CN111025802B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板。显示面板包括阵列基板，阵列基板包括薄膜晶体管区、主像素区以及次像素区；主像素区及次像素区设于薄膜晶体管区的同一侧，次像素区呈U形半包围环绕主像素区设置。本发明降低了薄膜晶体管区所占面积，同时次像素区围绕主像素区形成半包围结构，可增加主像素区与主数据走线之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。进一步将在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉，可缩短相邻两个次像素区的第二像素电极边界之间的距离，从而增加主像素区和次像素区内像素电极的分布宽度，增加了开口率。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
多畴取向液晶显示(Multi-domain alignment liquid crystal displays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。
随着屏幕尺寸向大屏化的演化，8畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。
如图1所示，为现有的一种8畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，阵列基板90包括薄膜晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，薄膜晶体管区901主要采用3T或3T plus结构，主像素区902和次像素区903均包括像素电极91以及环绕像素电极91的源漏极走线92。
由于主像素区902会出现画面亮度暗及大视角显示效果差的缺陷，通过次像素区903进行分压来改善视角的表现，但在大视角情况下仍会出现色偏现象。但8畴像素结构的阵列基板90会因其像素尺寸细化和畴数增加严重导致了面板穿透率的降低。
如图2所示，为在图1中A-A所示相邻两个次像素区903位置处的截面图，像素电极91位于源漏极走线92上方且两者错位间隔0.25um设置，在相邻两个次像素区903之间设有数据走线93以及位于数据走线93上方的公共电极走线94，公共电极走线94的线宽为12.5um且两端与像素电极91距离均为4.5um。
由于阵列基板90内部设置大量的公共电极走线94和环绕主像素区902和次像素区903的源漏极走线92，且公共电极走线94和像素电极91之间距离较远，源漏极走线92的线宽为3um也较宽，并需要与数据走线93间隔设置，导致相邻两个次像素区903之间的间隔距离为21.5um，因此会牺牲大量开口率，造成穿透率的下降。
因此，十分有必要提出一种新的阵列基板及显示面板以实现高穿透率、广视角的目的。
发明内容
本发明的一个目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过将主像素区和次像素区放在薄膜晶体管区的同一侧，降低了薄膜晶体管区所占面积，同时次像素区围绕主像素区形成半包围结构，可增加主像素区与主数据走线之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。
本发明的另一个目的在于，通过进一步将在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉，可缩短可缩短相邻两个次像素区的第二像素电极边界之间的距离，从而增加主像素区和次像素区内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管区、主像素区以及次像素区；所述薄膜晶体管区内设有主薄膜晶体管单元、次薄膜晶体管单元以及共享薄膜晶体管单元；所述主像素区设于所述薄膜晶体管区的一侧，其内设有第一像素电极，所述第一像素电极与所述主薄膜晶体管单元的漏极电性连接；以及所述次像素区设于所述薄膜晶体管区朝向所述主像素区的一侧，且呈U形半包围环绕所述主像素区设置，其内设有第二像素电极，所述第二像素电极与所述第一像素电极之间未电性连接，所述第二像素电极与所述次薄膜晶体管单元及所述共享薄膜晶体管单元的漏极电性连接。
进一步地，所述主像素区的俯视图投影呈轴对称图形。
进一步地，所述主像素区的面积小于所述次像素区的面积。
进一步地，所述第一像素电极、所述第二像素电极均包括主枝干和分枝干，位于所述主像素区和所述次像素区内沿纵向延伸的所述主枝干位于同一直线上。
进一步地，所述阵列基板还包括共享数据线，沿纵向方向依次贯穿所述薄膜晶体管区、所述主像素区以及所述次像素区；所述共享数据线在所述薄膜晶体管区内形成所述共享薄膜晶体管单元的源极；所述共享数据线在所述主像素区及所述次像素区设于沿纵向延伸的所述主枝干所在直线的正下方。
进一步地，所述阵列基板还包括主数据走线，设于相邻两个所述次像素区之间；所述主数据走线与所述第一薄膜晶体管单元及所述第二薄膜晶体管单元的源极电性连接；所述主数据走线设于相邻两个所述次像素区内的所述第二像素电极的下方，且所述主数据走线与所述第二像素电极的投影相互重叠。
进一步地，所述主数据走线的线宽为9um-13um。
进一步地，相邻两个所述次像素区内的所述第二像素电极的间隔距离为4um-6um。
进一步地，所述主数据走线与所述主像素区的投影相不重叠。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过将主像素区和次像素区放在薄膜晶体管区的同一侧，降低了薄膜晶体管区所占面积，同时次像素区围绕主像素区形成半包围结构，可增加主像素区与主数据走线之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。并进一步将在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉，可缩短相邻两个次像素区的第二像素电极边界之间的距离，从而增加主像素区和次像素区内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的一种8畴像素结构的阵列基板平面结构示意图；
图2为图1中A-A所示相邻两个次像素区位置处的截面图；
图3为本发明实施例中一种阵列基板的平面结构示意图；
图4为本发明实施例中另一种阵列基板的平面结构示意图；
图5为图3或图4中B-B所示相邻两个次像素区位置处的截面图。
附图中部分标识如下：
1、主枝干，2、分枝干，10、薄膜晶体管区，
11、主薄膜晶体管单元，12、次薄膜晶体管单元，
13、共享薄膜晶体管单元，20、主像素区，
21、第一像素电极，30、次像素区，
31、第二像素电极，40、共享数据线，
50、主数据走线，100、阵列基板。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被夸大。例如，为了便于描述，附图中的元件的厚度和尺寸被任意地示出，因此，所描述的技术范围不由附图限定。
如图3、图4所示，本发明实施例中提供一种阵列基板100，包括薄膜晶体管区10、主像素区20以及次像素区30；所述薄膜晶体管区10内设有主薄膜晶体管单元11、次薄膜晶体管单元12以及共享薄膜晶体管单元13；所述主像素区20设于所述薄膜晶体管区10的一侧，其内设有第一像素电极21，所述第一像素电极21与所述主薄膜晶体管单元11的漏极电性连接；以及所述次像素区30设于所述薄膜晶体管区10朝向所述主像素区20的一侧，且呈U形半包围环绕所述主像素区20设置，其中U形半包围环绕也可表述为半包围包覆、三边环绕、沿所述薄膜晶体管区10包覆等，所述次像素区30内设有第二像素电极31，所述第二像素电极31与所述第一像素电极21之间未电性连接，所述第二像素电极31与所述次薄膜晶体管单元12及所述共享薄膜晶体管单元13的漏极电性连接。
本实施例通过将所述主像素区20和所述次像素区30放在所述薄膜晶体管区10的同一侧，降低了所述薄膜晶体管区10所占面积，同时所述次像素区30围绕所述主像素区20形成半包围结构，可减少所述主像素区20形成耦合电容，改善色偏。
本实施例中，所述主像素区20的俯视图投影呈轴对称图形，所述轴对称图形可以为沿横向轴对称或沿纵向轴对称。所述主像素区20的俯视图投影具体包括但不限于对称锥形、对称三角形、对称半圆形、对称倒梯形、内凹矩形、沙漏形或矩形，优选为呈沙漏形或矩形。具体的，在图3中表示所述主像素区20的俯视图呈沙漏形，在图4中表示所述主像素区20的俯视图呈矩形。
本实施例中，所述主像素区20的面积小于所述次像素区30的面积。这样可实现所述次像素区30呈U形半包围环绕所述主像素区20设置，并能增加所述主像素区20与数据走线(后文的主数据走线50)之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。
本实施例中，所述第一像素电极21、所述第二像素电极31均包括主枝干1和分枝干2，位于所述主像素区20和所述次像素区30内沿纵向延伸的所述主枝干1位于同一直线上，优选沿纵向延伸的所述主枝干1所在直线为所述主像素区20和所述次像素区30的中位线。
本实施例中，所述阵列基板100还包括共享数据线40，沿纵向方向依次贯穿所述薄膜晶体管区10、所述主像素区20以及所述次像素区30；所述共享数据线40在所述薄膜晶体管区10内形成所述共享薄膜晶体管单元13的源极；所述共享数据线40在所述主像素区20及所述次像素区30设于沿纵向延伸的所述主枝干1所在直线的正下方，这样设置可以使得所述主枝干1与所述共享数据线40的投影相重合，从而能够增大所述阵列基板100的开口率。设置所述共享数据线40以及所述共享薄膜晶体管单元13的目的是为解决所述次薄膜晶体管单元12供电不足的问题。
本实施例中，所述阵列基板100还包括主数据走线50，设于相邻两个所述次像素区30之间；所述主数据走线50与所述第一薄膜晶体管单元及所述第二薄膜晶体管单元的源极电性连接；所述主数据走线50设于相邻两个所述次像素区30内的所述第二像素电极31的下方，且所述主数据走线50与所述第二像素电极31的投影相互重叠，这样可使得在所述主数据走线50与所述第二像素电极31之间形成电容，能够将现有技术图2中所示的在相邻两个次像素区之间的公共电极走线和环绕主像素区和次像素区的源漏极走线去掉去除，可缩短相邻两个所述次像素区30的所述第二像素电极31边界之间的距离，从而增加所述主像素区20和所述次像素区30内像素电极的分布宽度，增加了开口率。
如图5所示，为图3或图4中B-B所示相邻两个所述次像素区30位置处的截面图。本实施例中，所述主数据走线50的线宽为9um-13um，优选为10um、11um、12um。
本实施例中，相邻两个所述次像素区30内的所述第二像素电极31的间隔距离为4um-6um，优选为5um。
本实施例中，所述主数据走线50与所述主像素区20的投影相不重叠，这样可避免所述主数据走线50与所述主像素区20之间形成耦合电容，从而改善色偏。
基于同样的发明构思，本公开实施例提供一种显示面板，该显示装置包括由以上实施例所提供的阵列基板100。
本公开实施例中的显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示面板的工作原理，与前述阵列基板100的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述阵列基板100实施例，此处不再赘述。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板100及显示面板，通过将主像素区20和次像素区30放在薄膜晶体管区10的同一侧，降低了薄膜晶体管区10所占面积，同时次像素区30围绕主像素区20形成半包围结构，可增加主像素区20与主数据走线50之间的距离，减小它们之间的耦合电容，改善色偏。并进一步将在相邻两个次像素区30之间的公共电极走线和环绕主像素区20和次像素区30的源漏极走线去掉，可缩短相邻两个所述次像素区30的所述第二像素电极31边界之间的距离，从而增加所述主像素区20和所述次像素区30内像素电极的分布宽度增加了开口率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管区，其内设有主薄膜晶体管单元、次薄膜晶体管单元以及共享薄膜晶体管单元；
主像素区，设于所述薄膜晶体管区的一侧，其内设有第一像素电极，所述第一像素电极与所述主薄膜晶体管单元的漏极电性连接；
次像素区，设于所述薄膜晶体管区朝向所述主像素区的一侧，且呈U形半包围环绕所述主像素区设置，其内设有第二像素电极，所述第二像素电极与所述第一像素电极之间未电性连接，所述第二像素电极与所述次薄膜晶体管单元及所述共享薄膜晶体管单元的漏极电性连接；所述第一像素电极、所述第二像素电极均包括主枝干和分枝干，位于所述主像素区和所述次像素区内沿纵向延伸的所述主枝干位于同一直线上；
共享数据线，沿纵向方向依次贯穿所述薄膜晶体管区、所述主像素区以及所述次像素区；所述共享数据线在所述薄膜晶体管区内形成所述共享薄膜晶体管单元的源极；所述共享数据线在所述主像素区及所述次像素区设于沿纵向延伸的所述主枝干所在直线的正下方；以及
主数据走线，设于相邻两个所述次像素区之间；所述主数据走线与所述主薄膜晶体管单元及所述次薄膜晶体管单元的源极电性连接；所述主数据走线设于相邻两个所述次像素区内的所述第二像素电极的下方，且所述主数据走线与所述第二像素电极的投影相互重叠；所述主数据走线与所述主像素区的投影相不重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素区的俯视投影呈轴对称图形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主像素区的面积小于所述次像素区的面积。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主数据走线的线宽为9um-13um。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述次像素区内的所述第二像素电极的间隔距离为4um-6um。
6.一种显示面板，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113075825B (zh) * 2021-03-16 2022-05-17 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102508386A (zh) * 2011-11-28 2012-06-20 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN103323992A (zh) * 2013-01-22 2013-09-25 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及液晶显示面板
CN105372885A (zh) * 2009-05-06 2016-03-02 三星显示有限公司 液晶显示器
CN107272281A (zh) * 2014-12-31 2017-10-20 友达光电股份有限公司 像素结构
CN109164623A (zh) * 2018-09-21 2019-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105372885A (zh) * 2009-05-06 2016-03-02 三星显示有限公司 液晶显示器
CN102508386A (zh) * 2011-11-28 2012-06-20 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器
CN103323992A (zh) * 2013-01-22 2013-09-25 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及液晶显示面板
CN107272281A (zh) * 2014-12-31 2017-10-20 友达光电股份有限公司 像素结构
CN109164623A (zh) * 2018-09-21 2019-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

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