JP5333969B2 - 液晶装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置およびこれを備えた電子機器に関する。

上記液晶装置として、一対の基板のうち一方の基板に配置された画素電極と共通電極との間に基板面と平行な電界を生じさせて液晶を駆動すると共に、他方の基板の外面に設けられた透明導電膜に一定の電位を印加する液晶装置が知られている（特許文献１）。

特許文献１の液晶装置は、透明導電膜に一定の電位を印加することで、他方の基板を帯電し難くし、帯電による液晶分子の配向の乱れを防止して高画質な表示を実現できるとしている。

また、高画質な表示を実現する観点では、第１の電極を有する第１の基板と、カラーフィルターとこれを覆う第２電極とを有する第２の基板と、これらの基板間に封止された液晶とを備え、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方が対向するカラーフィルターの色に応じて異なった厚さに形成されているカラー液晶表示素子が知られている（特許文献２）。

特許文献２のカラー液晶表示素子は、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方の電極の厚みを対向するカラーフィルターの色に応じて異ならせることにより、カラーフィルターを透過する光の透過率を適正化して、優れた色バランスで画像を表示できるとしている。

特開２００１−５１２６３号公報 特開平８−１２２８０３号公報

上記特許文献２の技術思想を特許文献１の液晶装置に適用しようとすると、他方の基板にカラーフィルターを設け、他方の基板に対向する一方の基板の画素電極または共通電極の厚みをカラーフィルターの色に応じて異ならせる必要がある。
しかしながら、一方の基板と他方の基板とに挟持される液晶層の厚みがカラーフィルターの色ごとに変化してしまい、応答速度がばらつくという課題がある。
また、カラーフィルターを透過した光が他方の基板に設けられた透明導電膜を透過することにより、実際の表示における色相や色バランスが光学的に最適化された状態からずれてしまうという課題もある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および第２電極と、前記第２基板の前記液晶層側に設けられた静電遮蔽層および青を含む少なくとも３色の着色層を有するカラーフィルターと、前記第１電極および前記第２電極に供給される画像信号によって、単位サブ画素に区分された画像を表示する表示領域と、を備え、前記静電遮蔽層は、前記単位サブ画素毎に前記青の着色層に対応して設けられた開口部を有する。

この構成によれば、第２基板の液晶層側に静電遮蔽層を設けることにより、第２基板が帯電して液晶層における液晶分子の配向が乱れることを防止することができる。さらに、静電遮蔽層の開口部において着色層を透過する光は、静電遮蔽層の影響を受けないので、本来の着色層が有する色相や彩度が忠実に反映される。すなわち、静電気による帯電の影響を受け難く、且つ応答速度などの光学特性に影響を与えずに表示における色の調整がなされた液晶装置を提供することができる。
しかも、黄色の補色である青の着色層に対応して、静電遮蔽層に単位サブ画素毎に開口部を設けているので、帯電防止機能を損なうことなく、白色の表示が本来の白色に近い好ましいホワイトバランスとすることができる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記第２基板は、前記着色層を色ごとに区分する樹脂製の遮光部を有し、前記静電遮蔽層の前記開口部は、平面的に開口領域の一部が前記遮光部に重なるように設けられていることが好ましい。
この構成によれば、着色層が設けられた領域に開口部の端部が平面的に入り込んで、色むらとなる現象を避けることができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第２基板は、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層を有し、前記静電遮蔽層は、基板面と前記オーバーコート層との間に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、第２基板の静電遮蔽層と第１基板の第１電極および第２電極との間には、少なくともオーバーコート層と液晶層とが介在する。したがって、第１電極と第２電極との間に横電界を生じさせたときに、静電遮蔽層と第１電極または第２電極との間に生ずる縦電界の強度を低減できる。すなわち、縦電界による透過率の低下が抑制され、優れた光学特性を実現できる。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記静電遮蔽層は、前記カラーフィルターと前記オーバーコート層との間に設けられていることがさらに好ましい。
この構成によれば、樹脂製の着色層や遮光部から不純物が液晶層に向けて拡散することを静電遮蔽層によって抑制することができる。

［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記オーバーコート層の厚みが１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
この構成によれば、オーバーコート層をカラーフィルターの平坦化層として機能させると共に、光透過性を維持して見栄えのよい液晶装置を提供することができる。

［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記静電遮蔽層の厚みが２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
この構成によれば、帯電防止機能を確保しつつ、液晶層を透過した光が静電遮蔽層と着色層とを透過しても所望の色表現が可能な液晶装置を提供することができる。

［適用例７］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えている。
この構成によれば、静電気によって表示がむらにならず、表示された画像などの情報を見栄えよく確認可能な電子機器を提供することができる。

（ａ）は液晶装置の構成を示す概略正面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ'線で切った概略断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素の構成を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ'線で切った画素の要部断面図。 （ａ）および（ｂ）は液晶装置の光学設計条件を示す模式図。 シールド電極の構成を示す概略平面図。 比較例と実施例におけるシールド電極とＯＶＣ層の構成を示す表。 比較例と実施例のＣＩＥｘｙ色度図。 電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図。 （ａ）および（ｂ）は変形例の対向基板の構成を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

（第１実施形態）
＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置について、図１〜図６を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略正面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ'線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は画素の構成を示す概略平面図、図４は図３のＡ−Ａ'線で切った画素の要部断面図、図５（ａ）および（ｂ）は液晶装置の光学設計条件を示す模式図、図６はシールド電極の構成を示す概略平面図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、一対の基板としての素子基板１０および対向基板２０を備えている。第１基板としての素子基板１０と第２基板としての対向基板２０とは、互いに所定の位置で一定の間隔をおいて対向配置され、シール材４０によって封着された空間に正の誘電異方性を有する液晶が充填された液晶層５０を挟持している。素子基板１０と対向基板２０とにより液晶層５０が挟持された状態を液晶セル１０１と呼ぶ。

対向基板２０の辺部に沿って額縁状に設けられたシール材４０の内側の部分が表示領域１０ａとなっている。表示領域１０ａには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれに対応したサブ画素ＳＧを１つの表示制御単位とした表示用画素が複数設けられている。
上記３色に対応するサブ画素ＳＧの配置は、同色のサブ画素ＳＧが矩形状の液晶セル１０１の長手方向に配置され、異なる色のサブ画素が長手方向に直交する短手方向に配列された所謂ストライプ方式となっている。

素子基板１０は、透明な例えばガラス基板であって、液晶層５０に面する側に複数のサブ画素ＳＧとこれを駆動制御する薄膜トランジスターとを備えている。
対向基板２０は、同じく透明な例えばガラス基板であって、液晶層５０に面する側に異なる色のフィルター（着色層）を有するカラーフィルター２２と遮光部２１とを備えている。
遮光部２１は、遮光性を有する例えば樹脂材料からなるものであって、カラーフィルター２２を異なる色のフィルターごとに区分するように設けられている。遮光部２１はブラックマトリクス（ＢＭ）とも呼ばれている。

素子基板１０の液晶層５０に面する側に対して反対側の表面に、偏光素子としての偏光板１９が設けられ、同じく対向基板２０の液晶層５０に面する側に対して反対側の表面に偏光素子としての偏光板２６が設けられている。なお、偏光板１９，２６は、偏光板単体に限らず、位相差板などの光学フィルムと組み合わされたものや、光の入射側あるいは射出側の表面にアンチグレアコートやハードコートなどの処理が施されたものでもよい。

対向基板２０の手前側の一辺部から突出した素子基板１０の端子部１０ｂには、液晶装置１００を駆動するための半導体装置であるドライバーＩＣ１０２，１０３が設けられている。

ドライバーＩＣ１０２は、データ線駆動回路を含むものであり、ドライバーＩＣ１０３は走査線駆動回路を含むものである。
ドライバーＩＣ１０２は、液晶セル１０１の短手方向における端子部１０ｂのほぼ中央部に平面実装され、ドライバーＩＣ１０３は、端子部１０ｂの両端側にそれぞれ１個ずつ平面実装されている。
また、端子部１０ｂには、外部駆動回路との接続を図るための中継基板１０５が設けられている。中継基板１０５は、例えばフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）であって、ＦＰＣ１０５と呼ぶこともある。

このような液晶装置１００は、所謂アクティブ駆動の透過型液晶装置であって、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）などの光源を有する照明装置（図示省略）により照明されて用いられるものである。

図２に示すように、液晶装置１００は、データ線駆動回路を含むドライバーＩＣ１０２に接続された複数のデータ線６ａと、走査線駆動回路を含むドライバーＩＣ１０３に接続された複数の走査線３ａおよび共通線３ｂとを有する。データ線６ａと走査線３ａとは互いに絶縁された状態で交差しており、データ線６ａと走査線３ａとにより区分された領域にサブ画素ＳＧが設けられている。

サブ画素ＳＧは、第１電極としての共通電極１３と、第２電極としての画素電極１５と、スイッチング素子としての薄膜トランジスター３０とを備えている。薄膜トランジスター３０のゲートは走査線３ａに接続され、ソースはデータ線６ａに接続され、ドレインは画素電極１５に接続されている。共通電極１３は共通線３ｂに接続されている。

ドライバーＩＣ１０２は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを、データ線６ａを介して各サブ画素ＳＧに供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給するようにしてもよい。

また、ドライバーＩＣ１０３から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に線順次で薄膜トランジスター３０のゲートに印加されるようになっている。

スイッチング素子である薄膜トランジスター３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれるようになっている。画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向する共通電極１３との間で一定期間保持される。

すなわち、共通電極１３と画素電極１５との間に生じた電界により液晶層５０が駆動制御され、サブ画素ＳＧでは画像信号に基づいた表示が行われる。

以降、薄膜トランジスターをＴＦＴ（Thin Film Transistor）と呼び、ＴＦＴ３０と表記する。

次にサブ画素ＳＧの構成について、さらに詳しく説明する。図３に示すように、サブ画素ＳＧは、データ線６ａと走査線３ａとにより区分された画素領域に平面視で略矩形状の画素電極１５を有している。また、画素電極１５が平面的に重なる位置において共通電極１３が設けられている。
データ線６ａと走査線３ａとの交差点付近の走査線３ａ上にＴＦＴ３０が設けられている。

画素電極１５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、画素領域の長手方向に延在すると共に短手方向に所定の間隔をおいて配置された複数の帯状電極部１５ａを有する。帯状電極部１５ａ間は、隙間が空いたスリット状となっており、当該部分をスリット１５ｂと呼ぶ。帯状電極部１５ａ（あるいはスリット１５ｂ）は、データ線６ａの延在方向に対して交差する方向にわずかに傾いて設けられている。

このような帯状電極部１５ａを有する画素電極１５は、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａ上から画素領域内に向けて延出して設けられたドレイン電極３０ｄとコンタクトホールＨ１を介して電気的に接続している。

共通電極１３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、画素領域の長手方向に亘って平板状に設けられていると共に、長手方向の一方の端部が共通線３ｂと平面的に重なる部分において電気的に共通線３ｂと接続している。

このようなサブ画素ＳＧは、素子基板１０において設けられており、対向基板２０の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色のフィルターにそれぞれ対応して同じ構成を有するものである。

次に図４を参照してサブ画素ＳＧ（Ｒ）を例にその構造をさらに詳しく説明する。図４に示すように、まず素子基板１０上に例えばアルミニウムなどの低抵抗配線材料からなる導電層をスパッタ法や蒸着法を用いて形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして走査線３ａを形成する。走査線３ａを覆うように例えばＳｉＯ₂（酸化シリコン）などからなるゲート絶縁膜１１を形成する。

ゲート絶縁膜１１上にアモルファスシリコン層を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、走査線３ａと重なる位置に島状の半導体層３０ａを形成する。
半導体層３０ａを覆うように導電層を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、半導体層３０ａのソース領域に重なるソース電極３０ｓと、ソース電極３０ｓに繋がるデータ線６ａとを一体形成する。また、半導体層３０ａのドレイン領域に重なるドレイン電極３０ｄを形成する。

半導体層３０ａ、ドレイン電極３０ｄ、ソース電極３０ｓ（データ線６ａ）を覆うように例えばＳｉＮ（窒化シリコン）などからなる第１層間絶縁膜１２を形成する。

第１層間絶縁膜１２上に導電層を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、共通線３ｂ（図示省略）を形成する。共通線３ｂを覆うように透明導電膜を成膜して、おなじくフォトリソグラフィ法によりパターニングし共通電極１３を形成する。

共通電極１３を覆うように例えばアクリル系樹脂材料からなる第２層間絶縁膜１４を形成する。また、第１層間絶縁膜１２および第２層間絶縁膜１４の一部をエッチング除去して画素領域内に延出したドレイン電極３０ｄの部分に到達する孔（ホール）を形成する。第２層間絶縁膜１４上および上記孔を覆うように透明導電膜を形成して、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングし、コンタクトホールＨ１とこれに繋がる画素電極１５を形成する。画素電極１５が複数の帯状電極部１５ａを有するように形成する。

画素電極１５を覆うように例えばポリイミド樹脂などからなる配向膜１６を形成する。配向膜１６は例えばラビングなどの配向処理方法を用いて、所定の方向に液晶分子ＬＣを配向させる配向処理が施される。

対向基板２０の液晶層５０に面する側には、まず、遮光性の樹脂材料を用いて遮光部２１が形成される。遮光部２１の形成方法としては、オフセットなどの印刷法を用いて上記樹脂材料を塗布してパターニングする方法や、感光性の上記樹脂材料を全面に塗布してから露光・現像することによりパターニングする方法が挙げられる。

次に遮光部２１を覆うように感光性のフィルター材料を塗布して、露光・現像することによりカラーフィルター２２を形成する。もちろん、Ｒ、Ｇ、Ｂの異なる色ごとに分けてカラーフィルター２２を形成する。カラーフィルター２２の形成方法としては、樹脂材料からなる遮光部２１を隔壁部として形成し、遮光部２１によって区画された領域内に、フィルター材料を含む液状体を液滴として吐出して乾燥させることにより、各色のカラーフィルター２２を形成する液滴吐出法（インクジェット法）を用いてもよい。

そして、カラーフィルター２２を覆うように透明導電膜からなる静電遮蔽層としてのシールド電極２３を形成する。シールド電極２３を覆うように例えば透明なアクリル系の樹脂を用いてオーバーコート（ＯＶＣ）層２４を形成する。さらにオーバーコート層２４を覆うように例えばポリイミド樹脂からなる配向膜２５を形成する。配向膜２５は、素子基板１０側の配向膜１６と同様に例えばラビングなどの配向処理方法を用いて、所定の方向に液晶分子ＬＣを配向させる配向処理が施される。

このような構造の液晶装置１００は、サブ画素ＳＧ（Ｒ）の帯状電極部１５ａを有する画素電極１５と共通電極１３との間に発生する電界によって液晶層５０の液晶分子ＬＣの配向方向を制御することにより、表示を行わせるものであって、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれている。

次に、液晶装置１００における光学設計について述べる。図５（ａ）に示すように、液晶セル１０１の初期配向は、画素の列方向つまりＹ方向に沿ったホモジニアス配向となっている。より具体的には、素子基板１０の配向膜１６におけるラビング方向と、対向基板２０の配向膜２５におけるラビング方向とは、互いにＹ方向に沿っているが１８０°逆向きとなっている。

一対の偏光板１９，２６の光学的な配置は、液晶セル１０１を挟んでクロスニコル（互いの透過軸または吸収軸が直交する状態）となっている。具体的には、照明装置からの光が入射する側に配置された偏光板１９の透過軸１９ｔは、上記初期配向方向と同一方向となっている。これに対して、光が射出される側に配置された偏光板２６の透過軸２６ｔは、上記初期配向方向と直交している。

すなわち、入射光は、偏光板１９を透過して直線偏光に変換され、液晶セル１０１を透過するものの、偏光板２６によって吸収されるため、非駆動状態つまり初期配向状態では黒表示となる。

図５（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＧの画素電極１５のスリット１５ｂは、配向処理方向に対して左下がりに５°（右上がり８５°）傾いている。したがって、帯状電極部１５ａを有する画素電極１５とこれに対向配置された共通電極１３との間に駆動電圧を印加すると、平面視で帯状電極部１５ａ（あるいはスリット１５ｂ）の延在方向と直交する方向に電界が生ずる。
正の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、長軸が電界方向に向くように配向するため、帯状電極部１５ａの近傍では、反時計回りにツイストする。これによって液晶層５０に旋光性が生ずる（図４参照）。偏光板１９によって直線偏光に変換された入射光は、液晶セル１０１を透過する間に旋光して偏光板２６を透過する。つまり、駆動時にはカラーフィルター２２により着色された色が観察され、表示用画素を構成する異なる色のサブ画素ＳＧがすべて駆動状態のときには、白表示となる。このような表示モードはノーマリーブラックモードと呼ばれている。
なお、配向処理方向と帯状電極部１５ａ（あるいはスリット１５ｂ）とがなす角度は、５°に限定されない。電界を生じさせたときに液晶分子ＬＣが一定の方向に安定してツイストする角度に設定される。

このような液晶装置１００において、対向基板２０側に設けられたシールド電極２３は、例えば特許文献１（特開２００１−５１２６３号公報）に示されているように、共通線３ｂつまり共通電極１３と同じ電位、または接地電位やロジック電位などの一定の電位が与えられる構成となっている。これにより、対向基板２０が静電気で帯電し難くなる。

一方で、素子基板１０側に設けられた画素電極１５と共通電極１３との間に電界を生じさせて液晶層５０を駆動する際に、画素電極１５と対向するシールド電極２３との間にも電界が生ずるおそれがある。前者の電界を素子基板１０の基板面に対して略平行となることから横電界と呼び、これに対して後者の電界を縦電界と呼ぶ。

ＦＦＳ方式の液晶装置１００では、前述したように液晶分子ＬＣが横電界により基板面に対して略平行に配向した状態からツイストすることにより液晶層５０に旋光性が与えられる。したがって、縦電界が生ずると液晶分子ＬＣが液晶層５０の旋光性が損なわれる厚み方向に配列しようとするので、液晶装置１００における光の透過率が低下する。

本実施形態では、対向基板２０においてシールド電極２３をカラーフィルター２２とＯＶＣ層２４との間に配置することにより液晶層５０から遠ざけて、縦電界の強度が横電界に比べて強くならないようにしている（図４参照）。

また、図６に示すように、シールド電極２３は、ＸおよびＹ方向にストライプ状に配列する異なる色のサブ画素ＳＧ（Ｒ），ＳＧ（Ｇ），ＳＧ（Ｂ）のうち、青のサブ画素ＳＧ（Ｂ）に対応して開口する開口部２３ａを有している。
開口部２３ａは、サブ画素ＳＧ（Ｂ）ごとに開口し、サブ画素ＳＧ（Ｂ）の画素領域よりも一回り大きな面積で設けられており、実質的にサブ画素ＳＧ（Ｂ）の画素領域を規定する遮光部２１に対して開口領域の一部が重なり合うように設けられている。

このようなシールド電極２３の平面的な配置は、青色のカラーフィルター２２を透過した光がさらにシールド電極２３を透過することで、シールド電極２３にその一部が吸収され、透過率の低下や色相の変化を招くことを防止している。さらには、青のサブ画素ＳＧ（Ｂ）では縦電界が生じない、つまり縦電界に起因した透過率の低下も防止される。これにより、黄色の補色である青色の光の透過率と色相とが確保されるので、白表示がより白らしくなるホワイトバランスが適正化され、見栄えのよい液晶装置１００を実現できる。

また、素子基板１０と対向基板２０とをシール材４０を介して接着するときの位置精度を考慮して、開口部２３ａがサブ画素ＳＧ（Ｂ）の画素領域よりも一回り大きな面積で設けられているので、サブ画素ＳＧ（Ｂ）に対向する青のフィルター２２（Ｂ）を確実に開口させることができる。

液晶装置１００において同一色のサブ画素ＳＧがＹ方向に配置されているので、開口部２３ａを複数のサブ画素ＳＧ（Ｂ）に亘って設けることが考えられるが、そうするとシールド電極２３の平面的な抵抗が上昇して、帯電防止効果が低下する。本実施形態では、開口部２３ａを設けても帯電防止効果が著しく低下しないように、サブ画素ＳＧ（Ｂ）ごとに開口部２３ａを設けている。

なお、開口部２３ａは、サブ画素ＳＧ（Ｂ）にのみ対応して設けることに限定されない。例えば、液晶装置１００のホワイトバランスを考慮して、サブ画素ＳＧ（Ｂ）に加えて赤のサブ画素ＳＧ（Ｒ）に対応して開口部２３ａを設けることが考えられる。

以降、比較例と実施例とを挙げて説明する。図７は比較例と実施例におけるシールド電極とＯＶＣ層の構成を示す表、図８は比較例と実施例のＣＩＥｘｙ色度図である。なお、図８のＣＩＥｘｙ色度図は、以下のような比較例および実施例における液晶装置１００の製造条件を前提として、光学的なシミュレーションにより求めたものである。

比較例１、比較例２および実施例１〜実施例６において、液晶装置１００における液晶層５０は、正の誘電異方性を有する液晶で構成され、その複屈折率Δｎは０．１２〜０．１５、比誘電率Δεが８．０〜１６．０、厚みは２．５μｍ〜４．０μｍとしている。
カラーフィルター２２の厚みは各フィルターともほぼ同一で、およそ１μｍ〜２．５μｍとしている。
シールド電極２３は、透明導電膜としてスパッタ法または蒸着法で成膜されたＩＴＯ膜を用いる。
ＯＶＣ層２４は、透明なアクリル系の樹脂からなり、１ｋＨｚにおける比誘電率をおよそ２．５としている。

図７に示すように、実施例１〜実施例６では、対向基板２０側のシールド電極２３とＯＶＣ層２４との形成条件を異ならせた組み合わせとしている。

具体的には、実施例１〜実施例５では、シールド電極２３の厚みをおよそ１５０ｎｍとして、ＯＶＣ層２４の厚みを１．０μ〜５．０μｍの間で異ならせた。実施例６では、ＯＶＣ層２４の厚みを先の変動範囲の中央値である３．０μｍとして、シールド電極２３の厚みを実施例１〜実施例５に比べて薄い３０ｎｍとした。

これに対して、比較例１および比較例２は、シールド電極２３を有するものの開口部２３ａが無い構成であって、ＯＶＣ層２４の厚みをいずれも３．０μｍとし、シールド電極２３の厚みを比較例１では１５０ｎｍに、比較例２では３０ｎｍに設定したものである。

図８のＣＩＥｘｙ色度図と図７の比較例１および比較例２並びに実施例１〜実施例６のｘ座標値、ｙ座標値に示すように、シールド電極２３において青のサブ画素ＳＧ（Ｂ）に対応して開口部２３ａを設けることは、比較例１および比較例２に比べて液晶装置１００の表示における色相を矢印の方向、つまり青側にシフトさせる効果を奏する。

上記色相を青側にシフトさせる効果が期待できるＯＶＣ層２４の膜厚は、実施例４の４．０μｍと実施例５の５．０μｍとを比較したとき、ｘ，ｙ座標値がほぼ同一であることおよび比較例２のｘ，ｙ座標値に近づくことから上限をおよそ５．０μｍとすることが妥当である。言い換えれば、ＯＶＣ層２４の厚みが５．０μｍを越えると、シールド電極２３に開口部２３ａを設ける効果がなくなってしまう。
一方、ＯＶＣ層２４の厚みは薄いほど色相を青側にシフトさせる効果が期待できるが、ＯＶＣ層２４における平坦化層としての機能や、前述したようにシールド電極２３がカラーフィルター２２とＯＶＣ層２４との間に設けられることによって縦電界の強度を弱くする効果が失われるので、下限値はおよそ１．０μｍが妥当である。すなわち、ＯＶＣ層２４の厚みは１．０μｍ〜５．０μｍが望ましく、さらに上述した効果をバランスさせる観点から２．０μ〜４．０μｍがより好ましい。

シールド電極２３の膜厚は、比較例１、比較例２および実施例１〜実施例６の色度図におけるｘ，ｙ座標値の結果を参照すれば、薄いほうが色相を青側にシフトさせる効果がある。けれども、シールド電極２３を設けることによる帯電防止効果が期待できる実質的な電気抵抗を有すること、透明導電膜として屈折率ｎがおよそ１．７のＩＴＯ膜を用いた場合には、膜厚が２００ｎｍを越えるとシールド電極２３自体が可視光領域において長波長側の光を吸収し易くなり赤みを帯びることなどから、シールド電極２３の膜厚としてはおよそ２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が望ましい。

また、シールド電極２３は対向基板２０においてカラーフィルター２２を覆って設けられるので、カラーフィルター２２の表面における段差をきちんと被覆できること、樹脂製のカラーフィルター２２からイオン成分などの不純物が液晶層５０に拡散することを防止できることなどの観点で、膜厚はおよそ５０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましい。

（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に本実施形態の電子機器について図９を参照して説明する。図９は電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図である。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機１０００は、複数の操作ボタン１００２、受話口１００３、送話口１００４及び表示部１００１を有する本体部１００５を備えている。
表示部１００１には、上記第１実施形態の液晶装置１００が搭載されている。
このような携帯型電話機１０００によれば、静電気による帯電で表示が乱れることがなく、且つホワイトバランスが適正化されており、表示部１００１において画像などの情報を見栄えよく表示することができる携帯型電話機１０００を提供することができる。

なお、液晶装置１００を搭載可能な電子機器は、携帯型電話機１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューター、液晶テレビ、デジタルスチルカメラ、ポータブルＤＶＤプレイヤー、ポータブルナビゲーションシステム、電子手帳、携帯型ＰＯＳ端末などの表示部として好適に用いることができる。

上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記実施形態１の液晶装置１００において、対向基板２０におけるシールド電極２３の配置は、これに限定されない。図１０（ａ）および（ｂ）は変形例の対向基板の構成を示す概略断面図である。例えば、図１０（ａ）に示すように、対向基板２０の液晶層５０側の基板面において樹脂製の遮光部２１を覆うようにシールド電極２３を形成し、その後にカラーフィルター２２、ＯＶＣ層２４、配向膜２５を順に積層形成してもよい。これによれば、シールド電極２３を液晶層５０からさらに遠い位置に形成して、縦電界の強度を低下させることができる。すなわち、赤のサブ画素ＳＧ（Ｒ）と緑のサブ画素ＳＧ（Ｇ）とにおいて縦電界の影響を低減して透過率をより高い状態とすることができる。
また、図１０（ｂ）に示すように、カラーフィルター２２の厚みよりも同等または厚くなるように樹脂製の遮光部２１Ｂを形成して隔壁部（バンク）とする。そして、遮光部２１により区画された領域にフィルター材料を含む液状体を液滴として塗布して乾燥させることによりフィルター（着色層）を形成する。さらに遮光部２１Ｂとカラーフィルター２２とを覆うようにシールド電極２３を設けるとしてもよい。これによれば、フィルター材料の無駄を省くことが可能な液滴吐出法（インクジェット法）を用いて安価にカラーフィルター２２を形成可能であると共に、樹脂製の遮光部２１Ｂおよびカラーフィルター２２から不純物が液晶層５０に拡散することを防止できる。

（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００のサブ画素ＳＧにおいて、ＦＦＳ方式の電極構成は、これに限定されない。例えば、サブ画素ＳＧでは、ＴＦＴ３０に接続される平板状の画素電極１５を形成し、液晶層５０に向かって画素電極１５に対向するように複数の帯状電極部を有する共通電極１３を絶縁層を介して配置してもよい。すなわち、液晶層５０に対する画素電極１５と共通電極１３の配置を入れ替えてもよい。

（変形例３）上記第１実施形態の液晶装置１００のサブ画素ＳＧにおける電極構成は、ＦＦＳ方式に限定されない。例えば、共通電極１３と画素電極１５の両方に帯状電極部を設け、互いの帯状電極部が同一絶縁層上において交互に対向するように配置させたＩＰＳ（In Plane Switching）方式の電極構成としても、対向基板２０側にシールド電極２３や開口部２３ａを設けることは、同様な作用・効果を奏する。

（変形例４）上サブ画素ＳＧは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に対応するものに限定されない。例えば、上記３色以外の多色に対応するものとしてもよい。

１０…第１基板としての素子基板、２０…第２基板としての対向基板、２１…遮光部、２２…カラーフィルター、２３…静電遮蔽層としてのシールド電極、２４…オーバーコート層、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての携帯型電話機。

Claims (7)

1. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極および第２電極と、
   前記第２基板の前記液晶層側に設けられた静電遮蔽層および青を含む少なくとも３色の着色層を有するカラーフィルターと、
   前記第１電極および前記第２電極に供給される画像信号によって、単位サブ画素に区分された画像を表示する表示領域と、
   を備え、
   前記静電遮蔽層は、前記単位サブ画素毎に前記青の着色層に対応して設けられた開口部を有する液晶装置。
2. 前記第２基板は、前記着色層を色ごとに区分する樹脂製の遮光部を有し、
   前記静電遮蔽層の前記開口部は、平面的に開口領域の一部が前記遮光部に重なるように設けられている請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第２基板は、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層を有し、
   前記静電遮蔽層は、基板面と前記オーバーコート層との間に配置されている請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記静電遮蔽層は、前記カラーフィルターと前記オーバーコート層との間に設けられている請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記オーバーコート層の厚みが１μｍ〜５μｍである請求項３または４に記載の液晶装置。
6. 前記静電遮蔽層の厚みが２０ｎｍ〜２００ｎｍである請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
   

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