CN113066839A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括：显示区和非显示区；衬底，包括至少一层有机层和至少一层无机层，且有机层与无机层层叠设置；多个像素电路，像素电路包括驱动晶体管；驱动晶体管包括第一有源层；半导体层，包括屏蔽结构和刻蚀阻挡结构；屏蔽结构位于显示区，且屏蔽结构在第一有源层所在膜层的垂直投影与各第一有源层具有交叠；刻蚀阻挡结构位于非显示区，且刻蚀阻挡结构包括至少一个开口；阻隔单元，位于非显示区；阻隔单元包括至少一个凹槽结构；凹槽结构由开口沿垂直于第一有机层所在平面的方向贯穿第一无机层，并延伸至第一有机层内。本发明实施例能够降低显示面板的工艺成本，提高显示面板的显示效果。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快等优点，而较被视为具有潜力的显示器，在各领域均具有广泛的应用前景。

包括OLED显示器的显示设备通常由OLED显示面板、系统主板以及外壳组成，系统主板能够为OLED显示面板提供相应的显示信号，以控制OLED显示面板显示相应的画面。OLED显示面板中通常设置有用于进行显示发光的OLED器件和用于驱动OLED器件进行发光的驱动晶体管，该驱动晶体管能够产生相应的驱动电流，以驱动OLED器件进行发光。但因OLED显示面板在应用于显示设备中时，显示面板中的驱动晶体管受外界电场的影响，所产生的驱动电流与理论应产生的驱动电流具有偏差，使得OLED器件发光亮度和颜色具有偏差，从而影响显示面板的显示效果。因此，如何在显示面板具有简单的结构的前提下，降低其它电信号对驱动晶体管所产生的驱动电流的影响，成为当前亟待解决的技术问题。

发明内容

针对上述存在问题，本发明实施例提供一种显示面板，以在使显示面板具有简单的结构的前提下，提高显示面板的显示效果，降低显示面板的成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：显示区和非显示区；

衬底，包括至少一层有机层和至少一层无机层，且所述有机层与所述无机层层叠设置；所述至少一层有机层包括第一有机层，所述至少一层无机层包括第一无机层和第二无机层，且所述第一有机层与所述第一无机层相邻，所述第二无机层位于所述第一无机层背离所述第一有机层的一侧；

多个像素电路，位于所述显示区，且位于所述第二无机层远离所述第一无机层的一侧；所述像素电路包括驱动晶体管；所述驱动晶体管包括第一有源层；

半导体层，位于所述第一无机层与所述第二无机层之间；所述半导体层包括屏蔽结构和刻蚀阻挡结构；所述屏蔽结构位于所述显示区，且所述屏蔽结构在所述第一有源层所在膜层的垂直投影与各所述第一有源层具有交叠；所述刻蚀阻挡结构位于所述非显示区，且所述刻蚀阻挡结构包括至少一个开口；

阻隔单元，位于所述非显示区；所述阻隔单元包括至少一个凹槽结构；所述凹槽结构由所述开口沿垂直于所述第一无机层所在平面的方向贯穿所述第一无机层，并延伸至所述第一有机层内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。

本发明实施例提供的显示面板和显示装置，通过在衬底的第一无机层与第二无机层之间设置半导体层，使得该半导体层包括位于显示区的屏蔽结构和位于非显示区的刻蚀阻挡结构，一方面，采用屏蔽结构屏蔽位于因衬底内部杂质和缺陷等被极化所产生的电场，降低该电场对像素电路的驱动晶体管所产生的驱动电流的影响，从而提高显示面板的显示效果；同时，采用刻蚀阻挡结构中的开口为掩膜开口形成阻隔单元的凹槽结构，以在用于阻隔水和氧对OLED器件侵蚀的薄膜封装层的过程中，采用凹槽结构容纳一部分薄膜封装层中有机层的材料，达到阻隔有机层进一步延伸的目的，以防止因薄膜封装中的有机层的延伸效应，导致显示面板边框尺寸增加，有利于显示面板的窄边框化；并且，通过将屏蔽结构和刻蚀阻挡结构均设置于半导体层，使得屏蔽结构和刻蚀阻挡结构能够采用相同材料，在同一工艺下形成，从而能够简化显示面板的结构，有利于显示面板的轻薄化，以及简化显示面板的工艺制程，降低显示面板的成本。另一方面，通过将半导体层设置于第一无机层与第二无机层之间，相较于较半导体层设置于无机层与有机层之间的情况，半导体层与第一无机层和第二无机层之间的粘附力较大，能够防止因半导体层与其它膜层之间的粘附力不足，而影响显示面板的结构。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图；

图6是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图；

图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种像素电路的膜层俯视图；

图9是与图8对应的一种像素电路的等效电路结构示意图；

图10是本发明实施例提供的一种显示面板的膜层俯视结构示意图；

图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层俯视结构示意图；

图12是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图；

图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图；

图14是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图；

图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术所述，由于OLED器件为电流型驱动元件，使得OLED显示面板中需设置用于驱动OLED器件进行发光的像素电路，该像素电路的驱动晶体管能够根据其接收到的数据信号产生相应的驱动电流至OLED器件，使得OLED器件根据该驱动电流的大小发出相应亮度和颜色的光。因此，当驱动晶体管受外界电场(例如衬底中的有机层中杂质和/或缺陷极化而产生的电场)的干扰时，会影响驱动晶体管所产生的驱动电流，进而影响OLED器件的显示发光亮度和颜色，影响显示面板的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括显示区和非显示区；衬底，包括至少一层有机层和至少一层无机层，且有机层与无机层层叠设置；至少一层有机层包括第一有机层，至少一层无机层包括第一无机层和第二无机层，且第一有机层与第一无机层相邻，第二无机层位于第一无机层背离第一有机层的一侧；多个像素电路，位于显示区，且位于第二无机层远离第一无机层的一侧；像素电路包括驱动晶体管；驱动晶体管包括第一有源层；半导体层，位于第一无机层与第二无机层之间；半导体层包括屏蔽结构和刻蚀阻挡结构；屏蔽结构位于显示区，且屏蔽结构在第一有源层所在膜层的垂直投影与各第一有源层具有交叠；刻蚀阻挡结构位于非显示区，且刻蚀阻挡结构包括至少一个开口；阻隔单元，位于非显示区；阻隔单元包括至少一个凹槽结构；凹槽结构由开口沿垂直于第一无机层所在平面的方向贯穿第一无机层，并延伸至第一有机层内。

采用上述技术方案，通过在衬底的第一无机层与第二无机层之间设置半导体层，使得该半导体层包括位于显示区的屏蔽结构和位于非显示区的刻蚀阻挡结构，一方面，采用屏蔽结构屏蔽位于因衬底内部杂质和缺陷等被极化所产生的电场，降低该电场对像素电路的驱动晶体管所产生的驱动电流的影响，从而提高显示面板的显示效果；同时，采用刻蚀阻挡结构中的开口为掩膜开口形成阻隔单元的凹槽结构，以在阻隔水和氧对OLED器件侵蚀的薄膜封装层的过程中，采用凹槽结构容纳一部分薄膜封装层中有机层的材料，达到阻隔有机层进一步延伸的目的，以防止因薄膜封装中的有机层的延伸效应，导致显示面板边框尺寸增加，有利于显示面板的窄边框化；并且，通过将屏蔽结构和刻蚀阻挡结构均设置于半导体层，使得屏蔽结构和刻蚀阻挡结构能够采用相同材料，在同一工艺下形成，从而能够简化显示面板的结构，有利于显示面板的轻薄化，以及简化显示面板的工艺制程，降低显示面板的成本。另一方面，通过将半导体层设置于第一无机层与第二无机层之间，相较于较半导体层设置于无机层与有机层之间的情况，半导体层与第一无机层和第二无机层之间的粘附力较大，能够防止因半导体层与其它膜层之间的粘附力不足，而影响显示面板的结构。

以上是本发明的核心思想，以下将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、详细地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明实施例保护的范围。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图。结合图1和图2所示，显示面板100包括显示区101和非显示区102。其中，非显示区102可包括围绕显示区101的第一非显示区1021和内嵌于显示区101中的第二非显示区1022；第一非显示区1021中可设置相应的驱动电路，该驱动电路包括但不限于扫描驱动电路、数据驱动电路等；第二非显示区1022可用于设置摄像头、红外传感器等传感器。

需要说明的是，图1仅为本发明实施例示例性的附图，图1中仅示例性的示出了第一非显示区1021与第二非显示区1022为一体结构；而在本发明实施例中非显示区102可仅包括第一非显示区1021；或者当非显示区102包括第一非显示区1021和第二非显示区1022时，第一非显示区1021可以围绕显示区101，显示102可以围绕第二非显示区1022；或者，本发明实施例的显示面板的显示区101和非显示区102的相对位置关系还可以为其它情况，本发明实施例对此不做具体限定。

继续结合参考图1和图2，显示面板100还包括衬底40，该衬底40可以包括至少一层有机层41和至少一层无机层42，且有机层41与无机层42层叠设置；至少一层有机层41包括第一有机层411，至少一层无机层42包括第一无机层421和第二无机层422，且第一有机层411与第一无机层421相邻，第二无机层422位于第一无机层421背离第一有机层411的一侧。其中，有机层41的材料包括但不限于聚酰亚胺，使得有机层41具有耐高温和良好的绝缘性；无机层42的材料包括但不限于氧化硅和/或氮化硅，无机层42能够阻隔形成于衬底40上的其它膜层的因高温制程使得有机层41逸出的杂质离子，以防有机层41中逸出的杂质离子对形成于衬底40上的其它膜层(例如第一有源层At)的性能造成影响。

可以理解的是，图2中仅示例性的示出了衬底40包一层有机层41(即第一有机层411)和两层无机层42(即第一无机层421和第二无机层422)，而在本发明实施例中，衬底40可以包括一层、两层或多层有机层41，同样的，衬底40可以包括两层、三层或多层无机层42，且除第一无机层421和第二无机层422外，其它无机层42与有机层41可以交替设置。本发明实施例对衬底40中有机层的数量和无机层的数量不做具体限定。

示例性的，图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层结构示意图。图3中与图2中相同之处，可参照本发明实施例中对图3的描述，此处仅对图2与图3中不同之处进行示例性的说明。如图3所示，至少一层有机层41包括第一有机层411和第二有机层412，至少一层无机层42包括第一无机层421、第二无机层422和第三无机层423。其中，第二有机层412位于第一有机层411背离第一无机层421的一侧，第三无机层423位于第一有机层411与第二有机层412之间。当衬底40为柔性衬底时，该衬底40一般形成于在刚性衬底上，并将其它功能层形成于衬底40上之后，一般采用激光剥离技术剥离去除刚性衬底，在激光剥离去除刚性衬底时可能会损伤聚酰亚胺衬底。如此，通过在衬底40中设置两层有机层(第一有机层411和第二有机层412)，虽然在采用激光剥离去除刚性衬底时可能损伤有机层，但是其所损伤的仅为最外侧的第二有机层412，使得内侧的第一有机层411仍可以保持完整性，确保整个显示面板100的完整性。其中，为便于描述，本发明实施例均以至少一层有机层41包括第一有机层411、以及至少一层无机层42包括第一无机层421和第二无机层422为例，对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。

继续结合参考图1和图2，显示面板100还包括多个像素电路10，位于显示区101，且位于第二无机层422远离第一无机层421的一侧；像素电路10包括驱动晶体管T，驱动晶体管T包括第一有源层At。该驱动晶体管T能够提供相应的驱动电流至发光元件20，以驱动发光元件20显示出相应亮度和颜色的光。其中，第一有源层At的材料包括但不限于低温多晶硅材料，且当第一有源层At的材料为低温多晶硅材料时，能够使驱动晶体管T具有较高的载流子迁移率、较快的响应速度、以及较低的功耗等的优点。

显示面板100还包括半导体层30和阻隔单元50。半导体层30位于第一无机层421与第二无机层422之间；半导体层30包括屏蔽结构31和刻蚀阻挡结构32；其中，屏蔽结构31位于显示区101，且屏蔽结构31在第一有源层At所在膜层的垂直投影与各第一有源层At具有交叠；刻蚀阻挡结构32位于非显示区102，且刻蚀阻挡结构32包括至少一个开口301。阻隔单元50位于非显示区102；阻隔单元50包括至少一个凹槽结构51；凹槽结构51由开口301沿垂直于第一无机层421所在平面的方向Z贯穿第一无机层421，并延伸至第一有机层411内。

其中，在衬底40中有机层41的形成过程中，受工艺环境等因素的影响，使得有机层41中存在一些杂质离子和/或缺陷等，且有机层41通常位于显示面板的靠近最外侧的膜层，使得有机层41中的这些杂质离子和/或缺陷很容易受外界电场的影响而发生极化，极化后的杂质离子和/或缺陷会产生相应的电场，该电场的存在会影响驱动晶体管T中载流子的迁移，从而影响驱动晶体管T向发光元件20提供的驱动电流的大小，进而影响发光元件20的发光亮度，影响显示面板100的显示效果。尤其是，当显示面板100为低频驱动模式时，因有机层41中杂质离子和/或缺陷的极化而产生的电场持续影响驱动晶体管T中的载流子，且随着一帧画面的驱动时间的延长，该影响更为明显，而致使显示面板100出现低频残影。

由于半导体层30的材料为半导体材料，即屏蔽结构31的材料为半导体材料，该半导体材料包括但不限于氧化物半导体；这使得屏蔽结构31的导电性能介于导体(例如金属材料)和绝缘体(无机非金属材料、有机材料)之间，使得其对因有机层41中杂质离子和/或缺陷的极化而产生的电场起到一定的屏蔽作用；当屏蔽结构31在在第一有源层At所在膜层的垂直投影与各第一有源层At具有交叠时，能够降低因有机层41中杂质离子和/或缺陷的极化而产生的电场对驱动晶体管T的第一有源层At中的载流子的影响，从而提高驱动晶体管T所提供的驱动电流的准确性，进而提高显示面板100的显示效果。尤其是，在显示面板100为低频驱动模式时，能够降低因有机层41中杂质离子和/或缺陷的极化而产生的电场对第一有源层At中的载流子的影响，能够很好的改善低频残影现象。

同时，当显示面板100包括发光元件20，且该发光元件20包括但不限于有机发光二极管时，发光元件20通常对水和氧极为敏感，容易因水和氧的入侵而失效。为例防止水和氧进入显示面板100，可采用薄膜封装层60对显示面板100中的发光元件20进行封装，而薄膜封装层60通常包括有机材料层(62)和无机材料层(61和63)的交替叠加结构。为限制薄膜封装层60中的有机材料层62的流动，可通过在显示面板100的非显示102设置阻隔单元50，该阻隔单元50的凹槽结构51可以作为有机材料层62的容纳腔，容纳部分有机材料层62，以在一定程度上阻止有机材料层62的流动范围。其中，凹槽结构51可采用干刻法形成。此时，半导体层30的半导体材料可以包括但不限于铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟锡等耐干法刻蚀的半导体材料中的一种或多种，使得在阻隔单元50的凹槽结构51采用干刻法形成时，该凹槽结构51能够以刻蚀阻挡结构32为掩膜，由刻蚀阻挡结构32的开口301沿垂直于第一无机层421所在平面的方向Z贯穿第一无机层421，并延伸至第一有机层411内。

如此，通过将屏蔽结构31和刻蚀阻挡结构32均设置于半导体层30中，能够使屏蔽结构31和刻蚀阻挡结构32采用相同材料，在同一工艺下形成，相较于将屏蔽结构31和刻蚀阻挡结构32设置于不同膜层的情况，能够简化显示面板的结构，有利于显示面板的轻薄化，同时还能够简化显示面板的工艺制程，降低显示面板的成本。

此外，通过将半导体层30设置于第一无机层421与第二无机层422之间，能够防止在将半导体层30设置于无机层与有机层之间时，半导体层30与有机层之间的粘附力较小，致使半导体层30与有机层分离，而造成显示面板起鼓、分层等的现象产生。

可选的，继续参考图2所示，位于半导体层30与第一有机层411之间的第一无机层421的厚度T的取值范围为：0nm≤T≤200nm。如此，通过在形成第一无机层421时，将第一无机层421限制在较小的厚度范围内，能够有利于凹槽结构51的形成。

可选的，继续参考图2所示，第一有机层411的凹槽结构51在第一方向P上的尺寸A1大于开口301在第一方向P上的尺寸A2；其中，第一方向P为平行于衬底40所在平面的方向。

具体的，由于第一有机层411的材料为有机材料，刻蚀阻挡结构32的材料为半导体材料，在形成凹槽结构51时可选择对刻蚀阻挡结构32的刻蚀能力较弱或无刻蚀能力、对第一无机层421和第二无机层422具有一定的刻蚀能力、而对第一有机层411具有较强的刻蚀能力的腐蚀液，对显示面板100的相应位置进行刻蚀，以形成凹槽结构51，使得凹槽结构51的形成过程中第一有机层411的部分刻蚀速率较快，而第一无机层421的部分刻蚀速率较慢，从而形成倒“T”形或内缩的凹槽结构51。

可选的，继续参考图2所示，阻隔单元50还包括挡墙结构52；挡墙结构52位于凹槽结构51远离显示区101的一侧；此时，用于对像素电路10(包括发光元件20和驱动晶体管T)进行封装的薄膜封装层60会覆盖像素电路10，且沿至少部分凹槽结构51的内壁和/或至少部分挡墙结构52的侧壁延伸。如此，通过凹槽结构51和挡墙结构52的共同作用，能够有效限制薄膜封装层60中有机材料层62的流动范围。

需要说明的是，图2中仅示例性的示出了挡墙结构52位于凹槽结构51远离显示区101的一侧，而在本发明实施例中挡墙结构52也可以位于凹槽结构51靠近显示区101的一侧，其同样能够起到限制限制薄膜封装层60中有机材料层62流动的作用；或者，还可以即在凹槽结构51靠近显示区101的一侧设置挡墙结构51，也在凹槽结构51远离显示区101的一侧设置挡墙结构；或者，挡墙结构51也可以位于凹槽结构51之间的区域(如图4所示)；本发明实施例对凹槽结构和挡墙结构的设置方式不做具体限定。

示例性的，如图4所示，当凹槽结构51位于挡墙结构52远离显示区101的一侧时，因凹槽结构51处的第一无机层421和第二无机层422均已被刻蚀，只保留有部分第一有机层411，使得在后续对显示面板100的非显示区102进行开孔或切割时，能够防止裂纹沿着第一无机层421和第二无机层422延伸至显示面板100的显示区101，而对显示面板100造成不可逆的现象产生。

可以理解的是，如图2～4，本发明实施例提供的显示面板100，除上述所提及的膜层结构外，还可以包括其他膜层结构，例如位于驱动晶体管T与发光元件20之间的平坦化层、位于相邻两发光元件20之间的像素限定层70以及位于其它功能膜层之间的绝缘层等。其中，发光元件20可以包括阳极21、阴极22以及位于阳极21与阴极22之间的发光层23；驱动晶体管T还可以包括栅极Gt1、第一极和第二极，且第一极和第二极中的一个为驱动晶体管T的源极St，第一极和第二极中的另一个为驱动晶体管T的漏极Dt。

需要说明的是，图2～4仅示例性的示出了驱动晶体管T为顶栅结构，而在本发明实施例中驱动晶体管也可以为底栅结构，本发明实施例对驱动晶体管的结构不做具体限定。

可选的，图5是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图。如图5所示，驱动晶体管T还包括第一栅极Gt1和第二栅极Gt2；第一栅极Gt1位于第一有源层At远离第一有机层411的一侧；第二栅极Gt2位于第一有源层At靠近第一有机层411的一侧；其中，第一栅极Gt1用于接收数据电压信号，第二栅极Gt2用于接收固定电压信号。

如此，通过第一栅极Gt1接收数据电压信号，使得驱动晶体管T能够根据数据电压信号产生相应的驱动电流，以驱动发光元件(图中未示出)进行发光；并通过第二栅极Gt2接收固定电压信号，使得驱动晶体管T的阈值Vth能够在第二栅极Gt2所接收的固定电压信号的作用下发生偏移，以达到补偿驱动晶体管T的特性的目的。

可以理解的是，第二栅极Gt2所接收的固定电压信号可以为正性电压信号或负性电压信号，以使驱动晶体管T的阈值电压Vth发生偏移。例如，对于驱动晶体管T为P型晶体管时，驱动晶体管T的阈值电压Vth为负值，可通过向第二栅极Gt2施加正性电压信号，使得驱动晶体管的阈值电压Vth偏正；而在驱动晶体管T为N型晶体管时，驱动晶体管T的阈值电压Vth为正值，通过施加负性电压，可使驱动晶体管T的阈值电压Vth偏负。如此，通过控制驱动晶体管T的阈值电压Vth发生偏移能够增加驱动晶体管T的打开程度，以使数据信号能够更好的写入至驱动晶体管T的第一栅极Gt1。

示例性的，以驱动晶体管T为P型晶体管为例，驱动晶体管T还可以包括第一极(例如源极St)，第一极St接收用于接收正性电源电压信号PVDD；其中，正性电源电压信号PVDD可复用为提供至第二栅极Gt2的固定电压信号。如此，能够减小提供至像素电路的信号的数量，减少显示区101中所设置的信号传输线的数量，有利于增加显示面板100的开口率或提高显示面板100的分辨率。

可选的，图6是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图。如图6所示，屏蔽结构31复用为第二栅极Gt2。如此，无需额外设置用于接收固定电压信号的第二栅极Gt2的膜层，从而能够简化显示面板100的结构，有利于显示面板100的轻薄化，以及能够简化显示面板100的工艺制程，实现有机显示面板100的低成本；同时，当屏蔽结构31复用为第二栅极Gt2时，屏蔽结构31能够兼具有屏蔽因有机层41中杂质和/或缺陷极化而产生的电场和控制驱动晶体管T的阈值电压Vth的偏移方向的功能，且通过屏蔽结构31接收一固定电压信号，能够完全屏蔽有机层41中杂质和/或缺陷因极化产生电场，以进一步改善外部不确定因素所产生的电场对驱动晶体管T所产生的驱动电流的影响，从而进一步提高显示面板100的显示效果。

可选的，图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的部分膜层结构示意图。如图7所示，每个像素电路10还包括至少一个开关晶体管M；开关晶体管M包括第二有源层Am；第二有源层Am的材料与半导体层30的材料相同，且第二有源层Am的材料与第一有源层At的材料不同。

示例性的，当第一有源层At的材料可以包括但不限于为低温多晶硅材料时，包括该第一有源层At的驱动晶体管T能够具有响应速度快、载流子迁移率高和功耗低等的优点；而当第二有源层Am的材料与第一有源层At的材料不同时，该第二有源层Am的材料可以包括但不限于氧化物半导体材料，此时包括该第二有源层Am的开关晶体管具有漏流小的优点。如此，可使像素电路10兼顾载流子迁移率高、响应快、功耗低和漏流小等优点，确保像素电路10具有良好的性能，提升显示面板100的显示性能。

示例性的，图8是本发明实施例提供的一种像素电路的膜层俯视图，图9是与图8对应的一种像素电路的等效电路结构示意图。结合图7、图8和图9所示，以像素电路10为7T1C(包括七个晶体管和一个电容)电路为例，此时，像素电路10包括驱动晶体管T、六个开关晶体管M以及存储电容Cst；六个开关晶体管M分别为初始化晶体管M1、数据写入晶体管M2、阈值补偿晶体管M3、复位晶体管M4、第一发光控制晶体管M5和第二发光控制晶体管M6。各开关晶体管M在其栅极所接收的扫描信号的控制下导通或关闭，以使像素电路10实现的相应的功能，其驱动原理与现有技术中的7T1C的像素驱动电路的驱动原理类似，在此不再赘述。

需要说明的是，图8和图9示出的像素电路的等效电路图仅为示例性的附图，对于不同显示发光要求的显示面板，其像素电路的结构具有差异，对应的像素电路的等效电路图具有差异，例如在像素电路中还可以设置有防止阈值漂移的其它晶体管和电容等，本发明实施例对此不做限定。为便于描述，以下均以像素电路为7T1C的像素电路为例，对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。

可选的，结合参考图7和图9，开关晶体管M还包括第三栅极Gm1和第四栅极Gm2；第三栅极Gm1与第一栅极Gt1同层设置；第四栅极Gm2位于第二有源层Am远离第三栅极Gm1的一侧。如此，第三栅极Gm1与第一栅极Gt1可采用同种材料，在同一工艺下形成，以简化显示面板100的结构和工艺制程，有利于显示面板100的轻薄化和降低显示面板100的成本；同时，开关晶体管M包括两个栅极(即第三栅极Gm1和第四栅极Gm2)，即当初始化晶体管M1包括两个栅极时，该初始化晶体管M1能够具有较小的漏流，能够降低因初始化晶体管M1的漏流对驱动晶体管T的第一栅极Gt1的电位的影响，从而能够提高第一栅极Gt1的电位的稳定性，进而提高驱动晶体管T所提供的驱动电流的准确性，进一步提高显示面板100的显示效果。

可选的，图10是本发明实施例提供一种显示面板的膜层俯视结构示意图。结合图7和图10所示，多个像素电路10呈阵列排布，当屏蔽结构31复用为第二栅极Gt2时，显示面板100还包括电压信号传输总线81，该电压信号传输总线81位于非显示区102；屏蔽结构31与电压信号传输总线81电连接；电压信号传输总线81用于传输固定电压信号。

示例性的，屏蔽结构31可沿像素电路的行方向X延伸，且位于同一行的至少部分像素电路10的驱动晶体管T共用屏蔽结构31。此时，位于非显示区102的电压信号传输总线81沿像素电路10的列方向延伸，使得各沿行方向延伸的屏蔽结构31能够与电压信号传输总线81在非显示区102中进行电连接。

可选的，继续结合参考图7和图10当屏蔽结构31可沿像素电路的行方向X延伸时，该屏蔽结构31在像素电路10的列方向Y上的宽度为W1，第一栅极Gt1在像素电路10的列方向Y上的宽度为W2；其中，0μm≤|W1-W2|≤2μm。如此，在确保屏蔽结构Gt1能够屏蔽因有机层41中的杂质和/或缺陷极化而产生的电场的前提下，能够防止因屏蔽结构31的宽度过大，致使该屏蔽结构31与像素电路10中的其它导电结构之间形成过大寄生电容，而影响像素电路10的性能的现象产生，从而有利于提高像素电路中各导电结构所传输信号的准确性，进而提高显示面板的显示效果。

需要说明的是，图10中仅示例性的示出了像素电路10的行方向为X方向以及列方向为Y方向；而在本发明实施例中像素电路10的行方向也可以为Y方向，列方向为X方向，其技术原理与上述行方向为X方向、列方向为Y方向时的情况相同，在此不再赘述。为便于描述，本发明实施例均以像素电路10的行方向为X方向，列方向为Y方向为例，对本发明实施例的技术方案进行示例性的说明。

可选的，图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的膜层俯视结构示意图，图12是本发明实施例提供的一种显示面板的部分膜层结构示意图。结合图11和图12所示，显示面板100还包括第一金属层801，该第一金属层801包括位于显示区101的多条电压信号传输线82；电压信号传输线82沿像素电路的列方向Y延伸；位于同一列的各像素电路10的屏蔽结构31通过同一条电压信号传输线82与电压信号传输总线81电连接。

其中，由于相较于半导体材料，金属材料的电阻较小，通常具有良好的导电性能，因此当将用于将固定电压信号从电压信号传输总线81传输至各屏蔽结构31的电压信号传输线82设置在第一金属层801，相较于直接采用与屏蔽结构31同层设置且与电压信号传输线82的尺寸相同的信号线传输固定电压信号的情况，电压信号传输线82的电阻较小，能够提高固定电压信号在电压信号传输线82上的传输准确性。

可选的，继续结合参考图11和图12，当驱动晶体管T还包括第一源极St和第一漏极Dt，第一有源层At包括第一源极区和第一漏极区，且第一源极St通过过孔与第一源极区电连接，第一漏极Dt通过过孔与第一漏极区电连接时，电压信号传输线82可与第一源极St和第一漏极Dt同层设置。如此，无需为电压信号传输线82设置额外的膜层，使得电压信号传输线82可与第一源极St和第一漏极Dt采用同种材料在同一工艺下形成，从而能够简化显示面板100的膜层结构和工艺制程，有利于显示面板100的轻薄化和低成本。

需要说明的是，图11和图12仅示例性的示出了电压信号传输线82与第一源极St和第一漏极Dt同层设置的情况，而在本发明实施例中电压信号传输线82还可以与显示面板中的其它金属膜层同层设置，本发明实施例对此不做具体限定。示例性的，如图13所示，电压信号传输线82还可以与第一栅极Gt1同层设置。

可选的，继续参考图11和图12所示，当位于同一列的各像素电路10的屏蔽结构31通过同一条电压信号传输线82与电压信号传输总线81电连接时，屏蔽结构31可以为块状结构；此时，若屏蔽结构31在像素电路10的列方向Y上的宽度为W1，第一栅极Gt1在像素电路10的列方向Y上的宽度为W2，则0μm≤|W1-W2|≤2μm；和/或，若屏蔽结构31在像素电路10的行方向X上的长度为L1，第一栅极Gt1在像素电路10的行方向X上的长度为L2，则0μm≤|L1-L2|≤2μm。如此，在确保屏蔽结构Gt1能够屏蔽因有机层41中的杂质和/或缺陷极化而产生的电场的前提下，能够防止因屏蔽结构31的宽度过大，致使该屏蔽结构31与像素电路10中的其它导电结构之间形成过大寄生电容，而影响像素电路10的性能的现象产生，从而有利于提高像素电路中各导电结构所传输信号的准确性，进而提高显示面板的显示效果。

可选的，图14是本发明实施例提供又一种显示面板的膜层结构示意图。如图14所示，在上述实施例的基础上，显示面板100还包括平坦化单元90，该平坦化单元90位于非显示区102，且覆盖阻隔单元50；在第二方向Z上，平坦化单元90背离衬底40一侧的表面901与薄膜封装层60背离衬底40一侧的表面601之间的距离ΔH在5nm～10nm的范围内；其中，第二方向Z为垂直于半导体层30所在平面的方向。如此，通过在非显示区102设置平坦化单元90，能够使显示面板具有一较为平整的表面，以便于在显示面板100的最外侧设置其它模组结构(例如触控模组等)。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例提供的显示面板，因此本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的显示面板的技术特征，能够达到本发明实施例提供的显示面板的有益效果，相同之处，可参照上述对本发明实施例提供的显示面板的描述，在此不再赘述。

示例性的，图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图15所示，该显示装置200包括显示面板100。显示装置200可以为图15所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区和非显示区；

衬底，包括至少一层有机层和至少一层无机层，且所述有机层与所述无机层层叠设置；所述至少一层有机层包括第一有机层，所述至少一层无机层包括第一无机层和第二无机层，且所述第一有机层与所述第一无机层相邻，所述第二无机层位于所述第一无机层背离所述第一有机层的一侧；

多个像素电路，位于所述显示区，且位于所述第二无机层远离所述第一无机层的一侧；所述像素电路包括驱动晶体管；所述驱动晶体管包括第一有源层；

半导体层，位于所述第一无机层与所述第二无机层之间；所述半导体层包括屏蔽结构和刻蚀阻挡结构；所述屏蔽结构位于所述显示区，且所述屏蔽结构在所述第一有源层所在膜层的垂直投影与各所述第一有源层具有交叠；所述刻蚀阻挡结构位于所述非显示区，且所述刻蚀阻挡结构包括至少一个开口；

阻隔单元，位于所述非显示区；所述阻隔单元包括至少一个凹槽结构；所述凹槽结构由所述开口沿垂直于所述第一有机层所在平面的方向贯穿所述第一无机层，并延伸至所述第一有机层内。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管还包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述第一有机层的一侧；所述第二栅极位于所述第一有源层靠近所述第一有机层的一侧；

其中，所述第一栅极用于接收数据电压信号，所述第二栅极用于接收固定电压信号。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管还包括第一电极；所述第一电极用于接收正性电源电压信号；其中，所述正性电源电压信号复用为所述固定电压信号。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽结构复用为所述第二栅极。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素电路阵列排布；

所述显示面板还包括：

电压信号传输总线，位于所述非显示区；所述屏蔽结构与所述电压信号传输总线电连接；所述电压信号传输总线用于传输所述固定电压信号。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述电压信号传输总线沿所述像素电路的列方向或行方向延伸。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素电路阵列排布；

所述屏蔽结构沿所述像素电路的行方向延伸，且位于同一行的至少部分所述像素电路的所述驱动晶体管共用所述屏蔽结构。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽结构在所述像素电路的列方向上的宽度为W1；所述第一栅极在所述像素电路的列方向上的宽度为W2；其中，0μm≤|W1-W2|≤2μm。

9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括；

第一金属层，包括位于所述显示区的多条电压信号传输线；所述电压信号传输线沿所述像素电路的列方向延伸；

位于同一列的各所述像素电路的所述屏蔽结构通过同一条所述电压信号传输线与所述电压信号传输总线电连接。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述电压信号传输线与所述第一栅极同层设置；

或者，所述驱动晶体管还包括第一源极和第一漏极；所述第一有源层包括第一源极区和第一漏极区；所述第一源极通过过孔与所述第一源极区电连接，所述第一漏极通过过孔与所述第一漏极区电连接；所述电压信号传输线与所述第一源极和所述第一漏极同层设置。

11.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽结构在所述像素电路的列方向上的宽度为W1；所述第一栅极在所述像素电路的列方向上的宽度为W2；其中，0μm≤|W1-W2|≤2μm；

和/或，所述屏蔽结构在所述像素电路的行方向上的长度为L1；所述第一栅极在所述像素电路的行方向上的长度为L2；其中，0μm≤|L1-L2|≤2μm。

12.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每个所述像素电路还包括至少一个开关晶体管；所述开关晶体管包括第二有源层；所述第二有源层的材料与所述半导体层的材料相同，且所述第二有源层的材料与所述第一有源层的材料不同。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述开关晶体管还包括第三栅极和第四栅极；所述第三栅极与所述第一栅极同层设置；所述第四栅极位于所述第二有源层远离所述第三栅极的一侧。

14.根据权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的材料包括氧化物半导体材料；所述第一有源层的材料包括低温多晶硅材料。

15.根据权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，位于所述半导体层与所述第一有机层之间的所述第一无机层的厚度T的取值范围为：0nm≤T≤200nm。

16.根据权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一有机层的所述凹槽结构在所述第一方向上的尺寸大于所述开口在所述第一方向上的尺寸；其中，所述第一方向为平行于所述衬底所在平面的方向。

17.根据权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔单元还包括挡墙结构；所述挡墙结构位于所述凹槽结构靠近和/或远离所述显示区的一侧；

所述显示面板还包括薄膜封装层；所述薄膜封装层覆盖所述像素电路，且沿至少部分所述凹槽结构的内壁和/或至少部分所述挡墙结构的侧壁延伸。

18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，还包括：

平坦化单元，位于所述非显示区，且覆盖所述阻隔单元；在第二方向上，所述平坦化单元背离所述衬底一侧的表面与所述薄膜封装层背离所述衬底一侧的表面之间的距离小于预设距离值ΔH；其中，所述第二方向为垂直于所述半导体层所在平面的方向；所述预设距离值ΔH的取值范围为：5nm≤ΔH≤10nm。

19.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-18任一项所述的显示面板。

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