WO2023241342A1 - 像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器 - Google Patents

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WO2023241342A1
WO2023241342A1 PCT/CN2023/096876 CN2023096876W WO2023241342A1 WO 2023241342 A1 WO2023241342 A1 WO 2023241342A1 CN 2023096876 W CN2023096876 W CN 2023096876W WO 2023241342 A1 WO2023241342 A1 WO 2023241342A1
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value
crosstalk
data line
pixel electrode
distance
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PCT/CN2023/096876
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English (en)
French (fr)
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赵重阳
薄灵丹
缪应蒙
李会
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京东方科技集团股份有限公司
北京京东方显示技术有限公司
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices

Definitions

  • Embodiments of the present application relate to but are not limited to the field of electronic technology, and particularly refer to a method for determining pixel circuit structural parameters, a display substrate, and a display.
  • LCD Liquid Crystal Switch, liquid crystal display
  • ADS advanced super-dimension switch, advanced super-dimensional field conversion display
  • Embodiments of the present application provide a method for determining pixel circuit structural parameters, a display substrate, and a display.
  • the technical solution is as follows:
  • embodiments of the present application provide a method for determining pixel circuit structural parameters, including:
  • the initial design parameters include capacitance parameters and the initial distance between the data line and the pixel electrode;
  • a target distance between the data line and the pixel electrode is obtained.
  • ⁇ Cpd Cpd1-Cpd2
  • Cpd1 and Cpd2 are the lateral field capacitances between the data lines and the pixel electrodes on both sides respectively
  • Cst is the storage capacitance between the common electrode and the pixel electrodes
  • Clc is the liquid crystal capacitance
  • Cgp is Scan lines and The total capacitance between pixel electrodes
  • ⁇ Vd is the voltage difference between positive and negative frames.
  • the second expression of the monochromatic crosstalk value is: ⁇ Vp2 ⁇ Cpd_avg* ⁇ Vd/(Cst+Clc);
  • ⁇ Cpd Cpd1-Cpd2
  • Cpd_avg (Cpd1+Cpd2)/2
  • Cpd1 and Cpd2 are the lateral field capacitances between the data line and the pixel electrodes on both sides respectively
  • Cst is the lateral field capacitance between the common electrode and the pixel electrode.
  • Storage capacitor Clc is the liquid crystal capacitance
  • ⁇ Vd is the voltage difference between positive and negative frames.
  • obtaining the crosstalk threshold includes:
  • a second boundary grayscale difference threshold is obtained by obtaining a monochromatic difference value that the human eye can tolerate; and the monochromatic crosstalk value threshold is determined based on the second boundary grayscale difference threshold.
  • the method further includes:
  • determining the offset interval of the pixel electrode according to the expression and the crosstalk threshold includes:
  • selecting a target offset value in the offset interval of the pixel electrode includes:
  • a target offset value is selected from each of the offset values to be measured.
  • the distance between the data line and the pixel electrode on one side is adjusted according to the target offset value to obtain the distance between the data line and the pixel electrode. target distance between pixel electrodes;
  • the display substrate is an 8k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.6 ⁇ m and 5.0 ⁇ m respectively.
  • the display substrate is an 8k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.3 ⁇ m and 5.3 ⁇ m respectively.
  • Figure 1 is a schematic diagram of a pixel array where gray-scale crosstalk occurs in the column pixel structure in some technologies
  • Figure 2 is a schematic diagram of a pixel array where monochromatic crosstalk occurs in the column pixel structure in some technologies
  • Figure 4C is a simulation curve of pixel electrode offset value-crosstalk level in a 4K resolution display product
  • DP is the abbreviation of Display Port (Display Interface)
  • DPO is the abbreviation of Digital Phosphor Oscilloscope (Digital Phosphor Oscilloscope)
  • Scan Direction is from top to bottom; the display screen is divided into 1 to 5 areas.
  • Figure 2 is a schematic diagram of a pixel array where monochromatic crosstalk occurs in the column pixel structure in some technologies.
  • the structure introduction is the same as Figure 1 and will not be repeated here. Because when the data line voltage of D2 and D3 jumps, it will cause the pixel electrode to jump in the same direction, and the voltage difference between it and the common voltage Vcom increases or decreases at the same time, so the crosstalk problem will be more serious, and the human eye It is more sensitive to green pictures (the pixels in the 2 area are green), and the perceived crosstalk problem will be more obvious.
  • the pixels in the 1345 area display L127 gray scale.
  • embodiments of the present application provide a method for determining pixel circuit structure parameters. method, display substrate and display.
  • Step S301 Obtain initial design parameters of the pixel circuit, where the initial design parameters include capacitance parameters and the initial distance between the data line and the pixel electrode;
  • the capacitance parameters include the initial parameters related to Cpd1 and Cpd2, and may also include one or more of the following: storage capacitance between the common electrode and the pixel electrode, liquid crystal capacitance, total capacitance between the scan line and the pixel electrode, etc. Parameters of the capacitance; the initial distance between the data line and the pixel electrode includes the initial distance between the data line and the pixel electrodes on the left and right sides respectively.
  • Step S302 Obtain an expression representing the crosstalk value of the pixel according to the capacitance parameter
  • the crosstalk value of the pixel is caused by the difference between Cpd1 and Cpd2. Therefore, the expression of the crosstalk value of the pixel can be calculated based on the capacitance parameter.
  • the crosstalk value of the pixel may be a grayscale crosstalk value.
  • the crosstalk value of the pixel may be a color crosstalk value.
  • the crosstalk value of the pixel may include a grayscale crosstalk value and a color crosstalk value.
  • Step S303 Obtain a crosstalk threshold, and determine the offset interval of the pixel electrode according to the expression and the crosstalk threshold, where the crosstalk threshold represents the crosstalk value that the human eye can tolerate;
  • the crosstalk threshold represents the crosstalk value that the human eye can tolerate. That is, when the crosstalk value is less than the crosstalk threshold, the human eye will not feel obvious pixel crosstalk.
  • the pixel electrode position can be calculated
  • the adjustment interval is the offset interval of the pixel electrode.
  • Step S304 Select a target offset value in the offset interval of the pixel electrode
  • the target offset value may be a distance value offset by the position of the pixel electrode relative to the initial pixel electrode when the crosstalk value is minimum.
  • the target offset value can be selected in the offset interval by point-by-point testing.
  • a unit step can be set. In the offset interval, starting from the endpoint of the interval, each time Adjust the unit step distance and test the crosstalk value of the pixel point by point to obtain the offset value when the crosstalk value is the smallest in the test results, that is, the target offset value.
  • Step S305 Obtain the target distance between the data line and the pixel electrode based on the initial distance between the data line and the pixel electrode and the target offset value.
  • the crosstalk value includes a grayscale crosstalk value and a monochromatic crosstalk value
  • the expression includes: a first expression of a grayscale crosstalk value and a second expression of a monochromatic crosstalk value
  • the crosstalk threshold includes a grayscale crosstalk value threshold and a monochrome crosstalk value threshold.
  • ⁇ Cpd Cpd1-Cpd2
  • Cpd1 and Cpd2 are the lateral field capacitances between the data lines and the pixel electrodes on both sides respectively
  • Cst is the storage capacitance between the common electrode and the pixel electrodes
  • Clc is the liquid crystal capacitance
  • Cgp is The total capacitance between the scan line and the pixel electrode
  • ⁇ Vd is the voltage difference between positive and negative frames.
  • the first expression of the gray-scale crosstalk value is: ⁇ Vp1 ⁇ Cpd* ⁇ Vd/(Cst+Clc);
  • the second expression of the monochromatic crosstalk value is: ⁇ Vp2 ⁇ Cpd_avg* ⁇ Vd/(Cst+Clc);
  • ⁇ Cpd Cpd1-Cpd2
  • Cpd_avg (Cpd1+Cpd2)/2
  • Cpd1 and Cpd2 are the lateral field capacitances between the data line and the pixel electrodes on both sides respectively
  • Cst is the lateral field capacitance between the common electrode and the pixel electrode.
  • Storage capacitor Clc is the liquid crystal capacitance
  • ⁇ Vd is the voltage difference between positive and negative frames.
  • the capacitance value of Clc is much smaller, at least one order of magnitude smaller than the capacitance value of Cst, so in Cst+Clc, Clc can be ignored, ⁇ Vd is a fixed value, and in the expression using the relationship between Cpd1 and Cpd2 ( ⁇ Cpd or Cpd_avg) as the only variable, Cst remains unchanged and is regarded as a quantitative value. Therefore, the crosstalk value ⁇ Vp is only related to changes in Cpd1 and Cpd2.
  • step S303 of Figure 3 the acquisition of the crosstalk threshold in step S303 of Figure 3 is refined, including the following steps:
  • Step S401 Obtain the gray-scale difference value that the human eye can tolerate to obtain a first boundary gray-scale difference threshold, and determine the gray-scale crosstalk value threshold according to the first boundary gray-scale difference threshold;
  • Step S402 Obtain the monochromatic difference value that the human eye can tolerate to obtain a second boundary grayscale difference threshold; determine the monochromatic crosstalk value threshold according to the second boundary grayscale difference threshold.
  • the three curves in Figure 4B respectively represent the pixel electrode offset value-crosstalk level in three different 8K resolution display products.
  • Simulation curve, the abscissa represents the pixel electrode offset value, and the ordinate represents the crosstalk level
  • Figure 4C is the pixel electrode offset value-crosstalk level simulation curve in a 4K resolution display product, the abscissa represents the pixel electrode offset value, and the ordinate represents Crosstalk level
  • slope refers to the value of crosstalk level/pixel electrode offset value
  • 2ito ⁇ SD x/y refers to the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides
  • V_Crosstalk represents Vertical crosstalk (vertical picture crosstalk) ).
  • the analysis of the curve based on the simulation curve of the monochromatic pixel electrode offset value-crosstalk level is the same as the analysis of the simulation curve based on the gray-scale pixel electrode offset value-crosstalk level, and will not be described again here.
  • the monochromatic crosstalk value ⁇ Vp2 is less than or equal to the second boundary grayscale difference threshold, no crosstalk occurs;
  • Cpd_avg/(Cst+Clc) is correspondingly less than or equal to the second critical value, where,
  • the second critical value the second boundary gray level difference threshold/ ⁇ Vd.
  • the second critical value is equal to 0.009, that is, when Cpd_avg/(Cst+Clc) ⁇ 0.009, no crosstalk occurs and the monochrome picture performs well.
  • FIG. 5 a third schematic flowchart of a method for determining pixel circuit structural parameters provided in an embodiment of the present application is shown.
  • the method for determining pixel circuit structural parameters in an embodiment of the present application further includes the following steps:
  • Step S503 Select the target capacitance value of Cst from the intersection of the first capacitance value range and the second capacitance value range.
  • the first expression of grayscale crosstalk value is: ⁇ Vp1 ⁇ Cpd* ⁇ Vd/(Cst+Clc); the first expression of monochromatic crosstalk value is:
  • Clc is negligible compared with Cst, and ⁇ Vd is a fixed value. In the expression with Cst as the only variable, keep Cpd1 and Cpd2 unchanged and treat it as a quantitative value.
  • the crosstalk values ⁇ Vp1 and ⁇ Vp2 are only related to changes in Cst.
  • the ⁇ Cpd/(Cst+Clc) ⁇ 0.006 can be calculated to obtain the first capacitance range of the Cst capacitor.
  • the Cpd_avg/(Cst+Clc) ⁇ 0.009 can be calculated.
  • the intersection of the first capacitor value range and the second capacitor value range can obtain the value range of the Cst capacitor; after obtaining the value range of the Cst capacitor, a suitable Cst capacitor value can be selected for different actual product needs.
  • the crosstalk value of pixel display can be reduced.
  • Step S601 According to the first expression and the gray-scale crosstalk value threshold, calculate the value range of ⁇ Cpd; according to the value range of ⁇ Cpd and the initial distance, calculate the relative distance between the pixel electrode and The first offset interval of the position offset of the data line;
  • Step S603 Calculate the intersection of the first offset interval and the second offset interval to obtain an offset interval of the pixel electrode.
  • the ⁇ Cpd/(Cst+Clc) is less than or equal to the first critical value.
  • the size of the Cpd1 capacitor is only related to the distance between the two plates of Cpd1
  • the size of the Cpd2 capacitor is only related to the distance between the two plates of Cpd2
  • Cpd1 and Cpd2 are related to the data line and both sides.
  • Parameters related to the distance between pixel electrodes that is, the size of ⁇ Cpd is only related to the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides; the distance range between the data line and the pixel electrodes on both sides is determined based on the value range of ⁇ Cpd. Then, the offset interval of the pixel electrode relative to the data line is obtained based on the initial distance between the data line and the pixel electrodes on both sides.
  • the Cpd_avg/(Cst+Clc) is less than or equal to the second critical value.
  • the value range of Cpd_avg can be calculated; the Cpd1 and Cpd2 are the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides
  • the distance range between the data line and the pixel electrodes on both sides is determined based on the value range of Cpd_avg, and then the offset range of the pixel electrode relative to the data line is obtained based on the initial distance between the data line and the pixel electrodes on both sides.
  • the value range of ⁇ Cpd is calculated based on the first expression and the gray-scale crosstalk value threshold; the position of the pixel electrode relative to the data line is calculated based on the value range of ⁇ Cpd and the initial distance.
  • the second offset interval of the position offset calculate the intersection of the first offset interval and the second offset interval to obtain the offset interval of the pixel electrode.
  • Cpd1 and Cpd2 are parameters related to the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides.
  • the distance range between the data line and the pixel electrodes on both sides can be determined based on the value range of ⁇ Cpd or Cpd_avg.
  • the initial distance between the pixel electrodes determines the offset interval of the pixel electrode relative to the data line, that is, the offset interval when no crosstalk occurs, which can effectively reduce the crosstalk problem in pixel display.
  • step S304 in Figure 3 is refined and includes the following steps:
  • Step S701 Select multiple offset values to be measured in the offset interval of the pixel electrode
  • Step S702 Measure the actual gray-scale crosstalk value and the actual monochrome crosstalk value under each offset value to be measured;
  • Step S703 Based on the actual gray-scale crosstalk value and the actual monochrome crosstalk value under each of the offset values to be measured, select a target offset value from each of the offset values to be measured.
  • the actual gray-scale crosstalk value under each offset value is tested and selected.
  • the offset value corresponding to the minimum actual gray-scale crosstalk value is used to obtain the first target offset value;
  • the first target offset value is obtained according to the preset second unit step. long, test the actual monochromatic crosstalk value under each offset value and select the offset value corresponding to the minimum actual monochromatic crosstalk value to obtain the second target offset value.
  • the actual gray-scale crosstalk value and the actual monochrome crosstalk under each of the offset values to be measured are measured respectively. value; based on the actual gray-scale crosstalk value and the actual monochrome crosstalk value under each offset value to be measured, select a target offset value from each offset value to be measured. Selecting the target offset value in the offset interval of the pixel electrode, that is, selecting the target offset value of the position of the pixel electrode relative to the initial pixel electrode when the crosstalk value is minimum, can effectively reduce the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides. The difference between pixels reduces the crosstalk problem in pixel display.
  • step S305 in Figure 3 is refined and includes the following steps:
  • Step S801 Based on the initial distance between the data line and the pixel electrode, adjust the distance between the data line and the pixel electrode on one side according to the target offset value to obtain the data line The target distance from the pixel electrode;
  • Step S802 Or, based on the initial distance between the data line and the pixel electrode, adjust the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides according to the target offset value to obtain the The target distance between the data line and the pixel electrode.
  • the target offset value adjustment method of the pixel electrode includes: single-sided adjustment and two-sided adjustment;
  • the unilaterally adjusted offset value is the first target offset value. Based on the unequal distance between the data line and the pixel electrodes on both sides, the pixels closer to the data line are One side of the electrode shrinks the first target offset value, so that the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides changes from unequal to nearly equal, reducing the ⁇ Cpd; the bilateral adjustment The offset value is half of the first target offset value. Based on the unequal distance between the data line and the pixel electrodes on both sides, one side of the pixel electrodes on both sides of the data line is retracted by the offset value. Half of the first target offset value causes the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides to change from unequal to nearly equal, thereby reducing the ⁇ Cpd.
  • the unilaterally adjusted offset value is the second target offset value, and the unilateral side of the pixel electrode closer to the data line is retracted by the second target offset value, so that the The Cpd_avg decreases; the offset value adjusted on both sides is half of the second target offset value, and both sides of the pixel electrodes on both sides of the data line are reduced by the second target offset value. half, causing the Cpd_avg to decrease.
  • the distance between the data line and the pixel electrode on one side is adjusted according to the target offset value to obtain the distance between the data line and the pixel electrode.
  • Target distance or, based on the initial distance between the data line and the pixel electrode, adjust the distance between the data line and the pixel electrodes on both sides according to the target offset value to obtain the target distance between the data line and the pixel electrode.
  • the target offset value adjustment methods of the pixel electrode include: one-sided adjustment and two-sided adjustment; in gray-scale crosstalk, the offset value adjusted on one side is the first target offset value, based on the data line distance between the pixel electrodes on both sides.
  • the offset value adjusted on both sides is half of the first target offset value. Based on the unequal distance between the data line and the pixel electrodes on both sides, the single side of the pixel electrodes on both sides of the data line is retracted to the first target.
  • offset half the value so that the data lines are The distance from the pixel electrodes on both sides changes from unequal to nearly equal, reducing ⁇ Cpd; in monochrome crosstalk, the offset value adjusted on one side is the second target offset value, and the offset value closer to the data line side is The single side of the pixel electrode is retracted by the second target offset value, so that Cpd_avg decreases; the bilaterally adjusted offset value is half of the second target offset value, and the single sides of the pixel electrodes on both sides of the data line are evenly adjusted. Contract the second target offset value by half, causing Cpd_avg to decrease. It can effectively reduce the crosstalk problem in pixel display.
  • Embodiments of the present application also provide a display substrate designed through parameters determined by any of the above methods.
  • the display substrate is an 8k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.6 ⁇ m (microns) and 5.0 ⁇ m respectively.
  • the display substrate is an 8k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.3 ⁇ m and 5.3 ⁇ m respectively.
  • Figure 9 is a comparison diagram before and after the pixel electrodes of an 8K resolution display product are shifted.
  • the distances between the data lines and the pixel electrodes are 5.0 ⁇ m and 5.0 ⁇ m respectively.
  • the distances between the data line and the pixel electrode are 5.6 ⁇ m and 5.0 ⁇ m respectively.
  • the distances between the data line and the pixel electrode are 5.3 ⁇ m and 5.3 ⁇ m respectively.
  • the 1st ITO (indium tin oxide) layer is the pixel electrode
  • the 2nd ITO layer is the common electrode.
  • BM in Figure 9 is the abbreviation of Black Matrix.
  • the display substrate is a 4k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.2 ⁇ m and 5.5 ⁇ m respectively.
  • the display substrate is a 4k resolution display substrate, and the distances between the data lines in the display substrate and the pixel electrodes on both sides are 5.35 ⁇ m and 5.35 ⁇ m respectively.
  • the distances between data lines and pixel electrodes are 5.2 ⁇ m and 5.2 ⁇ m respectively.
  • the distances between the data line and the pixel electrode are 5.2 ⁇ m and 5.5 ⁇ m respectively.
  • the distances between the data line and the pixel electrode are 5.35 ⁇ m and 5.35 ⁇ m respectively.
  • the offset value adjusted on one side is the first target offset value of 0.6 ⁇ m.
  • the single sides of the pixel electrodes on both sides of the data line are indented by half of the first target offset value, so that the data
  • the distance between the pixel electrodes on both sides of the line distance changes from unequal to nearly equal, reducing ⁇ Cpd; which can effectively reduce the crosstalk problem in pixel display.
  • An embodiment of the present disclosure also provides a pixel structure, including a transistor, a gate voltage scanning line, a data line and a pixel electrode.
  • the gate of the transistor is connected to the gate voltage scanning line, and the drain of the transistor is connected to the gate voltage scanning line.
  • Said data line, The source of the transistor is connected to the pixel electrode, and the pixel electrode is arranged in a column inversion manner; there is a first distance between the pixel electrode located on one side of the first direction of the data line and the data line, and the pixel electrode is arranged in a column inversion manner.
  • the difference between the first distance and the second distance is less than or equal to 0.3 ⁇ m.
  • the first distance may be 5.2um to 5.5um
  • the second distance may be 5.2um to 5.5um.
  • the first distance is 5.2um and the second distance is 5.5um
  • the first distance is 5.35um and the second distance is 5.35um.
  • a first lateral field capacitance is formed between the pixel electrode located on the first direction side of the data line and the data line, and the pixel electrode located on the second direction side of the data line is connected to the data line.
  • the second critical value is 0.009.
  • the human eye will not perceive the occurrence of crosstalk, and the monochrome picture performs well. It can effectively reduce crosstalk problems in pixel display.

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Abstract

一种像素电路结构参数确定方法包括：获取像素电路的初始设计参数，其中，初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离(S301)；根据电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式(S302)；获取串扰阈值，根据表达式及串扰阈值，确定像素电极的偏移区间，其中，串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值(S303)；在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值(S304)；基于数据线与像素电极之间的初始距离及目标偏移值，得到数据线与像素电极之间的目标距离(S305)。

Description

像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器
本申请要求于2022年06月16日提交中国专利局、申请号为202210688812.4、发明名称为“一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器”的中国专利申请的优先权，其内容应理解为通过引用的方式并入本申请中。
技术领域
本申请实施例涉及但不限于电子技术领域，尤指一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器。
背景技术
随着显示技术的不断发展，LCD(Liquid Crystal Switch，液晶显示器)已经占据了显示行业的主导地位，而ADS(advanced super-dimension Switch，高级超维场转换显示)因具有宽视角、响应速度快和对比度高等优点成为了主流的显示模式。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本申请实施例提供一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器。技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供一种像素电路结构参数确定方法，包括：
获取像素电路的初始设计参数，其中，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
在一种可能的实施方式中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与 像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述获取串扰阈值，包括：
获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定所述灰阶串扰值阈值；
获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定所述单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
在一种可能的实施方式中，所述根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，包括：
根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据所述△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据所述Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
在一种可能的实施方式中，所述在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，包括：
在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
分别测量每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
基于每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在每个所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
在一种可能的实施方式中，所述基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离，包括：
在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标 距离。
第二方面，本申请实施例提供一种显示基板，所述显示基板通过本申请实施例第一方面中任一所述的方法确定的参数设计得到。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6μm及5.0μm。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3μm及5.3μm。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.5μm。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35μm及5.35μm。
第三方面，本申请实施例提供一种显示器，所述显示器包括：
如本申请实施例第二方面中任一所述的显示基板。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图概述
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为一些技术中column(列)像素结构发生灰阶串扰的一种像素阵列示意图；
图2为一些技术中column像素结构发生单色串扰的一种像素阵列示意图；
图3为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第一种流程示意图；
图4A为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第二种流程示意图；
图4B为8K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线；
图4C为4K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线；
图5为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第三种流程示意图；
图6为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第四种流程示意图；
图7为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第五种流程示意图；
图8为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第六种流程示意图；
图9为8K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图；
图10为4K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。
详述
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本 申请中的实施例，本领域普通技术人员基于本申请实施例所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在ADS显示器中，Column结构像素在左右像素电极不对称，此外在工艺发生波动的情况下，其像素电极会发生偏移，因此会出现一种由于数据线两侧Cpd电容(数据线与像素电极之间存在的侧向场电容)不相等引发的像素的串扰问题，影响画面显示效果，进而影响用户的观感体验。
因此，如何减少像素显示中的串扰成为亟待解决的问题。
首先，对一些技术中显示器出现的串扰问题进行简单说明。
图1为一些技术中column像素结构发生灰阶串扰的一种像素阵列示意图。如图1所示，D1至D7为像素结构中的数据线，G1至G4为像素结构中的栅极电压扫描线；数据线左右两侧排布的为像素电极(像素电极形状可以为非规则图形)，像素电极的排布方式为column反转方式，即每个像素电极与在自己列上相邻的像素电极拥有相同的极性，与在自己行上相邻的像素电极拥有相反的极性；像素电极的极性变换方式是在下一次更换画面数据的时候来改变极性，也就是说，对于同一像素电极而言，它的极性是不停地变换的。所述结构中还包括TFT管(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)，TFT管的栅极电性连接栅极电压扫描线，TFT管的漏极电性连接数据线，TFT管的源极电性连接像素电极。TFT管的作用是液晶显示器上的每一个液晶像素点都是由集成在其后的TFT管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息。所述TFT管为N型TFT管，当栅极电压为高电平时，像素的TFT管开启，数据线将电压信号加载到像素电极中；当栅极电压为低电平时，TFT管关闭，像素电极和公共电极之间的存储电容使得像素电极中的电压值得以保持，直至下一帧为止。Vcom表示公共电极的电压。
在实际应用中，所述N型TFT管也可以替换为NMOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。
数据线与左右两侧像素电极之间存在侧向场电容，也可以说，像素电极与左右两侧数据线之间存在侧向场电容，即Cpd1和Cpd2。
以D2数据线为例，画面显示在第N帧时，数据线电压从L127灰阶电压(负极性)跳转至L255灰阶电压(负极性)，Cpd1与Cpd2电容的存在导致①区域的像素电压被拉动，像素电压(像素电极的电压)与公共电压Vcom之间的电压差增加，像素偏亮。当数据线电压从L255灰阶电压跳转至L127灰阶电压时，③区域的像素电压被拉动，像素电压与公共电压Vcom之间的电压差减小，像素偏暗。D3数据线的电压跳转方向与D2相反。如果像素电极左右两侧的Cpd电容大小相等，则数据线对像素电极的拉动效应相等，极性相反，相互抵消，不会出现串扰的问题。当数据线左右两侧的像素电极不对称或者发生对位偏差(像素电极相对数据线的位置发生偏移)时，Cpd1和Cpd2产生差异，Cpd1≠Cpd2，此时会出现串扰的问题，影响画面显示效果，进而影响用户的观感体验。图1中，DP为Display Port(显示接口)的缩写，DPO为Digital Phosphor Oscilloscope(数字荧光示波器)的缩写，扫描方向(Scan Direction)从上到下；显示画面分为①至⑤区域。
图2为一些技术中column像素结构发生单色串扰的一种像素阵列示意图。结构介绍同图1，此处就不再赘述。因为D2和D3的数据线电压跳转时会导致像素电极向同一方向跳转，与公共电压Vcom之间的电压差同时增加或同时减小，因此出现的串扰问题会更加严重，并且，人眼对于绿色画面(②区域像素为绿色)更加敏感，所察觉到的串扰问题会更加明显。图2中，①③④⑤区域像素显示L127灰阶。
为了减少像素显示中的串扰问题，本申请实施例提供了一种像素电路结构参数确定方 法、显示基板及显示器。
接下来，对本申请实施例提供的一种像素电路结构参数确定方法进行详细说明，参见图3，用于一确定装置，包括以下步骤：
步骤S301：获取像素电路的初始设计参数，其中，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
像素电路的初始设计参数的获取方式，可以参见现有技术中的像素电路参数的设计方法，本申请实施例中不做限定。本申请实施例用于在像素电路的初始设计参数的基础之上，进一步降低像素显示的串扰问题。其中，电容参数包括初始的Cpd1与Cpd2的相关参数，还可以包括以下一种或两种以上：公共电极与像素电极之间的存储电容、液晶电容、扫描线与像素电极之间的总电容等电容的参数；数据线与像素电极之间的初始距离包括数据线分别与左右两侧像素电极之间的初始距离。
步骤S302：根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
如上述分析可知，串扰值是由于Cpd1和Cpd2的差异导致的，因此可以基于电容参数计算得到像素的串扰值的表达式。一个例子中，像素的串扰值可以为灰度串扰值，一个例子中，像素的串扰值可以为颜色串扰值，一个例子中，像素的串扰值可以包括灰度串扰值及颜色串扰值。
步骤S303：获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值，即当串扰值小于串扰阈值时，人眼不会感受到明显的像素串扰现象，根据像素的串扰值的表达式及串扰阈值，可以计算得到像素电极位置的调整区间，也即像素电极的偏移区间。
步骤S304：在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
目标偏移值可以为串扰值最小时，像素电极相对初始像素电极的位置所偏移的距离值。一个例子中，可以通过逐点测试的方式，在偏移区间中选取出目标偏移值，可选地，可以设定一个单位步长，在偏移区间中，从区间的端点开始，每次调整单位步长的距离，逐点对像素的串扰值进行测试，从而得到测试结果中串扰值最小时的偏移值，即目标偏移值。
步骤S305：基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
在本申请实施例中，获取像素电路的初始设计参数，其中，初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；根据电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据表达式及串扰阈值，确定像素电极的偏移区间；在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于数据线与像素电极之间的初始距离及目标偏移值，得到数据线与像素电极之间的目标距离。通过人眼能够容忍的串扰值及表征像素串扰值的表达式得到像素电极的偏移区间，在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
综上，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)。像素电压相对公共电压的电压差值为△V，△Vp为像素电压相对△V的跳变值，用于表征串扰值；所述串扰值△Vp越接近零时，表示串扰越小，△Vp＝0时，表示无串扰发生。
在本实施例中，上述灰阶/单色串扰值的表达式中，与Cst相比，Clc的电容值要小得多，至少比Cst的电容值小一个数量级，因此在Cst+Clc中，Clc可忽略不计，△Vd为定值，在以Cpd1和Cpd2之间的关系(△Cpd或者Cpd_avg)为唯一变量的表达式中，保持Cst不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp只与Cpd1和Cpd2的变化有关。
在一种可能的实施方式中，参见图4A，对图3的步骤S303中的获取串扰阈值进行了细化，包括以下步骤：
步骤S401：获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定所述灰阶串扰值阈值；
步骤S402：获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定所述单色串扰值阈值。
一个例子中，人眼观测灰阶串扰画面时，当L127边界灰阶差异大于2个时，人眼可明显观测出画面差异，不可接受此水平；当L127边界灰阶差异小于2个时，人眼无法明显观测出画面差异，可接受此水平。人眼观测单色串扰画面时(绿色，人眼对绿色敏感)，当L127边界灰阶差异大于6个时，人眼可明显观测出画面差异，不可接受此水平；当L127边界灰阶差异小于6个时，人眼无法明显观测出画面差异，可接受此水平。
△Vd为正负帧间的电压差值，是一个设定好的定值，初始设计参数中还可以包括正负帧间的电压差值，在△Vd为预设的定值的情况下，可以计算得到灰度串扰情况下，边界灰阶差异为2时的第一边界灰阶差异阈值；以及计算得到单色串扰情况下，边界灰阶差异为6时的第二边界灰阶差异阈值。
根据灰阶像素电极偏移值-串扰水平的模拟曲线，如图4B与图4C所示，图4B中的三条曲线分别为三种不同的8K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线，横坐标表示像素电极偏移值，纵坐标表示串扰水平；图4C为4K分辨率显示产品中像素电极偏移值-串扰水平模拟曲线，横坐标表示像素电极偏移值，纵坐标表示串扰水平，斜率指的是串扰水平/像素电极偏移值的值，2ito～SD x/y指的是数据线分别与两侧像素电极之间的距离，其中V_Crosstalk表示Vertical crosstalk(垂直画面串音)。灰阶串扰值△Vp1 小于或等于第一边界灰阶差异阈值时，人眼无法明显观测出画面差异，可以视为无串扰发生；在△Vd给定的情况下，△Cpd/(Cst+Clc)相对应小于或等于第一临界值，其中，第一临界值＝第一边界灰阶差异阈值/△Vd。一个例子中，第一临界值等于0.006，即△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006时，无串扰发生，灰阶画面表现良好。
根据单色像素电极偏移值-串扰水平的模拟曲线，其曲线分析同对于根据灰阶像素电极偏移值-串扰水平的模拟曲线的分析，此处不再赘述。单色串扰值△Vp2小于或等于第二边界灰阶差异阈值时，无串扰发生；在△Vd给定的情况下，Cpd_avg/(Cst+Clc)相对应小于或等于第二临界值，其中，第二临界值＝第二边界灰阶差异阈值/△Vd。一个例子中，第二临界值等于0.009，即Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009时，无串扰发生，单色画面表现良好。
在本申请实施例中，获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值。通过人眼能够容忍的灰阶差异值得到灰阶/单色串扰值阈值，所述灰阶串扰值阈值等于0.006，即△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006时，人眼不会感知到灰度串扰的发生，灰阶画面表现良好；所述单色串扰值阈值等于0.009，即Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009时，人眼不会感知到串扰的发生，单色画面表现良好。可以有效减少像素显示中的串扰问题。
参见图5，为本申请实施例提供的像素电路结构参数确定方法的第三种流程示意图，在一种可能的实施方式中，本申请实施例中的像素电路结构参数确定方法还包括以下步骤：
步骤S501：根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
步骤S502：根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
步骤S503：在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
一个例子中，在上述灰阶/单色串扰值的表达式中，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2。Clc与Cst相比可以忽略不计，△Vd为定值，在以Cst为唯一变量的表达式中，保持Cpd1和Cpd2不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp1及△Vp2只与Cst的变化有关。灰阶串扰中，所述△Cpd/(Cst+Clc)≤0.006，可以计算得到Cst电容的第一电容取值范围，单色串扰中，所述Cpd_avg/(Cst+Clc)≤0.009，可以计算得到Cst电容的第二电容取值范围。将第一电容取值范围与第二电容取值范围的交集，可以得到Cst电容的取值范围；在得到Cst电容的取值范围后，可以针对不同的实际产品需要选取适合的Cst电容值，从而在满足产品需求的基础上，减小像素显示的串扰值。
一个例子中，在8K分辨率显示产品的灰阶显示中，通常要求Cst＜0.5pF，结合Cst的取值范围，Cst的取值为0.16pF时较为合适；在4K分辨率显示产品的灰阶显示中，通常要求Cst＞1.0pF，结合Cst的取值范围，Cst的取值为1.25pF时较为合适。
在本申请实施例中，根据第一表达式及灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；根据第二表达式及单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；在第一电容取值范围及第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值，可以在所适合的Cst取值范围内相应增大所述Cst，以减小串扰值 △Vp，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
参见图6，对图3的步骤S303中的根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间进行了细化，包括以下步骤：
步骤S601：根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据所述△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
步骤S602：根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据所述Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
步骤S603：计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
一个例子中，在上述灰阶/单色串扰值的表达式中，灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2。Clc与Cst相比可以忽略不计，△Vd为定值，在以Cpd1和Cpd2之间的关系(△Cpd或者Cpd_avg)为唯一变量的表达式中，保持Cst不变，将其作为定量。因此，串扰值△Vp只与Cpd1和Cpd2的变化有关。
灰阶串扰中，所述△Cpd/(Cst+Clc)小于或等于第一临界值，此时可以计算得到△Cpd的取值范围，而△Cpd＝Cpd1-Cpd2，在Cpd1与Cpd2材料及工艺确定的情况下，Cpd1电容的大小仅与Cpd1两个极板之间的距离有关，Cpd2电容的大小仅与Cpd2两个极板之间的距离有关，所以Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，也即△Cpd的大小仅与数据线与两侧像素电极之间距离相关；基于△Cpd的取值范围确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间。
单色串扰中，所述Cpd_avg/(Cst+Clc)小于或等于第二临界值，此时可以计算得到Cpd_avg的取值范围；所述Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，基于Cpd_avg的取值范围确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间。
在本申请实施例中，根据第一表达式及灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据△Cpd的取值范围及初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；根据第二表达式及单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据Cpd_avg的取值范围及初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；计算第一偏移区间与第二偏移区间的交集，得到像素电极的偏移区间。Cpd1及Cpd2是和数据线与两侧像素电极之间距离相关的参数，基于△Cpd或者Cpd_avg的取值范围可以确定数据线与两侧像素电极之间的距离范围，再根据数据线与两侧像素电极之间的初始距离得到像素电极相对数据线的偏移区间，即无串扰发生时的偏移区间，可以有效减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，参见图7，对图3中的步骤S304进行了细化，包括以下步骤：
步骤S701：在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
步骤S702：分别测量每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
步骤S703：基于每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在每个所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
一个例子中，灰阶串扰中，在所述像素电极相对所述数据线的偏移区间内，按照预设的第一单位步长，测试每个偏移数值下的实际灰阶串扰值并选取实际灰阶串扰值最小时对应的偏移值，得到第一目标偏移值；单色串扰中，在所述像素电极相对所述数据线的偏移区间内，按照预设的第二单位步长，测试每个偏移数值下的实际单色串扰值并选取实际单色串扰值最小时对应的偏移值，得到第二目标偏移值。
在本申请实施例中，在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；分别测量每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；基于每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在每个所述待测量偏移值中选取目标偏移值。在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，即选取串扰值最小时，像素电极相对初始像素电极的位置所偏移的目标值，可以有效减小数据线与两侧像素电极间距离之间的差异，减少像素显示中的串扰问题。
在一种可能的实施方式中，参见图8，对图3中的步骤S305进行了细化，包括以下步骤：
步骤S801：在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
步骤S802：或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
一个例子中，所述像素电极的目标偏移值调整方式包括：单侧调整及两侧调整；
灰阶串扰中，所述单侧调整的偏移值为所述第一目标偏移值，基于所述数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩所述第一目标偏移值，使得所述数据线距离两侧像素电极之间的距离从不相等变为接近相等，减小所述△Cpd；所述双侧调整的偏移值为所述第一目标偏移值的一半，基于所述数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将所述数据线两侧的像素电极的单边均内缩所述第一目标偏移值的一半，使得所述数据线距离两侧像素电极之间的距离由不相等变为接近相等，减小所述△Cpd。
单色串扰中，所述单侧调整的偏移值为所述第二目标偏移值，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩所述第二目标偏移值，使得所述Cpd_avg减小；所述双侧调整的偏移值为所述第二目标偏移值的一半，将所述数据线两侧的像素电极的单边均内缩所述第二目标偏移值的一半，使得所述Cpd_avg减小。
在本申请实施例中，在数据线与像素电极之间的初始距离的基础上，按照目标偏移值调整数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到数据线与像素电极之间的目标距离；或，在数据线与像素电极之间的初始距离的基础上，按照目标偏移值调整数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到数据线与像素电极之间的目标距离。像素电极的目标偏移值调整方式包括：单侧调整及两侧调整；灰阶串扰中，单侧调整的偏移值为第一目标偏移值，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第一目标偏移值，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离从不相等变为接近相等，减小△Cpd；双侧调整的偏移值为第一目标偏移值的一半，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将数据线两侧的像素电极的单边均内缩第一目标偏移值的一半，使得数据线距 离两侧像素电极之间的距离由不相等变为接近相等，减小△Cpd；单色串扰中，单侧调整的偏移值为第二目标偏移值，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第二目标偏移值，使得Cpd_avg减小；所述双侧调整的偏移值为第二目标偏移值的一半，将数据线两侧的像素电极的单边均内缩第二目标偏移值的一半，使得Cpd_avg减小。可以有效减小像素显示中的串扰问题。
本申请实施例还提供了一种显示基板，通过上述中任一方法确定的参数设计得到。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6μm(微米)及5.0μm。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3μm及5.3μm。
一个例子中，图9为8K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.0μm及5.0μm。像素电极单边内缩0.6μm后(数据线左侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.6μm及5.0μm。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.3μm后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.3μm及5.3μm。其中，1st ITO(氧化铟锡)层为像素电极，2nd ITO层为公共电极。图9中BM为Black Matrix(黑矩阵)的缩写。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.5μm。
在一种可能的实施方式中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35μm及5.35μm。
一个例子中，图10为4K分辨率显示产品的像素电极偏移前后的一种对比图。像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.2μm。像素电极单边内缩0.3μm后(数据线右侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.5μm。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.15μm后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.35μm及5.35μm。其中，1st ITO层为公共电极，2nd ITO层为像素电极。图10中BM为Black Matrix(黑矩阵)的缩写。
在本申请实施例中，8K分辨率显示产品的像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.0μm及5.0μm。像素电极单边内缩0.6μm后(数据线左侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.6μm及5.0μm。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.3μm后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.3μm及5.3μm。4K分辨率显示产品的像素基准结构中，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.2μm。像素电极单边内缩0.3μm后(数据线右侧的像素电极内缩)，数据线与像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.5μm。数据线两侧的像素电极均单边内缩0.15μm后，数据线与像素电极之间的距离分别为5.35μm及5.35μm。例如，8K分辨率显示产品灰阶串扰中，单侧调整的偏移值为第一目标偏移值0.6μm，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将较靠近数据线一侧的像素电极的单边内缩第一目标偏移值，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离从不相等变为接近相等，减小△Cpd；双侧调整的偏移值为第一目标偏移值的一半0.3μm，基于数据线距离两侧像素电极之间的不等距离，将数据线两侧的像素电极的单边均内缩第一目标偏移值的一半，使得数据线距离两侧像素电极之间的距离由不相等变为接近相等，减小△Cpd；可以有效减小像素显示中的串扰问题。
本公开实施例还提供了一种像素结构，包括晶体管、栅极电压扫描线、数据线和像素电极，所述晶体管的栅极连接所述栅极电压扫描线，所述晶体管的漏极连接所述数据线， 所述晶体管的源极连接所述像素电极，像素电极的排布方式为column反转方式；位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间具有第一距离，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间具有第二距离，所述第一方向和所述第二方向相反，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于0.6μm。
由于串扰值是由Cpd1和Cpd2的差异即△Cpd导致的，而△Cpd的大小与数据线与两侧像素电极之间距离相关，因此本实施例通过控制数据线与两侧像素电极之间的距离的差值小于或等于0.6μm，以减少Cpd1和Cpd2的差异，进而减少串扰发生。
在示例性实施例中，所述第一距离可以为5.0um至5.6um，所述第二距离可以为5.0um至5.6um。例如，所述第一距离为5.6um，所述第二距离为5.0um，或者，所述第一距离为5.3um，所述第二距离为5.3um。通过上述实施方式中的多种距离设置，当该像素结构应用于8K分辨率显示产品时，可以获得较好的减少串扰效果，画面显示效果好，提高用户的观感体验。
在示例性实施例中，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于0.3μm。示例性地，所述第一距离可以为5.2um至5.5um，所述第二距离可以为5.2um至5.5um。例如，所述第一距离为5.2um，所述第二距离为5.5um，或者，所述第一距离为5.35um，所述第二距离为5.35um。通过上述实施方式中的多种距离设置，当该像素结构应用于4K分辨率显示产品时，可以获得较好的减少串扰效果，画面显示效果好，提高用户的观感体验。
在一示例性实施例中，位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第一侧向场电容，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第二侧向场电容，所述第一侧向场电容和第二侧向场电容满足下式：△Cpd/(Cst+Clc)≤第一临界值；其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1为第一侧向场电容，Cpd2为第二侧向场电容，Cst为存储电容，Clc为液晶电容。例如，所述第一临界值为0.006。通过设置第一临界值即前述灰阶串扰值阈值为0.006，人眼不会感知到灰度串扰的发生，灰阶画面表现良好。
在一示例性实施例中，位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第一侧向场电容，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第二侧向场电容，所述第一侧向场电容和第二侧向场电容满足下式：Cpd_avg/(Cst+Clc)≤第二临界值；其中，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1为第一侧向场电容，Cpd2为第二侧向场电容，Cst为存储电容，Clc为液晶电容。例如，所述第二临界值为0.009。通过设置第二临界值即前述灰阶串扰值阈值为0.009，人眼不会感知到串扰的发生，单色画面表现良好。可以有效减少像素显示中的串扰问题。
本申请实施例还提供了一种显示器，包括如上述实施例及实施方式中任一所述的显示基板或上述实施例及实施方式中任一所述的像素结构。
本申请实施例有益效果：
本申请实施例提供的一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器，所述方法包括：获取像素电路的初始设计参数，其中，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。通过人眼能够容忍的串扰值及表征像素串扰值的表达式得到像素电极的偏移区间，在像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，可以有效减少像素显示中的 串扰问题。
当然，实施本申请实施例的任一产品或方法并不一定需要达到以上所述的所有优点。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的每个实施例均采用相关的方式描述，不同实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并非用于限定本申请实施例的保护范围。凡在本申请实施例的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本申请实施例的保护范围内。

Claims (25)

  1. 一种像素电路结构参数确定方法，其中，所述方法包括：
    获取像素电路的初始设计参数，其中，所述初始设计参数包括电容参数、数据线与像素电极之间的初始距离；
    根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
    获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
    在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
    基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
  2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值。
  3. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1＝△Cpd*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)；
    所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2＝Cpd_avg*△Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2；
    其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，Cgp为扫描线与像素电极之间的总电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
  4. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：△Vp1≈△Cpd*△Vd/(Cst+Clc)；
    所述单色串扰值的第二表达式为：△Vp2≈Cpd_avg*△Vd/(Cst+Clc)；
    其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1和Cpd2分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，Cst为公共电极与像素电极之间的存储电容，Clc为液晶电容，△Vd为正负帧间的电压差值。
  5. 根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述获取串扰阈值，包括：
    获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定所述灰阶串扰值阈值；
    获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定所述单色串扰值阈值。
  6. 根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括：
    根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
    根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cst的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
    在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取Cst的目标电容值。
  7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述根据所述表达式及所述串扰阈值，确定 所述像素电极的偏移区间，包括：
    根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到△Cpd的取值范围；根据所述△Cpd的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
    根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到Cpd_avg的取值范围；根据所述Cpd_avg的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
    计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间。
  8. 根据权利要求2所述的方法，其中，所述在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，包括：
    在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
    分别测量每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
    基于每个所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在每个所述待测量偏移值中选取目标偏移值。
  9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离，包括：
    在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与单侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离；
    或，在所述数据线与所述像素电极之间的初始距离的基础上，按照所述目标偏移值调整所述数据线与两侧的像素电极之间的距离，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离。
  10. 一种显示基板，通过权利要求1至9中的任一方法确定的参数设计得到。
  11. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.6μm及5.0μm。
  12. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述显示基板为8k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.3μm及5.3μm。
  13. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.2μm及5.5μm。
  14. 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述显示基板为4k分辨率的显示基板，所述显示基板中的数据线与两侧像素电极之间的距离分别为5.35μm及5.35μm。
  15. 一种像素结构，包括晶体管、栅极电压扫描线、数据线和像素电极，所述晶体管的栅极连接所述栅极电压扫描线，所述晶体管的漏极连接所述数据线，所述晶体管的源极连接所述像素电极，像素电极的排布方式为column反转方式；位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间具有第一距离，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间具有第二距离，所述第一方向和所述第二方向相反，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于0.6μm。
  16. 根据权利要求15所述的像素结构，其中，所述第一距离为5.0um至5.6um，所述第二距离为5.0um至5.6um。
  17. 根据权利要求16所述的像素结构，其中，所述第一距离为5.6um，所述第二距 离为5.0um，或者，所述第一距离为5.3um，所述第二距离为5.3um。
  18. 根据权利要求15所述的像素结构，其中，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于0.3μm。
  19. 根据权利要求18所述的像素结构，其中，所述第一距离为5.2um至5.5um，所述第二距离为5.2um至5.5um。
  20. 根据权利要求19所述的像素结构，其中，所述第一距离为5.2um，所述第二距离为5.5um，或者，所述第一距离为5.35um，所述第二距离为5.35um。
  21. 根据权利要求15至20任一项所述的像素结构，其中，位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第一侧向场电容，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第二侧向场电容，所述第一侧向场电容和第二侧向场电容满足：
    △Cpd/(Cst+Clc)≤第一临界值；
    其中，△Cpd＝Cpd1-Cpd2，Cpd1为第一侧向场电容，Cpd2为第二侧向场电容，Cst为存储电容，Clc为液晶电容。
  22. 根据权利要求21所述的像素结构，其中，所述第一临界值为0.006。
  23. 根据权利要求15至20任一项所述的像素结构，其中，位于所述数据线第一方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第一侧向场电容，位于所述数据线第二方向一侧的像素电极与所述数据线之间形成第二侧向场电容，所述第一侧向场电容和第二侧向场电容满足：
    Cpd_avg/(Cst+Clc)≤第二临界值；
    其中，Cpd_avg＝(Cpd1+Cpd2)/2，Cpd1为第一侧向场电容，Cpd2为第二侧向场电容，Cst为存储电容，Clc为液晶电容。
  24. 根据权利要求23所述的像素结构，其中，所述第二临界值为0.009。
  25. 一种显示器，包括权利要求10至14中任一项所述的显示基板，或者包括权利要求15至24中任一项所述的像素结构。
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