CN103676374B - 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，由于将对数据信号线上的瞬时电磁信号起屏蔽作用的第一屏蔽电极与像素电极同层设置，因此与现有的阵列基板中屏蔽电极与公共电极同层设置相比，由于像素电极更靠近数据信号线，在利用第一屏蔽电极有效防止阵列基板发生漏光现象，改善阵列基板的混色现象的基础上，可以缩小与像素电极同层设置的第一屏蔽电极与数据信号线之间的距离，从而减小第一屏蔽电极的宽度，避免第一屏蔽电极占用过多同层设置的像素电极的区域；并且，第一屏蔽电极与像素电极同层设置，还可以避免第一屏蔽电极占用公共电极的区域，从而可以增大公共电极的狭缝的宽度，进而降低了阵列基板的制备工艺的难度。

Description

一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示技术迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。在液晶显示蓬勃发展的同时，宽视角、高画质和较快的响应速度等成为液晶显示器件的迫切要求。目前，高级超维场转换（ADvancedSuperDimensionSwitch，ADSDS，简称ADS）型液晶显示技术因具有宽视角、高画质与较快的响应速度等特性，成为近几年研究的热点。
ADS液晶显示技术通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
现有的H-ADS型和S-ADS型阵列基板如图1所示，包括：衬底基板1、薄膜晶体管2、数据信号线3、以及相互绝缘的像素电极4和公共电极5；其中，薄膜晶体管2包括：依次设置于衬底基板1上的栅电极21、栅极绝缘层22、有源层23、以及同层设置的源电极24和漏电极25，数据信号线3与漏电极25同层设置，像素电极4与漏电极25电性连接，公共电极5位于像素电极4的上方，且为狭缝状。
在液晶显示装置中，由于数据信号线3的电磁信号的作用，在显示时电磁信号会影响与数据信号线3对应的区域内的液晶分子的偏转，从而导致液晶显示装置在显示时发生漏光现象。因此，如图1所示，在H-ADS型和S-ADS型的阵列基板上还设置有与公共电极5同层且电性连接的屏蔽电极6，屏蔽电极6在衬底基板1的正投影覆盖数据信号线3在衬底基板1的正投影，用以屏蔽数据信号线上的电磁信号对与数据信号线对应的区域内的液晶分子的影响，从而防止液晶显示装置发生漏光现象。且为了能够较好的屏蔽数据信号线3上的电磁信号，屏蔽电极6与数据信号线3之间的距离越远，屏蔽电极6的宽度比数据信号线3的宽度越宽。
在H-ADS型阵列基板中，如图1所示，位于数据信号线3与屏蔽电极6之间还依次设置有第一绝缘层7和第二绝缘层8，由于第一绝缘层7和第二绝缘层8的总厚度较厚，因此屏蔽电极6的宽度较宽，例如在第一绝缘层和第二绝缘层的总厚度为6000A时，屏蔽电极6的宽度需要超过数据线信号线3边缘2.5μm以上。在S-ADS型阵列基板中，数据信号线3与屏蔽电极6与之间依次设置的是树脂层和第二绝缘层，由于树脂层的厚度更厚，因此屏蔽电极6的宽度更宽，例如在树脂层厚度为1.7μm，第二绝缘层厚度为300A时，屏蔽电极的宽度需要超过数据线信号线边缘3.5-4.0μm以上。在高分辨率液晶显示装置中，阵列基板的像素间距（pixelpitch）较小，那么屏蔽电极的宽度越宽，就会导致在一个像素间距范围内与屏蔽电极同层设置的公共电极的狭缝宽度越小，从而增加了阵列基板的制备工艺的难度。
因此，如何既能防止阵列基板发生漏光现象，又能降低阵列基板的制备工艺的难度已成为业界亟需解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，既能有效的防止阵列基板发生漏光现象，又能降低阵列基板的制备工艺的难度。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和数据信号线，以及依次位于所述薄膜晶体管上方且相互绝缘的像素电极和公共电极，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极以及所述数据信号线同层设置，所述像素电极与所述漏电极电性连接，还包括：
与所述像素电极同层设置且相互绝缘的第一屏蔽电极，且所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述数据信号线在所述衬底基板的正投影。
本发明实施例提供的上述阵列基板，由于将对数据信号线上的瞬时电磁信号起屏蔽作用的第一屏蔽电极与像素电极同层设置，因此与现有的阵列基板中屏蔽电极与公共电极同层设置相比，由于像素电极更靠近数据信号线，在利用第一屏蔽电极有效防止阵列基板发生漏光现象，改善阵列基板的混色现象的基础上，可以缩小与像素电极同层设置的第一屏蔽电极与数据信号线之间的距离，从而减小第一屏蔽电极的宽度，避免第一屏蔽电极占用过多同层设置的像素电极的区域；并且，第一屏蔽电极与像素电极同层设置，还可以避免第一屏蔽电极占用公共电极的区域，从而可以增大公共电极的狭缝的宽度，进而降低了阵列基板的制备工艺的难度。
较佳地，为了更好的的防止漏光现象发生，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一屏蔽电极与所述数据信号线之间的距离越远，所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影越大。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：与所述公共电极同层设置的第二屏蔽电极，所述第二屏蔽电极与所述第一屏蔽电极电性连接，且所述第二屏蔽电极和所述公共电极均施加有公共电极信号。设置第二屏蔽电极的作用是为了将公共电极信号施加于第一屏蔽电极之上，从而可以节省单独设置向第一屏蔽电极通电信号的信号线。
进一步地，在具体实施时，为了尽可能的增大公共电极的狭缝的宽度，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二屏蔽电极在所述衬底基板的正投影小于所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影。
较佳地，在具体实施时，为了使像素电极与公共电极相互绝缘，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述像素电极和所述公共电极之间的第一绝缘层，所述第二屏蔽电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述第一屏蔽电极电性连接，从而达到将公共电极信号施加于第二屏蔽电极的目的。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素电极为狭缝状或平板状，所述公共电极为狭缝状。
进一步地，当本发明实施例提供的上述阵列基板为H-ADS型时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的第二绝缘层。
或者，进一步地，当本发明实施例提供的上述阵列基板为S-ADS型时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的树脂层。
本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板。
附图说明
图1为现有技术的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的阵列基板与现有的阵列基板的漏光模拟结果比较示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各部件的大小和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图2和图3所示，包括衬底基板01，位于衬底基板01上的薄膜晶体管02和数据信号线03，以及依次位于薄膜晶体管02上方且相互绝缘的像素电极04和公共电极05，其中，薄膜晶体管02包括栅电极021、有源层022、源电极023和漏电极024，源电极023、漏电极024以及数据信号线03同层设置，像素电极04与漏电极024电性连接，还包括：
与像素电极04同层设置且相互绝缘的第一屏蔽电极06，第一屏蔽电极06在衬底基板01的正投影覆盖数据信号线03在衬底基板01的正投影。
本发明实施例提供的上述阵列基板，由于将对数据信号线上的瞬时电磁信号起屏蔽作用的第一屏蔽电极与像素电极同层设置，因此与现有的阵列基板中屏蔽电极与公共电极同层设置相比，由于像素电极更靠近数据信号线，在利用第一屏蔽电极有效防止阵列基板发生漏光现象，改善阵列基板的混色现象的基础上，可以缩小与像素电极同层设置的第一屏蔽电极与数据信号线之间的距离，从而减小第一屏蔽电极的宽度，避免第一屏蔽电极占用过多同层设置的像素电极的区域；并且，第一屏蔽电极与像素电极同层设置，还可以避免第一屏蔽电极占用公共电极的区域，从而可以增大公共电极中对应于各像素的开口区域的狭缝宽度，进而降低了阵列基板的制备工艺的难度。
具体地，在实验中，分别对现有的阵列基板和本发明实施例提供的上述阵列基板做漏光模拟，模拟结果如图4所示，101为现有的阵列基板在距离数据信号线边缘6μm范围内的相对漏光强度，102为本发明实施例提供的上述阵列基板的在距离数据信号线边缘6μm范围内的相对漏光强度，从模拟结果可知，本发明实施例所提供的阵列基板能够更有效的防止阵列基板发生漏光现象。
较佳地，在具体实施时，为了能够更好的达到防止漏光现象，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，第一屏蔽电极06与数据信号线03之间的距离越大，第一屏蔽电极06在衬底基板01的正投影越大。
较佳地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还可以包括：与公共电极05同层设置的第二屏蔽电极07，第二屏蔽电极07与第一屏蔽电极06电性连接，且第二屏蔽电极07和公共电极05均施加有公共电极信号。设置第二屏蔽电极的作用是为了将公共电极信号施加于第一屏蔽电极之上，从而可以节省单独设置向第一屏蔽电极施加电信号的信号线；且第二屏蔽电极是与公共电极同层设置的，因此在制备时，可以通过一次构图工艺就形成公共电极和第二屏蔽电极的图形，不用增加新的制备工艺，仅需变更对应的膜层的构图即可实现，简化了工艺步骤，节省了生产成本，提高了生产效率。
进一步地，为了增大公共电极的狭缝的宽度，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，第二屏蔽电极07在衬底基板01的正投影小于第一屏蔽电极06在衬底基板01的正投影。
较佳地，为了使像素电极与公共电极相互绝缘，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图3所示，还可以包括：位于像素电极04和公共电极05之间的第一绝缘层08，第二屏蔽电极07通过贯穿第一绝缘层08的过孔001与第一屏蔽电极06电性连接，从而达到将公共电极信号施加于第二屏蔽电极的目的。
较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，像素电极04可以为平板状，公共电极可以为狭缝状；或者，在具体实施时，像素电极和公共电极均为狭缝状，在此不做限定。
进一步地，在具体实施时，本发明实施例提供的上述阵列基板可以是H-ADS型阵列基板，也可以是S-ADS型阵列基板，在此不做限定。
具体地，当本发明实施例提供的上述阵列基板是H-ADS型阵列基板时，如图2所示，还可以包括：位于薄膜晶体管02与像素电极04之间的第二绝缘层09。
或者，具体地，当本发明实施例提供的上述阵列基板是S-ADS型阵列基板时，如图3所示，还可以包括：位于薄膜晶体管02与像素电极04之间的树脂层10。
较佳地，为了便于实施，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，源电极023和漏电极024分别位于栅电极021的上方；或者，栅电极也可以位于源电极和漏电极之下，在此不做限定。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，如图2和图3所示，薄膜晶体管2可以为底栅型结构，薄膜晶体管也可以为顶栅型结构，当然薄膜晶体管还可以为能够实现本发明方案的其它结构，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。对于液晶显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该液晶显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述液晶显示面板，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述液晶显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板上的薄膜晶体管和数据信号线，以及依次位于薄膜晶体管上方且相互绝缘的像素电极和公共电极，其中，薄膜晶体管包括有源层、源电极、漏电极和栅电极，源电极、漏电极以及数据信号线同层设置，像素电极与漏电极电性连接，还包括：与像素电极同层设置且相互绝缘的第一屏蔽电极，第一屏蔽电极在衬底基板的正投影覆盖数据信号线在衬底基板的正投影。在该阵列基板中，由于将对数据信号线上的瞬时电磁信号起屏蔽作用的第一屏蔽电极与像素电极同层设置，因此与现有的阵列基板中屏蔽电极与公共电极同层设置相比，由于像素电极更靠近数据信号线，在利用第一屏蔽电极有效防止阵列基板发生漏光现象，改善阵列基板的混色现象的基础上，可以缩小与像素电极同层设置的第一屏蔽电极与数据信号线之间的距离，从而减小第一屏蔽电极的宽度，避免第一屏蔽电极占用过多同层设置的像素电极的区域；并且，第一屏蔽电极与像素电极同层设置，还可以避免第一屏蔽电极占用公共电极的区域，从而可以增大公共电极的狭缝的宽度，进而降低了阵列基板的制备工艺的难度。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和数据信号线，以及依次位于所述薄膜晶体管上方且相互绝缘的像素电极和公共电极，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极以及所述数据信号线同层设置，所述像素电极与所述漏电极电性连接，其特征在于，还包括：
与所述像素电极同层设置且相互绝缘的第一屏蔽电极，所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述数据信号线在所述衬底基板的正投影；以及与所述公共电极同层设置的第二屏蔽电极，所述第二屏蔽电极与所述第一屏蔽电极电性连接，且所述第二屏蔽电极和所述公共电极均施加有公共电极信号。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽电极与所述数据信号线之间的距离越大，所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影越大。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二屏蔽电极在所述衬底基板的正投影小于所述第一屏蔽电极在所述衬底基板的正投影。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述像素电极和所述公共电极之间的第一绝缘层，所述第二屏蔽电极通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述第一屏蔽电极电性连接。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为狭缝状或平板状，所述公共电极为狭缝状。
6.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的第二绝缘层。
7.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的树脂层。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8所述的液晶显示面板。
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