JPH112844A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各線間の短絡を防止して製造上の歩留りを向
上させると共に、製造工程数を増加させることがない液
晶表示パネル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基準電位が供給される共通電極と、表示
画像のデータ信号が供給されるデータ線と、走査用信号
が供給されるゲート線と、走査用信号とデータ信号とに
よって選択された画素の液晶分子に対してデータ信号に
よる電界を印加するための薄膜トランジスタと、薄膜ト
ランジスタを介してデータ信号が供給される画素電極と
を備え、画素毎に液晶分子の分子軸方向を水平方向に回
転させて画像を表示させるＴＦＴ基板を有する液晶表示
パネルにおいて、共通電極、データ線、及びゲート線
が、絶縁体からなる層間膜を挟んでそれぞれ異なる層上
に形成されている構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示パネルに関
し、特に視野角が広いＩＰＳ（In-Plane-Switching）モ
ードの液晶表示パネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に液晶表示パネルには、配列された
液晶分子の分子軸の方向を基板に対して垂直方向に回転
させて画像を表示させるＴＮ（Twisted Nematic）モー
ドのものと、液晶分子の分子軸の方向を基板に対して水
平方向に回転させて画像を表示させるＩＰＳ（In Plane
Switching）モードのものがある。このうち、ＩＰＳモ
ードの液晶表示パネルは、視点を動かしても基本的に液
晶分子の短軸方向のみを見ることになるため、視野角依
存性が少なく、ＴＮモードの液晶表示パネルに比べて広
い視野角を得ることができる。以下では、このＩＰＳモ
ードの液晶表示パネルについてその構造及び製造方法に
ついて説明する。

【０００３】従来、この種の液晶表示パネルとしては、
特開昭６３−２１９０７号公報（以下、第１従来例と称
す）および特開平６−２０２１２７号公報（以下、第２
従来例と称す）などに開示されているものがある。

【０００４】第１従来例及び第２従来例に記載されてい
る液晶表示パネルでは、表示用の信号処理装置から画像
のデータ信号が供給されるデータ線と、表示すべき画素
に対応して配置され、薄膜トランジスタを介してデータ
信号が供給される画素電極と、基準電位（例えば、ＤＣ
７［Ｖ］）が供給される共通電極線と、共通電極線に接
続され、画素毎に配置される共通電極とが同じ層に形成
されている。このため、製造工程で軽微なパターニング
欠陥が発生した場合に、データ線と共通電極線間の短絡
（以下、Ｄ−ＣＯＭショートと称す）や、データ線と画
素電極間の短絡（以下、Ｄ−ＰＩショートと称す）、あ
るいは共通電極線と画素電極間の短絡（以下、ＣＯＭ−
ＰＩショートと称す）等が発生し、液晶表示パネルの製
造上の歩留まりが低下する問題点があった。

【０００５】このような短絡発生の問題点を解決する手
段として、特開平７−３６０５８号公報にその例（以
下、第３従来例と称す）が開示されている。

【０００６】図９は液晶表示パネルの第３従来例の画素
の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。

【０００７】図９において、第３従来例の液晶表示パネ
ルの画素は、表示用の信号処理装置から走査用信号が供
給されるゲート線５０１と、データ線５０２と、共通電
極線５０３と、共通電極５０５と、画素電極５０４と、
走査用信号及びデータ信号によって選択された画素の液
晶分子に対してデータ信号による電界を印加するための
薄膜トランジスタ５０６（Thin Film Transistor；以下
ＴＦＴと呼ぶ）とによって構成されている。

【０００８】ＴＦＴ５０６は、ＴＦＴガラス基板５１４
上に形成され、ゲート線５０１に接続されるゲート電極
５０７と、ゲート電極５０７を覆うようにして成膜され
たゲート絶縁膜５３２と、ゲート絶縁膜５３２上に形成
されたドレイン電極５０８、ソース電極５０９、及びａ
−Ｓｉ層５１１と、ドレイン電極５０８及びソース電極
５０９とａ−Ｓｉ層５１１との間に設けられたｎ⁺ ａ−
Ｓｉ層５１２と、ドレイン電極５０８、ソース電極５０
９、ａ−Ｓｉ層５１１、及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ層５１２を覆
うようにして成膜されたパッシベーション膜５１３とに
よって構成されている。なお、ドレイン電極５０８はデ
ータ線５０２に接続され、ソース電極５０９は画素電極
５０４に接続されている。

【０００９】この構造は、ゲート電極５０７の上部にソ
ース電極５０９及びドレイン電極５０８が設けられた構
造（ボトムゲート構造）であるため、一般に逆スタガ構
造と呼ばれる。

【００１０】また、パッシベーション膜５１３上には、
液晶分子を動作モードに適した配列や傾き（プレチル
ト）に制御するための配向膜５１５が成膜されている。
このＴＦＴガラス基板５１４から配向膜５１５までによ
って構成される基板をＴＦＴ基板５２１と呼ぶ。

【００１１】液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板５２１と、
液晶分子が封止される不図示の液晶層と、色層やブラッ
クマトリクス層を有するカラーフィルター基板（以下、
ＣＦ基板と呼ぶ）とによって構成される。

【００１２】次に、図９に示したＴＦＴ基板５２１の製
造方法について図１０を参照して説明する。

【００１３】図１０は図９に示したＴＦＴ基板の製造工
程の様子を示す側断面図である。

【００１４】図１０において、まず、ＴＦＴ側ガラス基
板５１４上に、スパッタリングによってＣｒ、あるいは
Ａｌ−Ｎｄ等を１０００オングストローム程度の厚さで
堆積し、これをパターニングすることによりゲート線５
０１、ゲート電極５０７、共通電極５０５、共通電極線
５０３、及び表示用の信号処理装置と接続されるゲート
側端子部５３０（図９では不図示、ゲート線５０１の外
部との接続部位）を形成する第１のパターニング工程を
行う（図１０（ａ））。

【００１５】次に、ＳｉＮ膜等からなるゲート絶縁膜５
３２と、ａ−Ｓｉ層５１１と、ｎ⁺ａ−Ｓｉ膜５１２と
を、ＣＶＤによってそれぞれ３０００オングストロー
ム、３５００オングストローム、５００オングストロー
ム程度の厚さで連続的に積層し、ａ−Ｓｉ膜５１１と、
ｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜５１２とを一括してパターニングする第
２のパターニング工程を行う（図１０（ｂ））。

【００１６】次に、表示用の信号処理装置とゲート側端
子部５３０とを接続するための第１のコンタクトホール
５２９をゲート側端子部５３０上に形成する第３のパタ
ーニング工程を行う（図１０（ｃ））。

【００１７】次に、ゲート絶縁膜５３２及びｎ⁺ ａ−Ｓ
ｉ膜５１２上に、スパッタリングによってＣｒ、あるい
はＭｏ等を１０００オングストローム程度の厚さで堆積
し、これをパターニングすることによりソース電極５０
９、画素電極５０４、ドレイン電極５０８、データ線５
０２、及び表示用の信号処理装置と接続されるデータ線
側端子部５３５（図９では不図示、データ線５０２の外
部との接続部位）をそれぞれ形成すると共に、バックチ
ャネル５３３を堀込むことでｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜５１２の不
要部位を除去する第４のパターニング工程を行う（図１
０（ｄ））。

【００１８】最後に、ソース電極５０９、画素電極５０
４、ドレイン電極５０８、及びデータ線側端子部５３５
を覆うようにして、ＣＶＤにより絶縁体であるＳｉＮ膜
を３０００オングストローム程度の厚さで成膜し、薄膜
トランジスタを保護するためのパッシベーション膜５１
３を形成すると共に、ゲート側端子部５３０上に第１の
コンタクトホール５２９を形成し（ゲート絶縁膜５３２
及びパッシベーション膜５１３をそれぞれ除去）、デー
タ線側端子部３５上に第２に第２のコンタクトホール５
３４を形成する（パッシベーション膜５１３を除去）第
５のパターニング工程を行う（図１０（ｅ））。

【００１９】以上説明した５つのパターニング工程によ
って液晶表示パネルの第３従来例のＴＦＴ基板を製造す
ることができる。

【００２０】ここで、第３従来例の特長は以下のように
なる。

【００２１】第１従来例及び第２従来例では、共通電
極、共通電極線、データ線、画素電極をＴＦＴのドレイ
ン電極及びソース電極と同一層に形成している。それに
対し、第３従来例では、共通電極５０５、共通電極線５
０３、及びゲート線５０１をＴＦＴ５０６のゲート電極
５０７と同一層に形成し、第１従来例及び第２従来例に
比べてパターニング工程を増加させることなく、共通電
極５０５及び共通電極線５０３と、データ線５０２及び
画素電極５０４とを層間分離している。

【００２２】よって、第３従来例はパターニング工程を
増加させることなく製造することが可能であり、同時に
Ｄ−ＣＯＭショート、Ｄ−ＰＩショート、及びＣＯＭ−
ＰＩショート等を防止することができる。

【００２３】一方、特開平７−３６０５８号公報には、
短絡故障の問題点を解決する他の手段（以下、第４従来
例と称す）が開示されている。

【００２４】図１１は液晶表示パネルの第４従来例の画
素の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図である。

【００２５】図１１に示すように、第４従来例の液晶表
示パネルの画素は、第３従来例と同様にゲート線６０１
と、データ線６０２と、共通電極線６０３と、共通電極
６０５と、画素電極６０４と、ＴＦＴ６０６とによって
構成され、ゲート線６０１及びゲート電極６０７の下
に、第１の層間膜６１９を介して共通電極６０５及び共
通電極線６０３が形成されている。

【００２６】ＴＦＴ６０６は、ＴＦＴガラス基板６１４
上に形成され、ゲート線６０１に接続されるゲート電極
６０７と、ゲート電極６０７を覆うようにして成膜され
たゲート絶縁膜６３２と、ゲート絶縁膜６３２上に形成
されたドレイン電極６０８、ソース電極６０９、及びａ
−Ｓｉ層６１１と、ドレイン電極６０８及びソース電極
６０９とａ−Ｓｉ層６１１との間に設けられるｎ⁺ ａ−
Ｓｉ層６１２と、ドレイン電極６０８、ソース電極６０
９、ａ−Ｓｉ層６１１、及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ層６１２を覆
うようにして成膜されたパッシベーション膜６１３とに
よって構成されている。なお、ドレイン電極６０８はデ
ータ線６０２に接続され、ソース電極６０９は画素電極
６０４に接続されている。ＴＦＴ基板６２１は、パッシ
ベーション膜６１３上に成膜された不図示の配向膜から
ＴＦＴガラス基板６１４までによって構成される。

【００２７】次に、図１１に示したＴＦＴ基板６２１の
製造方法について図１２を参照して説明する。

【００２８】図１２は図１１に示したＴＦＴ基板の製造
工程の様子を示す側断面図である。

【００２９】図１２において、まず、ＴＦＴガラス基板
６１４上に、スパッタリングによってＣｒ、あるいはＡ
ｌ−Ｎｄ等を１０００オングストローム程度の厚さで堆
積し、これをパターニングすることにより、共通電極６
０５、共通電極線６０３、及び表示用の信号処理装置と
接続される共通電極側端子部６３７（図１１では不図
示、共通電極線６０３の外部との接続部位）を形成する
第１のパターニング工程を行う（図１２（ａ））。

【００３０】次に、共通電極６０５、共通電極線６０
３、及び共通電極側端子部６３７を覆うようにして、Ｓ
ｉＮ膜等からなる第１の層間膜６１９を３０００オング
ストロームの厚さで成膜し、表示用の信号処理装置と共
通電極側端子部６３７とを接続するための第２のコンタ
クトホール６３８を共通電極側端子部６３７上に形成す
る第２のパターニング工程を行う（図１２（ｂ））。

【００３１】次に、第１の層間膜６１９上にスパッタリ
ングによってＣｒ、あるいはＡｌ−Ｎｄ等を１０００オ
ングストローム程度の厚さで堆積し、これをパターニン
グすることにより、ゲート線６０１、ゲート電極６０
７、及び表示用の信号処理装置と接続されるゲート側端
子部６３０（図１１では不図示、ゲート線６０１の外部
との接続部位）を形成する第３のパターニング工程を行
う（図１２（ｃ））。

【００３２】次に、ＳｉＮ膜等からなるゲート絶縁膜６
３２と、ａ−Ｓｉ膜６１１と、ｎ⁺ａ−Ｓｉ膜６１２と
を、ＣＶＤによってそれぞれ３０００オングストロー
ム、３５００オングストローム、５００オングストロー
ム程度の厚さで連続的に積層し、ａ−Ｓｉ膜６１１、及
びｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜６１２を一括してパターニングする第
４のパターニング工程を行う（図１２（ｄ））。

【００３３】次に、表示用の信号処理装置と共通電極側
端子部６３７とを接続するための第２のコンタクトホー
ル６３８を共通電極側端子部６３７上に形成し（第１の
層間膜６１９及びゲート絶縁膜６３２をそれぞれ除
去）、表示用の信号処理装置とゲート側端子部６３０と
を接続するための第１のコンタクトホール６２９をゲー
ト側端子部６３０上に形成する第５のパターニング工程
を行う（図１２（ｅ））。

【００３４】次に、ゲート絶縁膜６３２及びｎ⁺ ａ−Ｓ
ｉ膜６１２上に、スパッタリングによってＣｒ、あるい
はＭｏ等を１０００オングストローム程度の厚さで堆積
し、これをパターニングすることにより、ソース電極６
０９、画素電極６０４、ドレイン電極６０８、データ線
６０２、及び表示用の信号処理装置と接続されるデータ
線側端子部６３５（図１１では不図示、データ線６０２
の外部との接続部位）をそれぞれ形成すると共に、バッ
クチャネル６３３を堀込むことでｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜６１２
の不要部位を除去する第６のパターニング工程を行う
（図１２（ｆ））。

【００３５】最後に、ソース電極６０９、画素電極６０
４、ドレイン電極６０８、及びデータ線側端子部６３５
をそれぞれ覆うようにして、ＣＶＤによって絶縁体であ
るＳｉＮ膜を３０００オングストローム程度の厚さで成
膜し、ＴＦＴ６０６を保護するためのパッシベーション
膜６１３を形成すると共に、共通電極側端子部６３７上
に第２のコンタクトホール６３８を形成し（第１の層間
膜６１９、ゲート絶縁膜６３２、及びパッシベーション
膜６３２をそれぞれ除去）、ゲート側端子部６３０上に
第１のコンタクトホール６２９を形成し（ゲート絶縁膜
６３２及びパッシベーション膜６３２をそれぞれ除
去）、データ線側端子部６３５上に第３のコンタクトホ
ール６３４を形成する（パッシベーション膜６３２を除
去）第７のパターニング工程を行う（図１２（ｇ））。

【００３６】以上説明した７つのパターニング工程によ
って液晶表示パネルの第４従来例のＴＦＴ基板を製造す
ることができる。

【００３７】第４従来例においては、共通電極６０５と
ゲート線６０１とが異なる層にあるため、共通電極６０
５とゲート線６０１の間隔を狭めても、これらの間で短
絡（以下、Ｇ−ＣＯＭショート）することがなく、製造
上の歩留りを向上させることができる。

【００３８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
ような従来の液晶表示パネルのうち、第３従来例の構造
では、ゲート線、共通電極、及び共通電極線が同じ層に
形成されるため、製造工程で生じる軽微なパターニング
欠陥によって発生する短絡を防止するために、ゲート
線、共通電極、及び共通電極線の距離をそれぞれ離す必
要がある。

【００３９】したがって、画素電極のパターン配置の自
由度が共通電極のパターン配置によって制限されてしま
うため、開口率を上げることができないという問題点を
有していた。

【００４０】また、ゲート線、共通電極、及び共通電極
線の距離をそれぞれ離したとしても比較的大きなパター
ニング欠陥に対しては有効ではないため、Ｇ−ＣＯＭシ
ョート等が発生しやすく、製造上の歩留りが低下する問
題点を有していた。

【００４１】一方、第４従来例の液晶表示パネルでは、
共通電極及び共通電極線と、ゲート線とが異なった層に
形成されるため、画素電極のパターン配置の自由度が大
きく、くしば型あるいはリング型などの形状で配置する
ことができる。

【００４２】しかしながら、ゲート電極の下に新たに第
１の層間膜を設ける必要があるため、第３従来例の液晶
表示パネルに比べて２つのパターニング工程が増え、製
造コストが増加する問題点を有していた。

【００４３】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、各線間
の短絡を防止して製造上の歩留りを向上させると共に、
製造工程数を増加させることがない液晶表示パネル及び
その製造方法を提供することを目的とする。

【００４４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の液晶表示パネルは、基準電位が供給される共通
電極と、表示画像のデータ信号が供給されるデータ線
と、走査用信号が供給されるゲート線と、前記走査用信
号と前記データ信号とによって選択された画素の液晶分
子に対して前記データ信号による電界を印加するための
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを介して前
記データ信号が供給される画素電極と、を備え、前記画
素毎に前記液晶分子の分子軸方向を水平方向に回転させ
て画像を表示させるＴＦＴ基板を有する液晶表示パネル
において、前記共通電極、前記データ線、及び前記ゲー
ト線が、絶縁体からなる層間膜を挟んでそれぞれ異なる
層上に形成されていることを特徴とする。

【００４５】このとき、前記画素に光が当たることで薄
膜トランジスタのチャネル部に発生する電子正孔対によ
る誤動作を防止するための遮光膜と共通電極とが最も下
の層であるガラス基板の上に形成され、データ線と画素
電極と前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン
電極とが中間の層である第１の層間膜の上に形成され、
ゲート線と前記薄膜トランジスタのゲート電極とが最も
上の層である第２の層間膜の上に形成されていてもよ
く、ゲート線が最も下の層であるガラス基板の上に形成
され、データ線と画素電極と薄膜トランジスタのソース
電極及びドレイン電極とが中間の層である第１の層間膜
の上に形成され、共通電極と前記薄膜トランジスタのゲ
ート電極とが最も上の層である第２の層間膜の上に形成
されていてもよい。

【００４６】また、薄膜トランジスタのゲート電極と共
通に使用されるゲート線が最も下の層であるガラス基板
の上に形成され、データ線と画素電極と前記薄膜トラン
ジスタのソース電極及びドレイン電極とが中間の層であ
る第１の層間膜の上に形成され、共通電極が最も上の層
である第２の層間膜の上に形成されていてもよく、この
ときＴＦＴ基板に、ガラス基板の上に形成されるゲート
線を第２の層間膜の上に引き出すためのコンタクトホー
ルを有していてもよい。

【００４７】また、ゲート線がガラス基板の上に形成さ
れ、共通電極が第２の層間膜の上に形成された構造にお
いては、共通電極に基準電位を供給するための共通電極
線とデータ線とが交差しないように配置されていてもよ
い。

【００４８】さらに、共通電極が第２の層間膜の上に形
成された構造においては、共通電極を、データ信号及び
走査用信号によって影響される光漏れ領域を遮光するよ
うに配置してもよい。

【００４９】一方、本発明の液晶表示パネルの製造方法
は、基準電位が供給される共通電極と、表示画像のデー
タ信号が供給されるデータ線と、走査用信号が供給され
るゲート線と、前記走査用信号と前記データ信号とによ
って選択された画素の液晶分子に対して前記データ信号
による電界を印加するための薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタを介して前記データ信号が供給される
画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶分子の分子
軸方向を水平方向に回転させて画像を表示させるＴＦＴ
基板を有する液晶表示パネルの製造方法において、前記
ＴＦＴ基板は、ガラス基板上に第１の導電体を堆積し、
該第１の導電体をパターニングして、前記画素に光が当
たることで前記薄膜トランジスタのチャネル部に発生す
る電子、正孔対による誤動作を防止するための遮光膜と
前記共通電極とを形成する第１のパターニング工程と、
前記共通電極を覆うようにして絶縁体からなる第１の層
間膜を成膜すると共に、前記第１の層間膜上に第２の導
電体を堆積し、該第２の導電体をパターニングして、前
記データ線と前記薄膜トランジスタのドレイン電極及び
ソース電極と前記画素電極とを形成する第２のパターニ
ング工程と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極上に
選択的にオーミックコンタクト層を形成した後、ａ−Ｓ
ｉ半導体を堆積し、該ａ−Ｓｉ半導体をパターニングし
て前記薄膜トランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ層
を形成する第３のパターニング工程と、前記ａ−Ｓｉ
層、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極上を覆うよ
うにして絶縁体からなる第２の層間膜を成膜する第４の
パターニング工程と、前記第２の層間膜上に第３の導電
体を堆積し、該第３の導電体をパターニングして前記ゲ
ート線及び該ゲート線に接続される前記薄膜トランジス
タのゲート電極を形成する第５のパターニング工程と、
によって製造されることを特徴とする。

【００５０】また、基準電位が供給される共通電極と、
表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、走査用
信号が供給されるゲート線と、前記走査用信号と前記デ
ータ信号とによって選択された画素の液晶分子に対して
前記データ信号の電界を印加するための薄膜トランジス
タと、前記薄膜トランジスタを介して前記データ信号が
供給される画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶
分子の分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表示さ
せるＴＦＴ基板を有する液晶表示パネルの製造方法にお
いて、前記ＴＦＴ基板は、ガラス基板上に第１の導電体
を堆積し、該第１の導電体をパターニングして前記ゲー
ト線を形成する第１のパターニング工程と、前記ゲート
線を覆うようにして絶縁体からなる第１の層間膜を成膜
すると共に、前記第１の層間膜上に第２の導電体を堆積
し、該第２の導電体をパターニングして、前記データ線
と前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極
と前記画素電極とを形成する第２のパターニング工程
と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極上に選択的に
オーミックコンタクト層を形成した後、ａ−Ｓｉ半導体
を堆積し、該ａ−Ｓｉ半導体をパターニングして前記薄
膜トランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ層を形成す
る第３のパターニング工程と、前記ａ−Ｓｉ層、前記ド
レイン電極、及び前記ソース電極上を覆うようにして絶
縁体からなる第２の層間膜を成膜する第４のパターニン
グ工程と、前記第２の層間膜上に第３の導電体を堆積
し、該第３の導電体をパターニングして前記共通電極を
形成する第５のパターニング工程と、によって製造され
ることを特徴とする。

【００５１】さらに、基準電位が供給される共通電極
と、表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、走
査用信号が供給されるゲート線と、前記走査用信号と前
記データ信号とによって選択された画素の液晶分子に対
して前記データ信号の電界を印加するための薄膜トラン
ジスタと、前記薄膜トランジスタを介して前記データ信
号が供給される画素電極と、を備え、前記画素毎に前記
液晶分子の分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表
示させるＴＦＴ基板を有する液晶表示パネルの製造方法
において、前記ＴＦＴ基板は、ガラス基板上に第１の導
電体を堆積し、該第１の導電体をパターニングして前記
ゲート線を形成する第１のパターニング工程と、前記ゲ
ート線を覆うようにして絶縁体からなる第１の層間膜を
成膜すると共に、前記第１の層間膜上にａ−Ｓｉ半導体
及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体を連続的に積層し、該ａ−Ｓｉ
半導体及び該ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体をパターニングして前
記薄膜トランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ層及び
ｎ⁺ ａ−Ｓｉ層を形成する第２のパターニング工程と、
前記ａ−Ｓｉ層及び前記ｎ⁺ ａ−Ｓｉ層を覆うようにし
て第２の導電体を堆積し、該第２の導電体をパターニン
グして前記データ線と前記薄膜トランジスタのドレイン
電極及びソース電極と前記画素電極とを形成する第３の
パターニング工程と、前記データ線、前記ドレイン電
極、前記ソース電極、及び前記画素電極を覆うようにし
て絶縁体からなる第２の層間膜を成膜する第４のパター
ニング工程と、前記第２の層間膜上に第３の導電体を堆
積し、該第３の導電体をパターニングして前記共通電極
を形成する第５のパターニング工程と、によって製造さ
れることを特徴とする。

【００５２】上記のように構成された液晶表示パネル
は、共通電極、データ線、及びゲート線が、それぞれ絶
縁体である層間膜を挟んで異なる層に形成されること
で、ゲート線と共通電極間の短絡、及びデータ線と共通
電極間の短絡を防止することができる。

【００５３】また、遮光膜と共通電極とをガラス基板上
に形成し、データ線と画素電極とソース電極及びドレイ
ン電極とを第１の層間膜上に形成し、ゲート線とゲート
電極とを第２の層間膜上に形成することで、第３従来例
と同様に５つのパターニング工程でＴＦＴ基板を作製す
ることができるため、製造工程数が増加することがな
い。

【００５４】同様に、ゲート線をガラス基板上に形成
し、データ線と画素電極とソース電極及びドレイン電極
とを第１の層間膜上に形成し、共通電極とゲート電極と
を第２の層間膜上に形成した場合も、５つのパターニン
グ工程でＴＦＴ基板を作製することができるため、製造
工程数が増加することがない。

【００５５】さらに、ゲート線をガラス基板上に形成
し、データ線と画素電極とソース電極及びドレイン電極
とを第１の層間膜上に形成し、共通電極を第２の層間膜
上に形成した場合も、５つのパターニング工程でＴＦＴ
基板を作製することができるため、製造工程数が増加す
ることがない。

【００５６】

【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００５７】（第１の実施の形態）図１は本発明の液晶
表示パネルの第１の実施の形態の画素の構造を示す図で
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。

【００５８】図１において、本実施の形態の液晶表示パ
ネルの画素は、基準電位が供給される共通電極線３及び
共通電極５と、データ信号が供給されるデータ線２と、
表示すべき画素に対応した電圧が供給される画素電極４
と、走査用信号が供給されるゲート線１と、ＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）６とによって構成され、ゲート線１に
供給される走査用信号、及びデータ線２に供給されるデ
ータ信号によって選択された画素に対して、基板表面と
実質的に水平な方向に電界を発生させ、その電界にした
がって液晶分子１７を基板表面と水平な方向に回転させ
て画像を表示させるものである。

【００５９】図１に示すように、ＴＦＴガラス基板１４
上には、共通電極５及び共通電極線３と、ＴＦＴ６のａ
−Ｓｉ層１１に入射する光を遮光するための遮光膜１８
とが形成されている。遮光膜１８は、画素に光が当たる
ことによりＴＦＴ６のチャネル部に発生する電子正孔対
による誤動作を防止するために設けている。また、それ
らを覆うように第１の層間膜１９が形成され、その上に
ＴＦＴ６を構成するドレイン電極８及びソース電極９が
形成される。ドレイン電極８はデータ線２に接続され、
ソース電極９は画素電極４に接続される。また、ドレイ
ン電極８及びソース電極９を覆うようにしてａ−Ｓｉ層
１１が形成され、ａ−Ｓｉ層１１にＴＦＴ６のチャネル
部が形成される。さらに、ドレイン電極８、ソース電極
９、及びａ−Ｓｉ層１１を覆うようにして第２の層間膜
２０が成膜され、その上にゲート線１と接続されるゲー
ト電極７が形成されている。

【００６０】また、第２の層間膜２０上には、ゲート線
１及びゲート電極７を覆うようにして液晶分子を動作モ
ードに適した配列や傾き（プレチルト）に制御するため
の不図示の第１の配向膜が成膜される。ここで、ＴＦＴ
ガラス基板１４から第１の配向膜までによって構成され
る基板をＴＦＴ基板と呼ぶ。

【００６１】なお、本実施の形態のＴＦＴ６はゲート電
極７の下部にソース電極９及びドレイン電極８が設けら
れた構造（トップゲート構造）であるため、一般に正ス
タガ型と呼ばれる。

【００６２】図２は図１に示したＴＦＴ基板を備えた液
晶表示パネルの構造を示す断面図である。

【００６３】図２において、液晶表示パネルは、図１に
示した第２の層間膜２０上に第１の配向膜１５が形成さ
れたＴＦＴ基板２１と、液晶分子が封止される液晶層２
７と、色層やブラックマトリクス層を有するカラーフィ
ルター基板２６（以下、ＣＦ基板と呼ぶ）とによって構
成されている。

【００６４】ＣＦ基板２６は、ＣＦ側ガラス基板２２
と、不必要な光を遮るためのブラックマトリクス層２３
と、ＲＧＢの３原色をもつ顔料や染料の入った樹脂であ
る色層２４と、第２の配向膜２５とによって構成され
る。

【００６５】また、図２に示すように、液晶表示パネル
は、液晶層２７がＴＦＴ基板２１の第１の配向膜１５と
ＣＦ基板２６の第２の配向膜２５とによって挟まれる構
造になっている。

【００６６】なお、実際には液晶層２７の厚みを保持す
るためのスペーサ、及び液晶分子１７を外部に漏らさな
いためのシール材などが必要であるが、これらの構成要
素は本発明に直接関係するものではないため、その説明
は省略する。

【００６７】次に、図１に示したＴＦＴ基板の製造方法
について図３を参照して説明する。

【００６８】図３は図２に示したＴＦＴ基板の製造工程
の様子を示す側断面図である。

【００６９】図３において、まず、ＴＦＴ側ガラス基板
１４上に、スパッタリングによってＣｒ、Ｍｏ、あるい
はＡｌ−Ｎｄ等を１０００〜２０００オングストローム
程度の厚さで堆積し、これを所定の形状でパターニング
することにより遮光膜１８、共通電極５、及び共通電極
線３をそれぞれ形成する第１のパターニング工程を行う
（図３（ａ））。

【００７０】次に、これらを覆うようにして、ＣＶＤに
よりＳｉＯ膜またはＳｉＮ膜を１０００〜２０００オン
グストロームの厚さで成膜して第１の層間膜１９を形成
すると共に、第１の層間膜１９上にスパッタリングによ
ってＣｒ、あるいはＭｏを１０００〜２０００オングス
トロームの厚さで堆積し、これをパターニングすること
によりデータ線２、ドレイン電極８、ソース電極９、画
素電極４、及び表示用の信号処理装置と接続されるデー
タ側端子部３５（図１では不図示、データ線２の外部と
の接続部位）をそれぞれ形成する第２のパターニング工
程を行う（図３（ｂ））。ここで、次工程でのａ−Ｓｉ
膜１１のカバレッジを良好にするため、ソース電極９及
びドレイン電極８には１５°〜４５°程度にテーパーを
つけておく。

【００７１】次に、ＰＨ３プラズマ処理を行い、ドレイ
ン電極８及びソース電極９上に選択的にＰ（リン）を堆
積してごく薄いオーミックコンタクト層２８を形成した
後、ＣＶＤによってａ−Ｓｉ半導体を１０００オングス
トローム程度の厚さで堆積し、これをパターニングする
ことによりａ−Ｓｉ層１１を形成する第３のパターニン
グ工程を行う（図３（ｃ））。

【００７２】次に、ＣＶＤによってＳｉＮ膜を３０００
オングストローム程度の厚さで成膜し、第２の層間膜２
０を形成すると共に、表示用の信号処理装置とデータ側
端子部３５とを接続するためのコンタクトホール３４を
データ側端子部３５上に形成する第４のパターニング工
程を行う（図３（ｄ））。

【００７３】最後に、第２の層間膜２０上に大気中で比
較的安定な金属であるＡｌ−Ｎｄ等を１０００オングス
トローム程度の厚さで堆積し、これをパターニングする
ことにより、ゲート線１、及びゲート電極７を形成する
第５のパターニング工程を行う（図３（ｅ））。

【００７４】また、同時に大気中で比較的不安定な金属
であるＭｏ等（ゲート層金属３１）によって、データ側
端子部３５の表面及びコンタクトホール３４の内壁を被
覆し、データ側端子部３５の信頼性を高める。

【００７５】以上説明した５つのパターニング工程によ
って、本実施の形態の液晶表示パネルが備えるＴＦＴ基
板を製造することができる。

【００７６】ここで、本実施の形態の液晶表示パネルの
特長は以下の通りである。

【００７７】本実施の形態の液晶表示パネルでは、５つ
のパターニング工程によって、共通電極５及び共通電極
線３と、データ線２及び画素電極４と、ゲート線１とを
３つの層に層間分離して形成している。

【００７８】したがって、製造工程数を増やすことな
く、Ｇ−ＣＯＭショート及びＤ−ＣＯＭショート等を防
止することができ、製造コストが安く、製造上の歩留り
が高い液晶表示パネルを提供できる。

【００７９】また、共通電極５が第１の層間膜１９に覆
われ、画素電極４が第２の層間膜２０に覆われているた
め、液晶層２７と電極が直接接することがなく、表示画
像の焼き付き現象が低減する。

【００８０】（第２の実施の形態）図４は本発明の液晶
表示パネルの第２の実施の形態の画素の構造を示す図で
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。

【００８１】図４において、本実施の形態の液晶表示パ
ネルの画素は、ＴＦＴガラス基板１１４上にゲート線１
０１が形成され、ゲート線１０１はＴＦＴ１０６のバッ
クゲート電極及び遮光膜として機能する。

【００８２】ガラス基板１１４上にはゲート線１０１を
覆うようにして第１の層間膜１１９が成膜され、その上
にＴＦＴ１０６のドレイン電極１０８及びソース電極１
０９が形成される。ドレイン電極１０８はデータ線１０
２に接続され、ソース電極１０９は画素電極１０４に接
続される。

【００８３】また、ドレイン電極１０８及びソース電極
１０９を覆うようにしてａ−Ｓｉ層１１１が形成され、
ａ−Ｓｉ層１１１はＴＦＴ１０６のチャネル部となる。

【００８４】第１の層間膜１１９上には、ドレイン電極
１０８、ソース電極１０９、及びａ−Ｓｉ層１１１を覆
うようにして第２の層間膜１２０が成膜され、第２の層
間膜１２０上にゲート電極１０７、共通電極１０５、及
び共通電極線１０３が形成される。ゲート電極１０７は
コンタクトホール１１６を介してゲート線１０１に接続
され、共通電極１０５は共通電極線１０３に接続され
る。つまり、本実施の形態のＴＦＴ１０６はゲート線１
０１とゲート電極１０７との２重ゲート構造になってい
る。

【００８５】なお、液晶層やＣＦ基板の構成は第１の実
施の形態と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、ＴＦＴ基板の製造方法についても、ＴＦＴガラス基
板１１４上にゲート線１０１が形成され、第２の層間膜
１２０上に共通電極１０５及び共通電極線１０３が形成
されることを除くと第１の実施の形態と同様であるた
め、その説明は省略する。

【００８６】また、本実施の形態ではデータ線１０２上
にａ−Ｓｉ層１１１を残すようなパターニングを行って
いないが、データ線１０２と共通電極線１０３の短絡を
防止するため、両者の交差部位にａ−Ｓｉ層１１１を残
すようなパターニングを行ってもよい。

【００８７】本実施の形態の液晶表示パネルの特長は、
第１の実施の形態と同様に５つのパターニング工程によ
って共通電極１０５及び共通電極線１０３と、データ線
２及び画素電極４と、ゲート線１とをそれぞれ層間分離
している点にある。

【００８８】したがって、製造工程数を増やすことな
く、Ｇ−ＣＯＭショート及びＤ−ＣＯＭショートを防止
することができ、製造コストが安く、製造上の歩留りが
高い液晶表示パネルを提供できる。

【００８９】また、第１の実施の形態に比べて、共通電
極１０５及び共通電極線１０３を、データ線１０２及び
ゲート線１０１よりも上層に形成したため、ゲート信号
やデータ信号の電界による画素電極１０４に及ぼす影響
が低減され、表示品質が向上する。

【００９０】（第３の実施の形態）図５は本発明の液晶
表示パネルの第３の実施の形態の画素の構造を示す図で
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。

【００９１】図５において、本実施の形態の液晶表示パ
ネルの画素は、基準電位が供給される共通電極線２０３
及び共通電極２０５と、データ信号が供給されるデータ
線２０２と、表示すべき画素に対応した電圧が供給され
る画素電極２０４と、走査用信号が供給されるゲート線
２０１と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０６とによっ
て構成され、ゲート線２０１に供給される走査用信号、
及びデータ線２０２に供給されるデータ信号によって選
択された画素に対して、基板表面と実質的に水平な方向
に電界を発生させ、その電界にしたがって液晶分子を基
板表面と水平な方向に回転させて画像を表示させるもの
である。

【００９２】図５に示すように、ＴＦＴガラス基板２１
４上には、ＴＦＴ２０６のゲート電極２０７を兼ねるゲ
ート線２０１が形成され、それらを覆うようにしてゲー
ト絶縁膜２３２が形成されている。また、ゲート絶縁膜
２３２上にはａ−Ｓｉ層２１１及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ層２１
２と、データ線２０２と、画素電極２０４とが形成され
ている。また、ａ−Ｓｉ層２１１及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ層２
１２上にはＴＦＴ２０６を構成するドレイン電極２０８
及びソース電極２０９が形成され、ドレイン電極２０８
はデータ線２０２に接続され、ソース電極２０９は画素
電極２０４に接続される。

【００９３】また、ゲート絶縁膜２３２上には、ドレイ
ン電極２０８及びソース電極２０９を覆うようにしてＴ
ＦＴ２０６を保護するためのパッシベーション膜２１３
が成膜されている。パッシベーション膜２１３上には共
通電極線３が形成され、共通電極線３には共通電極５が
接続される。

【００９４】なお、本実施の形態のＴＦＴ２０６はボト
ムゲート構造を有するため、一般に逆スタガ型と呼ばれ
る。また、ＴＦＴ基板２２１は、パッシベーション膜２
１３上に成膜された不図示の配向膜からＴＦＴガラス基
板２１４までによって構成される。

【００９５】次に図５に示したＴＦＴ基板の製造方法に
ついて図６を参照して説明する。

【００９６】図６は図５に示したＴＦＴ基板の製造工程
の様子を示す側断面図である。

【００９７】まず、ＴＦＴガラス基板２１４上に、スパ
ッタリングによってＣｒ、Ａｌ−Ｎｄなどを１０００オ
ングストローム程度の厚さで堆積し、これをパターニン
グすることによりゲート線２０１、及びゲート側端子部
２３０（図５では不図示、ゲート線２０１の外部との接
続部位）を形成する第１のパターニング工程を行う（図
６（ａ））。

【００９８】次に、これらを覆うようにして、ＣＶＤに
より、ＳｉＮ膜等からなるゲート絶縁膜２３２、ａ−Ｓ
ｉ膜１１、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜１２をそれぞれ３０００オン
グストローム、３５００オングストローム、５００オン
グストローム程度の厚さで連続的に積層し、ａ−Ｓｉ膜
１１及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜１２を一括してパターニングす
る第２のパターニング工程を行う（図６（ｂ））。

【００９９】次に、スパッタリングによってＣｒ、ある
いはＭｏ等を１０００オングストローム程度の厚さで堆
積し、これをパターニングすることにより、ソース電極
２０９、ドレイン電極２０８、画素電極２０４、及び表
示用の信号処理装置と接続されるデータ側端子部２３５
（図５では不図示、データ線２０２の外部との接続部
位）を形成する第３のパターニング工程を行う（図６
（ｃ））。

【０１００】次に、これらを覆うようにして、ＣＶＤに
より絶縁体であるＳｉＮ膜を３０００オングストローム
程度の厚さで成膜し、パッシベーション膜１３を形成す
ると共に、表示用の信号処理装置とゲート側端子部２３
０を接続するための第１のコンタクトホール２２９をゲ
ート側端子部２３０上に形成し、表示用の信号処理装置
とデータ側端子部２３５を接続するための第２のコンタ
クトホール２３４をデータ側端子部２３５上に形成する
第４のパターニング工程を行う（図６（ｄ））。なお、
第２のコンタクトホール２３４はパッシベーション膜２
１３のみをエッチングして形成するのに対し、第１のコ
ンタクトホール２２９はパッシベーション膜２１３及び
ゲート絶縁膜２３２をそれぞれエッチングして形成する
ため、不要な堆積物が生成されたりエッチング形状がオ
ーバーハングしないように、例えばフッ酸によるウェッ
トエッチングのみで形成する等のエッチング条件を最適
化する必要がある。

【０１０１】最後に、パッシベーション膜２１３上に、
スパッタリングによってＡｌ−Ｎｄを１０００オングス
トローム程度の厚さで堆積し、これらをパターニングす
ることにより共通電極２０５及び共通電極線２０３を形
成する第５のパターニング工程を行う（図６（ｅ））。

【０１０２】また、同時に大気中で比較的不安定な金属
であるＭｏ等（共通電極層金属２４０）によって、ゲー
ト側端子部２３０及びデータ側端子部２３５を被覆し、
端子部の信頼性を高める。

【０１０３】以上説明した５つのパターニング工程によ
って、本実施の形態の液晶表示パネルが備えるＴＦＴ基
板を製造することができる。

【０１０４】ここで、本実施の形態の液晶表示パネルの
特長は、逆スタガ型のＴＦＴ２０６を第３従来例と同様
に５つのパターニング工程で作製し、ゲート線２０１、
データ線２０２、共通電極線２０３をそれぞれ層間分離
している点にある。

【０１０５】したがって、本実施の形態の液晶表示パネ
ルについても、第１の実施の形態と同様にＧ−ＣＯＭシ
ョート、及びＤ−ＣＯＭショートを防止することができ
る。

【０１０６】また、第２の実施の形態と同様に、共通電
極２０５及び共通電極線２０３をデータ線２０２及びゲ
ート線２０１よりも上層に形成したため、ゲート信号や
データ信号の電界による画素電極２０４に及ぼす影響が
低減され、表示品質が向上する。

【０１０７】また、共通電極２０５及び共通電極線２０
３と同じ層に、第１のコンタクトホール２２９を介して
ゲート線を引き出し、第２のコンタクトホール２３４を
介してデータ線を引き出すことで、例えば、画素の外の
領域であるＴＦＴ基板の外周部に、製造時の静電破壊
（２つの導電層に挟まれた絶縁膜の損傷）を防止するた
めの保護素子を設けることが可能になり、より製造上の
歩留りが高い液晶表示パネルを提供できる。

【０１０８】（第４の実施の形態）図７は本発明の液晶
表示パネルの第４の実施の形態の画素の構造を示す図で
あり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’
線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−Ｂ’線断面図である。

【０１０９】本実施の形態の液晶表示パネルの画素は、
共通電極線３０３がデータ線３０２と平行に設けられて
いる点が第３の実施の形態と異なっている（共通電極は
共通電極線と共通）。その他の構成は第３の実施の形態
と同様であるため、その説明は省略する。

【０１１０】本実施の形態の液晶表示パネルの特長は以
下の通りである。

【０１１１】すなわち、第３の実施の形態においては、
共通電極線がゲート線と平行に配置されているため、デ
ータ線と交差していた。このとき、共通電極線とデータ
線を絶縁する層間膜はパッシベーション膜のみであるた
め、層間短絡が発生する可能性があった。

【０１１２】一方、本実施の形態においても、共通電極
線３０３がデータ線３０２と平行に設けられ、ゲート線
３０１と交差している。しかしながら、共通電極線３０
３とゲート線３０１を絶縁する層間膜はゲート絶縁膜３
３２及びパッシベーション膜３１３の２層構造であるた
め、層間短絡が発生し難く、より製造上の歩留りが高い
液晶表示パネルが提供される。

【０１１３】なお、本実施の形態では、第３の実施の形
態で説明したＴＦＴ基板の共通電極線とデータ線とを平
行にする場合で説明したが、第２の実施の形態のＴＦＴ
基板に適用しても同様な効果を得ることができる。

【０１１４】（第５の実施の形態）図８は本発明の液晶
表示パネルの第５の実施の形態の画素の構造を示す平面
図である。

【０１１５】図８において、本実施の形態の液晶表示パ
ネルは、ゲート線４０１、データ線４０２、及び共通電
極線４０３がそれぞれ層間分離され、第２の実施の形態
と同様に共通電極４０５及び共通電極線４０３を最も上
の層に設けた構成となっている。また、共通電極線４０
３は、ゲート線４０１及びデータ線４０２とオーバーラ
ップし、共通電極４０５によって、ゲート線４０１との
間、及びデータ線４０２との間の光漏れ領域４３６をそ
れぞれ遮光する構成になっている。

【０１１６】ＴＦＴ４０６の構造、及びＴＦＴ基板の構
成については第２の実施の形態と同様なため、その説明
は省略する。

【０１１７】一般に、データ線４０２に供給されるデー
タ信号あるいはゲート線４０１に供給される走査用信号
は光漏れ領域４３６の液晶層に影響を与えるためＣＦ基
板のブラックマトリクス層によって光漏れ領域４３６を
遮光する必要がある。

【０１１８】本実施の形態の液晶表示パネルは、ＴＦＴ
基板上に設けた共通電極線４０３によって光漏れ領域４
３６を遮光するため、ＣＦ基板のブラックマトリクス層
によって光漏れ領域を遮光する必要がなくなり、ＴＦＴ
基板とＣＦ基板の重ねずれのマージンを見込む必要がな
くなるため、高開口率の液晶表示パネルを得ることがで
きる。

【０１１９】なお、本実施の形態では、第２の実施の形
態で説明したＴＦＴ基板に対して、共通電極によって、
ゲート線との間、及びデータ線との間の光漏れ領域をそ
れぞれ遮光する場合で説明したが、第３の実施の形態及
び第４の実施の形態のＴＦＴ基板に適用しても同様な効
果を得ることができる。

【０１２０】

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。

【０１２１】請求項１に記載のものにおいては、ゲート
線と共通電極間の短絡、及びデータ線と共通電極間の短
絡が防止され、製造上の歩留りが高い液晶表示パネルを
得ることができる。

【０１２２】請求項２に記載のもの及び請求項８に記載
の製造方法で製造されるものにおいては、製造工程数が
増加することがないため、製造コストを低減することが
できる。また、共通電極が第１の層間膜に覆われ、画素
電極が第２の層間膜に覆われているため、ＴＦＴ基板上
に配置される液晶層と電極が直接接することがなく、表
示画像の焼き付き現象が低減する。

【０１２３】請求項３に記載のもの及び請求項９に記載
の製造方法で製造されるものにおいては、製造工程数が
増加することがないため、製造コストを低減することが
できる。また、共通電極をデータ線及びゲート線よりも
上の層に形成したため、ゲート信号やデータ信号の電界
による画素電極に及ぼす影響が低減され、表示品質が向
上する。

【０１２４】請求項４に記載のもの及び請求項１０に記
載の製造方法で製造されるものにおいては、製造工程数
が増加することがないため、製造コストを低減すること
ができる。特に請求項５に記載のものにおいては、ＴＦ
Ｔ基板にコンタクトホールを有することで、ＴＦＴ基板
の外周部に、製造時の静電破壊（２つの導電層に挟まれ
た絶縁膜の損傷）を防止するための保護素子を設けるこ
とが可能になり、より製造上の歩留りが高い液晶表示パ
ネルを提供できる。

【０１２５】請求項６に記載のものにおいては、共通電
極線とデータ線とが交差しないように配置することで、
共通電極線とゲート線を絶縁する層間膜は第１の層間膜
及び第２の層間膜の２層構造になるため、層間短絡が発
生し難くなり、より製造上の歩留りが高い液晶表示パネ
ルが提供される。

【０１２６】請求項７に記載のものにおいては、共通電
極をデータ信号及び走査用信号によって影響される光漏
れ領域を遮光するように配置することで、ＴＦＴ基板上
に液晶層を挟んで配置されるＣＦ基板のブラックマトリ
クス層によって光漏れ領域を遮光する必要がなくなるた
め、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の重ねずれのマージンを見込
む必要がなくなり、高開口率の液晶表示パネルを得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示パネルの第１の実施の形態の
画素の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。

【図２】図１に示したＴＦＴ基板を備えた液晶表示パネ
ルの構造を示す断面図である。

【図３】図２に示したＴＦＴ基板の製造工程の様子を示
す側断面図である。

【図４】本発明の液晶表示パネルの第２の実施の形態の
画素の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。

【図５】本発明の液晶表示パネルの第３の実施の形態の
画素の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。

【図６】図５に示したＴＦＴ基板の製造工程の様子を示
す側断面図である。

【図７】本発明の液晶表示パネルの第４の実施の形態の
画素の構造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図
（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。

【図８】本発明の液晶表示パネルの第５の実施の形態の
画素の構造を示す平面図である。

【図９】液晶表示パネルの第３従来例の画素の構造を示
す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はそのＡ
−Ａ’線断面図である。

【図１０】図９に示したＴＦＴ基板の製造工程の様子を
示す側断面図である。

【図１１】液晶表示パネルの第４従来例の画素の構造を
示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はその
Ａ−Ａ’線断面図である。

【図１２】図１１に示したＴＦＴ基板の製造工程の様子
を示す側断面図である。

【符号の説明】

１、１０１、２０１、３０１、４０１ ゲート線 ２、１０２、２０２、３０２、４０２ データ線 ３、１０３、２０３、３０３、４０３ 共通電極線 ４、１０４、２０４、３０４、４０４ 画素電極 ５、１０５、２０５、４０５ 共通電極 ６、１０６、２０６、３０６、４０６ ＴＦＴ ７、１０７、３０７、４０７ ゲート電極 ８、１０８、２０８、３０８、４０８ ドレイン電極 ９、１０９、２０９、３０９、４０９ ソース電極 １１、１１１、２１１、３１１、４１１ ａ−Ｓｉ層 １４、１１４、２１４、３１４ ＴＦＴガラス基板 １７ 液晶分子 １８ 遮光膜 １９、１１９ 第１の層間膜 ２０、１２０ 第２の層間膜 ２１ ＴＦＴ基板 ２２ ＣＦガラス基板 ２３ ブラックマトリクス層 ２４ 色層 ２５ 第２の配向膜 ２６ ＣＦ基板 ２７ 液晶層 ２８ オーミックコンタクト層 ３１ ゲート層金属 ３４、１１６ コンタクトホール ３５、２３５ データ側端子部 ２１２、３１２ ｎ⁺ ａ−Ｓｉ層 ２１３、３１３ パッシベーション膜 ２２９ 第１のコンタクトホール ２３０ ゲート側端子部 ２３２、３３２ ゲート絶縁膜 ２３４ 第２のコンタクトホール ２４０ 共通電極層金属 ４３６ 光漏れ領域

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基準電位が供給される共通電極と、 表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、 走査用信号が供給されるゲート線と、 前記走査用信号と前記データ信号とによって選択された
   画素の液晶分子に対して前記データ信号による電界を印
   加するための薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを介して前記データ信号が供給さ
   れる画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶分子の
   分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表示させるＴ
   ＦＴ基板を有する液晶表示パネルにおいて、 前記共通電極、前記データ線、及び前記ゲート線が、絶
   縁体からなる層間膜を挟んでそれぞれ異なる層上に形成
   されていることを特徴とする液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の液晶表示パネルにおい
   て、 前記画素に光が当たることで薄膜トランジスタのチャネ
   ル部に発生する電子正孔対による誤動作を防止するため
   の遮光膜と共通電極とが最も下の層であるガラス基板の
   上に形成され、 データ線と画素電極と前記薄膜トランジスタのソース電
   極及びドレイン電極とが中間の層である第１の層間膜の
   上に形成され、 ゲート線と前記薄膜トランジスタのゲート電極とが最も
   上の層である第２の層間膜の上に形成されていることを
   特徴とする液晶表示パネル。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の液晶表示パネルにおい
   て、 ゲート線が最も下の層であるガラス基板の上に形成さ
   れ、 データ線と画素電極と薄膜トランジスタのソース電極及
   びドレイン電極とが中間の層である第１の層間膜の上に
   形成され、 共通電極と前記薄膜トランジスタのゲート電極とが最も
   上の層である第２の層間膜の上に形成されていることを
   特徴とする液晶表示パネル。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の液晶表示パネルにおい
   て、 薄膜トランジスタのゲート電極と共通に使用されるゲー
   ト線が最も下の層であるガラス基板の上に形成され、 データ線と画素電極と前記薄膜トランジスタのソース電
   極及びドレイン電極とが中間の層である第１の層間膜の
   上に形成され、 共通電極が最も上の層である第２の層間膜の上に形成さ
   れていることを特徴とする液晶表示パネル。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の液晶表示パネルにおい
   て、 ＴＦＴ基板に、 ガラス基板の上に形成されるゲート線を第２の層間膜の
   上に引き出すためのコンタクトホールを有することを特
   徴とする液晶表示パネル。
6. 【請求項６】 請求項３ないし５のいずれか１項に記載
   の液晶表示パネルにおいて、 共通電極に基準電位を供給するための共通電極線とデー
   タ線とが交差しないように配置されていることを特徴と
   する液晶表示パネル。
7. 【請求項７】 請求項３ないし６のいずれか１項に記載
   の液晶表示パネルにおいて、 共通電極が、 データ信号及び走査用信号によって影響される光漏れ領
   域を遮光するように配置されていることを特徴とする液
   晶表示パネル。
8. 【請求項８】 基準電位が供給される共通電極と、 表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、 走査用信号が供給されるゲート線と、 前記走査用信号と前記データ信号とによって選択された
   画素の液晶分子に対して前記データ信号による電界を印
   加するための薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを介して前記データ信号が供給さ
   れる画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶分子の
   分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表示させるＴ
   ＦＴ基板を有する液晶表示パネルの製造方法において、 前記ＴＦＴ基板は、 ガラス基板上に第１の導電体を堆積し、該第１の導電体
   をパターニングして、前記画素に光が当たることで前記
   薄膜トランジスタのチャネル部に発生する電子、正孔対
   による誤動作を防止するための遮光膜と前記共通電極と
   を形成する第１のパターニング工程と、 前記共通電極を覆うようにして絶縁体からなる第１の層
   間膜を成膜すると共に、前記第１の層間膜上に第２の導
   電体を堆積し、該第２の導電体をパターニングして、前
   記データ線と前記薄膜トランジスタのドレイン電極及び
   ソース電極と前記画素電極とを形成する第２のパターニ
   ング工程と、 前記ドレイン電極及び前記ソース電極上に選択的にオー
   ミックコンタクト層を形成した後、ａ−Ｓｉ半導体を堆
   積し、該ａ−Ｓｉ半導体をパターニングして前記薄膜ト
   ランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ層を形成する第
   ３のパターニング工程と、 前記ａ−Ｓｉ層、前記ドレイン電極、及び前記ソース電
   極上を覆うようにして絶縁体からなる第２の層間膜を成
   膜する第４のパターニング工程と、 前記第２の層間膜上に第３の導電体を堆積し、該第３の
   導電体をパターニングして前記ゲート線及び該ゲート線
   に接続される前記薄膜トランジスタのゲート電極を形成
   する第５のパターニング工程と、によって製造されるこ
   とを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
9. 【請求項９】 基準電位が供給される共通電極と、 表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、 走査用信号が供給されるゲート線と、 前記走査用信号と前記データ信号とによって選択された
   画素の液晶分子に対して前記データ信号の電界を印加す
   るための薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを介して前記データ信号が供給さ
   れる画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶分子の
   分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表示させるＴ
   ＦＴ基板を有する液晶表示パネルの製造方法において、 前記ＴＦＴ基板は、 ガラス基板上に第１の導電体を堆積し、該第１の導電体
   をパターニングして前記ゲート線を形成する第１のパタ
   ーニング工程と、 前記ゲート線を覆うようにして絶縁体からなる第１の層
   間膜を成膜すると共に、前記第１の層間膜上に第２の導
   電体を堆積し、該第２の導電体をパターニングして、前
   記データ線と前記薄膜トランジスタのドレイン電極及び
   ソース電極と前記画素電極とを形成する第２のパターニ
   ング工程と、 前記ドレイン電極及び前記ソース電極上に選択的にオー
   ミックコンタクト層を形成した後、ａ−Ｓｉ半導体を堆
   積し、該ａ−Ｓｉ半導体をパターニングして前記薄膜ト
   ランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ層を形成する第
   ３のパターニング工程と、 前記ａ−Ｓｉ層、前記ドレイン電極、及び前記ソース電
   極上を覆うようにして絶縁体からなる第２の層間膜を成
   膜する第４のパターニング工程と、 前記第２の層間膜上に第３の導電体を堆積し、該第３の
   導電体をパターニングして前記共通電極を形成する第５
   のパターニング工程と、によって製造されることを特徴
   とする液晶表示パネルの製造方法。
10. 【請求項１０】 基準電位が供給される共通電極と、 表示画像のデータ信号が供給されるデータ線と、 走査用信号が供給されるゲート線と、 前記走査用信号と前記データ信号とによって選択された
    画素の液晶分子に対して前記データ信号の電界を印加す
    るための薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタを介して前記データ信号が供給さ
    れる画素電極と、を備え、前記画素毎に前記液晶分子の
    分子軸方向を水平方向に回転させて画像を表示させるＴ
    ＦＴ基板を有する液晶表示パネルの製造方法において、 前記ＴＦＴ基板は、 ガラス基板上に第１の導電体を堆積し、該第１の導電体
    をパターニングして前記ゲート線を形成する第１のパタ
    ーニング工程と、 前記ゲート線を覆うようにして絶縁体からなる第１の層
    間膜を成膜すると共に、前記第１の層間膜上にａ−Ｓｉ
    半導体及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体を連続的に積層し、該ａ
    −Ｓｉ半導体及び該ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体をパターニング
    して前記薄膜トランジスタのチャネル部となるａ−Ｓｉ
    層及びｎ⁺ ａ−Ｓｉ層を形成する第２のパターニング工
    程と、 前記ａ−Ｓｉ層及び前記ｎ⁺ ａ−Ｓｉ層を覆うようにし
    て第２の導電体を堆積し、該第２の導電体をパターニン
    グして前記データ線と前記薄膜トランジスタのドレイン
    電極及びソース電極と前記画素電極とを形成する第３の
    パターニング工程と、 前記データ線、前記ドレイン電極、前記ソース電極、及
    び前記画素電極を覆うようにして絶縁体からなる第２の
    層間膜を成膜する第４のパターニング工程と、 前記第２の層間膜上に第３の導電体を堆積し、該第３の
    導電体をパターニングして前記共通電極を形成する第５
    のパターニング工程と、によって製造されることを特徴
    とする液晶表示パネルの製造方法。