JP4900072B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Description
これによれば、表示に寄与しない見切り領域内に帯状の位相差層の端部が位置しているので、当該端部において、位相差層の層厚変化に起因する光漏れが生じても、実質的に視認し難い状態とすることができる。
これによれば、当該端部において、位相差層の層厚変化が生じても、遮光膜により遮光されるので、光漏れを防ぐことができる。
これによれば、表示に寄与しないダミー画素領域内に帯状の位相差層の端部が位置しているので、当該端部において、位相差層の層厚変化に起因する光漏れが生じても、実質的に表示に影響しない状態とすることができる。
この構成によれば、表示領域の外周部においてコントラストの低下を低減した液晶装置を搭載しているので、優れた表示品位を有する電子機器を提供することができる。
<液晶装置>
まず、本実施形態の液晶装置について、図1〜図5を参照して説明する。図1は、液晶装置を示す概略図である。同図(a)は概略平面図、同図(b)は、同図(a)のH−H’線で切った概略断面図である。
走査線3aとデータ線6aとの交差部近傍にTFT30が形成されており、TFT30はデータ線6aおよび画素電極9と電気的に接続されている。また、画素電極9と平面視でほぼ重なる位置に矩形状の共通電極19が形成されている。
反射共通電極19rは、走査線3aと平行に延びる共通線3bと一体に形成されている。したがって、透明共通電極19tと反射共通電極19rとからなる共通電極19は共通線3bと電気的に接続されている。
反射共通電極19rの形成領域が当該サブ画素SGの反射表示領域Rを構成しており、透明共通電極19tの形成領域が透過表示領域Tを構成している。
走査線3aは、半導体層35と対向する位置でTFT30のゲート電極として機能する。ドレイン電極32と画素電極9とは、両者が平面的に重なる位置に形成された画素コンタクトホール47を介して電気的に接続されている。
なお、図示のサブ画素SGにおいて、画素電極9と共通電極19とが平面視で重なる領域が、当該サブ画素SGの容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素SGの形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。
このように反射表示を行う液晶装置100では、光学設計上、反射黒表示を行う際に反射共通電極19rに到達する外光がすべての可視波長で略円偏光である必要がある。反射共通電極19rに到達した外光が楕円偏光であると黒表示に色づきが生じ、高コントラストな反射表示を得ることが困難になるからである。
そこで本実施形態では、カラーフィルタ22上の反射表示領域Rに対応する領域に選択的に位相差層26とセル厚調整層27とを形成し、反射表示領域Rにおけるセル厚が透過表示領域Tに比して薄くなるように構成している。これにより、下偏光板14と位相差層26と反射表示領域R内の液晶層50とで広帯域円偏光を作り出せるようにして反射共通電極19rに到達する外光をすべての可視波長で円偏光に近づけている。
かかる位相差層26は、公知の方法を用いて形成すればよい。例えば、高分子液晶の溶液や液晶性モノマーの溶液を、カラーフィルタ22を覆って形成した配向膜23上に塗布し、所定方向に配向させた状態で固化する方法により形成することができる。そして、反射表示領域Rに対応するように選択的に成形する方法としては、必要な部分をマスキングして不要な部分をエッチングして取り除く方法が挙げられる。
あるいは、光重合性液晶化合物を配向膜23上に塗布し、不要な部分をマスキングして必要な部分の配向を維持した状態で硬化させる。そして、有機溶剤等の現像液を用いて未硬化部分(不要な部分)を取り除く方法が挙げられる。このような方法では、エッチング工程または現像工程において、位相差層26の端部が鉛直に形成されず、膜減りして傾斜し易い。後者の光重合液晶化合物を用いた例では、位相差層26の層厚(膜厚)をおよそ1.5〜2μmとして形成した場合、傾斜した端部の水平方向の距離は、およそ3〜10μmであった。すなわち、上記端部では、層厚に対して倍以上の長さの傾斜部が形成された。
なお、前述した高分子液晶、液晶モノマー、光重合型液晶化合物の配向方向を規制する配向膜23は、液晶層50に面する配向膜18,28と同じ膜材料を用いることができる。その場合には、配向膜23の表面をラビングして、配向方向を定める。また、配向膜23に限らず、カラーフィルタ22の表面に、シリコン酸化物などを斜め蒸着する方法や、感光性配向材料を塗布して、紫外線を照射することにより、光配向させる方法などがある。
(1)液晶装置100は、複数のサブ画素SGの反射表示領域Rに跨った帯状の位相差層26をセル内(対向する一対の基板間)に有している。帯状の位相差層26の両方の端部26a,26bは、表示領域Eの外側に設けられた見切り領域60内に位置している。したがって、当該端部26a,26bの位相差値の変化およびセル厚ムラに起因する表示領域Eの額縁状の光漏れ(コントラストムラ)を低減することができる。なお、帯状の位相差層26の両方の端部26a,26bのうちの一方が、表示領域Eの外側に位置するように位相差層26を形成しても、それ相当の効果を奏する。
次に、本実施形態に係る電子機器について図6を参照して説明する。図6は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図である。
(1)電子機器としての携帯型電話機200は、高い表示品質を有する半透過反射型の液晶装置100を搭載しているので、使用環境の明るさを問わず表示された情報を確認でき、省電力化を実現した携帯型電話機200を提供することができる。
Claims (5)
- 一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
透過表示領域と反射表示領域とを具備する画素を複数配列した表示領域と、
複数の前記画素の前記反射表示領域に跨がるように前記一対の基板のいずれか一方に帯状に設けられ、透過する光に対して略1/2波長の位相差を付与する位相差層とを備え、
前記帯状の位相差層の端部が前記表示領域の外側に位置していることを特徴とする液晶装置。 - 前記表示領域の外側に見切り領域が設けられ、前記帯状の位相差層の端部が前記見切り領域内に位置していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記見切り領域に遮光性材料からなる遮光膜が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。
- 前記表示領域の外側に少なくとも1つのダミー画素が配設され、前記帯状の位相差層の端部は、前記ダミー画素が配設されたダミー画素領域内に位置していることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
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