外部光入射至顯示裝置，但外部光被遮擋部176阻擋，進而使得可防止外部光經由上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與源極區136c_1及/或汲極區137c_1間之邊界部入射。因此，直接連接至驅動閘極節點GN之上部第三電晶體T3_1會防止因該光引起之洩漏電流出現，進而使得電容器Cst之電壓改變可得以抑制，且因此，可防止一顯示故障(例如：影像之一亮度改變及一顏色座標改變)發生。
第五電晶體T5包含：通道區131e；一源極區136e及一汲極區137e，是主動圖案130被設置於通道區131e之相應側處之導電區；以及一閘電極155e，與通道區131e交疊。閘電極155e是控制線153之一部分。源極區136e在平面圖中是基於控制線153向下設置，連接至通道區131e，且經由一接觸孔67連接至驅動電壓線172。汲極區137e在平面圖中是基於控制線153向上設置，連接至通道區131e，且連接至第一電晶體T1之源極區136a。
第六電晶體T6包含：通道區131f；一源極區136f及一汲極區137f，是主動圖案130被設置於通道區131f之相應側處之導電區；以及一閘電極155f，與通道區131f交疊。閘電極155f是控制線153之一部分。源極區136f在平面圖中是基於控制線153向上設置，連接至通道區131f，且連接至第一電晶體T1之汲極區137a。汲極區137f在平面圖中是基於控制線153向下設置，連接至通道區131f，且經由一接觸孔69連接至一連接器179。在剖視圖中，連接器179可包含於第三導電層中。
第七電晶體T7包含：通道區131g；一源極區136g及一汲極區137g，是主動圖案130被設置於通道區131g之相應側處之導電區；以及一閘電極155g，與通道區131g交疊。閘電極155g是第三掃描線154之一部分。源極 區136g在平面圖中是基於第三掃描線154向上設置，連接至通道區131g，且連接至第六電晶體T6之汲極區137f。汲極區137g在平面圖中是基於第三掃描線154向下設置，且經由接觸孔65連接至連接器175，藉此接收初始化電壓Vint。
電容器Cst可包含在平面圖中彼此交疊的驅動閘電極155a以及儲存線156之延伸部157來作為二個端子。電容器Cst可維持和接收驅動電壓ELVDD之儲存線156之延伸部157與驅動閘電極155a之電壓間之一差對應之一電壓差。儲存線156之延伸部157在平面圖中可具有較驅動閘電極155a寬之一面積，且可覆蓋對應驅動閘電極155a之整個面積。
第二導電層可更包含與資料線171交疊之一遮擋圖案158。遮擋圖案158經由一接觸孔66連接至驅動電壓線172，藉此接收驅動電壓ELVDD。遮擋圖案158在驅動閘極節點GN與資料線171之間進行遮擋，藉此阻止驅動閘極節點GN因資料訊號Dm之改變而發生電壓改變。根據本發明之某些實例性實施例，可省略遮擋圖案158。
根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置可更包含一第四導電層，該第四導電層包含複數個畫素電極191a、191b及191c以及一畫素導電圖案192。在剖視圖中，第四導電層設置於與第一導電層、第二導電層及第三導電層不同之一層上。舉例而言，第四導電層可在剖視圖中設置於第三導電層上，且第四導電層可包含相同材料並可設置於同一層上。
該等畫素電極191a、191b及191c可排列成一PenTile矩陣結構。舉例而言，紅色畫素R之畫素電極191a及藍色畫素B之畫素電極191c可沿水平方向交替地排列，紅色畫素R之畫素電極191a及綠色畫素G之畫素電極191b可沿一第一對角線方向交替地排列，且藍色畫素B之畫素電極191c及綠色畫素 G之畫素電極191b可沿一第二對角線方向交替地排列，第二對角線方向可不同於第一對角線方向。然而，畫素電極191a、191b及191c之排列並非僅限於此。
紅色畫素R之畫素電極191a可小於藍色畫素B之畫素電極191c，且綠色畫素G之畫素電極191b可小於紅色畫素R之畫素電極191a。
畫素電極191a、191b及191c其中之每一者經由一接觸孔89連接至連接器179，藉此接收電壓。
畫素導電圖案192可沿相鄰畫素電極191a、191b及191c之一邊緣彎折，且可包含分別交替地排列之一筆直部(192a、192b及192c)及一傾斜部193。筆直部(192a、192b及192c)可主要平行於掃描線151、152及154而延伸，且傾斜部193可相對於筆直部(192a、192b及192c)之延伸方向傾斜地延伸。筆直部192a可相鄰地位於紅色畫素R之畫素電極191a上，筆直部192b可相鄰地位於綠色畫素G之畫素電極191b上，且筆直部192c可相鄰地位於藍色畫素B之畫素電極191c上。
畫素導電圖案192可傳送初始化電壓Vint。
參照第3圖至第6圖，在平面圖中，上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1、通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界各自被第四導電層覆蓋。
在平面圖中，紅色畫素R之上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1、通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界各自與畫素電極191a交疊，藉此設置於畫素電極191a之平面區中。在平面圖中，綠色畫素G之上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1、通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界各自與畫素 導電圖案192交疊，且例如與畫素導電圖案192之筆直部192b交疊，藉此設置於畫素導電圖案192之平面區中。在平面圖中，藍色畫素B之上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1、通道區131c_1與源極區136c_1間之邊界及通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界各自與畫素電極191c交疊，藉此設置於畫素電極191c之平面區中。
因此，雖然外部光入射至顯示裝置，但外部光被包含畫素電極191a、191b及191c以及畫素導電圖案192之第四導電層阻擋，進而使得可防止外部光入射至上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1中。舉例而言，雖然上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界未被遮擋部176覆蓋，但通道區131c_1與汲極區137c_1間之邊界連同通道區131c_1被第四導電層覆蓋，進而使得可阻止外部光入射至上部第三電晶體T3_1之通道區131c_1中。因此，在直接連接至驅動閘極節點GN之上部第三電晶體T3_1中會阻止因該光引起之洩漏電流出現，進而使得電容器Cst之電壓改變可得以抑制。
接下來，將參照第3圖至第8圖詳細闡述根據本發明一實例性實施例，顯示裝置之一橫截面結構。
一基板110上可設置有一緩衝層120。緩衝層120阻止來自基板110之雜質污染位於緩衝層120上方之一上部層。舉例而言，緩衝層120可阻止來自基板110之雜質滲入至主動圖案130中，以提高主動圖案130之所需特性且降低對主動圖案130施加之應力。緩衝層120可包含一無機絕緣材料(例如：氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx))或一有機絕緣材料。可省略緩衝層120之至少一部分。
上述主動圖案130設置於緩衝層120上，且主動圖案130上設置有一第一絕緣層141。
上述第一導電層可設置於第一絕緣層141上。第一導電層可包含一金屬，例如：銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、或其合金。
第一導電層及第一絕緣層141上可設置有一第二絕緣層142。
上述第二導電層可設置於第二絕緣層142上。第二導電層可包含一金屬，例如：銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、或其合金。
第二導電層及第二絕緣層142上可設置有一第三絕緣層160。
第一絕緣層141、第二絕緣層142及第三絕緣層160中之至少一者可包含無機絕緣材料(例如：氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx))及/或有機絕緣材料。
第一絕緣層141、第二絕緣層142及第三絕緣層160可包含設置於驅動閘電極155a上之接觸孔61、設置於第二電晶體T2之源極區136b上之接觸孔62、設置於上部第三電晶體T3_1之汲極區137c_1或左側第四電晶體T4_1之汲極區137d_1上之接觸孔63、設置於初始化電壓線159上之接觸孔64、設置於右側第四電晶體T4_2之源極區136d_2或第七電晶體T7之汲極區137g上之接觸孔65、設置於遮擋圖案158上之接觸孔66、設置於第五電晶體T5之源極區136e上之接觸孔67、設置於儲存線156之延伸部157上之接觸孔68及設置於第六電晶體T6之汲極區137f上之接觸孔69。接觸孔61可以是穿過儲存線156之延伸部157之開口51而形成。
上述第三導電層可設置於第三絕緣層160上。第三導電層可包含金屬，例如：銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、或其合金。
儲存線156之延伸部157與驅動閘電極155a交疊且其之間夾置有第二絕緣層142，藉此形成電容器Cst。
第三導電層及第三絕緣層160上設置有一鈍化層180。鈍化層180可包含一有機絕緣材料(例如：聚丙烯酸樹脂及聚醯亞胺樹脂)，且鈍化層180之一上部表面可以是實質上平的。鈍化層180可包含設置於連接器179上之接觸孔89。
上述第四導電層可設置於鈍化層180上。
鈍化層180及第四導電層上可設置有一畫素界定層(pixel defining layer；PDL)350。畫素界定層350具有形成於畫素電極191a、191b及191c上之一開口351。
畫素電極191a、191b及191c上設置有一發射層370。發射層370可設置於開口351中。發射層370可包含一有機發光材料或一無機發光材料。
發射層上設置有一共同電極270。共同電極270亦可形成於畫素界定層350上，藉此遍及該等畫素延伸。
畫素電極191a、191b及191c、發射層370以及共同電極270一同形成發光二極體(LED)ED。
共同電極270上可設置有保護發光二極體(LED)ED之一囊封層。該囊封層可包含交替堆疊之無機層及有機層。
接下來，將參照第9圖至第15圖以及上述各圖式來闡述根據本發明實例性實施例之顯示裝置。可假定，下文未具體闡述之元件與已闡述之對應元件類似或相同。
首先，參照第9圖，顯示裝置可與根據第1圖至第8圖所示上述實例性實施例之顯示裝置幾乎相同，然而，在本實例中，遮擋部176與連接器175間隔開。在剖視圖中，遮擋部176可設置於與連接器175相同之層處，且遮擋部176可設置於不同層處。
接下來，參照第10圖及第11圖，根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置與根據上述實例性實施例之顯示裝置幾乎相同，然而，在剖視圖中，連接器175包含於第二導電層中。因此，連接器175設置於與初始化電壓線159相同之層處，且可實體連接及電性連接至初始化電壓線159。遮擋部176亦可包含於第二導電層中，且可連接至連接器175。
接下來，參照第12圖至第14圖，根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置與根據第10圖及第11圖所示上述實例性實施例之顯示裝置幾乎相同，然而，遮擋部176與連接器175間隔開。在剖視圖中，遮擋部176可設置於與連接器175不同之一層處。舉例而言，遮擋部176可包含於第二導電層中。
接下來，參照第15圖，根據本發明之一實例性實施例，該顯示裝置與根據上述實例性實施例之顯示裝置幾乎相同，然而，可省略包含儲存線156、初始化電壓線159、遮擋圖案158等之第二導電層。此外，可省略第二絕緣層142。
驅動電壓線172可包含與驅動閘電極155a交疊之一延伸部173，且在平面圖中，延伸部173與驅動閘電極155a彼此交疊且其之間夾置有絕緣層(例如：上述第三絕緣層160)以形成電容器Cst。因此，可提高空間利用效率，且可形成具有充足電容之電容器Cst。
鈍化層180可包含設置於連接器175上之一接觸孔88。畫素導電圖案192可傳送初始化電壓Vint，且可經由接觸孔88電性連接至連接器175，藉此將初始化電壓Vint傳送至連接器175。
儘管已結合實例性實施例闡述了本發明，然而，應理解，本發明並非僅限於所揭露實施例，而是相反，旨在涵蓋包含於本發明之精神及範圍內之各種潤飾及等效配置。
51:開口
61:接觸孔
62:接觸孔
63:接觸孔
64:接觸孔
65:接觸孔
66:接觸孔
67:接觸孔
68:接觸孔
69:接觸孔
89:接觸孔
131a:通道區
131b:通道區
131c_1:通道區
131c_2:通道區
131d_1:通道區
131d_2:通道區
131e:通道區
131f:通道區
131g:通道區
136a:源極區
136b:源極區
136c_1:源極區
136c_2:源極區
136d_1:源極區
136d_2:源極區
136e:源極區
136f:源極區
136g:源極區
137a:汲極區
137b:汲極區
137c_1:汲極區
137c_2:汲極區
137d_1:汲極區
137d_2:汲極區
137e:汲極區
137f:汲極區
137g:汲極區
151:訊號線/第一掃描線
152:訊號線/第二掃描線
153:訊號線/控制線
154:訊號線/第三掃描線
155a:驅動閘電極
155b:閘電極
155c_1:閘電極
155c_2:閘電極
155d_1:閘電極
155d_2:閘電極
155e:閘電極
155f:閘電極
155g:閘電極
156:儲存線
157:延伸部
158:遮擋圖案
159:初始化電壓線
171:訊號線/資料線
172:訊號線/驅動電壓線
174:連接器
175:連接器
176:遮擋部
179:連接器
191a:畫素電極
192:畫素電極
192a:筆直部
A:區
Cst:電容器
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3_1:上部第三電晶體
T3_2:下部第三電晶體
T4_1:左側第四電晶體
T4_2:右側第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
VII-VII':線
VIII-VIII':線
W1:寬度

Claims (7)

  1. 一種顯示裝置，包含：複數個訊號線；複數個畫素，連接至該等訊號線；以及一畫素導電圖案，其中該等畫素包含彼此相鄰的一第一畫素及一第二畫素，其中各該第一畫素及該第二畫素包含：一第一電晶體，包含：一第一閘電極；一第一通道區，在一平面圖中，至少局部地與該第一閘電極交疊；一第一源極區；以及一第一汲極區，面對該第一源極區，其中該第一通道區夾置於該第一源極區與該第一汲極區之間；一第三電晶體，包含：一第三閘電極；一第三通道區，在該平面圖中，至少局部地與該第三閘電極交疊；一第三汲極區，連接至該第一閘電極；以及一第三源極區，面對該第三汲極區，其中該第三通道區夾置於該第三源極區與該第三汲極區之間；以及一遮擋部(shielding part)，在該平面圖中，至少局部地和該第三源極區與該第三通道區間之一邊界交疊且不和該第三汲極區與該第三通道區間之一邊界交疊，其中該第一畫素包含一第一畫素電極，且該第二畫素包含一第二畫素電極，其中該畫素導電圖案係沿著該第一畫素電極及該第二畫素電極的邊緣彎折，且包含交替地排列之筆直部及傾斜部， 其中在該平面圖中，該第一畫素電極係至少局部地和該第一畫素之該第三源極區與該第三通道區間之該邊界以及該第三汲極區與該第三通道區間之該邊界交疊，且在該平面圖中，該畫素導電圖案係至少局部地和該第二畫素之該第三源極區與該第三通道區間之該邊界以及該第三汲極區與該第三通道區間之該邊界交疊。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一第一連接器，連接至該第一閘電極且設置於與該第一閘電極不同之一層中，其中該第三汲極區連接至該第一連接器。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，更包含：一初始化電壓線(initialization voltage line)，傳送一初始化電壓；以及一第二連接器，連接至該初始化電壓線，其中該遮擋部連接至該第二連接器。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中在一剖視圖中，該遮擋部設置於與該第二連接器相同之一層中。
  5. 如請求項3所述之顯示裝置，其中在一剖視圖中，該遮擋部設置於與該第一連接器相同之一層中。
  6. 一種顯示裝置，包含：一掃描線；一驅動電壓線，用以傳送一驅動電壓；一第一電晶體，包含：一第一閘電極；一第一通道區，在一平面圖中與該第一閘電極交疊；以及彼此面對的一第一源極區及一第一 汲極區，其中該第一通道區夾置於該第一源極區與該第一汲極區之間；一第二電晶體，包含：一第二閘電極；一第二通道區，在該平面圖中與該第二閘電極交疊；一第二汲極區，電性連接該第一閘電極；以及一第二源極區，與該第二汲極區彼此面對，且該第二通道區夾置於該第二源極區與該第二汲極區之間；一第三電晶體，包含：一第三閘電極連接至該掃描線；一第三通道區，在該平面圖中與該第三閘電極交疊；一第三汲極區，電性連接至該第一閘電極且在該平面圖中從該第二汲極區延伸；以及一第三源極區，面對該第三汲極區，其中該第三通道區夾置於該第三源極區與該第三汲極區之間；一第四電晶體，包含：一第四閘電極連接至該掃描線；一第四通道區，在該平面圖中與該第四閘電極交疊；一第四汲極區，在該平面圖中從該第三源極區延伸；以及一第四源極區，與該第四汲極區彼此面對，且該第四通道區夾置於該第四源極區與該第四汲極區之間；一遮擋部，在該平面圖中，與該第二源極區與該第二通道區間之一邊界交疊，且不與該第二汲極區與該第二通道區間之一邊界交疊；以及一發光二極體，包含一畫素電極、一發射層及一共同電極，其中在該平面圖中，該畫素電極係與該第二源極區與該第二通道區間之該邊界以及該第二汲極區與該第二通道區間之該邊界交疊，且 在該平面圖中，該驅動電壓線係與該第三源極區與該第三通道區間之一邊界和該第三汲極區與該第三通道區間之一邊界交疊，且不與該第四源極區與該第四通道區間之一邊界交疊。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，更包含：一第一連接器，連接至該第一閘電極且設置於與該第一閘電極不同之一導電層處；其中該第二汲極區與該第三汲極區係透過該第一連接器電性連接至該第一閘電極。
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