JP3087841B2 - 広視野角液晶表示装置 - Google Patents
広視野角液晶表示装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広視野角液晶表示
装置に関する。
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の液晶装置としては、配
向した液晶分子の分子軸の方向（以下、ディレクタと呼
ぶ。）を基板に対して垂直方向に回転させて表示を行う
ＴＮモード等のものと、基板に対して水平方向に回転さ
せて表示を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの
ものがある。このうち、ＩＰＳモードの液晶表示装置
は、視点を動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみ
を見ていることになり、このため、液晶分子の“立ち
方”の視野角依存性がなく、ＴＮモード等の液晶表示装
置に比較して、広視野角を達成することができる。この
ため、以下では、ＩＰＳモードの液晶表示装置を広視野
角液晶表示装置と呼ぶ。
向した液晶分子の分子軸の方向（以下、ディレクタと呼
ぶ。）を基板に対して垂直方向に回転させて表示を行う
ＴＮモード等のものと、基板に対して水平方向に回転さ
せて表示を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）モードの
ものがある。このうち、ＩＰＳモードの液晶表示装置
は、視点を動かしても基本的に液晶分子の短軸方向のみ
を見ていることになり、このため、液晶分子の“立ち
方”の視野角依存性がなく、ＴＮモード等の液晶表示装
置に比較して、広視野角を達成することができる。この
ため、以下では、ＩＰＳモードの液晶表示装置を広視野
角液晶表示装置と呼ぶ。
【０００３】従来、この種の広視野角液晶表示装置とし
ては、特開昭６３−２１９０７号公報（以下、従来例
１）及び特開平６−２０２１２７号公報（以下、従来例
２）などに開示されているものがあった。
ては、特開昭６３−２１９０７号公報（以下、従来例
１）及び特開平６−２０２１２７号公報（以下、従来例
２）などに開示されているものがあった。
【０００４】これら従来例１及び従来例２のいずれも、
液晶に電圧を印加するための画素電極と共通電極とが同
一面内に間隔を置いて設けられており、両電極間におい
て基板平面に対して液晶分子のディレクタを水平方向に
回転させることによって表示を行っている。したがっ
て、光の透過できる有効面積（開口部）は、画素電極と
共通電極の面積によって制限されると言った問題点を有
していた。これは、原理的には、画素電極及び共通電極
の双方について電極幅を１〜２μｍ程度にまで縮小すれ
ば、開口部を実用レベルにまで拡大することができる
が、実際には、基板全面に亘って、そのような細線を均
一に且つ断線がない様に形成することが、非常に困難な
ことであり、従って、従来例１及び従来例２のいずれに
開示されている広視野角液晶表示装置においても、開口
部を大きくすることが難しいためである。
液晶に電圧を印加するための画素電極と共通電極とが同
一面内に間隔を置いて設けられており、両電極間におい
て基板平面に対して液晶分子のディレクタを水平方向に
回転させることによって表示を行っている。したがっ
て、光の透過できる有効面積（開口部）は、画素電極と
共通電極の面積によって制限されると言った問題点を有
していた。これは、原理的には、画素電極及び共通電極
の双方について電極幅を１〜２μｍ程度にまで縮小すれ
ば、開口部を実用レベルにまで拡大することができる
が、実際には、基板全面に亘って、そのような細線を均
一に且つ断線がない様に形成することが、非常に困難な
ことであり、従って、従来例１及び従来例２のいずれに
開示されている広視野角液晶表示装置においても、開口
部を大きくすることが難しいためである。
【０００５】このような従来例１及び従来例２の有する
問題点を解決する構成を備える例として、特開平７−３
６０５８号公報（以下、従来例３）に開示されている広
視野角液晶表示装置が挙げられる。
問題点を解決する構成を備える例として、特開平７−３
６０５８号公報（以下、従来例３）に開示されている広
視野角液晶表示装置が挙げられる。
【０００６】従来例３の広視野角液晶表示装置は、図４
３乃至図４６に示されているように、走査用信号線１１
０と、データ線２１０と、共通電極３１０と、画素電極
４１０と薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以
下、ＴＦＴと呼ぶ。）５１０とを備えている。
３乃至図４６に示されているように、走査用信号線１１
０と、データ線２１０と、共通電極３１０と、画素電極
４１０と薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以
下、ＴＦＴと呼ぶ。）５１０とを備えている。
【０００７】このうち、ＴＦＴ５１０は、ＴＦＴ側ガラ
ス基板６１０上に設けられたゲート電極１４１０と、該
ゲート電極１４１０を覆うようにして設けられたゲート
絶縁膜２４１０と、該ゲート絶縁膜２４１０上に形成さ
れたドレイン電極９１０及びソース電極１０１０並びに
アモルファス−シリコン層（以下、ａ−Ｓｉ層）１１１
０と、ドレイン電極９１０及びソース電極１０１０とａ
−Ｓｉ層１１１０との間に設けられたｎ＋ａ−Ｓｉ層２
５１０と、それらの全てを覆うようにして設けられたパ
ッシベーション膜２６１０とを備えている。この構造
は、ゲート電極の上部にソース及びドレイン電極がある
構造（ボトムゲート構造）であるために、一般的には、
逆スタガ型と呼ばれている。ここで、ｎ+ａ−Ｓｉ層２
５１０は、ａ−Ｓｉ層１１１０とドレイン電極９１０と
の間、及びａ−Ｓｉ層１１１０とソース電極１０１０と
の間において、オーミックコンタクトを図るためのもの
である。
ス基板６１０上に設けられたゲート電極１４１０と、該
ゲート電極１４１０を覆うようにして設けられたゲート
絶縁膜２４１０と、該ゲート絶縁膜２４１０上に形成さ
れたドレイン電極９１０及びソース電極１０１０並びに
アモルファス−シリコン層（以下、ａ−Ｓｉ層）１１１
０と、ドレイン電極９１０及びソース電極１０１０とａ
−Ｓｉ層１１１０との間に設けられたｎ＋ａ−Ｓｉ層２
５１０と、それらの全てを覆うようにして設けられたパ
ッシベーション膜２６１０とを備えている。この構造
は、ゲート電極の上部にソース及びドレイン電極がある
構造（ボトムゲート構造）であるために、一般的には、
逆スタガ型と呼ばれている。ここで、ｎ+ａ−Ｓｉ層２
５１０は、ａ−Ｓｉ層１１１０とドレイン電極９１０と
の間、及びａ−Ｓｉ層１１１０とソース電極１０１０と
の間において、オーミックコンタクトを図るためのもの
である。
【０００８】また、走査用信号線１１０はゲート電極１
４１０に対して、データ線２１０はドレイン電極９１０
に対して、画素電極４１０はソース電極１０１０に対し
て、夫々、電気的に接続されている。
４１０に対して、データ線２１０はドレイン電極９１０
に対して、画素電極４１０はソース電極１０１０に対し
て、夫々、電気的に接続されている。
【０００９】また、パッシベーション膜２６１０上に
は、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
（プレティルト）に制御するための配向膜１５１０が設
けられており、ＴＦＴ側ガラス基板６１０から配向膜１
５１０までの構成要素にてＴＦＴ基板を形成している。
は、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
（プレティルト）に制御するための配向膜１５１０が設
けられており、ＴＦＴ側ガラス基板６１０から配向膜１
５１０までの構成要素にてＴＦＴ基板を形成している。
【００１０】更に、このＴＦＴ基板と、液晶分子が封止
された液晶層（図示せず）と、及び色層やブラックマト
リックス層を有するカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基
板と呼ぶ；図示せず）とで一つの液晶素子を形成してい
る。
された液晶層（図示せず）と、及び色層やブラックマト
リックス層を有するカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基
板と呼ぶ；図示せず）とで一つの液晶素子を形成してい
る。
【００１１】ここで、従来例３の特徴は、共通電極３１
０と画素電極４１０とが絶縁膜を介して互いに異なった
層に形成されていること、及び／又は、図４６にその一
例として示してあるように、共通電極３１０とデータ線
２１０が絶縁膜を介して互いに異なった層に形成されて
いることにある。
０と画素電極４１０とが絶縁膜を介して互いに異なった
層に形成されていること、及び／又は、図４６にその一
例として示してあるように、共通電極３１０とデータ線
２１０が絶縁膜を介して互いに異なった層に形成されて
いることにある。
【００１２】このような特徴を有する従来例３において
は、共通電極３１０と画素電極４１０とを互いに異なる
層上に形成しているため、形状、面積等において設計自
由度が大きくなると共に、基板面に対してほぼ水平な面
内で電界を生じさせることができる。
は、共通電極３１０と画素電極４１０とを互いに異なる
層上に形成しているため、形状、面積等において設計自
由度が大きくなると共に、基板面に対してほぼ水平な面
内で電界を生じさせることができる。
【００１３】従って、例えば、図４３に示されるよう
に、基板面に対してほぼ水平な面内で電界を生じさせる
ために必要な部分以外の部分において、共通電極３１０
と画素電極４１０とを重ね合わせることができる。これ
により、従来例３の広視野角液晶表示装置においては、
開口率を大きくすることができることとしている。
に、基板面に対してほぼ水平な面内で電界を生じさせる
ために必要な部分以外の部分において、共通電極３１０
と画素電極４１０とを重ね合わせることができる。これ
により、従来例３の広視野角液晶表示装置においては、
開口率を大きくすることができることとしている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例３の広視野角液晶表示装置は、以下に示すよう
に、依然として開口率を大きくすることができないとい
う問題を有していた。
た従来例３の広視野角液晶表示装置は、以下に示すよう
に、依然として開口率を大きくすることができないとい
う問題を有していた。
【００１５】従来例３の広視野角液晶表示装置は、前述
のように、共通電極３１０と画素電極４１０、及び／又
は、共通電極３１０とデータ線２１０が、絶縁膜を介し
て互いに異なった層に形成されており、このため、例え
ば、共通電極３１０の一部と画素電極４１０の一部とを
重ね合わせることができ、開口率の改善が図られるもの
としている。
のように、共通電極３１０と画素電極４１０、及び／又
は、共通電極３１０とデータ線２１０が、絶縁膜を介し
て互いに異なった層に形成されており、このため、例え
ば、共通電極３１０の一部と画素電極４１０の一部とを
重ね合わせることができ、開口率の改善が図られるもの
としている。
【００１６】しかしながら、一方で、特開平７−３６０
５８号公報には、共通電極３１０とデータ線２１０とに
ついては、決して重ならないように設計しなければなら
ない旨が明記されている。また、その理由として、共通
電極３１０とデータ線２１０との間の寄生容量が急激に
増大することにより、データ線２１０に伝達される信号
の振幅に対応して、共通電極３１０自体が振れてしまう
ことを防止するためであるとも記載されている。
５８号公報には、共通電極３１０とデータ線２１０とに
ついては、決して重ならないように設計しなければなら
ない旨が明記されている。また、その理由として、共通
電極３１０とデータ線２１０との間の寄生容量が急激に
増大することにより、データ線２１０に伝達される信号
の振幅に対応して、共通電極３１０自体が振れてしまう
ことを防止するためであるとも記載されている。
【００１７】従って、従来例３の広視野角液晶表示装置
は、共通電極３１０と画素電極４１０との関係からのみ
しか、開口率を大きくすることができず、共通電極３１
０とデータ線２１０との関係では、開口率を十分大きく
できない。
は、共通電極３１０と画素電極４１０との関係からのみ
しか、開口率を大きくすることができず、共通電極３１
０とデータ線２１０との関係では、開口率を十分大きく
できない。
【００１８】また、従来例３の広視野角液晶表示装置
は、更に重大な問題として、以下に示す様な理由によ
り、ブラックマトリックス層、即ち遮光エリアを広くと
らなければならず、結果として、開口率を大きくするこ
とができないといった問題を有していた。
は、更に重大な問題として、以下に示す様な理由によ
り、ブラックマトリックス層、即ち遮光エリアを広くと
らなければならず、結果として、開口率を大きくするこ
とができないといった問題を有していた。
【００１９】即ち、従来例３の広視野角液晶表示装置に
おいて、推奨している多くの例は、共通電極３１０が設
けられている層より、データ線２１０が設けられている
層の方が、液晶層に対して、より近い位置に配置されて
いるものである。また、従来例３の広視野角液晶表示装
置では、データ線２１０が設けられている層より、共通
電極３１０が設けられている層の方が、液晶層に対し
て、近い位置に配置されている場合においても、前述の
通り、共通電極３１０とデータ線２１０とが重ならない
ようにして、配置されていなければならない。
おいて、推奨している多くの例は、共通電極３１０が設
けられている層より、データ線２１０が設けられている
層の方が、液晶層に対して、より近い位置に配置されて
いるものである。また、従来例３の広視野角液晶表示装
置では、データ線２１０が設けられている層より、共通
電極３１０が設けられている層の方が、液晶層に対し
て、近い位置に配置されている場合においても、前述の
通り、共通電極３１０とデータ線２１０とが重ならない
ようにして、配置されていなければならない。
【００２０】従って、従来例３の広視野角液晶表示装置
においては、共通電極３１０と画素電極４１０との間に
電界を生じさせない場合であっても、データ線２１０に
供給される電圧に起因して、図４７に示されるように、
データ線２１０と画素電極４１０との間に生じる電界が
液晶層に対して影響を及ぼす、即ち漏れ電界が生じるこ
とになる。
においては、共通電極３１０と画素電極４１０との間に
電界を生じさせない場合であっても、データ線２１０に
供給される電圧に起因して、図４７に示されるように、
データ線２１０と画素電極４１０との間に生じる電界が
液晶層に対して影響を及ぼす、即ち漏れ電界が生じるこ
とになる。
【００２１】また、その結果として、次のような事態を
引き起こすことになる。例えば、ノーマリブラックモー
ドにおいて、データ線２１０に起因する漏れ電界によ
り、データ線２１０近傍の液晶分子のディレクタの配向
状態が乱れ、本来、黒を表示しなければならないのに、
白又は灰色などの中間色を表示してしまう、所謂、縦ク
ロストークを生じることになる。
引き起こすことになる。例えば、ノーマリブラックモー
ドにおいて、データ線２１０に起因する漏れ電界によ
り、データ線２１０近傍の液晶分子のディレクタの配向
状態が乱れ、本来、黒を表示しなければならないのに、
白又は灰色などの中間色を表示してしまう、所謂、縦ク
ロストークを生じることになる。
【００２２】従って、従来例３の広視野角液晶表示装置
においては、データ線２１０近傍に対して、遮光エリア
を十分に設ける必要があり、その結果、開口率が低下す
ると言った問題が生じていた。
においては、データ線２１０近傍に対して、遮光エリア
を十分に設ける必要があり、その結果、開口率が低下す
ると言った問題が生じていた。
【００２３】そこで、本発明の目的は、上述した問題を
解消すべく、かかる問題の原因となるデータ線からの漏
れ電界を低減することにより、開口率を大きくすること
ができる広視野角液晶表示装置を提供することにある。
解消すべく、かかる問題の原因となるデータ線からの漏
れ電界を低減することにより、開口率を大きくすること
ができる広視野角液晶表示装置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために、従来例３の有していた設計上の条件
にしばられることなく、データ線と画素電極との間に生
じる電界が液晶層に与える影響を軽減することができる
ように、共通電極の一部をデータ線の問題を引き起こす
部分の上部に配置することにより、データ線からの漏れ
電界が液晶層に対して及ぼす影響を低減することとし
た。
を解決するために、従来例３の有していた設計上の条件
にしばられることなく、データ線と画素電極との間に生
じる電界が液晶層に与える影響を軽減することができる
ように、共通電極の一部をデータ線の問題を引き起こす
部分の上部に配置することにより、データ線からの漏れ
電界が液晶層に対して及ぼす影響を低減することとし
た。
【００２５】具体的には、課題を解決するための手段と
して、以下に示す第１乃至第９の広視野角液晶表示装置
を提供することとする。
して、以下に示す第１乃至第９の広視野角液晶表示装置
を提供することとする。
【００２６】すなわち、本発明によれば、第１の広視野
角液晶表示装置として、能動素子基板と、当該基板上に
設けられた液晶層とを備えており、該能動素子基板内
に、ゲート、ドレイン、及びソースを有する薄膜トラン
ジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、各画
素の両端に配置された共通電極と、データ線と、並びに
走査用信号線とが設けられており、前記データ線と前記
共通電極とが互いに異なる層上に形成されており、前記
ゲートに対して前記走査用信号線が、前記ドレインに対
して前記データ線が、前記ソースに対して前記画素電極
が、夫々、電気的に接続されている液晶表示装置であっ
て、前記液晶層に封止されている液晶分子の分子軸の方
向を前記能動素子基板表面と水平な面内で回転させて表
示を行うことにより、広視野角を可能とした広視野角液
晶表示装置において、前記共通電極は、絶縁層を介在し
て前記データ線よりも上層に形成され、且つ、前記走査
用信号線との交差部を除く前記データ線の上部を覆って
隣接画素の前記共通電極と導通した構成を有することを
特徴とする広視野角液晶表示装置が得られる。
角液晶表示装置として、能動素子基板と、当該基板上に
設けられた液晶層とを備えており、該能動素子基板内
に、ゲート、ドレイン、及びソースを有する薄膜トラン
ジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、各画
素の両端に配置された共通電極と、データ線と、並びに
走査用信号線とが設けられており、前記データ線と前記
共通電極とが互いに異なる層上に形成されており、前記
ゲートに対して前記走査用信号線が、前記ドレインに対
して前記データ線が、前記ソースに対して前記画素電極
が、夫々、電気的に接続されている液晶表示装置であっ
て、前記液晶層に封止されている液晶分子の分子軸の方
向を前記能動素子基板表面と水平な面内で回転させて表
示を行うことにより、広視野角を可能とした広視野角液
晶表示装置において、前記共通電極は、絶縁層を介在し
て前記データ線よりも上層に形成され、且つ、前記走査
用信号線との交差部を除く前記データ線の上部を覆って
隣接画素の前記共通電極と導通した構成を有することを
特徴とする広視野角液晶表示装置が得られる。
【００２７】また、本発明によれば、第２の広視野角液
晶表示装置として、前記第１の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記走査用信号線との交差部を除く前記データ
線の上部を覆うように形成された前記共通電極の幅が、
該共通電極で覆われた部分における前記データ線の幅よ
りも広いことを特徴とする広視野角液晶表示装置が得ら
れる。
晶表示装置として、前記第１の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記走査用信号線との交差部を除く前記データ
線の上部を覆うように形成された前記共通電極の幅が、
該共通電極で覆われた部分における前記データ線の幅よ
りも広いことを特徴とする広視野角液晶表示装置が得ら
れる。
【００２８】また、本発明によれば、第３の広視野角液
晶表示装置として、前記第２の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記データ線の上部を覆うように設けられた前
記共通電極が、前記データ線に沿った方向のスリットを
有していることを特徴とする広視野角液晶表示装置が得
られる。
晶表示装置として、前記第２の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記データ線の上部を覆うように設けられた前
記共通電極が、前記データ線に沿った方向のスリットを
有していることを特徴とする広視野角液晶表示装置が得
られる。
【００２９】また、本発明によれば、第４の広視野角液
晶表示装置として、前記第３の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記スリットの幅は、前記走査用信号線との交
差部を除く前記データ線の前記幅よりも狭いことを特徴
とする広視野角液晶表示装置が得られる。
晶表示装置として、前記第３の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記スリットの幅は、前記走査用信号線との交
差部を除く前記データ線の前記幅よりも狭いことを特徴
とする広視野角液晶表示装置が得られる。
【００３０】また、本発明によれば、前記第５の広視野
角液晶表示装置として、前記第１乃至第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、前記走査用信号線と前記
共通電極とが同一層上に形成されていることを特徴とす
る広視野角液晶表示装置が得られる。
角液晶表示装置として、前記第１乃至第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、前記走査用信号線と前記
共通電極とが同一層上に形成されていることを特徴とす
る広視野角液晶表示装置が得られる。
【００３１】また、本発明によれば、第６の広視野角液
晶表示装置として、前記第１乃至前記第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、第５の広視野角液晶表示
装置において、前記薄膜トランジスタのゲートと前記走
査用信号線とを電気的に接続するためのゲート用コンタ
クトを更に備えており、前記走査用信号線は、前記共通
電極の設けられた層と異なる層であって、前記液晶層に
対して前記共通電極よりも遠い層に形成されており、且
つ、前記ゲート用コンタクトを介して、前記薄膜トラン
ジスタのゲートに電気的に接続されていることを特徴と
する広視野角液晶表示装置が得られる。
晶表示装置として、前記第１乃至前記第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、第５の広視野角液晶表示
装置において、前記薄膜トランジスタのゲートと前記走
査用信号線とを電気的に接続するためのゲート用コンタ
クトを更に備えており、前記走査用信号線は、前記共通
電極の設けられた層と異なる層であって、前記液晶層に
対して前記共通電極よりも遠い層に形成されており、且
つ、前記ゲート用コンタクトを介して、前記薄膜トラン
ジスタのゲートに電気的に接続されていることを特徴と
する広視野角液晶表示装置が得られる。
【００３２】また、本発明によれば、第７の広視野角液
晶表示装置として、前記第１乃至前記第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、前記薄膜トランジスタの
ドレインと前記データ線とを電気的に接続するためのド
レイン用コンタクトを更に備えており、前記データ線
は、前記薄膜トランジスタのドレインと異なる層であっ
て、前記液晶層に対して前記ドレインよりも遠い層に形
成されており、且つ、前記ドレイン用コンタクトを介し
て、前記ドレインと電気的に接続されていることを特徴
とする広視野角液晶表示装置が得られる。
晶表示装置として、前記第１乃至前記第４のいずれかの
広視野角液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ
が正スタガ構造を有し、且つ、前記薄膜トランジスタの
ドレインと前記データ線とを電気的に接続するためのド
レイン用コンタクトを更に備えており、前記データ線
は、前記薄膜トランジスタのドレインと異なる層であっ
て、前記液晶層に対して前記ドレインよりも遠い層に形
成されており、且つ、前記ドレイン用コンタクトを介し
て、前記ドレインと電気的に接続されていることを特徴
とする広視野角液晶表示装置が得られる。
【００３３】また、本発明によれば、第８の広視野角液
晶表示装置として、前記第２の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記共通電極は、エッジ部分が斜めになってお
り、テーパ角度が２０°〜８５°の範囲内にあるように
して、形成されていることを特徴とする広視野角液晶表
示装置が得られる。
晶表示装置として、前記第２の広視野角液晶表示装置に
おいて、前記共通電極は、エッジ部分が斜めになってお
り、テーパ角度が２０°〜８５°の範囲内にあるように
して、形成されていることを特徴とする広視野角液晶表
示装置が得られる。
【００３４】更に、本発明によれば、第９の広視野角液
晶表示装置として、前記第１乃至第６または第８のいず
れかの広視野角液晶表示装置において、前記データ線
が、前記共通電極と、前記データ線の下層に絶縁体層を
介在して設けられた下層共通電極と、前記共通電極と前
記下層共通電極を導通する溝状に形成されたコンタクト
スリットで、囲まれた構造としたことを特徴とする広視
野角液晶表示装置が得られる。
晶表示装置として、前記第１乃至第６または第８のいず
れかの広視野角液晶表示装置において、前記データ線
が、前記共通電極と、前記データ線の下層に絶縁体層を
介在して設けられた下層共通電極と、前記共通電極と前
記下層共通電極を導通する溝状に形成されたコンタクト
スリットで、囲まれた構造としたことを特徴とする広視
野角液晶表示装置が得られる。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の広視野角液晶表
示装置について、様々な実施の形態を挙げ、図面を用い
て説明する。
示装置について、様々な実施の形態を挙げ、図面を用い
て説明する。
【００４６】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１乃至図４に示さ
れる様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１乃至図４に示さ
れる様な構成を備えている。
【００４７】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号が供給される走査用信号線１０１と、
データ信号が供給されるデータ線２０１と、基準電位が
供給される共通電極３０１と、表示すべき画素に対応し
た画素電極４０１と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０
１とを備えており、走査用信号線１０１により供給され
る走査用信号で選択され、且つ、データ線２０１により
供給されるデータ信号で書き込まれた画素において、画
素電極４０１と共通電極３０１との間で、基板表面に対
して実質的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液
晶分子のディレクタを基板表面と水平な面内で回転させ
て表示を行うものである。
置は、走査用信号が供給される走査用信号線１０１と、
データ信号が供給されるデータ線２０１と、基準電位が
供給される共通電極３０１と、表示すべき画素に対応し
た画素電極４０１と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５０
１とを備えており、走査用信号線１０１により供給され
る走査用信号で選択され、且つ、データ線２０１により
供給されるデータ信号で書き込まれた画素において、画
素電極４０１と共通電極３０１との間で、基板表面に対
して実質的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液
晶分子のディレクタを基板表面と水平な面内で回転させ
て表示を行うものである。
【００４８】更に詳しくは、ＴＦＴ５０１は、図２に示
される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０１と、遮光膜７０
１と、第１層間膜８０１と、ドレイン電極９０１と、ソ
ース電極１００１と、ａ−Ｓｉ層１１０１と、ＳｉＮ層
１２０１と、第２層間膜１３０１と、ゲート電極１４０
１とを備えている。遮光膜７０１は、ａ−Ｓｉ層１１０
１に入射する光を遮光するためのものであり、電気的に
はフローティング状態にあるものである。第１層間膜８
０１は、遮光膜７０１を覆うようにして、ＴＦＴ側ガラ
ス基板６０１上に形成された絶縁膜である。ドレイン電
極９０１及びソース電極１００１は、第１層間膜８上に
形成されており、夫々、データ線２０１及び画素電極４
０１に対して電気的に接続されている。ａ−Ｓｉ層１１
０１は、ドレイン電極９０１とソース電極１００１との
間に形成され、ＴＦＴ５０１のチャネルとして動作す
る。ＳｉＮ層１２０１は、ａ−Ｓｉ層１１０１上に形成
されており、ＴＦＴ５０１におけるゲート絶縁膜を担保
するためのものである。第２層間膜１３０１は、ドレイ
ン電極９０１と、ソース電極１００１と、ＳｉＮ層１２
０１と、これらのいずれも形成されていない第１層間膜
８０１上の領域とを覆うようにして形成された絶縁膜で
ある。ゲート電極１４０１は、チャネル上方に位置する
ように第２層間膜１３０１上に形成されており、また、
走査用信号線１０１と電気的に接続されている。尚、本
実施の形態におけるＴＦＴ５０１は、図２から理解され
る様に、トップゲート構造を有するため一般に正スタガ
型と呼ばれる。
される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０１と、遮光膜７０
１と、第１層間膜８０１と、ドレイン電極９０１と、ソ
ース電極１００１と、ａ−Ｓｉ層１１０１と、ＳｉＮ層
１２０１と、第２層間膜１３０１と、ゲート電極１４０
１とを備えている。遮光膜７０１は、ａ−Ｓｉ層１１０
１に入射する光を遮光するためのものであり、電気的に
はフローティング状態にあるものである。第１層間膜８
０１は、遮光膜７０１を覆うようにして、ＴＦＴ側ガラ
ス基板６０１上に形成された絶縁膜である。ドレイン電
極９０１及びソース電極１００１は、第１層間膜８上に
形成されており、夫々、データ線２０１及び画素電極４
０１に対して電気的に接続されている。ａ−Ｓｉ層１１
０１は、ドレイン電極９０１とソース電極１００１との
間に形成され、ＴＦＴ５０１のチャネルとして動作す
る。ＳｉＮ層１２０１は、ａ−Ｓｉ層１１０１上に形成
されており、ＴＦＴ５０１におけるゲート絶縁膜を担保
するためのものである。第２層間膜１３０１は、ドレイ
ン電極９０１と、ソース電極１００１と、ＳｉＮ層１２
０１と、これらのいずれも形成されていない第１層間膜
８０１上の領域とを覆うようにして形成された絶縁膜で
ある。ゲート電極１４０１は、チャネル上方に位置する
ように第２層間膜１３０１上に形成されており、また、
走査用信号線１０１と電気的に接続されている。尚、本
実施の形態におけるＴＦＴ５０１は、図２から理解され
る様に、トップゲート構造を有するため一般に正スタガ
型と呼ばれる。
【００４９】また、走査用信号線１０１と共通電極３０
１とは、図３に示される様に、ゲート電極１４０１と同
じ層、即ち、第２層間膜１３０１上に形成されている。
データ線２０１と画素電極４０１とは、ドレイン電極９
０１及びソース電極１００１と同じ層、即ち、第１層間
膜８０１上に形成されている（データ線２０１に関して
は、図４参照）。
１とは、図３に示される様に、ゲート電極１４０１と同
じ層、即ち、第２層間膜１３０１上に形成されている。
データ線２０１と画素電極４０１とは、ドレイン電極９
０１及びソース電極１００１と同じ層、即ち、第１層間
膜８０１上に形成されている（データ線２０１に関して
は、図４参照）。
【００５０】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０１、共通電極３０１、及びゲー
ト電極１４０１を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０１を備えている（図３参照）。
置は、走査用信号線１０１、共通電極３０１、及びゲー
ト電極１４０１を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０１を備えている（図３参照）。
【００５１】ここで、ＴＦＴ側ガラス基板６０１から配
向膜１５０１までの構成要素にて構成される基板全体を
ＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０１と定義する。
向膜１５０１までの構成要素にて構成される基板全体を
ＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０１と定義する。
【００５２】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、カラーフィルタ側のガラス基板であるＣＦ側ガラ
ス基板１７０１と、不必要な光を遮るためのブラックマ
トリックス層（ＢＭ層）１８０１と、ＲＧＢの三原色を
もつ染料や顔料の入った樹脂膜である色層（カラーフィ
ルタ；以下、ＣＦ層）１９０１と、配向膜（ＣＦ基板側
配向膜）２００１とを備えている。
置は、カラーフィルタ側のガラス基板であるＣＦ側ガラ
ス基板１７０１と、不必要な光を遮るためのブラックマ
トリックス層（ＢＭ層）１８０１と、ＲＧＢの三原色を
もつ染料や顔料の入った樹脂膜である色層（カラーフィ
ルタ；以下、ＣＦ層）１９０１と、配向膜（ＣＦ基板側
配向膜）２００１とを備えている。
【００５３】ここで、ＣＦ側ガラス基板１７０１から配
向膜２００１までの構成要素にて構成される基板をＣＦ
基板２１０１と定義する。
向膜２００１までの構成要素にて構成される基板をＣＦ
基板２１０１と定義する。
【００５４】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、液晶分子が封止される液晶層２２０１を備えてお
り、該液晶層２２０１にＴＦＴ基板側配向膜１５０１及
びＣＦ基板側配向膜２００１とが隣接する様にして、Ｔ
ＦＴ基板１６０１とＣＦ基板２１０１とで液晶層２２０
１とを挟むような構成を有している。
置は、液晶分子が封止される液晶層２２０１を備えてお
り、該液晶層２２０１にＴＦＴ基板側配向膜１５０１及
びＣＦ基板側配向膜２００１とが隣接する様にして、Ｔ
ＦＴ基板１６０１とＣＦ基板２１０１とで液晶層２２０
１とを挟むような構成を有している。
【００５５】尚、実際には、液晶層の厚みを保持するた
めのスペーサ及び液晶分子を外部に漏らさないためのシ
ール剤などを必要とするが、これらの要素は、本発明に
直接的に関係するものではないため説明を省略する。
めのスペーサ及び液晶分子を外部に漏らさないためのシ
ール剤などを必要とするが、これらの要素は、本発明に
直接的に関係するものではないため説明を省略する。
【００５６】ここで、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置の特徴は、図１及び図４に示される様に、共通電極
３０１の特定領域が、データ線２０１の特定領域上に、
該データ線２０１の特定領域全体を覆う様にして、形成
されていることにある。
装置の特徴は、図１及び図４に示される様に、共通電極
３０１の特定領域が、データ線２０１の特定領域上に、
該データ線２０１の特定領域全体を覆う様にして、形成
されていることにある。
【００５７】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、従来例３の広視野角液晶表示装置と比
較して、データ線２０１の電界が共通電極３０１により
シールドされることになり、画素電極４０１とデータ線
２０１との間に生じる電界により液晶層２２０１に対し
て及ぼされる影響がなくなることになる。即ち、本実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、従来例３において問
題とされていた漏れ電界が生じない構成を備えているも
のである。
装置においては、従来例３の広視野角液晶表示装置と比
較して、データ線２０１の電界が共通電極３０１により
シールドされることになり、画素電極４０１とデータ線
２０１との間に生じる電界により液晶層２２０１に対し
て及ぼされる影響がなくなることになる。即ち、本実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、従来例３において問
題とされていた漏れ電界が生じない構成を備えているも
のである。
【００５８】尚、共通電極３０１の特定領域とは、図１
に示される走査用信号線１０１が延設されている方向
（即ち、図１における横方向であり、図４の断面におい
ても横方向）に幅ＷCOMを有し、且つ、走査用信号線１
０１に直交する方向（図１における上下方向、図４にお
ける紙面に垂直な方向）に長さＬCOMを有する様にし
て、データ線２０１上に設けられている矩形形状の領域
をいう。また、データ線２０１の特定領域とは、該共通
電極３０１の特定領域にて覆われている全ての部分であ
り、共通電極３０１の特定領域と同じ長さＬCOMを有
し、且つ、幅ＷDを有する矩形形状の領域をいう。
に示される走査用信号線１０１が延設されている方向
（即ち、図１における横方向であり、図４の断面におい
ても横方向）に幅ＷCOMを有し、且つ、走査用信号線１
０１に直交する方向（図１における上下方向、図４にお
ける紙面に垂直な方向）に長さＬCOMを有する様にし
て、データ線２０１上に設けられている矩形形状の領域
をいう。また、データ線２０１の特定領域とは、該共通
電極３０１の特定領域にて覆われている全ての部分であ
り、共通電極３０１の特定領域と同じ長さＬCOMを有
し、且つ、幅ＷDを有する矩形形状の領域をいう。
【００５９】以上説明してきた様に、本実施の形態の広
視野角液晶表示装置は、漏れ電界が生じない構成を備え
ていることから、必要とするＢＭ層１８０１の領域も従
来例３の構造と比較して少なくてすむため、結果とし
て、高い開口率を得ることができるものである。
視野角液晶表示装置は、漏れ電界が生じない構成を備え
ていることから、必要とするＢＭ層１８０１の領域も従
来例３の構造と比較して少なくてすむため、結果とし
て、高い開口率を得ることができるものである。
【００６０】尚、参考までに、本発明の特徴となるＴＦ
Ｔ基板１６０１に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
Ｔ基板１６０１に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
【００６１】まず、ＴＦＴ側ガラス基板６０１上の所定
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして遮
光膜７０１を形成する。ここで、所定の領域とは、上記
説明から理解される通り、後に形成されるａ−Ｓｉ層１
１０１に対してＴＦＴ側ガラス基板６０１方向からの光
を遮蔽する領域をいう。
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして遮
光膜７０１を形成する。ここで、所定の領域とは、上記
説明から理解される通り、後に形成されるａ−Ｓｉ層１
１０１に対してＴＦＴ側ガラス基板６０１方向からの光
を遮蔽する領域をいう。
【００６２】次に、遮光膜７０１を覆う様にしてＴＦＴ
側ガラス基板６０１に対して、絶縁体であるＳｉＮを３
０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、第１層間膜８０１を
形成する。
側ガラス基板６０１に対して、絶縁体であるＳｉＮを３
０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、第１層間膜８０１を
形成する。
【００６３】次に、第１層間膜８０１上に対して、Ｃｒ
を１０００Ａ程度スパッタして、ドレイン電極９０１と
データ線２０１、及びソース電極１００１と画素電極４
０１が、夫々一体となるように形成する。従って、当然
のことながら、ドレイン電極９０１とデータ線２０１、
及びソース電極１００１と画素電極４０１は、夫々、電
気的に接続されていることになる。
を１０００Ａ程度スパッタして、ドレイン電極９０１と
データ線２０１、及びソース電極１００１と画素電極４
０１が、夫々一体となるように形成する。従って、当然
のことながら、ドレイン電極９０１とデータ線２０１、
及びソース電極１００１と画素電極４０１は、夫々、電
気的に接続されていることになる。
【００６４】次に、ドレイン電極９０１とソース電極１
００１との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０１及び
ＳｉＮ層１２０１を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
００１との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０１及び
ＳｉＮ層１２０１を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
【００６５】次に、一体として形成されたドレイン９０
１電極及びデータ線２０１、同じく一体として形成され
たソース電極１００１及び画素電極４０１、ａ−Ｓｉ層
１１０１上のＳｉＮ層１２０１、並びに何も形成されて
いない第１層間膜８０１上の領域の全てに対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて
第２層間膜１３０１を形成する。
１電極及びデータ線２０１、同じく一体として形成され
たソース電極１００１及び画素電極４０１、ａ−Ｓｉ層
１１０１上のＳｉＮ層１２０１、並びに何も形成されて
いない第１層間膜８０１上の領域の全てに対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて
第２層間膜１３０１を形成する。
【００６６】最後に、第２層間膜１３０１上に対して、
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタし、走査用信号線１０１
とゲート電極１４０１とが一体となる様な形状に、且つ
共通電極３０１が前述した条件を満たす様な形状に、走
査用信号線１０１、ゲート電極１４０１、共通電極３０
１を形成し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０１
を形成する。
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタし、走査用信号線１０１
とゲート電極１４０１とが一体となる様な形状に、且つ
共通電極３０１が前述した条件を満たす様な形状に、走
査用信号線１０１、ゲート電極１４０１、共通電極３０
１を形成し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０１
を形成する。
【００６７】以上説明してきた様な手順に従うことによ
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０１の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０１の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
【００６８】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図５乃至図８に示さ
れる様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図５乃至図８に示さ
れる様な構成を備えている。
【００６９】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０２と、データ線２０２と、共通
電極３０２と、画素電極４０２と、ＴＦＴ５０２とを備
えており、走査用信号線１０２により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０２により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０２と共通電極３０２との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
置は、走査用信号線１０２と、データ線２０２と、共通
電極３０２と、画素電極４０２と、ＴＦＴ５０２とを備
えており、走査用信号線１０２により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０２により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０２と共通電極３０２との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
【００７０】更に詳しくは、ＴＦＴ５０２は、図６に示
される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０２と、遮光膜７０
２と、第１層間膜８０２と、ドレイン電極９０２と、ソ
ース電極１００２と、ａ−Ｓｉ層１１０２と、ＳｉＮ層
１２０２と、第２層間膜１３０２と、ゲート電極１４０
２とを備えている。尚、遮光膜７０２、第１層間膜８０
２、ドレイン電極９０２、ソース電極１００２、ａ−Ｓ
ｉ層１１０２、ＳｉＮ層１２０２、第２層間膜１３０
２、及びゲート電極１４０２は、第１の実施の形態の遮
光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０１、
ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１
２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１に、
夫々対応するものである。従って、当該性質等に関する
説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ５０
２も、第１の実施の形態と同様、正スタガ型のものであ
る。
される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０２と、遮光膜７０
２と、第１層間膜８０２と、ドレイン電極９０２と、ソ
ース電極１００２と、ａ−Ｓｉ層１１０２と、ＳｉＮ層
１２０２と、第２層間膜１３０２と、ゲート電極１４０
２とを備えている。尚、遮光膜７０２、第１層間膜８０
２、ドレイン電極９０２、ソース電極１００２、ａ−Ｓ
ｉ層１１０２、ＳｉＮ層１２０２、第２層間膜１３０
２、及びゲート電極１４０２は、第１の実施の形態の遮
光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０１、
ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１
２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１に、
夫々対応するものである。従って、当該性質等に関する
説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ５０
２も、第１の実施の形態と同様、正スタガ型のものであ
る。
【００７１】また、本実施の形態においても、第１の実
施の形態と同様に、走査用信号線１０２と共通電極３０
２とは、図７に示される様に、ゲート電極１４０２と同
じ層、即ち、第２層間膜１３０２上に形成されている。
データ線２０２と画素電極４０２とは、ドレイン電極９
０２及びソース電極１００２と同じ層、即ち、第１層間
膜８０２上に形成されている（データ線２０２に関して
は、図８参照）。
施の形態と同様に、走査用信号線１０２と共通電極３０
２とは、図７に示される様に、ゲート電極１４０２と同
じ層、即ち、第２層間膜１３０２上に形成されている。
データ線２０２と画素電極４０２とは、ドレイン電極９
０２及びソース電極１００２と同じ層、即ち、第１層間
膜８０２上に形成されている（データ線２０２に関して
は、図８参照）。
【００７２】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０２、共通電極３０２、及びゲー
ト電極１４０２を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０２を備えている（図７参照）。
尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ側ガラス基板６０
２から配向膜１５０２までの構成要素にてＴＦＴ基板
（能動素子基板）１６０２が構成されている。
置は、走査用信号線１０２、共通電極３０２、及びゲー
ト電極１４０２を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０２を備えている（図７参照）。
尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ側ガラス基板６０
２から配向膜１５０２までの構成要素にてＴＦＴ基板
（能動素子基板）１６０２が構成されている。
【００７３】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０２と、ＢＭ層１８０２
と、ＣＦ層１９０２と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００２とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０２から配向膜２００２までの構
成要素にてＣＦ基板２１０２が構成されている。
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０２と、ＢＭ層１８０２
と、ＣＦ層１９０２と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００２とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０２から配向膜２００２までの構
成要素にてＣＦ基板２１０２が構成されている。
【００７４】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０２を備
えており、該液晶層２２０２にＴＦＴ基板側配向膜１５
０２及びＣＦ基板側配向膜２００２とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０２とＣＦ基板２１０２とで液晶層
２２０２とを挟むような構成を有している。
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０２を備
えており、該液晶層２２０２にＴＦＴ基板側配向膜１５
０２及びＣＦ基板側配向膜２００２とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０２とＣＦ基板２１０２とで液晶層
２２０２とを挟むような構成を有している。
【００７５】ここで、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置の特徴は、図５及び図８に示される様に、共通電極
３０２の特定領域の周囲が、データ線２０２の特定領域
上に、形成されていることにある。また、共通電極３０
２の特定領域は、データ線２０２の特定領域の幅ＷDよ
りも狭い幅ＷSのスリットを有しており、更に、スリッ
トを含めた最大幅ＷCOMがデータ線２０２の特定領域の
幅ＷDよりも広いものである。尚、共通電極３０２及び
データ線２０２の特定領域のいずれも長さＬを備えてい
る。
装置の特徴は、図５及び図８に示される様に、共通電極
３０２の特定領域の周囲が、データ線２０２の特定領域
上に、形成されていることにある。また、共通電極３０
２の特定領域は、データ線２０２の特定領域の幅ＷDよ
りも狭い幅ＷSのスリットを有しており、更に、スリッ
トを含めた最大幅ＷCOMがデータ線２０２の特定領域の
幅ＷDよりも広いものである。尚、共通電極３０２及び
データ線２０２の特定領域のいずれも長さＬを備えてい
る。
【００７６】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、従来例３の広視野角液晶表示装置と比
較して、データ線２０２の電界が共通電極３０２により
シールドされることになり、画素電極４０２とデータ線
２０２との間に生じる電界により液晶層２２０２に対し
て及ぼされる影響が軽減されることになる。即ち、本実
施の形態の広視野角液晶表示装置は、漏れ電界を軽減す
ることができる構成を備えているものである。また、本
実施の形態の広視野角液晶表示装置においては、第１の
実施の形態と比較して、漏れ電界を完全になくすことは
できないものの、共通電極３０２の特定領域にスリット
を有していることにより、データ線２０２と共通電極３
０２との間の寄生容量を減らすことができる。
装置においては、従来例３の広視野角液晶表示装置と比
較して、データ線２０２の電界が共通電極３０２により
シールドされることになり、画素電極４０２とデータ線
２０２との間に生じる電界により液晶層２２０２に対し
て及ぼされる影響が軽減されることになる。即ち、本実
施の形態の広視野角液晶表示装置は、漏れ電界を軽減す
ることができる構成を備えているものである。また、本
実施の形態の広視野角液晶表示装置においては、第１の
実施の形態と比較して、漏れ電界を完全になくすことは
できないものの、共通電極３０２の特定領域にスリット
を有していることにより、データ線２０２と共通電極３
０２との間の寄生容量を減らすことができる。
【００７７】以上説明してきた様に、本実施の形態の広
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、データ線と共通電極との間の寄生容量
を緩和することができるものである。
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、データ線と共通電極との間の寄生容量
を緩和することができるものである。
【００７８】尚、本実施の形態の特徴となるＴＦＴ基板
１６０２を製造する手順等は、共通電極３０２に対して
スリットを形成することを除き、第１の実施の形態と同
様である。
１６０２を製造する手順等は、共通電極３０２に対して
スリットを形成することを除き、第１の実施の形態と同
様である。
【００７９】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図９乃至図１３に示
される様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図９乃至図１３に示
される様な構成を備えている。
【００８０】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０３と、データ線２０３と、共通
電極３０３と、画素電極４０３と、ＴＦＴ５０３とを備
えており、走査用信号線１０３により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０３により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０３と共通電極３０３との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
置は、走査用信号線１０３と、データ線２０３と、共通
電極３０３と、画素電極４０３と、ＴＦＴ５０３とを備
えており、走査用信号線１０３により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０３により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０３と共通電極３０３との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
【００８１】更に詳しくは、ＴＦＴ５０３は、図１０に
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０３と、走査用信
号線１０３と、第１層間膜８０３と、ドレイン電極９０
３と、ソース電極１００３と、ａ−Ｓｉ層１１０３と、
ＳｉＮ層１２０３と、第２層間膜１３０３と、ゲート電
極１４０３とを備えている。尚、第１層間膜８０３、ド
レイン電極９０３、ソース電極１００３、ａ−Ｓｉ層１
１０３、ＳｉＮ層１２０３、第２層間膜１３０３、及び
ゲート電極１４０３は、第１の実施の形態の第１層間膜
８０１、ドレイン電極９０１、ソース電極１００１、ａ
−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１２０１、第２層間膜１３
０１、ゲート電極１４０１に、夫々対応するものであ
る。従って、当該性質等に関する説明は省略する。尚、
本実施の形態におけるＴＦＴ５０３も、第１の実施の形
態と同様に、正スタガ型のものである。
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０３と、走査用信
号線１０３と、第１層間膜８０３と、ドレイン電極９０
３と、ソース電極１００３と、ａ−Ｓｉ層１１０３と、
ＳｉＮ層１２０３と、第２層間膜１３０３と、ゲート電
極１４０３とを備えている。尚、第１層間膜８０３、ド
レイン電極９０３、ソース電極１００３、ａ−Ｓｉ層１
１０３、ＳｉＮ層１２０３、第２層間膜１３０３、及び
ゲート電極１４０３は、第１の実施の形態の第１層間膜
８０１、ドレイン電極９０１、ソース電極１００１、ａ
−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１２０１、第２層間膜１３
０１、ゲート電極１４０１に、夫々対応するものであ
る。従って、当該性質等に関する説明は省略する。尚、
本実施の形態におけるＴＦＴ５０３も、第１の実施の形
態と同様に、正スタガ型のものである。
【００８２】ここで、遮光膜７０１の位置に設けられて
いる走査用信号線１０３は、遮光膜７０１と同様、ａ−
Ｓｉ層１１０３に基板底面側から入射する光を遮る役割
を果たしている。また、この構成から理解される様に、
本実施の形態においては、ゲート電極１４０３と走査用
信号線１０３とが異なる層に形成されている。但し、本
実施の形態においても、ゲート電極１４０３と走査用信
号線１０３とは、図１１に示される様に、コンタクト２
３０３を介して電気的に接続されている。
いる走査用信号線１０３は、遮光膜７０１と同様、ａ−
Ｓｉ層１１０３に基板底面側から入射する光を遮る役割
を果たしている。また、この構成から理解される様に、
本実施の形態においては、ゲート電極１４０３と走査用
信号線１０３とが異なる層に形成されている。但し、本
実施の形態においても、ゲート電極１４０３と走査用信
号線１０３とは、図１１に示される様に、コンタクト２
３０３を介して電気的に接続されている。
【００８３】また、本実施の形態においては、走査用信
号線１０３と共通電極３０３とは、図１２から理解され
る様に、異なる層上に形成されている。即ち、走査用信
号線１０３はＴＦＴ側ガラス基板６０３上に形成されて
おり、共通電極３０３はゲート電極１４０３と同じく第
２層間膜１３０３上に形成されている。尚、データ線２
０３と画素電極４０３とは、本実施の形態においても、
ドレイン電極９０３及びソース電極１００３と同じ層、
即ち、第１層間膜８０３上に形成されている（図１１及
び図１３参照）。
号線１０３と共通電極３０３とは、図１２から理解され
る様に、異なる層上に形成されている。即ち、走査用信
号線１０３はＴＦＴ側ガラス基板６０３上に形成されて
おり、共通電極３０３はゲート電極１４０３と同じく第
２層間膜１３０３上に形成されている。尚、データ線２
０３と画素電極４０３とは、本実施の形態においても、
ドレイン電極９０３及びソース電極１００３と同じ層、
即ち、第１層間膜８０３上に形成されている（図１１及
び図１３参照）。
【００８４】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、共通電極３０３、及びゲート電極１４０３を覆う
様にして設けられた配向膜（ＴＦＴ基板側配向膜）１５
０３を備えている（図１１乃至図１３参照）。尚、本実
施の形態においても、ＴＦＴ側ガラス基板６０３から配
向膜１５０３までの構成要素にてＴＦＴ基板（能動素子
基板）１６０３が構成されている。
置は、共通電極３０３、及びゲート電極１４０３を覆う
様にして設けられた配向膜（ＴＦＴ基板側配向膜）１５
０３を備えている（図１１乃至図１３参照）。尚、本実
施の形態においても、ＴＦＴ側ガラス基板６０３から配
向膜１５０３までの構成要素にてＴＦＴ基板（能動素子
基板）１６０３が構成されている。
【００８５】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０３と、ＢＭ層１８０３
と、ＣＦ層１９０３と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００３とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０３から配向膜２００３までの構
成要素にてＣＦ基板２１０３が構成されている。
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０３と、ＢＭ層１８０３
と、ＣＦ層１９０３と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００３とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０３から配向膜２００３までの構
成要素にてＣＦ基板２１０３が構成されている。
【００８６】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０３を備
えており、該液晶層２２０３にＴＦＴ基板側配向膜１５
０３及びＣＦ基板側配向膜２００３とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０３とＣＦ基板２１０３とで液晶層
２２０３とを挟むような構成を有している。
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０３を備
えており、該液晶層２２０３にＴＦＴ基板側配向膜１５
０３及びＣＦ基板側配向膜２００３とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０３とＣＦ基板２１０３とで液晶層
２２０３とを挟むような構成を有している。
【００８７】ここで、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置の特徴は、図９及び図１３に示される様に、共通電
極３０３の特定領域がデータ線２０３の特定領域上に形
成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０３の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０３の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
装置の特徴は、図９及び図１３に示される様に、共通電
極３０３の特定領域がデータ線２０３の特定領域上に形
成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０３の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０３の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
【００８８】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。また、本実施の形態の広視野角
液晶表示装置においては、共通電極３０３と走査用信号
線１０３とを異なる層上に形成することにより、第１の
実施の形態と比較して、製造時における共通電極３０３
と走査用信号線１０３とのショートを減少させることが
できることから、歩留りを上昇させることができる。
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。また、本実施の形態の広視野角
液晶表示装置においては、共通電極３０３と走査用信号
線１０３とを異なる層上に形成することにより、第１の
実施の形態と比較して、製造時における共通電極３０３
と走査用信号線１０３とのショートを減少させることが
できることから、歩留りを上昇させることができる。
【００８９】以上説明してきた様に、本実施の形態の広
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、歩留りの向上が図られたものである。
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、歩留りの向上が図られたものである。
【００９０】尚、参考までに、本発明の特徴となるＴＦ
Ｔ基板１６０３に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
Ｔ基板１６０３に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
【００９１】まず、ＴＦＴ側ガラス基板６０３上の所定
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして走
査用信号線１０３を形成する。
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして走
査用信号線１０３を形成する。
【００９２】次に、走査用信号線１０３を覆う様にして
ＴＦＴ側ガラス基板６０３に対して、絶縁体であるＳｉ
Ｎを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、第１層間膜８
０３を形成する。
ＴＦＴ側ガラス基板６０３に対して、絶縁体であるＳｉ
Ｎを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、第１層間膜８
０３を形成する。
【００９３】次に、第１層間膜８０３上に対して、Ｃｒ
を１０００Ａ程度スパッタして、ドレイン電極９０３と
データ線２０３、及びソース電極１００３と画素電極４
０３が、夫々一体となるように形成する。従って、当然
のことながら、ドレイン電極９０３とデータ線２０３、
及びソース電極１００３と画素電極４０３は、夫々、電
気的に接続されていることになる。
を１０００Ａ程度スパッタして、ドレイン電極９０３と
データ線２０３、及びソース電極１００３と画素電極４
０３が、夫々一体となるように形成する。従って、当然
のことながら、ドレイン電極９０３とデータ線２０３、
及びソース電極１００３と画素電極４０３は、夫々、電
気的に接続されていることになる。
【００９４】次に、ドレイン電極９０３とソース電極１
００３との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０３及び
ＳｉＮ層１２０３を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
００３との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０３及び
ＳｉＮ層１２０３を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
【００９５】次に、一体として形成されたドレイン電極
９０３及びデータ線２０３、同じく一体として形成され
たソース電極１００３及び画素電極４０３、ａ−Ｓｉ層
１１０３上のＳｉＮ層１２０３、並びに何も形成されて
いない第１層間膜８０３上の領域の全てに対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて
第２層間膜１３０３を形成する。
９０３及びデータ線２０３、同じく一体として形成され
たソース電極１００３及び画素電極４０３、ａ−Ｓｉ層
１１０３上のＳｉＮ層１２０３、並びに何も形成されて
いない第１層間膜８０３上の領域の全てに対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて
第２層間膜１３０３を形成する。
【００９６】次に、第２層間膜１３０３及び第１層間膜
８０３の所定の領域に対してエッチングして、走査用信
号線１０３に通じる孔を形成し、該孔をＣｒ等で満たし
てコンタクト２３０３を形成する。
８０３の所定の領域に対してエッチングして、走査用信
号線１０３に通じる孔を形成し、該孔をＣｒ等で満たし
てコンタクト２３０３を形成する。
【００９７】最後に、第２層間膜１３０３上に対して、
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共通電極３０３が
前述の条件を満たす様にして、共通電極３０３、ゲート
電極１４０３を形成し、それら全てを覆う様にして配向
膜１５０３を形成する。尚、この際、ゲート電極１４０
３と走査用信号線１０３とはコンタクト２３０３を介し
て電気的に接続されていることは、いうまでもない。
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共通電極３０３が
前述の条件を満たす様にして、共通電極３０３、ゲート
電極１４０３を形成し、それら全てを覆う様にして配向
膜１５０３を形成する。尚、この際、ゲート電極１４０
３と走査用信号線１０３とはコンタクト２３０３を介し
て電気的に接続されていることは、いうまでもない。
【００９８】以上説明してきた様な手順に従うことによ
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０３の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０３の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
【００９９】（第４の実施の形態）本発明の第４の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１４乃至図１８に
示される様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１４乃至図１８に
示される様な構成を備えている。
【０１００】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０４と、データ線２０４と、共通
電極３０４と、画素電極４０４と、ＴＦＴ５０４とを備
えており、走査用信号線１０４により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０４により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０４と共通電極３０４との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
置は、走査用信号線１０４と、データ線２０４と、共通
電極３０４と、画素電極４０４と、ＴＦＴ５０４とを備
えており、走査用信号線１０４により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０４により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０４と共通電極３０４との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
【０１０１】更に詳しくは、ＴＦＴ５０４は、図１５に
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０４と、遮光膜７
０４と、第１層間膜８０４と、ドレイン電極９０４と、
ソース電極１００４と、ａ−Ｓｉ層１１０４と、ＳｉＮ
層１２０４と、第２層間膜１３０４と、ゲート電極１４
０４とを備えている。尚、遮光膜７０４、第１層間膜８
０４、ドレイン電極９０４、ソース電極１００４、ａ−
Ｓｉ層１１０４、ＳｉＮ層１２０４、第２層間膜１３０
４、及びゲート電極１４０４は、第１の実施の形態の遮
光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０１、
ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１
２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１に、
夫々対応するものである。従って、当該性質等に関する
説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ５０
４も、第１の実施の形態と同様に、正スタガ構造のもの
である。
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０４と、遮光膜７
０４と、第１層間膜８０４と、ドレイン電極９０４と、
ソース電極１００４と、ａ−Ｓｉ層１１０４と、ＳｉＮ
層１２０４と、第２層間膜１３０４と、ゲート電極１４
０４とを備えている。尚、遮光膜７０４、第１層間膜８
０４、ドレイン電極９０４、ソース電極１００４、ａ−
Ｓｉ層１１０４、ＳｉＮ層１２０４、第２層間膜１３０
４、及びゲート電極１４０４は、第１の実施の形態の遮
光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０１、
ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ層１
２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１に、
夫々対応するものである。従って、当該性質等に関する
説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ５０
４も、第１の実施の形態と同様に、正スタガ構造のもの
である。
【０１０２】また、本実施の形態においても、第１の実
施の形態と同様に、走査用信号線１０４と共通電極３０
４とは、図１６から理解される様に、ゲート電極１４０
と同じ層、即ち、第２層間膜１３０４上に形成されてい
る。一方、データ線２０４と画素電極４０４とは、異な
る層上に形成されている。即ち、データ線２０４は、Ｔ
ＦＴ側ガラス基板６０４上に形成されており、画素電極
４０４は第１層間膜８０４上に形成されている。但し、
本実施の形態においても、ドレイン電極９０４とデータ
線２０４とは、図１８に示される様に、コンタクト２３
０４を介して電気的に接続されている。
施の形態と同様に、走査用信号線１０４と共通電極３０
４とは、図１６から理解される様に、ゲート電極１４０
と同じ層、即ち、第２層間膜１３０４上に形成されてい
る。一方、データ線２０４と画素電極４０４とは、異な
る層上に形成されている。即ち、データ線２０４は、Ｔ
ＦＴ側ガラス基板６０４上に形成されており、画素電極
４０４は第１層間膜８０４上に形成されている。但し、
本実施の形態においても、ドレイン電極９０４とデータ
線２０４とは、図１８に示される様に、コンタクト２３
０４を介して電気的に接続されている。
【０１０３】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０４、共通電極３０４、及びゲー
ト電極１４０４を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０４を備えている（図１６乃至図
１８参照）。尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ側ガ
ラス基板６０４から配向膜１５０４までの構成要素にて
ＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０４が構成されてい
る。
置は、走査用信号線１０４、共通電極３０４、及びゲー
ト電極１４０４を覆う様にして設けられた配向膜（ＴＦ
Ｔ基板側配向膜）１５０４を備えている（図１６乃至図
１８参照）。尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ側ガ
ラス基板６０４から配向膜１５０４までの構成要素にて
ＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０４が構成されてい
る。
【０１０４】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０４と、ＢＭ層１８０４
と、ＣＦ層１９０４と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００４とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０４から配向膜２００４までの構
成要素にてＣＦ基板２１０４が構成されている。
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０４と、ＢＭ層１８０４
と、ＣＦ層１９０４と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００４とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０４から配向膜２００４までの構
成要素にてＣＦ基板２１０４が構成されている。
【０１０５】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０４を備
えており、該液晶層２２０４にＴＦＴ基板側配向膜１５
０４及びＣＦ基板側配向膜２００４とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０４とＣＦ基板２１０４とで液晶層
２２０４とを挟むような構成を有している。
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０４を備
えており、該液晶層２２０４にＴＦＴ基板側配向膜１５
０４及びＣＦ基板側配向膜２００４とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０４とＣＦ基板２１０４とで液晶層
２２０４とを挟むような構成を有している。
【０１０６】ここで、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置の特徴は、図１４及び図１７に示される様に、共通
電極３０４の特定領域がデータ線２０４の特定領域上に
形成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０４の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０４の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
装置の特徴は、図１４及び図１７に示される様に、共通
電極３０４の特定領域がデータ線２０４の特定領域上に
形成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０４の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０４の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
【０１０７】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。また、本実施の形態の広視野角
液晶表示装置においては、データ線２０４を画素電極４
０４と比較して液晶層２２０４より遠い層上に設けるこ
とにより、データ線２０４と共通電極３０４との間の距
離を離すことができるため、第１の実施の形態と比較し
て、データ線２０４と共通電極３０４の間の寄生容量を
減らすことができる。
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。また、本実施の形態の広視野角
液晶表示装置においては、データ線２０４を画素電極４
０４と比較して液晶層２２０４より遠い層上に設けるこ
とにより、データ線２０４と共通電極３０４との間の距
離を離すことができるため、第１の実施の形態と比較し
て、データ線２０４と共通電極３０４の間の寄生容量を
減らすことができる。
【０１０８】以上説明してきた様に、本実施の形態の広
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、データ線２０４と共通電極３０４との
間の寄生容量を緩和することができるものである。
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものであると共に、第１の実施の
形態と比較して、データ線２０４と共通電極３０４との
間の寄生容量を緩和することができるものである。
【０１０９】尚、参考までに、本発明の特徴となるＴＦ
Ｔ基板１６０４に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
Ｔ基板１６０４に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
【０１１０】まず、ＴＦＴ側ガラス基板６０４上の所定
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、
データ線２０４及び遮光膜７０４を形成する。
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、
データ線２０４及び遮光膜７０４を形成する。
【０１１１】次に、データ線２０４及び遮光膜７０４を
覆う様にしてＴＦＴ側ガラス基板６０４に対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、
第１層間膜８０４を形成する。
覆う様にしてＴＦＴ側ガラス基板６０４に対して、絶縁
体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させ、
第１層間膜８０４を形成する。
【０１１２】次に、第１層間膜８０４に対してエッチン
グして、データ線に通じる様な孔を形成し、該孔を導電
体で満たすことにより、コンタクト２３０４を形成す
る。
グして、データ線に通じる様な孔を形成し、該孔を導電
体で満たすことにより、コンタクト２３０４を形成す
る。
【０１１３】次に、第１層間膜８０４上に対して、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）を１０００Ａ程度スパッタし
て、ソース電極１００３と画素電極４０４とが一体とな
るようにして、且つドレイン電極９０４とデータ線２０
４とがコンタクト２３０４を介して電気的に接続される
用にして、ドレイン電極９０４、ソース電極１００４、
及び画素電極４０４を形成する。
Ｏ（Indium Tin Oxide）を１０００Ａ程度スパッタし
て、ソース電極１００３と画素電極４０４とが一体とな
るようにして、且つドレイン電極９０４とデータ線２０
４とがコンタクト２３０４を介して電気的に接続される
用にして、ドレイン電極９０４、ソース電極１００４、
及び画素電極４０４を形成する。
【０１１４】次に、ドレイン電極９０４とソース電極１
００４との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０４及び
ＳｉＮ層１２０４を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
００４との間の領域に対して、ａ−Ｓｉ層１１０４及び
ＳｉＮ層１２０４を、ＣＶＤにて、夫々３００Ａ及び５
００Ａ程度蒸着して形成する。
【０１１５】次に、ドレイン電極９０４、一体として形
成されたソース電極１００４及び画素電極４０４、ａ−
Ｓｉ層１１０４上のＳｉＮ層１２０４、並びに何も形成
されていない第１層間膜８０４上の領域の全てに対し
て、絶縁体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸
着させて第２層間膜１３０４を形成する。
成されたソース電極１００４及び画素電極４０４、ａ−
Ｓｉ層１１０４上のＳｉＮ層１２０４、並びに何も形成
されていない第１層間膜８０４上の領域の全てに対し
て、絶縁体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸
着させて第２層間膜１３０４を形成する。
【０１１６】最後に、第２層間膜１３０４上に対して、
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、走査用信号線１０
４とゲート電極１４０４とが一体となる様に、且つ共通
電極３０４が前述の条件を満たす様にして、走査用信号
線１０４、共通電極３０４、ゲート電極１４０４を形成
し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０４を形成す
る。
Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、走査用信号線１０
４とゲート電極１４０４とが一体となる様に、且つ共通
電極３０４が前述の条件を満たす様にして、走査用信号
線１０４、共通電極３０４、ゲート電極１４０４を形成
し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０４を形成す
る。
【０１１７】以上説明してきた様な手順に従うことによ
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０４の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０４の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
【０１１８】（第５の実施の形態）本発明の第５の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１９乃至図２２に
示される様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図１９乃至図２２に
示される様な構成を備えている。
【０１１９】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０５と、データ線２０５と、共通
電極３０５と、画素電極４０５と、ＴＦＴ５０５とを備
えており、走査用信号線１０５により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０５により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０５と共通電極３０５との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
置は、走査用信号線１０５と、データ線２０５と、共通
電極３０５と、画素電極４０５と、ＴＦＴ５０５とを備
えており、走査用信号線１０５により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０５により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０５と共通電極３０５との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
【０１２０】更に詳しくは、ＴＦＴ５０５は、図２０に
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０５と、ゲート電
極１４０５と、ゲート絶縁膜２４０５と、ドレイン電極
９０５と、ソース電極１００５と、ａ−Ｓｉ層１１０５
と、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５と、パッシベーション膜２
６０５とを備えている。ここで、本実施の形態における
ＴＦＴ５０５は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型
のものである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５は、ａ−
Ｓｉ層１１０５とドレイン電極９０５との間、及びａ−
Ｓｉ層１１０５とソース電極１００５との間において、
オーミックコンタクトを図るためのものである。
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０５と、ゲート電
極１４０５と、ゲート絶縁膜２４０５と、ドレイン電極
９０５と、ソース電極１００５と、ａ−Ｓｉ層１１０５
と、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５と、パッシベーション膜２
６０５とを備えている。ここで、本実施の形態における
ＴＦＴ５０５は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型
のものである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５は、ａ−
Ｓｉ層１１０５とドレイン電極９０５との間、及びａ−
Ｓｉ層１１０５とソース電極１００５との間において、
オーミックコンタクトを図るためのものである。
【０１２１】また、本実施の形態においては、走査用信
号線１０４と共通電極３０４とは、図２１から理解され
る様に、互いに異なる層上に形成されている。即ち、走
査用信号線１０５は、ゲート電極１４０５と同じくＴＦ
Ｔ側ガラス基板６０５上に設けられており、共通電極３
０５は、パッシベーション膜２６０５上に設けられてい
る。一方、データ線２０５と画素電極４０５とは、ドレ
イン電極９０５及びソース電極１００５と同じくゲート
絶縁膜２４０５上に形成されている（データ線２０５に
ついては、図２２参照）。
号線１０４と共通電極３０４とは、図２１から理解され
る様に、互いに異なる層上に形成されている。即ち、走
査用信号線１０５は、ゲート電極１４０５と同じくＴＦ
Ｔ側ガラス基板６０５上に設けられており、共通電極３
０５は、パッシベーション膜２６０５上に設けられてい
る。一方、データ線２０５と画素電極４０５とは、ドレ
イン電極９０５及びソース電極１００５と同じくゲート
絶縁膜２４０５上に形成されている（データ線２０５に
ついては、図２２参照）。
【０１２２】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、共通電極３０４を覆う様にして設けられた配向膜
（ＴＦＴ基板側配向膜）１５０５を備えている（図２１
及び図２２参照）。尚、本実施の形態においても、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板６０５から配向膜１５０５までの構成要
素にてＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０５が構成され
ている。
置は、共通電極３０４を覆う様にして設けられた配向膜
（ＴＦＴ基板側配向膜）１５０５を備えている（図２１
及び図２２参照）。尚、本実施の形態においても、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板６０５から配向膜１５０５までの構成要
素にてＴＦＴ基板（能動素子基板）１６０５が構成され
ている。
【０１２３】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＢＭ層及びＣＦ層を有するＣＦ基板と、液晶分子
が封止されている液晶層とを備えて（説明の簡略化のた
め図示せず）、ＴＦＴ基板１６０４とＣＦ基板とで液晶
層とを挟む様な構成を有している。
置は、ＢＭ層及びＣＦ層を有するＣＦ基板と、液晶分子
が封止されている液晶層とを備えて（説明の簡略化のた
め図示せず）、ＴＦＴ基板１６０４とＣＦ基板とで液晶
層とを挟む様な構成を有している。
【０１２４】ここで、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置の特徴は、図１９及び図２２に示される様に、共通
電極３０５の特定領域がデータ線２０５の特定領域上に
形成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０５の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０５の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
装置の特徴は、図１９及び図２２に示される様に、共通
電極３０５の特定領域がデータ線２０５の特定領域上に
形成されていることにある。尚、本実施の形態において
も、第１の実施の形態と同様、共通電極３０５の特定領
域は、幅ＷCOM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域で
あり、データ線２０５の特定領域は、幅ＷD及び長さＬ
COMを有する矩形形状の領域である。
【０１２５】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。
装置においては、第１の実施の形態と同様に、漏れ電界
をなくすことができる。
【０１２６】以上説明してきた様に、本実施の形態の広
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものである。
視野角液晶表示装置は、従来例３と比較して、高い開口
率を得ることができるものである。
【０１２７】尚、参考までに、本発明の特徴となるＴＦ
Ｔ基板１６０５に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
Ｔ基板１６０５に関する具体的材料及び数値の一例を以
下に示す。但し、これらの材料及び数値はあくまで一例
であるからして、当然のことながら、本実施の形態が以
下の記載により制限されることはない。
【０１２８】まず、ＴＦＴ側ガラス基板６０５上の所定
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、
走査用信号線１０５とゲート電極１４０５とを一体とし
て形成する。
の領域に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、
走査用信号線１０５とゲート電極１４０５とを一体とし
て形成する。
【０１２９】次に、走査用信号線１０５とゲート電極１
４０５とを覆う様にしてＴＦＴ側ガラス基板６０５に対
して、絶縁体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて
蒸着させ、ゲート絶縁膜２４０５を形成する。
４０５とを覆う様にしてＴＦＴ側ガラス基板６０５に対
して、絶縁体であるＳｉＮを３０００Ａ程度ＣＶＤにて
蒸着させ、ゲート絶縁膜２４０５を形成する。
【０１３０】更に、ゲート絶縁膜２４０５上におけるゲ
ート電極１４０５の上部に該当する領域に対して、ａ−
Ｓｉ層１１０５及びｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５を夫々３０
００Ａ及び５００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着して形成する。
ート電極１４０５の上部に該当する領域に対して、ａ−
Ｓｉ層１１０５及びｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５を夫々３０
００Ａ及び５００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着して形成する。
【０１３１】次に、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタし
て、ソース電極１００５と画素電極４０５、及びドレイ
ン電極９０５とデータ線２０５が、夫々一体となる様に
して、ソース電極１００５、画素電極４０５、ドレイン
電極９０５、データ線２０５を形成する。
て、ソース電極１００５と画素電極４０５、及びドレイ
ン電極９０５とデータ線２０５が、夫々一体となる様に
して、ソース電極１００５、画素電極４０５、ドレイン
電極９０５、データ線２０５を形成する。
【０１３２】次に、チャネル部をドライ（プラズマ）エ
ッチして、図２０に示される様な窪みを形成する。この
際に、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５だけでなく、ａ−Ｓｉ層
１１０５も若干エッチングされることになるので、本実
施の形態においては、第１乃至第４の実施の形態と比較
して、当初蒸着したａ−Ｓｉ層１１０５の厚さを厚くし
ている。
ッチして、図２０に示される様な窪みを形成する。この
際に、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０５だけでなく、ａ−Ｓｉ層
１１０５も若干エッチングされることになるので、本実
施の形態においては、第１乃至第４の実施の形態と比較
して、当初蒸着したａ−Ｓｉ層１１０５の厚さを厚くし
ている。
【０１３３】次に、絶縁体であるＳｉＮを１５００Ａ程
度ＣＶＤにて蒸着させてパッシベーション膜２６０５を
形成する。
度ＣＶＤにて蒸着させてパッシベーション膜２６０５を
形成する。
【０１３４】最後に、パッシベーション膜２６０５上に
対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共通電極
３０４が前述の条件を満たす様に、共通電極３０４を形
成し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０５を形成
する。
対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共通電極
３０４が前述の条件を満たす様に、共通電極３０４を形
成し、それら全てを覆う様にして配向膜１５０５を形成
する。
【０１３５】以上説明してきた様な手順に従うことによ
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０５の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
り、本実施の形態の広視野角液晶表示装置が備えるＴＦ
Ｔ基板１６０５の一例を構成することができる。尚、以
上の手順においては、本発明の特徴となる部分のみにつ
いて詳細に説明してあり、一般的に構成に含まれる部材
及びエッチング等、当業者の既知の技術について、簡略
化のために省略してあることは、言うまでもないことで
ある。
【０１３６】（第６の実施の形態）本発明の第６の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図２３乃至図２６に
示される様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図２３乃至図２６に
示される様な構成を備えている。
【０１３７】図２３乃至図２６と図１乃至図４とを比較
すれば理解される様に、本実施の形態の広視野角液晶表
示装置は、第１の実施の形態を変形したものである。従
って、走査用信号線１０６、データ線２０６、共通電極
３０６、画素電極４０６、ＴＦＴ５０６等に関する説明
は、走査用信号線１０１、データ線２０１、共通電極３
０１、画素電極４０１、ＴＦＴ５０１等と同様であるも
のとし、省略する。
すれば理解される様に、本実施の形態の広視野角液晶表
示装置は、第１の実施の形態を変形したものである。従
って、走査用信号線１０６、データ線２０６、共通電極
３０６、画素電極４０６、ＴＦＴ５０６等に関する説明
は、走査用信号線１０１、データ線２０１、共通電極３
０１、画素電極４０１、ＴＦＴ５０１等と同様であるも
のとし、省略する。
【０１３８】本実施の形態と第１の実施の形態の異なる
点は、走査用信号線１０６、共通電極３０６、及びゲー
ト電極１４０６と、配向膜１５０６との間に、パッシベ
ーション膜２６０６が設けられていることである。
点は、走査用信号線１０６、共通電極３０６、及びゲー
ト電極１４０６と、配向膜１５０６との間に、パッシベ
ーション膜２６０６が設けられていることである。
【０１３９】一般的に、配向膜としては、例えば、ポリ
アミック酸（ポリイミド酸）を化学的に熱重合（２５０
℃以上）して得られるポリイミド系が用いられている。
アミック酸（ポリイミド酸）を化学的に熱重合（２５０
℃以上）して得られるポリイミド系が用いられている。
【０１４０】このポリイミド配向膜が共通電極３０６等
と直接接触すると、ポリイミド配向膜が変形してしまっ
たり、該ポリイミド配向膜にチャージアップしてしまっ
たりする場合がある。
と直接接触すると、ポリイミド配向膜が変形してしまっ
たり、該ポリイミド配向膜にチャージアップしてしまっ
たりする場合がある。
【０１４１】そこで、本実施の形態においては、共通電
極３０６などとポリイミド配向膜との直接接触を防止す
るために、パッシベーション膜２６０６を設けている。
極３０６などとポリイミド配向膜との直接接触を防止す
るために、パッシベーション膜２６０６を設けている。
【０１４２】尚、製造手順などの具体的な例としては、
第１の実施の形態における例の最後の工程を次のように
変更すれば良い。
第１の実施の形態における例の最後の工程を次のように
変更すれば良い。
【０１４３】即ち、最後に、第２層間膜１３０６上に対
してＣｒを１０００Ａ程度スパッタし、走査用信号線１
０６とゲート電極１４０６とが一体となる様な形状に、
且つ共通電極３０６が前述した条件を満たす様な形状
に、走査用信号線１０６、ゲート電極１４０６、共通電
極３０６を形成し、その後、全面に亘って絶縁体である
ＳｉＮを１０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させてパッシベ
ーション膜２６０６を形成し、更に、パッシベーション
膜２６０６上にポリイミド配向膜１５０６を形成する。
してＣｒを１０００Ａ程度スパッタし、走査用信号線１
０６とゲート電極１４０６とが一体となる様な形状に、
且つ共通電極３０６が前述した条件を満たす様な形状
に、走査用信号線１０６、ゲート電極１４０６、共通電
極３０６を形成し、その後、全面に亘って絶縁体である
ＳｉＮを１０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させてパッシベ
ーション膜２６０６を形成し、更に、パッシベーション
膜２６０６上にポリイミド配向膜１５０６を形成する。
【０１４４】このようにして、本実施の形態におけるＴ
ＦＴ基板１６０６の一例を構成することができる。
ＦＴ基板１６０６の一例を構成することができる。
【０１４５】（第７の実施の形態）本発明の第７の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図２７乃至図３０に
示される様な構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図２７乃至図３０に
示される様な構成を備えている。
【０１４６】図２７乃至図３０と図１９乃至図２２を比
較すれば理解される様に、本実施の形態の広視野角液晶
表示装置は、第５の実施の形態を変形したものである。
従って、走査用信号線１０７、データ線２０７、共通電
極３０７、画素電極４０７、ＴＦＴ５０７等に関する説
明は、走査用信号線１０５、データ線２０５、共通電極
３０５、画素電極４０５、ＴＦＴ５０５等と同様である
ものとし、省略する。
較すれば理解される様に、本実施の形態の広視野角液晶
表示装置は、第５の実施の形態を変形したものである。
従って、走査用信号線１０７、データ線２０７、共通電
極３０７、画素電極４０７、ＴＦＴ５０７等に関する説
明は、走査用信号線１０５、データ線２０５、共通電極
３０５、画素電極４０５、ＴＦＴ５０５等と同様である
ものとし、省略する。
【０１４７】本実施の形態と第５の実施の形態の異なる
点は、共通電極３０７と配向膜１５０７との間に、第６
の実施の形態においてパッシベーション膜２６０６を設
けたのと同様の理由に基づいて、第２のパッシベーショ
ン膜２７０７が設けられていることである。
点は、共通電極３０７と配向膜１５０７との間に、第６
の実施の形態においてパッシベーション膜２６０６を設
けたのと同様の理由に基づいて、第２のパッシベーショ
ン膜２７０７が設けられていることである。
【０１４８】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、第５の実施の形態と同様の効果が得ら
れると共に、共通電極に起因するポリイミド配向膜の変
形などを防止することができる。
装置においては、第５の実施の形態と同様の効果が得ら
れると共に、共通電極に起因するポリイミド配向膜の変
形などを防止することができる。
【０１４９】尚、製造手順などの具体的な例としては、
第５の実施の形態における例の最後の工程を次のように
変更すれば良い。
第５の実施の形態における例の最後の工程を次のように
変更すれば良い。
【０１５０】即ち、最後に、パッシベーション膜２６０
７上に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共
通電極３０４が前述の条件を満たす様に、共通電極３０
４を形成し、その後、全面に亘って絶縁体であるＳｉＮ
を１０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて第２のパッシベ
ーション膜２７０７を形成し、更に第２のパッシベーシ
ョン膜２７０７上にポリイミド配向膜１５０７を形成す
る。
７上に対して、Ｃｒを１０００Ａ程度スパッタして、共
通電極３０４が前述の条件を満たす様に、共通電極３０
４を形成し、その後、全面に亘って絶縁体であるＳｉＮ
を１０００Ａ程度ＣＶＤにて蒸着させて第２のパッシベ
ーション膜２７０７を形成し、更に第２のパッシベーシ
ョン膜２７０７上にポリイミド配向膜１５０７を形成す
る。
【０１５１】このようにして、本実施の形態におけるＴ
ＦＴ基板１６０７の一例を構成することができる。
ＦＴ基板１６０７の一例を構成することができる。
【０１５２】（第８の実施の形態）本発明の第８の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図３１乃至図３４に
示されるような構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図３１乃至図３４に
示されるような構成を備えている。
【０１５３】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０８と、データ線２０８と、共通
電極３０８と、画素電極５０８とを備えており、走査用
信号線１０８により供給される走査用信号で選択され、
且つ、データ線２０８により供給されるデータ信号で書
き込まれた画素において、画素電極４０８と共通電極３
０８との間で、基板表面に対して実質的に水平な電界を
生じさせ、該電界に従って液晶分子のディレクタを基板
表面と水平な面内で回転させて表示を行うものである。
置は、走査用信号線１０８と、データ線２０８と、共通
電極３０８と、画素電極５０８とを備えており、走査用
信号線１０８により供給される走査用信号で選択され、
且つ、データ線２０８により供給されるデータ信号で書
き込まれた画素において、画素電極４０８と共通電極３
０８との間で、基板表面に対して実質的に水平な電界を
生じさせ、該電界に従って液晶分子のディレクタを基板
表面と水平な面内で回転させて表示を行うものである。
【０１５４】更に詳しくは、ＴＦＴ５０８は、図３２に
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０８と、遮光膜７
０８と、第１層間膜８０８と、ドレイン電極９０８と、
ソース電極１００８と、ａ−Ｓｉ層１１０８と、ＳｉＮ
層１２０８と、第２層間膜１３０８と、ゲート電極１４
０８とを備えている。尚、遮光膜７０８、第１層間膜８
０８、ドレイン電極９０８、ソース電極１００８、ａ−
Ｓｉ層１１０８、ＳｉＮ層１２０８、第２層間膜１３０
８、およびゲート電極１４０８は、第１の実施の形態の
遮光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０
１、ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ
層１２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１
に、夫々対応するものである。従って、当該性質等に関
する説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ
５０８も、第１の実施の形態と同様に、正スタガ型のも
のである。
示される様に、ＴＦＴ側ガラス基板６０８と、遮光膜７
０８と、第１層間膜８０８と、ドレイン電極９０８と、
ソース電極１００８と、ａ−Ｓｉ層１１０８と、ＳｉＮ
層１２０８と、第２層間膜１３０８と、ゲート電極１４
０８とを備えている。尚、遮光膜７０８、第１層間膜８
０８、ドレイン電極９０８、ソース電極１００８、ａ−
Ｓｉ層１１０８、ＳｉＮ層１２０８、第２層間膜１３０
８、およびゲート電極１４０８は、第１の実施の形態の
遮光膜７０１、第１層間膜８０１、ドレイン電極９０
１、ソース電極１００１、ａ−Ｓｉ層１１０１、ＳｉＮ
層１２０１、第２層間膜１３０１、ゲート電極１４０１
に、夫々対応するものである。従って、当該性質等に関
する説明は省略する。尚、本実施の形態におけるＴＦＴ
５０８も、第１の実施の形態と同様に、正スタガ型のも
のである。
【０１５５】また、本実施の形態においても、第１の実
施の形態と同様に、走査用信号線１０８と共通電極３０
８とは、図３３に示されるように、ゲート電極１４０８
と同じ層、即ち、第２層間膜１３０８上に形成されてい
る。データ線２０８と画素電極４０８とは、ドレイン電
極９０８及びソース電極１００８と同じ層、即ち、第１
層間膜８０８上に形成されている（データ線に関して
は、図３４参照）。
施の形態と同様に、走査用信号線１０８と共通電極３０
８とは、図３３に示されるように、ゲート電極１４０８
と同じ層、即ち、第２層間膜１３０８上に形成されてい
る。データ線２０８と画素電極４０８とは、ドレイン電
極９０８及びソース電極１００８と同じ層、即ち、第１
層間膜８０８上に形成されている（データ線に関して
は、図３４参照）。
【０１５６】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０８、共通電極３０８、及びゲー
ト電極１４０８を覆う様にして設けられた配向膜１５０
８を備えている。尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ
ガラス基板６０８から配向膜１５０８までの構成要素に
てＴＦＴ基板１６０８が構成されている。
置は、走査用信号線１０８、共通電極３０８、及びゲー
ト電極１４０８を覆う様にして設けられた配向膜１５０
８を備えている。尚、本実施の形態においても、ＴＦＴ
ガラス基板６０８から配向膜１５０８までの構成要素に
てＴＦＴ基板１６０８が構成されている。
【０１５７】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０８と、ＢＭ層１８０８
と、ＣＦ層１９０８と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００８とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０８から配向膜２００８までの構
成要素にてＣＦ基板２１０８が構成されている。
置は、ＣＦ側ガラス基板１７０８と、ＢＭ層１８０８
と、ＣＦ層１９０８と、配向膜（ＣＦ基板側配向膜）２
００８とを備えている。尚、本実施の形態においても、
ＣＦ側ガラス基板１７０８から配向膜２００８までの構
成要素にてＣＦ基板２１０８が構成されている。
【０１５８】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０８を備
えており、該液晶層２２０８にＴＦＴ基板側配向膜１５
０８及びＣＦ基板側配向膜２００８とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０８とＣＦ基板２１０８とで液晶層
２２０８とを挟むような構成を有している。
置は、第１の実施の形態と同様に、液晶層２２０８を備
えており、該液晶層２２０８にＴＦＴ基板側配向膜１５
０８及びＣＦ基板側配向膜２００８とが隣接する様にし
て、ＴＦＴ基板１６０８とＣＦ基板２１０８とで液晶層
２２０８とを挟むような構成を有している。
【０１５９】ここで、本実施の形態における特徴は、図
３１及び図３４に示されるように、共通電極３０８及び
共通電極３０８と同じ電位が与えられる電極とで、基板
断面におけるデータ線２０８の周囲を囲むことにより、
データ線２０８の電位に起因して生じる電界が液晶層２
２０８に対して与える影響を無くしたことにある。詳し
くは、当該特徴は、次に列挙する構成により達成され
る。まず、共通電極３０８の特定領域は、データ線２０
８の特定領域上に形成されている。また、遮光膜７０８
と同層に形成された下層共通電極２８０８は、データ線
２０８の特定領域の下に形成されている。共通電極３０
８と下層共通電極２８０８とは、コンタクトスリット２
３０８を介して電気的に接続されている。このような構
成を備えている本実施の形態の広視野角液晶表示装置
は、一の電位が与えられる共通電極３０８、下層共通電
極２８０８、及びコンタクトスリット２３０８により、
基板断面（詳しくは、走査用信号線１０８が延設された
方向に沿うようにして、基板表面に対して垂直な方向に
基板を切断した場合の断面）においてデータ線２０８を
取り囲むことにより、データ線２０８を完全に遮蔽して
いる。尚、本実施の形態においても、第１の実施の形態
と同様、共通電極３０８の特定領域は、幅ＷCOM及び長
さＬCOMを有する矩形形状の領域であり、データ線２０
８の特定領域は、幅ＷD及び長さＬCOMを有する矩形形状
の領域である。
３１及び図３４に示されるように、共通電極３０８及び
共通電極３０８と同じ電位が与えられる電極とで、基板
断面におけるデータ線２０８の周囲を囲むことにより、
データ線２０８の電位に起因して生じる電界が液晶層２
２０８に対して与える影響を無くしたことにある。詳し
くは、当該特徴は、次に列挙する構成により達成され
る。まず、共通電極３０８の特定領域は、データ線２０
８の特定領域上に形成されている。また、遮光膜７０８
と同層に形成された下層共通電極２８０８は、データ線
２０８の特定領域の下に形成されている。共通電極３０
８と下層共通電極２８０８とは、コンタクトスリット２
３０８を介して電気的に接続されている。このような構
成を備えている本実施の形態の広視野角液晶表示装置
は、一の電位が与えられる共通電極３０８、下層共通電
極２８０８、及びコンタクトスリット２３０８により、
基板断面（詳しくは、走査用信号線１０８が延設された
方向に沿うようにして、基板表面に対して垂直な方向に
基板を切断した場合の断面）においてデータ線２０８を
取り囲むことにより、データ線２０８を完全に遮蔽して
いる。尚、本実施の形態においても、第１の実施の形態
と同様、共通電極３０８の特定領域は、幅ＷCOM及び長
さＬCOMを有する矩形形状の領域であり、データ線２０
８の特定領域は、幅ＷD及び長さＬCOMを有する矩形形状
の領域である。
【０１６０】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、データ線２０８の電極が、共通電極３
０８、コンタクトスリット２３０８及び下層共通電極２
８０８により完全にシールドされているため、データ線
２０８からの漏れ電界を完全になくすることができる。
装置においては、データ線２０８の電極が、共通電極３
０８、コンタクトスリット２３０８及び下層共通電極２
８０８により完全にシールドされているため、データ線
２０８からの漏れ電界を完全になくすることができる。
【０１６１】また、図３１乃至図３４を参照すれば理解
されるように、上述した第８の実施の形態による広視野
角液晶表示装置は、第１の実施の形態に対して下層共通
電極及びコンタクトスリットが更に付加された構成を備
えている。しかし、下層共通電極は、前述した第１の実
施の形態における製造工程において、遮光膜形成時のパ
ターンを変更することによりＰＲ数を増加させること無
く形成することができるものであり、一方、コンタクト
スリットは、第２層間膜形成後に行われるコンタクトホ
ール形成のためのＰＲ時に、第１及び第２層間膜を同時
に抜くことにより、コンタクトホールへの埋め込み蒸着
時に同時に形成しうるものである。従って、本実施の形
態の広視野角液晶表示装置は、前述の第１の実施の形態
と比較し、ＰＲ数を増加させること無く製造しうるもの
である。
されるように、上述した第８の実施の形態による広視野
角液晶表示装置は、第１の実施の形態に対して下層共通
電極及びコンタクトスリットが更に付加された構成を備
えている。しかし、下層共通電極は、前述した第１の実
施の形態における製造工程において、遮光膜形成時のパ
ターンを変更することによりＰＲ数を増加させること無
く形成することができるものであり、一方、コンタクト
スリットは、第２層間膜形成後に行われるコンタクトホ
ール形成のためのＰＲ時に、第１及び第２層間膜を同時
に抜くことにより、コンタクトホールへの埋め込み蒸着
時に同時に形成しうるものである。従って、本実施の形
態の広視野角液晶表示装置は、前述の第１の実施の形態
と比較し、ＰＲ数を増加させること無く製造しうるもの
である。
【０１６２】（第９の実施の形態）本発明の第９の実施
の形態の広視野角液晶表示装置は、図３５乃至図３８に
示されるような構成を備えている。
の形態の広視野角液晶表示装置は、図３５乃至図３８に
示されるような構成を備えている。
【０１６３】即ち、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０９と、データ線２０９と、共通
電極３０９と、画素電極４０９と、ＴＦＴ５０９とを備
えており、走査用信号線１０９により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０９により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０９と共通電極３０９との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
置は、走査用信号線１０９と、データ線２０９と、共通
電極３０９と、画素電極４０９と、ＴＦＴ５０９とを備
えており、走査用信号線１０９により供給される走査用
信号で選択され、且つ、データ線２０９により供給され
るデータ信号で書き込まれた画素において、画素電極４
０９と共通電極３０９との間で、基板表面に対して実質
的に水平な電界を生じさせ、該電界に従って液晶分子の
ディレクタを基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うものである。
【０１６４】更に詳しくは、ＴＦＴ５０９は、図３６に
示されるように、ＴＦＴ側ガラス基板６０９と、ゲート
電極１４０９と、ゲート絶縁膜２４０９と、ドレイン電
極９０９と、ソース電極１００９と、ａ−Ｓｉ層１１０
９と、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０９とパッシベーション膜２
６０９とを備えている。ここで、本実施の形態における
ＴＦＴ５０９は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型
のものである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０９は、ａ−
Ｓｉ層１１０９とドレイン電極９０９との間、及びａ−
Ｓｉ層１１０９とソース電極１００９との間において、
オーミックコンタクトを図るためのものである。
示されるように、ＴＦＴ側ガラス基板６０９と、ゲート
電極１４０９と、ゲート絶縁膜２４０９と、ドレイン電
極９０９と、ソース電極１００９と、ａ−Ｓｉ層１１０
９と、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０９とパッシベーション膜２
６０９とを備えている。ここで、本実施の形態における
ＴＦＴ５０９は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型
のものである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ層２５０９は、ａ−
Ｓｉ層１１０９とドレイン電極９０９との間、及びａ−
Ｓｉ層１１０９とソース電極１００９との間において、
オーミックコンタクトを図るためのものである。
【０１６５】また、本実施の形態においても、第５の実
施の形態と同様に、走査用信号線１０９と共通電極３０
９とは、図３７に示されるように、互いに異なる層上に
形成されている。即ち、走査用信号線１０９は、ゲート
電極１４０９と同じくＴＦＴ側ガラス基板６０９上に設
けられており、共通電極３０９は、パッシベーション膜
２６０９上に設けられている。一方、データ線２０９と
画素電極４０９とは、ドレイン電極９０９及びソース電
極１００９と同じくゲート絶縁膜２４０９上に形成され
ている（データ線２０９については、図３８参照）。
施の形態と同様に、走査用信号線１０９と共通電極３０
９とは、図３７に示されるように、互いに異なる層上に
形成されている。即ち、走査用信号線１０９は、ゲート
電極１４０９と同じくＴＦＴ側ガラス基板６０９上に設
けられており、共通電極３０９は、パッシベーション膜
２６０９上に設けられている。一方、データ線２０９と
画素電極４０９とは、ドレイン電極９０９及びソース電
極１００９と同じくゲート絶縁膜２４０９上に形成され
ている（データ線２０９については、図３８参照）。
【０１６６】更に、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、走査用信号線１０９、共通電極３０９、及びゲー
ト電極１４０９を覆うようにして設けられた配向膜１５
０９を備えている。尚、本実施の形態においても、ＴＦ
Ｔガラス基板６０９から配向膜１５０９までの構成要素
にてＴＦＴ基板１６０９が構成されている。
置は、走査用信号線１０９、共通電極３０９、及びゲー
ト電極１４０９を覆うようにして設けられた配向膜１５
０９を備えている。尚、本実施の形態においても、ＴＦ
Ｔガラス基板６０９から配向膜１５０９までの構成要素
にてＴＦＴ基板１６０９が構成されている。
【０１６７】また、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、ＢＭ層及びＣＦ層を有するＣＦ基板と、液晶分子
が封止されている液晶層とを備えて（説明簡略化のため
図示せず）、ＴＦＴ基板１６０９とＣＦ基板とで液晶層
とを挟むような構成を有している。
置は、ＢＭ層及びＣＦ層を有するＣＦ基板と、液晶分子
が封止されている液晶層とを備えて（説明簡略化のため
図示せず）、ＴＦＴ基板１６０９とＣＦ基板とで液晶層
とを挟むような構成を有している。
【０１６８】ここで、本実施の形態における特徴は、図
３５及び図３８に示されるように、共通電極３０９及び
共通電極３０９と同じ電位が与えられる電極とで、基板
断面におけるデータ線２０９の周囲を囲むことにより、
データ線２０９の電位に起因して生じる電界が液晶層に
対して与える影響を無くしたことにある。詳しくは、当
該特徴は、次に列挙する構成により達成される。まず、
共通電極３０９の特定領域は、データ線２０９の特定領
域上に形成されている。また、下層共通電極２８０９
は、データ線２０９の特定領域の下に形成されている。
共通電極３０９と下層共通電極２８０９とは、コンタク
トスリット２３０９を介して電気的に接続されている。
このような構成を備えている本実施の形態の広視野角液
晶表示装置は、一の電位が与えられる共通電極３０９、
下層共通電極２８０９、及びコンタクトスリット２３０
９により、基板断面（詳しくは、走査用信号線１０９が
延設された方向に沿うようにして、基板表面に対して垂
直な方向に基板を切断した場合の断面）においてデータ
線２０９を取り囲むことにより、データ線２０９を完全
に遮蔽している。尚、本実施の形態においても、第１の
実施の形態と同様、共通電極３０９の特定領域は、幅Ｗ
COM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域であり、デー
タ線２０９の特定領域は、幅ＷD及び長さＬCOMを有する
矩形形状の領域である。
３５及び図３８に示されるように、共通電極３０９及び
共通電極３０９と同じ電位が与えられる電極とで、基板
断面におけるデータ線２０９の周囲を囲むことにより、
データ線２０９の電位に起因して生じる電界が液晶層に
対して与える影響を無くしたことにある。詳しくは、当
該特徴は、次に列挙する構成により達成される。まず、
共通電極３０９の特定領域は、データ線２０９の特定領
域上に形成されている。また、下層共通電極２８０９
は、データ線２０９の特定領域の下に形成されている。
共通電極３０９と下層共通電極２８０９とは、コンタク
トスリット２３０９を介して電気的に接続されている。
このような構成を備えている本実施の形態の広視野角液
晶表示装置は、一の電位が与えられる共通電極３０９、
下層共通電極２８０９、及びコンタクトスリット２３０
９により、基板断面（詳しくは、走査用信号線１０９が
延設された方向に沿うようにして、基板表面に対して垂
直な方向に基板を切断した場合の断面）においてデータ
線２０９を取り囲むことにより、データ線２０９を完全
に遮蔽している。尚、本実施の形態においても、第１の
実施の形態と同様、共通電極３０９の特定領域は、幅Ｗ
COM及び長さＬCOMを有する矩形形状の領域であり、デー
タ線２０９の特定領域は、幅ＷD及び長さＬCOMを有する
矩形形状の領域である。
【０１６９】従って、本実施の形態の広視野角液晶表示
装置においては、データ線２０９の電極が、共通電極３
０９、コンタクトスリット２３０９及び下層共通電極２
８０９により完全にシールドされているため、データ線
２０９からの漏れ電界を完全になくすることができる。
装置においては、データ線２０９の電極が、共通電極３
０９、コンタクトスリット２３０９及び下層共通電極２
８０９により完全にシールドされているため、データ線
２０９からの漏れ電界を完全になくすることができる。
【０１７０】また、図３５乃至図３８を参照すれば理解
されるように、上述した第９の実施の形態による広視野
角液晶表示装置は、第５の実施の形態に対して下層共通
電極及びコンタクトスリットが更に付加された構成を備
えている。しかし、下層共通電極は、前述した第５の実
施の形態における製造工程において、ゲート電極形成時
のパターンを変更することによりＰＲ数を増加させるこ
と無く形成することができるものであり、一方、コンタ
クトスリットは、パッシベーション膜形成後に行われる
コンタクトホール形成のためのＰＲ時に、パッシベーシ
ョン膜及びゲート絶縁膜を同時に抜くことにより、コン
タクトホールへの埋め込み蒸着時に同時に形成しうるも
のである。従って、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、前述の第５の実施の形態と比較し、ＰＲ数を増加
させること無く製造しうるものである。
されるように、上述した第９の実施の形態による広視野
角液晶表示装置は、第５の実施の形態に対して下層共通
電極及びコンタクトスリットが更に付加された構成を備
えている。しかし、下層共通電極は、前述した第５の実
施の形態における製造工程において、ゲート電極形成時
のパターンを変更することによりＰＲ数を増加させるこ
と無く形成することができるものであり、一方、コンタ
クトスリットは、パッシベーション膜形成後に行われる
コンタクトホール形成のためのＰＲ時に、パッシベーシ
ョン膜及びゲート絶縁膜を同時に抜くことにより、コン
タクトホールへの埋め込み蒸着時に同時に形成しうるも
のである。従って、本実施の形態の広視野角液晶表示装
置は、前述の第５の実施の形態と比較し、ＰＲ数を増加
させること無く製造しうるものである。
【０１７１】ここで、上述した第８及び第９の実施の形
態における説明から、当該実施の形態における主目的が
データ線２０８及び２０９の完全遮蔽にあることが理解
される。しかしながら、データ線２０８及び２０９と共
通電極３０８及び３０９等の電極との寄生容量を緩和し
つつ、データ線からの漏れ電界をある程度軽減すること
を目的とする場合には、第８及び第９の実施の形態に対
し、以下に列挙するような変更を加えることも可能であ
る。
態における説明から、当該実施の形態における主目的が
データ線２０８及び２０９の完全遮蔽にあることが理解
される。しかしながら、データ線２０８及び２０９と共
通電極３０８及び３０９等の電極との寄生容量を緩和し
つつ、データ線からの漏れ電界をある程度軽減すること
を目的とする場合には、第８及び第９の実施の形態に対
し、以下に列挙するような変更を加えることも可能であ
る。
【０１７２】液晶層は、データ線から見てＴＦＴガラス
基板とは、反対方向に存在している。従って、液晶層か
ら見てデータ線よりもＴＦＴガラス基板側に配置される
下層共通電極は、共通電極及びコンタクトスリットと比
較して、データ線の漏れ電界を遮蔽する役割が低い。こ
のような理由から、データ線からの漏れ電界をある程度
軽減しつつ、寄生容量を緩和するために、下層共通電極
を含まない構成とするように、第８及び第９の実施の形
態における広視野角液晶表示装置を変更してもよい。
基板とは、反対方向に存在している。従って、液晶層か
ら見てデータ線よりもＴＦＴガラス基板側に配置される
下層共通電極は、共通電極及びコンタクトスリットと比
較して、データ線の漏れ電界を遮蔽する役割が低い。こ
のような理由から、データ線からの漏れ電界をある程度
軽減しつつ、寄生容量を緩和するために、下層共通電極
を含まない構成とするように、第８及び第９の実施の形
態における広視野角液晶表示装置を変更してもよい。
【０１７３】また、コンタクトスリット及び下層共通電
極に対して、第２の実施の形態において共通電極に施し
たように電極を貫通する孔（スリット）を設けることに
より、データ線と対向する表面面積を減らし、それによ
って寄生容量を緩和するものとしても良い。このような
貫通孔は、コンタクトスリットのみに設けるものとして
も良いし、下層共通電極のみに設けるものとしても良
い。
極に対して、第２の実施の形態において共通電極に施し
たように電極を貫通する孔（スリット）を設けることに
より、データ線と対向する表面面積を減らし、それによ
って寄生容量を緩和するものとしても良い。このような
貫通孔は、コンタクトスリットのみに設けるものとして
も良いし、下層共通電極のみに設けるものとしても良
い。
【０１７４】しかしながら、これら寄生容量緩和の手段
は、漏れ電界の完全遮蔽と二律背反の関係を有するもの
である。しかしながら、上述したように、個々の構造を
採用することによる効果・夫々の問題が生じる原因等
は、実施の形態中に記載されている。従って、当業者で
あれば、漏れ電界により遮蔽しなければならない領域が
増える一方で開口率が低下するといった問題の解決と、
信号遅延などの問題の解決とのどちらを主目的とする
か、または、どのような割合で解決するものとするかと
いった条件を考慮し、当該発明を実施するものの裁量に
より適宜選択しうるものと思われる。
は、漏れ電界の完全遮蔽と二律背反の関係を有するもの
である。しかしながら、上述したように、個々の構造を
採用することによる効果・夫々の問題が生じる原因等
は、実施の形態中に記載されている。従って、当業者で
あれば、漏れ電界により遮蔽しなければならない領域が
増える一方で開口率が低下するといった問題の解決と、
信号遅延などの問題の解決とのどちらを主目的とする
か、または、どのような割合で解決するものとするかと
いった条件を考慮し、当該発明を実施するものの裁量に
より適宜選択しうるものと思われる。
【０１７５】更に、上述した第１乃至第９の実施の形態
における共通の事項について以下に説明する。
における共通の事項について以下に説明する。
【０１７６】まず、共通電極のテーパ角度について図３
９を用いて説明する。共通電極のテーパ角度とは、図３
９においてαで示される角度である。即ち、共通電極の
断面の一部が台形形状をなしているとした場合に、２つ
の平行な辺の内の一方の辺であって液晶層から遠い方の
一辺と、それと交わる斜めの線で表される辺とがなす角
をテーパ角度αとする。
９を用いて説明する。共通電極のテーパ角度とは、図３
９においてαで示される角度である。即ち、共通電極の
断面の一部が台形形状をなしているとした場合に、２つ
の平行な辺の内の一方の辺であって液晶層から遠い方の
一辺と、それと交わる斜めの線で表される辺とがなす角
をテーパ角度αとする。
【０１７７】第１乃至第９の各実施の形態において、こ
のテーパ角度αの大きさを２０°〜８５°の範囲内にあ
るようにして、共通電極を形成すると、配向膜に対して
ラビング処理を施す際に、共通電極の断面が長方形形状
の場合と比較して、配向膜に凹凸が現れにくくなる。結
果として、このような構成を備えた広視野角液晶表示装
置においては、配向膜表面の凹凸を防止することができ
る。
のテーパ角度αの大きさを２０°〜８５°の範囲内にあ
るようにして、共通電極を形成すると、配向膜に対して
ラビング処理を施す際に、共通電極の断面が長方形形状
の場合と比較して、配向膜に凹凸が現れにくくなる。結
果として、このような構成を備えた広視野角液晶表示装
置においては、配向膜表面の凹凸を防止することができ
る。
【０１７８】次に、共通電極の抵抗率について言及す
る。
る。
【０１７９】本実施の形態において、共通電極はデータ
線上に配置されているため、共通電極とデータ線との間
の寄生容量が問題とされることは前述した通りである。
線上に配置されているため、共通電極とデータ線との間
の寄生容量が問題とされることは前述した通りである。
【０１８０】そこで、第１乃至第９の各実施の形態にお
いては、この寄生容量を緩和するために、共通電極を１
×１０-8Ωｍ〜５０×１０-8Ωｍの抵抗率を有する金属
で構成することを推奨する。尚、この種の低抵抗率の金
属の例としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、及びＮ
ｂ、並びにそれらの内の幾つかからなる合金等が挙げら
れる。
いては、この寄生容量を緩和するために、共通電極を１
×１０-8Ωｍ〜５０×１０-8Ωｍの抵抗率を有する金属
で構成することを推奨する。尚、この種の低抵抗率の金
属の例としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、及びＮ
ｂ、並びにそれらの内の幾つかからなる合金等が挙げら
れる。
【０１８１】更に、同様の目的のために共通電極とデー
タ線との間に介在する絶縁膜の膜厚について、以下に示
すような膜厚を推奨する。
タ線との間に介在する絶縁膜の膜厚について、以下に示
すような膜厚を推奨する。
【０１８２】ここで、一般に、誘電率等は絶縁膜の材質
によって異なるものである。一方、この誘電率等は、問
題となる寄生容量にも関係するものである。
によって異なるものである。一方、この誘電率等は、問
題となる寄生容量にも関係するものである。
【０１８３】そこで、膜厚をＳｉＮ換算で示すこととす
る。尚、ＳｉＮ換算した膜厚とは、ＳｉＮの比誘電率ε
nと、介在する絶縁膜の比誘電率εiと、該絶縁膜の現実
の膜厚ｄを用いて、ＳｉＮに換算した場合の膜厚ｄ´を
いう。即ち、ｄ´＝ｄ×εn／εiで求められる。
る。尚、ＳｉＮ換算した膜厚とは、ＳｉＮの比誘電率ε
nと、介在する絶縁膜の比誘電率εiと、該絶縁膜の現実
の膜厚ｄを用いて、ＳｉＮに換算した場合の膜厚ｄ´を
いう。即ち、ｄ´＝ｄ×εn／εiで求められる。
【０１８４】本実施の形態においては、このようなＳｉ
Ｎ換算した膜厚が１０００〜１００００Ａの範囲にある
ことを推奨する。
Ｎ換算した膜厚が１０００〜１００００Ａの範囲にある
ことを推奨する。
【０１８５】
【実施例】本発明の効果を確認するために、前述の第１
及び第２の実施の形態について実験を行ったので、その
結果について、図面を用いて以下に説明する。尚、これ
らの構成等は、前述の実施の形態において説明した具体
例と同様とした。
及び第２の実施の形態について実験を行ったので、その
結果について、図面を用いて以下に説明する。尚、これ
らの構成等は、前述の実施の形態において説明した具体
例と同様とした。
【０１８６】第１の実施の形態について実験した結果、
図４０に示されるような等電位分布が得られた。図４０
から理解されるように、共通電極がデータ線上に形成さ
れているため、液晶層に対する漏れ電界は見受けられな
い。従って、本実施の形態のような構成を備えた広視野
角液晶表示装置においては、共通電極と画素電極との間
に対応する領域に、不必要なＢＭ層を設ける必要がなく
なるため、開口率が例えば、ＶＧＡパネルで従来５０％
であったものを６５％にアップすることができた。
図４０に示されるような等電位分布が得られた。図４０
から理解されるように、共通電極がデータ線上に形成さ
れているため、液晶層に対する漏れ電界は見受けられな
い。従って、本実施の形態のような構成を備えた広視野
角液晶表示装置においては、共通電極と画素電極との間
に対応する領域に、不必要なＢＭ層を設ける必要がなく
なるため、開口率が例えば、ＶＧＡパネルで従来５０％
であったものを６５％にアップすることができた。
【０１８７】一方、第２の実施の形態について実験した
結果、図４１に示されるような等電位分布が得られた。
図４１から理解されるように、データ線２０２の幅より
も共通電極３０２の最大幅の方が広くなるように、且つ
共通電極３０２がデータ線２０２よりも液晶層に近い層
上に形成されているため、図３９に示される従来例３の
構成を備えたものと比較して、光り漏れ領域（漏れ電界
に起因する液晶分子のディレクタの配向状態の乱れによ
り光り漏れが生じる領域）が半分以下になっている。即
ち、本実施の形態においては、従来例３と比較して開口
率の向上が図られている。
結果、図４１に示されるような等電位分布が得られた。
図４１から理解されるように、データ線２０２の幅より
も共通電極３０２の最大幅の方が広くなるように、且つ
共通電極３０２がデータ線２０２よりも液晶層に近い層
上に形成されているため、図３９に示される従来例３の
構成を備えたものと比較して、光り漏れ領域（漏れ電界
に起因する液晶分子のディレクタの配向状態の乱れによ
り光り漏れが生じる領域）が半分以下になっている。即
ち、本実施の形態においては、従来例３と比較して開口
率の向上が図られている。
【０１８８】尚、参考までに、スリットの幅ＷSを変化
させた場合における、スリット幅ＷSと光り漏れ領域、
及びスリット幅ＷSと開口率との関係をグラフとしてま
とめたものを図４２として示す。尚、共通の条件として
は、データ線の電位を３Ｖとし、画素電極及び共通電極
の電位を０Ｖとし、データ線の幅を６μｍとした。
させた場合における、スリット幅ＷSと光り漏れ領域、
及びスリット幅ＷSと開口率との関係をグラフとしてま
とめたものを図４２として示す。尚、共通の条件として
は、データ線の電位を３Ｖとし、画素電極及び共通電極
の電位を０Ｖとし、データ線の幅を６μｍとした。
【０１８９】図４２を参照すれば理解されるように、ス
リットの幅ＷSを狭くすればする程、当然のことなが
ら、第１の実施の形態（スリット無し）に近付き開口率
が上昇することになる。しかしながら、その一方で、デ
ータ線と共通電極との間の寄生容量は大きくなることに
なるため、この点に注意して、所望のスリット幅を決定
することが望まれる。
リットの幅ＷSを狭くすればする程、当然のことなが
ら、第１の実施の形態（スリット無し）に近付き開口率
が上昇することになる。しかしながら、その一方で、デ
ータ線と共通電極との間の寄生容量は大きくなることに
なるため、この点に注意して、所望のスリット幅を決定
することが望まれる。
【０１９０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、従来構造のものと比較して、開口率の向上が図られ
た広視野角液晶表示装置が得られる。
ば、従来構造のものと比較して、開口率の向上が図られ
た広視野角液晶表示装置が得られる。
【図１】第１の実施の形態の広視野角液晶表示装置を示
す正面図である。
す正面図である。
【図２】図１におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図３】図１における走査用信号線と共通電極との関係
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】図１における共通電極の特定領域付近の断面図
である。
である。
【図５】第２の実施の形態の広視野角液晶表示装置を示
す正面図である。
す正面図である。
【図６】図５におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図７】図５における走査用信号線と共通電極との関係
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】図５における共通電極の特定領域付近の断面図
である。
である。
【図９】第３の実施の形態の広視野角液晶表示装置を示
す正面図である。
す正面図である。
【図１０】図９におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図１１】図９におけるコンタクト付近の断面図であ
る。
る。
【図１２】図９における走査用信号線と共通電極との関
係を示す断面図である。
係を示す断面図である。
【図１３】図９における共通電極の特定領域付近の断面
図である。
図である。
【図１４】第４の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図１５】図１４におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図１６】図１４における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図１７】図１４における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図１８】図１４におけるコンタクト付近の断面図であ
る。
る。
【図１９】第５の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２０】図１９におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図２１】図１９における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図２２】図１９における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図２３】第６の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２４】図２３におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図２５】図２３における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図２６】図２３における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図２７】第７の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２８】図２７におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図２９】図２７における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図３０】図２７における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図３１】第８の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図３２】図３１におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図３３】図３１における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図３４】図３１における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図３５】第９の実施の形態の広視野角液晶表示装置を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図３６】図３５におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図３７】図３５における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図３８】図３５における共通電極の特定領域付近の断
面図である。
面図である。
【図３９】共通電極のテーパ角度を示す断面図である。
【図４０】第１の実施の形態の実験結果を示す図であ
る。
る。
【図４１】第２の実施の形態の実験結果を示す図であ
る。
る。
【図４２】スリット幅と開口率及び光り漏れ領域との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４３】従来例３の広視野角液晶表示装置を示す正面
図である。
図である。
【図４４】図４３におけるＴＦＴ付近の断面図である。
【図４５】図４３における走査用信号線と共通電極との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図４６】図４３における共通電極とデータ線との関係
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４７】従来例３の構造の有する問題点を示す図であ
る。
る。
１０１〜１０９ 走査用信号線 ２０１〜２０９ データ線 ３０１〜３０９ 共通電極 ４０１〜４０９ 画素電極 ５０１〜５０９ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ６０１〜６０９ ＴＦＴ側ガラス基板 ７０１，７０２，７０４，７０６，７０８ 遮光
膜 ８０１，８０２，８０３，８０４，８０６，８０８
第１層間膜 ９０１〜９０９ ドレイン電極 １００１〜１００９ ソース電極 １１０１〜１１０９ ａ−Ｓｉ層 １２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０６，
１２０８ ＳｉＮ層 １３０１，１３０２，１３０３，１３０４，１３０６，
１３０８ 第２層間膜 １４０１〜１４０９ ゲート電極 １５０１〜１５０９ 配向膜（ＴＦＴ基板側配向
膜） １６０１，１６０２，１６０３，１６０４，１６０８，
１６０９ ＴＦＴ基板（能動素子基板） １７０１，１７０２，１７０３，１７０４，１７０８
ＣＦ側ガラス基板 １８０１，１８０２，１８０３，１８０４，１８０８
ブラックマトリックス層（ＢＭ層） １９０１，１９０２，１９０３，１９０４，１９０８
色層（カラーフィルタ層；ＣＦ層） ２００１，２００２，２００３，２００４，２００８
配向膜（ＣＦ基板側配向膜） ２１０１，２１０２，２１０３，２１０４，２１０８
ＣＦ基板 ２２０１，２２０２，２２０３，２２０４，２２０８
液晶層 ２３０３，２３０４， コンタクト ２３０８，２３０９ スリットコンタクト ２４０５，２４０７，２４０９ ゲート絶縁膜 ２５０５，２５０７，２５０９ ｎ+ａ−Ｓｉ層 ２６０５，２６０６，２６０７，２６０９ パッシベ
ーション膜 ２７０７ 第２パッシベーション膜 ２８０８，２８０９ 下層共通電極
膜 ８０１，８０２，８０３，８０４，８０６，８０８
第１層間膜 ９０１〜９０９ ドレイン電極 １００１〜１００９ ソース電極 １１０１〜１１０９ ａ−Ｓｉ層 １２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０６，
１２０８ ＳｉＮ層 １３０１，１３０２，１３０３，１３０４，１３０６，
１３０８ 第２層間膜 １４０１〜１４０９ ゲート電極 １５０１〜１５０９ 配向膜（ＴＦＴ基板側配向
膜） １６０１，１６０２，１６０３，１６０４，１６０８，
１６０９ ＴＦＴ基板（能動素子基板） １７０１，１７０２，１７０３，１７０４，１７０８
ＣＦ側ガラス基板 １８０１，１８０２，１８０３，１８０４，１８０８
ブラックマトリックス層（ＢＭ層） １９０１，１９０２，１９０３，１９０４，１９０８
色層（カラーフィルタ層；ＣＦ層） ２００１，２００２，２００３，２００４，２００８
配向膜（ＣＦ基板側配向膜） ２１０１，２１０２，２１０３，２１０４，２１０８
ＣＦ基板 ２２０１，２２０２，２２０３，２２０４，２２０８
液晶層 ２３０３，２３０４， コンタクト ２３０８，２３０９ スリットコンタクト ２４０５，２４０７，２４０９ ゲート絶縁膜 ２５０５，２５０７，２５０９ ｎ+ａ−Ｓｉ層 ２６０５，２６０６，２６０７，２６０９ パッシベ
ーション膜 ２７０７ 第２パッシベーション膜 ２８０８，２８０９ 下層共通電極
フロントページの続き (72)発明者 石山 敏昭 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 平井 良彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−202127（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−36058（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1343
Claims (9)
- 【請求項１】 能動素子基板と、当該基板上に設けられ
た液晶層とを備えており、該能動素子基板内に、ゲー
ト、ドレイン、及びソースを有する薄膜トランジスタ
と、表示すべき画素に対応した画素電極と、各画素の両
端に配置された共通電極と、データ線と、並びに走査用
信号線とが設けられており、前記データ線と前記共通電
極とが互いに異なる層上に形成されており、前記ゲート
に対して前記走査用信号線が、前記ドレインに対して前
記データ線が、前記ソースに対して前記画素電極が、夫
々、電気的に接続されている液晶表示装置であって、 前記液晶層に封止されている液晶分子の分子軸の方向を
前記能動素子基板表面と水平な面内で回転させて表示を
行うことにより、広視野角を可能とした広視野角液晶表
示装置において、 前記共通電極は、絶縁層を介在して前記データ線よりも
上層に形成され、且つ、前記走査用信号線との交差部を
除く前記データ線の上部を覆って隣接画素の前記共通電
極と導通した構成を有することを特徴とする広視野角液
晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の広視野角液晶表示装置
において、 前記走査用信号線との交差部を除く前記データ線の上部
を覆うように形成された前記共通電極の幅が、該共通電
極で覆われた部分における前記データ線の幅よりも広い
ことを特徴とする広視野角液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の広視野角液晶表示装置
において、 前記データ線の上部を覆うように設けられた前記共通電
極が、前記データ線に沿った方向のスリットを有してい
ることを特徴とする広視野角液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の広視野角液晶表示装置
において、 前記スリットの幅は、前記走査用信号線との交差部を除
く前記データ線の前記幅よりも狭いことを特徴とする広
視野角液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の広視野角液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタが正スタガ構造を有し、且つ、前
記走査用信号線と前記共通電極とが同一層上に形成され
ていることを特徴とする広視野角液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の広視野角液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタが正スタガ構造を有し、且つ、 前
記薄膜トランジスタのゲートと前記走査用信号線とを電
気的に接続するためのゲート用コンタクトを更に備えて
おり、 前記走査用信号線は、 前記共通電極の設けられた層と異なる層であって、前記
液晶層に対して前記共通電極よりも遠い層に形成されて
おり、 且つ、前記ゲート用コンタクトを介して、前記薄膜トラ
ンジスタのゲートに電気的に接続されていることを特徴
とする広視野角液晶表示装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の広視野角液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタが正スタガ構造を有し、且つ、 前
記薄膜トランジスタのドレインと前記データ線とを電気
的に接続するためのドレイン用コンタクトを更に備えて
おり、 前記データ線は、 前記薄膜トランジスタのドレインと異なる層であって、
前記液晶層に対して前記ドレインよりも遠い層に形成さ
れており、 且つ、前記ドレイン用コンタクトを介して、前記ドレイ
ンと電気的に接続されていることを特徴とする広視野角
液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項２に記載の広視野角液晶表示装置
において、 前記共通電極は、エッジ部分が斜めになっており、テー
パ角度が２０°〜８５°の範囲内にあるようにして、形
成されていることを特徴とする広視野角液晶表示装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至６または８のいずれかに記
載の広視野角液晶表示装置において、前記データ線が、
前記共通電極と、前記データ線の下層に絶縁体層を介在
して設けられた下層共通電極と、前記共通電極と前記下
層共通電極を導通する溝状に形成されたコンタクトスリ
ットで、囲まれた構造としたことを特徴とする広視野角
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29689497A JP3087841B2 (ja) | 1996-10-29 | 1997-10-29 | 広視野角液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28638196 | 1996-10-29 | ||
| JP8-286381 | 1996-10-29 | ||
| JP29689497A JP3087841B2 (ja) | 1996-10-29 | 1997-10-29 | 広視野角液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186407A JPH10186407A (ja) | 1998-07-14 |
| JP3087841B2 true JP3087841B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=26556291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29689497A Expired - Lifetime JP3087841B2 (ja) | 1996-10-29 | 1997-10-29 | 広視野角液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3087841B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125872B2 (ja) | 1998-09-14 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3210639B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW478014B (en) * | 1999-08-31 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| KR100887325B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2009-03-06 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
| KR100607145B1 (ko) * | 2000-02-11 | 2006-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| JP3542023B2 (ja) | 2000-03-16 | 2004-07-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液晶表示装置 |
| JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP5046064B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2012-10-10 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2002323706A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4831716B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-12-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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-
1997
- 1997-10-29 JP JP29689497A patent/JP3087841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10186407A (ja) | 1998-07-14 |
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