CN100583416C - 半穿反式显示元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种半穿反式显示元件及其制造方法。半穿反式显示元件至少包括一基板、一图案化第一金属层、一第一介电层、一图案化半导体层、一图案化第二金属层、一第二介电层、一反射绝缘部、一图案化第三金属层、一第四介电层及一像素电极。图案化第三金属层包括一反射部及一遮蔽电极，且遮蔽电极设置于穿透区的第二介电层上且具有一共同电位，具有遮蔽功效，可有效降低显示元件的感应电容对液晶层的影响。

Description

半穿反式显示元件及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种半穿反式显示元件及其制造方法，且特别是有关于一种具有遮蔽电极的半穿反式显示元件及其制造方法。

背景技术

液晶显示屏幕(Liquid Crystal Display，LCD)依反射方式可分为穿透式(Transmissive)、反射式(Reflective)及半穿反式(Tranflective)三种基本类型。穿透式液晶显示屏幕经由背光光源以达到穿透式显示，其优点为于正常光线及暗光线下，仍能维持良好的显示效果，然而于户外阳光下则不易辨识显示内容。反射式液晶显示屏幕不需外加光源，而是使用环境周围的光线，因此于外界光线充足的环境下均有良好的显示效果，然而于外界光线不足的环境下则不易办识显示内容。半穿反式液晶显示屏幕则结合穿透式和反射式两者的优点。

请同时参照图1A及图1B。图1A绘示一种传统半穿反式显示元件的像素结构上视图，及图1B为图1A中沿着1B-1B’剖面线所绘示的剖面图。其中图1A绘示显示元件基板上的部分的像素区域。像素结构10形成于一基板11上。像素结构10经由数个扫瞄信号线SL与数个数据信号线DL以阵列的形式垂直相交形成且定义出数个像素区域12。每一像素区域12包括一反射区13及一穿透区14。反射区13具有一有机层13a，而使反射光路径可与穿透光具有相同的光程差。此外，传统半穿反式像素结构10，为减少感应电容Cpd对像素电性的影响以及提高反射的开口利用率，而于数据信号线DL上设置一层有机层13a。由于有机层13a设置于数据信号线DL上，而使得后续涂布(PI)制作工艺印制会产生不均匀问题。假若涂布印制不均匀，涂布层(未绘示)的厚度不均匀会直接影响液晶层的供给电压值。且涂布层膜厚不均会使供给相同电压的像素的明暗度不同，而使液晶显示屏幕产生显示不均(mura)的缺陷。若为使涂布层的制作工艺的印制厚度均匀，可将数据信号线DL上的有机层13a减薄，但如此一来，便会使感应电容Cpd变大影响电性问题，而产生更大的问题，如串音(Cross-talk)会变得更严重。

发明内容

本发明有关于一种半穿反式显示元件及其制造方法，使遮蔽电极具有遮蔽的功效，降低感应电容对液晶的影响，以提升元件的电性表现，例如解决像素的串音问题。

根据本发明的第一方面，提出一种半穿反式显示元件的制造方法，此方法包括下列步骤。首先，提供一基板，基板具有一显示区域和一非显示区域。显示区域具有数个像素区域，且每一像素区域包括一反射区和一穿透区。接着，形成一图案化第一金属层于基板上，以于每一像素区域中至少形成反射区内的一共同电极和一栅极，同时于对应每一像素区域处形成一栅极线和一共同电极线，所述的共同电极线与所述的反射区的所述的共同电极连接，且所述的共同电极线位于相邻的所述的栅极线之间，并延伸至所述的非显示区域。然后，形成一第一介电层于基板上并覆盖栅极和共同电极。接着，形成一图案化半导体层于第一介电层上，其中图案化半导体层对应于栅极设置。然后，形成一图案化第二金属层于第一介电层上，以于每一像素区域中至少形成一数据线(data lines)、一源极和一漏极、和反射区中的一第二金属部。接着，形成一第二介电层覆盖第一介电层与图案化第二金属层。接着，形成一第三介电层于第二介电层上，以于对应每一像素区域的反射区内形成一反射绝缘部，且反射绝缘部中具有一第一开口，且第一开口暴露出第二介电层的表面。然后，形成一图案化第三金属层以覆盖反射区的反射绝缘部和穿透区的第二介电层，以于对应每一像素区域的反射绝缘部上形成一反射部，以及于穿透区的第二介电层上形成一遮蔽电极。遮蔽电极部分延伸至数据线两侧以及相邻的穿透区上方。接着，形成一第四介电层以覆盖反射部和遮蔽电极。然后，移除反射区的第一开口内的第四介电层及其下方的第二介电层进而形成反射区的一第二开口，第二开口暴露出第二金属部的部分表面。接着，形成一像素电极(pixel electrode)于每一像素区域的穿透区及部分反射区的第四介电层上方，且该像素电极并与该第二开口内的该第二金属部电性连接；其中在形成所述的图案化第三金属层的步骤中，更包括在所述的非显示区中形成复数个第三金属垫，且所述的显示区中对应于每一像素区域的所述的穿透区的所述的遮蔽电极与所述的些第三金属垫其中之一连接；以及于所述的非显示区域中，以一透明导电层电性连接延伸至所述的非显示区域的所述的共同电极线以及所述的遮蔽电极连结的所述的第三金属垫。

根据本发明的第二方面，提出一种半穿反式显示元件。半穿反式显示元件包括一基板、一图案化第一金属层、一第一介电层、一图案化半导体层、一图案化第二金属层、一第二介电层、一反射绝缘部、一图案化第三金属层、一第四介电层、一像素电极及透明导电层。基板具有一显示区域和一非显示区域，显示区域具有数个像素区域，且每一像素区域包括一反射区和一穿透区。图案化第一金属层至少包括一共同电极及一栅极，以及一栅极线与所述的栅极连接；一共同电极线与所述的反射区的所述的共同电极连接，且所述的共同电极线位于两所述的栅极线之间，并延伸至所述的非显示区域。共同电极与栅极形成于每一像素区域的反射区内。第一介电层设置于基板上并覆盖栅极和共同电极。图案化半导体层设置于第一介电层上，其中图案化半导体层对应于栅极设置。图案化第二金属层设置于第一介电层上，且图案化第二金属层至少包括一数据线(data lines)、一源极、一漏极和一第二金属部。数据线与第二金属部分别经由源极与漏极电性连接至图案化半导体层。第二介电层覆盖于图案化第二金属层及第一介电层上。反射绝缘部设置于每一像素区域的反射区的第二介电层上。图案化第三金属层包括一反射部及一遮蔽电极以及复数个金属垫。反射部覆盖于每一像素区域的反射绝缘部上。遮蔽电极设置于穿透区的第二介电层上，且遮蔽电极部分延伸至数据线两侧以及相邻的穿透区上方。复数个金属垫设置于所述的非显示区域中，且所述的这些金属垫之一与每一像素区域的所述的穿透区的所述的遮蔽电极连接。第四介电层覆盖于反射部和遮蔽电极上，且第四介电层具有一第二开口，第二开口曝露出第二金属部的部分表面。像素电极设置于每一像素区域的穿透区及部分反射区的第四介电层上方，且像素电极与第二开口内的第二金属部的表面连接，以使像素区域中穿透区及反射区电性连接。透明导电层用以使所述的非显示区域的所述的共同电极线和所述的遮蔽电极连结的所述的第三金属垫电性连接。

附图说明

图1A绘示一种传统半穿反式显示元件的像素结构上视图；

图1B为图1A中沿着1B-1B’剖面线所绘示的剖面图；

图2A绘示依照本发明较佳实施例的半穿反式显示元件的像素结构上视图；

图2B为图2A中沿着2B-2B’剖面线所绘示的剖面图；

图3A、图4A、图5A、图6A绘示依照本实施图2A中半穿反式显示元件的形成方法的上视图；

图3B为依照图3A中沿着3B-3B’剖面线所绘示的剖面图；

图4B为依照图4A中沿着4B-4B’剖面线所绘示的剖面图；

图5B为依照图5A中5B-5B’剖面线所绘示的剖面图；

图6B为依照图6A中沿着6B-6B’剖面线所绘示的剖面图；

图7A绘示依照本发明较佳实施例中于外围电路的非显示区中遮蔽电极与共同电极的一种连接结构的上视图；

图7B绘示依照本发明较佳实施例中于非显示区中遮蔽电极与共同电极的另一连接结构的上视图；以及

图7C为依照图7A中沿着7C-7C’剖面线所绘示的剖面图。

附图标号：

SL：扫瞄信号线

DL：数据信号线

Cpd、Cpd’：感应电容

10：像素结构

11、201：基板

12、201a：像素区域

13、201c：反射区

13a：有机层

14、201b：穿透区

200：半穿反式显示元件

202：图案化第一金属层

202a：共同电极

202b：栅极

202c：栅极线

202d：共同电极线

203：第一介电层

204：图案化半导体层

205：图案化第二金属层

205a：数据线

205b：源极

205c：漏极

205d：第二金属部

206：第二介电层

207：第三介电层

207a：反射绝缘部

207b：第一开口

208：图案化第三金属层

208a：反射部

208b：遮蔽电极

209：第四介电层

209a：第二开口

210：像素电极

220、220’：第三金属垫

230、230’：透明导电层

240：电极线

具体实施方式

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

以下提出较佳实施例作为本发明的说明。然而该实施例所提出的显示元件的细部结构与制造方法的所有步骤仅为举例说明之用，并不会对本发明欲保护的范围做限缩。再者，实施例中的图示亦省略不必要的元件，以利清楚显示本发明的技术特点。

请同时参照图2A及图2B，图2A绘示依照本发明较佳实施例的半穿反式显示元件的像素结构上视图。图2B为图2A中沿着2B-2B’剖面线所绘示的剖面图。半穿反式显示元件200包括一基板201、一图案化第一金属层202、一第一介电层203、一图案化半导体层204、一图案化第二金属层205、一第二介电层206、一反射绝缘部207a、一图案化第三金属层208、一第四介电层209及一像素电极210。基板201具有一显示区域和一非显示区域。显示区域具有数个像素区域201a，且每一像素区域201a包括一反射区201c和一穿透区201b。

图案化第一金属层202至少包括一共同电极202a及一栅极202b。共同电极202a与栅极202b形成于每一像素区域201a的反射区201c内。第一介电层203设置于基板201上并覆盖栅极202b和共同电极202a。图案化半导体层204设置于第一介电层203上，其中图案化半导体层204对应于栅极202b设置。

图案化第二金属层205设置于第一介电层203上，且图案化第二金属层205至少包括一数据线205a(data lines)、源极205b、漏极205c和第二金属部205d。数据线205a与第二金属部205d分别经由源极205b与漏极205c电性连接至图案化半导体层204。第二介电层206覆盖于图案化第二金属层205及第一介电层203上。反射绝缘部207a设置于每一像素区域201a的反射区201c的第二介电层206上。图案化第三金属层208包括一反射部208a及一遮蔽电极208b。反射部208a覆盖于每一像素区域201a的反射绝缘部207a上。遮蔽电极208b设置于穿透区201b的第二介电层206。遮蔽电极208b部分延伸至数据线205a两侧以及相邻的穿透区201b上方。

第四介电层209覆盖于反射部208a和遮蔽电极208b上，第四介电层209具有一第二开口209a，其中第二开口209a曝露出第二金属部205d的部分表面。像素电极210设置于每一像素区域201a的穿透区201b及部分反射区201c的第四介电层209上方，且像素电极210与第二开口209a内的第二金属部205d的表面连接，以使像素区域201a中穿透区201b及反射区201c电性连接。

以下以图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A和图6B的示意图来详细说明本实施例的形成方法。其中图3A、图4A、图5A、图6A绘示依照本实施图2A中半穿反式显示元件的形成方法的上视图；而图3B、图4B、图5B、图6B则分别为图3A、图4A、图5A、图6A的剖面示意图。

本发明的一实施例，请先参照图3A及图3B，图3B为依照图3A中沿着3B-3B’剖面线所绘示的剖面图。首先，先提供一基板201，且基板201具有一显示区域和一非显示区域。显示区域具有数个像素区域201a，且每一像素区域201a包括一反射区201c和一穿透区201b。接着，形成一图案化第一金属层202于基板201上，以于每一像素区域201a中至少形成反射区201c内的一共同电极202a和一栅极202b，共同电极202a作为一第一金属部。于形成图案化第一金属层202时，同时于对应每一像素区域201a处形成一栅极线202c和一共同电极线202d(common line)。共同电极线202d与反射区201c的共同电极202a连接，且共同电极线202d位于相邻的两栅极线202c之间，并延伸至非显示区。另外，于本实施例中，共同电极202a、共同电极线202d、栅极202b与栅极线202c于同一道制作工艺中同时完成，且其材料例如为金属材质。

接着，形成一第一介电层203于基板201上并覆盖栅极202b和共同电极202a。然后，形成一图案化半导体层204于第一介电层203上，其中图案化半导体层204对应于栅极202b设置。

然后，形成一图案化第二金属层205于第一介电层203上，以于每一像素区域201a中至少形成一数据线205a(data lines)、一源极205b和一漏极205c、和反射区201c中的一第二金属部205d。源极205b与数据线205a相连，且用以接收由数据线205a的数据信号。漏极205c与第二金属部205d相连，其中图案化半导层204介于源极205b及漏极205c之间。

接着，请参照图4A及图4B。图4B为依照图4A中沿着4B-4B’剖面线所绘示的剖面图。首先，形成一第二介电层206覆盖该第一介电层203与图案化第二金属层205。接着，形成一第三介电层207于第二介电层206上，以于对应每一像素区域201a的反射区201c内形成一反射绝缘部207a，并将穿透区201b的第二介电层206上第三介电层207移除，以裸露出第二介电层206。然于反射绝缘部207a中形成一第一开口207b，且第一开口207b暴露出第二介电层206的表面。此外，形成复数个凸块于反射绝缘部207a的一上表面，用以增加反射区201c的反射外界光线的反射面积，以加强外界光线的反射效率。于实施例中，反射绝缘部207a例如为一有机介电材料。

然后，请参照图5A及图5B。图5B为依照图5A中5B-5B’剖面线所绘示的剖面图。首先，形成一图案化第三金属层208以覆盖反射区201c的反射绝缘部207a和穿透区201b的第二介电层206，以于对应每一像素区域201a的反射绝缘部207a上形成一反射部208a，以及于穿透区201b的第二介电层206上形成一遮蔽电极208b。其中，遮蔽电极208b部分延伸至数据线205a两侧以及相邻的穿透区201b上方，于本实施例中，此遮蔽电极208b覆盖于数据线205a上及一栅极线202c上，且于数据线205a上的遮蔽电极208b如一叉子状，以一长型开口(如图5A所示)裸露出下方的第二介电层206。其中，此遮蔽电极208b与邻近像素区域201a的遮蔽电极208b同时覆盖于同一数据线205a上。此外，遮蔽电极208b与数据线205a之间具有第二介电层206，因此由遮蔽电极208b、第二介电层206及数据线205a间形成一感应电容Cpd’。另外，由于本实施例中，于穿透区201b的第三介电层207经移除后，穿透区201b的结构平整，以利后续的涂布层印制。

接着，请参照图6A及图6B。图6B为依照图6A中沿着6B-6B’剖面线所绘示的剖面图。首先，形成一第四介电层209以覆盖反射部208a和遮蔽电极208b。接着，移除反射区201c的第一开口207b(标示于图4B中)内的第四介电层209及其下方的第二介电层206进而形成反射区201c的一第二开口209a，第二开口209a暴露出第二金属部205d的部分表面。于形成该图案化第四介电层209的步骤时，移除第一开口207b的两侧壁上的第四介电层209以使第二开口209a暴露出第二介电层206的表面。

然后，形成一像素电极210(pixel electrode)于每一像素区域201a的穿透区201b及部分反射区201c的第四介电层209上方，且像素电极210经由第二开口209a与第二金属部205d电性连接。于形成像素电极210的步骤时，像素电极210形成于第二开口209a的侧壁和底部。于本实施例中，像素电极210的材料为一氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。

接着，请参照图7A，其绘示依照本发明较佳实施例中于外围电路的非显示区中遮蔽电极与共同电极的一种连接结构的上视图。于图7A中，非显示区中形成数个第三金属垫220，且显示区中对应于每一像素区域201a的穿透区201b的遮蔽电极208b与数个第三金属垫220其中之一连接。换句话说，遮蔽电极208b由显示区延伸连接于非显示区的第三金属垫220，且共同电极线202d由显示区延伸至非显示区中。

请同时参照图7A及图7C，图7C为依照图7A中沿着7C-7C’剖面线所绘示的剖面图。如图7C中，透明导电层230于非显示区中电性连接于共同电极线202d以及遮蔽电极208b连结的第三金属垫220。于本实施例中，透明导电层230连接于共同电极线202d及遮蔽电极208b的方式可直接以导孔(via)相互导通，或是透明导电层230由遮蔽电极208b延伸取代，以导孔(via)相互导通。如此一来，遮蔽电极208b具有与共同电极线202d的相同的共同电位。如图6B，遮蔽电极208b与数据线205a间具有一感应电容Cpd’，利用遮蔽电极208b的共同电位，遮蔽数据线205a的电场，减少数据线205a对像素电极210之间的感应电容，进而提升液晶的显示效果。于本实施例中，当遮蔽电极208b具有与共同电极202a相同的电位时，此遮蔽电极208b便能提供遮蔽的功效，降低数据线205a对液晶的影响，而能解决像素200的串音(cross-talk)问题。

除了如图7A所示的共同电极线202d和遮蔽电极208b的连结方式以达电性连接的目的，然在实际制作时并不以此为限，也可使用其它连结方式，例如图7B所示的另一种连结方式。请参照图7B，其绘示依照本发明较佳实施例中于非显示区中遮蔽电极与共同电极的另一连接结构的上视图。于图7B中，非显示区中形成数个第三金属垫220’，且显示区中对应于每一像素区域201a的穿透区201b的遮蔽电极208b与数个第三金属垫220’其中之一连接。非显示区中具有一电极线240，此电极线240用以提供一共同电位，且电极线240用以与显示区中每一像素区域201a的共同电极线202d相连。也就是说，每一像素区域201a的共同电极线202d由显示区延伸至非显示区后分别与此电极线240相连。而第三金属垫220’可经由透明导电层230’于非显示区中电性连接于电极线240，以取得一共同电位，或者是第三金属垫220’延伸经由导孔跟电极线240连接。如此一来，遮蔽电极208b便可具有共同电位，以提供遮蔽的功效，降低数据线205a对液晶的影响，而能解决像素的串音(cross-talk)问题。

本发明上述实施例所揭露的半穿反式显示元件200及其制造方法，通过将数据线205a上第三介电层207移除而使穿透区201b的结构平整，以利后续涂布制作工艺的印制均匀，避免显示元件产生显示不均(mura)的问题。此外，遮蔽电极208b与共同电极线202d电性连接，以取得共同电位而具有遮蔽的功效，降低数据线205a对液晶的影响，而能解决像素的串音问题。

综上所述，虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (12)

1.一种半穿反式显示元件的制造方法，所述的方法包括：

提供一基板，所述的基板具有一显示区域和一非显示区域，所述的显示区域具有复数个像素区域，且每一像素区域包括一反射区和一穿透区；

形成一图案化第一金属层于所述的基板上，以于每一像素区域中至少形成所述的反射区内的一共同电极和一栅极，同时于对应每一像素区域处形成一栅极线和一共同电极线，所述的共同电极线与所述的反射区的所述的共同电极连接，且所述的共同电极线位于相邻的所述的栅极线之间，并延伸至所述的非显示区域；

形成一第一介电层于所述的基板上并覆盖所述的栅极和所述的共同电极；

形成一图案化半导体层于所述的第一介电层上，其中所述的图案化半导体层对应于所述的栅极设置；

形成一图案化第二金属层于所述的第一介电层上，以于每一像素区域中至少形成一数据线、一源极和一漏极、和所述的反射区中的一第二金属部；

形成一第二介电层覆盖所述的第一介电层与所述的图案化第二金属层；

形成一第三介电层于所述的第二介电层上，以于对应每一像素区域的所述的反射区内形成一反射绝缘部，且所述的反射绝缘部中具有一第一开口，所述的第一开口暴露出所述的第二介电层的表面；

形成一图案化第三金属层以覆盖所述的反射区的所述的反射绝缘部和所述的穿透区的所述的第二介电层，以于对应每一像素区域的所述的反射绝缘部上形成一反射部，以及于所述的穿透区的所述的第二介电层上形成一遮蔽电极，且所述的遮蔽电极部分延伸至所述的数据线两侧以及相邻的所述的穿透区上方；

形成一第四介电层以覆盖所述的反射部和所述的遮蔽电极；

移除所述的反射区的所述的第一开口内的所述的第四介电层及其下方的所述的第二介电层进而形成所述的反射区的一第二开口，所述的第二开口暴露出所述的第二金属部的部分表面；以及

形成一像素电极于每一像素区域的所述的穿透区及部分所述的反射区的所述的第四介电层上方，且所述的像素电极并与所述的第二开口内的所述的第二金属部电性连接；

其中在形成所述的图案化第三金属层的步骤中，更包括在所述的非显示区中形成复数个第三金属垫，且所述的显示区中对应于每一像素区域的所述的穿透区的所述的遮蔽电极与所述的些第三金属垫其中之一连接；以及于所述的非显示区域中，以一透明导电层电性连接延伸至所述的非显示区域的所述的共同电极线以及所述的遮蔽电极连结的所述的第三金属垫。

2.如权利要求1所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中所述的数据线与所述的第二金属部分别经由所述的源极与所述的漏极电性连结所述的图案化半导体层。

3.如权利要求1所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中在形成所述的图案化第三金属层的步骤中，包括：

于每一像素区域中，移除位于所述的反射区的所述的第一开口底部的所述的图案化第三金属层，和移除对应于所述的穿透区的部分所述的图案化第三金属层，以形成所述的反射部于所述的反射区的所述的反射绝缘部上方，和形成所述的遮蔽电极以围绕所述的穿透区两侧的两所述的数据线上方和与之相交的所述的栅极线上方，其中所述的反射部亦延伸至所述的第一开口的两侧壁。

4.如权利要求1所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中在形成所述的第二介电层的步骤中，所述的第二介电层覆盖所述的图案化第二金属层。

5.如权利要求1所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中于形成所述的反射绝缘部的步骤中更包括：

形成复数个凸块于所述的反射绝缘部的一上表面。

6.如权利要求1所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中在形成所述的图案化第四介电层的步骤时，移除所述的第一开口的两侧壁上的所述的第四介电层使所述的第一开口暴露出所述的第二介电层的表面。

7.如权利要求1项所述的半穿反式显示元件的制造方法，其中在形成所述的像素电极的步骤中，更包括：

形成所述的像素电极于所述的第二开口的侧壁和底部。

8.一种半穿反式显示元件，所述的半穿反式显示元件包括：

一基板，具有一显示区域和一非显示区域，所述的显示区域具有复数个像素区域，且每一像素区域包括一反射区和一穿透区；

一图案化第一金属层，至少包括：

一共同电极及一栅极，形成于每一像素区域的所述的反射区内；

一栅极线，与所述的栅极连接；

一共同电极线，与所述的反射区的所述的共同电极连接，且所述的共同电极线位于两所述的栅极线之间，并延伸至所述的非显示区域；

一第一介电层，设置于所述的基板上并覆盖所述的栅极和所述的共同电极；

一图案化半导体层，设置于所述的第一介电层上，其中所述的图案化半导体层对应于所述的栅极设置；

一图案化第二金属层，设置于所述的第一介电层上，且所述的图案化第二金属层至少包括：

一数据线、一源极、一漏极和一第二金属部，且所述的数据线与所述的第二金属部分别经由所述的源极与所述的漏极电性连接至所述的图案化半导体层；

一第二介电层，覆盖于所述的图案化第二金属层及所述的第一介电层上；

一反射绝缘部，设置于每一像素区域的所述的反射区的所述的第二介电层上；

一图案化第三金属层，包括：

一反射部，覆盖于每一像素区域的所述的反射绝缘部上；及

一遮蔽电极，设置于所述的穿透区的所述的第二介电层上，且所述的遮蔽电极部分延伸至所述的数据线两侧以及相邻的所述的穿透区上方；

复数个金属垫，设置于所述的非显示区域中，且所述的这些金属垫之一与每一像素区域的所述的穿透区的所述的遮蔽电极连接；

一第四介电层，覆盖于所述的反射部和所述的遮蔽电极上，且所述的第四介电层具有一第二开口，所述的第二开口曝露出所述的第二金属部的部分表面；以及

一像素电极，设置于每一像素区域的所述的穿透区及部分所述的反射区的所述的第四介电层上方，且所述的像素电极与所述的第二开口内的所述的第二金属部的表面连接，以使所述的像素区域中所述的穿透区及所述的反射区电性连接；

一透明导电层，用以使所述的非显示区域的所述的共同电极线和所述的遮蔽电极连结的所述的第三金属垫电性连接。

9.如权利要求8所述的半穿反式显示元件，其中所述的遮蔽电极围绕所述的穿透区两侧的两所述的数据线与相交的所述的栅极线上方。

10.如权利要求9所述的半穿反式显示元件，其中所述的遮蔽电极于对应两所述的数据线上具有一狭长型开口。

11.如权利要求8所述的半穿反式显示元件，其中所述的像素电极形成于所述的第二开口的侧壁和底部。

12.如权利要求8所述的半穿反式显示元件，其中所述的反射绝缘部的一上表面具有复数个凸块。

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