CN111090203B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111090203B
CN111090203B CN202010204844.3A CN202010204844A CN111090203B CN 111090203 B CN111090203 B CN 111090203B CN 202010204844 A CN202010204844 A CN 202010204844A CN 111090203 B CN111090203 B CN 111090203B
Authority
CN
China
Prior art keywords
data line
pixel electrode
groove
electrode
array substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010204844.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111090203A (zh
Inventor
张鑫
李征华
金一坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010204844.3A priority Critical patent/CN111090203B/zh
Priority to US16/771,256 priority patent/US11422420B2/en
Priority to PCT/CN2020/085966 priority patent/WO2021189575A1/zh
Publication of CN111090203A publication Critical patent/CN111090203A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111090203B publication Critical patent/CN111090203B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括基底、数据线、绝缘层、像素电极和屏蔽电极，屏蔽电极位于相邻的像素电极之间，且与数据线对应设置；屏蔽电极包括电极主体和延伸部，电极主体位于相邻的像素电极之间，所述延伸部自电极主体向相邻的所述像素电极的方向延伸；绝缘层开设有凹槽，凹槽设置在电极主体和像素电极之间，延伸部延伸入凹槽，延伸部于数据线所在平面的正投影的至少部分位于数据线的外侧。本申请采用在绝缘层上开设凹槽，屏蔽电极的延伸部向下弯曲且至少覆盖部分的凹槽，以至少阻断部分电场线的传播，降低了数据线和像素电极之间的电容耦合效应。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在现有阵列基板中，像素电极与数据线之间存在耦合电容。但是可能会因为驱动架构或者制程变异，造成同一数据线与上方两侧的两个像素电极之间的耦合电容的极性或者大小不同，进而造成垂直串扰（V-crosstalk）现象。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有的显示面板的阵列基板存在垂直串扰的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
基底；
多条数据线，所述多条数据线设置在所述基底上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述数据线上；
多个像素电极，所述多个像素电极设置在所述绝缘层上；以及
多个屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置，所述屏蔽电极位于相邻的所述像素电极之间，且与所述数据线对应设置；所述屏蔽电极包括电极主体和延伸部，所述电极主体位于相邻的所述像素电极之间，所述延伸部自所述电极主体向相邻的所述像素电极的方向延伸；
其中，所述绝缘层开设有凹槽，所述凹槽设置在所述电极主体和所述像素电极之间，所述延伸部延伸入所述凹槽，所述延伸部于所述数据线所在平面的正投影的至少部分位于所述数据线的外侧。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述延伸部至少覆盖所述凹槽的最低点。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述延伸部的自由端部位于所述凹槽的最低点。
在本申请实施例的所述阵列基板中，每个所述延伸部的形状和尺寸相等。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述屏蔽电极和所述像素电极的材料一致。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述绝缘层为有机绝缘层。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述凹槽的截面形状为圆弧状。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述多条数据线包括第一数据线和第二数据线 ，所述多个像素电极包括蓝色像素电极和非蓝色像素电极；
所述第一数据线电连接所述蓝色像素电极；所述第二数据线电连接所述非蓝像素电极；
所述蓝色像素电极与其电连接的所述第一数据线之间具有第一水平距离，所述非蓝色像素电极与其相邻的数据线之间、所述蓝色像素电极与相邻的所述第二数据线之间均具有第二水平距离；所述第一水平距离大于所述第二水平距离。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述第一水平距离和所述第二水平距离的距离差介于0.1微米和1微米之间。
在本申请实施例的所述阵列基板中，所述非蓝色像素电极为红色像素电极或绿色像素电极；所述多条数据线还包括第三数据线，所述第二数据线电连接所述红色像素电极或绿色像素电极中的一者，所述第三数据线电连接所述绿色像素电极或红色像素电极中的另一者。
本申请还涉及一种显示面板，其包括一阵列基板，所述阵列基板为上述实施例的阵列基板。
本申请的阵列基板及显示面板，采用在绝缘层对应于屏蔽主体和像素电极之间的部分开设凹槽，屏蔽电极的延伸部向下弯曲且至少覆盖部分的凹槽。当数据线和像素电极开始工作时，数据线和像素电极之间的空间会形成电场线，而延伸部设置在该电场空间中，至少阻断部分电场线的传播，降低了数据线和像素电极之间的电容耦合效应，从而减轻了垂直串扰现象。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请第一实施例的阵列基板的俯视结构示意图；
图2为沿着图1中AA线的截面示意图；
图3为本申请第二实施例的阵列基板的结构示意图；
图4为本申请第三实施例的阵列基板的像素电极与数据线的俯视结构示意图；
图5为本申请实施例的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1和图2，图1为本申请第一实施例的阵列基板的俯视结构示意图；图2为沿着图1中AA线的截面示意图。本申请第一实施例提供一种阵列基板100包括基底11、多条数据线12、绝缘层13、多个像素电极14和多个屏蔽电极15。
基底11可以是基板，例如：玻璃基板、塑料基板，也可以是由基板、薄膜晶体管、扫描线、绝缘层等组成的器件板。数据线12设置在基底11上。绝缘层13设置在数据线12上。像素电极14设置在绝缘层13上。屏蔽电极15与像素电极14同层设置，一屏蔽电极15位于相邻的两像素电极14之间，且与数据线12对应设置。
屏蔽电极15包括电极主体151和延伸部152，电极主体151位于相邻的像素电极14之间，延伸部152自电极主体151向相邻的像素电极14的方向延伸。
其中，绝缘层13开设有凹槽16，凹槽16设置在电极主体151和像素电极14之间。延伸部152延伸入凹槽16。延伸部152于数据线12所在平面的正投影的至少部分位于数据线12的外侧。
本申请的阵列基板100采用在绝缘层13对应于屏蔽主体151和像素电极14之间的部分开设凹槽16，屏蔽电极15的延伸部152向下弯曲且至少覆盖部分的凹槽16。当数据线12和像素电极14进行信号传输时，数据线12和像素电极14之间的空间会形成电场线，进而形成耦合电容Cpd，而延伸部152设置在该电场空间中，至少阻断了部分电场线地传播，降低了数据线12和像素电极14之间的电容耦合效应，从而减轻了垂直串扰现象。
在本第一实施例的阵列基板100中，阵列基板100还包括设置在基底11上的薄膜晶体管结构层和扫描线等结构（图中未示出），由于薄膜晶体管结构层和扫描线为现有技术，此处不再赘述。
在本第一实施例的阵列基板中，屏蔽电极15的电极主体151与像素电极14相对于基底11的高度相等，延伸部152的自由端的高度低于像素电极14。
延伸部152至少覆盖所述凹槽16的最低点。这样的设置使得屏蔽电极15的屏蔽效果最大化。
在本第一实施例中，延伸部152的自由端部位于所述凹槽16的最低点。当然在一些实施例中，延伸部152的自由端可以未延伸至凹槽16的最低点，也可以超过凹槽16的最低点。
在本第一实施例中，数据线12和像素电极14形成电场；数据线12位于屏蔽电极15的下方，屏蔽电极15的延伸部152处于电场空间中。因此只要凹槽16的深度越深，延伸部152越深入电场空间，延伸部152阻隔电场线的传播就越多，也即屏蔽电极15的屏蔽效果越好。那么当凹槽16在深度方向上贯穿绝缘层13，延伸部152延伸到凹槽16的底部，则屏蔽电极15可完全隔断数据线12和像素电极14的电场线的传播，进而避免电容耦合效应，彻底解决垂直串扰的技术问题。
但是考虑到数据线12和像素电极14之间的宽度限制和对屏蔽程度的要求，本实施例中的凹槽16的深度介于绝缘层13厚度的十分之一至二分之一即可，比如九分之一、八分之一、七分之一、六分之一、五分之一、四分之一和三分之一等。当然在一些实施例中，凹槽16的深度也可以小于十分之一，比如十二分之一；或者大于二分之一，比如三分之二。
可选的，凹槽16的截面形状为圆弧状。圆弧状的凹槽16便于延伸部152的形成。在一些实施例中，凹槽16的截面形状也可以是倒梯形、方形、弧形或其他形状，但并不限于此。
另外，每个延伸部152的形状和尺寸相等。这样的设置使得每条数据线12与其两侧的像素电极14之间的出现耦合电容的大小相同，进而避免垂直串扰的问题。
在本第一实施例的阵列基板100中，屏蔽电极15和像素电极14的材料一致。这样的设置使得屏蔽电极15和像素电极14可以采用同一光刻工艺制成，简化工艺步骤。
在本申请第一实施例的阵列基板100中，绝缘层13为有机绝缘层。在一些实施例中，绝缘层13也可以是无机层。
本第一实施例的阵列基板100的制备过程是：
首先，提供一基底11，并在基底11上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和源漏金属层，其中源漏金属层包括数据线12。
接着，在源漏金属层上形成绝缘层13。
其次，采用掩模板在绝缘层13上形成凹槽16；其中掩模板上的开口对应于绝缘层13预设凹槽16的区域。其中，掩模板可以是单独形成凹槽16的，也可以是在形成绝缘层13过孔的掩模板的基础上增加形成凹槽16的开口。
最后，在绝缘层13上形成导电层，并采用光刻工艺形成像素电极14和屏蔽电极15。屏蔽电极15的电极主体151位于相邻的两个凹槽16之间，延伸部152位于凹槽16内。
这样便完成了本实施例的制备过程。
请参照图3，本申请第二实施例的阵列基板200与第一实施例的阵列基板100的不同之处在于：
像素电极包括第一像素电极241和第二像素电极242，第一像素电极241为蓝色像素电极，第二像素电极242包括红色像素电极和绿色像素电极。数据线22包括第一数据线221和第二数据线222，第一数据线221连接于第一像素电极241，第二数据线222连接于第二像素电极242。凹槽包括第一凹槽261和第二凹槽262，第一凹槽261对应设置在第一数据线221和第一像素电极241之间，第二凹槽262为凹槽中第一凹槽161之外的凹槽；
第一凹槽261的深度大于第二凹槽262的深度，屏蔽电极25的延伸部252在第一凹槽261内的延伸深度大于在第二凹槽262内的延伸深度。
本第二实施例的阵列基板200相较于第一实施例的阵列基板100增加了上述技术特征，其他结构与第一实施例的阵列基板100一致，此处不再赘述。
在本第二实施例中，屏蔽电极25包括电极主体251。将屏蔽电极25的延伸部252在第一凹槽261内的延伸深度大于在第二凹槽262内的延伸深度，进一步降低了第一像素电极241和第一数据线221的耦合电容；当像素处于扫描的初始侧，假设蓝色像素电极241处于正帧，蓝色像素电极241的电压会被自身数据线（第一数据线221）耦合变亮，会被异身数据线（第二数据线222）耦合变亮；蓝色像素电极241的耦合电容更小，因此使自身的蓝色像素电极241亮度降低，而白平衡本身就会降低蓝色像素电极241自身的数据线电压从而降低其亮度，来调节色温。故通过上述的设置降低蓝色亮度，不用改变蓝色像素电极241自身的数据线（第一数据线221）电压了，因此保证所有数据线22的电压保持一致，不仅达到自身白平衡的效果，还不会因为数据线22电压不一致引起垂直串扰。也就是说，可以降低蓝色像素的砍阶数，使得数据线22的电压相对一致，有效降低垂直串扰。
请参照图4，本申请第三实施例的阵列基板300与第一实施例的阵列基板100的不同之处在于：
多条数据线32包括第一数据线321和第二数据线322。多个像素电极34设置在多条数据线32上。数据线32与像素电极34交替设置。多个像素电极34包括蓝色像素电极341和非蓝色像素电极。
非蓝色像素电极为红色像素电极342或绿色像素电极343。多条数据线32还包括多条第三数据线323，第二数据线322电连接所述红色像素电极342或绿色像素电极343中的一者，第三数据线323电连接所述绿色像素电极343或红色像素电极342中的另一者。也就是说，当第二数据线322电连接红色像素电极342，第三数据线323电连接绿色像素电极343。
第一数据线321电连接蓝色像素电极341。蓝色像素电极341与其电连接的第一数据线321之间具有第一水平距离D1。非蓝色像素电极与其相邻的数据线32之间具有第二水平距离D2。蓝色像素电极341与相邻的第二数据线321之间也具有第二水平距离D2。第一水平距离D1大于第二水平距离D2。
其中，在本第三实施例中，非蓝色像素电极与其相邻的数据线32之间具有第二水平距离D2包括三种情况，分别为：非蓝色像素电极与相邻的第一数据线321之间具有第二水平距离D2、非蓝色像素电极与相邻的第二数据线322之间具有第二水平距离D2以及非蓝色像素电极与相邻的第三数据线323之间具有第二水平距离D2。
另外，电容耦合是在不存在电量交换的前提下，一端电压发生变化，另外一端的电压会相应增大，增大的电压量与二者的电容成正比。
本申请第三实施例的阵列基板300中，将蓝色像素对应的蓝色像素电极341与自身电连接的第一数据线321的第一水平距离D1设置为大于非蓝色像素电极与相邻的数据线32的第二水平距离D2。这样的设置当像素处于扫描的初始侧，假设蓝色像素处于正帧，蓝色像素电极341电压会被自身的第一数据线321耦合变亮，会被第二数据线322（负帧）耦合变亮，蓝色像素电极341离自身第一数据线321更远，电容更小，耦合与电容成正比，因此使自己的蓝色像素亮度降低，而白平衡本身就是会降低蓝色像素电极341自身的第一数据线121的电压从而降低其亮度，来调节色温。
因此本申请降低蓝色亮度的设计，不用改变蓝色像素电极341自身第一数据线321的电压，保证所有数据线32的电压一致，不仅达到自身白平衡的效果，还不会因为数据线32的电压不一致引起垂直串扰。
可选的，第一水平距离D1和第二水平距离D2的距离差介于0.1微米（包含0.1微米）和1微米（包含1微米）之间。进一步的，第一水平距离D1和第二水平距离D2的距离差为0.2微米、0.3微米0.4微米、0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.8微米和0.9微米中的一种。
本第三实施例的阵列基板300相较于第一实施例的阵列基板100增加了上述技术特征，其他结构与第一实施例的阵列基板100一致，此处不再赘述。
在本第三实施例中，当像素处于扫描的初始侧，假设蓝色像素电极341处于正帧，蓝色像素电极341的电压会被自身数据线（第一数据线321）耦合变亮，会被异身数据线（第二数据线322）耦合变亮；蓝色像素电极341离自身第一数据线321更远，自身电容更小，耦合电容与自身电容成正比，因此使自身的蓝色像素电极341亮度降低，而白平衡本身就会降低蓝色像素电极341自身的数据线电压从而降低其亮度，来调节色温。故通过上述的设置降低蓝色亮度，不用改变蓝色像素电极341自身的数据线（第一数据线321）电压了，因此保证所有数据线32的电压保持一致，不仅达到自身白平衡的效果，还不会因为数据线32电压不一致引起垂直串扰。也就是说，可以降低蓝色像素的砍阶数，使得数据线32的电压相对一致，有效降低垂直串扰。
在一些实施例中，第三实施例也可以在第二实施例的基础上进行改进，也就是说，第三实施例包括第二实施例的结构特征。
请参照图5，本申请还涉及一种显示面板1000，其包括一阵列基板100、彩膜基板200和液晶300，所述阵列基板100包括：
基底；
数据线，所述数据线设置在所述基底上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述数据线上；
像素电极，所述像素电极设置在所述绝缘层上；以及
屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置，所述屏蔽电极位于相邻的所述像素电极之间，且与所述数据线对应设置；所述屏蔽电极包括电极主体和延伸部，所述电极主体位于相邻的像素电极之间，所述延伸部自所述电极主体向相邻的所述像素电极的方向延伸；
其中，所述绝缘层开设有凹槽，所述凹槽设置在所述电极主体和所述像素电极之间，所述延伸部延伸入所述凹槽，所述延伸部于所述数据线所在平面的正投影的至少部分位于所述数据线的外侧。
在本申请实施例的所述显示面板中，所述延伸部至少覆盖所述凹槽的最低点。
在本申请实施例的所述显示面板中，每个所述延伸部的宽度相等。
需要说明的是，本实施例的显示面板的阵列基板的结构与上述第一实施例、第二实施例或第三实施例的阵列基板的结构一致，具体可参阅上述实施例的阵列基板的内容，此处不再赘述。
本申请的阵列基板及显示面板采用在绝缘层对应于屏蔽主体和像素电极之间的部分开设凹槽，屏蔽电极的延伸部向下弯曲且至少覆盖部分的凹槽。当数据线和像素电极开始工作时，数据线和像素电极之间的空间会形成电场线，而延伸部设置在该电场空间中，至少阻断部分电场线的传播，降低了数据线和像素电极之间的电容耦合效应，从而减轻了垂直串扰现象。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
多条数据线，所述多条数据线设置在所述基底上；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述数据线上；
多个像素电极，所述多个像素电极设置在所述绝缘层上；以及
多个屏蔽电极，所述屏蔽电极与所述像素电极同层设置，一所述屏蔽电极位于相邻的两个所述像素电极之间，且与一所述数据线对应设置；所述屏蔽电极包括电极主体和延伸部，所述电极主体位于相邻的所述像素电极之间，所述延伸部自所述电极主体向相邻的所述像素电极的方向延伸；
其中，所述绝缘层开设有凹槽，所述凹槽设置在所述电极主体和所述像素电极之间，所述延伸部延伸入所述凹槽，所述延伸部于所述数据线所在平面的正投影的至少部分位于所述数据线的外侧；
所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极为蓝色像素电极，所述第二像素电极包括红色像素电极和绿色像素电极；所述数据线包括第一数据线和第二数据线，所述第一数据线连接于所述第一像素电极，所述第二数据线连接于所述第二像素电极；所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应设置在所述第一数据线和所述第一像素电极之间，所述第二凹槽为所述凹槽中所述第一凹槽之外的凹槽；
所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度，所述屏蔽电极的延伸部在所述第一凹槽内的延伸深度大于在所述第二凹槽内的延伸深度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述延伸部至少覆盖所述凹槽的最低点。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述延伸部的自由端部位于所述凹槽的最低点。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极和所述像素电极的材料一致。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为有机绝缘层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的截面形状为圆弧状。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
CN202010204844.3A 2020-03-22 2020-03-22 阵列基板及显示面板 Active CN111090203B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010204844.3A CN111090203B (zh) 2020-03-22 2020-03-22 阵列基板及显示面板
US16/771,256 US11422420B2 (en) 2020-03-22 2020-04-21 Array substrate and display panel
PCT/CN2020/085966 WO2021189575A1 (zh) 2020-03-22 2020-04-21 阵列基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010204844.3A CN111090203B (zh) 2020-03-22 2020-03-22 阵列基板及显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111090203A CN111090203A (zh) 2020-05-01
CN111090203B true CN111090203B (zh) 2020-07-14

Family

ID=70400590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010204844.3A Active CN111090203B (zh) 2020-03-22 2020-03-22 阵列基板及显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11422420B2 (zh)
CN (1) CN111090203B (zh)
WO (1) WO2021189575A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112433414A (zh) * 2020-12-01 2021-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN112558364A (zh) * 2020-12-25 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其显示装置
CN114660866B (zh) * 2022-03-25 2024-01-30 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN114740665B (zh) * 2022-04-29 2023-08-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114967246B (zh) * 2022-05-31 2023-07-14 长沙惠科光电有限公司 液晶显示面板及显示装置
CN117292654A (zh) * 2022-06-16 2023-12-26 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器
CN115097675B (zh) * 2022-07-21 2024-04-16 合肥京东方显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、液晶显示面板、显示装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1020338A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3087841B2 (ja) * 1996-10-29 2000-09-11 日本電気株式会社 広視野角液晶表示装置
JP2002250937A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリクス液晶表示素子
JP4453434B2 (ja) * 2004-03-30 2010-04-21 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
KR20070038610A (ko) * 2005-10-06 2007-04-11 삼성전자주식회사 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법
KR20070052823A (ko) * 2005-11-18 2007-05-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4969568B2 (ja) * 2006-03-30 2012-07-04 シャープ株式会社 表示装置
CN101369077B (zh) * 2007-08-17 2010-06-09 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器阵列基板及其制造方法
BR112012007425A2 (pt) * 2009-09-25 2016-12-13 Sharp Kk dispositivo de exibição de cristal líquido
KR101709346B1 (ko) * 2009-12-15 2017-03-08 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그의 제조방법
CN102116981B (zh) * 2009-12-30 2014-08-06 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN102116980B (zh) * 2009-12-31 2014-04-09 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
TW201216235A (en) * 2010-10-05 2012-04-16 Au Optronics Corp Pixel structure, pixel array and display panel
WO2012056657A1 (ja) * 2010-10-27 2012-05-03 シャープ株式会社 カラー液晶表示装置
CN202771133U (zh) * 2012-09-25 2013-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107121864A (zh) * 2017-07-07 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及液晶显示面板
CN107329339B (zh) * 2017-08-14 2020-04-07 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及曲面液晶显示器
CN108231850B (zh) * 2018-01-03 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
JP2019184725A (ja) * 2018-04-05 2019-10-24 シャープ株式会社 表示装置
CN109188813B (zh) * 2018-10-09 2021-11-12 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、阵列基板、显示面板
CN209044244U (zh) * 2018-12-14 2019-06-28 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111090203A (zh) 2020-05-01
US11422420B2 (en) 2022-08-23
WO2021189575A1 (zh) 2021-09-30
US20220113600A1 (en) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111090203B (zh) 阵列基板及显示面板
CN107797321B (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN106950772B (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2022001411A9 (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
US9535300B2 (en) Pixel structure and liquid crystal panel
CN113075825B (zh) 阵列基板及显示面板
CN105824161A (zh) 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN113741107B (zh) 阵列基板、显示面板及显示设备
WO2023134022A9 (zh) 显示面板
CN110806666B (zh) Coa基板和显示面板
WO2020073415A1 (zh) 显示面板的制程和显示面板
WO2017128711A1 (zh) 阵列基板及显示装置
CN211669479U (zh) 阵列基板及显示面板
US11971631B2 (en) Liquid crystal display panel and display device
CN109143696A (zh) 一种像素结构及显示装置
US10802361B2 (en) Array substrate comprising a light-shielding electrode having a main section with a vertical projection covering a data line, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN111240113B (zh) 阵列基板及显示面板
US11852936B2 (en) Liquid crystal display panel
WO2021098411A1 (zh) 薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置
CN111025802B (zh) 阵列基板及显示面板
CN113629071A (zh) 阵列基板及显示面板
WO2022116263A1 (zh) 显示面板和显示装置
CN111273494A (zh) 阵列基板及显示装置
CN218602433U (zh) 阵列基板和显示面板
CN109375440A (zh) 一种显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant