JP4453434B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図1は、本発明の液晶表示装置100の概略構成を模式的に示す平面図である。図1では、主として、液晶表示装置100の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置100は、TFD素子を用いたアクティブ・マトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。図2は、図1の液晶表示装置100における切断線A−A’に沿った概略断面図を示す。
まず、図6を参照して、縦クロストークについて説明する。図6は、液晶表示装置100における表示領域Vのみを拡大した平面図であり、その表示領域Vに縦クロストークが発生した状態を模式的に示している。
次に、図8及び図9を参照して、縦クロストークの低減方法について述べる。図8及び図9は、図7の一部に対応し、本発明の第1実施形態に係る縦クロストークを低減する方法を説明する図である。なお、以下では、説明の便宜上、図8及び図9に示される、1つの画素電極10bと、その両側に位置するデータ線32a、32bとに着目して説明する。
C=ε0・ε(S/d) (式1)
で表される。なお、C=静電容量、ε0=真空の誘電率、ε=比誘電率、S=面積、d=間隔である。よって、上記の式1に従えば、寄生容量C2を小さくするためには、dの値、即ち、データ線32aと画素電極10bとの距離D2を大きくすればよい。
上記の第1実施形態に係る液晶表示装置100では、素子基板92の上側基板1上にデータ線32及び画素電極10等を夫々形成して、画素電極10とそれに接続されていないデータ線32との間隔を大きくして寄生容量を小さくし、縦クロストークを低減するようにした。第2実施形態では、素子基板92の構成を変え、画素電極10とデータ線32とを絶縁層で絶縁する。これに加え、第1実施形態と同様に、画素電極10と、それが接続されていない隣接するデータ線との間隔D2を、接続されているデータ線との間隔D1より大きくする。これにより、画素電極10とそれに接続されていないデータ線32aとの寄生容量を減少させ縦クロストークを低減する。
また、第2実施形態では、画素電極10bとデータ線32aとは絶縁層17により絶縁されている。よって、間隔D2を大きくするために画素電極10bを図10(a)における右方向、即ちデータ線32bの方向にデータ線32bのかなり近傍まで移動させたとしても、画素電極10bとデータ線32bとが導通してしまうことはない。即ち、第1実施形態と比較すると、データ線32bとの導通という問題がないので、画素電極10bとデータ線32aとの間隔D2を増大させる自由度が大きくなるという利点を有する。
第3実施形態は、本発明をいわゆる垂直配向方式の液晶表示装置に適用したものである。液晶分子の配向を制御することにより視野角依存性を改善し、広視野角化を図った垂直配向方式の液晶装置が知られている。垂直配向方式の液晶装置では、負の誘電率異方性を有する液晶を使用し、素子基板と対向基板との間に電圧が印加されていない状態では、液晶分子は基板に対して略垂直の方向に配向する。スイッチング素子としてTFTやTFDが設けられた素子基板には、略円形又は多角形の複数のサブ画素電極を含んでなる画素電極が形成される。また、対向基板には、各サブ画素電極の略中央に対向する位置にスリット又は凸部(突起)などが形成される。素子基板と対向基板との間に電圧を印加すると、基板間の液晶層には電圧に応じた電界が形成されるが、サブ画素電極が略円形又は多角形などに形成されており、かつ、それと対向する対向基板側の電極にはスリットや凸部などが形成されているため、液晶分子はサブ画素電極の略中央を中心として放射状に配向状態が制御される。これにより、視野角依存性が抑制され、広視野角化が可能となる。
上記の実施形態では、半透過反射型の液晶表示装置100に本発明を適用したが、これに限らず、反射型又は透過型の液晶表示装置にも本発明を適用できる。また、上記実施形態では、ノーマリーホワイト型の液晶表示装置100に本発明を適用したが、これに限らず、ノーマリーブラック型の液晶表示装置にも本発明を適用できる。
次に、本発明による液晶表示装置100を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
Claims (4)
- 複数の信号線と、
前記信号線の各々と複数のスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極とを有する基板を備え、
前記各画素電極と当該各画素電極に接続されていない隣接する信号線との間隔は、前記各画素電極と当該各画素電極に前記各スイッチング素子を介して接続された信号線との間隔より広く、
前記基板を平面的に見た場合において、前記各画素電極と、当該画素電極に前記各スイッチング素子を介して接続された信号線との間隔は零であり、
さらに前記基板は、前記複数の信号線及び前記複数のスイッチング素子を覆う絶縁層を備え、
前記画素電極の各々は前記絶縁層上に形成されており、当該画素電極の各々の一部は、前記絶縁層に形成された各開口を通じて、対応する前記スイッチング素子の各々に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記基板を平面的に見た場合において、前記画素電極の当該画素電極に前記各スイッチング素子を介して接続された信号線側の端部位置と、当該信号線の前記画素電極側の端部位置とは一致していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記基板と対向配置され、前記基板側に対向電極を有する対向基板を備え、
前記対向電極は、前記画素電極に対向する領域に開口又は突起を有し、
前記基板と前記対向基板との間には負の誘電率異方性を有する液晶層が挟持されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
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