CN109389907B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,用以改善电源信号线和数据线之间的耦合效应,提高显示性能。上述显示面板包括:呈矩阵式排布的多个像素电路;数据线,数据线沿第一方向延伸,数据线与像素电路电连接;电源信号线,电源信号线沿第一方向延伸,电源信号线与像素电路电连接;无机钝化层,无机钝化层位于数据线和电源信号线朝向出光面的表面;防串扰结构,防串扰结构的至少部分区域在显示面板所在平面上的正投影,位于数据线和电源信号线在显示面板所在平面上的正投影之间。上述显示面板用于实现画面显示。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
【背景技术】
近年来,为了增大显示面板的分辨率以及屏占比,显示面板内的信号线设置的越来越密集,这就使得信号线之间不可避免的存在耦合效应。最为严重的,随着数据线和电源信号线之间间隙的不断缩小,数据线和电源信号线之间会产生较大的耦合效应,从而影响数据线上传输的数据信号,使其偏离标准值,进而导致显示面板所显示的画面发生串扰,严重时还会导致画面出现分屏现象,影响显示性能。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,用以改善电源信号线和数据线之间的耦合效应,提高显示性能。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
呈矩阵式排布的多个像素电路;
数据线,所述数据线沿第一方向延伸,所述数据线与所述像素电路电连接;
电源信号线,所述电源信号线沿所述第一方向延伸,所述电源信号线与所述像素电路电连接;
无机钝化层,所述无机钝化层位于所述数据线和所述电源信号线朝向出光面的表面;
防串扰结构,所述防串扰结构的至少部分区域在显示面板所在平面上的正投影,位于所述数据线和所述电源信号线在所述显示面板所在平面上的正投影之间。
可选的,所述防串扰结构为有机层;
所述无机钝化层具有镂空区域,所述有机层位于所述镂空区域内。
可选的,所述有机层的介电常数为ε,1≤ε≤3。
可选的,所述显示面板还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述无机钝化层朝向所述出光面的表面;
沉积在所述镂空区域内的所述平坦化层复用为所述有机层。
可选的,所述有机层位于所述数据线和所述电源信号线之间。
可选的,所述有机层的部分区域位于所述数据线和所述电源信号线之间,其余部分区域与所述数据线部分交叠,并与所述电源信号线部分交叠。
可选的,所述有机层在所述第一方向上的长度,大于或等于与其相邻的所述数据线在所述第一方向上的长度。
可选的,所述防串扰结构为金属层。
可选的,所述金属层与固定电位信号端电连接。
可选的,所述金属层与参考电压信号端或低电位信号端电连接。
可选的,所述像素电路包括存储电容和薄膜晶体管,所述存储电容包括第一电极和第二电极,所述薄膜晶体管包括栅极层和源漏极层,其中,所述第一电极和所述栅极层同层设置;
所述金属层所在膜层位于所述源漏极层和所述第二电极之间。
可选的,所述金属层在所述第一方向上的长度,大于或等于与其相邻的所述数据线在所述第一方向上的长度。
可选的,所述像素电路包括存储电容和薄膜晶体管,所述存储电容包括第一电极和第二电极,所述薄膜晶体管包括栅极层和源漏极层,其中,所述第一电极和所述栅极层同层设置;
所述金属层与所述第二电极同层设置,或,所述金属层与所述栅极层同层设置。
可选的,所述金属层位于所述无机钝化层朝向所述出光面的一侧。
可选的,所述金属层在所述显示面板所在平面上的正投影,位于所述数据线和所述电源信号线在所述显示面板所在平面上的正投影之间。
可选的,所述金属层在所述显示面板所在平面上的正投影,与所述数据线和所述电源信号线在所述显示面板所在平面上的正投影至少部分交叠。
另一方面,本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果:
在本发明实施例所提供的技术方案中,通过设置防串扰结构,防串扰结构具体可由介电常数较小的材料或金属材料形成,并且令防串扰结构的至少部分区域位于数据线和电源信号线之间,能够利用防串扰结构改善数据线和电源信号线之间的耦合效应,从而降低耦合效应对数据线上所传输的数据信号的影响,使其趋近于标准值,进而有效改善所显示画面的串扰现象,提高显示性能。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图;
图2为图1沿A1-A2方向的剖视图;
图3为本发明实施例所提供的防串扰结构的结构示意图;
图4为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种结构示意图;
图5为本发明实施例所提供的防串扰结构的俯视图;
图6为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图;
图7为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种俯视图;
图8为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图;
图9为本发明实施例所提供的防串扰结构的再一种结构示意图;
图10为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种结构示意图;
图11为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图;
图12为本发明实施例所提供的防串扰结构的再一种结构示意图;
图13为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供了一种显示面板,如图1和图2所示,图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图,图2为图1沿A1-A2方向的剖视图,该显示面板包括呈矩阵式排布的多个像素电路1、以及数据线Data、电源信号线PVDD和无机钝化层2。其中,数据线Data沿第一方向延伸,数据线Data与像素电路1电连接,用于向像素电路1传输数据信号;电源信号线PVDD沿第一方向延伸,电源信号线PVDD与像素电路1电连接,用于向像素电路1传输电源信号;无机钝化层2位于数据线Data和电源信号线PVDD朝向出光面的表面,用于防止水氧侵入,避免水氧对数据线Data和电源信号线PVDD造成腐蚀。
此外,显示面板还包括防串扰结构3,防串扰结构3的至少部分区域在显示面板所在平面上的正投影,位于数据线Data和电源信号线PVDD在显示面板所在平面上的正投影之间。
在本发明实施例所提供的显示面板中,通过设置防串扰结构3,防串扰结构3具体可由介电常数较小的材料或金属材料形成,并且令防串扰结构3的至少部分区域位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,能够利用防串扰结构3改善数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合效应,从而降低耦合效应对数据线Data上所传输的数据信号的影响,使其趋近于标准值,进而有效改善所显示画面的串扰现象,提高显示性能。
可选的,请再次参见图2,防串扰结构3为有机层4,无机钝化层2具有镂空区域5,有机层4位于镂空区域5内,此时,有机层4与数据线Data和电源信号线PVDD同层设置。
根据电容公式可知,其中,k为静电力常量,ε为介电常数,d为电容两个正对极板之间的间距,S为电容两个正对极板之间的交叠面积,相较于令无机钝化层2位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,通过在无机钝化层2中设置镂空区域5,并在镂空区域5内填充介电常数较低的有机材料,使有机材料位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,可以降低数据线Data和电源信号线PVDD之间所形成的耦合电容,从而降低耦合电容对数据信号的影响,提高显示均一性。
此外,由于目前数据线Data和电源信号线PVDD之间间距较小,在数据线Data和电源信号线PVDD之间设置有机层4,基于有机层4的不导电特性,即使有机层4与数据线Data、电源信号线PVDD相接触,也不会对数据线Data和电源信号线PVDD上传输的信号造成影响。因此,利用有机层4作为防串扰结构3,能够使数据线Data和电源信号线PVDD保持原有间距,无需为了避免有机层4对数据信号和电源信号的干扰增大数据线Data和电源信号线PVDD之间的距离,从而能够更好的实现高分辨率设计和高屏占比设计。
通常,无机钝化层2多选用介电常数为4.2的氧化硅材料形成,为了确保设于镂空区域5内的有机层4的介电常数低于无机钝化层2的介电常数,进而确保有机层4能够降低数据线Data和电源信号线PVDD之间所形成的耦合电容,当有机层4的介电常数为ε时,可令ε满足:1≤ε≤3。
可选的,如图3所示,图3为本发明实施例所提供的防串扰结构的结构示意图,显示面板还包括用于实现膜层平坦化的平坦化层6,平坦化层6位于无机钝化层2朝向出光面的表面,其中,沉积在镂空区域5内的平坦化层6(为方便理解,图3中将沉积在镂空区域5内的部分平坦化层6采用附图标记61表示)复用为有机层4。由于平坦化层6由介电常数较小的有机材料形成,因此,令平坦化层6直接沉积在镂空区域5内,使该部分平坦化层6复用为防串扰结构3,在实现了降低数据线Data和电源信号线PVDD的耦合电容的前提下,无需再额外设置一层有机层4,不仅能够简化工艺流程,还能省去用于单独形成有机层4的掩膜板,降低制作成本。
可选的,请再次参见图3,有机层4可仅位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,示例性的,有机层4在第二方向上的宽度小于数据线Data和电源信号线PVDD的间距,或,机层在第二方向上的宽度等于数据线Data和电源信号线PVDD的间距。如此设置,既能够利用有机层4降低数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合电容,以降低耦合电容对数据信号的影响,还能够保证无机钝化层2对数据线Data和电源信号线PVDD实现全面覆盖,更好的避免水汽侵入到数据线Data和电源信号线PVDD中。
或者,如图4所示,图4为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种结构示意图,有机层4中部分区域位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,其余部分区域与数据线Data部分交叠,并与电源信号线PVDD部分交叠,即,有机层4在第二方向上的长度大于数据线Data和电源信号线PVDD之间的间距。如此设置,无机钝化层2对数据线Data和电源信号线PVDD实现部分覆盖,依旧能够在一定程度上避免水汽侵入到数据线Data和电源信号线PVDD中,并且,发明人通过实验研究发现,通过增大有机层4的覆盖区域,可以令数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合电容减小30.39%左右,从而能够在更大程度上降低数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合效应,以进一步降低耦合效应对数据信号的干扰。
进一步的,如图5所示,图5为本发明实施例所提供的防串扰结构的俯视图,还可令有机层4在第一方向上的长度L1,大于或等于与其相邻的数据线Data在第一方向上的长度L2,从而利用有机层4全面改善数据线Data各个区域的耦合效应,进一步降低耦合效应对数据信号的影响,更大程度的提升显示性能。
可选的,如图6所示,图6为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图,防串扰结构3为金属层7。当数据线Data和电源信号线PVDD之间发生耦合效应时,通过设置一金属层7,干扰电荷可经由金属层7导走,从而避免了干扰电荷进一步传输至数据线Data中,避免了干扰电荷对数据线Data上的数据信号产生干扰。
进一步的,基于电荷经由高电位流入低电位的特性,为加快干扰电荷的导走速度,还可令金属层7与固定电位信号端,如所提供的固定电位低于电源信号电位的信号端电连接。此外,若金属层7与固定电位信号端电连接,在数据线Data和电源信号线PVDD之间发生耦合效应,产生耦合电场时,接收固定电位的金属层7还可对数据线Data和电源信号线PVDD之间所形成的电场线进行至少部分隔断,降低二者之间的耦合电场,从而降低二者之间的耦合效应。
具体的,金属层7可与用于向像素电路1提供参考电压信号的参考电压信号端或低电位信号端电连接。
可以理解的是,请再次参见图6,为驱动显示面板进行画面显示,像素电路1具体包括存储电容9和薄膜晶体管10,存储电容9包括第一电极11和第二电极12,薄膜晶体管10包括栅极层13和源漏极层14,其中,第一电极11和栅极层13同层设置,源漏极层14与数据线Data、电源信号线PVDD同层设置。
基于此,请再次参见图6,金属层7所在膜层可位于源漏极层14和第二电极12之间。当金属层7位于源漏极层14和第二电极12之间时,金属层7与数据线Data、电源信号线PVDD相距较近,这样,不仅能够加快干扰电荷的导走速度以及导走数量,还能更大程度的隔断数据线Data和电源信号线PVDD之间所形成的电场线,从而更大程度的降低数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合效应,此时,相较于现有技术,数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合电容可减小43.49%左右。
进一步的,如图7所示,图7为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种俯视图,金属层7在第一方向上的长度L3,大于或等于与其相邻的数据线Data在第一方向上的长度L4,从而利用金属层7全面改善数据线Data各个区域的耦合效应,进一步降低耦合效应对数据信号的影响,更大程度的提升显示性能。此外,需要说明的是,当金属层7位于源漏极层14和第二电极12之间时,金属层7为额外增设的一层金属膜层,未与其他金属膜层同层设置,因此,增大金属层7在第一方向上的长度,也不会对其他金属膜层上传输的信号造成影响。
或者,如图8所示,图8为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图,金属层7与第二电极12同层设置,或,如图9所示,图9为本发明实施例所提供的防串扰结构的再一种结构示意图,金属层7与栅极层13同层设置。如此设置,金属层7无需采用额外的构图工艺形成,仅需与第二电极12或栅极层13采用同一构图工艺即可,简化了工艺流程,降低了制作成本。并且,金属层7也无需额外占用膜层空间,能够避免增大显示面板的厚度,从而更好的实现显示面板的轻薄化设计。
再或者,如图10所示,图10为本发明实施例所提供的防串扰结构的另一种结构示意图,金属层7还可位于无机钝化层2朝向出光面的一侧,示例性的,金属层7位于无机钝化层2与平坦化层6之间。
需要说明的是,由于目前数据线Data和电源信号线PVDD之间间隙很小,若将金属层7与数据线Data、电源信号线PVDD同层设置,金属层7与数据线Data、电源信号线PVDD之间的间隙就会更小,工艺上可能会出现未刻蚀开的情况,导致数据线Data和电源信号线PVDD短路。通过将金属层7设于数据线Data朝向出光面的一侧或设于数据线Data背向出光面的一侧,在利用金属层7降低了数据线Data和电源信号线PVDD之间耦合效应的前提下,还能避免数据线Data和电源信号线PVDD短路,提高信号传输的准确性。
换句话说,如此设置,能够使数据线Data和电源信号线PVDD保持原有间距,无需为了避免金属层7对数据信号和电源信号的影响增大数据线Data和电源信号线PVDD之间的距离,从而能够更好的实现高分辨率设计和高屏占比设计。
可选的,请再次参见图6~图10,金属层7在显示面板所在平面上的正投影,可仅位于数据线Data和电源信号线PVDD在显示面板所在平面上的正投影之间,即,金属层7在第二方向上的长度小于或等于数据线Data和电源信号线PVDD之间的间距。
或者,为增大金属层7对数据线Data和电源信号线PVDD之间耦合效应的改善程度,金属层7在显示面板所在平面上的正投影,还可与数据线Data和电源信号线PVDD在显示面板所在平面上的正投影至少部分交叠。示例性的,如图11所示,图11为本发明实施例所提供的防串扰结构的又一种结构示意图,金属层7在显示面板所在平面上的正投影,与数据线Data和电源信号线PVDD在显示面板所在平面上的正投影部分交叠,此时,相较于现有技术,数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合电容可减小45.06%左右。或,如图12所示,图12为本发明实施例所提供的防串扰结构的再一种结构示意图,金属层7在显示面板所在平面上的正投影,与数据线Data和电源信号线PVDD在显示面板所在平面上的正投影全部交叠,此时,相较于现有技术,数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合电容可减小46.19%左右。
本发明实施例还提供了一种显示装置,如图13所示,图13为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图,该显示装置包括上述显示面板100。其中,显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明,此处不再赘述。当然,图13所示的显示装置仅仅为示意说明,该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
由于本发明实施例所提供的显示装置包括上述显示面板100,因此,采用该显示装置,通过设置防串扰结构3,并且令防串扰结构3的至少部分区域位于数据线Data和电源信号线PVDD之间,能够利用防串扰结构3改善数据线Data和电源信号线PVDD之间的耦合效应,从而降低耦合效应对数据线Data上所传输的数据信号的影响,使其趋近于标准值,进而有效改善所显示画面的串扰现象,提高显示性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。
Claims (6)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
呈矩阵式排布的多个像素电路;
数据线,所述数据线沿第一方向延伸,所述数据线与所述像素电路电连接;
电源信号线,所述电源信号线沿所述第一方向延伸,所述电源信号线与所述像素电路电连接;
无机钝化层,所述无机钝化层位于所述数据线和所述电源信号线朝向出光面的表面;
防串扰结构,所述防串扰结构的至少部分区域在显示面板所在平面上的正投影,位于所述数据线和所述电源信号线在所述显示面板所在平面上的正投影之间;
所述无机钝化层具有镂空区域,所述镂空区域包括位于所述数据线和所述电源信号线之间的区域、与所述数据线部分交叠的区域以及与所述电源信号线部分交叠的区域,其中,所述镂空区域中与所述数据线部分交叠的区域位于所述数据线朝向所述电源信号线的一侧,所述镂空区域中与所述电源信号线部分交叠的区域位于所述电源信号线朝向所述数据线的一侧;
所述防串扰结构为有机层,所述有机层位于所述镂空区域内,所述有机层的部分区域位于所述数据线和所述电源信号线之间,所述有机层的其余部分区域与所述数据线部分交叠,并与所述电源信号线部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机层的介电常数为ε,1≤ε≤3。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括平坦化层,所述平坦化层位于所述无机钝化层朝向所述出光面的表面;
沉积在所述镂空区域内的所述平坦化层复用为所述有机层。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机层位于所述数据线和所述电源信号线之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机层在所述第一方向上的长度,大于或等于与其相邻的所述数据线在所述第一方向上的长度。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~5任一项所述的显示面板。
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CN111564120B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2023077281A1 (zh) * | 2021-11-02 | 2023-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板和显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI320496B (en) * | 2005-10-28 | 2010-02-11 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display |
CN106816457A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 |
Family Cites Families (17)
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---|---|---|---|---|
KR101411677B1 (ko) * | 2007-11-27 | 2014-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
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KR101980757B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN104238220B (zh) * | 2014-09-29 | 2018-03-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
KR102354377B1 (ko) * | 2014-11-24 | 2022-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN104614910B (zh) * | 2015-02-13 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104730782B (zh) * | 2015-04-01 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
KR102350296B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9837475B2 (en) * | 2015-12-21 | 2017-12-05 | Japan Display Inc. | Display device |
KR102612734B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2023-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102615687B1 (ko) * | 2016-11-15 | 2023-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN106526992A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种coa基板及液晶面板 |
CN106855674B (zh) * | 2017-03-23 | 2020-01-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
KR102386906B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2022-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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KR102527230B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2023-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN108877707A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-11-23 | 惠科股份有限公司 | 减小串扰的方法、电路及液晶显示装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI320496B (en) * | 2005-10-28 | 2010-02-11 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display |
CN106816457A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-06-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 |
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