CN113838998A - 阵列基板，其制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例公开了阵列基板，其制备方法及显示装置，通过设置具有凸出部的第一挡墙，以及设置覆盖显示区、第一挡墙以及第一挡墙的外围区域的薄膜封装层，不仅可以阻隔水氧进入显示区中的电致发光二极管，还可以通过凸出部，将第一挡墙与薄膜封装层之间互相嵌套，增加摩擦阻力，增加抵抗横向应力的能力，防止薄膜封装层从该处剥离或滑动错位。

Description

阵列基板，其制备方法及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板，其制备方法及显示装置。

背景技术

与液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)相比，有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示装置具有轻薄、宽视角、主动发光、响应速度快、能耗小、驱动电压低、发光效率高、以及可柔性显示等优点，受到了广泛的关注。

发明内容

本公开实施例提供了阵列基板，包括：

衬底基板，具有显示区和非显示区；

至少一个第一挡墙，位于所述非显示区，且所述第一挡墙环绕所述显示区设置；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第一挡墙的截面的侧壁具有凸出部；

薄膜封装层，覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域。

在一些示例中，所述第一挡墙包括层叠设置的至少两个挡墙结构层；

所述挡墙结构层中存在至少两个材料不同的挡墙结构层；

所述凸出部为对应材料的刻蚀速率较小的挡墙结构层。

在一些示例中，所述挡墙结构层分为至少一个结构层组；所述结构层组包括层叠设置的至少两个挡墙结构层；

在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，同一所述结构组中，所述挡墙结构层的材料对应的刻蚀速率依次降低或增加。

在一些示例中，各所述结构层组中的挡墙结构层的数量相同，且各所述结构层组中同一出现次序的挡墙结构层的材料相同。

在一些示例中，所述凸出部的形状为折线、曲线以及弧线中的至少一种。

在一些示例中，所述凸出部为折线时，所述折线与所述衬底基板所在平面的角度为45°～90°；

所述凸出部为弧线时，所述弧线的切线与所述衬底基板所在平面的角度为45°～90°，且所述弧线的曲率半径不小于300μm。

在一些示例中，同一所述结构组中，所述挡墙结构层的材料为不同的金属材料。

在一些示例中，所述阵列基板还包括：第二挡墙，位于所述非显示区，且所述第二挡墙环绕所述第一挡墙设置；

在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。

在一些示例中，所述薄膜封装层包括：层叠设置的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层；

所述有机封装层位于所述第二挡墙的内围且覆盖所述显示区和所述第一挡墙；

所述第一无机封装层与所述第二无机封装层覆盖所述显示区、所述第一挡墙、所述第二挡墙以及所述第二挡墙的外围区域。

本公开实施例提供的显示装置，包括上述阵列基板。

本公开实施例提供的阵列基板的制备方法，包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第一挡墙的截面的侧壁具有凸出部；

在形成有所述第一挡墙的衬底基板上形成覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域的薄膜封装层。

在一些示例中，所述在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙，包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙的主体结构；其中，所述主体结构存在至少两个材料不同的挡墙结构层；

采用同一刻蚀液对所述主体结构进行刻蚀，形成所述凸出部。

在一些示例中，在形成所述凸出部之后，还包括：在所述衬底基板上旋涂流动性材料，以冲刷所述凸出部，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部。

在一些示例中，在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙之后，在形成有所述第一挡墙的衬底基板上形成覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域的薄膜封装层之前，还包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述第一挡墙的第二挡墙；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。

在一些示例中，所述流动性材料包括光刻胶；

所述在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述第一挡墙的第二挡墙，包括：

在所述衬底基板上旋涂光刻胶，以冲刷所述凸出部，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部，以及在所述衬底基板上形成覆盖光刻胶膜层；

对所述光刻胶膜层进行曝光显影，形成所述第二挡墙。

附图说明

图1为本公开实施例中的阵列基板的俯视结构示意图；

图2为图1所示的阵列基板在AA’方向上的一些剖视结构示意图；

图3为图1所示的阵列基板在AA’方向上的另一些剖视结构示意图；

图4为图1所示的阵列基板在AA’方向上的又一些剖视结构示意图；

图5为图1所示的阵列基板在AA’方向上的又一些剖视结构示意图；

图6a为制备阵列基板的过程中的一些剖视结构示意图；

图6b为制备阵列基板的过程中的另一些剖视结构示意图；

图6c为制备阵列基板的过程中的又一些剖视结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

一般OLED显示装置包括阵列基板、设置于阵列基板上的OLED器件、以及薄膜封装层；其中，OLED器件可以包括：阳极、阴极以及位于二者之间的有机发光层。由于有机发光层与电极对水汽和氧气的耐性极差，容易与渗透进来的水汽和氧气发生反应，导致OLED器件性能急速恶化。因而需要设置薄膜封装层使OLED器件与外界隔绝，以避免外界水汽和氧气等进入OLED器件。

通常，薄膜封装层由层叠设置的无机封装层、有机封装层以及无机封装层构成，将OLED器件封装在其内部，以达到阻水、阻氧目的，从而对OLED器件提供保护。其中，依靠无机封装层进行水氧阻隔作用，依靠有机封装层进行应力释放和平坦化等作用。在制备过程中，有机封装层可以使用喷墨打印(Ink-jet Printer)的方式制备，即将液态的有机材料通过喷墨打印设备打印在OLED器件表面，经过流平形成有机封装层薄膜。之后通过紫外光(UV)照射的方式使有机封装层薄膜固化。由于在形成有机封装层时，打印的有机材料为液态，为了将有机材料固定在指定的区域，需要设置挡墙。并且为了避免水氧通过挡墙入侵，可以将无机封装层覆盖在挡墙上。然而，由于无机封装层和有机封装层的界面原因，会导致有机封装层和其下方的无机封装层的边界处发生错位、剥离(Peeling)等问题，从而导致封装失效。

本公开实施例提供的阵列基板，通过设置具有凸出部的第一挡墙，以及设置覆盖显示区AA、第一挡墙以及第一挡墙的外围区域的薄膜封装层，不仅可以阻隔水氧进入显示区AA中的电致发光二极管，还可以通过凸出部，将第一挡墙与薄膜封装层之间互相嵌套，增加摩擦阻力，增加抵抗横向应力的能力，防止薄膜封装层从该处剥离或滑动错位。

在本公开实施例中，如图1至图3所示，阵列基板可以包括：衬底基板100，具有显示区AA和非显示区。其中，显示区AA可以包括多个像素单元。多个像素单元阵列排布在显示区AA中。示例性地，每个像素单元可以包括电致发光二极管以及用于驱动电致发光二极管发光的像素驱动电路。其中，电致发光二极管包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极。进一步地，电致发光二极管可以包括：OLED和QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)中的至少一种。并且，一般像素驱动电路可以包括驱动晶体管、开关晶体管等多个晶体管以及存储电容，其具体结构和工作原理可以与现有技术中的相同，在此不作赘述。

在本公开实施例中，如图1至图3所示，阵列基板还可以包括：位于非显示区的至少一个第一挡墙110，且第一挡墙110环绕显示区AA设置。示例性地，可以设置一个第一挡墙110，也可以设置两个第一挡墙110，也可以设置3个、4个或更多个第一挡墙110。其中，在设置多个第一挡墙110时，可以将一个第一挡墙110设置在另一个第一挡墙110的外围。在实际应用中，第一挡墙110的具体数值可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。

在本公开实施例中，如图1至图3所示，阵列基板还可以包括：薄膜封装层130。该薄膜封装层130可以覆盖显示区AA、第一挡墙110以及第一挡墙110的外围区域。这样通过设置薄膜封装层130，可以阻隔水氧进入显示区AA中的电致发光二极管。

在本公开实施例中，如图1至图3所示，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，第一挡墙110的截面的侧壁具有凸出部TC。这样通过设置凸出部TC，可以将第一挡墙110与薄膜封装层130之间互相嵌套，增加摩擦阻力，增加抵抗横向应力的能力，防止薄膜封装层130从该处剥离或滑动错位。

在本公开实施例中，如图1至图3所示，阵列基板还可以包括：位于非显示区的第二挡墙120，且第二挡墙120环绕第一挡墙110设置。以及，薄膜封装层130可以包括：层叠设置的第一无机封装层131、有机封装层132以及第二无机封装层133。其中，有机封装层132位于第二挡墙120的内围且覆盖显示区AA和第一挡墙110；第一无机封装层131与第二无机封装层133覆盖显示区AA、第一挡墙110、第二挡墙120以及第二挡墙120的外围区域。以及，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，第二挡墙120的高度H2大于第一挡墙110的高度H1。通过设置高度较大的第二挡墙120，可以在形成有机封装层132时，通过第二挡墙120的限定作用，将液态的有机材料打印到由第二挡墙120围成的区域内。并且，第一无机封装层131和第二无机封装层133覆盖显示区AA、第一挡墙110、第二挡墙120以及第二挡墙120的外围区域，可以阻隔水氧进入显示区AA中的电致发光二极管。以及，通过凸出部TC，可以使第一挡墙110与第一无机封装层131之间互相嵌套，使设置于凸出部TC表面的第一无机封装层131和有机封装层132之间也互相嵌套，从而可以增加第一挡墙110与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，以及增加有机封装层132与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，增加抵抗横向应力的能力，降低第一无机封装层131从第一挡墙110处剥离或滑动错位的风险，以及降低第一挡墙110处的有机封装层132从第一无机封装层131剥离或滑动错位的风险。

在本公开实施例中，如图2所示，凸出部TC的形状可以设置为弧线。示例性地，在凸出部TC为弧线时，该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β1为45°～90°，且弧线的曲率半径不小于300μm。例如，该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β1可以为45°。该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β1也可以为50°。该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β1也可以为60°。该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β1也可以为90°。例如，该弧线的曲率半径可以设置为300μm。该弧线的曲率半径也可以设置为550μm。该弧线的曲率半径也可以设置为700μm。该弧线的曲率半径也可以设置为850μm。在实际应用中，该弧线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度的具体数值和该弧线的曲率半径的具体数值，可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。

在本公开实施例中，如图2所示，通过将凸出部TC的形状设置为弧线，以使凸出部TC的边缘上翘，可以进一步使第一挡墙110与第一无机封装层131之间互相嵌套，使设置于凸出部TC表面的第一无机封装层131和有机封装层132之间也互相嵌套，从而可以进一步增加第一挡墙110与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，以及进一步增加有机封装层132与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，进一步增加抵抗横向应力的能力，进一步降低第一无机封装层131从第一挡墙110处剥离或滑动错位的风险，以及进一步降低第一挡墙110处的有机封装层132从第一无机封装层131剥离或滑动错位的风险。

在本公开实施例中，如图3所示，凸出部TC的形状也可以设置为折线。示例性地，凸出部TC为折线时，该折线与衬底基板100所在平面S0的角度β2为45°～90°。例如，该折线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β2可以为45°。该折线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β2也可以为50°。该折线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β2也可以为60°。该折线的切线与衬底基板100所在平面S0的角度β2也可以为90°。在实际应用中，该折线的曲率半径的具体数值，可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。

在本公开实施例中，如图3所示，通过将凸出部TC的形状设置为折线，以使凸出部TC的边缘上翘，可以进一步使第一挡墙110与第一无机封装层131之间互相嵌套，使设置于凸出部TC表面的第一无机封装层131和有机封装层132之间也互相嵌套，从而可以进一步增加第一挡墙110与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，以及进一步增加有机封装层132与第一无机封装层131之间的摩擦阻力，进一步增加抵抗横向应力的能力，进一步降低第一无机封装层131从第一挡墙110处剥离或滑动错位的风险，以及进一步降低第一挡墙110处的有机封装层132从第一无机封装层131剥离或滑动错位的风险。

在本公开实施例中，凸出部TC的形状也可以设置为曲线、于衬底基板100所在平面S0平行的直线等。在实际应用中，凸出部TC的形状可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。

在本公开实施例中，第一挡墙110可以包括层叠设置的至少两个挡墙结构层，并且挡墙结构层中存在至少两个材料不同的挡墙结构层，以及，凸出部TC为对应材料的刻蚀速率较小的挡墙结构层。例如，如图4所示，第一挡墙110可以包括层叠设置的两个挡墙结构层：111、112，并且这两个挡墙结构层的材料不同。以及，凸出部TC为对应材料的刻蚀速率较小的挡墙结构层。例如，挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率较小。由于材料不同，其在同一刻蚀液中的刻蚀速率不同，这样在形成层叠设置的两个挡墙结构层的主体结构后，将衬底基板100放入同一刻蚀液中，对应蚀速率较大的材料的挡墙结构层111刻蚀的较快一些，对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层112刻蚀的较慢一些，这样在刻蚀相同的时间后，可以使对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层112在水平方向(例如，平行于衬底基板100所在平面S0的方向)上较长一些，对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层111在水平方向上较短一些，较长一些的挡墙结构层112的边缘形成了凸出部TC。

例如，如图5所示，第一挡墙110可以包括层叠设置的四个挡墙结构层：111、112、113、114，并且这四个挡墙结构层中存在两个挡墙结构层的材料不同。例如，挡墙结构111和挡墙结构层113的材料相同，挡墙结构层112和挡墙结构层114的材料相同，而挡墙结构层111和挡墙结构层112的材料不同。由于挡墙结构层111和挡墙结构层112的材料不同。如，挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率较小。在将衬底基板100放入同一刻蚀液中，对应蚀速率较大的材料的挡墙结构层111、113刻蚀的较快一些，对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层112、114刻蚀的较慢一些，这样在刻蚀相同的时间后，可以使对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层112、114在水平方向上较长一些，对应蚀速率较小的材料的挡墙结构层111、113在水平方向上较短一些，较长一些的挡墙结构层112、114的边缘形成了凸出部TC。

在本公开实施例中，挡墙结构层可以分为至少一个结构层组；结构层组包括层叠设置的至少两个挡墙结构层。例如，挡墙结构层可以分为一个结构层组；结构层组包括层叠设置的两个挡墙结构层。如图4所示，挡墙结构层：111、112作为一个结构层组。或者，例如，挡墙结构层可以分为两个结构层组：Z-1、Z-2；结构层组Z-1包括挡墙结构层111、112，结构层组Z-2包括挡墙结构层113、114。或者，挡墙结构层也可以分为三个结构层组；每个结构层组可以包括两个或三个或更多个挡墙结构层。当然，在实际应用中，结构层组的数量和结构层组中包括的挡墙结构层的数量，可以根据实际应用的需求进行确定，在此不作限定。

在本公开实施例中，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，同一结构组中，挡墙结构层的材料对应的刻蚀速率依次增加。例如，如图4所示，挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率小于挡墙结构层111的材料对应的刻蚀速率。或者，例如，如图5所示，挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率小于挡墙结构层111的材料对应的刻蚀速率。挡墙结构层114的材料对应的刻蚀速率小于挡墙结构层113的材料对应的刻蚀速率。

在本公开实施例中，可以使各结构层组中的挡墙结构层的数量相同，且各结构层组中同一出现次序的挡墙结构层的材料相同。例如，如图5所示，结构层组Z-1和Z-2中的挡墙结构层的数量均为两个，并且结构层组Z-1的挡墙结构层111与结构层组Z-2的挡墙结构层113的材料相同。结构层组Z-1的挡墙结构层112与结构层组Z-2的挡墙结构层114的材料相同。

在本公开实施例中，可以使同一结构组中，挡墙结构层的材料为不同的金属材料。例如，在同一刻蚀液中，Al的刻蚀速率大于Ti的刻蚀速率，如图5所示，结构层组Z-1中，挡墙结构层111的材料可以为Al，挡墙结构层112的材料可以为Ti。结构层组Z-2中，挡墙结构层113的材料可以为Al，挡墙结构层114的材料可以为Ti。当然，在实际应用中，挡墙结构层的材料可以根据实际应用的需求，从金属材料中选取，在此不作限定。通过将第一挡墙110设置为金属结构，可以进一步有利于阻隔水汽入侵。

在本公开实施例中，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，同一结构组中，挡墙结构层的材料对应的刻蚀速率依次降低。例如，也可以使挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率大于挡墙结构层111的材料对应的刻蚀速率。或者，挡墙结构层112的材料对应的刻蚀速率大于挡墙结构层111的材料对应的刻蚀速率。挡墙结构层114的材料对应的刻蚀速率大于挡墙结构层113的材料对应的刻蚀速率。例如，结构层组Z-1中，挡墙结构层111的材料也可以为Ti，挡墙结构层112的材料可以为Al。结构层组Z-2中，挡墙结构层113的材料可以为Ti，挡墙结构层114的材料可以为Al。

本公开实施例提供的阵列基板的制备方法，可以包括如下步骤：

S10、在衬底基板100的非显示区中形成环绕显示区AA的第一挡墙110；其中，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，第一挡墙110的截面的侧壁具有凸出部TC；

S20、在形成有第一挡墙110的衬底基板100上形成覆盖显示区AA、第一挡墙110以及第一挡墙110的外围区域的薄膜封装层130。

在具体实施时，在阵列基板上形成第一挡墙110之前，阵列基板的显示区AA中即已形成有电致发光器件。

在具体实施时，在本公开实施例中，在衬底基板100的非显示区中形成环绕显示区AA的第一挡墙110，可以包括：在衬底基板100的非显示区中形成环绕显示区AA的第一挡墙110的主体结构；其中，主体结构存在至少两个材料不同的挡墙结构层；采用同一刻蚀液对主体结构进行刻蚀，形成凸出部TC。

在具体实施时，在本公开实施例中，在形成凸出部TC之后，还包括：在衬底基板100上旋涂流动性材料，以冲刷凸出部TC，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部TC。示例性地，流动性材料可以为光刻胶。当然，流动性材料也可以为其他材料，在此不作限定。

在具体实施时，在本公开实施例中，在步骤S10：在衬底基板100的非显示区中形成环绕显示区AA的第一挡墙110之后，在步骤S20：在形成有第一挡墙110的衬底基板100上形成覆盖显示区AA、第一挡墙110以及第一挡墙110的外围区域的薄膜封装层130之前，还可以包括：在衬底基板100的非显示区中形成环绕第一挡墙110的第二挡墙120；其中，在沿第一挡墙110背离衬底基板100的方向F0上，第二挡墙120的高度大于第一挡墙110的高度。

在具体实施时，在本公开实施例中，在衬底基板100的非显示区中形成环绕第一挡墙110的第二挡墙120，可以包括：在衬底基板100上旋涂光刻胶，以冲刷凸出部TC，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部TC，以及在衬底基板100上形成覆盖光刻胶膜层；对光刻胶膜层进行曝光显影，形成第二挡墙120。

下面以图5所示的阵列基板的结构为例，对本公开实施例提供的制备方法进行说明。需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本公开，但不限制本公开。

本公开实施例提供的制备方法，可以包括如下步骤：

(1)如图6a所示，在衬底基板100的非显示区中形成环绕显示区AA的，且层叠设置的挡墙结构层111的主体结构211、挡墙结构层112的主体结构212、挡墙结构层113的主体结构213、挡墙结构层114的主体结构214。并且，挡墙结构层111的主体结构211的材料为Al，挡墙结构层112的主体结构212的材料为Ti，挡墙结构层113的主体结构213的材料为Al，挡墙结构层114的主体结构214的材料为Ti。示例性地，挡墙结构层113的主体结构213的厚度和挡墙结构层111的主体结构211的厚度可以为100nm～300nm。挡墙结构层111～114形成的第一挡墙110的总厚度可以为750nm-950nm，宽度可以为5μm-30μm。

(2)如图6b所示，将形成有上述主体结构211、212、213、214的衬底基板100，放入同一刻蚀液中进行刻蚀，由于Al的刻蚀速率大于Ti的刻蚀速率，从而在刻蚀时间相同的情况下，可以使挡墙结构层111的主体结构211和挡墙结构层113的主体结构213在水平方向上较短一些，使挡墙结构层112的主体结构212和挡墙结构层112的主体结构212在水平方向上较长一些，较长一些的挡墙结构层112的主体结构212和挡墙结构层114的主体结构214凸出于主体结构211和主体结构213设置。

(3)如图6c所示，在衬底基板100上形成覆盖的光刻胶，使得光刻胶也将第一挡墙110覆盖上，并进行旋涂，由于光刻胶具有流行性，可以冲刷较长一些的挡墙结构层112的主体结构212和挡墙结构层114的主体结构214的边缘，以使较长一些的挡墙结构层112的主体结构212和挡墙结构层114的主体结构214的边缘上翘，形成弧线形状的凸出部TC，以及，在衬底基板100上形成覆盖的光刻胶膜层。需要说明的是，图6a、图6b仅示意出了主体结构211～214以及显示区AA。

(4)如图5所示，对光刻胶膜层进行曝光显影，去除覆盖第一挡墙110的光刻胶膜层，保留其余区域的光刻胶膜层，环绕于第一挡墙110外围的光刻胶膜层形成了第二挡墙120。示例性地，第二挡墙120的高度为3μm～4μm。第一挡墙110和第二挡墙120之间可以间隔的距离为10μm～60μm。

(5)如图5所示，可以采用SiNx、SiO2、SiC、Al2O3、ZnS、ZnO等具有阻隔水氧作用的材料中的至少一种，以及采用化学气相沉积(CVD)、溅射、原子层沉积(ALD)等工艺在第一掩膜版的遮挡下形成覆盖显示区AA、第一挡墙110、第二挡墙120以及第二挡墙120的外围区域的第一无机封装层131。示例性地，第一无机封装层131的厚度可以为0.05μm～2.5μm。

(6)如图5所示，采用喷墨打印工艺，在形成有第一无机封装层131的阵列基板上打印有机材料，之后进行紫外光固化，形成有机封装层132。示例性地，有机封装层132材料为在紫外光照射下可固化的材料，包括单体(Monomer)有机物主体(大于95％体积比)和与光引发剂、活性稀释剂以及各种助剂等混合物。示例性地，有机封装层132厚度可以为10μm-20μm。

(7)如图5所示，可以采用SiNx、SiO2、SiC、Al2O3、ZnS、ZnO等具有阻隔水氧作用的材料中的至少一种，以及采用化学气相沉积(CVD)、溅射、原子层沉积(ALD)等工艺在第一掩膜版的遮挡下形成覆盖显示区AA、第一挡墙110、第二挡墙120以及第二挡墙120的外围区域的第二无机封装层133。示例性地，第二无机封装层133的厚度可以为0.05μm～2.5μm。

基于同一公开构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述阵列基板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。

在具体实施时，在本公开实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。

本公开实施例提供的阵列基板，其制备方法及显示装置，通过设置具有凸出部的第一挡墙，以及设置覆盖显示区AA、第一挡墙以及第一挡墙的外围区域的薄膜封装层，不仅可以阻隔水氧进入显示区AA中的电致发光二极管，还可以通过凸出部，将第一挡墙与薄膜封装层之间互相嵌套，增加摩擦阻力，增加抵抗横向应力的能力，防止薄膜封装层从该处剥离或滑动错位。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，具有显示区和非显示区；

至少一个第一挡墙，位于所述非显示区，且所述第一挡墙环绕所述显示区设置；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第一挡墙的截面的侧壁具有凸出部；

薄膜封装层，覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一挡墙包括层叠设置的至少两个挡墙结构层；

所述挡墙结构层中存在至少两个材料不同的挡墙结构层；

所述凸出部为对应材料的刻蚀速率较小的挡墙结构层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述挡墙结构层分为至少一个结构层组；所述结构层组包括层叠设置的至少两个挡墙结构层；

在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，同一所述结构组中，所述挡墙结构层的材料对应的刻蚀速率依次降低或增加。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，各所述结构层组中的挡墙结构层的数量相同，且各所述结构层组中同一出现次序的挡墙结构层的材料相同。

5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述凸出部的形状为折线、曲线以及弧线中的至少一种。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凸出部为折线时，所述折线与所述衬底基板所在平面的角度为45°～90°；

所述凸出部为弧线时，所述弧线的切线与所述衬底基板所在平面的角度为45°～90°，且所述弧线的曲率半径不小于300μm。

7.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，同一所述结构组中，所述挡墙结构层的材料为不同的金属材料。

8.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二挡墙，位于所述非显示区，且所述第二挡墙环绕所述第一挡墙设置；

在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜封装层包括：层叠设置的第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层；

所述有机封装层位于所述第二挡墙的内围且覆盖所述显示区和所述第一挡墙；

所述第一无机封装层与所述第二无机封装层覆盖所述显示区、所述第一挡墙、所述第二挡墙以及所述第二挡墙的外围区域。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。

11.一种如权利要求1-9任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第一挡墙的截面的侧壁具有凸出部；

在形成有所述第一挡墙的衬底基板上形成覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域的薄膜封装层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙，包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙的主体结构；其中，所述主体结构存在至少两个材料不同的挡墙结构层；

采用同一刻蚀液对所述主体结构进行刻蚀，形成所述凸出部。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述凸出部之后，还包括：在所述衬底基板上旋涂流动性材料，以冲刷所述凸出部，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述显示区的第一挡墙之后，在形成有所述第一挡墙的衬底基板上形成覆盖所述显示区、所述第一挡墙以及所述第一挡墙的外围区域的薄膜封装层之前，还包括：

在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述第一挡墙的第二挡墙；其中，在沿所述第一挡墙背离所述衬底基板的方向上，所述第二挡墙的高度大于所述第一挡墙的高度。

15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述流动性材料包括光刻胶；

所述在所述衬底基板的非显示区中形成环绕所述第一挡墙的第二挡墙，包括：

在所述衬底基板上旋涂光刻胶，以冲刷所述凸出部，形成具有折线、曲线以及弧线中的至少一种形状的凸出部，以及在所述衬底基板上形成覆盖光刻胶膜层；

对所述光刻胶膜层进行曝光显影，形成所述第二挡墙。

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