CN117292654A - 一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器，所述方法包括：获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。通过该方法，可以有效减小像素显示中的串扰问题。

Description

一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器
技术领域
本申请涉及电子技术领域，特别是涉及一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器。
背景技术
随着显示技术的不断发展，LCD(Liquid Crystal Switch，液晶显示器)已经占据了显示行业的主导地位，而ADS(advanced super-dimension Switch，高级超维场转换显示)因具有宽视角、响应速度快和对比度高等优点成为了主流的显示模式。
在ADS显示器中，Column(列)结构像素在左右像素电极不对称，此外在工艺发生波动的情况下，其像素电极会发生偏移，因此会出现一种由于数据线两侧Cpd电容(数据线与像素电极之间存在的侧向场电容)不相等引发的像素的串扰问题，影响画面显示效果，进而影响用户的观感体验。
因此，如何减少像素显示中的串扰成为亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器，以减少像素显示中的串扰问题。具体技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供一种像素电路结构参数确定方法，包括：
获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
在一种可能的实施方式中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述获取串扰阈值，包括：
获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；
获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
在一种可能的实施方式中，所述根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
在一种可能的实施方式中，所述在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，包括：
在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
分别测量各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
基于各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在各所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
在一种可能的实施方式中，所述基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离，包括：
在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
第二方面，本申请实施例提供一种显示基板，所述显示基板通过本申请第一方面中任一所述的方法确定的参数设计得到。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6um及5.0um。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3um及5.3um。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2um及5.5um。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35um及5.35um。
第三方面，本申请实施例提供一种显示器，所述显示器包括：
如本申请第二方面中任一所述的显示基板。
本申请实施例有益效果：
本申请实施例提供的一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器，所述方法包括：获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。通过人眼能够容忍的串扰值及表征像素串扰值的表达式得到像素电极的偏移区间，在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为现有技术中column像素结构发生灰阶串扰的一种像素阵列示意图；
图2为现有技术中column像素结构发生单色串扰的一种像素阵列示意图；
图3为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第一种流程示意图；
图4a为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第二种流程示意图；
图4b为8K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线；
图4c为4K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线；
图5为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第三种流程示意图；
图6为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第四种流程示意图；
图7为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第五种流程示意图；
图8为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第六种流程示意图；
图9为8K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图；
图10为4K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
首先，对现有技术中显示器出现的串扰问题进行简单说明。
图1为现有技术中column像素结构发生灰阶串扰的一种像素阵列示意图。如图1所示，D1-D7为像素结构中的数据线，G1-G4为像素结构中的栅极电压扫描线；数据线左右两侧排布的为像素电极(像素电极形状可以为非规则图形)，像素电极的排布方式为column反转方式，即每个像素电极与在自己列上相邻的像素电极拥有相同的极性，与在自己行上相邻的像素电极拥有相反的极性；像素电极的极性变换方式是在下一次更换画面数据的时候来改变极性，也就是说，对于同一像素电极而言，它的极性是不停的变换的。所述结构中还包括TFT管(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)，TFT管的栅极电性连接栅极电压扫描线，TFT管的漏极电性连接数据线，TFT管的源极电性连接像素电极。TFT管的作用是指液晶显示器上的每一个液晶像素点都是由集成在其后的TFT管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息。所述TFT管为N型TFT管，当栅极电压为高电平时，像素的TFT管开启，数据线将电压信号加载到像素电极中；当栅极电压为低电平时，TFT管关闭，像素电极和公共电极之间的存储电容使得像素电极中的电压值得以保持，直至下一帧为止。Vcom表示公共电极的电压。
在实际应用中，所述N型TFT管也可以替换为NMOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。
数据线与左右两侧像素电极之间存在侧向场电容，也可以说，像素电极与左右两侧数据线之间存在侧向场电容，即Cpd1和Cpd2。
以D2数据线为例，画面显示在第N帧时，数据线电压从L127灰阶电压(负极性)跳转至L255灰阶电压(负极性)，Cpd1与Cpd2电容的存在导致①区域的像素电压被拉动，像素电压(像素电极的电压)与公共电压Vcom之间的电压差增加，像素偏亮。当数据线电压从L255灰阶电压跳转至L127灰阶电压时，③区域的像素电压被拉动，像素电压与公共电压Vcom之间的电压差减小，像素偏暗。D3数据线的电压跳转方向与D2相反。如果像素电极左右两侧的Cpd电容大小相等，则数据线对像素电极的拉动效应相等，极性相反，相互抵消，不会出现串扰的问题。当数据线左右两侧的像素电极不对称或者发生对位偏差(像素电极相对数据线的位置发生偏移)时，Cpd1和Cpd2产生差异，Cpd1≠Cpd2，此时会出现串扰的问题，影响画面显示效果，进而影响用户的观感体验。
图2为现有技术中column像素结构发生单色串扰的一种像素阵列示意图。结构介绍同图1，此处就不再赘述。因为D2和D3的数据线电压跳转时会导致像素电极向同一方向跳转，与公共电压Vcom之间的电压差同时增加或同时减小，因此出现的串扰问题会更加严重，并且，人眼对于绿色画面(②区域像素为绿色)更加敏感，所察觉到的串扰问题会更加明显。
为了减少像素显示中的串扰问题，本申请实施例提供了一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器。
接下来，对本申请实施例提供的一种像素电路结构参数确定方法进行详细说明，参见图3，包括以下步骤：
步骤S301：获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
像素电路的初始设计参数的获取方式，可以参见现有技术中的像素电路参数的设计方法，本申请中不做具体限定，本申请实施例用于在像素电路的初始设计参数的基础之上，进一步降低像素显示的串扰问题。其中，电容参数包括初始的Cpd1与Cpd2的相关参数，还可以包括公共电极与像素电极之间的存储电容、液晶电容、扫描线与像素电极之间的总电容等电容的参数；数据线与像素电极之间的初始距离包括数据线分别与左右两侧像素电极之间的初始距离。
步骤S302：根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
如上述分析可知，串扰值是由于Cpd1和Cpd2的差异导致的，因此可以基于电容参数计算得到像素的串扰值的表达式。一个例子中，像素的串扰值可以为灰度串扰值，一个例子中，像素的串扰值可以为颜色串扰值，一个例子中，像素的串扰值可以包括灰度串扰值及颜色串扰值。
步骤S303：获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值，即当串扰值小于串扰阈值时，人眼不会感受到明显的像素串扰现象，根据像素的串扰值的表达式及串扰阈值，可以计算得到像素电极位置的调整区间，也即像素电极的偏移区间。
步骤S304：在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
目标偏移值可以为串扰值最小时，像素电极相对初始像素电极的位置所偏移的距离值。一个例子中，可以通过逐点测试的方式，在偏移区间中选取出目标偏移值，具体的，可以设定一个单位步长，在偏移区间中，从区间的端点开始，每次调整单位步长的距离，逐点对像素的串扰值进行测试，从而得到测试结果中串扰值最小时的偏移值，即目标偏移值。
步骤S305：基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
在本申请实施例中，获取像素电路的初始设计参数，初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；根据电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据表达式及串扰阈值，确定像素电极的偏移区间；在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于数据线与像素电极之间的初始距离及目标偏移值，得到数据线与像素电极之间的目标距离。通过人眼能够容忍的串扰值及表征像素串扰值的表达式得到像素电极的偏移区间，在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
综上，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)。像素电压相对公共电压的电压差值为△V，△Vp为像素电压相对△V的跳变值，用于表征串扰值；所述串扰值△Vp越接近零时，表示串扰越小，△Vp＝0时，无串扰发生。
在本实施例中，上述灰阶/单色串扰值的表达式中，与Cst相比，Clc的电容值要小得多，至少比Cst的电容值小一个数量级，因此在Cst+Clc中，Clc可忽略不计，△Vd为定值，在以Cpd1和Cpd2之间的关系(△Cpd或者Cpd_avg)为唯一变量的表达式中，保持Cst不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp只与Cpd1和Cpd2的变化有关。
在一种可能的实施方式中，参见图4a，对图3的步骤S303中的获取串扰阈值进行了细化，包括以下步骤：
步骤S401：获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；
步骤S402：获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值。
一个例子中，人眼观测灰阶串扰画面时，当L127边界灰阶差异大于2个时，人眼可明显观测出画面差异，不可接受此水平；当L127边界灰阶差异小于2个时，人眼无法明显观测出画面差异，可接受此水平。人眼观测单色串扰画面时(绿色，人眼对绿色敏感)，当L127边界灰阶差异大于6个时，人眼可明显观测出画面差异，不可接受此水平；当L127边界灰阶差异小于6个时，人眼无法明显观测出画面差异，可接受此水平。
△Vd为正负帧间的电压差值，是一个设定好的定值，初始设计参数中还可以包括正负帧间的电压差值，在△Vd为预设的定值的情况下，可以计算得到灰度串扰情况下，边界灰阶差异为2时的第一边界灰阶差异阈值；以及计算得到单色串扰情况下，边界灰阶差异为6时的第二边界灰阶差异阈值。
根据灰阶像素电极偏移值-串扰水平的模拟曲线，如图4b与图4c所示，图4b中的三条曲线分别为三种不同的8K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线，横坐标表示像素电极偏移值，纵坐标表示串扰水平；图4c为4K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线，横坐标表示像素电极偏移值，纵坐标表示串扰水平，斜率指的是串扰水平/像素电极偏移值的值，2ito～SD x/y指的是数据线分别与两侧像素电极之间的距离。灰阶串扰值△Vp1小于或等于第一边界灰阶差异阈值时，人眼无法明显观测出画面差异，可以视为无串扰发生；在△Vd给定的情况下，△Cpd/(Cst+Clc)相对应小于或等于第一临界值，其中，第一临界值＝第一边界灰阶差异阈值/△Vd。一个例子中，第一临界值等于0.006，即△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006时，无串扰发生，灰阶画面表现良好。
根据单色像素电极偏移值-串扰水平的模拟曲线，其曲线分析同灰阶，此处不再赘述。单色串扰值△Vp2小于或等于第二边界灰阶差异阈值时，无串扰发生；在△Vd给定的情况下，Cpd_avg/(Cst+Clc)相对应小于或等于第二临界值，其中，第二临界值＝第二边界灰阶差异阈值/△Vd。一个例子中，第二临界值等于0.009，即Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009时，无串扰发生，单色画面表现良好。
在本申请实施例中，获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值。通过人眼能够容忍的灰阶差异值得到灰阶/单色串扰值阈值，所述灰阶串扰值阈值等于0.006，即△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006时，人眼不会感知到灰度串扰的发生，灰阶画面表现良好；所述单色串扰值阈值等于0.009，即Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009时，人眼不会感知到串扰的发生，单色画面表现良好。可以有效减少像素显示中的串扰问题。
参见图5，为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第三种流程示意图，在一种可能的实施方式中，本申请实施例中的像素电路结构参数确定方法还包括以下步骤：
步骤S501：根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
步骤S502：根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
步骤S503：在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
一个例子中，在上述灰阶/单色串扰值的表达式中，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2。Clc与Cst相比可以忽略不计，△Vd为定值，在以Cst为唯一变量的表达式中，保持Cpd1和Cpd2不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp1及△Vp2只与Cst的变化有关。灰阶串扰中，所述△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006，可以计算得到Cst电容的第一电容取值范围，单色串扰中，所述Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009，可以计算得到Cst电容的第二电容取值范围。将第一电容取值范围与第二电容取值范围的交集，可以得到Cst电容的取值范围；在得到Cst电容的取值范围后，可以针对不同的实际产品需要选取适合的Cst电容值，从而在满足产品需求的基础上，减小像素显示的串扰值。
一个例子中，在8K分辨率显示产品的灰阶显示中，通常要求Cst＜0.5pF，结合Cst的取值范围，Cst的取值为0.16pF时较为合适；在4K分辨率显示产品的灰阶显示中，通常要求Cst＞1.0pF，结合Cst的取值范围，Cst的取值为1.25pF时较为合适。
在本申请实施例中，根据第一表达式及灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；根据第二表达式及单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；在第一电容取值范围及第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值，可以在所适合的Cst取值范围内相应增大所述Cst，以减小串扰值△Vp，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
参见图6，对图3的步骤S303中的根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间进行了细化，包括以下步骤：
步骤S601：根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
步骤S602：根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
步骤S603：计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
一个例子中，在上述灰阶/单色串扰值的表达式中，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2。Clc与Cst相比可以忽略不计，△Vd为定值，在以Cpd1和Cpd2之间的关系(△Cpd或者Cpd_avg)为唯一变量的表达式中，保持Cst不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp只与Cpd1和Cpd2的变化有关。
灰阶串扰中，所述△Cpd/(Cst+Clc)小于或等于第一临界值，此时可以计算得到△Cpd的取值范围，而△Cpd＝Cpd1-Cpd2，在Cpd1与Cpd2材料及工艺确定的情况下，Cpd1电容的大小仅与Cpd1两个极板之间的距离有关，Cpd2电容的大小仅与Cpd2两个极板之间的距离有关，所以Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，也即△Cpd的大小仅与数据线与两侧像素电极之间距离相关；基于△Cpd的取值范围确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间。
单色串扰中，所述Cpd_avg/(Cst+Clc)小于或等于第二临界值，此时可以计算得到Cpd_avg的取值范围；所述Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，基于Cpd_avg的取值范围确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间。
在本申请实施例中，根据第一表达式及灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据△Cpd的取值范围及初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；根据第二表达式及单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据Cpd_avg的取值范围及初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；计算第一偏移区间与第二偏移区间的交集，得到像素电极的偏移区间。Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，基于△Cpd或者Cpd_avg的取值范围可以确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间，即无串扰发生时的偏移区间，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，参见图7，对图3中的步骤S304进行了细化，包括以下步骤：
步骤S701：在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
步骤S702：分别测量各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
步骤S703：基于各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在各所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
一个例子中，灰阶串扰中，在所述像素电极相对所述数据线的偏移区间内，按照预设的第一单位步长，测试各偏移数值下的实际灰阶串扰值并选取实际灰阶串扰值最小时对应的偏移值，得到第一目标偏移值；单色串扰中，在所述像素电极相对所述数据线的偏移区间内，按照预设的第二单位步长，测试各偏移数值下的实际单色串扰值并选取实际单色串扰值最小时对应的偏移值，得到第二目标偏移值。
在本申请实施例中，在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；分别测量各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；基于各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在各所述待测量偏移值中选取目标偏移值。在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，即选取串扰值最小时，像素电极相对初始像素电极的位置所偏移的目标值，可以有效减小数据线分别与两侧像素电极间距离之间的差异，减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，参见图8，对图3中的步骤S305进行了细化，包括以下步骤：
步骤S801：在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
步骤S802：或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
一个例子中，所述像素电极的目标偏移值调整方式包括：单侧调整及两侧调整；
灰阶串扰中，所述单侧调整的偏移值为所述第一目标偏移值，基于所述数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩所述第一目标偏移值，使得所述数据线距离两侧像素电极之间的距离从不等变为接近相等，减小所述△Cpd；所述双侧调整的偏移值为所述第一目标偏移值的一半，基于所述数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将所述数据线两侧的像素电极的单边分别内缩所述第一目标偏移值的一半，使得所述数据线距离两侧像素电极之间的距离由不等变为接近相等，减小所述△Cpd。
单色串扰中，所述单侧调整的偏移值为所述第二目标偏移值，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩所述第二目标偏移值，使得所述Cpd_avg减小；所述双侧调整的偏移值为所述第二目标偏移值的一半，将所述数据线两侧的像素电极的单边分别内缩所述第二目标偏移值的一半，使得所述Cpd_avg减小。
在本申请实施例中，在数据线与像素电极之间的初始距离的基础上，按照目标偏移值调整数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到数据线与像素电极之间的目标距离；或，在数据线与像素电极之间的初始距离的基础上，按照目标偏移值调整数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到数据线与像素电极之间的目标距离。像素电极的目标偏移值调整方式包括：单侧调整及两侧调整；灰阶串扰中，单侧调整的偏移值为第一目标偏移值，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第一目标偏移值，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离从不等变为接近相等，减小△Cpd；双侧调整的偏移值为第一目标偏移值的一半，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将数据线两侧的像素电极的单边分别内缩第一目标偏移值的一半，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离由不等变为接近相等，减小△Cpd；单色串扰中，单侧调整的偏移值为第二目标偏移值，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第二目标偏移值，使得Cpd_avg减小；所述双侧调整的偏移值为第二目标偏移值的一半，将数据线两侧的像素电极的单边分别内缩第二目标偏移值的一半，使得Cpd_avg减小。可以有效减小像素显示中的串扰问题。
本申请实施例还提供了一种显示基板，通过上述中任一方法确定的参数设计得到。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6um及5.0um。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3um及5.3um。
一个例子中，图9为8K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.0um及5.0um。像素电极单边内缩0.6um后(数据线左侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.6um及5.0um。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.3um后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.3um及5.3um。其中，1ITO层为像素电极，2ITO层为公共电极。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2um及5.5um。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35um及5.35um。
一个例子中，图10为4K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2um及5.2um。像素电极单边内缩0.3um后(数据线右侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2um及5.5um。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.15um后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.35um及5.35um。其中，1ITO层为公共电极，2ITO层为像素电极。
在本申请实施例中，8K分辨率显示产品的像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.0um及5.0um。像素电极单边内缩0.6um后(数据线左侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.6um及5.0um。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.3um后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.3um及5.3um。4K分辨率显示产品的像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2um及5.2um。像素电极单边内缩0.3um后(数据线右侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2um及5.5um。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.15um后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.35um及5.35um。例如，8K分辨率显示产品灰阶串扰中，单侧调整的偏移值为第一目标偏移值0.6um，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第一目标偏移值，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离从不等变为接近相等，减小△Cpd；双侧调整的偏移值为第一目标偏移值的一半0.3um，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将数据线两侧的像素电极的单边分别内缩第一目标偏移值的一半，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离由不等变为接近相等，减小△Cpd；可以有效减小像素显示中的串扰问题。
本申请实施例还提供了一种显示器，包括如上述中任一所述的显示基板。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请的保护范围内。

Claims (15)

1.一种像素电路结构参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：
获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述获取串扰阈值，包括：
获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；
获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，包括：
在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
分别测量各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
基于各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在各所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离，包括：
在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
10.一种显示基板，其特征在于，通过权利要求1-9中的任一方法确定的参数设计得到。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6um及5.0um。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3um及5.3um。
13.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2um及5.5um。
14.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35um及5.35um。
15.一种显示器，其特征在于，包括权利要求10-14中任一所述的显示基板。
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