CN1744322A - 薄膜晶体管阵列板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。

Description

薄膜晶体管阵列板
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管阵列板(array panel)。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的平板显示器通常包括显示板，该显示板具有多个像素、多个连接到像素的信号线、多个用于驱动显示板的驱动器以及用于控制驱动器的控制器。
驱动器通常包括多个安装于贴附在显示板的柔性印刷电路板(FPC)上或直接安装于显示板上的集成电路(IC)芯片。从具有多个电路元件的印刷电路板(PCB)向驱动器芯片供应控制信号和驱动电压，所述电路元件包括安装于印刷电路板上的控制器和电压产生器。
当驱动芯片直接安装于显示板上时，信号线的末端部分延伸到显示区外部的接触区，在那里信号线电连接和物理连接到输出端子。接触区包括多个导电膜和信号线的末端部分。接触区提供于显示板和PCB之间，用于传输控制信号、驱动电压和图像数据。
令人遗憾的是，在接触区处导电膜和驱动芯片之间的连接常常质量不好，在制造显示板期间会造成导电膜被用于断开信号线连接的蚀刻剂侵蚀。因此，需要一种在显示板的信号线和驱动芯片之间提供连接的改善的方法。
发明内容
根据本发明的实施例，提供了一种薄膜晶体管阵列板，其包括多条栅线和多条与栅线交叉的数据线。多个开关元件被连接到栅线和数据线，多个像素电极被连接到开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供有覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露数据线的部分的第一接触孔，其中上述开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线，其中所述第三接触孔不与第二接触孔重叠且完全被钝化层覆盖。
在另一实施例中，提供了一种薄膜晶体管阵列板，其包括多条栅线和多条和栅线交叉的数据线。多个开关元件被连接到栅线和数据线，且多个像素电极被连接到开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供有覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露数据线的部分的第一接触孔，其中所述开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的第二接触孔连接到数据线。多个辅助线形成于钝化层上，其中所述辅助线与辅助接触附近的数据线重叠。
在另一实施例中，提供了一种薄膜晶体管阵列板，其包括多条数据线和覆盖数据线的钝化层。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个接触孔连接到数据线。多条辅助线也形成于钝化层上并与辅助接触附近的数据线重叠。
本发明的这些和其他实施例将从结合附图进行的以下详细描述中变得更加明了。
附图说明
图1为根据本发明实施例的LCD的方框图；
图2为根据本发明实施例的LCD的像素的等效电路图；
图3为根据本发明实施例的LCD的示意性布局图；
图4为图1-3所示的TFT阵列板的显示区的示范性布局图；
图5为沿线V-V’截取的图4所示的显示区的截面图；
图6为数据驱动器附近的、图1-3所示的TFT阵列板的区域A的放大布局图，区域A包括连接数据线和数据驱动IC的接触区；以及
图7为沿线VII-VII’截取的图6所示的周边区域的截面图。
具体实施方式
下面将参考附图更详细描述本发明，附图中示出了本发明的优选实施例。不过，本发明可以以多种不同形式实施，不应被理解为局限于这里所述的实施例。
在附图中，为清晰起见放大了层和区域的厚度。全文中类似的附图标记指代类似的元件。应当理解的是，当诸如层、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，它可能直接在另一元件上或还可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。
现在将参考附图描述根据本发明实施例的显示装置的示例。
图1为根据本发明实施例的LCD的方框图，而图2为根据本发明实施例的LCD的像素的等效电路图。
参考图1，LCD包括LC板组件300、连接到板组件300的栅驱动器400和数据驱动器500。灰电压发生器(gray voltage generator)800连接到数据驱动器500。信号控制器600控制以上的元件。
板组件300包括多个显示信号线G1-Gn和D1-Dm，和多个连接到其上并基本排列为矩阵的像素PX。在图2所示的结构视图中，板组件300包括下板100和上板200，其间插置有LC层3。
显示信号线G1-Gn和D1-Dm设置在下板100上且包括多条传输栅信号(也被称为“扫描信号”)的栅线G1-Gn和多条传输数据信号的数据线D1-Dm。数据线G1-Gn基本沿行的方向延伸且基本彼此平行，而数据线D1-Dm基本沿列的方向延伸且基本彼此平行。
每个像素包括：连接到栅线G1-Gn之一和数据线D1-Dm之一的开关元件Q；以及均连接到开关元件Q的LC电容器CLC和存储电容器CST。可选地，可以省去存储电容器CST。
开关元件Q包括TFT且提供在下板100上。开关元件Q具有三个端子：连接到栅线G1-Gn之一的控制端子；连接到数据线D1-Dm之一的输入端子；以及连接到LC电容器CLC和存储电容器CST二者的输出端子。
LC电容器CLC包括提供于下板100上的像素电极190和提供于上板200上的公共电极270，作为两个端子。LC层3设置在两个电极190和270之间并充当LC电容器CLC电介质。显示电极190连接到开关元件Q。公共电极270被供以公共电压Vcom并覆盖上板200的整个表面。或者，公共电极270可以提供于下板100上，且电极190和270二者都可以为棒形或条形。
存储电容器CST为LC电容器CLC的辅助电容器。存储电容器CST包括像素电极190和分立的信号线，所述信号线提供于下板100上且通过绝缘体与像素电极190重叠。存储电容器CST被供以预定电压，例如公共电压Vcom。或者，存储电容器CST包括像素电极190和相邻的栅线(“前一栅线，previousgate line”)，该栅线通过绝缘体与像素电极重叠。
对彩色显示器而言，每一个像素唯一地表达三原色的一种(即，空间分割)或者依次表达三原色(即，时间分割)，使得三原色的空间或时间之和被识别为所需的颜色。图2示出了空间分割一例，其中，在面对像素电极190的上板200的区域中为每个像素提供滤色器230(红、绿和蓝滤色器之一)。或者，滤色器230提供于下板100上的像素电极190上或下。
一个或多个偏振器(未示出)贴附到板100和200。
再次参考图1，灰电压发生器800产生两组与像素的透射率相关的灰电压。一组中的灰电压相对于公共电压Vcom具有正极性，而另一组中的灰电压相对于公共电压Vcom具有负极性。
栅驱动器400连接到板组件300的栅线G1-Gn，并合成来自外部器件的栅极开启电压Von和栅极关闭电压Voff，以产生施加到栅线G1-Gn的栅信号。
数据驱动器500连接到板组件300的数据线D1-Dm并将数据电压施加到数据线D1-Dm，数据电压选自灰电压发生器800所提供的灰电压。
信号控制器600控制栅驱动器400和数据驱动器500，并可以安装在印刷电路板(PCB)上。
现在参考图3描述图1和图2所示的LCD的详细示例。
图3是根据本发明实施例的LCD的示意性布局图。
如图3所示，板组件300包括多条栅线(G1-Gn)和多条数据线(D1-Dm)。多个栅驱动IC芯片440和多个数据驱动IC芯片540安装在板组件300上。栅驱动IC芯片440接近板组件300的左边缘设置，数据驱动IC芯片540接近板组件300的上边缘设置。PCB 550设置在板组件300的上边缘附近，其上提供了诸如信号控制器600和灰电压发生器800的几个电路元件。板组件300和PCB 550通过多个FPC膜511和512电连接和物理连接。
最左侧的FPC膜511包括多条数据传输线521和多条驱动信号线523。数据传输线521传输图像数据，且连接到数据驱动IC芯片540的输入端子。驱动信号线523传输电压和控制信号，用于通过设置在板组件300上的驱动信号线321和323激活驱动IC芯片540和440。
剩余的FPC膜512包括多条驱动信号线522，用于将电压和控制信号传输到电连接到其的数据驱动IC芯片540。
信号线521-523连接到PCB 550上的电路元件并接收来自它们的信号。
或者，驱动信号线523可以提供于分立的FPC膜(未示出)上。
如图3所示，由横向延伸的栅线和纵向延伸的数据线的交叉点界定的多个数据区域在板组件300上形成显示区D。在显示区D周围设置光阻挡元件220(由阴影线区域表示)，用于阻挡到显示区D的外部的光泄漏。
同样如图3所示，栅线和数据线在显示区D中基本平行。在它们离开显示区D的“扇出(fan-out)”区域中被分组成扇状。在跨过阻挡元件220之后这些线又基本平行了。
数据驱动IC芯片540设置在显示区D之外，并在横向上依次布置。相邻的数据驱动IC芯片540通过多个互连541连接。从最左侧的FPC膜511传输到最左侧的数据驱动IC 540的图像数据通过互连541被传输到下一个数据驱动IC 540，依次类推。
多条检测线125形成于板组件300上。在每个数据驱动IC芯片540的下方设置两条检测线125。每条检测线125基本沿横向延伸，向上弯曲，且包括检查焊盘。检测线125的数目可以有所变化。如图3所示，数据线交替地连接到检测线125。具体地说，两条检测线125中的一条连接到奇数序号的数据线(D1、D3等)，而两条检测线125中的另一条连接到偶数序号的数据线(D2、D4等)。
栅驱动IC芯片440安装在显示区D外部、板组件300的左边缘附近，沿纵向布置。驱动信号线323位于栅驱动IC芯片440附近且将最左侧FPC膜511的驱动信号线523电连接到最上侧的栅驱动IC 440，或者电连接栅驱动IC芯片440。栅驱动IC芯片440可以仅形成在具有开关元件Q或驱动信号线323的下板100上，使得下板100包括多个薄膜晶体管和多条信号线(图3未示出)。
图3中的附图标记“L”表示在制造工艺的最后步骤中由激光器照射的切割线，用于断开栅线121和数据线171彼此间的电连接。
如上所述，LC板组件300包括板100和200。配备有TFT的板100和200之一这里被称为“TFT阵列板。”
现在参考图4到图7详细描述根据本发明实施例的LCD的示范性TFT阵列板。
图4为图1-3所示的TFT阵列板的显示区的示意性布局图。图5为截取自线V-V’的图4所示的显示区的截面图。图6为数据驱动器附近的、图1-3所示的TFT阵列板的区域A的放大布局图，区域A包括连接数据线和数据驱动IC的接触区。图7为沿线VII-VII’截取的图6所示的周边区域的截面图。
优选由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)制作的阻挡膜111形成于透明绝缘基板110上。阻挡膜111可以具有双层结构。
优选由多晶硅制作的多个半导体岛150形成于阻挡膜111上。每个半导体岛150包括：多个包含导电杂质的非本征区。非本征区包括多个重掺杂区和多个轻掺杂区。半导体岛150还包括多个含有少量导电杂质的本征区。本征区包括沟道区154和存储区157。重掺杂区包括由沟道区154分隔开的源极区和漏极区153和155，以及伪区158。轻掺杂区152较窄，设置于本征区154、157以及重掺杂区153、155和158之间。设置在源极区153和沟道区154之间以及漏极区155和沟道区154之间的轻掺杂区152被称为“轻掺杂漏极区”(LDD)。
优选由SiNx制成的栅极绝缘层140形成于半导体岛150和阻挡膜111上。
在绝缘基板110上形成多个栅导体，其包括多条栅线121、多条存储电极线131和多条辅助信号线122(参考图6和图7)。
用于传输栅信号的栅线121基本沿横向延伸，并包括多个栅电极124，栅电极124向下突出，与半导体岛151的沟道区154重叠。栅电极124还可以与轻掺杂区152重叠。每条栅线121都包括扩展的具有大面积的端部，用于接触另一层或外部驱动电路。栅线121可以直接连接到用于产生栅信号的栅驱动电路，栅驱动电路可以集成在基板110上。
存储电极线131被供以预定电压，例如公共电压，且包括多个存储电极137，它们向上和向下突出并与半导体岛150的存储区157重叠。
每条辅助信号线122基本沿纵向延伸并具有大面积的部分。
栅导体121、131和122优选由低电阻率材料制作，包括含有铝(Al)或铝合金的金属。栅导体121、131和122可以具有多层结构，该多层结构两层具有不同物理特性的膜。两层膜中的一层优选由低电阻率的金属制作，包括含Al的金属，用于减小栅导体121、131和122中的信号延迟或电压降。另一膜优选由诸如铬(Cr)、钼(Mo)、Mo合金、钽(Ta)、或钛(Ti)的材料制作，它们和诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料之间具有优良的物理、化学和电学接触特性。
此外，栅导体121、131和122的侧表面相对于基板110的表面倾斜大约30-90度的范围内的倾斜角。
层间绝缘层160形成于栅导体121、131和122上。层间绝缘层160优选由具有较好平面度特性的光敏有机材料、例如由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电常数绝缘材料，或者诸如SiNx和SiO2的无机材料制成。
层间绝缘层160具有多个接触孔162，所述接触孔分别暴露辅助信号线122的部分。此外，层间绝缘层160和栅极绝缘层140具有多个接触孔163和165，所述接触孔分别暴露源极区153和漏电极175。
在层间绝缘层160上形成多个数据导体，包括多条数据线171、多个漏电极175和多条数据连接线178。
用于传输数据电压的数据线171基本沿纵向延伸并和栅线121交叉。每条数据线171包括多个通过接触孔163连接到源极区153的源电极173，以及扩展部分179。数据线171的扩展部分179延伸到显示区D之外的区域A，接触数据驱动IC 540的输出端子并通过接触孔162连接到辅助信号线122。辅助信号线122与数据线171的扩展部分179重叠，和扩展部分179一起产生接触区。
漏电极175与源电极173分开并通过接触孔165连接到漏极区155。
数据连接线178基本沿纵向延伸并连接到数据线171的扩展部分179，以将数据线171连接到检测线125(参见图3)。
数据导体171、175和178优选由包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金的难熔金属制作。它们可以具有多层结构，该多层结构优选包括低电阻率膜和提供较好接触特性的膜。例如，该多层结构可以包括Mo下膜、Al中膜和Mo上膜以及上述Cr下膜和铝钕(Al-Nd)上膜的组合，和Al下膜及Mo上膜。作为另一例，该多层结构可以包括Cr下膜和钼钨(MoW)上膜。
类似于栅导体121、131和122，数据导体171和175相对于基板110的表面具有倾斜的侧面，倾角在大约30-80度的范围内。
钝化层180形成于数据导体171、175和178以及层间绝缘层160上。钝化层180也优选由具有较好平面度特性的光敏有机材料、例如由PECVD形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电常数绝缘材料、或诸如SiNX和SiO2的无机材料制成。钝化层180包括由无机材料制作的第一绝缘层801和形成于第一绝缘层801上且由无机材料制作的第二绝缘层802。钝化层180具有多个暴露漏电极175的接触孔185和多个暴露数据线171端部的接触孔182。暴露数据线171端部的接触孔182和暴露辅助信号线122的接触孔162彼此不重叠，且钝化层180完全覆盖接触孔162。
如图7所示，界定接触孔182的钝化层180的部分相对于基板110的表面具有倾斜的侧面，其倾角大约为45度。附图标记S指示了钝化层180的倾斜侧面的位置。
和侧斜坡陡峭的层相比，上述实施例的钝化层180的薄且逐渐倾斜的侧面在制造工艺期间防止了导电颗粒保留在接触孔182附近的钝化层180的侧面处。此外，当把驱动芯片540连接到接触区时，薄且逐渐倾斜的侧面能够改善驱动芯片540的接触，由此提高接触区的可靠性。
多个像素电极190、多个辅助接触82和多条辅助线191和198形成于钝化层180或层间绝缘层160上。辅助线191和198优选由至少一种诸如ITO或IZO的透明导体和(在提供反射模式或半透明模式的LCD中)一种诸如Al或Ag的不透明反射导体制作。
像素电极190位于显示区D中，通过接触孔185物理连接和电连接到漏电极175，使像素电极190通过漏电极175从漏极区155接收数据电压。
再次参考图2，被供以数据电压的像素电极190和上板200上的公共电极270合作产生电场。电场决定着置于其间的LC层3中液晶分子的取向或在置于其间的发光构件(未示出)中产生电流。
如上所述，像素电极190和公共电极270形成液晶电容器CLC。像素电极190、连接到其的漏极区155和包括存储电极137的存储电极线131形成存储电容器CST。
像素电极190可以重叠栅线121和数据线171以增大开口率，尤其当钝化层180由低介电常数绝缘体制成时更是如此。
辅助接触82设置在接触孔182上，以连接到数据线171的扩展部分179，并位于显示区D之外。辅助接触82基本覆盖数据线171的扩展部分179。或者，辅助接触82可以仅设置在接触孔182附近。
辅助接触82保护着数据线171的暴露部分，防止侵蚀并改善数据线171和IC芯片540之间的连接。上述接触结构也能够应用到栅线121和栅驱动器400上。
辅助线191和198分别重叠数据线171和数据连接线178，在显示区D之外，并延伸到倾斜部分S之内。优选地，辅助线191和198分别完全地覆盖数据线171和数据连接线178。在提供半透明模式的LCD中，辅助线191和198可以在和像素电极190相同的层上包括不透明反射导体和透明导体。在本发明的实施例中，辅助线191和198完全重叠数据线171和178防止了在ITO或IZO上所用的蚀刻剂渗透入钝化层180中或构图像素电极190。它们之间的重叠进一步防止了有机层802邻近接触孔182的倾斜部分分离，由此阻止了接触区中的信号线171和178被侵蚀和断开，并改善了接触区的可靠性。在辅助线191和198包括双层结构的实施例中，接触区的可靠性可以得到进一步提高。
上述接触区的结构也可以应用到栅线121和栅驱动器400。
现在，将详细描述上述LCD的运行。
信号控制器600被供以输入图像信号R、G和B以及输入控制信号，用于控制图像信号的显示。举例来说，输入控制信号包括来自外部图形控制器(未示出)的垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据使能信号(data enable signal)DE。信号控制器600生成栅控制信号CONT1和数据控制信号CONT2，并响应于输入控制信号和输入图像信号R、G和B处理图像信号R、G和B以适于板组件300的运行。信号控制器600将栅控制信号CONT1传输到栅驱动器400，将已处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2通过信号线521-523和驱动信号线321和323传输到数据驱动器500。
栅控制信号CONT1包括用于指示栅驱动器400开始扫描的扫描起始信号STV、用于控制栅极启动电压Von的输出时间的至少一个时钟信号和用于定义栅极启动电压Von的持续时间的输出使能信号(output enable signal)OE。
数据控制信号CONT2包括用于通知数据驱动器500水平周期开始的水平同步起始信号STH、用于指示数据驱动器500向数据线D1-Dm施加数据电压的加载信号LOAD、用于反转数据电压(相对于公共电压Vcom)的极性的反转控制信号RVS以及数据时钟信号HCLK。
数据驱动器500从信号控制器600接收针对像素行的图像数据R、G和B的数据包，并响应于来自信号控制器600的数据控制信号CONT2，将图像数据R、G和B转换为从灰电压发生器800所供的灰电压中选择的模拟数据电压。此后，数据驱动器500将数据电压施加到数据线D1-Dm。
响应于来自信号控制器600的栅控制信号CONT1，栅驱动器400将栅极启动电压Von施加到栅线G1-Gn，由此开启连接到其上的开关元件Q。施加到数据线D1-Dm的数据电压通过被激活的开关元件Q被提供到像素。
数据电压和公共电压Vcom之间的差别被表达为LC电容器CLC两端的电压(即，像素电压)。LC电容器CLC中的LC分子取向取决于像素电压的大小。分子取向决定了通过LC层3的光的偏振。偏振器将光的偏振转换为光的透射率。
通过每个水平周期(等于水平同步信号Hsync和数据使能信号DE的一个周期)重复这一过程，在一帧中所有的栅线G1-Gn被依次供以栅极开启电压Von，由此将数据电压施加到所有的像素。如此控制施加到数据驱动器500的反转控制信号RVS，使得数据电压的极性针对每一帧反转(被称为“帧反转”)。也可以如此控制反转控制信号RVS，使得在一帧中的一条数据线中流动的数据电压的极性被反转(例如，线反转和点反转)，或者在所接收的一个数据包中的数据电压的极性被反转(例如，列反转和点反转)。
现在将详细描述这一过程。
在接收到扫描启动信号STV之后，最上侧的栅驱动IC 440从两个电压Von和Voff中选择栅极开启电压Von并将所选的电压Von提供给第一栅线G1。其余的栅线G2-Gn被供以栅极关闭电压Voff。连接到第一栅线G1的开关元件Q在施加栅极开启电压Von时被开启，针对第一像素行的数据电压通过被激活的开关元件Q被施加到第一像素行中的LC电容器CLC和存储电容器CST。在第一像素行的电容器CLC和CST充电后，最上侧的栅驱动IC 440将栅极关闭电压Voff施加到第一栅线G1，关闭连接到其上的开关元件Q，并将栅极开启电压Von施加到第二栅线G2。
通过重复这一过程，最上侧的栅驱动IC 440将栅极开启电压Von施加到所有连接到其上的栅线上，并向下一栅驱动IC 440输出进位信号，表明第一栅驱动IC 400已经扫描完与其相连的所有栅线。
第二栅驱动IC 440在接收到进位信号之后，扫描所有与其连接的栅线并生成进位信号，在完成扫描时将该进位信号传输至下一栅驱动IC 440。
通过这种方式，完成剩余栅驱动IC芯片的扫描。在最下侧的栅驱动IC440完成扫描后，就扫描完了一帧。
虽然针对LCD描述了本发明的实施例，应当理解，上述说明也可以适用于其他平板显示器，包括但不限于OLED。
根据本发明的各实施例，对信号线被连接到驱动IC的接触区增加低电阻率的辅助信号线能够防止信号延迟。多层结构的接触区中连接导电层的接触孔可以如此配置，使得诸接触孔不彼此重叠。此外，辅助线可以完全覆盖信号线。结果，可以减少接触区中的有机层的分离和信号线的侵蚀与断开。因此，可以提高接触区的可靠性，可以最小化接触区的接触电阻并可以改善LCD的性能。
虽然在此描述了本发明的优选实施例，应当理解，本发明不局限于所披露的实施例。其他变化和/或改进由本公开所启示并落在本发明的精神和范围之内。因此，本发明的范围仅由权利要求限定。
本申请要求于2004年9月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2004-0070341的优先权，其全部内容引入于此作为参考。

Claims (20)

1.一种薄膜晶体管阵列板，包括：
多条栅线；
多条数据线，与所述栅线交叉；
多个开关元件，连接到所述栅线和数据线；
多个像素电极，连接到所述开关元件；
层间绝缘层，形成于所述栅线和数据线之间；
钝化层，覆盖所述栅线、数据线和开关元件，所述钝化层具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，所述开关元件和像素电极通过所述第一接触孔连接；
多个辅助接触，形成于所述钝化层上并通过所述钝化层中的多个第二接触孔连接到所述数据线；以及
多条辅助线，通过所述层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到所述数据线，其中，所述第三接触孔不重叠所述第二接触孔且完全被所述钝化层覆盖。
2.如权利要求1所述的阵列板，其中，所述钝化层限定所述第二接触孔的部分具有倾斜的侧面。
3.如权利要求2所述的阵列板，还包括多条形成于所述钝化层上的辅助线，其中，所述辅助线重叠所述数据线。
4.如权利要求3所述的阵列板，其中，所述辅助线覆盖所述钝化层的倾斜侧面。
5.如权利要求4所述的阵列板，其中，所述辅助线包括：
由透明材料制成的透明导体；以及
由导电材料制成的反射导体。
6.如权利要求3所述的阵列板，其中，所述钝化层包括：
由有机材料制成的第一绝缘层；以及
由无机材料制成的第二绝缘层。
7.如权利要求1所述的阵列板，其中，所述辅助线与所述栅线在相同的层上且连接到所述数据线。
8.如权利要求1所述的阵列板，其中所述辅助线包括含铝的金属。
9.一种薄膜晶体管阵列板，包括：
多条栅线；
多条数据线，与所述栅线交叉；
多个开关元件，连接到所述栅线和数据线；
多个像素电极，连接到所述开关元件；
层间绝缘层，形成于所述栅线和数据线之间；
钝化层，覆盖所述栅线、数据线和开关元件，所述钝化层具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，所述开关元件和像素电极通过所述第一接触孔连接；
多个辅助接触，形成于所述钝化层上并通过所述钝化层中的多个第二接触孔连接到所述数据线；以及
多条形成于所述钝化层上的辅助线，其中，所述辅助线重叠所述辅助接触附近的数据线。
10.如权利要求9所述的阵列板，其中，所述钝化层限定所述第二接触孔的部分具有倾斜的侧面。
11.如权利要求10所述的阵列板，其中，所述辅助线覆盖所述钝化层的倾斜侧面。
12.如权利要求11所述的阵列板，其中，所述辅助线包括：
由透明材料制成的透明导体；以及
由导电材料制成的反射导体。
13.如权利要求12所述的阵列板，其中，所述钝化层包括：
由有机材料制成的第一绝缘层；以及
由无机材料制成的第二绝缘层。
14.如权利要求9所述的阵列板，还包括多条辅助线，所述辅助线通过所述层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到所述数据线。
15.如权利要求14所述的阵列板，其中，所述第三接触孔不重叠所述第二接触孔且完全被所述钝化层覆盖。
16.如权利要求15所述的阵列板，其中，所述辅助线与所述栅线在相同的层上且连接到所述数据线。
17.如权利要求14所述的阵列板，其中，所述辅助线包括含铝的金属。
18.一种薄膜晶体管阵列板，包括：
多条数据线；
钝化层，覆盖所述数据线；
多个辅助接触，形成于所述钝化层上并通过所述钝化层中的多个接触孔连接到所述数据线；以及
多条形成于所述钝化层上的辅助线，其中，所述辅助线重叠所述辅助接触附近的数据线。
19.如权利要求18所述的阵列板，还包括：
层间绝缘层；以及
多条辅助线，通过所述钝化层中的第二接触孔连接到所述数据线，其中，所述第二接触孔不重叠所述第一接触孔且完全被所述钝化层覆盖。
20.如权利要求18所述的阵列板，还包括：
多个开关元件，连接到所述数据线；以及
多个像素电极，连接到所述开关元件。
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