CN100374949C - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板;在第一基板上以限定具有第一和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线;在第一和第二子像素区域中的第一和第二开关器件;在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二公共电极;在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二像素电极,其中,所述多个第一像素电极电连接到第一像素电极连接线,并且所述多个第二像素电极电连接到第二像素电极连接线;由像素单元和相邻的像素单元共享的公共线;形成在第一和第二基板的至少一个上与所述第一开关器件和所述第二开关器件相对应的黑矩阵,其中所述黑矩阵的高度与所述第一基板和第二基板之间的间隔相同;和第一和第二基板之间的液晶层。

Description

液晶显示器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器件,更具体地,涉及一种可以提高生产量和孔 径比的液晶显示器件及其制造方法。

背景技术

随着信息社会的最近发展,对于多种类型显示器件的需求增加,因此正在

对平板显示器件进行积极地研究,例如LCD (液晶显示)器件,PDP (等离子 体显示板)器件,ELD (电致发光显示)器件,FED (场致发射显示)器件,VFD (真空荧光显示)器件等。在这些平板显示器件中,LCD器件由于其轻重量、 薄外形、低功耗、高图像质量、大量生产的优点以及简单的驱动方法引起了人 们的广泛注意。

LCD器件通过依照视频信号将数据信号单独提供给以矩阵形式排列的像 素以及控制每个像素的光透射率来显示图像。LCD器件通常通过有源矩阵(AM) 方法进行驱动。AM方法为将诸如薄膜晶体管(TFT)的开关器件添加到每个像 素中,并且每个像素中的液晶由通过开关器件施加到其上的电压进行驱动。

LCD器件可以根据液晶的类型分类为多种显示模式。在多种模式中,通常 使用TN (扭曲向列)模式。TN模式LCD器件开启/断开垂直于基板的电场,从 而以使液晶分子的指向矢可以关于基板成0°至90°的方式驱动液晶。TN模 式LCD器件具有的优点如容易的黑白显示功能,快速响应和低驱动电压。然而, 由于液晶被垂直于基板驱动,因此TN模式LCD器件具有窄视角,这引起视角 依赖性。视角依赖性意味着图像的颜色或亮度根据观察者观察LCD器件的方向 或角度而发生改变。

为了克服这个缺点,正在对新模式如共平面开关(下文中称为IPS)模式 LCD器件进行积极地研究,在该模式中液晶被平行于基板驱动。当施加电压时, IPS LCD器件在基板上形成共平面电场并使液晶水平取向,由此得到较宽的视 角。

图1为说明根据现有技术IPS模式LCD器件的单位像素的平面图。参考图 1,在LCD器件的薄膜晶体管基板上,由金属构成的栅线3和数据线1垂直和 水平排列以限定单位像素。尽管LCD器件通常包括由多条栅线和数据线限定的 像素,但是为了简单仅在图l中示出了一个像素。

包括栅极4、半导体层(A)和源极/漏极5和11的开关器件(例如薄膜 晶体管(T))形成在栅线3和数据线1的交点处附近。栅极4以及源极5和漏 极11分别连接到栅线3和数据线,由此根据通过栅线3输入的信号导通开关 器件并将通过数据线1施加的数据信号传输到像素。

IPS模式LCD器件进一步包括用于传输公共信号的在单位像素中平行于栅 线3排列的公共线17,和至少一对电极,即公共电极13和像素电极15,其用 于产生平行于基板的共平面电场。公共电极13与栅线3同时形成并连接到公 共线17,像素电极15与源极/漏极5和11同时形成并连接到薄膜晶体管(T) 的漏极5。电连接到像素电极15的像素电极线11'重叠公共线17,其间具有 栅绝缘膜(未示出),并且在单位像素中形成有存储电容器(Cst)。

由于每个像素仅包括一个开关器件,因此IPS模式LCD器件具有的问题在 于当开关器件有缺陷时单位像素不能正确地工作。这个问题不仅在IPS模式 LCD器件中出现而且也在其他模式LCD器件如TN模式LCD器件中出现。特别 是,LCD器件中的薄膜晶体管通过若干其中可能发生若干缺陷的沉积和刻蚀工 序形成。最致命的缺陷之一为栅极和源极或漏极之间的短路,这在LCD器件中 产生点缺陷。

发明内容

因此,本发明提供了一种液晶显示(LCD)器件及其制造方法,其基本上 避免了由相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。

本发明的优点为提供一种可以提高生产量和孔径比的液晶显示器件及其 制造方法。

本发明另外的特征和优点将在下面的描述中提出,部分从描述中显而易 见,或者可以从本发明的实施中了解。通过说明书及其权利要求以及所附附图 中所指出的具体结构,本发明的目的和其它优点可以实现和得到。

为了实现这些和其他优点以及根据本发明的目的,如在此具体和概括描述

的, 一种液晶显示器件,包括:第一和第二基板;在第一基板上以限定具有第

一和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线;在第一和第二子像素区域中 的第一和第二开关器件;在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二公共电 极;在第一和第二子像素区域中的多个第一和第二像素电极,其中,所述多个

第一像素电极电连接到第一像素电极连接线,并且所述多个第二像素电极电连

接到第二像素电极连接线;由单位像素和相邻的单位像素共享的公共线;形成 在第一和第二基板的至少一个上与所述第一开关器件和所述第二开关器件相 对应的黑矩阵,其中所述黑矩阵的高度与所述第一基板和第二基板之间的间隔 相同;和第一和第二基板之间的液晶层。

在本发明的另一方面, 一种液晶显示器件的制造方法,包括:制备第一基 板和第二基板;在第一基板上形成第一金属材料;利用第一掩模对第一金属材 料进行构图以形成栅线和栅极;在第一基板上形成透明导电材料;利用第二掩 模对透明导电材料进行构图以形成公共线和公共电极;在第一基板上形成栅绝 缘膜、非晶硅层和n'非晶硅层;利用第三掩模对非晶硅层和n'非晶硅层进行构 图以形成半导体层和欧姆接触层;在第一基板上形成第二金属材料;利用第四 掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极和第一漏极和第二漏极;在 第一基板上形成钝化膜;利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔;在钝 化膜上形成透明导电材料;和利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像 素电极。

在本发明的另一方面, 一种液晶显示器件,包括:第一基板和第二基板; 在所述第一基板上以限定具有第一子像素区域和第二子像素区域的单位像素 的栅线和数据线;在所述第一和第二子像素区域中的第一开关器件和第二开关 器件;在所述第一和第二子像素区域中的多个第一公共电极和第二公共电极; 在所述第一和第二子像素区域中的多个像素电极,其中,所述在所述第一和第 二子像素区域中所述多个像素电极中每个都是一体地形成的;由所述像素单元 和相邻的像素单元共享的公共线;形成在第一和第二基板的至少一个上与所述 第一开关器件和所述第二开关器件相对应的黑矩阵,其中所述黑矩阵的高度与 所述第一基板和第二基板之间的间隔相同;和位于第一和第二基板之间的液晶 层。

应当理解,之前的概述和下面的详述都是例证性和解释性的,并如所声称 的,意欲提供本发明的进一步解释。

附图说明

所附附图用于提供本发明的进一步理解,并结合在本说明书中,构成本说 明书的一部分,这些附图说明了本发明的实施方式,并与描述一起用于解释本 发明的原理。

在附图中:

图1所示为根据现有技术IPS模式LCD器件的单位像素的平面图;

图2A所示为根据本发明第一实施方式的LCD器件的单位像素的平面图;

图2B所示为沿图2A中的A-A'线提取的截面图;

图3所示为根据本发明第二实施方式的LCD器件的单位像素的平面图;

图4A所示为根据本发明第三实施方式的LCD器件的单位像素的平面图;

图4B所示为沿图4A中的B-B'线提取的截面图;

图5所示为根据本发明第四实施方式的LCD器件的单位像素的平面图;以

图6A至6D所示为沿图2A中的A-A'线提取的截面图并且说明了根据本 发明实施方式制造LCD器件的方法。

具体实施方式

现在将对本发明的实施方式进行详细描述,其实施例在所附附图中说明。

图2A为说明根据本发明第一实施方式的LCD器件的单位像素的平面图, 图2B为沿图2A中的A-A'线提取的截面图。

参考图2A和2B, LCD器件的单位像素由第一基板上的栅线103和数据线 101限定,并划分为第一和第二子像素区域。第一和第二开关器件1T1和1T2 分别设置在第一和第二子像素区域P1和P2中,相同的扫描信号施加到第一和 第二子像素区域Pl和P2。第一和第二开关器件1T1和1T2具有一个栅极一两 薄膜晶体管的结构。第一和第二开关器件1T1和1T2关于栅线103对称形成。

开关器件1T1和1T2中的每个包括:形成在第一基板102上作为栅线103 的一部分的栅极104,形成在栅极104上的栅绝缘膜106,形成在栅绝缘膜106

上的半导体层107,和形成在半导体层107上的欧姆接触层108。开关器件1T1 和1T2分别还包括第-一和第二漏极111P1和111P2,该两个漏极共享形成在欧 姆接触层108上并作为一部分数据线101的一源极105,并形成在源极105的 两侧,其间具有预定间隔。

如上所述,第一和第二开关器件1T1和1T2共享栅极104和源极105。因 此,当半导体层107通过栅线103的扫描信号激活时,相同的数据信号同时通 过源极105从数据线10传输到第一和第二漏极lilPl和111P2,并且数据信 号施加到第一和第二子像素区域Pl和P2。由于单位像素的第一和第二子像素 区域Pl和P2通过不同的开关器件驱动,因此LCD中的缺陷区域可以减少。

具体地说,开关器件如薄膜晶体管通过若干其中可能发生若干缺陷的沉积 和刻蚀工序制造。例如,电短路可能由于源极和漏极之间插入的杂质而发生在 源极和栅极之间,或者可能发生在漏极和相邻的数据线之间。例如,漏极可以 沿相邻数据线的方向平行于栅线延伸以便防止在栅线附近发生漏光。在这种情 况下,由于制造过程中的缺陷,短路可能发生在漏极和数据线之间。当短路发 生在源极和漏极之间或者发生在漏极和数据线之间时,产生亮度缺陷并且LCD 器件的图像质量下降。当漏极下面的半导体图案有缺陷并且形成直到像素电极 的较低部分时,这种亮度缺陷也发生。

为了解决这种亮度缺陷,已经进行尝试以通过将激光束照射到开关器件中 异常图案存在的区域来去除缺陷的起因。然而,这种方法具有下述问题。首先, 应当检査每个像素以检测亮度缺陷。第二,当缺陷图案的尺寸小于2nm时,由 于检测设备的限制,缺陷可能检测不到。第三,由于附加的激光照射工序,生 产量可能降低。

然而,在根据本发明的像素结构中,由于像素划分为两个子像素区域,并 且两个子像素区域中的每个单独接收信号以操作每个开关器件,因此,即使当 开关器件之一具有缺陷而不起作用时,可以驱动其中另一个开关器件处于正常 工作的子像素区域。因此,与现有技术相比,可以减少LCD器件中的缺陷区域。

根据本发明的实施方式,条状的第一和第二像素电极115P1和115P2分别 以固定的间隔设置在第一和第二子像素区域P1和P2中。第一和第二像素电极 115P1和115P2接收从第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极111P1 和111P2传输的数据信号。数据信号通过在钝化膜IIO上形成的第一和第二接

触孔109P1和109P2从第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极 111P1和111P2传输到第一和第二像素电极115P1和115P2。

条状的第一和第二公共电极113P1和113P2分别设置在第一和第二子像素 区域中Pl和P2中。第一和第二公共电极113P1和113P2与第一和第二像素电 极115P1和115P2交替,其间具有预定间隔,由此与第一和第二像素电极115P1 和115P2 —起在第一基板102上产生共平面电场。公共线117设置在单位像素 的两端并电连接到第一或第二公共电极113P1或113P2以施加公共信号。公共 线117由第一或第二公共电极113P1或li3P2和相邻子像素区域的第一或第二 公共电极共享。由第N栅线103限定的第二子像素区域的第二公共电极113P2 和由第N+1栅线限定的第一子像素区域的第一公共电极113P1从形成在它们的 边缘区域处的公共线117延伸,以接收公共信号。因此,根据本发明的LCD 器件具有三个子像素需要两条公共线的结构,由此减少公共线的数目并增加 LCD器件的孔径比。

电连接多个第一公共电极113P1的第一公共电极连接线123P1和电连接多 个第一像素电极115P1的第一像素电极连接线125P1平行于数据线101形成在 第一子像素区域的外边缘处并彼此重叠,其间具有栅绝缘膜106和钝化膜110。 同样,电连接多个第二公共电极113P2的第二公共电极连接线123P2和电连接 多个第二像素电极115P2的第二像素电极连接线125P2平行于数据线101形成 在第二子像素区域的外边缘处并彼此重叠,其间具有栅绝缘膜106和钝化膜 110。以该方式,存储电容器形成在单位像素中。

第一和第二公共电极连接线123P1和123P2不设置为产生驱动第一和第二 子像素区域Pi和P2中的液晶的电场,但是它们屏蔽数据线101的信号对第一 和第二像素电极115P1和115P2的影响。因此,第一和第二公共电极连接线 123P1和123P2设置在比像素电极连接线125P1和125P2更接近于数据线101 的位置处,以便有效地屏蔽数据线101的信号影响。

第一和第二像素电极115P1和115P2中每个的一侧与相邻栅线103重叠以 防止栅线附近发生漏光,这有助于减少栅线103上黑矩阵的线宽或者去除该区 域处的黑矩阵。通过最小化存在于栅线103和像素电极115P1和115P2之间的 绝缘体区域,栅线103和像素电极115P1和115P2之间的重叠结构可以最小化 直流分量的累积,由此减少由于残留的直流分量产生的残留影像缺陷。同样,

在本发明中,由于栅线103设置在单位像素的中心线处,而不是在两相邻像素

之间的边缘区域处,因此第一和第二像素电极115P1和115P2仅重叠相应像素 的栅线103,不会受到施加到相邻像素的栅线的信号影响。因此,由于可以减 小由相邻像素的栅极信号所引起的像素电极的电压波动,防止了由于在相邻像 素之间边缘区域处发生的电压失真所引起的漏光,并且可以使诸如闪烁的缺陷 最小化。

在根据本发明的LCD器件中,第一和第二公共电极li3Pl和li3P2以及第 一和第二像素电极115P1和115P2与数据线101形成0至45°的倾斜角度。 因此,由第一公共电极113P1和第一像素电极115P1以及由第二公共电极 113P2和第二像素电极115P2产生的共平面电场与数据线101形成0至45°的 倾斜角度,以便定向膜的摩擦方向可以垂直于数据线101。换句话说,使液晶 分子初始排列的摩擦工序沿数据线101和单位像素外边缘处的第一和第二像 素电极线123P1和123P2之间形成的电场方向进行,由此允许液晶水平排列。 从而,当其上没有施加电压时,邻近数据线101的液晶分子不会被残留电压扭 曲,由此防止数据线101附近发生漏光以及使数据线101上黑矩阵的宽度最小 化或者去除该区域处的黑矩阵。

结果,由于栅线103和第一和第二像素电极115P1和115P2之间的重叠结 构以及液晶的水平取向,根据本发明的LCD器件可以最小化或者防止栅线103 和数据线101附近发生漏光,由此去除在相应区域处的黑矩阵以及提高其亮度 和孔径比。

上述这种结构仅需要在开关器件沟道部分处的最小黑矩阵。开关器件沟道 部分处的黑矩阵用在第一基板102或者第二基板132上形成的柱状衬垫料134 代替以遮挡光。这不仅允许实现最小化用于形成黑矩阵的工艺容限的无黑矩阵 结构,而且允许取消用于形成黑矩阵所需的掩模工序,由此简化LCD器件的制

造工序。

除实现颜色的滤色片层136之外,用作黑矩阵以防止光泄漏到第一和第二 开关器件1T1和1T2等的上部的柱状衬垫料134可以形成在第二基板132上。

确定液晶初始排列方向的第一和第二定向膜(未示出)形成在第一和第二基板 102和103的衬面(facing surface)上,液晶层150设置在其间。

如上所述,根据第一实施方式的像素结构可以通过将像素区域划分为子像

素区域并且单独驱动子像素区域来减少LCD器件中的缺陷区域,但是像素仍然

可以为点缺陷。因此,本发明的第二实施方式提供可以减小具有缺陷像素的可

能性的LCD器件。第二实施方式的像素结构几乎与第一实施方式的结构相同, 因此现在仅描述第一和第二实施方式之间的区别。

图3为说明根据本发明第二实施方式的LCD器件的单位像素的平面图。为 了减小具有缺陷像素的可能性,第一子像素区域Pl的第-一像素电极215P1在 栅线203的上部连接到第二子像素区域P2的第二像素电极215P2。换句话说, 由于第一和第二像素电极215P1和215P2彼此电连接,因此像素电极215P1 和215P2都可以接收数据信号,甚至当第一开关器件2T1和第二开关器件2T2 之一由于有缺陷而不起作用时,该缺陷例如为源极205和第一漏极211pl之间 或者源极205和第二漏极211P2之间的短路。因此,可以降低具有缺陷像素的 可能性。

图4A和4B分别为说明根据本发明第三实施方式的LCD器件的单位像素的 平面图和沿图4A中的B-B'线提取的截面图。本实施方式提供一种可以实现 高透射率和场增强效应的LCD器件。第三实施方式的像素结构也相似于第一实 施方式的结构,从而现在仅描述第一和第三实施方式之间的区别。

参考图4A和4B,第一和第二公共电极313P1和313P2在第一基板302上 形成为板状,并且第 一和第二像素电极315P1和315P2形成在与第一和第二公 共电极313P1和313P2不同的层上并具有多个狭缝。第-一和第二公共电极 313P1和313P2以及第一和第二像素电极315P1和315P2由透明导电材料如ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、ITZO (氧化铟锡锌)、或TO (氧化锡)构成。 第一公共电极313P1和第一像素电极315P1之间的间隔以及第二公共电极 313P2和第二像素电极315P2之间的间隔窄于盒间隙,由此在第一基板302上 产生为共平面电场的边缘电场(F)。

当第一和第二像素电极315P1和315P2的狭缝之间的间隔(例如第一和第 二像素电极的宽度Ll )充分地窄时,在包括第一和第二像素电极315P1和315P2 上部的第一基板302上的所有液晶分子(未示出)可以通过电极之间产生的共 平面电场(F)充分地丄作。因此,与第一和第二实施方式的LCD器件相比, 根据本实施方式的LCD器件可以具有高透射率和高孔径比。

此外,第一和第二公共电极313P1和313P2形成为板状,并且第一和第二

15

像素电极315P1和315P2的狭缝之间的每个间隔(电极宽度Ll)宽于狭缝的 宽度(L2),因此电极之间的重叠区域增加,该电极之间具有栅绝缘膜306和 钝化膜310,由此增加在电极之间形成的存储电容器的电容。因此,可以减小 第一和第二像素电极315P1和315P2的压降(AVp),并且可以实现场增强效应。

此外,第一和第二公共电极313P1和313P2可以与相邻像素的子像素区域 的公共电极整体形成。换句话说,第二子像素区域的第二公共电极313P2连接 到相邻像素的第一子像素区域的第一公共电极313P1'。因此,在两个像素区 域之间的边缘区域处形成的由金属层构成的公共线317被由第N栅线限定的第 二子像素区域的第二公共电极313P2和由第N+1栅线限定的第一子像素区域的 第--公共电极313P1'共享,并且将公共信号施加到第一和第二公共电极 313P1'和313P2D因此,由于根据本发明的LCD器件每三个子像素需要两条 公共线,因此公共线的数目减小,并且LCD器件的孔径比增加。

公共线317可以由单独的金属层构成,如在附图中所示,但是它可以由透 明导电材料构成并与由第N栅线103限定的第二子像素区域的第二公共电极 313P2和由第N+l栅线限定的第一子像素区域的第一公共电极313P1'整体形 成。为了防止像素中第一和第二公共电极313P1和313P2与栅线303之间的短 路,第一和第二公共电极313P1和313P2与栅线303相隔lOpm或更大的距离。

第一和第二像素电极315P1和315P2分别稍微重叠配置在像素的中心线处 的栅线303的上角和下角。从而,形成在第二基板(未示出)上用于防止漏光 的黑矩阵(未示出)的线宽可以最小化或者可以不需要,由此增加LCD器件的 孔径比和亮度。与第一和第二像素电极315P1和315P2不重叠栅线303的结构 相比,这种结构也可以减小栅线303与第一和第二像素电极315P1和315P2 之间的绝缘体区域。因此,在绝缘体中累积的残留电压分量减小,由此防止或 最小化残留影像缺陷。

在上述结构中,由于栅线303配置在像素的中心线处,而不是在两个相邻 像素的边缘区域处,因此在第一和第二子像素区域P1和P2处形成的第一和第 二像素电极3巧P1和3巧P2仅重叠相应像素的栅线303,不会受到相邻像素的 栅极信号的影响。从而,第一和第二像素电极315P1和315P2仅受到相应像素 的栅线303的影响,由此防止由于在相邻像素之间的边缘区域处发生的电压失

真而发生漏光,并使显示缺陷如闪烁等最小化。

第一和第二像素电极315P1和315P2也重叠在单位像素的边缘区域处的公 共线317以最小化漏光。当第一和第二像素电极315P1和315P2与公共线317 之间的重叠区域变得过大时,存储电容器的电容将变得大于所需的电容,这可 能由于残留的寄生电容而引起信号延迟。因此,第一和第二像素电极315Pi 和315P2 — 口T以仅重叠公共线317的一个角。

在根据第三实施方式的LCD器件中,第一和第二公共电极313P1和313P2 与第-一和第二像素电极315P1和315P2由透明导电材料如IT0等构成,并形成 在像素的整个表面上。因此,也可以防止或最小化由摩擦工序期间栅线303 上或下的高度差(或台阶差)引起并产生漏光的向错现象。

此外,单位像素关于配置在像素中心线处的栅线303划分为第一和第二子 像素区域Pl和P2。第一和第二开关器件3T1和3T2分别设置在第一和第二子 像素区域Pl和P2处以通过第一和第二接触孔309P1和309P2将信号施加到第 一和第二像素电极315P1和315P2。第一和第二开关器件3T1和3T2具有一个 栅极--两个薄膜晶体管(one-gate-two thin film transistor)结构并关于 栅线303对称。同样,第一和第二开关器件3T1和3T2共享栅极(未示出)和 源极305以便当扫描信号施加到栅线303时,将数据信号经由第一和第二漏极 311P1和311P2传输到第一和第二像素电极315P1和315P2。因此,根据本实 施方式构成LCD器件的单位像素的第一和第二子像素区域Pl和P2通过不同的 开关器件(第一和第二开关器件3T1和3T2)单独驱动。因此,甚至当第一或 第二开关器件3T1或3T2有缺陷时,整个像素由于缺陷而不起作用的可能性减

现在将描述根据本发明第四实施方式的LCD器件。如图5所示,第四实施 方式的单位像素具有的结构为第一和第二像素电极415P1和415P2在栅线403 的上部彼此连接。第四实施方式的像素结构类似于第三实施方式,从而现在仅 描述第四和第三实施方式之间的区别。

参考图5,第一子像素区域Pl的第一像素电极415P1和第二子像素区域 P2的第二像素电极415P2在栅线403的上部彼此连接。换句话说,由于第一 和第二像素电极415P1和415P2彼此电连接,因此甚至当第一开关器件4T1 和第二开关器件4T2之一不起作用时,电极415P1和4i5P2都可以接收数据信

号。因此,具有缺陷像素的可能性减小。在第一至第四实施方式中,第一和第二开关器件位于单位像素的中心线 处,并且第一和第二子像素区域对称形成,因此在像素内由开关器件和电极之 间的距离引起的信号延迟最小化,从而残留影像缺陷最小化或被防止。同样,垂直对称电极结构防止了色移现象和残留影像缺陷,并使LCD器件具有高图像质量,高透射率,高孔径比和宽视角。此外,根据本发明的第一和第二公共电极以及第一和第二像素电极由透明导电材料如ITO (氧化铟锡)、IZ0 (氧化铟 锌)、ITZ0 (氧化铟锡锌)、或T0 (氧化锡)构成,但是它们也可以由其他导 电材料如不透明金属材料构成。下面,将参考所附附图描述根据本发明的LCD器件的制造方法。 图6A至6D为沿图2A中的A-A'线得到的截面图并且说明了根据本发明 制造LCD器件的方法。根据本发明制造LCD器件的方法将利用示例性实施方式 来描述,其中柱状衬垫料形成在第一基板(薄膜基板)上以遮挡光并保持预定 的盒间隙。如图6A所示,首先制备由玻璃或石英制成的透明第一基板102和第二基 板(未示出)。然后,第一金属材料例如钼(Mo),钼合金,铝(Al),铝合金, 钛(Ti),钛合金,钽(Ta),钽合金,钴(Co),钴合金,镍(Ni),镍合金, 铜(Cu)或铜合金形成在第一基板102上,并利用第一掩模进行构图,由此形 成栅线(未示出),栅极104,第一和第二公共电极113P1和113P2以及公共 线(未示出)。然后,无机材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)通过CVD (化学气相沉积)方法沉积在包括栅极104以及第一和第二公共电极113P1 和113P2的第一基板102的整个表面上,由此形成栅绝缘膜106。如图6B所示,非晶硅和n'非晶硅然后形成在栅绝缘膜106上,并利用第 二掩模进行构图,由此在栅极104上形成半导体层107和欧姆接触层108。第 二金属材料例如钼,钼合金,铝,铝合金,钛,钛合金,钽,钽合金,钴,钴 合金,镍,镍合金,铜或铜合金沉积在包括欧姆接触层108的第一基板102 的整个表面上。第二金属材料然后利用第三掩模进行构图,由此形成数据线(未 示出),从数据线延伸的源极105,和第一和第二漏极111P1和111P2,该漏极 以与源极105相距预定间隔设置在半导体层107上。数据线垂直于栅线设置以 与栅线限定像素,其中所述栅线将像素划分为第一和第二子像素区域(Pl和P2)。如图6C所示,具有低导电率的透明有机材料例如苯并环丁烯 (benzocyclobutene)或压克力然后涂敷在第一基板102的整个表面上,由此 形成钝化膜110,所述第一基板102包括源极105以及第 -和第二漏极111P1 和111P2。然后,利用第四掩模对钝化膜110进行构图,由此形成暴露出部分 第一漏极111P1的第一接触孔109P1和暴露出部分第二漏极111P2的第二接触 孔109P2。透明导电材料例如ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)或TO (氧化锡)然 后沉积在钝化膜110上并利用第五掩模进行构图,由此形成第一和第二像素电 极115P1和115P2,其用于与第一和第二公共电极113P1和113P2 一起在第一 基板102上产生共平面电场。第一和第二像素电极115P1和115P2连接到构成 第一和第二开关器件1T1和1T2的第一和第二漏极111P1和111P2,以接收图 像信号。接下来,有机膜(未示出)例如感光树脂沉积在第一基板102上以形成柱 状衬垫料,所述第一基板102包括第一和第二像素电极115P1和115P2以及钝 化膜110。如图6D所示,柱状衬垫料134通过将UV光通过第六掩模的透射区 域照射到有机膜上并显影有机膜而形成在第一和第二开关器件1T1和1T2上。 柱状衬垫料134不仅保持第一基板102和第二基板之间的盒间隙,而且作为黑 矩阵防止第一和第二开关器件1T1和1T2上部漏光。结果,在LCD器件的制造 过程中可以省略用于形成单独的黑矩阵的掩模工序。尽管未在图中示出,然后在第一基板102上涂覆确定液晶初始排列方向的 第一定向膜,并在第一定向膜上进行摩擦工序。以相似的方式,第二定向膜涂 敷在具有滤色片层136的第二基板132上,并在第二定向膜上进行摩擦工序。 然后,第一基板102和第二基板132彼此粘接在一起,液晶层150设置在第一 和第二基板102和132之间的空间内,由此完成LCD器件的制造过程。根据本 发明的原理,柱状衬垫料134可以形成在第二基板132上。在这种情况下,包 括例如R (红)、G (绿)、B (蓝)滤色片的滤色片层形成在透明第二基板上, 柱状衬垫料以与上述相似的方式形成在第二基板上与第一基板上第一和第二 开关器件相对应的区域处。如上所述,由于不需要在第一基板或第二基板上形成黑矩阵的工序,因此

根据本发明制造LCD器件的方法可以简化LCD器件的制造过程,并减少制造成本。以下,将参考图4B描述制造第三实施方式的LCD器件的方法。 首先制备由玻璃或石英制成的透明第一基板302和第二基板(未示出)。 然后,第一金属材料例如钼(Mo),钼合金,铝(Al),铝合金,钛(Ti),钛 合金,钜(Ta),钽合金,钴(Co),钴合金,镍(Ni),镍合金,铜(Cu)或铜 合金形成在第一基板302上,并利用第一掩模进行构图,由此形成栅线30'3, 栅极(未示出)和公共线317。公共线317可以由透明导电材料形成,并通过 第二掩模工序与第一和第二公共电极313P1'和313P2整体形成,这将在下文 进行解释。透明导电材料例如ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、ITZO (氧化铟锡 锌)、或TO (氧化锡)然后形成在包括栅线303和栅极(未示出)的第一基板 302的整个表面上,并利用第二掩模进行构图,由此形成第一和第二公共电极 313P1'和313P2。如上所述,公共线317可以由透明导电材料形成,并与第 一和第二公共电极313 Pl'和313P2整体地形成在同一层上。无机材料例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)然后通过CVD (化学气相 沉积)方法沉积在包括公共线317以及第一和第二公共电极313P1'和313P2 的第一基板102的整个表面上,由此形成栅绝缘膜306。非晶硅和n+非晶硅然后形成在栅绝缘膜306上,并利用第三掩模进行构 图,由此在栅绝缘膜306上形成半导体层和欧姆接触层。第二金属材料例如钼, 钼合金,铝,铝合金,钛,钛合金,钽,钽合金,钴,钴合金,镍,镍合金, 铜或铜合金沉积在包括欧姆接触层的第一基板302的整个表面上,然后利用第 四掩模进行构图,由此形成数据线(未示出)、从数据线延伸的源极、和第一 和第二漏极,该第一和第二漏极以与源极相距预定间隔设置在半导体层上。数 据线垂直于栅线设置以与栅线限定像素,其中所述栅线将像素划分为第一和第 二子像素区域。然后在第一基板302的整个表面上涂敷具有低导电率的透明有机材料例 如苯并环丁烯或压克力,由此形成钝化膜310,其中所述第一基板302包括源 极以及第一和第二漏极。然后,利用第五掩模对钝化膜310进行构图,由此形 成暴露出部分第一漏极的第一接触孔和暴露出部分第二漏极的第二接触孔。

透明导电材料例如no (氧化铟锡)、izo (氧化铟锌)、itzo (氧化铟锡锌)、或to (氧化锡)然后沉积在钝化膜310上并利用第六掩模进行构图,由 此形成第一和第二像素电极315p1和315p2,其用于与第一和第二公共电极 313p1'和313p2—起在第一基板302上产生共平面电场。第一和第二像素电 极315p1和315p2通过第一和第二接触孔连接到构成第一和第二开关器件的第 一和第二漏极,以接收图像信号。接下来,有机膜(未示出)例如感光树脂沉积在第-基板302上以形成柱 状衬垫料,所述第一基板302包括第一和第二像素电极315p1和315p2以及钝 化膜310。柱状衬垫料通过将uv光通过第七掩模的透射区域照射到有机膜上 并显影有机膜而形成。柱状衬垫料不仅保持第一基板302和第二基板之间的盒 间隙,而且作为黑矩阵防止第一和第二开关器件上部漏光。结果,在lcd器件 的制造过程中可以省略用于形成单独的黑矩阵的掩模工序。然后在第一基板302上涂敷确定液晶初始排列方向的第一定向膜,并在第 一定向膜上进行摩擦工序。以相似的方式,第二定向膜涂敷在具有滤色片层的 第二基板上,并在第二定向膜上进行摩擦工序。第一基板302和第二基板然后 彼此粘接,液晶层设置在第一基板302和第二基板之间的间隙内,由此完成 lcd器件的制造过程。根据本发明的原理,柱状衬垫料可以形成在第二基板上。 在这种情况下,包括例如r (红)、g (绿)、b (蓝)滤色片的滤色片层形成在 透明第二基板上,柱状衬垫料以与上述相似的方式形成在第二基板上与第一基 板上的第一和第二开关器件相对应的区域处。如上所述,本发明通过单独驱动单位像素的子像素区域可以减小lcd器件 中的缺陷区域以及具有缺陷像素的可能性。另外,垂直对称电极结构防止了色 移现象和残留影像缺陷。同样,栅线和像素电极之间的重叠结构以及液晶的水 平取向使栅线和数据线附近漏光最小化。此外,形成在开关器件上的柱状衬垫 料作为黑矩阵,并且在其他区域无需黑矩阵,由此简化了制造过程并提高了孔 径比。本领域的技术人员应当理解,在不脱离本发明精神或范围的情况下,本发 明可以有多种变形和改进。因此,本发明覆盖所有落入本发明所附权利要求及 其等效物范围内的这些变形和改进。

Claims (42)

1.一种液晶显示(LCD)器件,包括: 第一和第二基板; 在所述第一基板上以限定具有第一子像素区域和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线; 在所述第一和第二子像素区域中的第一开关器件和第二开关器件; 在所述第一和第二子像素区域中的多个第一公共电极和第二公共电极; 在所述第一和第二子像素区域中的多个第一像素电极和第二像素电极,其中,所述多个第一像素电极电连接到第一像素电极连接线,并且所述多个第二像素电极电连接到第二像素电极连接线; 由所述像素单元和相邻的像素单元共享的公共线; 形成在第一和第二基板的至少一个上与所述第一开关器件和所述第二开关器件相对应的黑矩阵,其中所述黑矩阵的高度与所述第一基板和第二基板之间的间隔相同;和 位于第一和第二基板之间的液晶层。
2. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一和第二开关器件共 享所述栅极、源极和半导体层。
3. 根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述栅极形成作为一条栅线 的一部分。
4. 根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述源极从一条数据线延伸出来。
5. 根据权利要求2所述的器件,其特征在于,所述第一开关器件进一步包 括第一漏极,而所述第二开关器件进一步包括第二漏极。
6. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一和第二子像素区域 关于所述栅线对称。
7. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一公共电极和第一像 素电极在第一子像素区域中形成共平面电场,而所述第二公共电极和第二像素 电极在第二子像素区域中形成共平面电场。
8. 根据权利要求7所述的器件,其特征在于,所述共平面电场形成与数据 线呈0°至45°的倾斜角度。
9. 根据权利要求8所述的器件,其特征在于,进一步包括位于所述第一和第二基板上的定向层。
10. 根据权利要求9所述的器件,其特征在于,所述定向层的摩擦方向 垂直于数据线。
11. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一和第二像素电 极部分地重叠所述栅线的上边缘和下边缘。
12. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一和第二像素电 极重叠相邻公共线的边缘。
13. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述公共线形成在相邻 单位像素之间的界面附近。
14. 根据权利要求13所述的器件,其特征在于,所述公共信号同时施加到由第n栅线限定的单位像素的第二公共电极和由第n+l栅线限定的单位像素 的第一公共电极。
15. 根据权利要求13所述的器件,其特征在于,所述公共线由金属层构成。
16. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述黑矩阵包括柱状衬 垫料。
17. 根据权利要求16所述的器件,其特征在于,所述黑矩阵形成在第一 和第二基板的至少一个上除与栅线和数据线相对应的区域之外的部分。
18. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括:电连接所述多个第一公共电极的第一公共电极连接线;和电连接所述多个第二公共电极的第二公共电极连接线。
19. 根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一公共电极连接线和第一像素电极连接线重叠以形成第一存储电容器,而所述第二公共电极连 接线和第二像素电极连接线重叠以形成第二存储电容器。
20. 根据权利要求l所述的器件,其特征在于,所述第一像素电极和第 二像素电极在栅线的上部彼此连接。
21. 根据权利要求l的器件,其特征在于,所述第一公共电极和第二公 共电极在第一基板上形成为板状,而所述第一像素电极和第二像素电极具有多 个狭缝。
22. 根据权利要求21所述的器件,其特征在于,所述第一像素电极和第 二像素电极的狭缝之间的间隔窄以便产生边缘电场。
23. 根据权利要求22所述的器件,其特征在于,所述第一公共电极和第 一像素电极之间的距离以及所述第二公共电极和第二像素电极之间的距离小 于所述第一基板和第二基板之间的距离。
24. 根据权利要求23所述的器件,其特征在于,所述第一公共电极和第 一像素电极,以及第二公共电极和第二像素电极形成共平面电场,该电场基本 上以与数据线成0。至45°的倾斜角度形成。
25. 根据权利要求24的器件,其特征在于,进一步包括位于所述第一和 第二基板上的定向层。
26. 根据权利要求25所述的器件,其特征在于,所述定向层之一的摩擦 方向垂直于数据线。
27. 根据权利要求23所述的器件,其特征在于,所述第一像素电极和第 二像素电极在所述栅线的上部彼此连接。
28. 根据权利要求21的器件,其特征在于,所述第一公共电极和第二公 共电极以及所述第一像素电极和第二像素电极由透明导电材料构成。
29. 根据权利要求28所述的器件,其特征在于,所述公共线形成在相邻 单位像素之间的界面处。
30. 根据权利要求29所述的器件,其特征在于,由第n栅线限定的单位 像素的第二公共电极和由第n+l栅线限定的单位像素的第一公共电极由透明 导电材料构成并与公共线同时形成。
31. 根据权利要求l的器件,其特征在于,所述第二基板进一步包括滤 色片。
32. -—种液晶显示(LCD)器件的制造方法,包括: 制备第一基板和第二基板; 在第一基板上形成第一金属材料;利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线,栅极,公共电极和公 共线;在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和rT非晶硅层: 利用第二掩模对非晶硅层和rT非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆 接触层;在第一基板上形成第二金属材料;利用第三掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极和第一和第二 漏极;在第一基板上形成钝化膜;利用第四掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔; 在钝化膜上形成透明导电材料;以及利用第五掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
33. 根据权利要求32所述的方法,其特征在于,进一步包括: 在像素电极上形成有机膜;以及 利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
34. 根据权利要求32所述的方法,其特征在于,进一歩包括在所述第一 和第二基板之间形成液晶层。
35. —种液晶显示器件的制造方法,包括: 制备第一基板和第二基板; 在第一基板上形成第一金属材料;利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线,栅极和公共线; 在第一基板上形成透明导电材料;利用第二掩模对透明导电材料进行构图以形成公共电极; 在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n+非晶硅层; 利用第三掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆 接触层;在第一基板上形成第二金属材料;利用第四掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极、第一漏极和 第二漏极;在第一基板上形成钝化膜; 利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔; 在钝化膜上形成透明导电材料;以及 利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
36. 根据权利要求35所述的方法,其特征在于,进一步包括: 在像素电极上形成有机膜;以及 利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
37. 根据权利要求35所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述第一和第二基板之间形成液晶层。
38. —种液晶显示器件的制造方法,包括: 制备第一基板和第二基板; 在第一基板上形成第一金属材料;利用第一掩模对第一金属材料进行构图以形成栅线和栅极; 在第一基板上形成透明导电材料;利用第二掩模对透明导电材料进行构图以形成公共线和公共电极; 在第一基板上形成栅绝缘膜、非晶硅层和n'非晶硅层; 利用第三掩模对非晶硅层和n+非晶硅层进行构图以形成半导体层和欧姆 接触层;在第一基板上形成第二金属材料;利用第四掩模对第二金属材料进行构图以形成数据线、源极、第一漏极和第二漏极;在第一基板上形成钝化膜;利用第五掩模对钝化膜进行构图以形成接触孔; 在钝化膜上形成透明导电材料;以及 利用第六掩模对透明导电材料进行构图以形成像素电极。
39. 根据权利要求38所述的方法,其特征在于,进一步包括: 在像素电极上形成有机膜;以及 利用第六掩模对有机膜进行构图以形成衬垫料。
40. 根据权利要求38所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述第一 和第二基板之间形成液晶层。
41. 根据权利要求38所述的方法,其特征在于,所述透明导电材料包括 工T0 (氧化铟锡)、IZ0 (氧化铟锌)、ITZ0 (氧化铟锡锌)和T0 (氧化锡)的 至少之一。
42. —种液晶显示器件,包括: 第一基板和第二基板;在所述第一基板上以限定具有第一子像素区域和第二子像素区域的单位像素的栅线和数据线;在所述第一和第二子像素区域中的第一开关器件和第二开关器件; 在所述第一和第二子像素区域中的多个第一公共电极和第二公共电极; 在所述第一和第二子像素区域中的多个像素电极,其中,所述在所述第一和第二子像素区域中所述多个像素电极中每个都是一体地形成的; 由所述像素单元和相邻的像素单元共享的公共线;形成在第一和第二基板的至少一个上与所述第-一开关器件和所述第二开 关器件相对应的黑矩阵,其中所述黑矩阵的高度与所述第一基板和第二基板之 间的间隔相同;禾口位于第 一和第二基板之间的液晶层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280949A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 三菱电机株式会社 液晶显示装置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101240644B1 (ko) * 2005-08-09 2013-03-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR101320494B1 (ko) 2006-04-12 2013-10-22 엘지디스플레이 주식회사 수평전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101244691B1 (ko) 2006-05-12 2013-03-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
TWI617869B (zh) 2006-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置和半導體裝置
KR100908357B1 (ko) 2006-08-09 2009-07-20 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 횡전계 방식의 액정 표시 패널
JP2008083324A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び電子機器
JP5177984B2 (ja) * 2006-09-28 2013-04-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置及び電子機器
KR100855782B1 (ko) * 2007-01-29 2008-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100865838B1 (ko) * 2007-01-30 2008-10-29 전북대학교산학협력단 프린지 필드 스위칭 액정표시소자
KR101424004B1 (ko) * 2007-03-08 2014-07-31 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2009092912A (ja) 2007-10-09 2009-04-30 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP5106991B2 (ja) * 2007-11-07 2012-12-26 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
US8760479B2 (en) * 2008-06-16 2014-06-24 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
KR101046929B1 (ko) * 2008-06-16 2011-07-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN102323697A (zh) * 2011-09-14 2012-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 Ips像素单元、液晶显示器及图像控制方法
CN103018982B (zh) * 2011-09-22 2016-03-02 上海中航光电子有限公司 横向排列的像素结构
CN102789099A (zh) * 2012-07-16 2012-11-21 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示器像素结构、阵列基板以及液晶显示器
JP5748731B2 (ja) * 2012-12-05 2015-07-15 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
WO2014097979A1 (ja) * 2012-12-21 2014-06-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR102007833B1 (ko) * 2013-04-30 2019-08-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR102068962B1 (ko) * 2013-09-30 2020-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
CN104020617A (zh) 2014-05-20 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、液晶显示面板、显示装置
CN203894515U (zh) * 2014-06-13 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR101719397B1 (ko) * 2014-08-14 2017-03-24 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 내장형 액정 표시장치
CN104155815B (zh) * 2014-09-01 2017-03-01 友达光电股份有限公司 像素结构
CN105093708A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN105938282A (zh) * 2016-06-22 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示像素结构及液晶显示器件
CN106502016A (zh) * 2016-12-09 2017-03-15 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN106909001B (zh) * 2017-03-20 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191451A (en) * 1990-04-20 1993-03-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having drain electrodes of the pair of tfts being symmetrically formed with respect to the central plane to prevent the flicker due to the different parasitic capacitances
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
CN1043084C (zh) * 1993-11-25 1999-04-21 夏普公司 液晶显示装置
US6297866B1 (en) * 1997-09-08 2001-10-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US20020180901A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display and fabricating method thereof
CN1469175A (zh) * 2002-06-17 2004-01-21 夏普公司 液晶显示器件
CN1482501A (zh) * 2002-08-14 2004-03-17 Lg.飞利浦Lcd有限公司 具有胆甾型液晶滤色器的反射型液晶显示设备及其制造方法
CN1487492A (zh) * 2002-08-29 2004-04-07 松下电器产业株式会社 显示装置用驱动电路及显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191451A (en) * 1990-04-20 1993-03-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having drain electrodes of the pair of tfts being symmetrically formed with respect to the central plane to prevent the flicker due to the different parasitic capacitances
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
CN1043084C (zh) * 1993-11-25 1999-04-21 夏普公司 液晶显示装置
US6297866B1 (en) * 1997-09-08 2001-10-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
US20020180901A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display and fabricating method thereof
CN1469175A (zh) * 2002-06-17 2004-01-21 夏普公司 液晶显示器件
CN1482501A (zh) * 2002-08-14 2004-03-17 Lg.飞利浦Lcd有限公司 具有胆甾型液晶滤色器的反射型液晶显示设备及其制造方法
CN1487492A (zh) * 2002-08-29 2004-04-07 松下电器产业株式会社 显示装置用驱动电路及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280949A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 三菱电机株式会社 液晶显示装置

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Publication number Publication date
JP4175482B2 (ja) 2008-11-05
CN1716067A (zh) 2006-01-04
KR20060046241A (ko) 2006-05-17
JP2006018287A (ja) 2006-01-19

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