JP2002116712A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示装置における走査信号配線と補助容量配
線との短絡および補助容量配線の開放を抑制すること
で、製造歩留りの向上を目的とする。 【解決手段】 絶縁性基板上に形成された走査信号配線
１と、前記走査信号配線１と絶縁膜を介して交差する映
像信号配線４と、前記走査信号配線１と前記映像信号配
線４とに囲まれた画素電極５と、前記走査信号配線１と
並行に配設された補助容量配線２とを備えた表示装置で
あって、前記補助容量配線２は、前記走査信号配線１の
間隙の略中央部および前記映像信号配線４との交差部に
おいて複数本配設され、かつ前記画素電極５の前記映像
信号配線４に沿う縁端部を覆う延長部７を備えたことを
特徴とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置の製造工
程における配線の短絡、断線防止に関するものであり、
とくに液晶表示装置に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置
は、半導体薄膜などからなるスイッチ素子である薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称す
る）などが設けられた薄膜トランジスタアレイ基板（以
下、アレイ基板と称する）とカラーフィルタなどが形成
された対向基板とのあいだに液晶材料を挟持し、さらに
上下に偏光板などの偏光特性を持つフィルムを設置して
構成される。とくにＴＦＴを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の場合、画素電極と対向電極とのあい
だの液晶を介した画素容量に、映像信号回路から映像信
号配線を介して供給される電荷をＴＦＴのスイッチング
作用を用いて蓄積し、前記画素電極と前記対向電極間の
液晶に所望の電圧を保持しつつ印加することにより表示
を行なう。

【０００３】しかし、前記画素電極と対向電極のあいだ
に形成される容量だけではＴＦＴや液晶のリーク電流に
よる電圧降下や、走査信号配線や映像信号配線と画素電
極間の寄生容量などの影響により、画面内での輝度のム
ラやクロストークなどの表示不良が発生する場合が多
く、これらの問題を解決するために前記画素電極と対向
電極のあいだに形成される容量に並列に補助容量を形成
する方法が一般に用いられている。この補助容量を形成
する方法としては、走査信号配線と並行に設置した補助
容量配線に画素電極を絶縁膜を介して重ねることにより
形成する方法が一般的である。

【０００４】図１１は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を構成する画素の略一画素部分の平面図を示
したものであり、たとえば、特開平６−３０８５３３号
公報に開示されている。図１１において、１はアレイ基
板上に形成した走査信号配線、２は前記走査信号配線１
と同一層の導電膜で形成した補助容量配線、３はアレイ
基板上のＴＦＴ、４はアレイ基板上に形成した映像信号
配線、５はアレイ基板上に形成した透明導電膜からなる
画素電極、６は対向基板に形成したブラックマトリク
ス、７は補助容量配線を延在させたアレイ基板上の遮光
膜である。なお、対向電極は対向基板上のほぼ全面に形
成されるため図では省略している。

【０００５】以上のような構造を用いた場合には、補助
容量配線２を画素電極５の端に沿って延在させることに
より、画素電極５との重なり面積を確保して充分な補助
容量を形成することができる。また、アレイ基板と対向
基板を重ね合せる際に左右の方向にズレが生じた場合で
も、前記補助容量配線を延在させた遮光膜７がアレイ基
板側の遮光体として機能するため、光漏れの発生を防止
することができる。

【０００６】また近年では、より広い視野角特性を持つ
液晶表示装置として横方向電界方式を用いたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置も実用化されている。図１２
は横方向電界方式を用いた従来のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部分の平面図
を示したものであり、たとえば特開平７−２６１１５２
号公報に開示されているものである。図１２において
は、図１１と同じ構成部分については同一符号を付して
おり、詳細な説明は省略し、差異について説明する。図
１２において２１は画素電極、２２はアレイ基板上に形
成した補助容量配線を延在させた対向電極である。

【０００７】横方向電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、補助容量配線２より延在させた遮光
膜が対向電極としても機能すること、および画素電極２
１に透明電極を用いずにＴＦＴのソース／ドレイン電極
を延在させていること以外はほぼ図１１に示したアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の従来例と同様の構成で
ある。

【０００８】また、広視野角方式である横方向電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、白
表示で視野角を変えた際に色が変化する問題が残る。こ
のため、図１３に示すように画素電極２１および対向電
極２２を屈曲させ、視野角を変えた際の色変化を軽減さ
せる方法があり、たとえば特開平９−２５８２６９号公
報、特開平１０−１４８８２６号公報に開示されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の製造に
おいて、歩留りの向上は製造コスト削減への効果が大き
く、重要な課題の一つとなっている。上述した従来の液
晶表示装置では、補助容量配線２が断線した場合、断線
した部分近くの補助容量配線の電位が変動するため、そ
の部分が線欠陥として視認される。また、補助容量配線
２もしくは補助容量配線２を延在させた遮光膜７または
対向電極２２と走査信号配線１がパターン欠陥などによ
り短絡した場合には、ゲート信号が正常に供給されなく
なるためＴＦＴのスイッチングが正常に行なえず、この
場合も線欠陥として視認される。いずれの場合の液晶表
示装置とも不良品となり、これらはアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の歩留り低下の要因となっている。

【００１０】また、図１３に示した画素電極２１および
対向電極２２を屈曲させた横方向電界方式の液晶表示装
置では、電極の屈曲部分で液晶の分子の回転方向が反転
するディスクリネーションラインが発生し、白表示をし
た際この部分の透過率が小さくなるため、表示が暗くな
るという問題があり、画素形状を大きく変形させないた
めに一画素内で複数の屈曲部を設けたり、歩留りを改善
するために補助容量配線２を複数本設置した場合にはさ
らに表示が暗くなるという問題があった。

【００１１】本発明は以上の問題点に鑑みてなされたも
のであって、走査信号配線と補助容量配線との短絡およ
び補助容量配線の開放を抑制することで、製造歩留りの
向上を目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の表示装置
は、絶縁性基板上に形成された走査信号配線と、前記走
査信号配線と絶縁膜を介して交差する映像信号配線と、
前記走査信号配線と前記映像信号配線とに囲まれた画素
電極と、前記走査信号配線と並行に配設された補助容量
配線とを備えた表示装置であって、前記補助容量配線
は、前記走査信号配線の間隙の略中央部および前記映像
信号配線との交差部において複数本配設され、かつ前記
画素電極の前記映像信号配線に沿う縁端部を覆う延長部
を備えたことを特徴とするものである。

【００１３】本発明の第２の表示装置は、前記第１の表
示装置において、前記走査信号配線と前記補助容量配線
とは、同一層の導電膜から形成されていることを特徴と
するものである。

【００１４】本発明の第３の表示装置は、前記第２の表
示装置において、前記補助容量配線の延長部と前記走査
信号配線とは、少なくとも該補助容量配線と走査信号配
線との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの
際に生じる前記補助容量配線の延長部と前記走査信号配
線とを短絡させる残膜または異物の最大寸法以上離した
ことを特徴とするものである。

【００１５】本発明の第４の表示装置は、前記第１〜３
のいずれかの表示装置において、前記複数本の補助容量
配線において、隣接する補助容量配線との距離を、少な
くとも該補助容量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜
のパターニングの際に生じる前記複数本の補助容量配線
を断線させる欠損または異物の最大寸法以上離したこと
を特徴とするものである。

【００１６】本発明の第５の表示装置は、前記第１〜４
のいずれかの表示装置において、前記補助容量配線の延
長部は、途中で切断されたフローティング部を含むこと
を特徴とするものである。

【００１７】本発明の第６の表示装置は、絶縁性基板上
に形成された走査信号配線と、前記走査信号配線と絶縁
膜を介して交差する映像信号配線と、前記走査信号配線
と前記映像信号配線との交差部近傍に形成されたスイッ
チ素子の電極に接続された画素電極と、前記走査信号配
線と並行に配設され、かつ該走査信号配線と同一層の導
電膜で形成された補助容量配線と、前記補助容量配線に
接続され前記画素電極と並行に配設された対向電極とを
備え、前記画素電極と前記対向電極とのあいだに、前記
絶縁性基板に対して水平方向の電界を印加する表示装置
であって、前記補助容量配線は前記走査信号配線の間隙
の略中央部に配設され、かつ前記対向電極は前記補助容
量配線とは異なる層の導電膜で形成されたことを特徴と
するものである。

【００１８】本発明の第７の表示装置は、前記第６の表
示装置において、前記補助容量配線は前記走査信号配線
の間隙の略中央部に複数本配設されたことを特徴とする
ものである。

【００１９】本発明の第８の表示装置は、前記第７の表
示装置において、前記複数本の補助容量配線において、
隣接する補助容量配線との距離を、少なくとも該補助容
量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニング
の際に生じる前記複数本の補助容量配線を断線させる欠
損または異物の最大寸法以上離したことを特徴とするも
のである。

【００２０】本発明の第９の表示装置は、前記第６〜８
のいずれかの表示装置において、前記画素電極および前
記対向電極は１画素を形成する領域内において少なくと
も１箇所以上の屈曲部を有し、該屈曲部において少なく
とも１箇所以上の屈曲部と重なるように前記補助容量配
線を配設したことを特徴とするものである。

【００２１】本発明の第１０の表示装置は、前記第６〜
９のいずれかの表示装置において、前記対向電極は、対
向基板のブラックマトリクスの前記映像信号配線に沿う
縁端部を覆うよう配設したことを特徴とするものであ
る。

【００２２】本発明の第１１の表示装置は、前記第６〜
１０のいずれかの表示装置において、前記対向電極は、
隣接する上下または左右の画素の対向電極の少なくとも
一方と接続されていることを特徴とするものである。

【００２３】本発明の第１の表示装置の製造方法は、絶
縁性基板上に走査信号配線を形成する工程と、前記走査
信号配線と電気的に絶縁する絶縁膜を形成する工程と、
前記走査信号配線と前記絶縁膜を介して映像信号配線を
形成する工程と、前記走査信号配線と前記映像信号配線
とに囲まれた領域に画素電極を形成する工程と、補助容
量配線となる導電膜を堆積し、該堆積された導電膜を前
記走査信号配線と並行に前記走査信号配線の間隙の略中
央部および前記映像信号配線との交差部において複数本
形成し、かつ前記画素電極の前記映像信号配線に沿う縁
端部を覆う延長部を形成するようパターニングする工程
とを含むことを特徴とするものである。

【００２４】本発明の第２の表示装置の製造方法は、画
素電極と対向電極とのあいだに、絶縁性基板に対して水
平方向の電界を印加する表示装置の製造方法であって、
絶縁性基板上に走査信号配線と、該走査信号配線と並行
にかつ該走査信号配線の間隙の略中央部に補助容量配線
とを同一層の導電膜で形成する工程と、前記走査信号配
線と電気的に絶縁する絶縁膜を形成する工程と、前記走
査信号配線と前記絶縁膜を介して映像信号配線を形成す
る工程と、前記補助容量配線に接続され、かつ該補助容
量配線とは異なる層で対向電極を形成する工程とを含む
ことを特徴とするものである。

【００２５】

【発明の実施の形態】実施の形態１ 本発明の第１の実施の形態を図１、図２および図３によ
り説明する。図１は本実施の形態におけるＴＦＴを用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する画素
の略一画素部分の平面図であり、図２および図３は、図
１における矢視Ｉ−Ｉ断面について製造工程を示した図
である。

【００２６】図１において、１はアレイ基板上に形成し
た走査信号配線、２ａは前記走査信号配線１と同一層の
導電膜で形成した補助容量配線、２ｂは前記走査信号配
線１と同一層の導電膜で形成した他の補助容量配線、２
は２ａと２ｂをまとめた補助容量配線、３はアレイ基板
上の走査信号配線と映像信号配線との交差部の近傍に形
成されたスイッチ素子であるＴＦＴ、４はアレイ基板上
に形成した映像信号配線、５は走査信号配線と映像信号
配線とに囲まれた領域に形成した透明導電膜からなる画
素電極、６は対向基板に形成したブラックマトリクス、
７は補助容量配線における画素電極の映像信号配線に沿
う縁端部を覆う延長部、８は画素電極５とＴＦＴ３のソ
ース／ドレイン電極を電気的に接続するためのコンタク
トホールである。なお、対向電極は対向基板上のほぼ全
面に形成されるため図では省略した。

【００２７】補助容量配線２ａと補助容量配線２ｂのあ
いだの距離であるＡは、アレイ基板の製造工程におい
て、少なくとも補助容量配線の形成時に塗布する感光性
樹脂膜のパターニングの際に生じる複数本の補助容量配
線を断線させる欠損または異物などの最大寸法以上離し
て配置した。補助容量配線の形成時において、該欠損ま
たは異物などによって感光性樹脂膜のパターンに欠損部
が生じることで、補助容量配線の開放が生じる。

【００２８】製造工程で発生するパターン欠損の寸法と
その発生率の関係を調べたところ、比較的高い頻度で発
生するパターン欠損の最大寸法は約１５μｍで、これ以
上のサイズのパターン欠損発生率は急激に低下する。し
たがって、Ａを１５μｍ以上とすれば補助容量配線２ａ
と補助容量配線２ｂの両方が、同一原因によって生じた
パターン欠損により同時に開放されることが無く、また
補助容量配線２ａと補助容量配線２ｂの両方が異なるパ
ターン欠損によって同一画素内で断線する可能性は極め
て小さいため、補助容量配線の断線による線欠陥の発生
をほとんど無くすことができる。本実施の形態ではＡは
２０μｍとした。

【００２９】また、補助容量配線２における画素電極５
の映像信号配線に沿う縁端部を覆う延長部７と走査信号
配線１との間隔であるＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、アレイ基板の
製造工程において、少なくとも補助容量配線と走査信号
配線との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニング
の際に生じる補助容量配線の延長部と走査信号配線とを
短絡させる残膜または異物などの最大寸法以上離して配
置した。補助容量配線および走査信号配線の形成時にお
いて、該残膜または異物などによって感光性樹脂膜のパ
ターンに残膜が生じることで、補助容量配線と走査信号
配線との短絡が生じる。

【００３０】アレイ基板の製造工程で発生するパターン
残膜の寸法とその発生率の関係を調べたところ、比較的
高い頻度で発生するパターン残膜の最大寸法は約２５μ
ｍで、これ以上のサイズのパターン残膜はほとんど発生
しなかった。したがって、間隔Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅをそれぞ
れ２５μｍ以上とすれば、補助容量配線２ａまたは補助
容量配線２ｂと走査信号配線１がパターン残膜により短
絡されることがほとんど無く、補助容量配線２ａ、補助
容量配線２ｂと走査信号配線１との短絡による線欠陥の
発生をほとんど無くすことができる。本実施の形態では
間隔Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅはそれぞれ２５μｍとした。

【００３１】また、補助容量配線２ａと補助容量配線２
ｂとは、走査信号配線１の間隙のほぼ中央部に配置する
ことによって、少なくとも補助容量配線と走査信号配線
との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの際
に生じる補助容量配線の延長部と走査信号配線とを短絡
させる残膜または異物などの最大寸法以上離して配置す
ることができ、補助容量配線と走査信号配線とが補助容
量配線の延長部を介さず、直接短絡するのを防止するこ
とが可能となる。

【００３２】つぎに、本実施の形態のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造方法を図２および図３に示す
工程断面図にしたがって説明する。まず、図２（ａ）に
示すようにガラス基板９上に走査信号配線１と同時に、
補助容量配線２ａ、２ｂ、補助容量配線を延在させたア
レイ基板上の延長部７を、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃ
ｕ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗなどの単
体、もしくはこれらの合金、またはＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）などの透明導電膜、もしくはこれらを積層した
構造で、膜厚５０ｎｍから８００ｎｍ程度の厚さで形成
する。この際のエッチング方法としては、断面が台形状
になるテーパーエッチングを用いてもよいが、膜厚が３
００ｎｍ程度以下と薄い場合には、断面が長方形となる
ようなエッチング方法を用いてもよい。

【００３３】つぎに、図２（ｂ）に示すようにゲート絶
縁膜１０を全面に堆積する。ゲート絶縁膜１０は窒化シ
リコン、酸化シリコンまたは前記ゲート電極材料の酸化
膜、もしくはそれらの積層膜を用い、厚さは１００ｎｍ
〜６００ｎｍ程度とするのが適当である。その後、アモ
ルファスシリコン１１、リンまたは砒素などの不純物を
含んだアモルファスシリコン１２をＣＶＤ法またはスパ
ッタ法により堆積し、ＴＦＴのチャネル部を形成する。

【００３４】つぎに、図２（ｃ）に示すように映像信号
配線４を薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極１３
と同時に形成する。前記映像信号配線４およびソース／
ドレイン電極１３は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、
Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ単体、もしく
はこれらを主成分とする合金、またはＩＴＯなどの透明
導電膜、もしくはこれらを積層した構造で形成する。そ
の後、ソース／ドレイン電極１３をマスクとしてＴＦＴ
３のチャネル部のリンまたは砒素などの不純物を含んだ
アモルファスシリコン１２をドライエッチングなどの方
法により削除する。

【００３５】つぎに、図２（ｄ）に示すように、保護膜
１４を窒化シリコン、酸化シリコンなどの透明無機絶縁
膜またはアクリル、ポリイミド、ポリカーボネートなど
の透明有機絶縁膜もしくはこれらの積層膜により形成し
た後、ＴＦＴ３のソース／ドレイン電極１３上に画素電
極５と電気的接続をとるためのコンタクトホール８を形
成する。

【００３６】つぎに、図３（ａ）に示すように、画素電
極５をＩＴＯなどの透明導電膜で形成する。

【００３７】さらに、図３（ｂ）に示すように、この薄
膜トランジスタ集積装置を形成したアレイ基板１５をブ
ラックマトリクス６、カラーフィルター１６、対向電極
１７を形成した対向基板１８と液晶材料１９を介して貼
り合わせる。

【００３８】最後に、図３（ｂ）に示すアレイ基板１５
のＴＦＴが形成されていない面と対向基板１８のカラー
フィルターなどが形成されていない面に偏光板を貼付け
（図示せず）、映像信号配線４と、走査信号配線１、補
助容量配線２に駆動回路（図示せず）を接続し、蛍光管
などによるバックライト（図示せず）を取りつけること
によって液晶表示装置を作製する。

【００３９】本実施の形態の液晶表示装置では、アレイ
基板において補助容量配線２ａ、２ｂを走査信号配線の
間隙の略中央部の位置に複数本、少なくとも補助容量配
線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの際
に生じる複数本の補助容量配線を断線させる欠損または
異物などの最大寸法以上離して配置したことにより、補
助容量配線２ａ、２ｂが同時に断線する確率を大幅に低
減し、補助容量配線２ａ、２ｂの片方が断線しても表示
不良とならないため、補助容量配線の断線による線欠陥
の発生を大幅に低減できる。また、走査信号配線と補助
容量配線の延長部とは、少なくとも補助容量配線と走査
信号配線との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニ
ングの際に生じる補助容量配線の延長部と走査信号配線
とを短絡させる残膜または異物などの最大寸法以上離し
て配置したことにより、走査信号配線１と補助容量配線
２ａ、２ｂが短絡する確率を低減することができる。さ
らに、補助容量配線の延長部７を、画素電極５の映像信
号配線４に沿う縁端部を覆うよう形成したことで、画素
電極の縁端部の光漏れを防止可能となる。

【００４０】以上により、補助容量配線２と走査信号配
線１との短絡や、補助容量配線２の断線による線欠陥の
発生率を大幅に低下でき、歩留りよく液晶表示装置を作
製可能となる。

【００４１】また、本実施の形態においては、走査信号
配線と補助容量配線とが同一層の導電膜で形成される場
合について示しているが、走査信号配線と補助容量配線
とが別々の層の導電膜で形成されてもよい。この場合、
走査信号配線と補助容量配線とが絶縁膜を介していれ
ば、走査信号配線と補助容量配線との短絡の可能性は極
めて低くなるが、上述したように、走査信号配線の間隙
の略中央部に配設された複数本の補助容量配線間の距離
を、少なくとも補助容量配線の形成時に塗布する感光性
樹脂膜のパターニングの際に生じる複数本の補助容量配
線を断線させる欠損または異物などの最大寸法以上離し
て配置することで、補助容量配線の断線を抑制すること
が可能となる。また走査信号配線と補助容量配線とが別
々の層の導電膜で形成される場合、本実施の形態におい
て補助容量配線を隣接する上下の画素の補助容量配線の
少なくとも一方と接続することにより、補助容量配線が
網目（格子）状に設置され、補助容量配線が断線した場
合も上下の画素の補助容量配線により電気的接続がなさ
れ、線欠陥の発生をさらに防止可能である。

【００４２】なお、本発明とは異なる目的で、たとえば
図１４に示すような画素構造が実開平７−２９５３５号
公報に開示されている。図１４において、図１と同じ構
成部分については同一符号を付しており、詳細な説明は
省略する。本公報は、補助容量配線２は、補助容量用絶
縁膜を介して設けられたゲートライン（走査信号配線）
１に並行な複数の電極２ａ、２ｂとこれらを連結する連
結部Ｘ、Ｙとからなっているので、補助容量配線とゲー
トラインが短絡することがなく、また複数のＴＦＴ３の
うち充電不足のＴＦＴおよび連結部Ｘ、Ｙは、高エネル
ギー線照射によって切断可能であるため、極めて容易に
補助容量配線を分離、選択することを可能とするもので
ある。したがって、本発明とはその目的が異なるばかり
でなく、本発明は補助容量配線を、走査信号配線の間隙
の略中央部および映像信号配線との交差部において複数
本配設し、かつ画素電極の映像信号線に沿う縁端部を覆
う延長部を備えるような構成とすることで、補助容量配
線の断線による線欠陥の発生を防止するとともに、画素
電極の縁端部の光漏れをも防止可能となるものであり、
本発明とは異なる。

【００４３】実施の形態２ 本発明の第２の実施の形態を図４により説明する。図４
は本実施の形態におけるＴＦＴを用いたアクティブマト
リクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部分の
平面図を示している。図４において、図１と同じ構成部
分については同一符号を付しており、詳細な説明は省略
し、差異について説明する。図４において２０は補助容
量配線の延長部におけるフローティング部である。

【００４４】第１の実施の形態では、補助容量配線２を
延在させた延長部７と走査信号配線１との間隔を所定寸
法以上離して走査信号配線１と補助容量配線２との短絡
を防止する方法を示したが、図４に示す様に、所定寸法
以上離すことをせず、たとえば１０μｍ程度以下とし、
かわりに補助容量配線２を延在させた延長部７を途中で
切断し、周辺の導電膜と未接続であるフローティング部
２０を設けてもよい。この構成とすることにより、走査
信号配線１と補助容量配線２が補助容量配線２を延在さ
せた延長部７を介して短絡する確率を大きく低減でき
る。また、延長部７およびフローティング部２０を画素
電極の映像信号配線に沿う縁端部を覆うほぼ全域に形成
できるため、対向基板のブラックマトリクス６で遮光す
る領域を小さくすることで高開口率化が可能となり、品
質のよい液晶表示装置を作製できる。

【００４５】本実施の形態の液晶表示装置の製造方法に
ついては、第１の実施の形態に示した液晶表示装置の製
造方法とほぼ同様であるため説明は省略する。

【００４６】本実施の形態による液晶表示装置によれ
ば、第１の実施の形態による効果に加えて、高開口率化
が可能でかつ歩留りのよい液晶表示装置を作製できる。

【００４７】また、本実施の形態においては、前記第１
の実施の形態と同様に走査信号配線と補助容量配線とが
同一層の導電膜で形成される場合について示している
が、走査信号配線と補助容量配線とが別々の層の導電膜
で形成されてもよい。この場合も、走査信号配線と補助
容量配線とが絶縁膜を介していれば、走査信号配線と補
助容量配線との短絡の可能性は極めて低くなるが、上述
したように、走査信号配線の間隙の略中央部に配設され
た複数本の補助容量配線間の距離を、少なくとも補助容
量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニング
の際に生じる複数本の補助容量配線を断線させる欠損ま
たは異物などの最大寸法（たとえば１５μｍ）以上離し
て配置することで、補助容量配線の断線を抑制すること
が可能となる。

【００４８】さらに、前記第１の実施の形態および本実
施の形態においては、補助容量配線を走査信号配線の間
隙の略中央部に２本配設した例について示しているが、
３本以上配設した場合も同様の構成とすることによっ
て、同様の効果を奏することはいうまでもない。

【００４９】実施の形態３ 本発明の第３の実施の形態を図５、図６、図７および図
８により説明する。図５は、本実施の形態におけるＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成
する画素の略一画素部分の平面図であり、図６および図
７は、図５における矢視II−II断面について製造工程を
示した図である。図５において、図１および図４と同じ
構成部分については同一符号を付しており、詳細な説明
は省略し、差異について説明する。図５において、２１
は画素電極、２２は画素電極２１とのあいだで絶縁性基
板に対して水平方向（横方向）の電界を発生させる対向
電極、２３は対向電極２２の映像信号配線方向の延長
部、２４は対向電極２２の走査信号配線方向の延長部で
ある。

【００５０】本実施の形態は、横方向電界方式の液晶表
示装置におけるものであり、走査信号配線１と同一層の
導電膜で形成した補助容量配線２を延在させず、対向電
極２２は走査信号配線１および補助容量配線２と別の層
の導電膜で形成し、対向電極２２と補助容量配線２との
電気的接続は、コンタクトホール８を介して行なう。そ
の際、補助容量配線２は隣接する走査信号配線１から最
も距離が離れた１画素の略中央部に設置する。また、補
助容量配線２を中央部に設置しない場合でも、少なくと
も補助容量配線と走査信号配線との形成時に塗布する感
光性樹脂膜のパターニングの際に生じる補助容量配線の
延長部と走査信号配線とを短絡させる残膜または異物な
どの最大寸法（たとえば２５μｍ）以上離して配置する
とよい。また対向電極２２は、対向基板に形成したブラ
ックマトリクス６の映像信号配線に沿う縁端部を覆うよ
うに形成することで、対向基板のブラックマトリクス端
部の光漏れを防止することができる。

【００５１】以上の構成とすることにより、本実施の形
態の液晶表示装置では対向電極を介して走査信号配線１
と補助容量配線２が短絡する可能性が極めて低くなる。
このため、歩留りよく横方向電界方式の液晶表示装置を
作製することができる。

【００５２】また、図５の点線部２３で示したように、
対向電極２２を走査信号配線１をまたぐ映像信号配線方
向の延長部２３を設けて、隣接する上下の画素の対向電
極２２と接続してもよい。あるいは、点線部２４で示し
たように、対向電極２２を映像信号配線４をまたぐ走査
信号配線方向の延長部２４を設けて、隣接する左右の画
素の対向電極２２と接続してもよい。この場合は補助容
量配線２と対向電極２２が網目（格子）状に設置される
ため、補助容量配線２が断線した場合も上下または左右
の画素の補助容量配線２と対向電極２２とにより電気的
接続がなされ、線欠陥の発生をさらに防止できるととも
に、補助容量配線の電源供給経路の増大によって、補助
容量配線電位の安定化も可能となる。図５においては、
対向電極２２を隣接する上下または左右の画素の対向電
極と接続した例について示しているが、上下または左右
それぞれの画素の対向電極の少なくとも一方と接続して
もよい。さらに、図５においては、対向電極２２を隣接
する左右の画素の対向電極と、延長部２４により対向電
極２２の端部により接続した例について示しているが、
端部でなくとも同様の効果を奏する。

【００５３】本実施の形態におけるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法を図６および図７に示す工
程断面図にしたがって説明する。まず、図６（ａ）に示
すようにガラス基板９上に走査信号配線１と同時に、補
助容量配線２を、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ
−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗなどの単体、もし
くはこれらの合金、またはＩＴＯなどの透明導電膜、も
しくはこれらを積層した構造で、膜厚５０ｎｍから８０
０ｎｍ程度の厚さで形成する。この際のエッチング方法
としては、断面が台形状になるテーパーエッチングを用
いてもよいが、膜厚が３００ｎｍ程度以下と薄い場合に
は、断面が長方形となるようなエッチング方法を用いて
もよい。

【００５４】つぎに、図６（ｂ）に示すようにゲート絶
縁膜１０を全面に堆積する。ゲート絶縁膜１０は窒化シ
リコン、酸化シリコンまたは前記ゲート電極材料の酸化
膜、もしくはそれらの積層膜を用い、厚さは１００ｎｍ
〜６００ｎｍ程度とするのが適当である。その後、アモ
ルファスシリコン１１、リンまたは砒素などの不純物を
含んだアモルファスシリコン１２をＣＶＤ法またはスパ
ッタ法により堆積し、ＴＦＴのチャネル部を形成する。

【００５５】つぎに、図６（ｃ）に示すように映像信号
配線４、ＴＦＴのソース／ドレイン電極１３、ソース／
ドレイン電極を延在させた画素電極２１を同時に形成す
る。前記映像信号配線４、ソース／ドレイン電極１３お
よび画素電極２１は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、
Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ単体、もしく
はこれらを主成分とする合金、またはＩＴＯなどの透明
導電膜、もしくはこれらを積層した構造で形成する。そ
の後、ソース／ドレイン電極１３をマスクとしてチャネ
ル部のリンまたは砒素などの不純物を含んだアモルファ
スシリコン１２をドライエッチングなどの方法により削
除し、チャネルエッチ型のＴＦＴ３を形成する。

【００５６】つぎに、図６（ｄ）に示すように、保護膜
１４を窒化シリコン、酸化シリコンなどの透明無機絶縁
膜またはアクリル、ポリイミド、ポリカーボネートなど
の透明有機絶縁膜、もしくはこれら透明無機絶縁膜や有
機絶縁膜の積層膜により形成した後、補助容量配線２上
に対向電極２２と電気的接続をとるためのコンタクトホ
ール８を形成する。

【００５７】つぎに、図７（ａ）に示すように、対向電
極２２をＣｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ、
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ単体、もしくはこれらを主
成分とする合金、またはＩＴＯなどの透明導電膜、もし
くはこれらを積層した構造で形成する。

【００５８】さらに、図７（ｂ）に示すように、この薄
膜トランジスタ集積装置を形成したアレイ基板１５をブ
ラックマトリクス６、カラーフィルター１６、カラーフ
ィルターなどの保護層であるオーバーコート層２５を形
成した対向基板１８と液晶材料１９を介して組合せ、映
像信号配線４と、走査信号配線１、補助容量配線２に駆
動回路（図示せず）を接続し、蛍光管などによるバック
ライト（図示せず）を取りつけることによって液晶表示
装置を作製する。

【００５９】以上、画素電極２１と対向電極２２を別の
層に形成する方法を示したが、図６（ｄ）の工程で図８
（ａ）に示す様にＴＦＴ３のソース／ドレイン電極上に
もコンタクトホール８を形成し、図７（ａ）の工程で、
図８（ｂ）に示すように対向電極２２と同一層に画素電
極２１を設けてもよい。さらには、図６（ｂ）の工程
後、補助容量配線２上にコンタクトホールを設け、その
後図６（ｃ）の映像信号配線形成時に、対向電極２２を
形成してもよい。この場合、図７（ａ）の工程が省略さ
れることにより、マスク枚数の減少によって製造効率の
向上が可能となる。

【００６０】本実施の形態による液晶表示装置では、横
方向電界方式の液晶表示装置において走査信号配線１お
よび補助容量配線２と同一層の導電膜で対向電極２２を
形成せず、補助容量配線２を走査信号配線１から離して
走査信号配線の間隙の略中央部に配置したため、補助容
量配線２と走査信号配線１との短絡による線欠陥の発生
を低減でき、歩留りよく作製可能となる。また、対向電
極２２を上下および／または左右の画素の対向電極２２
と接続した場合は、補助容量配線２が断線した場合も上
下または左右の画素の補助容量配線２と対向電極２２と
により電気的接続がなされ、線欠陥の発生を防止でき、
さらに歩留りよく作製可能となる。

【００６１】実施の形態４ 本発明の第４の実施の形態を図９により説明する。図９
は本実施の形態におけるＴＦＴを用いたアクティブマト
リクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部分の
平面図を示している。図９において、図１、図４および
図５と同じ構成部分については同一符号を付しており、
詳細な説明は省略し、差異について説明する。

【００６２】前記第３の実施の形態では、補助容量配線
２を１本のみ配置した例について示したが、本実施の形
態では補助容量配線２を図９に示す様に複数本設置し、
それぞれを各画素内で対向電極２２とコンタクトホール
８を介して接続してもよい。また、図９では補助容量配
線２は２本配設した場合を示したが、３本以上配設して
もよい。これらの場合において、複数本配置された補助
容量配線の間隔は、少なくとも補助容量配線の形成時に
塗布する感光性樹脂膜のパターニングの際に生じる複数
本の補助容量配線を断線させる欠損または異物などの最
大寸法（たとえば１５μｍ）以上離して配置するのが好
ましい。さらに補助容量配線２は、走査信号配線の間隙
の略中央部に設置することで、走査信号配線１から少な
くとも補助容量配線と走査信号配線との形成時に塗布す
る感光性樹脂膜のパターニングの際に生じる補助容量配
線の延長部と走査信号配線とを短絡させる残膜または異
物などの最大寸法（たとえば２５μｍ）以上離して配置
することができる。

【００６３】本実施の形態の液晶表示装置の製造方法に
ついては、第３の実施の形態に示した液晶表示装置の製
造方法とほぼ同様であるため説明は省略する。

【００６４】本実施の形態による液晶表示装置では、横
方向電界方式の液晶表示装置において走査信号配線１お
よび補助容量配線２と同一層に対向電極２２を形成せ
ず、補助容量配線２ａ、２ｂを走査信号配線１から離し
て走査信号配線の間隙の略中央部に配置したため、補助
容量配線２ａ、２ｂと走査信号配線１との短絡による線
欠陥の発生を低減でき、歩留りよく作製可能となる。ま
た、補助容量配線２が断線した場合も複数本配置した補
助容量配線２と対向電極２２により電気的接続がなさ
れ、線欠陥の発生を防止でき、さらに歩留りよく作製可
能となる。さらに、複数本配置した補助容量配線間の距
離を、少なくとも補助容量配線の形成時に塗布する感光
性樹脂膜のパターニングの際に生じる複数本の補助容量
配線を断線させる欠損または異物などの最大寸法（たと
えば１５μｍ）以上離して配置したことにより、補助容
量配線２ａ、２ｂが同時に断線する確率を大幅に低減
し、補助容量配線２ａ、２ｂの片方が断線しても表示不
良とならないため、補助容量配線の断線による線欠陥の
発生を大幅に低減できる。

【００６５】また、前記第３の実施の形態と同様に、対
向電極の映像信号配線方向の延長部２３または走査信号
配線方向の延長部２４を設けることで、補助容量配線２
が断線した場合も上下または左右の画素の補助容量配線
２と対向電極２２とにより電気的接続がなされ、線欠陥
の発生をさらに防止できるとともに、補助容量配線の電
源供給経路の増大によって、補助容量配線電位の安定化
も可能となる。

【００６６】実施の形態５ 本発明の第５の実施の形態を図１０により説明する。図
１０は本実施の形態におけるＴＦＴを用いたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部
分の平面図を示している。図１０において、図１、図
４、図５および図９と同じ構成部分については同一符号
を付しており、詳細な説明は省略し、差異について説明
する。

【００６７】本実施の形態では、横方向電界方式の液晶
表示装置において、視野角を変化させた際に色変化が起
こるという問題を軽減するために、１画素を形成する領
域内において電極を屈曲させた場合の走査信号配線と補
助容量配線との短絡および補助容量配線の断線を防止可
能な構成に関するものである。

【００６８】図１０において、２ａ、２ｂ、２ｃは複数
本設けた補助容量配線を示し、２ａ、２ｂ、２ｃをまと
めて補助容量配線２として示している。この場合、複数
本配置された補助容量配線の間隔は、少なくとも補助容
量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニング
の際に生じる複数本の補助容量配線を断線させる欠損ま
たは異物などの最大寸法（たとえば１５μｍ）以上離し
て配置するのが好ましい。そして、走査信号配線１と同
一層の導電膜で形成された補助容量配線２ａ、２ｂ、２
ｃを、別の工程で形成する画素電極２１、対向電極２２
の屈曲部と重なるように配設する。この際、走査信号配
線１および補助容量配線２と同一層の導電膜で対向電極
２２を形成しない。これにより、複数の補助容量配線を
設けることにより補助容量配線自身に遮光される領域
と、屈曲部に発生するディスクリネーションラインをバ
ックライト光の透過方向において重ねることが可能とな
り、視野角を変化させた際の色変化がない液晶表示装置
を得ることができ、さらに表示輝度の低下を抑制し、製
造歩留りをも向上させることができる。

【００６９】本実施の形態の液晶表示装置の製造方法に
ついては、第３の実施の形態に示した液晶表示装置の製
造方法とほぼ同様であるため説明は省略する。

【００７０】図１０に示す例では走査信号配線１間を略
４等分する様に３本の補助容量配線２ａ、２ｂ、２ｃを
配置した例について示したが、補助容量配線の本数は１
本または２〜７本程度のあいだの複数本としてもよく、
さらには図１０では１画素を形成する領域内において屈
曲部を３箇所有する例について示しているが、屈曲部は
少なくとも１箇所以上であればよい。また、図１０では
３箇所の屈曲部と重なるよう３本の補助容量配線を配設
した例について示したが、少なくとも１箇所以上の屈曲
部と重なるよう補助容量配線を配設してもよい。その
際、走査信号配線１に最も近い補助容量配線２と走査信
号配線１との距離は、複数本の補助容量配線を走査信号
配線の間隙の略中央部に配設することによって、少なく
とも補助容量配線と走査信号配線との形成時に塗布する
感光性樹脂膜のパターニングの際に生じる補助容量配線
の延長部と走査信号配線とを短絡させる残膜または異物
などの最大寸法（たとえば２５μｍ）以上離して配置す
ることができる。

【００７１】また、前記第３の実施の形態と同様に、対
向電極の映像信号配線方向の延長部２３または走査信号
配線方向の延長部２４を設けることで、補助容量配線２
が断線した場合も上下または左右の画素の補助容量配線
２と対向電極２２とにより電気的接続がなされ、線欠陥
の発生をさらに防止できるとともに、補助容量配線の電
源供給経路の増大によって、補助容量配線電位の安定化
も可能となる。

【００７２】さらに、図１０では映像信号配線４につい
て、画素電極２１および対向電極２２と同様に屈曲させ
た場合を示したが、とくに屈曲させなくてもよい。この
場合、映像信号配線４と対向電極２２とのあいだを広く
する必要があるため、開口率が低くなるものの、映像信
号配線４の配線距離が短くなるため映像信号配線４の配
線抵抗を小さくでき、信号遅延に伴う表示ムラなどの発
生を抑制可能となる。

【００７３】本実施の形態による液晶表示装置では、視
野角を変化させた際の色変化がない液晶表示装置を歩留
りよく作製できる。

【００７４】以上、前記第１〜第５の実施の形態におい
てはいずれもソース／ドレイン電極が走査信号配線より
上層に形成される逆スタガー型（ボトムゲート型）の構
成について示しているが、それらの層構成に限定される
ことなく、たとえば走査信号配線がソース／ドレイン電
極より上層に形成される正スタガー型（トップゲート
型）の構成などに適用しても、それぞれ同様の効果を奏
するのは勿論である。

【００７５】さらに、前記第１〜第５の実施の形態にお
いては、液晶を用いたアクティブマトリクス型表示装置
について説明を行なっているが、それに限定されること
なく、エレクトロルミネセンス素子、フィールドシーケ
ンシャルなどを用いたものであっても、絶縁性基板上に
走査信号配線と補助容量配線とを形成したあらゆる表示
装置に適用可能である。

【００７６】

【発明の効果】本発明の第１の表示装置は、絶縁性基板
上に形成された走査信号配線と、前記走査信号配線と絶
縁膜を介して交差する映像信号配線と、前記走査信号配
線と前記映像信号配線とに囲まれた画素電極と、前記走
査信号配線と並行に配設された補助容量配線とを備えた
表示装置であって、前記補助容量配線は、前記走査信号
配線の間隙の略中央部および前記映像信号配線との交差
部において複数本配設され、かつ前記画素電極の前記映
像信号配線に沿う縁端部を覆う延長部を備えているの
で、補助容量配線の断線による線欠陥の発生を抑制し、
画素電極の縁端部の光漏れを防止可能となる。

【００７７】本発明の第２の表示装置は、前記第１の表
示装置において、前記走査信号配線と前記補助容量配線
とは、同一層の導電膜から形成されているので、より少
ない工程で、補助容量配線の断線による線欠陥の発生を
抑制可能となる。

【００７８】本発明の第３の表示装置は、前記第２の表
示装置において、前記補助容量配線の延長部と前記走査
信号配線とは、少なくとも該補助容量配線と走査信号配
線との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの
際に生じる前記補助容量配線の延長部と前記走査信号配
線とを短絡させる残膜または異物の最大寸法以上離した
ことを特徴としているので、補助容量配線と走査信号配
線との短絡を抑制することが可能となる。

【００７９】本発明の第４の表示装置は、前記第１〜３
のいずれかの表示装置において、前記複数本の補助容量
配線において、隣接する補助容量配線との距離を、少な
くとも該補助容量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜
のパターニングの際に生じる前記複数本の補助容量配線
を断線させる欠損または異物の最大寸法以上離したこと
を特徴としているので、複数本配設された補助容量配線
が同時に断線することがなく、補助容量配線の断線をさ
らに抑制可能となる。

【００８０】本発明の第５の表示装置は、前記第１〜４
のいずれかの表示装置において、前記補助容量配線の延
長部は、途中で切断されたフローティング部を含むこと
を特徴としているので、高開口率化が可能となる。

【００８１】本発明の第６の表示装置は、絶縁性基板上
に形成された走査信号配線と、前記走査信号配線と絶縁
膜を介して交差する映像信号配線と、前記走査信号配線
と前記映像信号配線との交差部近傍に形成されたスイッ
チ素子の電極に接続された画素電極と、前記走査信号配
線と並行に配設され、かつ該走査信号配線と同一層の導
電膜で形成された補助容量配線と、前記補助容量配線に
接続され前記画素電極と並行に配設された対向電極とを
備え、前記画素電極と前記対向電極とのあいだに、前記
絶縁性基板に対して水平方向の電界を印加する表示装置
であって、前記補助容量配線は前記走査信号配線の間隙
の略中央部に配設され、かつ前記対向電極は前記補助容
量配線とは異なる層の導電膜で形成されているので、補
助容量配線と走査信号配線との短絡を抑制することが可
能となる。

【００８２】本発明の第７の表示装置は、前記第６の表
示装置において、前記補助容量配線は前記走査信号配線
の間隙の略中央部に複数本配設されているので、補助容
量配線の断線による線欠陥の発生を抑制可能となる。

【００８３】本発明の第８の表示装置は、前記第７の表
示装置において、前記複数本の補助容量配線において、
隣接する補助容量配線との距離を、少なくとも該補助容
量配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニング
の際に生じる前記複数本の補助容量配線を断線させる欠
損または異物の最大寸法以上離したことを特徴としてい
るので、複数本配設された補助容量配線が同時に断線す
ることがなく、補助容量配線の断線をさらに抑制可能と
なる。

【００８４】本発明の第９の表示装置は、前記第６〜８
のいずれかの表示装置において、前記画素電極および前
記対向電極は１画素を形成する領域内において少なくと
も１箇所以上の屈曲部を有し、該屈曲部において少なく
とも１箇所以上の屈曲部と重なるように前記補助容量配
線を配設しているので、補助容量配線と走査信号配線と
の短絡または補助容量配線の断線の抑制に加えて、視野
角を変化させた際の色変化がない表示を行なうことが可
能となる。

【００８５】本発明の第１０の表示装置は、前記第６〜
９のいずれかの表示装置において、前記対向電極は、対
向基板のブラックマトリクスの前記映像信号配線に沿う
縁端部を覆うよう配設しているので、対向基板のブラッ
クマトリクス端部の光漏れを防止可能となる。

【００８６】本発明の第１１の表示装置は、前記第６〜
１０のいずれかの表示装置において、前記対向電極は、
隣接する上下または左右の画素の対向電極の少なくとも
一方と接続されているので、補助容量配線が断線した場
合も上下または左右の画素の補助容量配線と対向電極と
により電気的接続がなされ、線欠陥の発生をさらに防止
できるとともに、補助容量配線の電源供給経路の増大に
よって、補助容量配線電位の安定化も可能となる。

【００８７】本発明の第１の表示装置の製造方法は、絶
縁性基板上に走査信号配線を形成する工程と、前記走査
信号配線と電気的に絶縁する絶縁膜を形成する工程と、
前記走査信号配線と前記絶縁膜を介して映像信号配線を
形成する工程と、前記走査信号配線と前記映像信号配線
とに囲まれた領域に画素電極を形成する工程と、補助容
量配線となる導電膜を堆積し、該堆積された導電膜を前
記走査信号配線と並行に前記走査信号配線の間隙の略中
央部および前記映像信号配線との交差部において複数本
形成し、かつ前記画素電極の前記映像信号配線に沿う縁
端部を覆う延長部を形成するようパターニングする工程
とを含むことを特徴としているので、補助容量配線の断
線による線欠陥の発生を抑制し、画素電極の縁端部の光
漏れを防止可能な表示装置を得ることができる。

【００８８】本発明の第２の表示装置の製造方法は、画
素電極と対向電極とのあいだに、絶縁性基板に対して水
平方向の電界を印加する表示装置の製造方法であって、
絶縁性基板上に走査信号配線と、該走査信号配線と並行
にかつ該走査信号配線の間隙の略中央部に補助容量配線
とを同一層の導電膜で形成する工程と、前記走査信号配
線と電気的に絶縁する絶縁膜を形成する工程と、前記走
査信号配線と前記絶縁膜を介して映像信号配線を形成す
る工程と、前記補助容量配線に接続され、かつ該補助容
量配線とは異なる層で対向電極を形成する工程とを含む
ことを特徴としているので、補助容量配線と走査信号配
線との短絡を抑制することが可能な表示装置を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部
分の平面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における図１の矢視
Ｉ−Ｉ断面について製造工程を示した図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態における図１の矢視
Ｉ−Ｉ断面について製造工程を示した図であり、図２の
工程に続く工程を示した図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部
分の平面図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部
分の平面図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態における図５の矢視
II−II断面について製造工程を示した図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態における図５の矢視
II−II断面について製造工程を示した図であり、図６の
工程に続く工程を示した図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態における図５の矢視
II−II断面について、他の製造工程を示した図である。

【図９】本発明の第４の実施の形態におけるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素部
分の平面図である。

【図１０】本発明の第５の実施の形態におけるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を構成する画素の略一画素
部分の平面図である。

【図１１】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成する画素の略１画素部分の平面図である。

【図１２】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成する画素の略１画素部分の平面図である。

【図１３】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成する画素の略１画素部分の平面図である。

【図１４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成する画素の略１画素部分の平面図である。

【符号の説明】

１ 走査信号配線 ２ 蓄積容量配線 ３ ＴＦＴ ４ 映像信号配線 ５ 透明導電膜からなる画素電極 ６ ブラックマトリクス ７ 補助容量配線の延長部 ８ コンタクトホール ９ 絶縁性基板 １０ ゲート絶縁膜 １１ アモルファスシリコン １２ リンまたは砒素などの不純物を含んだアモルファ
スシリコン １３ ソース／ドレイン電極 １４ 保護膜 １５ アレイ基板 １６ カラーフィルター １７ 対向電極 １８ 対向基板 １９ 液晶材料 ２０ 補助容量配線の延長部におけるフローティング部 ２１ 画素電極 ２２ 対向電極 ２３ 対向電極の映像信号配線方向の延長部 ２４ 対向電極の走査信号配線方向の延長部 ２５ オーバーコート層

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Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された走査信号配線
   と、前記走査信号配線と絶縁膜を介して交差する映像信
   号配線と、前記走査信号配線と前記映像信号配線とに囲
   まれた画素電極と、前記走査信号配線と並行に配設され
   た補助容量配線と、を備えた表示装置であって、前記補
   助容量配線は、前記走査信号配線の間隙の略中央部およ
   び前記映像信号配線との交差部において複数本配設さ
   れ、かつ前記画素電極の前記映像信号配線に沿う縁端部
   を覆う延長部を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 【請求項２】 前記走査信号配線と前記補助容量配線と
   は、同一層の導電膜から形成されていることを特徴とす
   る請求項１記載の表示装置。
3. 【請求項３】 前記補助容量配線の延長部と前記走査信
   号配線とは、少なくとも該補助容量配線と走査信号配線
   との形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの際
   に生じる前記補助容量配線の延長部と前記走査信号配線
   とを短絡させる残膜または異物の最大寸法以上離したこ
   とを特徴とする請求項２記載の表示装置。
4. 【請求項４】 前記複数本の補助容量配線において、隣
   接する補助容量配線との距離を、少なくとも該補助容量
   配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの
   際に生じる前記複数本の補助容量配線を断線させる欠損
   または異物の最大寸法以上離したことを特徴とする請求
   項１、２または３記載の表示装置。
5. 【請求項５】 前記補助容量配線の延長部は、途中で切
   断されたフローティング部を含むことを特徴とする請求
   項１、２、３または４記載の表示装置。
6. 【請求項６】 絶縁性基板上に形成された走査信号配線
   と、前記走査信号配線と絶縁膜を介して交差する映像信
   号配線と、前記走査信号配線と前記映像信号配線との交
   差部近傍に形成されたスイッチ素子の電極に接続された
   画素電極と、前記走査信号配線と並行に配設され、かつ
   該走査信号配線と同一層の導電膜で形成された補助容量
   配線と、前記補助容量配線に接続され前記画素電極と並
   行に配設された対向電極と、を備え、前記画素電極と前
   記対向電極とのあいだに、前記絶縁性基板に対して水平
   方向の電界を印加する表示装置であって、前記補助容量
   配線は前記走査信号配線の間隙の略中央部に配設され、
   かつ前記対向電極は前記補助容量配線とは異なる層の導
   電膜で形成されたことを特徴とする表示装置。
7. 【請求項７】 前記補助容量配線は前記走査信号配線の
   間隙の略中央部に複数本配設されたことを特徴とする請
   求項６記載の表示装置。
8. 【請求項８】 前記複数本の補助容量配線において、隣
   接する補助容量配線との距離を、少なくとも該補助容量
   配線の形成時に塗布する感光性樹脂膜のパターニングの
   際に生じる前記複数本の補助容量配線を断線させる欠損
   または異物の最大寸法以上離したことを特徴とする請求
   項７記載の表示装置。
9. 【請求項９】 前記画素電極および前記対向電極は１画
   素を形成する領域内において少なくとも１箇所以上の屈
   曲部を有し、該屈曲部において少なくとも１箇所以上の
   屈曲部と重なるように前記補助容量配線を配設したこと
   を特徴とする請求項６、７または８記載の表示装置。
10. 【請求項１０】 前記対向電極は、対向基板のブラック
    マトリクスの前記映像信号配線に沿う縁端部を覆うよう
    配設したことを特徴とする請求項６、７、８または９記
    載の表示装置。
11. 【請求項１１】 前記対向電極は、隣接する上下または
    左右の画素の対向電極の少なくとも一方と接続されてい
    ることを特徴とする請求項６、７、８、９または１０記
    載の表示装置。
12. 【請求項１２】 絶縁性基板上に走査信号配線を形成す
    る工程と、前記走査信号配線と電気的に絶縁する絶縁膜
    を形成する工程と、前記走査信号配線と前記絶縁膜を介
    して映像信号配線を形成する工程と、前記走査信号配線
    と前記映像信号配線とに囲まれた領域に画素電極を形成
    する工程と、補助容量配線となる導電膜を堆積し、該堆
    積された導電膜を前記走査信号配線と並行に前記走査信
    号配線の間隙の略中央部および前記映像信号配線との交
    差部において複数本形成し、かつ前記画素電極の前記映
    像信号配線に沿う縁端部を覆う延長部を形成するようパ
    ターニングする工程と、を含むことを特徴とする表示装
    置の製造方法。
13. 【請求項１３】 画素電極と対向電極とのあいだに、絶
    縁性基板に対して水平方向の電界を印加する表示装置の
    製造方法であって、絶縁性基板上に走査信号配線と、該
    走査信号配線と並行にかつ該走査信号配線の間隙の略中
    央部に補助容量配線とを同一層の導電膜で形成する工程
    と、前記走査信号配線と電気的に絶縁する絶縁膜を形成
    する工程と、前記走査信号配線と前記絶縁膜を介して映
    像信号配線を形成する工程と、前記補助容量配線に接続
    され、かつ該補助容量配線とは異なる層で対向電極を形
    成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造
    方法。