TWI382255B - 液晶顯示器及其面板 - Google Patents

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Baek-Woon Lee
Keun-Kyu Song
Joon-Hak Oh
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Samsung Display Co Ltd
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Description

液晶顯示器及其面板
本發明係關於一種液晶顯示器及其面板。
液晶顯示器(LCD)為最廣泛使用的平板顯示器之一。LCD包括具有諸如像素電極及共同電極之場產生電極的兩個面板，及插入其間之一液晶(LC)層。LCD顯示器藉由將電壓施加至場產生電極以在LC層中產生一電場來顯示影像，其判定在LC層中LC分子之定向，以調節入射光之偏振。
在該等LCD中，垂直對準(VA)模式LCD因為其高對比率及寬參考視角而廣受歡迎，該VA模式LCD對準LC分子，使得LC分子之長軸在缺乏電場的情況下垂直於該等面板。
VA模式LCD之寬視角可藉由場產生電極中之切口及場產生電極上之突起來實現。因為該等切口及突起可確定LC分子之傾斜方向，所以該等傾斜方向分藉由使用該等切口及突起可布至若干方向中，使得參考視角被拓寬。
用於LCD之面板包括若干訊號線，諸如用於傳輸閘極訊號之閘極線及用於傳輸資料訊號之資料線。該等訊號線連同其他訊號線及場產生電極形成耦合電容，其連同自身電阻扭曲由資料線載運之訊號。
根據本發明之一實施例之薄膜電晶體陣列面板包括：一閘極線；一資料線，其與該閘極線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘極線及該資料線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其與該資料線電隔離、至少部分覆蓋該資料線且具有一曝露該資料線的小孔。
屏蔽電極與像素電極可安置於相同層。
薄膜電晶體陣列面板可進一步包括一鈍化層，其安置於閘極線、資料線及薄膜電晶體上，且屏蔽電極及像素電極可安置於該鈍化層上。該鈍化層可包括有機絕緣體。
薄膜電晶體陣列面板可進一步包括一儲存電極，其與像素電極重疊且經供以與屏蔽電極相同的電壓。
屏蔽電極可沿資料線或閘極線延伸。屏蔽電極可覆蓋資料線之邊緣且其可至少部分與閘極線重疊。
屏蔽電極可沿閘極線及資料線延伸。屏蔽電極可包括沿閘極線延伸且比閘極線窄之第一部分，及延資料線延伸且比資料線寬之第二部分。
像素電極可具有一切口，且可包括連接至薄膜電晶體之第一子像素電極及經電容性耦接至該第一子像素電極之第二子像素電極。
現在將在下文中參考附圖更全面地描述本發明，其中展示本發明之較佳實施例。然而，本發明可以許多不同形式體現，且不應將其解釋為僅限於本文所陳述之實施例。
在該等圖式中，為清晰起見誇示層、薄膜及區域之厚度。全文中相似數字表示相似元件。應理解，當諸如層、薄膜、區域或基板之元件表示為"在另一元件上"時，其可為直接在另一元件上或亦可存在介入元件。相反，當一元件表示為"直接在另一元件上"時，不存在介入元件存在。
將參考圖1－5詳細描述根據本發明之一實施例之LCD。
圖1為根據本發明之一實施例的LCD之薄膜電晶體(TFT)陣列面板的布局圖；圖2為根據本發明之一實施例的LCD之共同電極面板的布局圖；圖3為包括展示於圖1中之TFT陣列面板及展示於圖2中之共同電極面板的LCD之布局圖；且圖4及圖5為展示於圖3中之LCD分別沿線IV－IV'及V－V'取得之剖視圖。
根據本發明之一實施例之LCD包括：一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、及一插入面板100與200間之LC層3。
現在參考圖1及圖3－5詳細描述TFT陣列面板100。
複數個閘極線121及複數個儲存電極線131形成於諸如透明玻璃或塑料之絕緣基板110上。
閘極線121傳輸閘極訊號且大體在橫向方向中延伸。每一閘極線121包括：向上突出之複數個閘電極124，及具有用於與另一層或一外部驅動電路接觸之較大區域的末端部分129。一用於產生閘極訊號之閘極驅動電路(未圖示)可安裝於一可撓性印刷電路(FPC)薄膜(未圖示)上，該薄膜可附著至基板110，直接安裝於基板110上，或整合於基板110上。閘極線121可延伸以連接至可整合於該基板110上之驅動電路。
儲存電極131經供以一預定電壓，且大體平行於閘極線121延伸。儲存電極線131之每一者均安置於兩個鄰近的閘極線121之間，且其與兩閘極線121幾乎等距離。儲存電極線131之每一者包括向上及向下擴展之儲存電極137。然而，儲存電極線131可具有多種形狀及配置。
閘極線121及儲存電極線131較佳由諸如Al及Al合金之含Al金屬、諸如Ag及Ag合金之含Ag金屬、諸如Cu及Cu合金之含Cu金屬、諸如Mo及Mo合金之含Mo金屬、Cr、Ta或Ti來製造。然而，閘極線及儲存電極線可具有包括具有不同物理特性的兩個導電薄膜(未圖示)之多層結構。此兩個薄膜中之一者較佳由包括含Al金屬、含Ag金屬及含Cu金屬之低電阻率金屬製造，以減少訊號延遲或電壓降落。另一薄膜較佳由諸如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti之材料製造，該材料具有良好的物理、化學及與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之其他材料進行電接觸之特性。此兩個薄膜之組合的良好實例為一下部Cr薄膜及一上部Al(合金)薄膜；及一下部Al(合金)薄膜及一上部Mo(合金)薄膜。然而，閘極線121及儲存電極線131可由多種金屬或導體製造。
閘極線121及儲存電極線131之側面相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角在約30－80度之範圍內變化。
較佳由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)製造之閘極絕緣層140形成於閘極線121及儲存電極線131上。
較佳由氫化非晶矽(縮寫為"a－Si")或多晶矽製造之複數個半導體島154形成於閘極絕緣層140上。該等半導體島154安置於閘電極124上，且包括覆蓋閘極線121之邊緣的延伸部分。複數個其他半導體島(未圖示)可安置於儲存電極線131上。
複數個歐姆接觸島狀物163及165形成於半導體條紋154上。歐姆接觸163及165較佳由重摻雜有n型雜質(諸如磷)的n＋氫化a－Si製造，或其可由矽化物製造。歐姆接觸163及165成對定位於半導體島154上。
半導體島154及歐姆接觸163及165之側面相對於基板110之表面傾斜，且其傾斜角較佳在約30－80度之範圍內。
複數個資料線171及複數個汲電極175形成於歐姆接觸163及165及閘極絕緣層140上。
資料線171傳輸資料訊號，且大體在縱向方向中延伸以與閘極線121及儲存電極線131相交。每一資料線171包括朝向閘電極124突出的複數個源電極173，及具有用於與另一層或一外部驅動電路接觸之較大區域的末端部分179。一用於產生資料訊號之資料驅動電路(未圖示)可安裝於一FPC薄膜(未圖示)上，該薄膜可附著至基板110、直接安裝於基板110上、或整合於基板110上。資料線171可延伸以連接至可整合於基板110上之驅動電路。
汲電極175與資料線171分離，且經安置以關於閘電極124而與源電極173相對。每一汲電極175包括一寬末端部分177與一窄末端部分。該寬末端部分177與儲存電極線131之儲存電極137重疊，且該窄末端由如字符U一樣彎曲的源電極173部分包圍。
閘電極124、源電極173、及汲電極175連同半導體島154形成具有一通道之TFT，該通道形成於安置在源電極173與汲電極175間之半導體島154中。
資料線171及汲電極175較佳由諸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金之耐熱金屬製造。然而，資料線171及汲電極175可具有包括耐熱金屬薄膜(未圖示)及低電阻率薄膜(未圖示)之多層結構。該多層結構之良好實例為包括一下部Cr/Mo(合金)薄膜及一上部Al(合金)薄膜之雙層結構；及一下部Mo(合金)薄膜、一中間層Al(合金)薄膜及一上部Mo(合金)薄膜之三層結構。然而，資料線171及汲電極175可由多種金屬或導體製造。
資料線171及汲電極175具有傾斜邊輪廓，且其傾斜角在約30－80度之範圍內變化。
歐姆接觸163及165僅插入其下方之半導體島154與其上方之導體171及175之間，且減少其間的接觸電阻。安置於閘極線121之邊緣的半導體島154之延伸部分使表面輪廓平滑，以防止此處資料線171之斷開。半導體島154包括一些曝露部分，該等部分未由資料線171及汲電極175覆蓋，諸如位於源電極173與汲電極175間之部分。
鈍化層180形成於資料線171、汲電極175及半導體島154之曝露部分上。該鈍化層180較佳由無機或有機絕緣體製造，且其可具有平坦表面。無機絕緣體之實例包括氮化矽及氧化矽。有機絕緣體可具有感光性，且其較佳具有少於約4.0之介電常數。鈍化層180可包括無機絕緣體之下部薄膜及有機絕緣體之上部薄膜，使得其取得有機絕緣體之優良絕緣特性，同時防止半導體島154之曝露部分受到有機絕緣體之損壞。
鈍化層180具有複數個接觸孔182及185，其分別曝露資料線171之末端部分179及汲電極175之寬末端部分177。鈍化層180及閘極絕緣層140具有複數個接觸孔181，其曝露閘極線121的末端部分129。該等接觸孔181、182及185可具有傾斜或階梯式的側壁，其可易於藉由使用有機材料獲得。
複數個像素電極190、一屏蔽電極88及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上。其較佳由諸如ITO或IZO之透明導體或諸如Ag、Al、Cr或其合金之反射性導體製造。
像素電極190可經由接觸孔185物理地及電性地連接至汲電極175，使得像素電極190接收來自汲電極175之資料電壓。經供以資料電壓之像素電極190與經供以共同電壓之相對顯示器面板(未圖示)的共同電極(未圖示)合作來產生電場，其判定安置於兩電極間之液晶層(未圖示)的液晶分子(未圖示)之定向。像素電極190及共同電極形成稱作"液晶電容器"之電容器，其在TFT關閉後儲存所施加之電壓。
像素電極190與儲存電極線131之儲存電極137重疊。像素電極190及連接至其的汲電極175以及儲存電極線131之儲存電極137形成稱作"儲存電容器"的額外電容器，其增強液晶電容器之電壓儲存容量。
每一像素電極190近似為具有經斜切之角的矩形，且像素電極190的經斜切之邊緣與閘極線121形成約45度之角。像素電極190與閘極線121重疊以增加孔徑比。
每一像素電極190具有中心切口91及92；下部切口93a、94a及95a；及上部切口93b、94b及95b，該等切口將像素電極190分割成複數個分割區。該等切口91－95b大體具有關於儲存電極線131之反對稱性。
該等下部及上部切口93a－95b之每一者大致自像素電極190之左邊緣、左角、下部邊緣、或上部邊緣傾斜延伸大致至像素電極190的右邊緣。下部切口93a－95a及上部切口93b－95b分別安置於像素電極190之下半部與及半部，其可由儲存電極線131劃分。該等下部及上部切口93a－95b與閘極線121成約45度的角，且其大體互相垂直地延伸。
中心切口91沿儲存電極線131延伸，且在像素電極190之左邊緣具有一入口，該入口具有分別大體平行於下部切口93a－95a及上部切口93b－95b的一對傾斜的邊緣。中心切口92包括沿儲存電極線131延伸的短的橫向部分，及自該橫向部分朝向像素電極190的左邊緣傾斜延伸之一對傾斜部分。該等傾斜部分與閘極線121成約45度的角。
因此，像素電極190之下半部由下部切口93a－95a分割成若干下部分割區，且像素電極190的上半部亦由上部切口93b－95b分割成兩個上部分割區。分割區之數目及切口之數目可視諸如像素電極190之尺寸、像素電極190之橫向邊緣與縱向邊緣的比率、液晶層3之類型及特性等設計因素而變化。
屏蔽電極88經供以共同電壓，且其包括沿資料線171延伸之縱向部分及沿閘極線121延伸之橫向部分。
該等縱向部分完全覆蓋資料線171，且具有沿資料線171延伸之複數個小孔881。該等小孔881之每一者位於資料線171的邊界內，且其較佳具有與資料線171的縱向中心線重合之一縱向中心線。小孔881之每一者安置於兩個鄰近閘極線121之間。
橫向部分連接鄰近的縱向部分，且該等橫向部分之每一者位於閘極線121之邊界內。
縱向部分及橫向部分之寬度可改變。舉例而言，該等縱向部分之每一者位於資料線171的邊界內，同時橫向部分完全覆蓋閘極線121。
為了接收共同電壓，屏蔽電極88可經由穿透閘極絕緣層140及鈍化層180之接觸孔(未圖示)連接至儲存電極線131。另外，屏蔽電極88可連接至短路點(short point)(未圖示)，在該種情況下共同電壓自TFT陣列面板100傳輸至共同電極面板200。
屏蔽電極88阻斷資料線171與像素電極190之間及資料線171與共同電極270之間的電磁干擾，以減少像素電極190之電壓的扭曲，及由資料線171載運之資料電壓的訊號延遲。
此時，小孔881減少資料線171與屏蔽電極88間之寄生電容，藉此降低歸因於屏蔽電極88之資料電壓的訊號延遲。
此外，因為需要將像素電極190與屏蔽電極88間隔開以防止其間之短路，所以像素電極190變得更加遠離資料線171，使得其間之寄生電容減少。此外，因為LC層3的介電常數高於鈍化層180之介電常數，所以在無屏蔽電極88的情況下，較之資料線171與共同電極270間之寄生電容，資料線171與屏蔽電極88間之寄生電容減少。
此外，因為該等電極由相同層製造所以可均勻地保持像素電極190與屏蔽電極88間之距離，且因此其間之寄生電容可為均勻的。
接觸助件81及82分別經由接觸孔181及182連接至閘極線121的末端部分129及資料線171的末端部分179。接觸助件81及82保護末端部分129及179，且增強末端部分129及179與外部裝置間之黏著力。
參考圖2－5描述共同電極面板200。
稱為黑色矩陣之用於防止光漏損的光阻斷構件220形成於諸如透明玻璃或塑料的絕緣基板210上。該光阻斷構件220包括面向TFT陣列面板100上之資料線171之複數個直線部分，及面向TFT陣列面板100上之TFT之複數個拓寬部分。另外，光阻斷構件220可具有面向像素電極190的複數個開口，且其可具有大體與像素電極190相同之平面形狀。
複數個彩色濾光片230亦形成於基板210上，且其大體安置於由光阻斷構件220包圍之區域內。彩色濾光片230可大體沿像素電極190縱向延伸。彩色濾光片230可表示諸如紅色、綠色及藍色之原色中之一者。
外塗層250形成於彩色濾光片230及光阻斷構件220上。該外塗層250較佳由(有機)絕緣體製造，且其防止彩色濾光片230曝光並提供平坦表面。
共同電極270形成於外塗層250上。該共同電極270較佳由諸如ITO及IZO之透明導體材料製造，且具有複數組切口71、72、73a、73b、74a、74b、75a及75b。
一組切口71－75b面向像素電極190且包括：中心切口71及72；下部切口73a、74a及75a；及上部切口73b、74b及75b。該等切口71－75b之每一者安置於像素電極190的鄰近切口91－95b之間，或像素電極190的切口95a或95b與經斜切之邊緣之間。此外，該等切口71－75b之每一者具有至少一傾斜部分，其具有凹陷凹口且平行於像素電極190的下部切口93a－95a或上部切口93b－95b延伸。該等切口71－75b大體具有關於儲存電極線131之反對稱性。
下部及上部切口73a－75b之每一者包括一傾斜部分及一對橫向及縱向部分或一對縱向部分。該傾斜部分大致自像素電極190之左邊緣、左角、下部邊緣或上部邊緣延伸大致至像素電極190之右邊緣。橫向及縱向部分沿像素電極190的邊緣且自傾斜部分的個別末端延伸，從而與像素電極190之該等邊緣重疊且與傾斜部分成鈍角。
中心切口71及72之每一者包括：一中心橫向部分、一對傾斜部分及一對末端縱向部分。中心橫向部分沿儲存電極線131且大致自像素電極190之中心或右邊緣延伸。傾斜部分自中心橫向部分的一末端延伸大致至像素電極的左邊緣，且與中心橫向部分成斜角。末端縱向部分沿像素電極190之左邊緣且自個別傾斜部分的末端延伸，從而與像素電極190的左邊緣重疊，且與個別傾斜部分成鈍角。
切口71－75b之數目亦可視設計因素而改變，且光阻斷構件220可與切口71－75b重疊，以阻斷經由切口71－75b之光漏損。
可為垂直型(homeotropic)之對準層11及21塗覆於面板100及200的內表面上，且偏振器12及22提供於面板100與200之外表面上，使得其偏振軸線可交叉且該等偏振軸線中之一者可平行於閘極線121。當LCD為一反射LCD時可省略偏振器12及22中之一者。
LCD可進一步包括用於補償LC層3之延遲的至少一延遲薄膜(未圖示)。該延遲薄膜具有雙折射率且提供與由LC層3提供之延遲相反的一延遲。
LCD可進一步包括一背光單元(未圖示)，其經由偏振器12及22、延遲薄膜及面板100及200將光供應至LC層3。
LC層3較佳具有負介電各向異性，且經受垂直對準，其中LC層3中之LC分子經對準，使得不存在電場時其長軸大體垂直於面板100及200之表面。因此，入射光不能穿過交叉的偏振系統12及22。
一旦將共同電壓施加至共同電極270並將資料電壓施加至像素電極190，則產生大體垂直於面板100及200之表面的電場，且像素電極190及共同電極270兩者在下文中通稱為"場產生電極"。LC分子易於回應電場而改變其定向，使得其長軸垂直於場方向。切口91－95b及71－75b控制LC層3中之LC分子的傾斜方向。將對此進行詳細描述。
場產生電極190及270之切口91－95b及71－75b及像素電極190之斜邊扭曲電場，以具有大體垂直於切口91－95b及71－75b的邊緣及像素電極190的斜邊之一水平分量。因此，LC分子易於在由水平分量確定之方向中傾斜。
參考圖3，一組切口91－95b及71－75b將像素電極190劃分成複數個子區域且每一子區域具有兩個主要邊緣。因為每一子區域上之LC分子垂直於該等主要邊緣傾斜，所以傾斜方向之方位分佈經定位成四個方向，藉此增加LCD之參考視角。
在切口71－75b中之凹口確定切口71－75b上之LC分子的傾斜方向，且該等凹口可提供於切口91－95b處且可具有多種形狀及配置。
同時，因為在屏蔽電極88與共同電極270之間不存在電場，所以在屏蔽電極88上的LC分子保持其初始定向，且因此阻斷入射於其上之光。因此，屏蔽電極88可用作光阻斷構件。
可修改切口91－95b及71－75b之形狀及配置。
該等切口91－95b及71－75b之至少一者可由突起(未圖示)或凹陷(未圖示)替代。該等突起較佳由有機或無機材料製造，且安置在場產生電極190或270之上或之下。
將參考圖6及圖7詳細描述根據本發明之另一實施例的LCD。
圖6為根據本發明之另一實施例的LCD的布局圖，且圖7為展示於圖6中之LCD沿線VII－VII'取得之剖視圖。
參考圖6及圖7，根據本實施例的LCD亦包括：一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、一插入面板100與200間之LC層3及一對附著至面板100及200之外表面上的偏振器12及22。
根據本實施例之面板100及200的分層結構與展示於圖1－5中的彼等分層結構幾乎相同。
關於TFT陣列面板100，包括閘電極124及末端部分129之複數個閘極線121及包括儲存電極137之複數個儲存電極線131形成於基板110上；且一閘極絕緣層140、複數個半導體154及複數個歐姆接觸163及165順序形成於其上。包括源電極173及末端部分179之複數個資料線171及包括擴展部分177之複數個汲電極175形成於歐姆接觸163及165上，且一鈍化層180形成於其上。複數個接觸孔181、182及185提供於該鈍化層180及閘極絕緣層140處。具有複數個切口91－95b之複數個像素電極190、具有複數個小孔881之一屏蔽電極88及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上，且一對準層11塗覆於其上。
關於共同電極面板200，一光阻斷構件220、複數個彩色濾光片230、一外塗層250、一具有複數個切口71－75b的共同電極270及一對準層21形成於絕緣基板210上。
不同於展示於圖1－5中之LCD，根據本實施例的TFT陣列面板100之半導體154及歐姆接觸163沿資料線171延伸，以形成半導體條紋151及歐姆接觸條紋161。此外，半導體154具有與資料線171及汲電極175以及下方之歐姆接觸163及165幾乎相同的平面形狀。然而，半導體154包括一些曝露部分，該等部分未由資料線171及汲電極175覆蓋，諸如位於源電極173與汲電極175間之部分。
根據一實施例之TFT陣列面板的製造方法使用一光微影步驟同時形成資料線171及汲電極175、半導體151、及歐姆接觸161及165。
用於光微影製程的一光阻光罩圖案具有依位置而定的厚度，且詳言之，其具有具備減少之厚度的第一及第二部分。第一部分位於將由資料線171、汲電極175及金屬件172佔據的電線區域上，且第二部分位於TFT之通道區域上。
藉由若干技術獲得光阻之依位置而定的厚度，例如，藉由在曝光光罩上提供半透明區域，以及透明區域與光阻斷不透明區域。該等半透明區域可具有狹縫圖案、晶格圖案、具中等透射率或中等厚度的薄膜。當使用狹縫圖案時，狹縫之寬度或狹縫間之距離較佳小於用於光微影之曝光器的解析度。另一實例為使用可軟熔光阻材料。詳言之，一旦由可軟熔材料製造的光阻圖案藉由使用僅具有透明區域及不透明區域之普通曝光光罩形成，則其經受軟熔處理以流動至沒有光阻的區域上，藉此形成薄部分。
因此，藉由省略一光微影步驟而簡化製造過程。
大多數展示於圖1－5中之LCD的上述特徵可應用於展示於圖6及圖7中的LCD。
將參考圖8、9及10詳細描述根據本發明之另一實施例的LCD。
圖8為根據本發明另一實施例之LCD之TFT陣列面板的布局圖；圖9為包括展示於圖8中之TFT陣列面板及展示於圖2中之共同電極面板之LCD的布局圖；且圖10為展示於圖9中的LCD沿線X－X'取得之剖視圖。
參考圖8－10，根據本實施例之LCD亦包括一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、一插入面板100與200間之LC層3及一對附著至面板100及200之外表面上的偏振器12及22。
根據本實施例之面板100及200的分層結構與圖1－4中所展示之分層結構幾乎相同。
關於TFT陣列面板100，包括閘電極124及末端部分129之複數個閘極線121以及複數個儲存電極線131形成於基板110上；且一閘極絕緣層140、複數個半導體島154及複數個歐姆接觸163及165順序形成於其上。包括源電極173及末端部分179之複數個資料線171以及複數個汲電極175形成於歐姆接觸163及165以及閘極絕緣層140上，且一鈍化層180形成於其上。複數個接觸孔181、182、185a1及185a2提供於鈍化層180及閘極絕緣層140處。具有複數個切口91－95b之複數個像素電極190，具有複數個小孔881之屏蔽電極88以及複數個接觸助件81及82形成於該鈍化層180上，且一對準層11塗覆於其上。
關於共同電極面板200，一光阻斷構件220、一外塗層250、一包括複數個切口70－75b之共同電極270以及一對準層21形成於一絕緣基板210上。
不同於展示於圖1－5中之LCD，儲存電極線131之每一者包括一對下部及上部桿131a1及131a2，其經安置以分別靠近兩個鄰近閘極線121中之下部閘極線及上部閘極線。下部及上部桿131a1及131a2分別包括下部及上部儲存電極137a1及137a2。
此外，複數個電容性電極136形成於基板110上。該等電容性電極136由與閘極線121相同之層製造，且與閘極線121及儲存電極線131分離。該等電容性電極136之每一者經安置於一對下部儲存電極137a1與上部儲存電極137a2之間，且其與下部及上部儲存電極137a1及137a2大體等距離且與鄰近之兩閘極線121大體為等距離。電容性電極136之每一者為平行於閘極線121伸長的一矩形，且其包括漏斗狀左末端部分，該部分具有與閘極線121成約45度之斜邊，且與像素電極190之中心切口91重疊。
閘極絕緣層140及鈍化層180具有曝露電容性電極136之漏斗狀末端部分之複數個接觸孔186。
汲電極175之每一者包括：下部、上部及中心擴展部分177a1、177a2及176，一對連接該等擴展部分177a1、177a2及176之互連件178a1及178a2，以及一窄末端部分。該等擴展部分177a1、177a2及176之每一者為平行於閘極線121伸長的一矩形，且該等互連件178a1及178a2連接靠近其左側之擴展部分177a1、177a2及176。
下部及上部擴展部分177a1及177a2分別與下部及上部儲存電極137a1及137a2重疊，以形成一儲存電容器。
中心擴展部分176與電容性電極136重疊，以形成一耦合電容器且被稱作"耦合電極"。該耦合電極176具有與電容性電極136幾乎相同之形狀，且具有靠近漏斗狀左末端部分的一通孔176H，接觸孔186在不曝露該耦合電極176的情況下穿過該通孔176H。
像素電極190之每一者由下部及上部切口93a及93b劃分成下部、上部及中心子像素電極190a1、190a2及190b，意即，下部及上部切口93a及93b以傾斜方式自左邊緣至右邊緣完全穿透像素電極190。因此，中心子像素電極190b為旋轉了一直角之等腰梯形，且該等下部及上部子像素電極190a1及190a2為旋轉了一直角之直角梯形。
下部及上部子像素電極190a1及190a2分別經由接觸孔185a1及185a2連接至汲電極175之下部及上部擴展部分177a1及177a2。
中心子像素電極190b經由接觸孔186連接至電容性電極136，且與耦合電極176重疊。中心子像素電極190b、電容性電極136及耦合電極176形成一"耦合電容器"。
中心子像素電極190b具有中心切口91及92，下部子像素電極190a1具有下部切口94a及95a，且上部子像素電極190a2具有上部切口94b及95b。
中心子像素電極190b之中心切口91位於中心子像素電極190b內，且其包括一橫向部分及一對經連接至其的傾斜部分。中心切口91的傾斜部分亦平行於下部或上部切口94a及95a或94b及95b。
左邊緣在靠近接觸孔186處向外突出，使得中心子像素電極190b經由接觸孔186連接至電容性電極136。因為中心子像素電極190b與電容性電極136間之接觸係由穿透耦合電極176形成，所以無需僅為接觸準備一額外區域。此外，與提供額外接觸區域之情況相比需要一相對較小之接觸區域，因為圍繞接觸孔186之耦合電極176可阻斷由接觸孔186之平滑輪廓導致的光漏損，特別對於較厚之有機鈍化層180而言。
此外，展示於圖9中之共同電極270的一組切口70－75b另具有一安置於靠近接觸孔186的中心切口70。該中心切口70亦包括一中心橫向部分、一對傾斜部分及一對末端縱向部分。然而，中心切口72不具有中心橫向部分。
不透明構件(諸如儲存電極線131、電容性電極136及汲電極175之擴展部分177a1、177a2及176及互連件178a1及178a2)及透明構件(諸如具有切口91－95b及71－75b的像素電極190)關於與鄰近閘極線121等距離的電容性電極136對稱地排列。
在此組態中，中心子像素電極190b經由電容性電極136及耦合電極176電容性耦接至下部及上部子像素電極190a1及190a2，將參考圖11對其進行詳細描述。
圖11為展示於圖8－10中之LCD的等效電路圖。
參考圖11，LCD之像素PX包括：一TFT Q、一包括第一LC電容器Clca及儲存電容器Cst之第一子像素PXa、一包括第二LC電容器Clcb之第二子像素PXb以及一耦合電容器Ccp。
第一LC電容器Clca包括：作為一末端之下部及上部子像素電極190a1及190a2，作為另一末端之對應於其的共同電極270的一部分以及作為一介電質之安置於其間的LC層3之一部分。類似地，第二LC電容器Clcb包括：作為一末端之中心子像素電極190b、作為另一末端之對應於其的共同電極270的一部分、及作為一介電質安置於其上的LC層3之一部分。
儲存電容器Cst包括：作為一末端之汲電極175的下部及上部擴展部分177a1及177a2、作為另一末端之下部及上部儲存電極137a1及137a2以及作為一介電質安置於其間的閘極絕緣層140之一部分。耦合電容器Ccp包括：作為一末端之中心子像素電極190b及電容性電極136、作為另一末端之耦合電極176以及作為一介電質安置於其間的鈍化層180及閘極絕緣層140之部分。
第一LC電容器Clca及儲存電容器Cst經連接以平行於TFT Q之汲極。耦合電容器Ccp連接於TFT Q之汲極與第二LC電容器Clcb之間。該共同電極270被供以共同電壓Vcom，且儲存電極線131可經供以共同電壓Vcom。
TFT Q回應於來自閘極線121之閘極訊號而自資料線171施加資料電壓至第一LC電容器Clca及耦合電容器Ccp，且耦合電容器Ccp將具有修正量值的資料電壓傳輸至第二LC電容器Clcb。
若儲存電極線131經供以共同電壓Vcom且該等電容器Clca、Cst、Clcb及Ccp之每一者與其電容表示為相同參考字符，則跨越第二LC電容器Clcb充電之電壓Vb由Vb＝Va×[Ccp/(Ccp＋Clcb)]給出，其中Va表示第一LC電容器Clca之電壓。
因為術語Ccp/(Ccp＋Clcb)小於一，所以第二LC電容器Clcb之電壓Vb大於第一LC電容器Clca之電壓。此不相等性對於儲存電極線131之電壓不等於共同電壓Vcom的情況亦是如此。
因此，第二LC電容器Clcb中之電場強度總是比第一LC電容器Clca中之電場強度弱，且因此在第一及第二LC電容器Clca及Clcb中的LC分子以不同角度傾斜，以導致不同的光透射率。因此，將兩個子像素PXa及PXb之平均亮度時維持在目標亮度內時，可調節第一及第二子像素PXa及PXb之電壓Va及Vb，使得自側面觀看之影像最接近於自前方觀看之影像，藉此改良側面之可見度。
電壓Va與Vb之比率可藉由改變耦合電容器Ccp之電容來調節，且耦合電容Ccp可藉由改變重疊區域及耦合電極176與中心子像素電極190b(與電容性電極136)間之距離來改變。舉例而言，當移除電容性電極136且將耦合電極176移動至電容性電極136之位置時，耦合電極176與中心子像素電極190b間之距離變大。第二LC電容器Clcb之電壓Vb較佳為第一LC電容器Clca之電壓Va的約0.6至約0.8倍。
第二LC電容器Clcb中充電之電壓Vb可大於第一LC電容器Clca之電壓Va。此可藉由經由諸如共同電壓Vcom之一預定電壓預充電第二LC電容器Clcb來實現。
第一子像素PXa之下部及上部子像素電極190a1及190a2與第二子像素PXb之中心子像素電極190b間之比率較佳為約1：0.85至約1：1.15，且LC電容器Clca及Clcb之每一者中的子像素電極之數目可改變。
大多數展示於圖1－5中之LCD的上述特徵可應用於展示於圖8－11中的LCD。
將參考圖12及圖13詳細描述根據本發明之另一實施例的LCD。
圖12為根據本發明另一實施例之LCD的布局圖，且圖13為展示於圖12中之LCD沿線XIII－XIII'取得之剖視圖。
參考圖12及圖13，根據本實施例之LCD亦包括：一TFT陣列面板100、一共同電極面板200、一插入面板100與200間之LC層3及一對附著至面板100及200的外表面上之偏振器12及22。
根據本實施例之面板100及200的分層結構與展示於圖8－10中的分層結構幾乎相同。
關於TFT陣列面板100，包括閘電極124及末端部分129之複數個閘極線121、包括具有儲存電極137a1及137a2的桿131a1及131a2之複數個儲存電極線131及複數個電容性電極136形成於基板110上。一閘極絕緣層140、複數個半導體154、及複數個歐姆接觸163及165順序形成於閘極線121及儲存電極線131上。包括源電極173及末端部分179之複數個資料線171及包括擴展部分177a1、177a2及176及互連件178a1及178a2的複數個汲電極175形成於歐姆接觸163及165上。鈍化層180形成於資料線171、汲電極175及半導體154之曝露部分上。複數個接觸孔181、182、185a1、185a2及186提供於鈍化層180及閘極絕緣層140處，且接觸孔186穿過提供於汲電極175之擴展部分176的通孔176H。包括子像素電極190a1、190a2及190b且具有切口91－95b之複數個像素電極190、具有小孔881之屏蔽電極88以及複數個接觸助件81及82形成於鈍化層180上，且一對準層11塗覆於其上。
關於共同電極面板200，一光阻斷構件220、複數個彩色濾光片230、一外塗層250、一具有切口71－75b之共同電極270及一對準層21形成於絕緣基板210上。
不同於展示於圖8－10中之LCD，根據本實施例之TFT陣列面板100之半導體154及歐姆接觸163沿資料線171延伸，以形成半導體條紋151及歐姆接觸條紋161。此外，半導體條紋154具有與資料線171及汲電極175以及下方之歐姆接觸163及165幾乎相同的平面形狀。然而，半導體154包括一些曝露部分，該等曝露部分未由資料線171及汲電極175覆蓋，諸如位於源電極173與汲電極175間之部分。
根據一實施例之TFT陣列面板的製造方法使用一光微影步驟同時形成資料線171及汲電極175、半導體151以及歐姆接觸161及165，藉此簡化製造過程。
大多數展示於圖8－10中之LCD的上述特徵可應用於展示於圖12及13中的LCD。
儘管已參考較佳實施例對本發明進行詳細描述，但是熟習此項技術者將瞭解，在不背離如陳述於隨附之申請專利範圍中之本發明的精神及範疇的情況下，可對其進行各種修改及替代。
3．．．液晶層/LC層
11,21．．．對準層
12,22．．．偏振器
70．．．中心切口
71－75b,91－95b．．．切口
81,82．．．接觸助件
88．．．屏蔽電極
100,200．．．面板
110,210．．．絕緣基板
121,129．．．閘極線
124．．．閘電極
131,131a1,131a2,137a1,137a2．．．儲存電極線
136．．．電容性電極
137．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151,154．．．半導體
161,163,165．．．歐姆接觸
171,179．．．資料線
173．．．源電極
175,178a1,178a2,177a1,177a2,176．．．汲電極
176H．．．通孔
180．．．鈍化層
181,182,185,185a1,185a2,186．．．接觸孔
190,190a1,190a2,190b．．．像素電極
220．．．光阻斷構件
230．．．彩色濾光片
250．．．外塗層
270．．．共同電極
881．．．小孔
圖1為根據本發明一實施例之LCD之TFT陣列面板的布局圖；圖2為根據本發明一實施例之LCD之共同電極面板的布局圖；圖3為包括展示於圖1中之TFT陣列面板與展示於圖2中之共同電極面板的LCD之布局圖；圖4及圖5為展示於圖3中之LCD分別沿線IV－IV'及V－V'取得之剖視圖；圖6為根據本發明另一實施例之LCD之布局圖；圖7為展示於圖6中之LCD沿線VII－VII'取得之剖視圖；圖8為根據本發明另一實施例之LCD之布局圖；圖9為包括展示於圖8中之TFT陣列面板及展示於圖2中之共同電極面板的LCD之布局圖；圖10為展示於圖9中的LCD沿線X－X'取得之剖視圖；圖11為展示於圖8－10中之LCD的等效電路圖；圖12為根據本發明另一實施例之LCD的布局圖；及圖13為展示於圖12中的LCD沿線XIII－XIII'取得之剖視圖。
81．．．接觸助件
82．．．接觸助件
88．．．屏蔽電極
91．．．中心切口
92．．．中心切口
93a．．．下部切口
93b．．．上部切口
94a．．．下部切口
94b．．．上部切口
95a．．．下部切口
95b．．．上部切口
121．．．閘極線
124．．．閘電極
129．．．閘極線/末端部分
131．．．儲存電極線
137．．．儲存電極
154．．．半導體
171．．．資料線
173．．．源電極
175．．．汲電極
177．．．擴展
179．．．資料線/末端部分
181．．．接觸孔
182．．．接觸孔
185．．．接觸孔
190．．．像素電極
881．．．小孔

Claims (31)

  1. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一閘極線；一資料線，其與該閘極線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘極線及該資料線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其與該資料線電隔離、至少部分覆蓋該資料線且具有一曝露該資料線之小孔，其中該屏蔽電極係形成以不與該像素電極重疊，且該屏蔽電極係形成於來自一共同電極之一不同基板上。
  2. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極與該像素電極安置於相同層上。
  3. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一鈍化層，該鈍化層安置於該閘極線、該資料線及該薄膜電晶體上。
  4. 如請求項3之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極及該像素電極安置於該鈍化層上。
  5. 如請求項4之薄膜電晶體陣列面板，其中該鈍化層包含一有機絕緣體。
  6. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含一與該像素電極重疊之儲存電極。
  7. 如請求項6之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極與該儲存電極被供以大體相同電壓。
  8. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極沿 該資料線延伸。
  9. 如請求項8之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極覆蓋該資料線之邊緣。
  10. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極至少部分與該閘極線重疊。
  11. 如請求項10之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極沿該閘極線及該資料線延伸。
  12. 如請求項11之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極包含：一沿該閘極線延伸且比該閘極線窄之第一部分及一沿該資料線延伸且比該資料線寬之第二部分。
  13. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該像素電極具有一切口。
  14. 如請求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該像素電極包含一連接至該薄膜電晶體之第一子像素電極及一經電容性耦接至該第一子像素電極之第二子像素電極。
  15. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一閘極線；一資料線，其與該閘極線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘極線及該資料線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其與該資料線電隔離、至少部分覆蓋該資料線且具有一曝露該資料線之小孔，其中該屏蔽電極至少部分與該閘極線重疊且包含沿著該閘極線延伸且較該閘極線窄之一部份，且該屏蔽電極 經形成以不與該像素電極重疊。
  16. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一閘極線；一資料線，其與該閘極線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘極線及該資料線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其與該資料線電隔離、至少部分覆蓋該資料線且具有一曝露該資料線之小孔，其中該小孔不與該像素電極重疊，且該屏蔽電極係形成於來自一共同電極之一不同基板上。
  17. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一閘極線；一資料線，其與該閘極線相交；一薄膜電晶體，其連接至該閘極線及該資料線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一屏蔽電極，其與該資料線電隔離、至少部分覆蓋該資料線及該閘極線且具有一曝露該資料線之小孔，其中該屏蔽電極及該像素電極係由一相同材料形成，且該屏蔽電極經形成以不與該像素電極重疊。
  18. 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含：一絕緣基板；一閘極線，其形成於該絕緣基板上且具有一閘電極；一閘極絕緣層，其覆蓋該閘極線；一半導體層，其形成於該閘電極之上之該閘極絕緣層 上；一資料線，其與該閘極線相交且具有一源電極；一汲電極，其對於該半導體層面向該源電極；一鈍化層，其覆蓋該半導體層、該資料線及該汲電極，且該鈍化層具有一接觸孔；一像素電極，其形成於該鈍化層上且透過該接觸孔連接至該汲電極；及一屏蔽電極，其配置於該鈍化層上且具有覆蓋該閘極線之一第一部份及覆蓋該資料線之一第二部份，其中該屏蔽電極之該第二部份具有至少一小孔，該至少一小孔配置於該屏蔽電極之邊界內，且其中該屏蔽電極係以一透明導電材料製成。
  19. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該小孔係沿著該資料線延伸。
  20. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該小孔係沿著該資料線之一中心線形成。
  21. 如請求項20之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極覆蓋該資料線之邊緣。
  22. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一部份之寬度較該閘極線之寬度窄。
  23. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極之該第一部份及該第二部份在該及該資料線相交之位置之上相交。
  24. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該像素電極具 有形成於該像素電極之一上方區域之一第一域定義組件及形成於該像素電極之一下方區域之一第二域定義組件。
  25. 如請求項24之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一域定義組件延伸於一第一方向中且該第二域定義組件延伸於一第二方向中。
  26. 如請求項25之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一方向及該第二方向間之一角度約為90度。
  27. 如請求項25之薄膜電晶體陣列面板，其中該第一方向及該第二方向之一者對於該閘極線及該資料線具有一大約45度之角度。
  28. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該源電極包圍該汲電極之至少一部份。
  29. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其中該鈍化層包含一有機絕緣層。
  30. 如請求項18之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含重疊於該像素電極之一儲存電極。
  31. 如請求項30之薄膜電晶體陣列面板，其中該屏蔽電極及該儲存電極被供以實質上相同的電壓。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189267B1 (ko) * 2004-12-03 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
US7453086B2 (en) * 2005-01-14 2008-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor panel
KR101293950B1 (ko) * 2006-06-30 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이를 갖는 표시패널
KR20080015696A (ko) * 2006-08-16 2008-02-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101394434B1 (ko) * 2007-06-29 2014-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
US8334537B2 (en) * 2007-07-06 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN101369077B (zh) * 2007-08-17 2010-06-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器阵列基板及其制造方法
KR20100012080A (ko) * 2008-07-28 2010-02-05 삼성전자주식회사 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
WO2010058636A1 (ja) * 2008-11-20 2010-05-27 シャープ株式会社 表示装置、及びアクティブマトリクス基板
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI413441B (zh) * 2009-12-29 2013-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構及電致發光裝置
TWI531835B (zh) * 2011-11-15 2016-05-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN102799033B (zh) * 2012-07-26 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR102005483B1 (ko) * 2012-10-19 2019-07-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
KR102040084B1 (ko) * 2013-03-25 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103676374B (zh) * 2013-12-06 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
KR102140815B1 (ko) * 2013-12-09 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150109544A (ko) 2014-03-19 2015-10-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2016128860A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102315811B1 (ko) * 2015-02-16 2021-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105572996B (zh) * 2016-02-02 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
CN107121864A (zh) * 2017-07-07 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
KR20200023562A (ko) * 2018-08-23 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 리페어 방법
CN110888274B (zh) * 2019-11-27 2022-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN114220807B (zh) * 2022-02-22 2022-08-09 上海天马微电子有限公司 驱动基板、发光面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW464775B (en) * 1993-05-15 2001-11-21 Nippon Electric Co Liquid crystal display device capable of compensating for a positioning error between a drain line and a display electrode
US6583471B1 (en) * 1999-06-02 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having first and second insulating films

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04318512A (ja) * 1991-04-17 1992-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JPH05210112A (ja) 1992-01-30 1993-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH05333316A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及びその駆動方法
JP2551377B2 (ja) * 1993-05-15 1996-11-06 日本電気株式会社 液晶ディスプレイ装置
JPH10325961A (ja) 1994-03-17 1998-12-08 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW321731B (zh) * 1994-07-27 1997-12-01 Hitachi Ltd
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3658849B2 (ja) 1996-03-29 2005-06-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
JPH1039336A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3087841B2 (ja) 1996-10-29 2000-09-11 日本電気株式会社 広視野角液晶表示装置
JP3748137B2 (ja) * 1996-11-07 2006-02-22 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH10186391A (ja) 1996-12-27 1998-07-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100269351B1 (ko) 1997-09-25 2000-10-16 구본준 횡전계방식 액정표시장치
KR100357213B1 (ko) * 1998-07-23 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
JP3125872B2 (ja) * 1998-09-14 2001-01-22 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100565887B1 (ko) * 1999-06-11 2006-03-31 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법
US6400440B1 (en) * 1999-06-23 2002-06-04 International Business Machines Corporation Passive liquid crystal display having pre-tilt control structure and light absorbent material at a center
JP4115649B2 (ja) * 2000-03-30 2008-07-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100623989B1 (ko) 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
JP4831716B2 (ja) * 2001-03-15 2011-12-07 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100820646B1 (ko) 2001-09-05 2008-04-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100857132B1 (ko) 2001-12-06 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2003287770A (ja) 2002-03-28 2003-10-10 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP3677011B2 (ja) 2002-04-30 2005-07-27 アルプス電気株式会社 液晶表示装置
KR100876403B1 (ko) 2002-08-27 2008-12-31 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조방법
JP4199501B2 (ja) * 2002-09-13 2008-12-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR20040038355A (ko) 2002-10-31 2004-05-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자
KR100914194B1 (ko) 2002-12-26 2009-08-27 엘지디스플레이 주식회사 횡전계모드 액정표시소자
KR100905409B1 (ko) * 2002-12-26 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100498632B1 (ko) * 2002-12-31 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조방법
KR100919199B1 (ko) 2002-12-31 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
KR100961941B1 (ko) * 2003-01-03 2010-06-08 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR100731045B1 (ko) * 2003-06-17 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101198819B1 (ko) * 2003-06-25 2012-11-07 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100968566B1 (ko) * 2003-07-24 2010-07-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이에 포함된 표시판의 제조 방법
TWI319622B (en) * 2003-10-01 2010-01-11 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same
KR101112540B1 (ko) * 2004-10-25 2012-03-13 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판
KR101112543B1 (ko) * 2004-11-04 2012-03-13 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판
KR101197044B1 (ko) * 2004-12-02 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101112544B1 (ko) * 2004-12-03 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20060067292A (ko) * 2004-12-14 2006-06-20 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 수리 방법
KR101133760B1 (ko) * 2005-01-17 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW464775B (en) * 1993-05-15 2001-11-21 Nippon Electric Co Liquid crystal display device capable of compensating for a positioning error between a drain line and a display electrode
US6583471B1 (en) * 1999-06-02 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having first and second insulating films

Also Published As

Publication number Publication date
US7405427B2 (en) 2008-07-29
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