CN1667477A - 板内切换模式液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种IPS(板内切换)模式LCD(液晶显示器)，该器件包括彼此相对的第一和第二基板；设置在第一基板上并限定多个像素区域的多条栅线和数据线；交替设置在像素区域内以产生水平电场的至少一个公共电极和一个像素电极，其中至少一个公共电极和像素电极中的至少一个具有多层结构；以及形成在所述第一与第二基板之间的液晶层。

Description

板内切换模式液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2004年3月11日在韩国递交的韩国专利申请10-2004-0016641的权益，在此将该文件结合进来作为参考。
技术领域
本发明涉及一种板内切换(IPS)模式液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种将公共电极和像素电极形成为双层透明电极和不透明电极的IPS模式LCD器件及其制造方法。
背景技术
近来，随着对信息显示器的兴趣和对使用便携(移动)信息介质的需求增加，正积极进行对能够替代现有显示器件CRT的轻便薄膜型平板显示器(FPD)的研究及其商业化。
在FPD中，具体地说，用于通过使用液晶的光学各向异性显示图像的器件LCD展现出良好的分辨率、色彩显示和图像质量，使其被积极应用于笔记本电脑、台式监视器等。
扭曲向列(TN)模式是通常使用于LCD器件的一种驱动方法，其中沿与基板垂直的方向驱动向列相液晶分子。然而，TN模式LCD的缺点在于其视角非常狭窄，大约为90°。这是由于液晶分子的折射各向异性引起的。也就是说，当一电压施加到液晶显示面板时，与基板水平排列的液晶分子与该基板几乎垂直排列。
因此，提出了一种IPS模式，其通过在基板的水平方向上驱动液晶分子将视角扩大170°以上，现对此进行详细描述。
图1是示出现有技术的IPS模式LCD部分阵列基板的平面图。通常，在LCD中，N条栅线和M条数据线彼此相交而形成N×M个像素，但为了解释简便，在图1中仅示出了一个像素。
如图1所示，限定像素区域的栅线16和数据线17分别垂直和水平地设置在透明玻璃基板10上，并且在所述栅线16和数据线17的交叉处形成薄膜晶体管(TFT)20(开关器件)。
该TFT20包括连接到栅线16的栅极21，连接到数据线17的源极22和连接到像素电极线18L的漏极23。TFT20还包括用于使栅极21与源/漏极22和23绝缘的绝缘膜以及一有源层，所述有源层是利用施加在栅极21上的栅电压在源极22和漏极23之间形成一导电沟道的沟道层(未示出)。在像素区域内，沿数据线17的纵向交替设置用于产生水平电场的公共电极8和像素电极18。
此时，所述像素电极18通过第一接触孔40A与连接到所述漏极23的像素电极线18L电连接，并且所述公共电极8通过第二接触孔40B与平行于栅线16设置的公共电极线8L电连接。
由例如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料制成的公共电极8和像素电极18形成在同一平面上。
具有像素电极和公共电极都形成为透明电极的2ITO结构的板内模式LCD，其优点在于因为将像素区域(图像显示区域)中的电极形成为透明电极，而增加了孔径比，并且由于两种类型的电极形成在同一平面上，且电极间的间隔均匀，从而提供了良好的响应速度和残留图像。
然而，具有2ITO结构的板内模式LCD存在一个问题，即因为电极由透明材料制成，所以其在常黑模式中不能显示完全的黑，因而屏幕的对比度差。
在制造液晶显示面板中，随面板变大，电极的阻抗增加，从而反过来影响图像质量。鉴于此，改变LCD现有设计的结构不能解决上述阻抗问题。具体地说，透明电极的阻抗产生一个大的问题。如果将电极制造得厚以便降低电极的阻抗，那么液晶分子由于电极厚度而产生的阶梯表现异常，从而使图像质量变差，例如，由于漏光。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供一种通过将公共电极和像素电极形成为透明电极和不透明电极的双层，能够减少阻抗并提高屏幕对比度的板内切换(IPS)模式液晶显示器(LCD)及其制造方法。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，所提供的一种IPS模式LCD包括：彼此相对的第一和第二基板、垂直和水平设置在第一基板上并限定多个像素区域的多条栅线和数据线、交替设置在像素区域内以产生水平电场的至少一个公共电极和一个像素电极、至少一个具有多层结构的公共电极和像素电极中的至少一个和形成在第一与第二基板之间的液晶层。
为了实现上述和其他目的，按照本发明的一个方面，所提供的一种IPS模式LCD的制造方法：制备第一和第二基板；在所述第一基板上形成栅极和栅线；在所述第一基板上形成第一绝缘膜；在所述第一基板上预定区域内形成有源层；在所述有源层上形成源极/漏极并形成与所述栅线交叉以限定像素区域的数据线；在所述第一基板上形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘层上形成至少一个公共电极和至少一个像素电极以形成水平电场，其中至少一个公共电极和像素电极中的至少一个具有多层结构；在所述第一基板上形成第三绝缘膜；以及粘接所述第一和第二基板。
本发明的上述和其他目的、特点、方面和优点，结合以下附图的详细说明将变得更加清楚。
附图说明
所包括用于提供对本发明进一步的理解并包含在内构成本说明书一部分的附图示出了本发明的各个实施例，并连同文字说明一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为传统IPS模式LCD部分阵列基板的平面图；
图2所示为按照本发明第一实施例的IPS模式LCD部分阵列基板的平面图；
图3所示为沿图2所示的LCD中的IIa-IIa′线的截面图；
图4A和图4B所示为按照电极结构的透射特性图；
图5A至图5D所示为按照本发明制造工序的沿图2中IIa-IIa′线的顺序截面图；
图6A至图6E所示为按照本发明制造工序的沿图2中IIb-IIb′线的顺序截面图；
图7A所示为按照本发明第二实施例的IPS模式LCD部分阵列基板的平面图；
图7B所示为沿图7A所示的阵列基板的VII-VII′线的截面图；以及
图8所示为按照本发明第三实施例的IPS模式LCD部分阵列基板的平面图。
具体实施方式
现在将描述按照本发明优选实施例的IPS模式LCD及其制造方法。
图2是示出按照本发明第一实施例的IPS模式LCD部分阵列基板的平面图。在LCD中，N条栅线和M条数据线交叉形成N×M个像素，但为了解释简便和清楚，在图2中仅示出了一个像素。
如图2所示，垂直和水平地设置栅线116和数据线117以在透明玻璃基板110上形成像素区域。在栅线116和数据线117的交叉处形成薄膜晶体管(TFT)120(开关器件)。所述TFT120包括连接到栅线116的栅极121、连接到数据线117的源极122和连接到像素电极线118L的漏极123。所述TFT120还包括用于使栅极121与源/漏极122和123绝缘的绝缘膜以及有源层，所述有源层是利用施加在栅极121上的栅电压在源极和漏极122和123之间形成导电沟道的有源层(沟道层)。
在像素区域中，交替设置用于产生水平电场的双层公共电极108A和108B与双层像素电极118A和118B。
特别地，所述像素电极118A和118B通过第一接触孔140A与连接到漏极123的像素电极线118L电连接，并且所述公共电极108A和108B通过第二接触孔140B与平行于栅线116设置的公共电极线108L电连接。
示出公共电极108A和108B及像素电极118A和118B以形成由导电材料制成的双层。但本发明并不限于此，并且所述公共电极108A和108B与像素电极118A和118B可以设置为由导电材料制成的三(或更多)层，或公共电极108A和108B与像素电极118A和118B中仅有一个设置为由导电材料制成的双层(或三层或更多层)。
形成所述公共电极108A和108B与像素电极118A和118B的至少一种导电材料可以是不透明材料，并且至少一种导电材料可以是透明导电材料，例如氧化铟锡，其甚至当表面暴露时也不容易氧化。另外，双(或更多)层的至少一种导电材料可以是具有一定阻抗的导电材料，该一定阻抗足够低以用作像素电极或公共电极。
示出了所述双层具有这样一种结构，其中透明电极用作设置在下边的第一公共电极108A和第一像素电极118A，并且不透明电极用作形成在其上边的第二公共电极108B和第二像素电极118B。如图3所示，所述不透明电极108B和118B的宽度可以比透明电极108A和118B的宽度相对窄，但本发明并不局限于此。
通过下文中的LCD部分，将详细地描述形成为双层的公共电极108A和108B与像素电极118A和118B。图3是沿图2所示的LCD的IIa-IIa′线的截面图，其示出了图2所示的阵列基板和对应于该阵列基板的滤色片基板。
如图所示，LCD包括滤色片基板105、阵列基板110和形成在所述滤色片基板105与阵列基板110之间的液晶层150。
具有用于形成色彩的R、G和B子滤色片的滤色片107和用于分隔所述子滤色片并阻挡光到达液晶层150的黑矩阵106形成在所述滤色片基板105上。
另外，在所述阵列基板110的整个表面上形成第一绝缘膜115A，并在第一绝缘膜115A上对应于滤色片基板105的黑矩阵106的位置形成数据线117。
在包括所述数据线117的第一绝缘膜115A上形成第二绝缘膜115B，并且形成双层的公共电极108A和108B与像素电极118A和118B交替设置在第二绝缘膜115B上的图像显示区域内。在包括公共电极108A和108B与像素电极118A和118B的基板110的整个表面上形成第三绝缘膜115C。
所述公共电极108A和108B与像素电极118A和118B分别设置为包含由透明导电材料制成的第一电极108A或118A(下电极)与由不透明导电材料制成的第二电极108B或118B(上电极)的双层。所述第二电极108B和118B比第一电极108A和118A设置得相对更窄，以便在屏幕的对比度和亮度方面具有优势。将参照图4A和图4B在下文对此进行详细描述。
图4A和图4B是示出按照电极结构的透射特性和黑模式中黑度与白度的图。
在图4A所示的图中，实线表示按照现有技术具有如上所述2ITO结构的IPS模式LCD的透射特性，并且虚线表示具有2-金属结构的IPS模式LCD的透射特性，其中按照现有技术，像素电极和公共电极都由不透明材料制成。
如图所示，在所述2ITO结构中，无论公共电极8和像素电极18处于什么位置，整个区域都不能显示完全黑度；但在2-金属结构中，由于电极8和18是不透明的，在电极8和18的位置产生完全黑度。
在2-金属结构中，光不能透过形成电极8和18的区域，所以该区域中的白度为0。但在2ITO结构中，有一定量的光透过该区域，显示出所示的透射特性。因此，按照黑度和白度的透射特性，2ITO结构在亮度方面比2-金属结构优越。
同时，屏幕的对比度是一种标记(barometer)，其确定在屏幕上能够多清晰地显示图像，并且亮度差越大显示图像就越清晰。对比度定义为通过将白度值除以在面板前表面中心处黑状态中的亮度而获得的值。
黑状态中的亮度比白状态中的值小，所以对比度的值主要受黑度影响。因此，在对比度方面，2ITO结构与2-金属结构相比是不利的。
在图4A中，宽度WD表示透明电极的区域，其主要影响2ITO结构中白度的增加，并且注意到，比宽度WD宽的透明电极区域(即，透明电极的中心区域)不影响亮度的增加。
图4B是示出具有按照本发明的双层电极结构的IPS模式LCD的透射特性的图。
如图所示，在形成不透明电极108B和118B(与不透明电极108B和118B的宽度(WN)一样宽)的区域中的黑度透射率为0，并且除宽度(WN)以外，其中的白度与2-金属结构中的白度具有相同的形式。
换句话说，按照本发明的双层电极结构，其中透明电极108A和118A和不透明电极108B和118B形成为双层的，具有2ITO结构的亮度的优点和2-金属结构的屏幕对比度的优点。具体地说，不透明电极108B和118B形成以具有比透明电极108A和118A更小的宽度(WN)。这是因为2ITO结构的优点影响从透明电极108A和118A的边缘至一定宽度(即，WT)的区域，所以在中心部分形成用于提高屏幕对比度的不透明电极108B和118B。
在双层电极结构中，公共电极和像素电极分别形成为透明电极和不透明电极的双层，从而利用具有2ITO结构的IPS模式LCD的优点提高屏幕对比度和亮度。
另外，由于增加了不透明电极，可以防止2ITO结构中可能产生的吸盘瑕疵(chuck stain)缺陷。当光反射在金属材料吸盘部分时产生所述吸盘瑕疵，所述吸盘部分用于在对透明电极构图的光刻胶膜曝光工序中固定基板。
此外，由于增加了阻抗比2ITO结构的阻抗相对更低的不透明电极，所以电极部分阻抗减少。因此，减少了电极部分的厚度，并由此防止了由于阶梯所引起的图像质量缺陷。
现在将参照图5A至图5D和图6A至图6E详细描述按照本发明的具有双层结构的IPS模式LCD的制造工艺。
图5A至图5D是沿图2所示的IIa-IIa′线的顺序截面图，其示出了构造由透明导电材料制成的下电极与不透明导电材料制成的上电极的双层的制造工序。图6A至图6E是沿图2所示的IIb-IIb′线的顺序截面图，其示出了按照本发明的TFT的制造工序。
首先，如图5A所示，在由例如玻璃的透明绝缘材料制成的基板110上形成第一绝缘膜115A。在这种情况下，所述第一绝缘膜115A为栅绝缘膜，并如图6A所示，在基板110上形成栅极121之后，在包括所述栅极121的基板110的整个表面上形成第一绝缘薄膜115A。
其次，如图6B所示，非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜依次沉积在具有其上形成第一绝缘膜115A的基板110的整个表面上，并随后通过使用光刻工序对其进行构图以在元件区域内形成有源图形124。此时，构图的n+非晶硅形成欧姆接触层125。
如图6C所示，导电金属材料在基板110的整个表面上沉积，并随后通过使用光刻工艺对其进行构图以在元件区域内形成源极122和漏极123。
此后，通过使用源极/漏极122和123作为掩模去除欧姆接触层125以暴露部分有源图形124。此时，延伸部分源极122以形成数据线117，并将部分漏极123延伸至像素区域以形成像素电极线118L。
其次，如图6D所示，在基板110的整个表面上沉积第二绝缘膜115B，并随后通过光刻工序去除部分第二绝缘膜115B以形成暴露出部分像素电极线118L的第一接触孔140A。
如图6D所示，在元件区域内形成TFT之后，为了形成用于产生水平电场的双层电极，如图5B所示，在包括第二绝缘膜115B的基板的整个表面上依次形成第一导电金属层130A和第二导电金属层130B。
在本发明的一优选实施例中，所述第一导电金属层130A由透明导电金属，例如氧化铟锡、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)等制成，并且第二导电金属层130B是由钼(Mo)、铝(Al)、钕铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)或其合金构成的、或由具有一种或多种上述元素的多层形成的不透明导电材料制成。但本发明并不限于此，并且所述第一导电金属层130A和第二导电金属层130B可以根据需要改变。
随后，如图5C和图6E所示，对第二导电金属层130B和第一导电金属层130A进行构图，以形成交替设置在像素区域内的公共电极108A和108B与像素电极118A和118B。
公共电极108A和108B与像素电极118A和118B分别设置为由导电材料构成的双层。第一公共电极108A和第一像素电极118A设置为双层的下层，并且第二公共电极108B和第二像素电极118B形成为双层的上层。
如上所述，第一公共电极108A和第一像素电极118A由透明导电材料制成，并且第二公共电极108B和第二像素电极118B由不透明导电材料制成。第二电极108B和118B的宽度(WN)设置为比第一电极108A和118A的宽度相对窄，以提高屏幕的对比度和亮度。即，对不透明第二电极108B和118B进行构图，以使其具有比透明第一电极108A和118A的宽度(WT)相对更窄的宽度(WN)。
换句话说，不透明第二电极108B和118B的宽度(WN)比透明第一电极108A和118A的宽度(WT)窄，并且第一电极108A和118A与第二电极108B和118B之间的宽度(WD)影响透明电极，即，第一电极108A和118A的白度的增加。
考虑到总厚度的阻抗，双层的公共电极108A和108B与像素电极118A和118B可以形成得尽可能的薄。在这种情况下，透明第一电极108A和118A可以具有100□2000的厚度，并且不透明第二电极108B和118B可以具有100□3000的厚度，以遮挡透明电极108A和118A中心区域内的非正常光。
同时，像素电极118A和118B的一端通过第一接触孔140A电连接到像素电极线118L，以接收像素电压，并且公共电极108A和108B的一端通过第二接触孔140B电连接到公共电极线108L，以接收公共电极。
此后，如图5D所示，在包括公共电极108A和108B与像素电极118A和118B的基板110的整个表面上形成第三绝缘膜115C(平整膜)。
在本发明的一优选实施例中，公共电极和像素电极分别设置为透明电极和不透明电极的双层。但在另一实施例中，只要不透明电极的宽度比透明电极的宽度窄，公共电极和像素电极可以设置为三(或更多)层。另外，公共电极和像素电极中只有一个设置为双层或三(或更多)层。
由导电材料制成并设置为双(或更多)层的公共电极和像素电极，在同一工序中叠置并构图，从而在电极之间形成均匀间隔，以提高图像质量。
在本发明的一优选实施例中，透明电极用作第一电极(下电极)，并且不透明电极用作第二电极(下电极)。但本发明并不限于此，所述不透明电极可以用作下电极，并且透明电极可以用作上电极，这将在下文中详细描述。
图7A所示为按照本发明第二实施例的IPC模式LCD部分阵列基板的平面图，并且图7B是沿图7A所示的阵列基板的VII-VII′线的截面图。
本发明第二实施例的阵列基板，除公共电极和像素电极的结构外，具有与第一实施例相同的构造。因此，省略或简化相同构造的说明，并将仅描述公共电极和像素电极。
如图7A所示，在透明玻璃基板210上垂直和水平地形成限定像素区域的栅线216和数据线217，并在所述栅线216和数据线217的交叉处形成TFT220。
设置为双层的公共电极208A和208B与像素电极218A和218B交替设置，以在像素区域内的水平电场。所述像素电极218A和218B通过第一接触孔240A与连接有漏极223的像素电极线218L电连接，并且公共电极208A和208B通过第二接触孔240B与平行于栅线216设置的公共电极线208L电连接。
公共电极208A和208B与像素电极218A和218B可以具有这样一种的双层结构，其中不透明电极用于设置在其下边的第一公共电极208A和第一像素电极218A，并且透明电极用于第二公共电极208B和第二像素电极218B。在这个方面，不透明电极208A和218A在宽度上可以比透明电极208B和218B的宽度窄。
以下，通过阵列基板部分详细地描述具有双层结构的公共电极208A和208B与像素电极218A和218B。
如图7B所示，在阵列基板210的整个表面上形成第一绝缘膜215A，并且在该第一绝缘膜215A上形成数据线217。
在包括数据线217的第一绝缘膜215A上形成第二绝缘膜215B，并且双层结构的公共电极208A和208B与像素电极218A和218B被交替形成在第二绝缘膜215B的图像显示区域内。
在公共电极208A和208B与像素电极218A和218B上形成第三绝缘膜215C。
公共电极208A和208B与像素电极218A和218B分别形成为包括由不透明导电材料制成的第一电极208A或218A(下电极)和由透明导电材料制成的第二电极208B或218B(上电极)的双层。第一电极208A和218A(底部电极)的宽度比第二电极208B或218B(顶部电极)的宽度窄，以便与本发明第一实施例的构造具有相同效果。
在本发明的另一实施例中，公共电极和像素电极可以具有Z形状，以下将对此进行描述。
图8是示出按照本发明第三实施例的IPC模式LCD部分阵列基板的平面图。
如图所示，分别形成为双层的公共电极308A和308B与像素电极318A和318B交替地设置，以便在像素区域内产生水平电场。
透明电极用作设置在双层下边的第一公共电极308A和第一像素电极318A，并且不透明电极用作设置在双层上边的第二公共电极308B和第二像素电极318B。不透明电极308B和318B的宽度形成得比透明电极308A和318A的窄，从而形成双层结构。
公共电极308A和308B与像素电极318A和318B分别具有Z形状(或人字形结构)。由于有了公共电极308A和308B与像素电极318A和318B的Z形状，设置在一个像素的液晶不是按一个方向排列，而是按相互不同的方向排列，从而产生多畴。
即，由于这种多畴结构可以抵消因液晶的双折射特性引起的非正常光，并可以使色偏现象(color shift phenomenon)最小化。在这种情况下，Z字形像素电极/公共电极结构中弯曲部分的角度可以与液晶取向方向呈大约1□30°。
虽然图8示出了图2所示的器件的双层结构的Z字形图形，但Z字形图形可以应用于任何像素电极/公共电极的双层或多层结构，例如图7A所示的双层结构。
如上所述，本发明的IPS模式LCD具有许多优点。
首先，例如，因为公共电极和像素电极形成为透明电极和不透明电极的双层，可以提高屏幕对比度和亮度以提高图像质量。
其次，通过额外形成不透明电极，可以防止2ITO结构中产生的吸盘瑕疵，并因而提高了图像质量。
第三，由于公共电极和像素电极具有低阻抗，所以电极的厚度变薄，因此，由于减少了电极的阶梯，可以防止例如漏光的图像质量退化。
因为本发明在不脱离本发明的精神或基本特性的情况下可以以几种形式实施，所以应当理解，上述实施例不受前述说明任何细节所限制，除非另外指定，其更应当广泛地认为处于所附权利要求限定的本发明的精神和范围内，因此本发明应该覆盖属于本发明权利要求书及其等同物范围内的变形和改进。

Claims (23)

1、一种液晶显示器(LCD)包括：
彼此相对的第一和第二基板；
设置在所述第一基板上并限定多个像素区域的多条栅线和数据线；
交替设置在所述像素区域内以产生水平电场的至少一公共电极和一像素电极，其中所述的至少公共电极和像素电极中的至少一个具有多层结构；以及
位于所述第一和第二基板之间的液晶层。
2、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述多层结构是双层结构。
3、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述多层结构包括用作下层的透明电极和用作上层的不透明电极。
4、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述多层结构包括用作下层的不透明电极和用作上层的透明电极。
5、按照权利要求3所述的液晶显示器件，其特征在于，所述不透明电极的宽度比所述透明电极的宽度窄。
6、按权利要求4所述的液晶显示器件，其特征在于，所述不透明电极的宽度比所述透明电极的宽度窄。
7、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述多层结构为Z字形状。
8、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括：
通过第一接触孔与对应的像素电极电连接的像素电极线。
9、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括：
公共电极线，其沿对应于栅线的方向设置并通过第二接触孔与对应的公共电极电连接。
10、按照权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述液晶显示器件是板内切换(IPS)模式液晶显示器件。
11、一种液晶显示器(LCD)的制造方法，所述方法包括：
制备第一和第二基板；
在所述第一基板上形成栅极和栅线；
在所述第一基板上形成第一绝缘膜；
在所述第一基板的预定区域内形成有源层；
在所述有源层上形成源极/漏极并形成与所述栅线交叉以限定像素区域的数据线；
在所述第一基板上形成第二绝缘膜；
在所述第二绝缘层上形成至少一个公共电极和至少一个像素电极以形成水平电场，其中所述的至少一个公共电极和像素电极中的至少一个具有多层结构；
在所述第一基板上形成第三绝缘膜；以及
粘接所述第一和第二基板。
12、按照权利要求11所述的方法，其特征在于，形成至少一个公共电极和像素电极的步骤包括：
在所述第二绝缘膜上形成第一和第二导电金属层；
通过光刻工艺选择性地刻蚀第二导电金属层，以形成分别具有第一宽度的第一公共电极图形和第一像素电极图形；以及
选择性地刻蚀第一导电金属层，以形成分别具有第二宽度的第二公共电极图形和第二像素电极图形。
13、按照权利要求12所述的方法，其特征在于，在第一导电金属层由透明导电材料制成并且第二导电金属层由不透明导电材料制成的情况下，所述第二公共电极图形和第二像素电极图形具有比第一公共电极图形和第一像素电极图形宽的宽度。
14、按照权利要求12所述的方法，其特征在于，在第一导电金属层由不透明导电材料制成并且第二导电金属层由透明导电材料制成的情况下，所述第二公共电极图形和第二像素电极图形具有比第一公共电极图形和第一像素电极图形窄的宽度。
15、按照权利要求13所述的方法，其特征在于，所述透明导电金属包括氧化铟锡、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)，并且不透明导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、钕铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)或其合金。
16、按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述透明导电金属包括氧化铟锡、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)，并且不透明导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、钕铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铬(Cr)、钨(W)、钛(Ti)或其合金。
17、一种液晶显示器(LCD)的形成方法，所述方法包括：
形成彼此相对的第一和第二基板；
形成设置在所述第一基板上并限定多个像素区域的多条栅线和数据线；
形成交替设置在所述像素区域内以产生水平电场的至少一个公共电极和一个像素电极，其中所述的至少一个公共电极和像素电极中的至少一个具有多层结构；以及
在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
18、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，所述多层结构包括用作下层的透明电极和用作上层的不透明电极。
19、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，所述多层结构包括用作下层的不透明电极和用作上层的透明电极。
20、按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述不透明电极的宽度比所述透明电极的宽度窄。
21、按照权利要求19所述的方法，其特征在于，所述不透明电极的宽度比所述透明电极的宽度窄。
22、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，所述多层结构具有Z字形状。
23、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，所述液晶显示器件是板内切换(IPS)模式液晶显示器件。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100432811C (zh) * 2006-11-29 2008-11-12 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
US7561236B2 (en) 2005-12-28 2009-07-14 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating array substrate for in-plane switching liquid crystal display device
CN102062978A (zh) * 2010-11-10 2011-05-18 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
US8130351B2 (en) 2005-12-29 2012-03-06 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device including pixel and common electrodes on the same layer and method of manufacturing the same
CN102902118A (zh) * 2011-07-30 2013-01-30 乐金显示有限公司 面内转换模式液晶显示器件及其制造方法
CN102902113A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN102955301A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN102981320A (zh) * 2012-11-13 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法及显示器件
CN103094204A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 乐金显示有限公司 制造液晶显示装置的阵列基板的方法
CN103163693A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
WO2014063411A1 (zh) * 2012-10-23 2014-05-01 上海天马微电子有限公司 一种立体图像显示装置
CN103792739A (zh) * 2013-11-05 2014-05-14 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
CN104133328A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 业鑫科技顾问股份有限公司 显示装置
CN105717713A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 汉朗科技(北京)有限责任公司 改良型近晶相调光玻璃
CN106814513A (zh) * 2017-04-01 2017-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型阵列基板及液晶显示面板
CN109273500A (zh) * 2018-09-21 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板、显示装置和制作方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101002347B1 (ko) 2004-06-24 2010-12-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101085136B1 (ko) * 2004-12-04 2011-11-18 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TW200624906A (en) * 2005-01-06 2006-07-16 Au Optronics Corp LCD device having adjustable viewing angles
KR20060104708A (ko) * 2005-03-31 2006-10-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
US8218120B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-10 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP4537929B2 (ja) * 2005-10-04 2010-09-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
KR101407285B1 (ko) 2006-05-22 2014-06-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 구동방법
TWI349805B (en) * 2007-07-31 2011-10-01 Au Optronics Corp Pixel structures, methods of forming the same and multi domain vertical alignment lcds
JP5235363B2 (ja) * 2007-09-04 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
KR101254828B1 (ko) * 2007-10-05 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101044549B1 (ko) * 2007-11-07 2011-06-27 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5348521B2 (ja) 2008-06-27 2013-11-20 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
JP5275836B2 (ja) * 2009-02-06 2013-08-28 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP5239924B2 (ja) 2009-02-16 2013-07-17 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器
KR101627518B1 (ko) * 2009-12-17 2016-06-08 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2011158690A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Sony Corp 液晶表示パネル及び電子機器
JP5492586B2 (ja) * 2010-02-10 2014-05-14 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル及び電子機器
KR101289041B1 (ko) * 2010-03-25 2013-07-23 엘지디스플레이 주식회사 고투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI427379B (zh) * 2010-10-26 2014-02-21 Au Optronics Corp 液晶顯示面板
KR101993884B1 (ko) * 2011-12-15 2019-06-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101493128B1 (ko) * 2012-09-27 2015-02-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
CN102981311B (zh) * 2012-12-07 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
GB2508844A (en) * 2012-12-12 2014-06-18 Sharp Kk Analogue parallax barrier
CN103941496B (zh) * 2013-05-13 2017-06-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、触控液晶显示面板及其制造方法
CN105022184A (zh) * 2014-04-17 2015-11-04 株式会社日本显示器 显示装置
US10157561B2 (en) 2015-05-01 2018-12-18 Apple Inc. Electronic device display with zigzag pixel design
CN107918221A (zh) * 2018-01-02 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN111443532A (zh) * 2020-04-21 2020-07-24 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及显示装置
CN117406525A (zh) * 2022-07-08 2024-01-16 群创光电股份有限公司 面板装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764112A (ja) 1993-08-30 1995-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
US5667853A (en) 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
JP3474975B2 (ja) * 1995-09-06 2003-12-08 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置およびその製造方法
US5745207A (en) * 1995-11-30 1998-04-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Active matrix liquid crystal display having electric fields parallel to substrates
JP3712774B2 (ja) 1996-03-29 2005-11-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示素子
JP4130490B2 (ja) 1997-10-16 2008-08-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置
US6281952B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JP2000028993A (ja) 1998-07-13 2000-01-28 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR100736114B1 (ko) 2000-05-23 2007-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3384397B2 (ja) * 2000-05-25 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、その製造方法および電子機器
KR100620322B1 (ko) 2000-07-10 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법
JP2002139737A (ja) 2000-07-31 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその製造方法
JP4342711B2 (ja) 2000-09-20 2009-10-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
JP2003043509A (ja) 2001-07-31 2003-02-13 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100829785B1 (ko) * 2001-12-11 2008-05-16 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치
JP3586674B2 (ja) * 2002-01-30 2004-11-10 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP4031282B2 (ja) * 2002-04-17 2008-01-09 株式会社ザナヴィ・インフォマティクス ナビゲーション装置およびナビゲーション制御プログラム
JP2004118039A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び電子機器
TW594169B (en) * 2003-04-17 2004-06-21 Au Optronics Corp In-plane switching mode liquid crystal display

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7561236B2 (en) 2005-12-28 2009-07-14 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating array substrate for in-plane switching liquid crystal display device
US8130351B2 (en) 2005-12-29 2012-03-06 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device including pixel and common electrodes on the same layer and method of manufacturing the same
US8253918B2 (en) 2005-12-29 2012-08-28 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device including pixel and common electrodes on the same layer and method of manufacturing the same
CN100432811C (zh) * 2006-11-29 2008-11-12 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
CN102062978A (zh) * 2010-11-10 2011-05-18 友达光电股份有限公司 液晶显示面板
CN102902113A (zh) * 2011-07-28 2013-01-30 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN102902113B (zh) * 2011-07-28 2016-07-06 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN102902118A (zh) * 2011-07-30 2013-01-30 乐金显示有限公司 面内转换模式液晶显示器件及其制造方法
CN102902118B (zh) * 2011-07-30 2015-08-26 乐金显示有限公司 面内转换模式液晶显示器件及其制造方法
US8953133B2 (en) 2011-07-30 2015-02-10 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN102955301A (zh) * 2011-08-19 2013-03-06 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN102955301B (zh) * 2011-08-19 2015-12-16 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN103094204B (zh) * 2011-11-01 2015-01-28 乐金显示有限公司 制造液晶显示装置的阵列基板的方法
CN103094204A (zh) * 2011-11-01 2013-05-08 乐金显示有限公司 制造液晶显示装置的阵列基板的方法
CN103163693A (zh) * 2011-12-15 2013-06-19 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103163693B (zh) * 2011-12-15 2016-03-23 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103777398B (zh) * 2012-10-23 2016-12-21 上海天马微电子有限公司 一种立体图像显示装置
CN103777398A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 上海天马微电子有限公司 一种立体图像显示装置
WO2014063411A1 (zh) * 2012-10-23 2014-05-01 上海天马微电子有限公司 一种立体图像显示装置
CN102981320A (zh) * 2012-11-13 2013-03-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制备方法及显示器件
CN104133328A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 业鑫科技顾问股份有限公司 显示装置
CN103792739B (zh) * 2013-11-05 2016-06-01 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
CN103792739A (zh) * 2013-11-05 2014-05-14 友达光电股份有限公司 像素结构与显示面板
CN105717713A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 汉朗科技(北京)有限责任公司 改良型近晶相调光玻璃
CN106814513A (zh) * 2017-04-01 2017-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Ips型阵列基板及液晶显示面板
US10488719B2 (en) 2017-04-01 2019-11-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. IPS array substrate and liquid crystal display panel
CN109273500A (zh) * 2018-09-21 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板、显示装置和制作方法
US11264438B2 (en) 2018-09-21 2022-03-01 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED display substrate, display device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TWI267684B (en) 2006-12-01
TW200530721A (en) 2005-09-16
US8125609B2 (en) 2012-02-28
US20050200791A1 (en) 2005-09-15
JP2011128658A (ja) 2011-06-30
KR20050091291A (ko) 2005-09-15
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