CN1580922A - 薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；第一信号线，在该绝缘基片上形成；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在每个第一信号线和第二信号线交叉限定的像素形成；薄膜晶体管，三端子分别与第一信号线、第二信号线、及第一像素电极连接；第二像素电极，在每个像素上形成且与第一像素电极进行电耦合，其中像素包括红色、绿色、及蓝色像素，而第一像素电极与第二像素电极之间的耦合电容在红色、绿色、及蓝色像素中彼此不同。利用这种薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器显示出改良的侧面可见度且具有广视角。

Description

薄膜晶体管阵列面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器和薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是使用最广泛的显示器之一。液晶显示器包括具有产生电场电极的两个面板和置于其间的液晶层。这种液晶显示器向产生电场电极施加不同电压，形成电场改变液晶分子的排列，并且调整入射光的偏光来显示图像。
窄视角是液晶显示器的重要弊端。为了克服这种弊端，正在开发扩大视角的多种技术，其中对上下面板液晶分子垂直取向，在像素电极和共同电极等产生电场电极形成突起部的方法最有效。
形成折叠图案的方法有，在像素电极和共同电极上分别形成折叠图案，利用这些折叠图案形成的散射场，调整液晶分子的平躺方向，从而扩大视角的方法。
形成突起部的方法有，在上下面板上形成的像素电极和共同电极上分别形成突起部，从而利用通过突出部失真的电场调整液晶分子平躺方向的方式。
另外一种方法有，在下部面板上形成的像素电极上形成折叠图案，在上部面板上形成的共同电极上形成突出部，利用折叠图案和突出部形成的散射场，调整液晶平躺方向以形成区域的方式。
这种多区域液晶显示器的以1∶10对比率为基准的对比率视角或通过灰度之间亮度反转的限度角度限定的灰度反转基准视角，在其前方向为80度以上，这是属于非常优秀的。然而，发生正面伽马曲线和侧面伽马曲线不一致的侧面伽马曲线变形现象，与TN模式液晶显示器相比，在侧面还出现较差的可见度。
例如，作为区域分割件，使用形成折叠部的PVA(patternedvertically aligned)模式时，越靠近侧面，存在整体画面亮而且存在向白色方向移动的倾向，严重时不存在亮灰度之间的间距差，导致图像变形。然而，随着液晶显示器在多媒体领域中的使用，并随着观看画像或观看活动图像的增加，越来越重视可见度。
发明内容
本发明目的是提供一种可见度优良的具有多个区域的液晶显示器。
为了实现本发明目的，本发明将像素电极分为两个，并向两个辅助像素电极施加不同电压，在红色、绿色、蓝色像素中两个辅助像素之间电压差不同。
更具体地，本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；第一信号线，在该绝缘基片上形成；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在每个第一信号线和第二信号线交叉限定的像素形成；薄膜晶体管，三端子分别与第一信号线、第二信号线、及第一像素电极连接；第二像素电极，在每个像素上形成且与第一像素电极进行电耦合，其中像素包括红色、绿色、及蓝色像素，而第一像素电极与第二像素电极之间的耦合电容在红色、绿色、及蓝色像素中彼此不同。
优选地，还包括与第一像素电极连接且与第二像素电极以绝缘状态重叠的耦合电极，优选地，第一像素电极和第二像素电极中至少一个可以具有区域分割件，耦合电极从第一薄膜晶体管的三端子中的漏极延伸。
而且，优选地，耦合电极的长度以绿色、红色，蓝色像素的顺序减小或耦合电极的宽度以绿色、红色、蓝色像素的顺序减小。
还有，若第一像素电极和第二像素电极的耦合电容在绿色像素为1，优选地，在红色像素为0.95-1.0、在蓝色像素为0.75-0.95。
而且，本发明还提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；第一信号线，在绝缘基片上形成；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在每个第一信号线和第二信号线交叉限定的像素形成；薄膜晶体管，三端子分别与第一信号线、第二信号线、及第一像素电极连接，其中像素包括红色、绿色、蓝色像素，第一像素电极和第二像素电极的面积比在红色、绿色、蓝色像素中彼此不同。
这时，优选地，第二像素电极与第一像素的面积比以绿色、红色、蓝色的顺序增加。而且，优选地，第一像素与第二像素的面积比在绿色像素为6∶4、在红色像素为5.5∶4.4、在蓝色像素为5∶5。
附图说明
本发明将通过参考附图详细地描述其实施例而变得更加显而易见，其中：
图1是根据本发明一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图；
图2是根据本发明一实施例的用于液晶显示器的滤色器面板的布局图；
图3是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局图；
图4A是沿着图3所示的IVa-IVa′线的液晶显示器截面图；
图4B是沿着图3所示的IVb-IVb′线的液晶显示器截面图；
图5是根据本发明如图1至图4B所示的液晶显示器电路图；
图6是根据本发明另一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图；
图7是沿着图6所示的VII-VII′线的液晶显示器截面图；
图8是根据本发明另一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图；
图9是根据本发明另一个实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图；
图10A是红、绿、蓝色伽马曲线的正视图；
图10B是红、绿、蓝伽马曲线上部侧视图；以及
图10C是从对角方向的红、绿、蓝色伽马曲线。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在图中为了明确表现各层及区域，扩大其厚度来表示，在全篇说明书中对类似部分附上相同图的符号，当提到层、膜、区域、板等部分在别的部分“之上”时，它是指“直接”位于别的部分之上，也包括其间夹有别的部分之情况，反之说某个部分“直接”位于别的部分之上时，指其间并无别的部分。
那么，参照附图说明根据本发明实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构。
图1是根据本发明一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图，图2是根据本发明一实施例的用于液晶显示器的滤色器面板的布局图，图3是根据本发明一实施例的液晶显示器的布局图，而图4是沿着图3所示的IV-IV′线的液晶显示器截面图。
根据本发明一实施例的液晶显示器包括薄膜晶体管阵列面板100和与其面对的共同电极面板200及在两个面板100、200之间注入并包含在其中的液晶分子的长轴对两个面板100、200垂直取向的液晶层3。
首先，将薄膜晶体管阵列面板100的结构进行描述。
在由玻璃等透明绝缘材料组成的绝缘基片110上形成由ITO或IZO等透明导电材料组成的第一及第二像素电极190a、190b。其中第一像素电极190a与薄膜晶体管连接并接收图像信号电压，第二像素电极190b与第一像素电极190a连接的耦合电极176重叠，从而与第一像素电极190a电耦合(电容耦合)。
这时，第二像素电极190b与耦合电极176重叠的面积按照红色、绿色、及蓝色像素各不相同。
而且，薄膜晶体管分别与传输扫描信号的栅极线121和传输图像信号的数据线171，并根据扫描信号控制向第一像素电极190a施加的图像信号。第二像素电极190b具有折叠部(cutouts)192。还有，在绝缘基片110的下表面附着下部起偏器12。在这里，当第一及第二像素电极190a、190b为反射型液晶显示器时，可以不通过透明材料形成，此时也不需要下部起偏器12。
以下，将对滤色器面板的结构进行描述。
仍然在由玻璃等透明绝缘材料组成的绝缘基片210下表面形成为了防止光泄漏的黑阵(遮光层)220和红、绿、蓝滤色器230及由ITO或IZO等透明导电材料组成的共同电极270。
在这里，在共同电极270形成折叠部271、272、273。黑阵220不仅在像素区域边缘部分形成，还可以在与共同电极270的折叠部271、272、273重叠的部分形成。这是为了防止由于折叠部271、272、273发生的光泄漏。
参照图1、图4A、图4B及图5更详细说明薄膜晶体管阵列面板100。
在下部绝缘基片110上形成主要由横向延伸的多条栅极线121和存储电极线131。
传输栅极信号的栅极线121主要以横向延伸并互相分离。各栅极线121包括多个栅极123，为了与外部电路连接，具有扩张其宽度的扩张部125。
各存储电极线131主要以横向延伸，并包括从该处延伸的多层存储电极133a、133b、133c。单层存储电极133a、133b、133c中的两个存储电极133a、133b以纵向延伸并通过横向延伸的另一个存储电极133c互相连接。这时，各存储电极线131可以由两个以上的横线组成。
栅极线121及存储电极线131包括物理性质不同的两个膜，即下部膜(未示出)和其上的上部膜(未示出)。上部膜为了减少栅极线121和存储电极线131的信号延迟或电压下降，由低电阻率金属组成，例如铝(Al)或铝合金等铝系列金属。与此不同，下部膜由其它材料组成，特别是与ITO或IZO有良好接触特性的材料组成，例如钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)等。下部膜和上部膜组合的实例为铬/铝-钕(Nd)合金。
优选地，栅极线121和存储电极线131的侧面倾斜，其对水平面的倾斜角为30-80°。
在栅极线121和存储电极线131上形成由氮化硅(SiNx)等组成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成由氢化非晶硅(非晶硅简称为a-Si)等组成的多个条状半导体层151。条状半导体151主要纵向延伸，并从此多个突起部154向栅极123延伸。
优选地，在条状半导体151和突出部154上形成由硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等材料组成的欧姆接触部件161。欧姆接触部件161除了突起部154周边之外，基本与半导体151相同图案形成。即，在条状半导体151上部形成条状欧姆接触部件161，位于突起部154上的源极部欧姆接触部件163和漏极欧姆接触部件165互相分离形成。
在欧姆接触部件161、163、165及栅极绝缘层140上形成包括多条数据线171的多个薄膜晶体管漏极175、多个耦合电极176、及多个电桥下金属片(under-bridge metal piece)172。
各数据线171主要以纵向延伸，并向各漏极175形成多个分支，并组成薄膜晶体管源极173。
各数据线171为了与其它层或外部装置连接包括扩大其宽度的扩张部179。
将电桥下金属片172设置在栅极线121上。
耦合电极176与漏极175连接，且以V字型弯曲。而且，耦合电极176按照红色、绿色、及蓝色像素形成不同的长度。在这里，绿色像素的耦合电极176最长，其次是红色R像素的耦合电极176，蓝色B像素的耦合电极176最短。
数据线171、漏极175、耦合电极176、及电桥下金属片172也可以包括物理性质不同的两个膜，即下部膜(未示出)及其上的上部膜(未示出)，上部膜为了减少数据线的信号延迟或电压下降，由低电阻金属组成，例如，铝Al或铝合金等铝系列金属。与此不同，下部膜由其它材料组成，特别是与ITO及IZO有良好接触特性的材料组成，例如，钼(Mo)、钼合金、铬。下部膜和上部膜组合的例子为铬/铝-钕合金。
在数据线171、漏极175、及电桥下金属片172上形成由氮化硅等无机绝缘材料或树脂等有机材料组成的钝化层180。
钝化层180具有分别露出漏极175的至少一部分和数据线171扩张部179的多个接触孔181、183，分别露出栅极线121的扩张部125和存储电极线131一部分的多个接触孔182、184、185贯通栅极绝缘层140和钝化层180。
在钝化层180上形成包括多个像素电极190a、190b的多个接触辅助部件95、97及多个存储电桥(storage bridge)91。像素电极190a、190b、接触辅助部件95、97及存储电桥91由ITO或IZO等透明导电材料或如同铝的光反射性优良的不透明材料组成。
第一像素电极190a通过接触孔181与漏极175连接。第二像素电极190b虽然处在电漂移状态，但与漏极175连接的耦合电极176重叠，因此与第一像素电极190a电耦合。即，根据向第一像素电极190a施加的电压，第二像素电极190b电压处于电压变动状态。
这时，第一像素电极190a和第二像素电极190b之间的耦合电容按照绿色G、红色R、蓝色B像素的顺序逐渐变小，这是因为耦合电极176的长度根据各像素而不同。使第一像素电极190a与第二像素电极190b之间的耦合电容在绿色G、红色R、蓝色B像素上互相不同的方法有，除了使耦合电极176的长度不同的方法之外，还有使耦合电极的宽度不同或使设置不同的方法等多种方法。在这里，第一像素电极190a和第二像素电极190b之间的耦合电容，假设绿色像素为1时，红色R像素成为0.95-1.0，蓝色B像素成为0.75-0.95。
区分第一像素电极190a与第二像素电极190b的边界分为对于栅极线121成45°角的部分191、193和成垂直的部分194，其中成45°角的两个部分191、193比成垂直的部分194长度长。而且，成45°角的两个部分191、193互相垂直。
第二像素电极190b具有折叠部192，折叠部192是从第二像素电极190b的右边起始向左边延伸，且入口较宽扩张。
第一像素电极190a与第二像素电极190b基本上对于将栅极线121和数据线171交叉限定的像素区域上下两等分的线(与栅极平行的线)形成镜像对称。
而且，在钝化层180上形成连接贯穿栅极线121位于其两侧的两个存储电极线131的存储电桥91。存储电桥91通过贯通钝化层180和栅极绝缘层140的接触孔183、184与存储电极133a及存储电极线131接触。存储电桥91与电桥下金属片172重叠。存储电桥91具有电连接下部基片上的全部存储电极线131的作用。这样的存储电极线131必要时可以在修理栅极线121或数据线171缺陷时利用，为了这种修理照射激光时，为了辅助栅极线121和存储电桥91的电连接形成电桥下金属片172。
接触辅助部件95、97分别通过接触孔182、183与栅极线的扩张部125和数据线的扩张部179连接。
下面，参照图2、图4A、图4B及图5说明共同电极面板200。
在上部绝缘基片210形成防止光漏的黑阵220。在黑阵220上形成红、绿、蓝色滤色器230。在滤色器230上形成涂层(overcoat)250，在涂层250上形成具有多层折叠部271、272、273的共同电极270。共同电极270由ITO或IZO等透明导电材料组成。
共同电极270的单层折叠部271、272、273中间夹着两个像素电极190a、190b的边界中对栅极线121成45°的部分191、193，并包括与其并排的斜线部和与像素电极190边重叠的端部。这时，端部分为纵向端部和横向端部。
若整列耦合这种结构的薄膜晶体管阵列面板和滤色器面板，其之间注入液晶材料且垂直取向，就形成根据本发明一实施例的液晶显示器的基本结构。
当整列薄膜晶体管阵列面板和滤色器面板时，共同电极270的单层折叠部271、272、273将两个像素电极190a、190b分别分为多个分区(subarea)，本实施例中如图3所示，将两个像素电极190a、190b分别分为四个分区。如图3所示，各分区条状形成，从而区别宽度方向和长度方向。
下面，将像素电极190a、190b的各分区和与其对应的基准电极270各分区之间的液晶层3部分称为子区域(subregion)，该子区域施加电场时，沿着位于其内部的液晶分子的平均长轴方向分为四种，下面将其称为区域(domain)。
在这种结构的液晶显示器中，第一像素电极190a与漏极175物理电连接，接收图像信号电压，与此相反，第二像素电极190b根据与耦合电极176间的电容耦合改变电压，因此第二像素电极190b的电压比第一像素电极190a的电压其绝对值总是低。像这样，若在一个像素区域内设置不同电压的两个辅助像素电极，其两个辅助像素电极互相补偿减少伽马曲线的失真。
参照图5说明第一像素电极190a的电压比第二像素电极190b的电压低的原因。
图5是根据本发明一实施例的液晶显示器电路图。
在图5中，Clca表示第一像素电极190a和共同电极270之间形成的液晶(LC)电容，Cst表示在第一像素电极190a和存储电极线131之间形成的存储电容。Clcb表示第二像素电极190b和共同电极270之间形成的电容，Ccp表示第一像素电极190a和第二像素190b之间形成的耦合电容。
假设参照共同电极270的第一像素电极190a的电压为Va，第二像素电极190b的电压为Vb，则根据电压分配法则，
Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]
Ccp/(Ccp+Clcb)总是比1小，因此Vb小于Va。
另外，Ccp调整是可以通过调整耦合电极176与第二像素电极190b之间的重叠面积和距离来实现的。耦合电极176与第二像素电极190b的重叠面积调整是通过改变耦合电极176的宽度来调整，耦合电极176和第二像素电极190b之间的距离是通过改变耦合电极176形成的位置来调整。即，在本发明实施例中，虽然在同一个层上形成耦合电极176和数据线171，但该耦合电极176在栅极线121同一个层上形成，从而可以增加耦合电极176和第二像素电极190b之间的距离。
而且，若按照红、绿、蓝像素使两个像素电极190a、190b之间的耦合电容不同，那么两个像素电极之间的电压差按照红、绿、蓝像素不同。尽管如此，其减轻了带蓝色(bluish)现象，从而提高了液晶显示器的侧面可见度。
那么，参照图10A至图10C说明带蓝色现象的原因，并说明本发明减轻带蓝色现象的理由。
图10A是正视的红、绿、蓝色伽马曲线，图10B是俯视的红、绿、蓝伽马曲线，而图10C是从对角方向的红、绿、蓝色伽马曲线。
参照图10A至图10C，虽然从正面看时红、绿、蓝色伽马曲线几乎一致，但俯视或从对角线方向看时，蓝色和绿色伽马曲线越靠近低灰度，显示从绿色伽马曲线分离的现象。特别是，蓝色的伽马曲线严重分离。这意味着从上侧和对角线方向越靠近低灰度蓝色的成份比率大大增加，这就是带蓝色现象发生的原因。
本发明为了减轻这种低灰度中的蓝色成分比率，在蓝色像素上使两个辅助像素电极耦合电容比其它色像素小。若两个辅助像素电极的耦合电容小，根据静电感应，漂移状态的辅助像素电极上的电压也低。因此，在同一灰度中像素电极上的电压为蓝色＜红色＜绿色，这种颜色类别的电压差越靠近低灰度，对灰度电压的比率变高。所以在同一灰度中，相对于绿色像素电压的蓝色像素电压的比率越靠近低灰度越小。而且相对于红色像素电压的蓝色像素比率越靠近低灰度越小。因此带蓝色现象得到减轻。
本发明也可适用于扭曲向列(TN)模式薄膜晶体管。对此通过其它实施例说明。
图6是根据本发明另一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图7是沿着图6所示的VII-VII′线的液晶显示器截面图。
下部绝缘基片110上形成纵向延伸的多个栅极线121和存储电极线131。
传输栅极信号的栅极线121主要以纵向延伸且互相分离。各栅极线121包括多个栅极123，为了与外部电路连接具有扩张其宽度的扩张部125。
各存储电极线131主要以纵向延伸，包括此处延伸出来的多层存储电极133a、133b、133c。单层存储电极133a、133b、133c中两个存储电极133a、133b以纵向延伸并通过横向延伸的另外一个存储电极133c彼此连接。这时，各存储电极线131可由两个以上横线组成。栅极线121及存储电极线131可以包括物理性质不同的两个膜，即下部膜(未示出)和其上的上部膜(未示出)。上部膜为了减少栅极线121或存储电极线131信号延迟或电压下降，由低电阻率金属组成，例如铝Al或铝合金等铝系列金属。与此不同，下部膜由其它材料组成，特别是与ITO及IZO有良好接触特性的材料组成，例如钼Mo、钼合金、铬Cr等。下部膜和上部膜组合例为铬/铝-钕。
优选地，栅极线121和存储电极线131侧面成倾斜，并对水平面的倾斜角为30-80°。
栅极线121和存储电极线131上形成由氮化硅(SiNx)等组成的栅极绝缘层140。
栅极绝缘层140上形成由氢化非晶硅(非晶硅简称为a-Si)等组成的条状半导体层151。条状半导体151主要以纵向延伸并从此多个突出部154向栅极123延伸。
在半导体151和突出部154上形成硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等欧姆接触部件161。欧姆接触部件161除了突出部154周边之外基本上由半导体151和突出部154相同图案形成。即，在条状半导体151上部形成条状欧姆接触部件161，位于突出部154上的源极部接触部件163和漏极部接触部件165互相分离。
在欧姆接触部件161、163、165及栅极绝缘层140上形成包括数据线171的多个薄膜晶体管漏极175、多个耦合电极176、及多个电桥下金属片(under-bridge metal piece)172。
各数据线171主要以纵向延伸，向各漏极175伸出多条分支，组成薄膜晶体管的源极173。
各数据线171为了与其它层或外部装置连接，包括扩张其宽度的扩张部179。
将电桥下金属片172设置在栅极线121上。
耦合电极176与漏极175连接，按照红色R、绿色G、及蓝色B像素形成不同的宽度。
在这里，绿色G像素耦合电极176宽度最宽，其次是红色R像素耦合电极176，蓝色B像素耦合电极176宽度最窄。
数据线171、漏极线175、耦合电极176、及电桥下金属片172也可以包括物理性质不同的两个膜，即下部膜(未示出)和其上的上部膜(未示出)。上部膜为了减少数据线171信号延迟或电压下降由低电阻率金属组成，例如铝Al或铝合金等铝系列金属。与此不同，下部膜由其它材料组成，特别是与ITO及IZO有良好接触特性的材料组成，例如钼Mo、钼合金、铬等。下部膜和上部膜组合的例子为铬/铝-钕Nd合金。
在数据线171、漏极175、及电桥下金属片172上形成由氮化硅等无机材料或树脂等有机材料组成的钝化层180。
钝化层180具有分别露出漏极175的至少一部分和数据线171的扩张部179的多个接触孔181、183，分别露出栅极线121的扩张部125和存储电极线131一部分的多个接触孔182、184、185贯通栅极绝缘层140和钝化层180。
在钝化层180上形成多个像素电极190a、190b在内的多个接触辅助部件95、97及多个存储电桥91。像素电极190a、190b、接触辅助部件95、97及连接桥91由诸如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等的透明导电体或如同铝Al的光反射特性良好的不透明导电体组成。
其中第一像素电极190a通过接触孔181与漏极175连接。第二像素电极190b虽然处在电漂移状态，但与漏极175连接的耦合电极176重叠，因此与第一像素电极190a电耦合。即，根据向第一像素电极190a上施加的电压，第二像素电极190b的电压在变动状态。
这时，第一像素电极190a和第二像素电极190b的耦合电容按照绿色G、红色R、蓝色B的顺序逐渐减少，这是因为耦合电极176的宽度随着各像素不同的缘故。如在图1至图4B的实施例中说明，使第一像素电极190a和第二像素电极190b的耦合电容随着绿色G、红色R、蓝色B像素彼此不同的方法有多种，在本实施例中说明形成不同耦合电极176宽度的方法。
另外，第一像素电极190a和第二像素电极190b耦合电容的绿色G像素为1时，红色R像素为0.95-1.0，蓝色B像素为0.75-0.95。
第一像素电极190a与第二像素电极190b以横向延伸的存储电极133c为中心分为上下。
而且，在钝化层180上形成连接贯穿栅极线121位于其两侧的两个存储电极线131的存储电桥91。存储电桥91通过贯通钝化层180和栅极绝缘层140的接触孔183、184与存储电极133a及存储电极线131连接。存储电桥91与电桥下金属片172重叠。存储布线连接桥91具有在下部基片110上电连接全部存储电极线131的作用。这种存储电极线131必要时，可用于修理栅极线121或数据线171，电桥下金属片172为了这种修理，当照射激光时为了辅助栅极线121和存储电桥91的电连接而形成。
接触辅助部件95、97分别通过接触孔与栅极线扩张部125和数据线的扩张部179连接。
像这样，若在一个像素区域内部设置不同电压的两个辅助像素电极，两个辅助像素电极互相补偿，可以减少伽马曲线的失真。
而且，若按照红、绿、蓝像素，形成不同的两个辅助像素电极耦合电容，两个辅助像素电极之间的电压差按照红、绿、蓝像素变不同，这可以减轻带蓝色(bluish)现象，从而提高液晶显示器的侧面可视度。
用其它实施例说明按照红、绿、蓝像素使两个辅助像素电极之间的电压差不同的其它方法。
图8是根据本发明另一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图。
根据图8实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板与图1至图4B的实施例相比，其耦合电极176的长度在红、绿、蓝色像素中都相同，且第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比在红、绿、蓝色像素中彼此不同。
绿色像素的第二像素电极190b与第一像素电极190a的面积比在绿色像素中最小，并按照红色像素、蓝色像素的顺序增加。即，在全体像素面积中第二像素电极190b所占的面积按照绿色、红色、蓝色顺序增加。优选地，第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比在绿色像素为6∶4，在红色像素为5.5∶4.5，在蓝色像素为5∶5，但若第二像素电极190b所占的面积以绿色、红色、蓝色的顺序增加时，可适用多种比率。
因此，即使施加同一个灰度电压，也按照红、绿、蓝色像素形成不同的像素电压，从而改善可见度。
图9是根据本发明另一个实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的布局图。
根据图9实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板是在TN模式上适用使第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比不同的方法，与图6及图7的实施例相比，耦合电极176的宽度在红、绿、蓝色像素中都相同，且第一像素电极190a和第二像素电极190b的面积比在红、绿、蓝色像素中彼此不同。
绿色像素的第二像素电极190b与第一像素电极190a的面积比最小，并按照红色像素、蓝色像素的顺序增加。即，在全体像素面积中第二像素电极190b所占的面积按照绿色、红色、蓝色的顺序增加。优选地，第一像素电极190a与第二像素电极190b的面积比在绿色像素为6∶4，在红色像素为5.5∶4.5，在蓝色像素为5∶5，但若第二像素电极190b所占的面积按照绿色、红色、蓝色的顺序增加时，可以适用多种多样的比率。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基片；
第一信号线，在所述绝缘基片上形成；
第二信号线，与所述第一信号线绝缘交叉；
第一像素电极，在每个所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的像素形成；
薄膜晶体管，三端子分别与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述第一像素电极连接；
第二像素电极，在每个所述像素上形成且与所述第一像素电极进行电耦合，
其中所述像素包括红色、绿色、及蓝色像素，而所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的耦合电容在所述红色、绿色、及蓝色像素中彼此不同。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括与所述第一像素电极连接且与所述第二像素电极在绝缘状态下重叠的耦合电极。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极中至少有一个具有区域分割件。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极从所述薄膜晶体管的三端子中的漏极延伸。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极的长度按照绿色、红色、蓝色像素的顺序减小。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极的宽度按照绿色、红色、蓝色像素的顺序减小。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，若所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的耦合电容在绿色像素为1时，在红色像素为0.95-1.0，而在蓝色像素为0.75-0.95。
8.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基片；
第一信号线，在所述绝缘基片上形成；
第二信号线，与所述第一信号线绝缘交叉；
第一像素电极，在每个所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的像素形成；
薄膜晶体管，三端子分别与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述第一像素电极连接，
其中所述像素包括红色、绿色、蓝色像素，所述第一像素电极和所述第二像素电极的面积比在所述红色、绿色、蓝色像素中彼此不同。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括与所述第一像素电极连接且与所述第二像素电极在绝缘状态下重叠的耦合电极。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极从所述薄膜晶体管三端子中的漏极延伸。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极中至少一个具有区域分割件。
12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第二像素电极与所述第一像素电极的面积比按照绿色、红色、蓝色的顺序增加。
13.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极与所述第二像素电极的面积比在绿色像素为6∶4，在红色像素为5.5∶4.4，而在蓝色像素为5∶5。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114094B (zh) * 2006-07-28 2010-10-27 三星电子株式会社 液晶显示器
CN101960370A (zh) * 2008-03-31 2011-01-26 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
CN102176101A (zh) * 2006-11-03 2011-09-07 三星电子株式会社 液晶显示装置和修复其中坏像素的方法
CN101650503B (zh) * 2008-08-15 2012-11-21 奇美电子股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板和液晶显示器
CN104658501A (zh) * 2015-03-05 2015-05-27 深圳市华星光电技术有限公司 电压转换电路、显示面板及其驱动方法
WO2015188419A1 (zh) * 2014-06-09 2015-12-17 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及曲面显示装置
CN106526998A (zh) * 2016-12-13 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
US9634040B2 (en) 2014-06-09 2017-04-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and curved display device
CN109239992A (zh) * 2018-10-11 2019-01-18 惠科股份有限公司 一种像素电极结构及显示装置
CN115148143A (zh) * 2022-07-20 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040105934A (ko) * 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR20050098631A (ko) * 2004-04-08 2005-10-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
TW200620675A (en) * 2004-08-04 2006-06-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and liquid crystal display
KR101188600B1 (ko) * 2005-02-18 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101160825B1 (ko) * 2004-08-18 2012-06-29 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4628801B2 (ja) 2005-01-19 2011-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4516432B2 (ja) 2005-01-19 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101188601B1 (ko) 2005-04-13 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP4703258B2 (ja) * 2005-05-16 2011-06-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及び液晶表示パネル
JP4716782B2 (ja) * 2005-05-24 2011-07-06 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4557800B2 (ja) * 2005-05-24 2010-10-06 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4689352B2 (ja) * 2005-05-30 2011-05-25 シャープ株式会社 表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
KR101197049B1 (ko) * 2005-06-27 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101171180B1 (ko) 2005-07-15 2012-08-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4570661B2 (ja) * 2005-09-22 2010-10-27 シャープ株式会社 液晶表示装置
DE602006004419D1 (de) 2005-10-18 2009-02-05 Semiconductor Energy Lab Flüssigkristallanzeige und elektronisches Gerät
KR20070093261A (ko) * 2006-03-13 2007-09-18 삼성전자주식회사 컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치
JP5148494B2 (ja) * 2006-08-10 2013-02-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101215512B1 (ko) 2006-08-21 2012-12-26 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
TWI340286B (en) * 2006-10-12 2011-04-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure
CN100545725C (zh) * 2006-12-28 2009-09-30 中华映管股份有限公司 像素结构与液晶显示面板
TWI352867B (en) * 2007-01-25 2011-11-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel and liquid crystal display panel
TWI372929B (en) * 2007-03-30 2012-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and driving method
TWI362546B (en) * 2007-06-06 2012-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure
CN100445822C (zh) * 2007-07-30 2008-12-24 上海广电光电子有限公司 垂直取向模式的液晶显示装置
JP5012327B2 (ja) * 2007-08-29 2012-08-29 ソニー株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
TWI387827B (zh) * 2008-03-12 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 多域垂直配向型（ｍｖａ）畫素結構
JP5539361B2 (ja) 2008-09-17 2014-07-02 三星ディスプレイ株式會社 配向物質、配向膜、液晶表示装置およびその製造方法
KR101709158B1 (ko) * 2008-10-08 2017-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
TWI401518B (zh) * 2010-06-29 2013-07-11 Au Optronics Corp 畫素陣列
TWI499847B (zh) * 2013-06-28 2015-09-11 Innolux Corp 畫素陣列基板與液晶顯示裝置
TWI526763B (zh) * 2014-05-13 2016-03-21 友達光電股份有限公司 畫素結構、畫素陣列以及顯示面板
WO2017210069A1 (en) * 2016-05-31 2017-12-07 E Ink Corporation Backplanes for electro-optic displays
CN114023256B (zh) * 2021-10-18 2023-06-13 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、像素电路及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2909266B2 (ja) * 1990-07-23 1999-06-23 ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 液晶表示素子
JPH08160455A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
US5610739A (en) * 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
JP3658849B2 (ja) * 1996-03-29 2005-06-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
KR100247493B1 (ko) * 1996-10-18 2000-03-15 구본준, 론 위라하디락사 액티브매트릭스기판의 구조
JP2000000012A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Tanabe Seihan Kk 草刈り用刈払機の刈刃
JP4215905B2 (ja) * 1999-02-15 2009-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100354906B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 삼성전자 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
JP2001228491A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP2003107503A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
KR100859508B1 (ko) * 2001-12-07 2008-09-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114094B (zh) * 2006-07-28 2010-10-27 三星电子株式会社 液晶显示器
US8976331B2 (en) 2006-11-03 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
US9268187B2 (en) 2006-11-03 2016-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
CN102176101A (zh) * 2006-11-03 2011-09-07 三星电子株式会社 液晶显示装置和修复其中坏像素的方法
US9164344B2 (en) 2006-11-03 2015-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
CN102176101B (zh) * 2006-11-03 2014-07-09 三星显示有限公司 液晶显示装置
CN101960370B (zh) * 2008-03-31 2014-01-15 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
CN101960370A (zh) * 2008-03-31 2011-01-26 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
CN101650503B (zh) * 2008-08-15 2012-11-21 奇美电子股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板和液晶显示器
WO2015188419A1 (zh) * 2014-06-09 2015-12-17 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及曲面显示装置
US9634040B2 (en) 2014-06-09 2017-04-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and curved display device
CN104658501A (zh) * 2015-03-05 2015-05-27 深圳市华星光电技术有限公司 电压转换电路、显示面板及其驱动方法
CN104658501B (zh) * 2015-03-05 2017-04-19 深圳市华星光电技术有限公司 电压转换电路、显示面板及其驱动方法
CN106526998A (zh) * 2016-12-13 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN106526998B (zh) * 2016-12-13 2019-04-19 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN109239992A (zh) * 2018-10-11 2019-01-18 惠科股份有限公司 一种像素电极结构及显示装置
CN115148143A (zh) * 2022-07-20 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN115148143B (zh) * 2022-07-20 2023-09-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2024016717A1 (zh) * 2022-07-20 2024-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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