CN104269416A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该方法包括：源漏电极线图形和像素电极图形，形成在源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。本发明提供的阵列基板中，公共电极的一部分填充到源漏电极线图形与像素电极图形之间形成屏蔽层，大大减小了源漏电极线与像素电极形成的耦合电容。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD，即薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称：TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称：LCD)基本结构包括阵列基板(Array Substrate)和彩膜基板(CF Substrate)，以及填充在两片基板之间的液晶层(LC)，在阵列基板和彩膜基板表面有对液晶具有取向作用的聚酰亚胺膜层(取向膜层)(Polyimide film，简称：PI film)。如图1所述，为现有的一种FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)阵列基板的结构示意图，在玻璃基底1上依次形成有栅电极图形2、第二绝缘层3、有源层4、同层设置的像素电极图形5和源漏电极线图形6、第一绝缘层7、公共电极图形8(结构1至8形成TFT)以及取向膜平坦层9，并通过控制像素电极与公共电极形成的电势差，实现水平电场驱动。

现有的FFS阵列基板中，源漏电极线图形中的源漏电极线与像素电极图形中的像素电极之间的耦合电容会导致串扰的发生，为了减小串扰，必须要保证像素电极边缘距离源漏电极线边缘足够远，一方面制约了产品的透过率特性，另一方面也严重制约了高分辨率产品的串扰特性提升。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有较低串扰的高透过率、高分辨率显示装置。

为了达到上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：一种阵列基板，其特征在于，包括：同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形，形成在所述源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

优选的，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

优选的，所述基板还包括：基底、形成在基底上的栅电极图形、形成在所述基底和所述栅电极图形上的第二绝缘层，形成在所述第二绝缘层上的有源层；所述源漏电极线图形和所述像素电极图形形成在所述有源层上。

本发明还提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述任一项所述的阵列基板。

本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口；

形成公共电极图形；所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

优选的，在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上以及所述源漏电极线图形和所述像素电极图形之间形成第一绝缘层包括：

在形成了源漏电极线图形和像素电极图形的基板之上形成覆盖整个基板的绝缘材料层；

对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层。

优选的，所述对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层包括：

利用掩膜板对绝缘材料层进行曝光显影；其中所述掩膜板包括对应于所述条状开口的透光区域图形。

优选的，所述形成公共电极图形，包括：

在形成有源漏电极线图形、像素电极图形、第一绝缘层的基板上形成覆盖整个基板的公共电极材料；

对绝缘材料层进行图案化得到所述公共电极图形。

优选的，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

优选的，所述方法还包括：

在基底上形成栅电极图形；

在所述栅电极图形和所述基底之上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成有源层；

在所述有源层之上形成源漏电极线图形和像素电极图形。

本发明提供的阵列基板中，公共电极的一部分填充到源漏电极线图形与像素电极图形之间形成屏蔽层，大大减小了源漏电极线图形中的源漏电极线与像素电极图形中的像素电极形成的耦合电容，降低了串扰。

附图说明

图1为现有技术的一种FFS阵列基板的结构示意图；

图2为本发明提供的一种FFS阵列基板的结构示意图；

图3为本发明提供的FFS阵列基板中第一绝缘层的俯视图；

图4为本发明提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；

图5为本发明提供的一种掩膜板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明提供了一种FFS阵列基板，如图2或3所示，该基板包括：玻璃基底1、形成在所述玻璃基底1上的栅电极图形2、形成在所述栅电极图形2和所述玻璃基底1上的第二绝缘层3、形成在所述第二绝缘层3之上的有源层4、形成在所述有源层4之上且同层设置的像素电极图形5和源漏电极线图形6、形成在所述像素电极图形5和源漏电极线图形6以及所述像素电极图形5和源漏电极线图形6之间的有源层4之上的第一绝缘层7，在第一绝缘层7在位于所述像素电极图形5与所述源漏电极线图形6之间的部分(形成在有源层4之上的部分)形成有条状开口L，该条状开口L的长度方向与源漏电极线的方向一致；还包括公共电极图形8，该公共电极图8包括位于漏电极线图形6和像素电极图形5上方的主体部分801，以及覆盖在所述条状开口L的至少一个长侧壁上的延伸部分802，且主体部分801与延伸部分802相连。

本发明中，各个层结构的材料科参见现有技术，在此不在详细说明。

不难理解，本发明中所指的像素电极图形5是由各个像素电极构成的图形，源漏电极线图形6是由源电极线和漏电极线构成的图形，相应的，位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间是指位于像素电极和源漏电极线之间。本发明所指的长侧壁是指条状开口L的长度方向的侧壁。

如图2所示，由于公共电极图形8的延伸部分802位于像素电极图形5和源漏电极线图形6之间，能够对源漏电极线形成有效的屏蔽，大大降低源漏电极线与像素电极之间的耦合电容，从而降低耦合电容形成的电场对边缘电场的串扰。本发明提供的FFS阵列基板尤其适于应用在高透过率、高分辨率显示装置中。

作为一种可选的方式，如图2所示，条状开口L分布在源漏电极线图形6中源漏电极线的两侧，位于所述源漏电极线两侧的延伸部分802与位于所述源漏电极线上方的主体部分801连接形成半封闭结构。

通过这种方式，能够更好的对源漏电极线进行屏蔽。当然实际应用中，也可以使位于所述源漏电极线两侧的延伸部分802与位于像素电极上方的主体部分801相连，相应的方案也能够在一定程度上对源漏电极线屏蔽，本发明优选的实施方式不能理解为对本发明保护范围的限定。

需要指出的是，虽然以上是以FFS阵列基板进行的说明，但是在实际应用中，上述的结构也可以应用到其他相类似的阵列基板中。相应的技术方案同样也应该落入本发明的保护范围。

本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，可用于制作上述任一项所述的FFS阵列基板，如图4所示，该方法包括：

步骤S1，在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口；

步骤S2，形成公共电极图形；所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

具体的，上述的步骤S1可以包括：

在形成了源漏电极线图形和像素电极图形的基板之上形成覆盖整个基板的绝缘材料层；

对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层。

具体的，对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层过程可以为：在绝缘材料层上涂覆光刻胶，之后利用掩膜板对绝缘材料层曝光显影，剥离掩膜板上的透光区域图形对应的光刻胶；之后，对绝缘材料层进行刻蚀，形成第一绝缘层，最后去除第一绝缘层上的光刻胶。实际应用中，掩膜板的具体结构可以如图5所示，在一个像素位置处，该掩膜板包括四个狭缝L’(四个狭缝L’构成掩膜板的透光区域图形)，四个狭缝L’分为两组，分别用于在第一绝缘层位于源电极线两侧的第一绝缘层的两侧部分和漏电极线的两侧的部分形成条状开口L。使用本发明提供的掩膜板对第一绝缘层进行曝光后，得到的第一绝缘层在一个像素位置的俯视图可以如图3所示。当然，实际应用中，也可以仅设置两个狭缝L’，两个狭缝L’分别用于在第一绝缘层位于源电极线内侧的部分和漏电极线内侧的部分形成条状开口L。

具体的上述的步骤S2可以包括：

在形成有源漏电极线图形、像素电极图形、第一绝缘层的基板上形成覆盖整个基板的公共电极材料；

对绝缘材料层进行图案化得到所述公共电极图形。

进行图形化得到公共电极图形的步骤可以参照上述对绝缘材料层进行图案化得到第一绝缘层的过程，在此不再详细说明。

具体的，步骤S1中形成的第一绝缘层的条状开口位于所述源漏电极线图形中源漏电极线的两侧；

步骤S2中形成的公共电极图形中位于所述源漏电极线两侧的延伸部分与位于所述源漏电极线上方的主体部分连接形成一体结构。

具体的，在步骤S1之前，该方法还可以包括以下步骤：

在基底上形成栅电极图形；

在所述栅电极图形和所述基底之上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成有源层；

在所述有源层之上形成源漏电极线图形和像素电极图形。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

这里的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形，形成在所述源漏电极线图形和像素电极图形之上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层之上的公共电极图形；其中，

所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口，所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：基底、形成在基底上的栅电极图形、形成在所述基底和所述栅电极图形上的第二绝缘层，形成在所述第二绝缘层上的有源层；所述源漏电极线图形和所述像素电极图形形成在所述有源层上。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上形成第一绝缘层；所述第一绝缘层在位于所述源漏电极线图形与所述像素电极图形之间的部分形成有沿源漏电极线方向的条状开口；

形成公共电极图形；所述公共电极图形包括位于漏电极线图形和像素电极图形上方的主体部分，以及覆盖在所述条状开口的至少一个长侧壁上的延伸部分，所述延伸部分与所述主体部分连接形成一体结构。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在同层设置的源漏电极线图形和像素电极图形之上以及所述源漏电极线图形和所述像素电极图形之间形成第一绝缘层包括：

在形成了源漏电极线图形和像素电极图形的基板之上形成覆盖整个基板的绝缘材料层；

对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对绝缘材料层进行图案化得到所述第一绝缘层包括：

利用掩膜板对绝缘材料层进行曝光显影；其中所述掩膜板包括对应于所述条状开口的透光区域图形。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成公共电极图形，包括：

在形成有源漏电极线图形、像素电极图形、第一绝缘层的基板上形成覆盖整个基板的公共电极材料；

对绝缘材料层进行图案化得到所述公共电极图形。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述条状开口分布在源漏电极线的两侧，所述延伸部分覆盖在各个条状开口邻近源漏电极线的长侧壁上，并与位于源漏电极线上方的主体部分连接形成半封闭结构。

10.如权利要求5-9任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在基底上形成栅电极图形；

在所述栅电极图形和所述基底之上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成有源层；

在所述有源层之上形成源漏电极线图形和像素电极图形。