CN111554693B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于均衡显示面板中各个位置处的过孔密度，提高TFT的性能。显示区包括多个像素电路；非显示区包括设置多个选通电路组的选通电路区和设置多个栅极驱动电路单元的栅极驱动电路区；像素电路、选通电路组和栅极驱动电路单元均包括多个晶体管，晶体管包括的有源结构和第二电极之间包括第一无机绝缘层，第一无机绝缘层包括贯穿第一无机绝缘层的第一子过孔、第二子过孔和第二过孔；第二电极和第三电极分别通过第一子过孔和第二子过孔与有源结构电连接；第二过孔与有源结构在显示面板所在平面的正投影不交叠；选通电路区和/或栅极驱动电路区包括第二过孔。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下简称TFT)是组成显示面板的重要组成部分。目前，在显示面板的显示区和非显示区均会设置TFT器件。例如，在显示区中设置TFT器件用于构建像素电路。在非显示区中设置TFT器件用于构建周边电路。TFT器件的性能对显示面板的显示效果具有重要影响。如何合理设计显示面板中不同区域处的TFT器件的结构以保证显示面板的显示效果，成为研究人员的研究重点。
【发明内容】
本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法，显示装置，用以通过对显示面板中不同区域的TFT器件结构进行合理设计，以保证显示面板的显示效果。
一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括显示区和非显示区；
所述显示区包括多个像素电路；
所述非显示区包括选通电路区和栅极驱动电路区，所述选通电路区包括多个选通电路组，所述栅极驱动电路区包括多个栅极驱动电路单元；
所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元均包括多个晶体管，所述晶体管包括有源结构、第一电极、第二电极和第三电极，所述有源结构和所述第二电极之间包括第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层包括贯穿所述第一无机绝缘层的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔；所述第一子过孔在所述显示面板所在平面的正投影和所述第二子过孔在所述显示面板所在平面的正投影均与所述有源结构在所述显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影与所述有源结构在所述显示面板所在平面的正投影不交叠，所述第二电极通过所述第一子过孔与所述有源结构电连接，所述第三电极通过所述第二子过孔与所述有源结构电连接；
所述选通电路区包括所述第二过孔；
和/或，
所述栅极驱动电路区包括所述第二过孔。
另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括选通电路区和栅极驱动电路区，所述制备方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成像素电路、选通电路组和栅极驱动电路单元；所述像素电路位于所述显示区，所述选通电路组位于所述选通电路区，所述栅极驱动电路单元位于所述栅极驱动电路区；所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元均包括多个晶体管，所述晶体管包括有源结构、第一电极、第二电极和第三电极；
形成所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元的方法包括：
在所述衬底基板的一侧形成所述有源结构、所述第一电极和第一无机绝缘层；所述第一无机绝缘层位于所述有源结构远离所述衬底基板的一侧；
在所述第一无机绝缘层中形成贯穿所述第一无机绝缘层的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第一子过孔在所述衬底基板所在平面的正投影和所述第二子过孔在所述衬底基板所在平面的正投影均与所述有源结构在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分交叠；所述第二过孔在所述衬底基板所在平面的正投影与所述有源结构在所述衬底基板所在平面的正投影不交叠；
对所述第一无机绝缘层进行氢化处理；
在所述氢化后的所述第一无机绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极和第三电极，所述第二电极通过所述第一子过孔与所述有源结构电连接，所述第三电极通过所述第二子过孔与所述有源结构电连接；
所述选通电路区包括所述第二过孔；
和/或，
所述栅极驱动电路区包括所述第二过孔。
再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，通过在栅极驱动电路区和/或选通电路区设置不起电性连接作用的第二过孔，能够均衡原本过孔密度不均的栅极驱动电路区和/或选通电路区的过孔密度，进而在对第一无机绝缘层和有源结构进行氢化处理的时候，能够均衡栅极驱动电路区和/或选通电路区中的第一无机绝缘层和有源结构在不同位置处的氢含量，进而使栅极驱动电路区和/或选通电路区中不同位置处的TFT器件的特性趋于一致，从而在通过栅极驱动电路区和/或选通电路区中这些TFT组成的周边电路驱动位于显示区中的子像素的显示时，能够使不同位置处的子像素的亮度趋于一致，避免出现部分位置过暗或过亮的显示不均现象，有利于改善显示面板的显示均一性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中一种TFT器件的截面示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的俯视示意图；
图4为图3中单个子像素的布线示意图；
图5为图4的一种截面示意图；
图6为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板所包括的像素电路的示意图；
图7为图6所示的像素电路的布线示意图；
图8为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的部分位置的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路单元的电路示意图；
图10为图9所示的栅极驱动电路单元的布线示意图；
图11为本发明实施例提供的一种选通电路组的电路示意图；
图12为图11所示的选通电路组的布线示意图；
图13为本发明实施例提供的显示面板的部分位置的一种截面示意图；
图14为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路区的过孔分布示意图；
图15为本发明实施例提供的一种选通电路区的过孔分布示意图；
图16为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路区的部分位置的放大示意图；
图17为本发明实施例提供的一种选通电路区的部分位置的放大示意图；
图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图；
图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图；
图20为图19中区域Q的一种放大示意图；
图21为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图22为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二等来描述过孔，但这些过孔不应限于这些术语。这些术语仅用来将起不同作用的过孔彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一过孔也可以被称为第二过孔，类似地，第二过孔也可以被称为第一过孔。
目前，对于采用有源驱动方式的显示面板来说，其在显示区中会设置用于控制像素独立显示的像素电路，在非显示区中会设置与像素电路电连接的周边电路。像素电路和周边电路均包括TFT器件。如图1所示，图1为现有技术中一种TFT器件的截面示意图，其中，半导体层2’、第一绝缘层31’、栅极4’、第二绝缘层32’、源极51’和漏极52’、以及第三绝缘层33’形成在衬底基板1’的同一侧。其中，源极51’和漏极52’分别通过贯穿第一绝缘层31’和第二绝缘层32’的过孔与半导体层2’电连接。其中，第一绝缘层31’和第二绝缘层32’为由无机材料制成的无机绝缘层。
在制备具有如图1所示结构的TFT器件时，在第二绝缘层32’制备完成后，需要制备贯穿第一绝缘层31’和第二绝缘层32’的过孔。在过孔制备完成后，需要先对第一绝缘层31’、第二绝缘层32’和半导体层2’进行氢化处理，以消除第一绝缘层31’、第二绝缘层32’和半导体层2’中的界面态缺陷，然后再制备形成源极51’和漏极52’的金属层。在氢化处理过程中，半导体层2’中会形成含有大量硅氢键Si:H的氢化非晶硅(a-Si:H)，能够提高半导体层2’的电导率。
在实现本发明的过程中，发明人研究发现，目前，显示面板存在不同位置处的显示亮度不同的显示不均问题。发明人经解析发现，与亮度较小的位置处的像素连接的周边电路的TFT器件存在阈值电压Vth正漂，漏电流较大的问题。而且，经研究发现，TFT器件特性与其中无机绝缘层和半导体层中的氢含量有关。
具体的，由于非显示区中的周边电路所包括的电子元件及各种走线数量多且排布复杂，目前非显示区中周边电路所包括的TFT的分布相对显示区中的TFT的分布较为不均。在非显示区中，存在部分位置的TFT的分布较为稀疏的情况。
由于TFT器件的分布不均，导致无机绝缘层在非显示区的不同位置处所包括的起电性连接作用的过孔的分布也较为不均。而由于TFT器件制备过程中的氢化处理发生在对无机绝缘层进行打孔操作的处理之后，因此过孔密度将影响第一绝缘层31’、第二绝缘层32’和半导体层2’中不同位置处的氢化程度，导致第一绝缘层31’、第二绝缘层32’和半导体层2’中不同位置处的氢含量有较大差异，进而导致不同位置处的TFT器件的特性不一致。
具体的，发明人在研究过程中发现，在过孔密度较小的地方，氢化处理后，第一绝缘层31’、第二绝缘层32’和半导体层2’中氢含量较多，TFT器件的阈值电压Vth正偏，漏电流增大，与该位置处的TFT器件电连接的像素亮度将减小，显示时在该像素处出现暗点。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板，如图2所示，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图，其中，该显示面板包括显示区AA和非显示区NA。显示区AA包括多个子像素1、以及与子像素1电连接的扫描线2和数据线3。其中，扫描线2沿第一方向x延伸，多条扫描线2沿第二方向y排列。数据线3沿第二方向y延伸，多条数据线3沿第一方向x排列。扫描线2和数据线3交叉限定出子像素1的位置。其中，子像素1包括像素电路(未图示)。像素电路包括晶体管。示例性的，像素电路所包括的晶体管可以为TFT。
需要说明的是，根据显示类型的不同，上述像素电路可以有多种不同的结构。例如，以显示面板为液晶显示面板为例，如图3、图4和图5所示，图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的显示区的俯视示意图，图4为图3中单个子像素的放大示意图，图5为图4的一种截面示意图，上述子像素1还包括像素电极101、公共电极102(图3和图4未图示)和液晶分子103(图3和图4未示出)，上述像素电路可以包括连接像素电极101与扫描线2和数据线3的TFT，其中，TFT的控制极与扫描线2相连，源极和漏极分别与像素电极101和数据线3相连。
以显示面板为有机发光显示面板为例，上述子像素1所包括的像素电路可以包括存储电容C和多个TFT。可选的，在有机发光显示面板中，可以将上述扫描线设置为包括第一扫描线21、第二扫描线22，以及发光信号线E的多条走线。有机发光显示面板还包括提供参考电压信号的参考信号线VREF，以及提供第一电源电压的第一电源电压信号线PVDD和提供第二电源电压的第二电源电压信号线PVEE。结合图6、图7和图8所示，图6为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板所包括的像素电路的示意图，图7为图6所示的像素电路的布线示意图，图8为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的部分位置的截面示意图，其中，像素电路为包括7个晶体管T11、T12、……、T16、T17和1个存储电容C1的7T1C结构。如图6所示，上述子像素1还包括与像素电路电连接的有机发光器件8，有机发光器件8包括层叠设置的阳极81、发光层83和阴极82。阳极81可以与其中的第六晶体管T16和第七晶体管T17的源极或漏极相连。
继续参考图2，非显示区NA包括栅极驱动电路区NA1和选通电路区NA2。栅极驱动电路区NA1包括多个与扫描线2电连接的栅极驱动电路单元4。选通电路区NA2包括多个与数据线3电连接的选通电路组5。栅极驱动电路单元4和选通电路组5也包括多个晶体管。栅极驱动电路单元4和选通电路组5所包括的晶体管也可以为TFT。
示例性的，如图9和图10所示，图9为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路单元的电路示意图，图10为图9所示的栅极驱动电路单元的布线示意图，其中，栅极驱动电路单元4包括T21、T22、T23、……、T28、T29、T30这10个晶体管以及C21、C22、C33这三个存储电容。可选的，栅极驱动电路区NA1所包括的多个栅极驱动电路单元4相互级联。对于相邻两级的栅极驱动电路单元4来说，其中一个的输出信号OUT除了提供给与其电连接的扫描线2之外，还提供给另一个栅极驱动电路单元4作为该栅极驱动电路单元4的输入信号IN。其中，第一级栅极驱动电路单元4的输入信号可以由帧开始信号STV提供。在显示面板工作时，多级栅极驱动电路单元4逐次输出有效电平信号，以通过多行扫描线2传输至相应行的子像素，使对应行的子像素开启。
结合图2、图11和图12所示，图11为本发明实施例提供的一种选通电路组的电路示意图，图12为图11所示的选通电路组的布线示意图，其中，图11和图12以选通电路组5包括M1、M2、……、M5、M6这6个晶体管作为示意，当然，选通电路组5所包括的晶体管的数量可以为其他，本发明实施例在此不再一一赘述。如图2所示，非显示区NA还包括数据驱动器6。数据驱动器6包括多个数据输出端。如图11和图12所示，一个数据输出端通过一个选通电路组5与M条数据线电连接；其中，M为大于1的整数。具体的，同属于一个选通电路组5的多个晶体管的源极与多条数据线3一一对应连接，漏极与同一个数据输出端连接。选通电路区NA2还包括与选通电路组5中的晶体管的控制极对应连接的开关控制信号线CKH，例如，在选通电路组5包括M1、M2、……、M5、M6这6个晶体管时，选通电路区NA2还包括CKH1、CKH2、……、CKH5、CKH6这6条开关控制信号线，以控制晶体管M1、M2、……、M5、M6分时导通。数据输出端B1输入的数据信号可以分时提供给与该选通电路组5连接的6条数据线3，如此设置能够减少提供数据驱动器6的数据输出端的端子数量。
如图13所示，图13为本发明实施例提供的显示面板的部分位置的一种截面示意图，其中，晶体管TFT包括有源结构60、第一电极61、第二电极62和第三电极63，有源结构60和第二电极62之间包括第一无机绝缘层641，第一无机绝缘层641包括贯穿第一无机绝缘层641的过孔，过孔包括第一过孔71和第二过孔72，第一过孔71包括第一子过孔711和第二子过孔712。
在本发明实施例中，第一子过孔711在显示面板所在平面的正投影和第二子过孔712在显示面板所在平面的正投影均与有源结构60在显示面板所在平面的正投影至少部分交叠。第二电极62通过第一子过孔711与有源结构60电连接，第三电极63通过第二子过孔712与有源结构60电连接。即，第一过孔71起电性连接其上下两侧的结构的作用。具体的，如图4、图5、图7、图8、图10、图12所示，其中，在像素电路、栅极驱动电路单元4，选通电路组5所包括的TFT中均包括多个上述起电性连接作用的第一过孔71。
如图13所示，第二过孔72在显示面板所在平面的正投影与有源结构60在显示面板所在平面的正投影不交叠。即，在本发明实施例中，将第二过孔72避开有源结构60设置，使第二过孔72为不用于起电性连接的作用的虚设过孔。
可选的，在本发明实施例中，可以在栅极驱动电路区NA1中设置该第二过孔72。如图14所示，图14为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路区的过孔分布示意图，其中，栅极驱动电路区NA1既包括起电性连接作用的第一过孔71，也包括不用于起电性连接作用的第二过孔72。其中第一过孔71和第二过孔72用不同的填充图案进行区分。
或者，如图15所示，图15为本发明实施例提供的一种选通电路区的过孔分布示意图，选通电路区NA2既包括起电性连接作用的第一过孔71，也包括不用于起电性连接作用的第二过孔72。
或者，本发明实施例也可以在栅极驱动电路区NA1和选通电路区NA2中均设置上述第二过孔72。
本发明实施例通过在栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2设置不起电性连接作用的第二过孔72，能够均衡显示面板中原本过孔密度不均的栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2的过孔密度，进而在对第一无机绝缘层641和有源结构60进行氢化处理的时候，能够均衡栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中的第一无机绝缘层641和有源结构60在不同位置处的氢含量，进而使栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中不同位置处的TFT器件的特性趋于一致，从而在通过栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中这些TFT组成的周边电路驱动位于显示区中的子像素的显示时，能够使不同位置处的子像素的亮度趋于一致，避免出现部分位置过暗或过亮的显示不均现象，有利于改善显示面板的显示均一性。
示例性的，上述第一电极611可以为栅极，第二电极612可以为源极，第三电极613可以为漏极。
上述第一无机绝缘层641可以包括分步形成的两层或多层结构。
可选的，为了确保第二过孔72不用于电连接位于其上下两侧的导体结构，在将第二过孔72避开有源结构60设置的基础上，如图13所示，本发明实施例还可以令第二电极62在显示面板所在平面的正投影和第三电极63在显示面板所在平面的正投影均与第二过孔72在显示面板所在平面的正投影不交叠。示例性的，在制备形成第二电极62和第三电极63的金属层时，可以在对应第二过孔72的位置处不形成金属层。例如，在采用溅射或蒸镀的方式制备形成第二电极62和第三电极63的金属层时，可以在第二过孔72对应的位置处设置遮挡部以避免金属材料落在该处，从而避免在第二过孔72里形成填充第二过孔72的金属材料。
可选的，在第二电极62和第三电极63的制备完成后，如图13所示，后续可以在第二电极62和第三电极63远离有源结构60的一侧形成第二无机绝缘层642，该第二无机绝缘层可以为钝化层。第二过孔72可以被形成第二无机绝缘层642的材料所填充。
在本发明实施例中，通过在非显示区NA中增设不起电性连接作用的第二过孔72，可以令非显示区NA中位于不同位置处的包括第一过孔71和第二过孔72在内的过孔的密度相同。具体的，如图14和图15所示，栅极驱动电路区NA1和选通电路区NA2中不同位置处的过孔密度均相同。本发明实施例通过将包括栅极驱动电路区NA1和选通电路区NA2在内的非显示区中的不同位置处的过孔密度设置为相同，能够较大程度地均衡栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中的第一无机绝缘层641和有源结构60在不同位置处的氢含量，进而能够使栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中不同位置处的TFT的性能一致，从而在通过这些TFT组成的周边电路驱动位于显示区中的子像素的显示时，能够使显示区中不同位置处的显示亮度一致。
另外，在现有技术的设计中，显示区AA的TFT的密度一般大于非显示区中TFT的密度。特别地，随着像素分辨率的提升，显示区AA中的TFT的密度也会随之变的更大。因此，目前非显示区NA中的起电性连接作用的第一过孔71的密度小于显示区AA中的第一过孔71的密度。本发明实施例通过在非显示区NA中增设不起电性连接作用的第二过孔72，能够增大非显示区NA中的过孔密度，在均衡非显示区NA中不同位置处的过孔密度的基础上，也能够使非显示区NA中的过孔密度与显示区AA中的过孔密度一致或趋于一致，从而使在整个显示面板中，处于显示区AA和非显示区NA的第一无机绝缘层641和有源结构60在各处的氢化程度都能一致或趋于一致，从而使第一无机绝缘层641和有源结构60在显示区AA和非显示区NA中各处的氢含量相同或趋于相同，使显示面板中无论是位于显示区AA还是位于非显示区NA的TFT特性都能够一致或趋于一致，能够进一步改善显示面板的亮度均一性。
示例性的，在栅极驱动电路区NA1中设置第二过孔72时，如图16所示，图16为本发明实施例提供的一种栅极驱动电路区的部分位置的放大示意图，其中示出了相邻设置的两个栅极驱动电路单元4作为示意，其中，每个栅极驱动电路单元4均可以按照图9和图10所示的包括T21、T22、T23、……、T28、T29、T30这10个晶体管以及C21、C22、C33这三个存储电容的结构进行设置。其中，T21、T22、T23、……、T28、T29、T30的源极和漏极分别通过第一子过孔711和第二子过孔712与有源结构60相连。本发明实施例将第二过孔72在显示面板所在平面的正投影设置于相邻两个栅极驱动电路单元4在显示面板所在平面的正投影之间，以增大相邻两个栅极驱动电路单元4之间的过孔数量，使栅极驱动电路单元4之间以及栅极驱动电路单元4内部的过孔密度趋于一致。
目前，在栅极驱动电路单元4之间以及栅极驱动电路单元4内部的电路结构并非完全相同。一般来说，由于会在相邻的栅极驱动电路单元4之间设置其他一些的电路走线，因此会将相邻的栅极驱动电路单元4之间的间距做大，导致位于栅极驱动电路单元4边缘处的TFT附近的过孔密度就会相对较小。本发明实施例通过在相邻两个栅极驱动电路单元4之间增设第二过孔72，能够使栅极驱动电路区NA1中不同位置处的过孔密度趋于一致，从而能够使栅极驱动电路单元4中不同位置处的TFT的特性趋于一致，以改善显示面板的显示均一性。
需要说明的是，图2所示的将栅极驱动电路区NA1设置在显示区AA的左侧仅为一种示意，实际上，也可以将栅极驱动电路区NA1设置在显示区AA的右侧，或者，在显示区的左右两侧均设置栅极驱动电路区NA1，以从两侧对扫描线进行驱动，即，采用双边驱动的方式，降低信号延迟的影响。
另外，图16所示的第二过孔72的排布方式仅为示意，在实际设置时，可以根据单个栅极驱动电路单元4内部的第一过孔71的排布规律来设置第二过孔72。具体的，过孔的排布规律包括过孔的排布方向，相邻过孔之间的间距，过孔的面积、深度等特征。
示例性的，在选通电路区NA2设置第二过孔72时，如图17所示，图17为本发明实施例提供的一种选通电路区NA2的部分位置的放大示意图，其中示出了相邻设置的两个选通电路组5作为示意，其中，每个选通电路组5均可以按照图11和图12所示的包括M1、M2、……、M5、M6这6个晶体管的结构进行设置。相同的时钟信号线可以连接属于不同的选通电路组的对应TFT。本发明实施例将第二过孔72在显示面板所在平面的正投影设置于相邻两个选通电路组5在显示面板所在平面的正投影之间，以增大相邻两个选通电路组5之间的过孔数量，使选通电路组5之间以及选通电路组5内部的过孔密度趋于一致。
目前，在选通电路组5之间以及选通电路组5内部的电路结构也并非完全相同。一般来说，也会在相邻的选通电路组5之间设置其他一些电路走线，因此会将相邻的选通电路组5之间的间距做大，导致位于选通电路组5边缘处的TFT附近的过孔密度就会相对较小。本发明实施例通过在相邻两个选通电路组5之间增设第二过孔72，能够使选通电路区NA2中不同位置处的过孔密度趋于一致，从而能够使选通电路组5中不同位置处的TFT的特性趋于一致，能够改善显示面板的显示均一性。
需要说明的是，图17所示的第二过孔72的排布方式仅为示意，在实际设置时，可以根据单个选通电路组5内部的第一过孔71的排布规律来设置第二过孔72。
在本发明实施例中，在设置第二过孔72的基础上，本发明实施例可以将经过第二过孔72对应位置处对的走线设置为诸如蛇形绕线或Z型绕线的绕线状，以均衡各个走线的负载均一性。而且，在将显示面板的形状设计为圆形或包括缺口(notch)等形状的异形形状时，本发明实施例还可以在第二过孔所在位置处设置一些连接不同电路器件之间的连接线，以窄化显示面板的边框宽度。
例如，以将显示面板的形状设计为圆形为例，如图18所示，图18为本发明实施例提供的又一种显示面板的示意图，其中，设置有选通电路组5的选通电路区和设置有栅极驱动电路单元4的栅极驱动电路区均环绕显示区设置。而且，在本发明实施例中，可以将选通电路区设置在栅极驱动电路区靠近显示区AA的一侧。在此基础上，本发明实施例通过令相邻两个栅极驱动电路单元4之间具有一定的间距，可以令驱动芯片IC通过相邻两个栅极驱动电路单元4之间的间距走线以连接驱动芯片IC和选通电路组5。同样道理，本发明实施例也可以令相邻两个选通电路组5之间具有一定的间距，以使栅极驱动电路单元4通过选通电路组5之间的走线连接显示区AA的扫描线2，如此设置能够充分有效利用非显示区的空间，窄化显示面板的边框。而且，如此设置相当于复用了第二过孔72所在区域的空间，在改善显示面板中不同位置处的过孔密度均一性的基础上，通过在第二过孔72所在位置处设置连接驱动芯片IC和选通电路组5，以及栅极驱动电路单元4和扫描线2的连接走线，能让显示面板的非显示区中的包括栅极驱动电路单元4和选通电路组5在内的周边电路的设置更加紧凑。
可以理解的是，图2和18所示的显示面板的形状仅为示意，在实际的面板设计中，还可以根据不同的使用需求将显示面板的形状设计为其他，位于非显示区的包括栅极驱动电路单元和选通电路组的排布类型可以相应调整以匹配不同形状的显示面板。相应的，第二过孔72的设置位置也可以考虑显示面板的整体走线布局，在综合考虑减小非显示区的面积以及均衡各走线负载的基础上，可以灵活调整第二过孔的位置。
如图19和图20所示，图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图，图20为图19中区域Q的一种放大示意图，其中，显示面板的显示区包括第一显示区AA1和第二显示区AA2；第一显示区AA1中子像素的密度小于第二显示区AA2中的子像素的密度，相应的，第一显示区AA1中的像素电路11的密度也小于第二显示区AA2中的像素电路11的密度，以提高第一显示区AA1的透光性，后续可以对应第一显示区AA1设置屏下摄像头，以提高显示面板的屏占比。
可选的，第一显示区AA1和第二显示区AA2的像素电路11都可以采用如图6和图7所示的包括7个晶体管T11、T12、……、T16、T17和1个存储电容C1的7T1C结构，其中晶体管T11、T12、……、T16、T17中均设置有用于起电性连接作用的第一子过孔711和第二子过孔712。
在提高第一显示区AA1的透光性的基础上，如图20所示，本发明实施例还可以在第一显示区AA1中设置第二过孔72，以均衡第一显示区AA1中不同位置处的过孔密度，从而令第一显示区AA1中的第一无机绝缘层641和有源结构60在不同位置处的氢化程度接近，以使第一显示区AA1中不同位置处的TFT的性能趋于一致，改善第一显示区AA1中的子像素的亮度均一性。
具体的，如图20所示，第二过孔72在显示面板所在平面的正投影位于第一显示区AA1中相邻两个像素电路11之间，以使第一显示区AA1中不同位置处的过孔密度趋于一致，进而使第一显示区AA1所包括的像素电路中不同位置处的TFT的特性趋于一致，以进一步改善第一显示区AA1的显示均一性。
可选的，在设置第二过孔72时，可以使第二过孔72的排布规律与第一显示区AA1中单个像素电路中的第一过孔71排布规律大致相同。
示例性的，在本发明实施例中，还可以令第一显示区AA1和第二显示区AA2中的过孔的排布规律大致相同。例如，在第一显示区AA1和第二显示区AA2中的像素电路的结构相同的基础上，在使第二过孔72的排布规律与第一显示区AA1中单个像素电路中的第一过孔71排布规律大致相同时，即可使第一显示区AA1和第二显示区AA2的过孔密度以及过孔排布规律趋于一致，从而使包括第一显示区AA1和第二显示区AA2的整个显示面板在各个不同位置处的显示亮度都能趋于一致。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，结合图2、图13和图21所示，图21为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，该显示面板包括显示区AA和非显示区NA，非显示区NA包括栅极驱动电路区NA1和选通电路区NA2，制备方法包括：
步骤S1：提供一衬底基板01；
然后，在衬底基板01的一侧形成像素电路、选通电路组5和栅极驱动电路单元4；像素电路位于显示区AA，选通电路组5位于选通电路区NA2，栅极驱动电路单元4位于栅极驱动电路区NA1；像素电路、选通电路组5和栅极驱动电路单元4均包括多个晶体管TFT，晶体管包括有源结构60、第一电极61、第二电极62和第三电极63；
结合图13和图21所示，上述形成像素电路、选通电路组5和栅极驱动电路单元4的方法包括：
步骤S2：在衬底基板01的一侧形成有源结构60、第一电极61和第一无机绝缘层641。其中，第一无机绝缘层641位于有源结构60远离衬底基板01的一侧。示例性的，第一无机绝缘层641可以包括分步形成的两层结构。
步骤S3：在第一无机绝缘层641中形成贯穿第一无机绝缘层641的过孔，过孔包括第一过孔71和第二过孔72，第一过孔71包括第一子过孔711和第二子过孔712，第一子过孔711在衬底基板01所在平面的正投影和第二子过孔712在衬底基板01所在平面的正投影均与有源结构60在衬底基板01所在平面的正投影至少部分交叠；第二过孔72在衬底基板01所在平面的正投影与有源结构60在衬底基板01所在平面的正投影不交叠；选通电路区NA2包括第二过孔72；和/或，栅极驱动电路区NA1包括第二过孔72；
步骤S4：对第一无机绝缘层641进行氢化处理。示例性的，在对第一无机绝缘层641进行氢化处理时，氢原子可以经第一无机绝缘层移动至位于第一无机绝缘层下方的有源结构60，从而在有源结构60中也能够掺入氢原子，改善有源结构60的导电性。
步骤S5：在氢化后的第一无机绝缘层641远离衬底基板01的一侧形成第二电极62和第三电极63，第二电极62通过第一子过孔711与有源结构60电连接，第三电极63通过第二子过孔712与有源结构60电连接。
本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过在栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2设置不起电性连接作用的第二过孔72，能够均衡显示面板中原本过孔密度不均的栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2的过孔密度，进而在对第一无机绝缘层641和有源结构60进行氢化处理的时候，能够均衡栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中的第一无机绝缘层641和有源结构60在不同位置处的氢含量，进而使栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中不同位置处的TFT器件的特性趋于一致，从而在通过栅极驱动电路区NA1和/或选通电路区NA2中这些TFT组成的周边电路驱动位于显示区中的子像素的显示时，能够使不同位置处的子像素的亮度趋于一致，避免出现部分位置过暗或过亮的显示不均现象，有利于改善显示面板的显示均一性。
示例性的，如图13所示，第二电极62在衬底基板01所在平面的正投影和第三电极63在衬底基板01所在平面的正投影均与第二过孔72在衬底基板01所在平面的正投影不交叠。
在设置第二过孔72时，可选的，可如图14和图15所示，可以令非显示区NA中位于不同位置处的过孔的密度相同。
另外，在本发明实施例中，还可以令显示区AA和非显示区NA中的过孔的密度相同。
示例性的，如图20所示，显示区AA包括第一显示区AA1和第二显示区AA2；第一显示区AA1中的像素电路的密度小于第二显示区AA2中的像素电路的密度；在设置第二过孔72时，可以在第一显示区AA1中设置第二过孔72。
可选的，如图20所示，在本发明实施例中，可以令第二过孔72在显示面板所在平面的正投影位于第一显示区AA1中相邻两个像素电路之间。
示例性的，还可令第一显示区AA1和第二显示区AA2中过孔的密度相同。
上述第二过孔72的具体设置位置以及相应的有益效果可以参见前述显示面板部分的内容，在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图22所示，图22为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，其中，该显示装置包括上述的显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图22所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
本发明实施例提供的显示装置，通过在栅极驱动电路区和/或选通电路区设置不起电性连接作用的第二过孔，能够均衡显示装置中原本过孔密度不均的栅极驱动电路区和/或选通电路区的过孔密度，进而在对第一无机绝缘层和有源结构进行氢化处理的时候，能够均衡栅极驱动电路区和/或选通电路区中的第一无机绝缘层和有源结构在不同位置处的氢含量，进而使栅极驱动电路区和/或选通电路区中不同位置处的TFT器件的特性趋于一致，从而在通过栅极驱动电路区和/或选通电路区中这些TFT组成的周边电路驱动位于显示区中的子像素的显示时，能够使不同位置处的子像素的亮度趋于一致，避免出现部分位置过暗或过亮的显示不均现象，有利于改善显示面板的显示均一性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区；
所述显示区包括多个像素电路；
所述非显示区包括选通电路区和栅极驱动电路区，所述选通电路区包括多个选通电路组，所述栅极驱动电路区包括多个栅极驱动电路单元；
所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元均包括多个晶体管，所述晶体管包括有源结构、第一电极、第二电极和第三电极，所述有源结构和所述第二电极之间包括第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层包括贯穿所述第一无机绝缘层的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔；所述第一子过孔在所述显示面板所在平面的正投影和所述第二子过孔在所述显示面板所在平面的正投影均与所述有源结构在所述显示面板所在平面的正投影至少部分交叠，所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影与所述有源结构在所述显示面板所在平面的正投影不交叠，所述第二电极通过所述第一子过孔与所述有源结构电连接，所述第三电极通过所述第二子过孔与所述有源结构电连接；
所述显示区还包括与所述像素电路电连接的数据线，多条所述数据线沿第一方向排列，所述数据线沿第二方向延伸；
所述选通电路组包括M个所述晶体管；
所述非显示区还包括数据驱动器；所述数据驱动器包括多个数据输出端，一个所述数据输出端通过一个所述选通电路组与M条所述数据线电连接；其中，M为大于1的整数；
所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影位于相邻两个所述选通电路组在所述显示面板所在平面的正投影之间；
所述选通电路区包括所述第二过孔；
和/或，
所述栅极驱动电路区包括所述第二过孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电极在所述显示面板所在平面的正投影和所述第三电极在所述显示面板所在平面的正投影均与所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影不交叠。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示区和所述非显示区中所述过孔的密度相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述非显示区中位于不同位置处的所述过孔的密度相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示区还包括与所述像素电路电连接的扫描线，所述扫描线沿第一方向延伸，多条所述扫描线沿第二方向排列；
所述栅极驱动电路单元包括多个所述晶体管；
所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影位于相邻两个所述栅极驱动电路单元在所述显示面板所在平面的正投影之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示区包括第一显示区和第二显示区；所述第一显示区中的所述像素电路的密度小于所述第二显示区中的所述像素电路的密度；
所述第一显示区包括所述第二过孔。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影位于所述第一显示区中相邻两个所述像素电路之间。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一显示区和所述第二显示区中所述过孔的密度相同。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括选通电路区和栅极驱动电路区，所述制备方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成像素电路、选通电路组和栅极驱动电路单元；所述像素电路位于所述显示区，所述选通电路组位于所述选通电路区，所述栅极驱动电路单元位于所述栅极驱动电路区；所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元均包括多个晶体管，所述晶体管包括有源结构、第一电极、第二电极和第三电极；
形成所述像素电路、所述选通电路组和所述栅极驱动电路单元的方法包括：
在所述衬底基板的一侧形成所述有源结构、所述第一电极和第一无机绝缘层；所述第一无机绝缘层位于所述有源结构远离所述衬底基板的一侧；
在所述第一无机绝缘层中形成贯穿所述第一无机绝缘层的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第一子过孔在所述衬底基板所在平面的正投影和所述第二子过孔在所述衬底基板所在平面的正投影均与所述有源结构在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分交叠；所述第二过孔在所述衬底基板所在平面的正投影与所述有源结构在所述衬底基板所在平面的正投影不交叠；
所述显示区包括第一显示区和第二显示区；所述第一显示区中的所述像素电路的密度小于所述第二显示区中的所述像素电路的密度；
所述第一显示区包括所述第二过孔；
对所述第一无机绝缘层进行氢化处理；
在所述氢化后的所述第一无机绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极和第三电极，所述第二电极通过所述第一子过孔与所述有源结构电连接，所述第三电极通过所述第二子过孔与所述有源结构电连接；
所述选通电路区包括所述第二过孔；
和/或，
所述栅极驱动电路区包括所述第二过孔。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述第二电极在所述衬底基板所在平面的正投影和所述第三电极在所述衬底基板所在平面的正投影均与所述第二过孔在所述衬底基板所在平面的正投影不交叠。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述显示区和所述非显示区中所述过孔的密度相同。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述非显示区中位于不同位置处的所述过孔的密度相同。
13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述第二过孔在所述显示面板所在平面的正投影位于所述第一显示区中相邻两个所述像素电路之间。
14.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述第一显示区和所述第二显示区中所述过孔的密度相同。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
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