CN1758120A - 液晶显示器及其显示板 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器，包括第一基板；设置在第一基板上并具有以斜角延伸至像素电极周围边缘的第一切口的像素电极，与第一基板相对的第二基板，设置在第二基板上并具有邻近第一切口设置的第二切口的公共电极，设置在第一或第二基板之一上的不透明元件，以及设置在像素电极和公共电极之间的液晶层，其中第一切口将像素电极分成多个分隔部分，其中该多个部分通过互连相互连接，并且互连与像素电极的周围边缘相分开或设置在不透明元件之上或其下方。

Description

液晶显示器及其显示板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其显示板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是使用最广泛的平板显示器之一。LCD包括配有如像素电极和公共电极的电场产生电极的两个面板，以及插入两面板之间的液晶(LC)层。LCD显示器通过为产生电场的电极施加电压而在LC层中产生电场，该电场确定LC层中LC分子的取向进而调节入射光的偏振。
LCD还包括多个与像素电极连接的开关元件和多条信号线，如栅极线和数据线，用于控制该开关元件以便对像素电极施加电压。
在不同类型的LCD中，垂直取向(VA)模式的LCD，其定向(例如，倾斜)LC分子使得LCD分子的长轴在没有电场的情况下垂直于面板，能够获得高对比度和宽的参考视角。
VA模式LCD的参考视角依赖于电场产生电极中切口以及电场产生电极上凸起的设置。切口和凸起能够决定LC分子的倾斜。适当地设置切口和凸起进而改变LC分子的倾斜，能够加大参考视角。
数据线和像素电极之间以及数据线和公共电极之间产生的电场能够打乱像素电极边缘附近设置的LC分子的倾斜，进而增加LC层的响应时间。
另外，像素电极可能会与其他导体短路。
因此，对液晶显示器的电路设计存在一种需要，即防止短路且在发生短路的情况下能够很容易地消除短路。
发明内容
根据本发明实施例的液晶显示板包括基板和设置在基板上的像素电极，该像素电极具有多个以一个或多个斜角延伸至像素电极周围边缘的切口，其中切口将像素电极分成多个分隔部分，其中分隔部分通过多个互连部分中相应的一个相互连接，并且多个互连部分与像素的周围边缘相分开。
液晶显示板还可包括连接到像素电极的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的栅极线和连接到薄膜晶体管的数据线。
液晶显示板还可包括设置在薄膜晶体管、栅极线和数据线上并设置在像素电极下面的绝缘层，以及设置在绝缘层上的遮蔽电极，其交叠数据线并与像素电极相分隔。绝缘层包括有机材料。
根据本发明实施例的液晶显示板包括基板、设置在基板上的不透明元件以及设置在基板上的像素电极，像素电极与不透明的元件绝缘并交叠不透明元件且具有以斜角延伸至像素电极周围边缘的切口，其中切口将像素电极分成多个分隔部分，其中分隔部分通过互连部分相互连接，并且互连部分基本设置在最接近不透明元件的像素电极周围边缘上。
液晶显示板还可包括包含与像素电极相连的漏极的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的栅极线以及连接到薄膜晶体管的数据线。
不透明元件可包括部分栅极线和/或部分漏极、或交叠漏极的存储电极中至少一个。
液晶显示板还可以包括设置在不透明元件和数据线上并设置在像素电极下方的绝缘层，和设置在绝缘层上的遮蔽电极，其交叠数据线并与像素电极相分开。绝缘层包括有机材料。
根据本发明另一实施例的液晶显示板包括基板；设置在基板上的薄膜晶体管，连接到薄膜晶体管的栅极线，连接到薄膜晶体管的数据线，设置在薄膜晶体管、栅极线和数据线上的绝缘层，设置在绝缘层上并连接到薄膜晶体管的像素电极，以及设置在绝缘层上的遮蔽层，其交叠数据线并与像素电极分开等于7微米或大于7微米的距离。
绝缘层可以包括有机材料。
像素电极可以具有多个切口。
像素电极可包括多个倾斜于像素电极边缘而延伸的第一切口，并且液晶显示器还可包括设置在绝缘层上的遮蔽电极，其交叠数据线且与像素电极分开等于7微米或大于7微米的距离，面对第一基板的第二基板，以及设置在第二基板上并具有多个交替布置在第一切口之间的第二切口的公共电极，其中至少一个第二切口具有基本平行于第一切口的第一部分以及连接到第一部分并与第一部分成斜角的第二部分，第二部分具有交叠像素电极的第一边缘以及关于像素电极周围边缘与第一边缘相对设置的第二边缘，并且第二部分的第一边缘与像素电极周围边缘之间的距离等于从大约5微米至大约7微米。
根据本发明一个实施例的液晶显示器包括第一基板，设置在第一基板上的像素电极，该像素电极包括以斜角延伸至像素电极周围边缘的第一切口，与第一基板相对的第二基板；设置在第二基板上并具有邻近第一切口设置的第二切口的公共电极，设置在第一或第二基板之一上的不透明元件，以及设置在像素电极和公共电极之间的液晶层，其中第一切口将像素电极分成多个分隔部分，多个分隔部分通过互连部分相互连接，并且互连部分与像素电极的周围边缘相分开或设置在不透明元件之上或其下方。
液晶显示器还可包括包含与像素电极相连的漏极的薄膜晶体管，连接到薄膜晶体管的栅极线，连接到薄膜晶体管的数据线，以及交叠漏极的存储电极。
不透明元件可包括部分栅极线、部分漏极、部分存储电极中的至少一个、或设置在像素电极附近的阻光元件。
液晶显示板还可以包括设置在薄膜晶体管、栅极线、数据线和存储电极上且设置在像素电极下方的绝缘层，以及设置在绝缘层上的遮蔽电极，其交叠数据线并与像素电极相分开。
漏极可沿着第一或第二切口之一延伸。
第二切口具有基本平行于第一切口的第一部分和与第一部分相连并与第一部分成大于135度斜角的第二部分，并且第二部分具有交叠像素电极的第一边缘以及相对于像素电极边缘与第一边缘相对设置的第二边缘。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施例，会使得本发明变得更加清楚，其中：
图1为根据本发明实施例的LCD中TFT阵列板的布局图；
图2为根据本发明实施例的LCD中公共电极板的布局图；
图3为包含图1中所示TFT阵列板和图2中所示公共电极板的LCD的布局图；
图4和5为图3中所示LCD沿IV-IV和V-V线截取的截面图；
图6为根据本发明另一实施例的LCD的布局图；
图7为图6中所示LCD沿VII-VII线截取的截面图；
图8为图6中所示LCD部分的放大图；以及
图9和10为根据本发明其他实施例的LCD的布局图。
具体实施方式
以下，参照附图更全面地描述本发明，在所述附图中示出了本发明的优选实施例。可是，本发明也可以以一些不同的形式予以实现，且不应认为限制于在此阐述的实施例。全文相同的附图标记指代相同的元件。
在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。全文相同的附图标记指代相同的元件。应当理解，当一个元件，如层、区域或基板称为置于另一元件“之上”时，其可以是直接位于其他元件之上或者也可以存在插入的元件。相反，当一个元件被称作“直接位于另一元件之上”时，则不存在插入元件。
参照附图1、2、3和4详细描述根据本发明一个实施例的LCD。
图1为根据本发明实施例的LCD中薄膜晶体管(TFT)阵列板的布局图，图2为根据本发明实施例的LCD中公共电极板的布局图，图3为包含附图1中所示TFT阵列板和附图2中所示公共电极板的LCD的布局图，图4和5分别为附图3中所示LCD沿IV-IV和V-V线截取的截面图。
参照图4和5，根据本发明的LCD包括TFT阵列板100、面对TFT阵列板100的公共电极板200以及插入在面板100和200之间的液晶层3。
参照图1和3-5说明TFT阵列板100。
多个栅极线121和多个存储电极线131形成在诸如透明玻璃或塑料的绝缘基板110上。
栅极线121传送栅极信号并基本沿着横向在基板上延伸。每个栅极线121包括多个向上凸起的栅极124以及具有和其他层或外部驱动电路相连区域的端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)设置在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，该膜可连接到基板110、直接设置在基板110上或集成在基板110上。栅极线121可连接到可集成在基板110上的驱动电路。
存储电极线(storage electrode lines)131被施加以预定电压并基本平行于栅极线121延伸。每个存储电极线131设置在两个栅极线121之间并基本与两个栅极线121保持相同的距离。每个存储电极线131包括多个向上和/或向下延伸的存储电极137。存储电极线131可以具有各种形状和配置。
栅极线121和存储电极线131优选由含铝(Al)的金属如Al和Al合金、含银(Ag)的金属如Ag和Ag合金、含铜(Cu)的金属如Cu和Cu合金、含钼(Mo)的金属如Mo和Mo合金、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)制成。栅极线121可以具有包含两个具有不同物理特性的导电膜(未示出)的多层结构。两个膜中的一个优选由含Al的金属、含Ag的金属或含Cu的金属的低电阻金属制成。上述膜可降低信号延迟或压降。另一膜优选由，如含Mo的金属、Cr、Ta或Ti的材料制成。这样的膜具有与其他材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之间理想的物理、化学和电连接特性。多层结构的示例包括下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。栅极线121和存储电极线131可由各种材料或导体制成。
栅极线121和存储电极131的侧边相对于基板表面110倾斜，并且其倾斜角处于大约30-80度的范围内。
优选由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选由氢化非晶硅(简写为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。每个半导体岛154设置在栅极124和栅极线121上。设置在栅极线121上的半导体岛154包括覆盖栅极线121边缘的延伸部分。
多个成对欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触163和165优选由重掺杂n型杂质如磷的n+氢化a-Si制成或者它们可以由硅化物制成。
半导体岛154和欧姆接触163和165的侧边相对于基板110的表面倾斜，并且其倾角优选处于大约30-80度的范围内。
多个数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触163和165以及栅极绝缘层140上。
数据线171传送数据信号并基本沿纵向延伸而与栅极线121和存储电极线131相交。每个数据线171包括多个朝栅极124凸出并弯曲成U形的源极173，以及具有用于与其他层或外部驱动电路连接的区域的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可设置在FPC膜(未示出)上，该膜可连接到基板110、直接设置在基板110上或集成在基板110上。数据线171可延伸而连接到可以集成在基板110上的驱动电路。
漏极175与数据线171相分开并相对于栅极124与源极173相对设置。每个漏极175包括宽部177和线性部分。宽部177交叠存储电极137而线性部分的末端部分地由源极173所围绕。
栅极124、源极173和漏极175与半导体岛154一起形成TFT，该TFT具有形成在源极173和漏极175之间的半导体岛154中的电沟道。
数据线171和漏极175优选由难熔金属，如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金制成。数据线171和漏极175可以具有包含难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)的多层结构。多层结构的示例为包含下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的双层结构，以及下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三层结构。数据线171和漏极175可由各种金属或导体制成。
数据线171和漏极175具有倾斜边缘外形，并且其倾斜角在大约30-80度之间变化。
欧姆接触163和165仅插入在下半导体岛154和其上所覆盖的导体171和175之间并降低其间的接触电阻。设置在栅极线121上的半导体岛154的延伸部分使得表面轮廓平滑，进而基本防止了数据线171的断开。半导体岛154包括未覆盖有数据线171和漏极175的暴露部分，如位于源极173和漏极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏极175和半导体岛154的暴露部分上。钝化层180优选由有机绝缘体，如丙烯酸树酯制成，并可具有平坦的顶表面。有机绝缘体可以感光的并具有约小于4.0的电介质常数。钝化层180可进一步包括设置在有机绝缘体下面的无机绝缘体，如氮化硅或氧化硅。这样的钝化层180包含有机绝缘体的绝缘特性同时基本防止了半导体岛154的暴露部分被有机绝缘体损坏。钝化层180可仅包括无机绝缘层或可以由彩色滤光片取代。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179和漏极175的宽部177的多个接触孔182和185。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个暴露栅极线121端部129的接触孔181。
多个像素电极191、遮蔽电极88和多个接触辅助81与82形成在钝化层180上。其可优选地由透明导体如ITO或IZO或反射导体如Ag、Al、Cr或其合金制成。
像素电极191通过接触孔185物理地和电学地连接到漏极175，使得像素电极191从漏极175接收数据电压。施加有数据电压的像素电极191与施加有公共电压的公共电极板200的公共电极270一起产生电场，其控制插入在两电极191和270之间的液晶层3的液晶分子31的取向。像素电极191和公共电极270形成电容器，更具体地是形成在TFT关闭之后存储所施加电压的液晶电容器。
像素电极191和连接到此的漏极175的宽部177交叠包括存储电极137的存储电极线131。像素电极191和连接到此的漏极175以及存储电极线131形成附加电容器，更具体地是形成增强液晶电容器的电压存储能力的存储电容器。
每个像素电极191近似为具有限定周长的包含基本平行于栅极线121或数据线171的下、上、左和右边的矩形。斜切去周长边缘的拐角。像素电极191的上边交叠邻近像素电极191的上栅极线121，同时像素电极191的下边与邻近像素电极191的下栅极线121相分开。下栅极线121通过TFT电连接到像素电极。像素电极191的左边和右边(例如，纵边)与邻近像素电极191的数据线171相分开。像素电极191斜切掉的边缘具有大约45度角。
每个像素电极191具有将像素电极191分成多个分隔部分的中心切口91、多个下切口92a、93a、94a和95a以及多个上切口92b、93b、94b和95b。切口91-95b关于存储电极线131基本具有反对称性。
下切口和上切口92a-95b分别设置在可以由存储电极线131分开的像素电极191的下半部和上半部。以相对于栅极线121为45度角设置下切口和上切口92a-95b。下切口92a-95a基本垂直于上切口92b-95b延伸。
下切口和上切口92a和92b从像素电极191的左边近似倾斜延伸至存储电极137的中间。尽管切口92a和92b彼此接近，但其不会相互接触。
下切口和上切口93a和93b从像素电极191的左边近似倾斜延伸至存储电极137的边缘，以及延伸至像素电极191的右边而不与右边相接触。
下切口和上切口94a和94b从像素电极191的右边近似倾斜延伸至像素电极191的左角而不与左角相接触。
下切口和上切口95a和95b从像素电极191的右边分别近似倾斜延伸至像素电极191的下边和上边，而没有与下边和上边相接触。
中心切口91沿着存储电极线131延伸并具有从像素电极191左边进入的入口，中心切口具有一对基本分别平行于下切口92a-95a和上切口92b-95b的倾斜边缘。
因此，像素电极191的下半部被下切口92a-95a分成5个下分隔部，而且像素电极191的上半部被上切口92b-95b分成5个上分隔部。
鉴于这些分隔部，由切口91-95b所分开的分隔部通过图1中虚线圈所包围的且参考标记为A的互连部分彼此相连。多个互连部分设置在不透明元件，如存储电极137和栅极线121上或其附近。未与互连部分相连的分隔部的锐角顶部是倾斜的。
分隔部的数量或切口的数量根据设计因素，如像素的尺寸、像素电极191的横边与纵边的比例、液晶层3的类型和特性等予以变化。
遮蔽电极88被施加以公共电压并包括沿数据线171延伸的纵向部分以及沿栅极线127延伸的横向部分。纵向部分完全覆盖数据线171使得遮蔽电极88阻挡数据线171和像素电极191之间以及数据线171和公共电极270之间的电场。上述遮蔽电极88可减少像素电极191的电压畸变以及数据线171传送的数据电压的信号延迟。另外，遮蔽电极88中与邻近纵向部分相连接的横向部分交叠栅极线121的上边缘。上述遮蔽电极88能够减少栅极线121和通过TFT电连接到栅极线121的像素电极191之间的寄生电容，进而减少闪烁和残影。
遮蔽电极88与像素电极191相分开以基本防止遮蔽电极88和像素电极191之间的短路。可增加像素电极191和数据线171之间的距离以减少其间的寄生电容。
没有像素电极191分隔部分之间的互连邻近遮蔽电极88的纵向部分。这个构造能够减少遮蔽电极88和像素电极191之间的短路的可能性。
当遮蔽电极88和像素电极191之间的距离增加时，孔径比减少。优选地根据孔径比和短路的可能性确定遮蔽电极88和像素电极191之间的距离。遮蔽电极88和像素电极191之间用以基本防止短路的距离，优选地大于形成遮蔽电极88的光刻步骤中所用曝光器的分辨率以及引起短路的微粒的可修复尺寸。术语“可修复”意指微粒可被检测到以及被可用的修复装备修复。例如，所述距离可以等于和大于约6微米或7微米。
对于运用激光切割等修复短路，优选地是没有导电元件跨越遮蔽电极88和像素电极191之间的区域。
接触辅助81和82分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部129以及数据线171的端部179。接触辅助81和82保护端部129和179并增强端部129和179与外部设备之间的粘接。
公共电极板200的描述遵循参照图2-5。
称作黑色矩阵的用于防止光泄漏的阻光元件220，形成在诸如透明玻璃或塑料的绝缘基板210上。阻光元件220包括多个面对TFT阵列板100上数据线171的直线部分和多个面对TFT阵列板100上TFT的加宽部分。直线部分具有小于数据线171的宽度以便增加孔径比。可选地，阻光元件220可具有多个面对像素电极191的开口，阻光元件220具有与像素电极191相同的平面形状。另外，阻光元件220可以覆盖像素电极191下边缘处的互联。
在基板210上也形成多个彩色滤光片230，其基本设置在阻光元件220之间的区域内。彩色滤光片230基本按照沿像素电极191的纵向延伸。彩色滤光片230可以呈现三原色，如红、绿或蓝色中的一种颜色。
外涂层250形成在彩色滤光片230的表面上以及面对TFT阵列板100的阻光元件220上。外涂层250优选由(有机)绝缘体构成并基本上可以防止暴露彩色滤光片230且可以提供平坦的表面。外涂层250可以被省略。
公共电极270形成在外涂层250面对TFT阵列板100的表面上。公共电极270优选由透明导电材料，如ITO和IZO构成并具有多组切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a和75b。
切口71-75b组面对像素电极191并包括中心切口71和72、下切口73a、74a和75a、上切口73b、74b和75b。每个切口71-75b设置在像素电极191的相邻切口91-95b之间或者切口95a或95b与像素电极191的斜切边缘之间。另外，每个切口71-75b具有至少一个基本平行于像素电极191的下切口93a-95a或上切口93b-95b延伸的倾斜部分。每个切口72-74b的倾斜部分具有凹陷的槽口7。切口71-75b关于存储电极线131基本具有反对称性。
每个下切口和上切口73a-75b包括倾斜部分、横向部分和纵向部分或倾斜部分以及一对纵向部分。倾斜部分近似从像素电极191的左边、左角、下边或上边延伸至近似像素电极191的右边。横向部分和纵向部分从倾斜部分的各个端部沿像素电极191的边缘延伸，其交叠像素电极191的边缘并与倾斜部分成钝角。
每个中心切口71和72包括中心横向部分、一对倾斜部分和一对终端纵向部分。中心横向部分近似从像素电极191的中间或右边沿着存储电极线131延伸。倾斜部分从中心横向部分的末端近似延伸至像素电极的左边，并与中心横向部分成倾斜角。终端纵向部分从各个倾斜部分的末端沿着像素电极191的左边延伸，交叠像素电极191的左边并与各个倾斜部分成钝角。
切口71-75b的数量根据设计因素也可以变化。阻光元件220可交叠切口71-75b以阻挡光从切口71-75b泄漏。
可以是同向(homeotropic)的取向层11和21涂覆在面板100和200的内表面上，而偏振片12和22设置在面板100和200的外表面上，具有交叉偏振轴，其中一个偏振轴可以平行于栅极线121。当LCD为反射式LCD时，可以省略偏振片12和22中的一个。
LCD还可包括至少一个用于补偿LC层3的延迟的延迟膜(未示出)。LCD还可包括通过偏振片12和22、延迟膜和面板100和200为LC层3提供光的背光单元(未示出)。
LC层3优选地具有负介电各向异性并被垂直取向，其中将LC层3中的LC分子31排列使得在缺少电场的情况下其长轴基本垂直于面板100和200的表面。因此，入射光不能穿过交叉的偏振系统12和22。
当对公共电极270施加公共电压以及对像素电极191施加数据电压时，产生基本垂直于面板100和200表面的电场。以下，将像素电极191和公共电极270常规地称为“场产生电极”。LC分子31倾向于根据电场改变其取向以便其长轴垂直于场方向。
场产生电极191和270的切口91-95b和71-75b的边缘与像素电极191的边缘扭曲了电场，以便具有基本垂直于切口91-95b和71-75b的边缘与像素电极191的边缘的水平分量。
参照图3，一组切口71-75b和91-95b将像素电极191分成多个子区域。每个子区域具有与像素电极191周围边缘成斜角的两个主边。因此，电场在每个子区域上的主要水平分量垂直于子区域的主边。由于子区域上的大多数LC分子31在垂直于主边的平面上倾斜，故倾斜方向的方位角分布处于四个方向，进而增加了LCD的参考视角。
由参考标号A所标示的互连可产生倾斜于主要水平分量的水平分量，进而引起纹理并延长LC分子31的响应时间。互连交叠倾斜元件，如存储电极137、栅极线121以及任意的阻光元件220，并因此倾斜元件可覆盖纹理。另外，在参考标号B(参照图1)所标示的接近遮蔽电极88纵向部分的区域内没有互连部分，因此在这些区域内没有异常的水平分量。
切口71-75b的纵向部分和横向部分的每个都具有两个边缘E1和E2，一个边缘E1设置在像素电极191上而另一边缘E2设置在像素电极191的外部。此外，像素电极191的边缘E3设置在切口71-75b的边缘E1和E2之间。由边缘E1产生的电场的水平分量(称作“第一分量”)与相应子区域上的主要水平分量成锐角并与边缘E3产生的水平分量(称作“第二分量”)反平行，该水平分量与主要分量成钝角。
第二分量是由例如，像素电极191和公共电极270之间的电压差、像素电极191和遮蔽电极88之间的电压差和/或像素电极191和邻近的数据线171之间的电压差而产生的。像素电极191和公共电极270之间的电压差和像素电极191和遮蔽电极88之间的电压差可使得第二分量与第一分量反平行。
由于数据线171输送的数据电压根据公共电压周期性地反置其极性，故像素电极191和数据线171之间的电压差周期变化。当像素电极191的电压极性与数据线171的数据电压极性相反时，第二分量与第一分量反平行并且较强。因此，如果没有遮蔽电极，边缘E1优选地远离边缘E3设置使得子区域上的LC分子31可以受到第二分量减少的作用。由于遮蔽电极88和厚有机钝化层180能够减少像素电极191和邻近数据线171之间的干扰，故相比于没有遮蔽电极的情况，能够减少边缘E1和E3之间的距离D1。
可以根据TFT阵列板100和公共电极板200之间的对准容度而确定边缘E1和E3之间的距离D1。例如，距离D1可小于约10微米，并优选地等于约5-7微米。边缘E2和E3之间的距离D2也可以等于大约5-7微米，并且切口71-75b的纵向宽度或距离D1和D2的总和优选地等于或小于大约11-13微米。
公共电极270的切口71-75b中的槽口7确定切口71-75b上LC分子31的倾斜方向，并且其可设置在像素电极191的切口91-95b内。
可以修改切口71-75b和91-95b以及槽口7的形状和设置。
切口71-75b和91-95b中至少一个可以由凸起(未示出)或凹陷(未示出)来替换。凸起优选由有机或无机材料制成并设置在场产生电极191或270上或者其下方。
由于在遮蔽电极88和公共电极270之间基本不存在电场，故遮蔽电极88上的LC分子31保持初始取向并因此阻挡入射在其上的光。因此，遮蔽电极88可用作阻光元件。
参照图6、7和8详细描述根据本发明实施例的LCD。
图6为根据本发明另一实施例的LCD的布局图，图7为图6中所示LCD沿VII-VII线截取的截面图，以及图8为图6中所示LCD部分的放大图。
参照图6和7，LCD包括TFT阵列板100、公共电极板200、插入在面板100和200之间的LC层3以及安装在面板100和200外表面上的一对偏振片12和22。
面板100和200的层结构与图1-5中所示的相同。
至于TFT阵列板100，在基板110上形成多个包含栅极124和端部129的栅极线121以及多个包含存储电极137的存储电极线131，并在其上顺序形成栅极绝缘层140、多个半导体154和多个欧姆接触163和165。在欧姆接触层163和165上形成多个包含源极173和端部179的数据线171以及多个包括延伸部分177的漏极175。在数据线171和漏极175上形成钝化层180。穿过钝化层180设置多个接触孔181、182和185。接触孔181进一步设置得穿过栅极绝缘层140。包含多个由切口91-95b分开的分隔部分的多个像素电极191、具有多个孔881的遮蔽电极88以及多个接触辅助81和82形成在钝化层180上，并在其上涂覆取向层11。
至于公共电极板200，在面对TFT阵列板100的绝缘基板210上形成阻光元件220、多个彩色滤光片230、外涂层250、具有多个切口71-75b的公共电极270以及取向层21。
与图1-5中所示的LCD不同的，每个像素电极191的分隔部分由图6中参考标号C所标示的互连连接，其远离像素电极191边缘而设置。优选地最小化互连的数量以减少每个子区域上电场的扭曲。
另外，每个切口71-75b的纵向部分中交叠像素电极191的边缘E1倾斜于像素电极191的纵向边缘，如示出了图6中部分D的放大图的图8所示。边缘E1与连接到纵向部分的切口71-75b的倾斜部分呈大于约135度的角。这种设置使得每个子区域上电场的水平分量接近主要水平分量。
此外，根据本发明实施例的TFT阵列板100的半导体154和欧姆接触163沿着数据线171延伸而形成半导体岛151和欧姆接触岛161。另外，半导体154具有与数据线171和漏极175以及下面的欧姆接触163和165基本相同的平面形状。半导体154包括一些未覆盖有数据线171和漏极175的暴露部分，如位于源极173和漏极175之间的部分。
根据本发明实施例的TFT阵列板的制造方法利用一个光刻步骤同时形成数据线171和漏极175、半导体岛151及欧姆接触161和165。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂掩模图案具有与位置相关的厚度，并且特别地，其具有第一部分和厚度减少的第二部分。第一部分位于将由数据线171、漏极175和金属片172所占据的布线区域上，而第二部分位于TFT的沟道区域上。
可通过几种技术，如通过在曝光掩模上设置半透明区域以及透明区域和阻光的不透明区域来获得位置相关的光致抗蚀剂的厚度。半透明区域可以带有具有中间透射率或中间厚度的狭缝图案、网格图案或(多个)薄膜。当使用狭缝图案时，狭缝的宽度或狭缝之间的距离优选地小于光刻中所用曝光器的分辨率。另一实例是使用可回流的光致抗蚀剂。详细地，一旦通过使用具有透明区域和不透明区域的曝光掩模形成由可回流材料制成的光致抗蚀剂图案，则对其进行回流工序以流入没有光致抗蚀剂的区域，进而形成薄的部分。
因此，通过省略光刻步骤能够简化制造工序。
图1-5中所示LCD的上述特征许多可适用于图6-8中所示的LCD。
参照图9-10详细描述根据本发明实施例的LCD。
图9和10为根据本发明实施例的LCD的布局图。
图9和10中所示的LCD具有与图4和5中所示基本相同的截面图。
参照图9和10以及4和5，根据本发明实施例的LCD包括TFT阵列板100、公共电极板200、插入在面板100和200之间的LC层3以及安装在面板100和200外表面上的一对偏振片12和22。
面板100和200的层结构与图1-5中所示的基本相同。
至于TFT阵列板，在基板110上形成多个包含栅极124和端部129的栅极线121以及多个包含存储电极137的存储电极线131。在其上顺序形成栅极绝缘层140、多个半导体岛154和多个欧姆接触163和165。在欧姆接触163和165以及栅极绝缘层140上形成多个包含源极173和端部179的数据线171以及多个包括延伸部分177的漏极175，并在其上形成钝化层180。穿过钝化层180设置多个接触孔181、182和185。接触孔181进一步设置得穿过栅极绝缘层140。包含多个由切口91-95b分开的分隔部分的多个像素电极191、具有多个孔181、182和185的遮蔽电极88以及多个接触辅助81和82形成在钝化层180上，并在其上涂覆取向层11。
至于公共电极板200，在面对TFT阵列板100的绝缘基板210上形成阻光元件220、多个彩色滤光片230、外涂层250、具有多个切口71-75b的公共电极270以及取向层21。
与图1-5中所示LCD不同的，每个漏极175沿着切口71-75b和91-95b延伸以增加孔径比。由于在两面板100和200之间的不对准的可能性大于面板100中涂层不对准的可能性，故图10中所示的LCD可以具有大于图9中LCD的孔径比。在图10中所示的LCD中，增加有机钝化层180的厚度能够减少漏极175与切口92a-95b对准所引起的主要水平电场。
上述图1-5中所示LCD的许多特征适用于图9和10中所示的LCD。
尽管以上已经详细描述了本发明的优选实施例，但应当理解在此教导的本领域技术人员所清楚的本发明概念的一些变化和/或修改落入本发明的精神和范围内。
本申请要求申请号为No.10-2004-0074593于2004年9月17日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请的优先权。

Claims (20)

1.一种液晶显示板，包括：
基板；和
设置在基板上的像素电极，所述像素电极具有多个以一个或多个斜角延伸至像素电极边缘的切口，
其中该切口将像素电极分成多个分隔部分，其中相邻的分隔部分通过多个互连部分中相应的一个相互连接，并且多个互连部分与像素电极的周围边缘相分开。
2.如权利要求1所述的液晶显示板，还包括：
薄膜晶体管，连接到所述像素电极；
栅极线，连接到所述薄膜晶体管；和
数据线，连接到所述薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的液晶显示板，还包括：
绝缘层，设置在所述薄膜晶体管、栅极线和数据线上并设置在像素电极下面；以及
遮蔽电极，设置在绝缘层上，交叠数据线并与像素电极相分隔。
4.如权利要求3所述的液晶显示板，其中所述绝缘层包括有机材料。
5.一种液晶显示板，包括：
基板；
不透明元件，设置在基板上；以及
像素电极，设置在基板上，与该不透明元件绝缘，交叠不透明元件并具有以斜角延伸至像素电极边缘的切口，
其中该切口将像素电极分成多个分隔部分，其中该多个分隔部分通过互连相互连接，并且互连基本设置在接近该不透明元件的像素电极周围边缘上。
6.如权利要求5所述的液晶显示板，还包括：
薄膜晶体管，包含连接到像素电极的漏极；
栅极线，连接到薄膜晶体管；以及
数据线，连接到薄膜晶体管。
7.如权利要求6所述的液晶显示板，其中所述不透明元件包括部分栅极线和/或部分漏极中的至少一个。
8.如权利要求6所述的液晶显示板，其中所述不透明元件是交叠漏极的存储电极。
9.如权利要求6所述的液晶显示板，还包括：
绝缘层，设置在不透明元件和数据线上以及像素电极下方；和
遮蔽电极，设置在所述绝缘层上，交叠数据线并与像素电极相分开。
10.如权利要求9所述的液晶显示板，其中所述绝缘层包括有机材料。
11.一种液晶显示板，包括：
基板；
薄膜晶体管，设置在所述基板上；
栅极线，连接到所述薄膜晶体管；
数据线，连接到所述薄膜晶体管；
绝缘层，设置在所述薄膜晶体管、栅极线和数据线上；
像素电极，设置在所述绝缘层上并连接到所述薄膜晶体管；以及
遮蔽电极，设置在绝缘层上，交叠数据线并与像素电极分开等于或大于7微米的距离。
12.如权利要求11所述的液晶显示板，其中所述绝缘层包括有机材料。
13.如权利要求11所述的液晶显示板，
其中所述像素电极包括多个与像素电极边缘成斜角延伸的第一切口，该液晶显示板还可包括：
第二基板，面对所述第一基板；以及
公共电极，设置在第二基板上并具有多个交替布置在第一切口之间的第二切口，
其中至少一个第二切口具有基本平行于第一切口的第一部分以及与第一部分相连并与第一部分成斜角的第二部分，第二部分具有交叠像素电极的第一边缘以及相对于像素电极周围边缘与第一边缘相对设置的第二边缘，并且第二部分的第一边缘与像素电极周围边缘之间的距离为从大约5微米至大约7微米。
14.一种液晶显示器包括：
第一基板；
设置在所述第一基板上的像素电极，所述像素电极具有以斜角延伸至像素电极周围边缘的第一切口；
与所述第一基板相对的第二基板；
公共电极，设置在所述第二基板上并具有邻近第一切口设置的第二切口：
不透明元件，设置在第一或第二基板之一上；以及
液晶层，设置在像素电极和公共电极之间，
其中所述第一切口将像素电极分成多个分隔部分，多个分隔部分通过互连相互连接，并且互连与像素电极的周围边缘相分开或设置在不透明元件之上或其下方。
15.如权利要求14所述的液晶显示器，还可包括：
薄膜晶体管，包括连接到像素电极的漏极；
栅极线，连接到所述薄膜晶体管；
数据线，连接到所述薄膜晶体管；以及
存储电极，交叠漏极。
16.如权利要求15所述的液晶显示器，其中所述不透明元件包括部分栅极线、部分漏极和部分存储电极中的至少一个。
17.如权利要求15所述的液晶显示器，其中所述不透明元件包括设置在像素电极周围的阻光元件。
18.如权利要求15所述的液晶显示器，还包括：
绝缘层，设置在薄膜晶体管、栅极线、数据线和存储电极上且设置在像素电极下方；以及
遮蔽电极，设置在绝缘层上，交叠数据线并与像素电极相分开。
19.如权利要求15所述的液晶显示器，其中所述漏极沿着第一或第二切口之一延伸。
20.如权利要求15所述的液晶显示器，其中所述第二切口具有基本平行于第一切口的第一部分和连接到第一部分并与第一部分成大于约135度斜角的第二部分，第二部分具有交叠像素电极的第一边缘以及相对于像素电极边缘与第一边缘相对的第二边缘。
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