TWI447494B - 液晶顯示器及其面板 - Google Patents

液晶顯示器及其面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI447494B
TWI447494B TW094132187A TW94132187A TWI447494B TW I447494 B TWI447494 B TW I447494B TW 094132187 A TW094132187 A TW 094132187A TW 94132187 A TW94132187 A TW 94132187A TW I447494 B TWI447494 B TW I447494B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
pixel electrode
liquid crystal
crystal display
slits
Prior art date
Application number
TW094132187A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200624965A (en
Inventor
Sahng-Ik Jun
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW200624965A publication Critical patent/TW200624965A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI447494B publication Critical patent/TWI447494B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336—Matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

液晶顯示器及其面板
本發明係關於一種液晶顯示器及其面板。
液晶顯示器(LCD)為最廣泛使用的平板顯示器之一。一LCD包括具備諸如像素電極及共同電極之場產生電極的兩個面板，及一插入該等兩個面板間之液晶(LC)層。LCD藉由施加電壓至場產生電極以在LC層中產生一電場來顯示影像，該電場控制LC層中LC分子之定向以調節入射光之偏振。
LCD進一步包括複數個連接至像素電極之開關元件及複數個用於控制該等開關元件以施加電壓至像素電極之訊號線，諸如閘極線及資料線。
在不同類型LCD中，垂直對準(VA)模式LCD可達成高的對比率及寬的參考視角，其對準(例如傾斜)LC分子使得不存在電場時LC分子之長軸正交於面板。
VA模式LCD之參考視角取決於場產生電極中之切口及場產生電極上之突起之排列。切口及突起可確定LC分子之傾斜。參考視角可藉由過當排列切口及突起以變化LC分子之傾斜而得以拓寬。
產生於資料線與像素電極間及產生於資料線與共同電極間之電場可干擾安置於像素電極邊緣附近之LC分子的傾斜，藉此增加LC層之回應時間。
另外，像素電極可由其他導體短路。
因此，需要將液晶顯示器之電路布局設計成大體防止短路且在發生短路的情況下易於消除短路。
根據本發明之一實施例之液晶顯示器面板包括：一基板；及一像素電極，其安置於該基板上，該像素電極具有以一或多個傾斜角延伸至像素電極之周邊的複數個切口，其中該等切口將像素電極劃分成複數個分割區，其中該等分割區係藉由複數個互連件中一個別互連件而彼此連接，且該等複數個互連件與像素電極之周邊間隔開。
液晶顯示器面板可進一步包括：一薄膜電晶體，其耦接至該像素電極；一閘極線，其耦接至該薄膜電晶體；及一資料線，其耦接該至該薄膜電晶體。
該液晶顯示器面板可進一步包括：一絕緣層，其安置於該薄膜電晶體、該閘極線及該資料線上且安置於該像素電極下；及一屏蔽電極，其安置於該絕緣層上、與該資料線重疊且與該像素電極間隔開。該絕緣層包含一有機材料。
根據本發明之一實施例之液晶顯示器面板包括：一基板；一不透明構件，其安置於該基板上；及一像素電極，其安置於該基板上、與該不透明構件絕緣、與該不透明構件重疊並具有一以一傾斜角延伸至該像素電極周邊之切口，其中該等切口將像素電極劃分成複數個分割區，該等複數個分割區係藉由一互連件而彼此連接，且該互連件大體安置於該像素電極之周邊上並緊鄰該不透明構件。
該液晶顯示器面板可進一步包括：一薄膜電晶體，其包括一耦接至該像素電極之汲電極、一閘極線，其耦接至該薄膜電晶體；及一資料線，其耦接至該薄膜電晶體。
該不透明構件可包括：閘極線之一部分及/或汲電極之一部分中之至少一者或一與汲電極重疊之儲存電極。
該液晶顯示器面板可進一步包括：一絕緣層，其安置於不透明構件及資料線上且安置於像素電極下；及一屏蔽電極，其安置於絕緣層上、與資料線重疊且與像素電極間隔開。該絕緣層可包括一有機材料。
根據本發明之另一實施例之液晶顯示器面板包括：一基板；一薄膜電晶體，其安置於該基板上；一閘極線，其耦接至該薄膜電晶體；一資料線，其耦接至該薄膜電晶體；一絕緣層，其安置於該薄膜電晶體、該閘極線及該資料線上；一像素電極，其安置於該絕緣層上並耦接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其安置於該絕緣層上、與該資料線重疊且以等於或大於約7微米之距離與該像素電極間隔開。
該絕緣層可包括有機材料。
該像素電極可具有複數個切口。
該像素電極可包括複數個傾斜於像素電極之邊緣而延伸之第一切口，且液晶顯示器可進一步包含：一屏蔽電極，其安置於該絕緣層上、與資料線重疊且以等於或大於約7微米之距離與像素電極間隔開；一第二基板，其面向第一基板；及一共同電極，其安置於該第二基板上且具有複數個在該等第一切口間交替排列之第二切口，其中該等第二切口中之至少一切口具有一大體平行於該等第一切口的第一部分及一連接至該第一部分且與該第一部分成一鈍角的第二部分，該第二部分具有一與像素電極重疊之第一邊緣及一經安置以關於像素電極之周邊而與該第一邊緣相對之第二邊緣，且第二部分之第一邊緣與像素電極之周邊間的距離等於自約5微米至約7微米。
根據本發明之一實施例之液晶顯示器包括：一第一基板；一像素電極，其安置於該第一基板上，該像素電極具有一以傾斜角延伸至像素電極之周邊的第一切口；一第二基板，其面向該第一基板；一共同電極，其安置於該第二基板上且具有一排列成鄰近該第一切口之第二切口；一不透明構件，其安置於第一或第二基板中之一者上；及一液晶層，其安置於該像素電極與該共同電極之間，其中該第一切口將像素電極劃分成複數個分割區，該等複數個分割區係藉由一互連件而彼此連接，且該互連件與像素電極之周邊間隔開或安置於不透明構件之上或之下。
該液晶顯示器可進一步包括：一薄膜電晶體，其包括一耦接至像素電極之汲電極；一閘極線，其耦接至該薄膜電晶體；一資料線，其耦接至該薄膜電晶體；及一儲存電極，其與該汲電極重疊。
不透明構件可包括：閘極線之一部分、汲電極之一部分及儲存電極之一部分中之至少一者，或安置於像素電極周圍之光阻塞構件。
液晶顯示器面板可進一步包括：一絕緣層，其安置於該薄膜電晶體、該閘極線、該資料線及該儲存電極上且安置於該像素電極下；及一屏蔽電極，其安置於該絕緣層上、與資料線重疊且與該像素電極間隔開。
汲電極可沿第一或第二切口中之一切口延伸。
該第二切口可具有一大體平行於第一切口之第一部分及一連接至該第一部分且與該第一部分成一大於135度之鈍角的第二部分，且該第二部分具有一與像素電極重疊之第一邊緣及一經安置以關於像素電極之一邊緣而與該第一邊緣相對之第二邊緣。
下文中將參考附圖更全面地描述本發明，其中展示本發明之較佳實施例。然而，本發明可以許多不同形式體現且不應將其解釋為限於本文所陳述之實施例。全文中相同數字指示相同元件。
為清楚起見而誇示圖式中層及區域之厚度。全文中相同數字指示相同元件。應瞭解，當一諸如層、區域或基板之元件被稱作在另一元件之"上"時，其可直接在另一元件之上或亦可存在介入元件。相反，一元件被稱作"直接"在在另一元件之"上"時，不存在介入元件。
將參考圖1、圖2、圖3及圖4詳細描述根據本發明之一實施例的LCD。
圖1為根據本發明之一實施例之LCD之薄膜電晶體(TFT)陣列面板的布局圖，圖2為根據本發明之一實施例之LCD之共同電極面板的布局圖，圖3為包括圖1中所展示之TFT陣列面板及圖2中所展示之共同電極面板之LCD的布局圖，且圖4及圖5為分沿著線IV－IV及V－V剖開圖3中所展示之LCD所得之剖視圖。
參考圖4及圖5，一根據本發明之一實施例的LCD包括一TFT陣列面板100、一面向TFT陣列面板100之共同電極面板200，及一插入面板100與面板200間之液晶層3。
將參考圖1及圖3至圖5描述TFT陣列面板100。
複數個閘極線121及複數個儲存電極線131形成於諸如透明玻璃或塑料之絕緣基板110上。
閘極線121傳輸閘訊號且大體在基板上橫向延伸。每一該等閘極線121包括複數個向上突出之閘電極124及一具有一用以與另一層或外部驅動電路接觸之區域的末端部分129。一用於產生閘訊號之閘極驅動電路(未圖示)可安裝於可撓性印刷電路(FPC)薄膜(未圖示)上，該可撓性印刷電路(FPC)薄膜可耦接至基板110、直接安裝於基板110上或整合於基板110上。閘極線121可連接至一可整合於基板110上之驅動電路。
儲存電極線131經供應以一預定電壓且大體平行於閘極線121而延伸。每一該等儲存電極線131安置於兩個閘極線121之間且大體與該等兩個閘極線121等距。每一該等儲存電極線131包括複數個向上及/或向下延伸之儲存電極137。該等儲存電極線131可具有各種形狀及排列。
閘極線121及儲存電極線131較佳由諸如Al及Al合金之含鋁(Al)金屬、諸如Ag(銀)及Ag合金之含銀(Ag)之金屬、諸如Cu(銅)及Cu合金之含銅(Cu)金屬、諸如Mo(鉬)及Mo合金之含鉬(Mo)金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)來製成。閘極線121可具有一包括兩個具有不同物理特徵之導電薄膜(未圖示)的多層結構。兩個薄膜中之一薄膜較佳由包括一含Al金屬、一含Ag金屬或一含Cu金屬之低電阻率金屬來製成。此薄膜可減少訊號延遲或電壓降落。另一薄膜較佳由諸如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti之金屬製成。此薄膜具有與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之其他材料一致之理想的物理、化學及電接觸特徵。多層結構之實例包括一下部Cr薄膜及上部Al(合金)薄膜及一下部Al(合金)薄膜及一上部Mo(合金)薄膜。閘極線121及儲存電極線131可由各種金屬或導體製成。
閘極線121及儲存電極線131之側面相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角範圍為約30－80度。
一閘極絕緣層140(較佳由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製成)形成於閘極線121及儲存電極線131上。
複數個半導體島154(較佳由氫化非晶矽(縮寫為"a－Si")或多晶矽製成)形成於閘極絕緣層140上。每一該等半導體島154安置於閘電極124上及閘極線121上。安置於閘極線121上之半導體島154包括覆蓋閘極線121之邊緣的延伸部分。
複數個歐姆接觸島狀物對163及165形成於半導體島154上。該等歐姆接觸163及165較佳由以大量諸如磷之n型雜質摻雜之n＋氫化a－Si製成，或其由矽化物製成。
半導體島154及歐姆接觸163及165之側面相當於基板110之表面傾斜，且其傾斜角較佳在約30－80度的範圍內。
複數個資料線171及複數個汲電極175形成於歐姆接觸163及165以及閘極絕緣層140上。
資料線171傳輸資料訊號且大體縱向延伸以與閘極線121及儲存電極線131交叉。每一資料線171包括複數個向閘電極124突出且彎曲得如字元U一樣之源電極173，及一具有一用以與另一層或外部驅動電路接觸之區域的末端部分179。一用於產生資料訊號之資料驅動電路(未圖示)可安裝於FPC薄膜(未圖示)上，該FPC薄膜可耦接至基板110、直接安裝於基板110上或整合於基板110上。資料線171可延伸以連接至一可整合於基板110上之驅動電路。
汲電極175與資料線171分離，且經安置以關於閘電極124而與源電極173相對。每一該等汲電極175包括一寬闊部分177及一線性部分。該寬闊部分177與一儲存電極137重疊且該線性部分之一末端由一源電極173部分包圍。
閘電極124、源電極173及一汲電極175與一半導體島154一起形成一TFT，其具有一形成於安置於源電極173與汲電極175間之半導體島154中之電通道。
資料線171及汲電極175較佳由諸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金之耐熱金屬製成。資料線171及汲電極175可具有一包括一耐熱金屬薄膜(未圖示)及一低電阻率薄膜(未圖示)之多層結構。多層結構之實例為一包括一下部Cr/Mo(合金)薄膜及一上部Al(合金)薄膜之雙層結構，及一具有一下部Mo(合金)薄膜、一中間Al(合金)薄膜及一上部Mo(合金)薄膜之三層結構。資料線171及汲電極175可由各種金屬或導體製成。
資料線171及汲電極175具有傾斜邊緣輪廓，且其傾斜角範圍在約30－80度之間。
歐姆接觸163及165僅插入於其下方的半導體島154與其上方的導體171及175之間，且減少其間之接觸電阻。安置於閘極線121上之半導體島154之延伸部分使表面輪廓平滑，藉此大體防止資料線171的斷開。半導體島154包括曝露部分，其不由資料線171及汲電極175覆蓋，諸如位於源電極173與汲電極175間之部分。
一鈍化層180形成於資料線171、汲電極175，及半導體島154之曝露部分上。該鈍化層180較佳由諸如丙烯酸系樹脂之有機絕緣體製成，且可具有一平頂表面。該有機絕緣體可為感光性的且具有一小於約4.0之介電常數。鈍化層180可進一步包括一安置於有機絕緣體下之無機絕緣體，諸如氮化矽或氧化矽。此鈍化層180包括有機絕緣體之絕緣特徵，同時大體防止半導體島154之曝露部分由有機絕緣體損壞。鈍化層180可只包括無機絕緣體或可由彩色濾光片取代。
鈍化層180具有複數個分別曝露資料線171之末端部分179及汲電極175之寬闊部分177的接觸孔182及185。鈍化層180及閘極絕緣層140具有複數個曝露閘極線121之末端部分129的接觸孔181。
複數個像素電極191、一屏蔽電極88及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上。其較佳由諸如ITO或IZO之透明導體或諸如Ag、Al、Cr及其合金之反射導體來製成。
該等像素電極191經由接觸孔185物理地且電性地連接至汲電極175，使得該等像素電極191接收來自汲電極175之資料電壓。經供應以資料電壓之像素電極191與經供應以共同電壓之共同電極面板200之共同電極270合作產生電場，其控制安置於兩個電極191與270間之液晶層3之液晶分子31的定向。一像素電極191及該共同電極270形成一電容器，且更特定言之，形成一液晶電容器，TFT關閉後其儲存所施加之電壓。
像素電極191及連接至其之汲電極175之寬闊部分177與一包括儲存電極137的儲存電極線131重疊。像素電極191及連接至其之汲電極175以及儲存電極線131形成一額外電容器，且更特定言之，形成一儲存電容器，其增強液晶電容器之電壓儲存容量。
每一像素電極191大致為一矩形，其具有四個界定周長之邊緣，包括大體平行於閘極線121或資料線171之下、上、左及右邊緣。將周邊之角斜切。像素電極191之上邊緣與鄰近像素電極191之上部閘極線121重疊，而像素電極191之下邊緣與鄰近像素電極191之下部閘極線121間隔開。下部閘極線121經由一TFT電耦接至像素電極191。像素電極191之左及右(例如縱向的)邊緣與鄰近像素電極191之資料線171間隔開。像素電極191之斜切邊緣成一約45度之角。
每一像素電極191具有一中心切口91、複數個下部切口92a、93a、94a及95a，及複數個上部切口92b、93b、94b及95b，該等切口將像素電極191劃分成複數個分割區。該等切口91－95b大體具有橫跨儲存電極線131之反對稱性。
下部及上部切口92a－95b分別安置於像素電極之下及上半部分，其可由儲存電極線131來劃分。下部及上部切口92a－95b安置成與閘極線121成約45度角。下部切口92a－95a大體正交於上部切口92b－95b而延伸。
下部及上部切口92a及92b自像素電極191之左邊緣傾斜地延伸且大致至儲存電極137之中心。雖然切口92a及92b彼此接近，但是其彼此並不相遇。
下部及上部切口93a及93b自像素電極191之左邊緣傾斜地延伸且大致至儲存電極137之邊緣，且延伸至像素電極191之右邊緣而不與右邊緣相遇。
下部及上部切口94a及94b自像素電極191之右邊緣傾斜地延伸且大致至像素電極191之左角而不與左角相遇。
下部及上部切口95a及95b分別自像素電極191之右邊緣傾斜地延伸且大致至像素電極191之下部及上部邊緣，而不與下部及上部邊緣相遇。
中心切口91沿儲存電極線131延伸，且具有一自像素電極191之左邊緣的入口，其具有一對分別大體平行於下部切口92a－95a及上部切口92b－95b的傾斜邊緣。
因此，像素電極191之下半部分藉由下部切口92a－95a來分割成五個下部分割區，且像素電極191之上半部分藉由上部切口92b－95b來分割成五個上部分割區。
考慮到該等分割區，由切口91－95b劃分之分割區係藉由互連件而彼此連接，在圖1中該等互連件由虛線圈包圍並由參考數字A表示。複數個互連件安置於諸如儲存電極137及閘極線121之不透明構件之上或附近。將未連接至互連件之分割區的銳角頂點斜切。
分割區之數目或切口之數目取決於設計因素而變化，該等設計因素諸如像素之尺寸、像素電極191之橫向邊緣與縱向邊緣之比、液晶層3之類型及特徵等。
屏蔽電極88經供應以一共同電壓且包括沿資料線171延伸之縱向部分及沿閘極線127延伸之橫向部分。該等縱向部分完全覆蓋資料線171，使得屏蔽電極88阻塞資料線171與像素電極191間及資料線171與共同電極270間之電場。此屏蔽電極88可減少像素電極191之電壓的扭曲及由資料線171傳輸之資料電壓的訊號延遲。另外，連接相鄰縱向部分之屏蔽電極88之橫向部分與閘極線121之上部邊緣重疊。此屏蔽電極88可減少閘極線121與經由TFT電耦接至閘極線121之像素電極191間的寄生電容，因此減少閃爍和殘留影像。
屏蔽電極88與像素電極191間隔開以大體防止屏蔽電極88與像素電極191間之短路。像素電極191與資料線171間之距離可增大以減少其間之寄生電容。
像素電極191之分割區間無互連件鄰近屏蔽電極88之縱向部分。此組態減少屏蔽電極88與像素電極191間之短路的可能性。
孔徑比隨著屏蔽電極88與像素電極191間之距離的增大而減少。屏蔽電極88與像素電極191間之距離較佳考慮到孔徑比與短路之可能性兩者來確定。大體防止短路之屏蔽電極88與像素電極191間之距離較佳大於微影步驟中用以形成屏蔽電極88之曝光器的解析度及引起短路之粒子的可修復尺寸。術語"可修復的"意謂可藉由可利用之修復設備來偵測並修復離子。舉例而言，該距離可等於或大於約6微米或7微米。
對於借助於雷射切割等來修復短路而言，較佳無導電構件跨越屏蔽電極88與像素電極191間之區域。
接觸助件81及82分別經由接觸孔181及182連接至閘極線121之末端部分129及資料線171之末端部分179。接觸助件81及82保護末端部分129及179，且增強末端部分129及179與外部器件間的黏著力。
接著參考圖2－圖5描述共同電極面板200。
稱為黑色矩陣之用以防止光漏損的光阻塞構件220形成於諸如透明玻璃或塑料之絕緣基板210上。光阻塞構件220包括複數個面向TFT陣列面板100上之資料線171的直線部分及複數個面向TFT陣列面板100上之TFT的拓寬部分。直線部分具有一小於資料線171之寬度，使得孔徑比增大。或者，光阻塞構件220可具有複數個面向像素電極191之開口，光阻塞構件220具有與像素電極191大體相同之平面形狀。另外，光阻塞構件220可覆蓋像素電極191之下部邊緣處之互連件。
複數個彩色濾光片230亦形成於基板210上，且大體安置於光阻塞構件220間之區域。彩色濾光片230可大體沿像素電極191縱向延伸。彩色濾光片230可表示諸如紅色、綠色或藍色之原色之一。
外塗層250形成於彩色濾光片230及光阻塞構件220之面向TFT陣列面板100之表面上。外塗層250較佳由(有機)絕緣體製成且大體防止彩色濾光片230被曝露且提供一平坦表面。該外塗層250可省略。
共同電極270形成於外塗層250面向TFT陣列面板100之表面上。共同電極270較佳由諸如ITO及IZO之透明導電材料製成，且具有切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a及75b之複數個集合。
切口71－75b之集合面向像素電極191且包括中心切口71及72；下部切口73a、74a及75a；及上部切口73b、74b及75b。每一該等切口71－75b安置於像素電極191之相鄰切口91－95b間或切口95a或95b與像素電極191之斜切邊緣之間。另外，每一該等切口71－75b具有至少一大體平行於像素電極191之下部切口93a－95a或上部切口93b－95b而延伸的傾斜部分。每一該等切口72－74b之傾斜部分具有一凹陷凹口7。切口71－75b大體具有橫跨儲存電極線131之反對稱性。
每一該等下部及上部切口73a－75b包括一傾斜部分、一橫向部分及一縱向部分，或一傾斜部分及一對縱向部分。傾斜部分大致自像素電極191之左邊緣、左角、下部邊緣或上部邊緣延伸且大致至像素電極191之右邊緣。橫向及縱向部分自傾斜部分之個別末端沿像素電極191之邊緣延伸，與像素電極191之邊緣重疊且與傾斜部分成鈍角。
每一該等中心切口71及72包括一中心橫向部分、一對傾斜部分及一對終端縱向部分。中心橫向部分大致自像素電極191之中心或右邊緣沿著儲存電極線131而延伸。傾斜部分自中心橫向部分之一末端延伸且大致至像素電極之左邊緣，從而與中心橫向部分成一傾斜角。該終端縱向向部分自個別傾斜部分之末端沿像素電極191之左邊緣延伸，與像素電極191之左邊緣重疊，且與個別傾斜部分成鈍角。
切口71－75b之數目亦可取決於設計因素而變化。光阻塞構件220可與切口71－75b重疊以阻塞通過切口71－75b之光漏損。
可為垂直型(homeotropic)之對準層11及21塗覆於面板100及200之內表面上，且偏光器12及22提供於面板100及200的外表面上，從而具有交叉偏振軸，其中該等偏振軸中之一偏振軸可平行於閘極線121。LCD為一反射LCD時，偏光器12及22中之一偏光器可省略。
LCD可進一步包括至少一用以補償LC層3之延遲的延遲膜(未圖示)。LCD可進一步包括一經由偏光器12及22、延遲薄膜，及面板100及200供應光至LC層3的背光單元(未圖示)。
LC層3較佳具有負介電各向異性，且經受垂直對準，其中LC層3中之LC分子31經對準，使得不存在電場時其長軸大垂直於面板100及200之表面。因此，入射光不能穿過交叉偏振系統12及22。
一旦將共同電壓施加至共同電極270且將資料電壓施加至像素電極191，便產生一大體正交於面板100及200之表面的電場。下文中像素電極191及共同電極270共稱為"場產生電極"。LC分子31易於回應電場而改變其定向，使得其長軸正交於場方向。
場產生電極191及270之切口91－95b及71－75b之邊緣與像素電極191之邊緣扭曲該電場以具有一水平分量，該水平分量大體正交於切口91－95b及71－75b之邊緣及像素電極191之邊緣。
參考圖3，切口71－75b及91－95b之集合將像素電極191劃分成複數個子區域。每一子區域具有兩個與像素電極之周邊成一傾斜角之主要邊緣。因此，每一子區域上之電場之主要水平分量正交於子區域之主要邊緣。由於每一子區域上之多數LC分子31在一正交於主要邊緣之平面上傾斜，故傾斜方向之方位角分佈經定位成四個方向，由此增加LCD之參考視角。
由參考字元A表示之互連件可產生傾斜於主要水平分量之水平分量，因此產生紋理(texture)且延長LC分子31之回應時間。互連件與傾斜構件重疊，該等傾斜構件諸如儲存電極137、閘極線121及(視情況)光阻塞構件220，且因此該等紋理可由傾斜構件覆蓋。另外，在屏蔽電極88之縱向部分附近處，由參考字元B表示之區域中不存在互連件(見圖1)，且因此在此等區域中不存在異常水平分量。
該等切口71－75b之縱向部分及橫向部分之每一具有兩個長邊緣E1及E2，一邊緣E1安置於像素電極191上且另一邊緣E2安置於像素電極191外部。此外，像素電極191之邊緣E3安置於切口71－75b之邊緣E1與E2間。由邊緣E1產生之電場之水平分量(下文稱為"第一分量")與相關子區域上之主要水平分量成一銳角，且反平行於由邊緣E3產生之水平分量(下文稱為"第二分量")，其與主要分量成一鈍角。
第二分量係藉由例如像素電極191與共同電極270間之電壓差、像素電極191與屏蔽電極88間之電壓差，及/或像素電極191與鄰近其之資料線171間之電壓差來產生。像素電極191與共同電極270間之電壓差及像素電極191與屏蔽電極88間之電壓差可使得第二分量反平行於第一分量。
由於資料線171所承載之資料電壓週期性地使其極性相對於共同電極相反，故像素電極191與資料線171間之電壓差週期性地變化。像素電極191之電壓極性與資料線171之資料電壓極性相反時，第二分量反平行於第一分量且很強。因此，若不存在屏蔽電極，則邊緣E1較佳遠離邊緣E3而安置，使得子區域上之LC分子31可經受第二分量之減少的影響。由於屏蔽電極88及厚有機鈍化層180減少像素電極191與鄰近其之資料線171間之干擾，故與無屏蔽電極的情況相比，邊緣E1與E3間之距離D1可減小。
邊緣E1與E3間之距離可考慮到TFT陣列面板100與共同電極面板200間之對準範圍來確定。舉例而言，距離D1可小於約10微米，且較佳等於約5－7微米。邊緣E2與E3間之距離D2亦可等於約5－7微米，且切口71－75b之縱向寬度或距離D1與D2之和較佳等於或小於約11－13微米。
共同電極270之切口71－75b中之凹口7確定切口71－75b上之LC分子31之傾斜方向，且其可提供於像素電極191之切口91－95b處。
切口71－75b及91－95b及凹口7之形狀及排列可修改。
切口71－75b及91－95b中之至少一切口可由突起(未圖示)或凹陷(未圖示)取代。該等突起較佳由有機或無機材料製成，且安置於場產生電極191或270之上或下。
由於屏蔽電極88與共同電極270間不存在電場，故屏蔽電極88上之LC分子31保持其初始定向，因此阻塞入射於其上之光。因此，屏蔽電極88可作為一光阻塞構件。
將參考圖6、圖7及圖8詳細描述根據本發明之一實施例之LCD。
圖6為根據本發明之一實施例之LCD的布局圖；圖7為沿著線VII－VII'剖開圖6中所展示之LCD所得的剖視圖；及圖8為圖6中所展示之LCD之一部分的展開圖。
參考圖6及圖7，一LCD包括一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、一插入面板100與200間之LC層3，及一對附著在面板100及200外表面上之偏光器12及22。
面板100及200之分層結構大體與圖1－圖5中所展示之分層結構相同。
關於TFT陣列面板100，複數個包括閘電極124及末端部分129之閘極線121，及複數個包括儲存電極137之儲存電極線131形成於基板110上，且閘極絕緣層140、複數個半導體154及複數個歐姆接觸163及165順序地形成於其上。複數個包括源電極173及末端部分179之資料線171及複數個包括擴展部分177之汲電極175形成於歐姆接觸163及165上。鈍化層180形成於資料線171及汲電極175上。提供複數個接觸孔181、182及185使其穿過鈍化層180。進一步提供接觸孔181使其穿過閘極絕緣層140經。複數個包括複數個由切口91－95b劃分之分割區的像素電極191、具有複數個孔徑881的屏蔽電極88，及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上，且一對準層11塗覆於其上。
關於共同電極面板200，一光阻塞構件220、複數個彩色濾光片230、一外塗層250、一具有複數個切口71－75b之共同電極270，及一對準層21形成於一絕緣基板210上並面向TFT陣列面板100。
不同於圖1－圖5中所展示之LCD，每一該等像素電極191之分割區由圖6中參考字元C所表示之互連件來連接，該等互連件遠離像素電極191之邊緣而安置。互連件之數目較佳經最小化以減少每一子區域上之電場的扭曲。
另外，如圖8中所展示，每一切口71－75b之縱向部分(與像素電極191重疊)的邊緣E1相對於像素電極191的縱向邊緣傾斜，圖8說明圖6中所展示之部分D之展開圖。邊緣E1與連接至縱向部分之切口71－75b之傾斜部分成一大於約135度的角。此組態使得每一子區域上之電場的水平分量接近主要水平分量。
此外，根據本發明之一實施例之TFT陣列面板100之半導體154及歐姆接觸163沿資料線171延伸以形成半導體島151及歐姆接觸島狀物161。另外，半導體154具有與資料線171及汲電極175以及下方的歐姆接觸163及165大體相同的平面形狀。半導體154包括一些曝露部分，其不由資料線171及汲電極175覆蓋，諸如位於源電極173與汲電極175間之部分。
根據本發明之一實施例之TFT陣列面板的製造方法使用一光微影步驟同時形成資料線171及汲電極175、半導體島151，及歐姆接觸161及165。
用於光微影製程之光阻光罩圖案(photoresist masking pattern)具有視位置而定的厚度，且詳言之，其具有具備減少之厚度的第一及第二部分。該第一部分位於將由資料線171、汲電極175及金屬件172佔據之電線區域上，且該第二部分位於TFT之通道區域。
光阻材料之視位置而定的厚度由若干技術獲得，例如藉由提供半透明區域上之曝光光罩(exposure mask)，以及透明區域及光阻塞不透明區域上。半透明區域可具有一狹峰圖案、一晶格圖案或一(多)個具有中間透射率或中間厚度之薄膜。使用一狹峰圖案時，狹峰之寬度或狹峰間之距離較佳小於用於光微影之曝光器的解析度。另一實例為使用一可軟熔光阻材料。詳言之，一旦使用一具有透明區域及不透明區域之曝光光罩來形成由可軟熔材料製成之光阻圖案藉，其便經受一軟熔處理以流動至不具有光阻之區域，因此形成薄的部分。
結果藉由省略光微影步驟而簡化製造過程。
圖1－圖5中所展示之LCD的上述許多特徵可應用於圖6－圖8中所展示之LCD。
將參考圖9及圖10詳細描述根據本發明之一實施例的LCD。
圖9及圖10為根據本發明之一實施例之LCD的布局圖。
圖9及圖10中所展示之LCD大體具有圖4及圖5中展示之剖視圖。
參考圖9及圖10以及圖4及圖5，根據本發明之一實施例之LCD包括一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、一插入面板100與200間之LC層3，及一對附著在面板100及200外表面上之偏光器12及22。
面板100及200之分層結構大體與圖1－圖5中展示之分層結構相同。
關於TFT陣列面板100，複數個包括閘電極124及末端部分129之閘極線121，及複數個包括儲存電極137之儲存電極線131形成於基板110上。一閘極絕緣層140、複數個半導體島154及複數個歐姆接觸163及165順序地形成於其上。複數個包括源電極173及末端部分179之資料線171及複數個包括擴展部分177之汲電極175形成於歐姆接觸163及165及閘極絕緣層140上，且鈍化層180形成於其上。提供複數個接觸孔181、182及185使其穿過鈍化層180。進一步提供接觸孔181使其穿過閘極絕緣層140。複數個包括複數個由切口91－95b劃分之分割區的像素電極191、具有複數個孔徑181、182及185的屏蔽電極88，及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上，且一對準層11塗覆於其上。
關於共同電極面板200，一光阻塞構件220、複數個彩色濾光片230、一外塗層250、一具有複數個切口71－75b之共同電極270，及一對準層21形成於一絕緣基板210上且面向TFT陣列面板100。
不同於圖1－圖5中所展示之LCD，每一該等汲電極175沿切口71－75b及91－95b延伸以增大孔徑比。因為兩個面板100與200間之未對準的可能性大於面板100中之層之未對準的可能性，所以圖10中展示之LCD可具有一大於圖9中展示之LCD的孔徑比。在圖10中展示之LCD中，增加有機鈍化層180之厚度可減少由汲電極175與切口92a－95b之對準引起之主要水平場。
圖1－圖5中所展示之LCD的許多上述特徵可應用於圖9及圖10所展示之LCD。
雖然上文中已描述了本發明之較佳實施例，但是應清楚地瞭解，對於熟習此項技術者而言顯而易見之本文所教示之發明概念的許多變化及/或修改將屬於本發明之精神及範疇。
3．．．液晶層
7．．．凹口
11,21．．．對準層
12,22．．．偏光器
31．．．液晶分子
71－75b,91－95b．．．切口
81,82．．．接觸助件
100．．．TFT陣列面板
110．．．絕緣基板
121,129．．．閘極線
124．．．閘電極
131．．．儲存電極線
133e．．．儲存連接
137．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151,154．．．半導體
161,163,165．．．歐姆接觸
171,179．．．資料線
173．．．源電極
175．．．汲電極
180．．．鈍化層
181,182,185．．．接觸孔
191．．．像素電極
200．．．共同電極面板
210．．．絕緣基板
220．．．光阻塞構件
225．．．開口
230．．．彩色濾光片
250．．．外塗層
270．．．共同電極
圖1為根據本發明之一實施例之LCD之薄膜電晶體(TFT)陣列面板的布局圖；圖2為根據本發明之一實施例之LCD之共同電極面板的布局圖；圖3為包括圖1中所展示之TFT陣列面板及圖2中所展示之共同電極面板之LCD的布局圖；圖4及圖5為沿著線IV－IV及V－V剖開圖3中展示之LCD所得的剖視圖；圖6為根據本發明之另一實施例之LCD的布局圖；圖7為沿著線VII－VII'剖開圖6中所展示之LCD所得的剖視圖；圖8為圖6中所展示之LCD之一部分的展開圖；及圖9及圖10為根據本發明之其他實施例之LCD的布局圖。
81,82．．．接觸助件
88．．．屏蔽電極
91－95b．．．切口
121,129．．．閘極線
124．．．閘電極
131．．．儲存電極線
137．．．儲存電極
154．．．半導體
171,179．．．資料線
173．．．源電極
175．．．汲電極
177．．．寬闊部分、擴展部分
181,182,185．．．接觸孔
191．．．像素電極
A．．．參考數字
B．．．參考字元

Claims (16)

  1. 一種液晶顯示器面板，其包含：一基板；一薄膜電晶體，其安置於該基板上；一閘極線，其耦接至該薄膜電晶體；一資料線，其耦接至該薄膜電晶體；一像素電極，其安置於該基板上且耦接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其安置於該基板上，其中該屏蔽電極包含一沿該資料線延伸之縱向部份及一沿該閘極線延伸之橫向部份，且其中該縱向部份完全地覆蓋該資料線，且其中該橫向部份部份地覆蓋該閘極線且重疊於該閘極線之上邊緣。
  2. 如請求項1之液晶顯示器面板，其中該該像素電極具有複數個以一或多個斜角延伸至該像素電極之邊緣之切口。
  3. 如請求項2之液晶顯示器面板，其中該等切口將該像素電極劃分成複數個分割區，該等相鄰分割區係藉由一互連件而彼此連接，且該互連件係大體上安置於平行該閘極線之該像素電極周邊。
  4. 如請求項3之液晶顯示器面板，其中該等切口延伸至該像素電極之該邊緣，該像素電極之該邊緣係在平行該資料線之該像素電極周邊。
  5. 如請求項2之液晶顯示器面板，其中該等切口之該等末端部分相鄰該閘極線且該資料線延伸至該像素電極之該等邊緣。
  6. 如請求項1之液晶顯示器面板，其中該屏蔽電極包含與該像素電極相同之層。
  7. 如請求項1之液晶顯示器面板，其進一步包含：一重疊於該像素電極之儲存電極以形成一儲存電容。
  8. 如請求項1之液晶顯示器面板，其進一步包含：一絕緣層，其安置於該薄膜電晶體、該閘極線及該資料線上；其中該像素電極及該屏蔽電極係安置於該絕緣層上。
  9. 如請求項8之液晶顯示器面板，其中該絕緣層包含一有機材料。
  10. 一種液晶顯示器面板，其包含：一薄膜電晶體陣列面板，其包含一閘極線、一資料線、一像素電極，一包括一連接至該閘極線之一閘電極之薄膜電晶體、一連接至該資料線之源極電極、及一連接至該像素電極之汲極電極之薄膜電晶體，一與該像素電極絕緣之屏蔽電極，該屏蔽電極包含一沿該資料線延伸之縱向部份及一沿該閘極線延伸之橫向部份；一面對該薄膜電晶體陣列面板且包含一共同電極之共同電極面板，一液晶層，其安置於該薄膜電晶體陣列面板及該共同電極面板之間， 其中該屏蔽電極係以一等於或大於7微米之距離與該像素電極間隔開，且其中該縱向部份完全地覆蓋該資料線，且其中該橫向部份部份地覆蓋該閘極線且重疊於該閘極線之上邊緣。
  11. 如請求項10之液晶顯示器面板，其中該像素電極或該共同電極具有複數個以一或多個斜角延伸至該像素電極之邊緣之切口。
  12. 如請求項11之液晶顯示器面板，其中該共同電極之該等切口具有多個重疊於一平行該資料線之像素電極之一邊緣之末端部分，其中重疊於該像素電極之該等末端部分之多個邊緣及該像素電極之該邊緣之間之距離係5微米至8微米。
  13. 如請求項11之液晶顯示器面板，其中該共同電極之該等切口具有多個重疊於一平行該資料線之像素電極之一邊緣之末端部分，且其中重疊於該像素電極之該等末端部分之多個邊緣之邊緣非平行於該像素電極之該邊緣。
  14. 如請求項11之液晶顯示器面板，其中該共同電極之該等切口具有多個重疊於一平行該資料線之像素電極之一邊緣之末端部分，且其中重疊於該像素電極之該等末端部分之多個邊緣之邊緣與該等切口成一等於或小於45°之斜角。
  15. 如請求項11之液晶顯示器面板，其中該汲極電極重疊於 該等切口。
  16. 如請求項10之液晶顯示器面板，其中該共同電極及該屏蔽電極被提供同樣電壓。
TW094132187A 2004-09-17 2005-09-16 液晶顯示器及其面板 TWI447494B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040074593A KR101071257B1 (ko) 2004-09-17 2004-09-17 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200624965A TW200624965A (en) 2006-07-16
TWI447494B true TWI447494B (zh) 2014-08-01

Family

ID=36073553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094132187A TWI447494B (zh) 2004-09-17 2005-09-16 液晶顯示器及其面板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060061722A1 (zh)
JP (1) JP4826979B2 (zh)
KR (1) KR101071257B1 (zh)
CN (1) CN1758120A (zh)
TW (1) TWI447494B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189267B1 (ko) * 2004-12-03 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
KR101413275B1 (ko) 2007-01-29 2014-06-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20080071231A (ko) * 2007-01-30 2008-08-04 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI363240B (en) * 2008-03-31 2012-05-01 Au Optronics Corp Active array substrate, electrode substrate, and liquid crystal display panel
KR20100012080A (ko) * 2008-07-28 2010-02-05 삼성전자주식회사 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
DE102009047043A1 (de) * 2009-10-19 2011-04-21 Robert Bosch Gmbh Lötfreie elektrische Verbindung
KR101866946B1 (ko) 2010-11-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN102722058B (zh) * 2012-06-15 2015-02-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶阵列基板及其制造方法、修复方法
CN102798999B (zh) * 2012-08-08 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器
US20140049721A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Apple Inc. Displays with Shielding Layers
KR102134857B1 (ko) * 2013-12-17 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 곡면 표시 장치
KR102204058B1 (ko) * 2014-02-14 2021-01-19 삼성디스플레이 주식회사 곡면 표시 장치
KR102334140B1 (ko) * 2015-03-17 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105116621A (zh) * 2015-09-01 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制造方法
CN206096715U (zh) * 2016-10-24 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
TWI772113B (zh) * 2021-07-19 2022-07-21 友達光電股份有限公司 電路基板
CN115083362B (zh) * 2022-05-26 2024-06-28 长沙惠科光电有限公司 液晶像素电路及其驱动方法、阵列基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030025865A1 (en) * 1999-06-16 2003-02-06 Ken-Ichi Takatori Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US20040075798A1 (en) * 1999-07-09 2004-04-22 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display and method of fabricating the same
US20040169780A1 (en) * 2003-02-27 2004-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6335776B1 (en) * 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
KR100312753B1 (ko) * 1998-10-13 2002-04-06 윤종용 광시야각액정표시장치
DE19950366B9 (de) * 1998-10-19 2010-10-14 Lg Display Co., Ltd. Mehrbereichs-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
KR100635940B1 (ko) * 1999-10-29 2006-10-18 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치
KR100475110B1 (ko) * 2001-12-26 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100846464B1 (ko) * 2002-05-28 2008-07-17 삼성전자주식회사 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100905470B1 (ko) * 2002-11-20 2009-07-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100895312B1 (ko) * 2002-12-13 2009-05-07 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR100925463B1 (ko) * 2003-02-17 2009-11-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100929672B1 (ko) * 2003-03-13 2009-12-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 표시판의 제조 방법
JP2004325953A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP3912320B2 (ja) * 2003-05-02 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及び電子機器
TW594310B (en) * 2003-05-12 2004-06-21 Hannstar Display Corp Transflective LCD with single cell gap and the fabrication method thereof
KR20050036128A (ko) * 2003-10-15 2005-04-20 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030025865A1 (en) * 1999-06-16 2003-02-06 Ken-Ichi Takatori Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
US20040075798A1 (en) * 1999-07-09 2004-04-22 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display and method of fabricating the same
US20040169780A1 (en) * 2003-02-27 2004-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display

Also Published As

Publication number Publication date
TW200624965A (en) 2006-07-16
US20060061722A1 (en) 2006-03-23
JP2006085133A (ja) 2006-03-30
KR20060025783A (ko) 2006-03-22
CN1758120A (zh) 2006-04-12
JP4826979B2 (ja) 2011-11-30
KR101071257B1 (ko) 2011-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI447494B (zh) 液晶顯示器及其面板
US7483090B2 (en) Liquid crystal display having first and second subpixel electrodes connected to coupling electrode through respective contact holes and third subpixel electrode separated from the first two but capacitively coupled thereto
TWI383234B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及該薄膜電晶體陣列面板之製造方法
TWI382255B (zh) 液晶顯示器及其面板
TWI416733B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及具有此面板之液晶顯示器
EP1655632B1 (en) Thin film transistor array panel
KR101405339B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7956943B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7436479B2 (en) Thin film panel for preventing stitch defect
TWI390317B (zh) 液晶顯示器及其薄膜電晶體陣列面板
US7342633B2 (en) Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
KR20070003151A (ko) 저항을 감소시키는 공통전극을 포함하는 액정표시소자 및그 제조방법
US20070139572A1 (en) Thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof
US7474363B2 (en) Liquid crystal display and panel therefor
US8755014B2 (en) Liquid crystal display and a display panel therefor
US7705941B2 (en) Liquid crystal display
US20060131582A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
TW200407643A (en) Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same
US20050237461A1 (en) Liquid crystal display and panel therefor
US7538842B2 (en) Liquid crystal display panel with aligning members parallel to data lines that are either electrically floating or at substantially the same voltage as the data lines
US20060215098A1 (en) Liquid crystal display
KR101086121B1 (ko) 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2007011372A (ja) 液晶表示装置
KR20070031580A (ko) 액정 표시 장치
US20060092116A1 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees