CN110082975A - 阵列基板以及显示面板 - Google Patents

阵列基板以及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN110082975A
CN110082975A CN201910293745.4A CN201910293745A CN110082975A CN 110082975 A CN110082975 A CN 110082975A CN 201910293745 A CN201910293745 A CN 201910293745A CN 110082975 A CN110082975 A CN 110082975A
Authority
CN
China
Prior art keywords
array substrate
layer
barrier bed
data line
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910293745.4A
Other languages
English (en)
Inventor
曹武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910293745.4A priority Critical patent/CN110082975A/zh
Publication of CN110082975A publication Critical patent/CN110082975A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板和显示面板包括：基板、依次设置在基板上的薄膜晶体管层、第一遮挡层、第一钝化层以及像素层，像素层包括多个呈阵列排布的子像素，薄膜晶体管层包括多条数据线，数据线设置在相邻两子像素之间，数据线与对应子像素之间具有间隙，第一遮挡层包括多个第一遮挡部，第一遮挡部与对应的间隙相对设置，以用于遮挡间隙。该方案避免了间隙在暗态时漏光，提高了显示面板的对比度。

Description

阵列基板以及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及一种阵列基板以及显示面板。
背景技术
目前，在制作显示面板时，为了提高面板的开口率以及降低寄生电容效应，多采用COA技术，即将CF(Color Filter，彩色滤光片)集成制作与TFT基板的一侧。现有的COA基板，通过在上基板表面设置BM(Black Matrix，黑色矩阵)来对相邻色阻块之间的间隙以及面板周围的缝隙进行遮光处理。
但是在COA基板中仍然有一些未被物理遮光的区域，比如数据线与像素之间的间隙，这些间隙在亮态时光的透过率不高，并且在暗态时会漏光，因此会降低显示面板的对比度。
因此，有必要提供一种可以提高面板对比度的阵列基板以及显示面板。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管层、设置在所述薄膜晶体管层上的第一遮挡层、设置在所述第一遮挡层上的第一钝化层以及设置在所述第一钝化层上的像素层；
所述像素层包括多个子像素，所述多个子像素阵列排布；
所述薄膜晶体管层包括多条数据线，所述数据线设置在相邻两子像素之间，所述数据线与对应子像素之间具有间隙；
所述第一遮挡层包括多个第一遮挡部，所述第一遮挡部与对应的间隙相对设置，所述第一遮挡部用于遮挡所述间隙。
在本发明的实施例中，所述第一遮挡部的宽度大于等于所述对应的间隙的宽度。
在本发明的实施例中，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层设置在所述第一遮挡层和所述薄膜晶体管层之间，或所述色阻层设置在所述第一钝化层上和所述第一遮挡层之间。
在本发明的实施例中，所述阵列基板包括多条走线，所述第一遮挡部与所述走线相断开。
在本发明的实施例中，所述薄膜晶体管层还包括阵列基板公共电极走线、绝缘层和第二钝化层；
所述阵列基板公共电极走线设置在所述基板上；
所述绝缘层设置在所述阵列基板公共电极走线上；
所述数据线设置在所述绝缘层上；
所述第二钝化层设置在数据线上。
在本发明的实施例中，所述阵列基板还包括第一通孔，所述第一通孔设置在所述绝缘层和所述第二钝化层上，所述第一遮挡层通过所述第一通孔与所述阵列基板公共电极走线连通。
在本发明的实施例中，所述阵列基板还包括第二遮挡层，所述第二遮挡层与所述像素层同层设置，所述第二遮挡层包括多个第二遮挡部，所述第二遮挡部与对应的数据线相对设置，所述第二遮挡部用于遮挡所述数据线。
在本发明的实施例中，所述阵列基板还包括第二通孔，所述第二通孔设置在所述钝化层上，所述第一遮挡层通过所述第二通孔与所述第二遮挡层连通。
在本发明的实施例中，所述第二遮挡部的宽度大于等于所述数据线的宽度。
本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的任一阵列基板。
本发明提供了一种阵列基板以及显示面板，所述阵列基板以及显示面板设置有第一遮挡层结构，该第一遮挡层包括多个第一遮挡部，第一遮挡部与数据线与对应子像素之间的间隙相对设置，避免了间隙在暗态时漏光，提高了显示面板的对比度。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的第一种阵列基板的剖面示意图。
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图。
图3为本发明实施例提供的第二种阵列基板的剖面示意图。
图4为本发明实施例提供的第三种阵列基板的剖面示意图。
图5为本发明实施例提供的第四种阵列基板的剖面示意图。
图6为本发明实施例提供的第五种阵列基板的剖面示意图。
图7为本发明实施例提供的第六种阵列基板的剖面示意图。
图8为本发明实施例提供的第七种阵列基板的剖面示意图。
图9为本发明实施例提供的第八种阵列基板的剖面示意图。
图10为本发明实施例提供的第九种阵列基板的剖面示意图。
图11为本发明实施例提供的一种阵列基板的电路示意图。
图12为本发明实施例提供的另一种阵列基板的电路示意图。
图13为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
图14为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“表面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，其中，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可，而“表面”则是指代两个物体相互直接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要注意的是，术语“宽度”是中性词，不表示偏向宽或窄，只是表示存在一个预设值，数值不确定，会根据实际情况而定。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和/或步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和/或方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和/或方法的限制。
本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括如图1～5所示的阵列基板。
如图1和图2，表示本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面示意图和俯视示意图。
如图1所示，阵列基板100包括基板101、设置在所述基板101上的薄膜晶体管层102、设置在所述薄膜晶体管层102上的第一遮挡层103、设置在所述第一遮挡层103上的第一钝化层104、设置在所述第一钝化层104上的像素层105和第二遮挡层106。
其中，所述薄膜晶体管层102包括数据线1021、阵列基板公共电极走线1022、绝缘层1023和第二钝化层1024。所述阵列基板公共电极走线1022设置在所述基板101上，所述绝缘层1023设置在所述阵列基板公共电极走线1022上，所述数据线1021设置在所述绝缘层1023上，所述第二钝化层1024设置在数据线1021上。所述绝缘层1023覆盖于所述基板101的上表面以及所述阵列基板公共电极线1022的侧面与上表面，所述第二钝化层1024覆盖于所述绝缘层1023的上表面以及所述数据线1021的侧面与上表面。
如图2所示，所述基板101上的像素层105包括多个子像素1051，所述多个子像素1051阵列排布。例如：图2中包括两个子像素1051，相邻两个所述子像素1051之间设置有所述数据线1021，所述数据线1021与对应子像素1051之间具有间隙。
其中，所述第二遮挡层106包括多个第二遮挡部，所述第二遮挡部与对应的数据线1021相对设置，所述第二遮挡部用于遮挡所述数据线，并且所述第二遮挡部的宽度大于等于所述数据线1021的宽度，以保证完全遮挡住所述数据线1021，改善所述数据线1021所在区域的液晶分子的偏转，降低所述数据线1021所在区域的暗态亮度，提高显示面板的对比度。
其中，所述第一遮挡层103包括多个第一遮挡部1031，所述第一遮挡部1031与对应的间隙相对设置，所述第一遮挡部1031用于遮挡所述间隙，所述第一遮挡部1031的宽度大于等于所述对应的间隙的宽度，以保证完全遮挡住所述间隙，降低所述间隙的暗态亮度。
特别的，所述第一遮挡层103的材料为金属材料，因为金属材料可以形成更加精细的图案，很适用于形成可以遮挡所述间隙的图案；同时，所述阵列基板100包括多条走线，因此所述第一遮挡层103的金属材料还可以连接所述走线，用于传输其他信号。
其中，所述阵列基板100包括显示区域和非显示区域，所述阵列基板100包括多条走线，该走线包括内部走线和外部走线。所述第一遮挡层103包括多个第一遮挡部1031，所述第一遮挡层103有以下几种连接方式：
1)所述第一遮挡层103可以是形成在所述第二钝化层1024上表面的一层图案，所述第一遮挡部1031与所述阵列基板100的任一走线相断开，不与所述阵列基板100的任何走线连接，即所述第一遮挡层103独立设置。如图11，所述电路图中包括薄膜晶体管TFT、彩膜基板公共电极CF Com、Share Com走线、数据线1021、栅极线1041等结构。所述数据线1021沿竖直方向设置，所述栅极线1041沿水平方向设置，其中显示电极与彩膜基板公共电极CFCom之间形成平行板电容CLC，显示电极与所述阵列基板公共电极线1022之间形成储存电容CST，图11中所述第一遮挡部1031与所述数据线1021、栅极线1041、第二遮挡层106以及阵列基板公共电极线1022任一走线都是断开的。
2)所述第一遮挡层103也可以与所述多条走线中的至少一条连通。如图12，所述第一遮挡部1031可以连接所述多条走线中的至少一条。所述走线可能与所述第一遮挡层103同层设置，也可能与其不同层设置。
当同层设置的时候，在一实施例中，所述多个第一遮挡部1031之间是导通的，所述走线只要连接其中一个即可。具体的，所述多个第一遮挡部1031之间可以相互连通，然后取其中一个第一遮挡部1031作为所述第一遮挡层103的总线，所述总线与所述走线连接，这样可以减少所述第一遮挡层103与所述走线的连接线数目，节约资源、也减少线路之间的干扰。
在一实施例中，所述第一遮挡部1031横向导通。如图13所示，所述像素层105包括n行、m列子像素：PX11、PX12......PX1m，PX21、PX22......PX2m，......，PXn1、PXn2......PXnm，所述数据线1021和栅极线1041交叉分布并且形成子像素区域，上述子像素设置于所述子像素区域内。图13中包含多条所述第一遮挡部1031，所述第一遮挡部1031与所述栅极线1041平行设置，所述第一遮挡部1031包括多条相互平行的竖直短线，所述多条相互平行的竖直短线之间相互导通。
在一实施例中，所述第一遮挡部1031竖向导通。如图14所示，与图13相比较，所述第一遮挡部1031中包含多条所述第一遮挡部1031，所述第一遮挡部1031与所述数据线1031平行设置，所述第一遮挡部1031分别设置于所述数据线1031相邻两侧，所述第一遮挡部1031长度大于等于所述数据线1031的长度，所述第一遮挡部1031可以连接相同或者不同的走线。
在一实施例中，所述总线与所述走线设置在所述阵列基板100的非显示区域。具体的，选取位于所述阵列基板100的非显示区域的某一走线与所述第一遮挡层103的总线相连通，相应的，所述第一遮挡层103的总线也设置在所述阵列基板100的非显示区域，这样可以避免在所述阵列基板100的显示区域所述第一遮挡层103的总线，因此可以保留所述阵列基板100的开口率。
当不同层设置的时候，与所述同层设置相比较，需要设置通孔，其共同部分的实施例可以参考同层设置的实施例，以下仅描述区别处的实施例。以所述阵列基板公共电极走线1022和所述第二遮挡层106的走线为例。
以所述阵列基板公共电极走线1022为例，图3为本发明实施例提供的第二种阵列基板的剖面示意图，所述阵列基板100还包括第一通孔107，所述第一通孔107设置在所述绝缘层1023和所述第二钝化层1024上，所述第一遮挡层103通过所述第一通孔107与所述阵列基板公共电极走线1022连通，这样可以提升所述阵列基板100的稳定性。具体的，在所述第一通孔107的靠近所述第一遮挡层103的总线与所述阵列基板公共电极走线1022连线的那一侧表面设置一层第一金属1071，所述第一金属1071用于连通所述第一遮挡层103与所述阵列基板公共电极线1022。
以所述第二遮挡层106的走线为例，图4为本发明实施例提供的第三种阵列基板的剖面示意图，所述阵列基板100还包括第二通孔108，所述第二通孔108设置在所述第一钝化层104上，在所述第二通孔108的靠近所述第一遮挡层103的总线与所述第二遮挡层106的那一侧表面设置一层第二金属1081，所述第二金属1081用于连通所述第一遮挡层103与所述第二遮挡层106，这样可以提升所述阵列基板100的稳定性。
在一实施例中，所述第一遮挡部1031也可以与所述外部走线连接，所述外部走线传输直流信号，具体连接方式可以参考上述的实施例，这样同样提升了所述阵列基板100的稳定性。
在一实施例中，阵列基板还可以包括色阻层。如图5、7和8所示，所述色阻层109设置在所述第一钝化层104上和所述第一遮挡层103之间。在图8中，因为所述第一遮挡层103与所述第二遮挡层106连接，所以所述第二通孔108设置在所述第一钝化层104以及所述色阻层109上。
如图6，9和10所示，所述色阻层109设置在所述第一遮挡层103和所述薄膜晶体管层102之间。在图9中，因为所述第一遮挡层103与所述阵列基板公共电极走线1022连接，所以所述第一通孔107设置在所述绝缘层1023、所述第二钝化层1024以及所述色阻层109上。
可以理解的，所述第一遮挡层103和所述第二遮挡层106可以起到双重保险的作用，确保完全遮挡住所述数据线1021所在区域与所述间隙，以降低所述数据线1021所在区域与所述间隙的暗态亮度，提高显示面板的对比度。
本发明提供了一种阵列基板以及显示面板，所述阵列基板以及显示面板设置有第一遮挡层结构，该第一遮挡层包括多个第一遮挡部，第一遮挡部与数据线与对应子像素之间的间隙相对设置，避免了间隙在暗态时漏光，提高了显示面板的对比度。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板以及包含所述阵列基板的显示面板的结构进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管层、设置在所述薄膜晶体管层上的第一遮挡层、设置在所述第一遮挡层上的第一钝化层以及设置在所述第一钝化层上的像素层；
所述像素层包括多个子像素，所述多个子像素阵列排布；
所述薄膜晶体管层包括多条数据线，所述数据线设置在相邻两子像素之间，所述数据线与对应子像素之间具有间隙；
所述第一遮挡层包括多个第一遮挡部，所述第一遮挡部与对应的间隙相对设置，所述第一遮挡部用于遮挡所述间隙。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮挡部的宽度大于等于所述对应的间隙的宽度。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括色阻层，所述色阻层设置在所述第一遮挡层和所述薄膜晶体管层之间，或所述色阻层设置在所述第一钝化层上和所述第一遮挡层之间。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多条走线，所述第一遮挡部与所述走线相断开。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括阵列基板公共电极走线、绝缘层和第二钝化层；
所述阵列基板公共电极走线设置在所述基板上；
所述绝缘层设置在所述阵列基板公共电极走线上；
所述数据线设置在所述绝缘层上；
所述第二钝化层设置在数据线上。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一通孔，所述第一通孔设置在所述绝缘层和所述第二钝化层上，所述第一遮挡层通过所述第一通孔与所述阵列基板公共电极走线连通。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二遮挡层，所述第二遮挡层与所述像素层同层设置，所述第二遮挡层包括多个第二遮挡部，所述第二遮挡部与对应的数据线相对设置，所述第二遮挡部用于遮挡所述数据线。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二通孔，所述第二通孔设置在所述钝化层上，所述第一遮挡层通过所述第二通孔与所述第二遮挡层连通。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮挡部的宽度大于等于所述数据线的宽度。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-9任一所述的阵列基板。
CN201910293745.4A 2019-04-12 2019-04-12 阵列基板以及显示面板 Pending CN110082975A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910293745.4A CN110082975A (zh) 2019-04-12 2019-04-12 阵列基板以及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910293745.4A CN110082975A (zh) 2019-04-12 2019-04-12 阵列基板以及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110082975A true CN110082975A (zh) 2019-08-02

Family

ID=67414979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910293745.4A Pending CN110082975A (zh) 2019-04-12 2019-04-12 阵列基板以及显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110082975A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111090199A (zh) * 2020-01-08 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板和显示面板
CN112466931A (zh) * 2020-11-27 2021-03-09 Tcl华星光电技术有限公司 电极结构及其制备方法、薄膜晶体管
CN115826303A (zh) * 2022-12-07 2023-03-21 北海惠科光电技术有限公司 像素单元、阵列基板及显示面板

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070291192A1 (en) * 2003-05-12 2007-12-20 Dong-Gyu Kim Thin film array panel
CN101738799A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20120169985A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Sung-Hoon Kim Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN103345095A (zh) * 2013-07-11 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft-lcd阵列基板及显示装置
CN103676374A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN104090434A (zh) * 2014-06-25 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN104465675A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板、液晶面板以及液晶显示器
US20150192832A1 (en) * 2013-11-21 2015-07-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display panel
JP2015152920A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置
CN104865730A (zh) * 2015-05-26 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板和阵列基板
CN105842904A (zh) * 2016-05-25 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制备方法
CN106019750A (zh) * 2016-08-10 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN108493199A (zh) * 2018-04-19 2018-09-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN108957892A (zh) * 2018-08-31 2018-12-07 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN109407388A (zh) * 2018-11-14 2019-03-01 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070291192A1 (en) * 2003-05-12 2007-12-20 Dong-Gyu Kim Thin film array panel
CN101738799A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20120169985A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 Sung-Hoon Kim Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN103345095A (zh) * 2013-07-11 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft-lcd阵列基板及显示装置
US20150192832A1 (en) * 2013-11-21 2015-07-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display panel
CN103676374A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
JP2015152920A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置
CN104090434A (zh) * 2014-06-25 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN104465675A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板、液晶面板以及液晶显示器
CN104865730A (zh) * 2015-05-26 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板和阵列基板
CN105842904A (zh) * 2016-05-25 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及制备方法
CN106019750A (zh) * 2016-08-10 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN108493199A (zh) * 2018-04-19 2018-09-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN108957892A (zh) * 2018-08-31 2018-12-07 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN109407388A (zh) * 2018-11-14 2019-03-01 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程方法、显示面板及显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111090199A (zh) * 2020-01-08 2020-05-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板和显示面板
CN112466931A (zh) * 2020-11-27 2021-03-09 Tcl华星光电技术有限公司 电极结构及其制备方法、薄膜晶体管
US11757044B2 (en) 2020-11-27 2023-09-12 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electrode structure, manufacturing method thereof, and thin film transistor
CN115826303A (zh) * 2022-12-07 2023-03-21 北海惠科光电技术有限公司 像素单元、阵列基板及显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100354737C (zh) 面内切换型液晶显示器件及其制造方法
CN100374949C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1800917B (zh) 阵列基板和具有其的显示面板
CN104049429B (zh) 一种像素结构及其制作方法
US8384870B2 (en) Display substrate, method of manufacturing the same and display panel having the display substrate
CN111176041A (zh) 像素结构及像素电路
CN111708199B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN110082975A (zh) 阵列基板以及显示面板
CN101840120A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
CN104007591A (zh) 一种像素结构及其制作方法
CN101109880A (zh) 液晶显示器及其方法
JP2022503264A (ja) アレイ基板及び表示装置
CN209514264U (zh) 一种显示面板和显示装置
CN112289194B (zh) 显示面板和显示装置
CN107561800A (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN103576358B (zh) 低色偏的液晶面板及显示器
CN106200151A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN113741109A (zh) 阵列基板及显示面板
CN101131515B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置
US20230197737A1 (en) Display panel
US7480431B2 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display devices
CN103091885B (zh) 一种液晶显示面板及制备方法
CN102375276B (zh) 液晶显示面板
CN112216217B (zh) 显示面板和显示装置
CN113077717B (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190802

RJ01 Rejection of invention patent application after publication