CN112596306A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板。显示面板包括阵列基板，阵列基板设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括层叠设置的第一导电层、栅极绝缘层、第二导电层、钝化层以及第三导电层；所述第二导电层与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；所述第三导电层与所述第一导电层电连接，并与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。本发明通过增加第二电容与原有的第一电容并联形成的液晶存储电容，增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。而且第三导电层是与像素区的像素电极层同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
多畴取向液晶显示(Multi-domain alignment liquid crystal displays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。
随着屏幕尺寸向大屏化的演化，8畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。
如图1所示，为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，8畴像素结构的阵列基板910包括薄膜晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，薄膜晶体管区901主要采用3T或3T plus结构。在薄膜晶体管区901主要包括构成薄膜晶体管的栅极层91以及源漏极层92，在主像素区902和次像素区903均包括栅极层91和像素电极层93。
如图2所示，为现有的一种四畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，四畴像素结构的阵列基板920相对于八畴像素结构的阵列基板910的区别在于不设置次像素区903，只有主像素区902，因此只具有与其对应的一个薄膜晶体管，从而薄膜晶体管区901的结构相对简单。
从图1及图2中可以看出，在薄膜晶体管区901主要是构成薄膜晶体管的栅极层91以及源漏极层92，两者对应设置形成液晶存储电容，在薄膜晶体管区901内并不设置像素电极层93，因此液晶存储电容的总电容会比较小。故基于大视角显示技术的液晶显示器，液晶像素的总电容往往比相同规格的IPS液晶显示器小，不利于像素电压的稳定性，从而限制画质的提升。
因此，十分有必要提出一种新的阵列基板及显示面板以实现不影响开口率的前提下，显著提高存储电容的目的。
发明内容
本发明的一个目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，用以解决现有八畴像素结构的阵列基板及四畴像素结构的阵列基板中液晶存储电容的总电容会比较小，不利于像素电压的稳定性，从而限制画质提升的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括层叠设置的第一导电层、栅极绝缘层、第二导电层、第一过孔、钝化层以及第三导电层；所述栅极绝缘层设于所述第一导电层上；所述第二导电层设于所述栅极绝缘层上，且与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；所述钝化层设于所述栅极绝缘层上且完全覆盖所述第二导电层；所述第一过孔从所述钝化层的表面延伸至所述第一导电层的表面；所述第三导电层设于所述钝化层上并穿过第一过孔与所述第一导电层电连接，所述第三导电层与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。
进一步地，所述第一导电层包括栅极走线和与所述栅极走线间隔设置的第一电容走线。
进一步地，所述第二导电层包括源极走线、源极走线和第二电容走线；所述第二电容走线与所述漏极走线连接，且所述第二电容走线与所述第一电容走线形成所述第一电容。
进一步地，所述第二导电层包括数据走线，与所述源极走线连接。
进一步地，所述第三导电层包括像素电极走线和第三电容走线，所述第三电容走线通过所述第一过孔与所述第一电容走线连接，且所述第三电容走线与所述第二电容走线形成所述第二电容。
进一步地，所述阵列基板还包括第二过孔，从所述钝化层的表面贯穿并延伸至所述漏极走线的表面，所述像素电极走线通过第二过孔与所述漏极走线连接。
进一步地，所述第一过孔设于所述薄膜晶体管区的边角处。
进一步地，所述第二过孔设于所述薄膜晶体管区内。
进一步地，所述像素区与所述薄膜晶体管区相邻设置，构成四畴像素结构的阵列基板。
进一步地，所述像素区包括主像素区以及次像素区，所述薄膜晶体管区位于所述主像素区与所述次像素区之间，构成八畴像素结构的阵列基板。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过在薄膜晶体管区内增加设置第三导电层，实现与第二导电层部分对应设置形成第二电容，从而与原有的第一电容并联形成的液晶存储电容，增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。而且第三导电层是与像素区的像素电极层同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图；
图2为现有的一种四畴像素结构的阵列基板平面结构示意图；
图3为本发明实施例一中的一种阵列基板的平面结构示意图；
图4为图3中在A-A位置处的截面图；
图5为本发明实施例二中的一种阵列基板的平面结构示意图。
附图中部分标识如下：
1、第一导电层，2、栅极绝缘层，3、第二导电层，
4、钝化层，5、第三导电层，10、薄膜晶体管区，
11、栅极走线，12、第一电容走线，20、像素区，
21、主像素区，22、次像素区，31、源极走线，
32、漏极走线，33、第二电容走线，34、数据走线，
51、像素电极走线，52、第三电容走线，100、阵列基板，
101、第一过孔，102、第二过孔。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电性连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被夸大。例如，为了便于描述，附图中的元件的厚度和尺寸被任意地示出，因此，所描述的技术范围不由附图限定。
实施例一、
如图3、图4所示，本发明实施例一中提供一种阵列基板100，所述阵列基板100为四畴像素结构的阵列基板，设有薄膜晶体管区10，所述薄膜晶体管区10包括层叠设置的第一导电层1、栅极绝缘层2、第二导电层3、钝化层4以及第三导电层5；所述栅极绝缘层2设于所述第一导电层1上；所述第二导电层3设于所述栅极绝缘层2上，且与部分所述第一导电层1对应设置形成第一电容Cst1；所述钝化层4设于所述栅极绝缘层2上且完全覆盖所述第二导电层3；所述第三导电层5设于所述钝化层4上并穿过第一过孔101与所述第一导电层1电连接，所述第三导电层5与所述第二导电层3部分对应设置形成第二电容Cst2。
本实施例中，所述第一电容Cst1与所述第二电容Cst2并联形成的液晶存储电容Cst。以图4所示的横截面说明原理，所述第一导电层1与所述第二导电层3形成所述第一电容Cst1，所述第三导电层5与所述第二导电层3形成所述第二电容Cst2，所述第一电容Cst1及所述第二电容Cst2并联形成的所述液晶存储电容Cst＝Cst1+Cst2。而现有设计的第三导电层5与第二导电层3未形成电容，所以现有设计的存储电容Cst’＝Cst1<Cst。可见，本实施例设计可以增加存储电容。仿真结果显示，存储电容增加50％以上。本实施例增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。
本实施例中，所述第一过孔101设于所述第二导电层3的一侧，所述第一过孔101贯穿所述钝化层4及所述栅极绝缘层2，所述第三导电层5与所述第二导电层3相互绝缘。
具体的，本实施例中，所述第一导电层1包括栅极走线11和与所述栅极走线11间隔设置的第一电容走线12。所述第二导电层3包括源极走线31、漏极走线32和第二电容走线33；所述第二电容走线33与所述漏极走线32连接，且所述第二电容走线33与所述第一电容走线12形成所述第一电容Cst1。所述第二导电层3还包括数据走线34，与所述源极走线31连接。所述第三导电层5包括像素电极走线51和第三电容走线52，所述第三电容走线52通过所述第一过孔101与所述第一电容走线12连接，且所述第三电容走线52与所述第二电容走线33形成所述第二电容Cst2。
本实施例中，所述第一过孔101设于所述薄膜晶体管区10的边角处。
本实施例中，所述像素电极走线51设于所述钝化层4上并穿过第二过孔102与所述第二导电层3电连接。所述第二过孔102从所述钝化层4的表面贯穿并延伸至所述漏极走线32的表面，所述像素电极走线51通过第二过孔102与所述漏极走线32连接。所述第二过孔102设于所述薄膜晶体管区10内。
本实施例中，所述薄膜晶体管区10还包括至少一薄膜晶体管单元，所述第一导电层1构成所述薄膜晶体管单元的栅极，所述第二导电层3构成所述薄膜晶体管单元的源漏极。
本实施例中，所述阵列基板100还设有像素区20，所述像素区20包括所述像素电极走线51，所述像素电极走线51延伸至所述薄膜晶体管区10内穿过第二过孔102与所述第二导电层3电连接。可理解的是，所述第三导电层5是与所述像素区20的所述像素电极走线51同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。
本实施例中，所述像素区20与所述薄膜晶体管区10相邻设置，构成四畴像素结构的阵列基板100。
实施例二、
如图5所示，在第二实施例中包括第一实施例中的大部分的技术特征，其区别在于，第二实施例中的所述阵列基板100为八畴像素结构的阵列基板，而不是实施例一中的四畴像素结构的阵列基板。
如图5所示，所述阵列基板100设有薄膜晶体管区10，所述薄膜晶体管区10包括层叠设置的第一导电层1、栅极绝缘层2、第二导电层3、钝化层4以及第三导电层5；所述栅极绝缘层2设于所述第一导电层1上；所述第二导电层3设于所述栅极绝缘层2上，且与部分所述第一导电层1对应设置形成第一电容Cst1；所述钝化层4设于所述栅极绝缘层2上且完全覆盖所述第二导电层3；所述第三导电层5设于所述钝化层4上并穿过第一过孔101与所述第一导电层1电连接，所述第三导电层5与所述第二导电层3部分对应设置形成第二电容Cst2。
本实施例中，所述第一电容Cst1与所述第二电容Cst2并联形成的液晶存储电容Cst。同理图5在A-A处的结构与图4类似，同样以图4所示的横截面说明原理，所述第一导电层1与所述第二导电层3形成所述第一电容Cst1，所述第三导电层5与所述第二导电层3形成所述第二电容Cst2，所述第一电容Cst1及所述第二电容Cst2并联形成的所述液晶存储电容Cst＝Cst1+Cst2.而现有设计的第三导电层5与第二导电层3未形成电容，所以现有设计的存储电容Cst’＝Cst1<Cst。可见，本实施例设计可以增加存储电容。仿真结果显示，存储电容增加50％以上。本实施例增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。
本实施例中，所述第一过孔101设于所述第二导电层3的一侧，所述第一过孔101贯穿所述钝化层4及所述栅极绝缘层2，所述第三导电层5与所述第二导电层3相互绝缘。
具体的，本实施例中，所述第一导电层1包括栅极走线11和与所述栅极走线11间隔设置的第一电容走线12。所述第二导电层3包括源极走线31、漏极走线32和第二电容走线33；所述第二电容走线33与所述漏极走线32连接，且所述第二电容走线33与所述第一电容走线12形成所述第一电容Cst1。所述第二导电层3还包括数据走线34，与所述源极走线31连接。所述第三导电层5包括像素电极走线51和第三电容走线52，所述第三电容走线52通过所述第一过孔101与所述第一电容走线12连接，且所述第三电容走线52与所述第二电容走线33形成所述第二电容Cst2。
本实施例中，所述第一过孔101设于所述薄膜晶体管区10的边角处。
本实施例中，所述像素电极走线51设于所述钝化层4上并穿过第二过孔102与所述第二导电层3电连接。所述第二过孔102从所述钝化层4的表面贯穿并延伸至所述漏极走线32的表面，所述像素电极走线51通过第二过孔102与所述漏极走线32连接。
本实施例中，所述第一过孔101设于所述薄膜晶体管区10的边角处。
本实施例中，所述薄膜晶体管区10还包括至少一薄膜晶体管单元，所述第一导电层1构成所述薄膜晶体管单元的栅极，所述第二导电层3构成所述薄膜晶体管单元的源漏极。
本实施例中，所述阵列基板100还设有像素区20，所述像素区20包括所述像素电极走线51，所述像素电极走线51延伸至所述薄膜晶体管区10内穿过第二过孔102与所述第二导电层3电连接。可理解的是，所述第三导电层5是与所述像素区20的所述像素电极走线51同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。
本实施例中，所述像素区20包括主像素区21以及次像素区22，所述薄膜晶体管区10位于所述主像素区21与所述次像素区22之间，构成八畴像素结构的阵列基板。
基于同样的发明构思，本公开实施例提供一种显示面板，该显示面板包括由以上实施例所提供的阵列基板100。本公开实施例中的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例提供的显示面板的工作原理，与前述阵列基板100的实施例工作原理一致，具体结构关系及工作原理参见前述阵列基板100实施例，此处不再赘述。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及显示面板，通过在薄膜晶体管区内增加设置第三导电层，实现与第二导电层部分对应设置形成第二电容，从而与原有的第一电容并联形成的液晶存储电容，增加了液晶存储电容的总电容，有利于像素电压的稳定，从而提升了画质。而且第三导电层是与像素区的像素电极层同层设置，可同时制作完成，改进成本低，可实现在不影响开口率的前提下提高存储电容。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，设有薄膜晶体管区，所述薄膜晶体管区包括：
第一导电层；
栅极绝缘层，设于所述第一导电层上；
第二导电层，设于所述栅极绝缘层上，且与部分所述第一导电层对应设置形成第一电容；
钝化层，设于所述栅极绝缘层上且完全覆盖所述第二导电层；
第一过孔，从所述钝化层的表面延伸至所述第一导电层的表面；以及
第三导电层，设于所述钝化层上并通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接，所述第三导电层与所述第二导电层部分对应设置形成第二电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层包括栅极走线和与所述栅极走线间隔设置的第一电容走线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层包括源极走线、源极走线和第二电容走线；所述第二电容走线与所述漏极走线连接，且所述第二电容走线与所述第一电容走线形成所述第一电容。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层包括数据走线，与所述源极走线连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层包括像素电极走线和第三电容走线，所述第三电容走线通过所述第一过孔与所述第一电容走线连接，且所述第三电容走线与所述第二电容走线形成所述第二电容。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二过孔，从所述钝化层的表面贯穿并延伸至所述漏极走线的表面，所述像素电极走线通过第二过孔与所述漏极走线连接。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔设于所述薄膜晶体管区内。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区与所述薄膜晶体管区相邻设置，构成四畴像素结构的阵列基板。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素区包括主像素区以及次像素区，所述薄膜晶体管区位于所述主像素区与所述次像素区之间，构成八畴像素结构的阵列基板。
10.一种显示面板，包括如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
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