CN107561800A - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置。属于显示技术领域，包括：多条并列设置、且沿行方向延伸的栅极线，多条并列设置、且沿列方向延伸的数据线；多条栅极线和多条数据线交叉绝缘定义出子像素区域；公共电极和多条公共电极线，公共电极线与公共电极电连接；公共电极线沿列方向延伸，公共电极线设置在相邻的两个子像素区域之间的区域；同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置。相对于现有技术，可以提高阵列基板的开口率，提升显示品质。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，消费者对于显示品质的要求逐渐提高。

请参考图1，图1是现有技术提供的一种阵列基板的局部平面结构示意图。现有技术提供的阵列基板中，包括栅极线01、数据线02，栅极线01和数据线02交叉绝缘限定出子像素区03，子像素区03中设置有像素电极04，像素电极04与薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)05电连接。具体的，像素电极04通过像素电极过孔041与薄膜晶体管05电连接。

现有技术提供的阵列基板还包括公共电极线06和公共电极07，公共电极线06与栅极线01并列设置，公共电极线06通过公共电极过孔067为公共电极07传输电信号。公共电极07通常是面状的、覆盖多个子像素区03，为了提高公共电极07的电压的均一性，阵列基板内部设置有多个公共电极过孔067。公共电极过孔067设置在公共电极线06远离栅极线01的一侧。

公共电极线06与栅极线01并列设置，受限于现有的生产工艺，公共电极线06与栅极线01之间的距离较大，并且公共电极线06需要避开薄膜晶体管05。因此需要设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线06、栅极线01、像素电极过孔041和公共电极过孔067等结构，阵列基板的开口率较低，显示品质无法满足消费者的需求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：多条并列设置、且沿行方向延伸的栅极线，多条并列设置、且沿列方向延伸的数据线；多条栅极线和多条数据线交叉绝缘定义出子像素区域；公共电极和多条公共电极线，公共电极线与公共电极电连接；公共电极线沿列方向延伸，公共电极线设置在相邻的两个子像素区域之间的区域；同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置。

在一些可选的实施例中，公共电极与公共电极线通过第一过孔电连接。

在一些可选的实施例中，第一过孔与栅极线之间的距离为d，0μm＜d≤20μm。

在一些可选的实施例中，公共电极线与数据线同层设置。

在一些可选的实施例中，公共电极线包括多个走线部和多个跨接部；走线部沿列方向延伸，且走线部设置在相邻的两条栅极线之间，走线部与栅极线同层设置；跨接部与相邻的两个走线部电连接；跨接部与栅极线交叉绝缘，跨接部与数据线同层设置。

在一些可选的实施例中，相邻的两个走线部包括第一走线部和第二走线部，第一走线部和第二走线部位于第一栅极线的两侧；跨接部通过第一跨接过孔与第一走线部电连接，跨接部通过第二跨接过孔与第二走线部电连接；第一跨接过孔与第二跨接过孔位于栅极线的两侧。

在一些可选的实施例中，跨接部通过第一过孔与公共电极线电连接。

在一些可选的实施例中，第一过孔设置在子像素区域中。

在一些可选的实施例中，子像素区域中均设置有第一过孔。

在一些可选的实施例中，位于奇数行的子像素区域或者位于偶数行的子像素区域中设置有第一过孔。

在一些可选的实施例中，位于奇数列的子像素区域或者位于偶数列的子像素区域中设置有第一过孔。

在一些可选的实施例中，阵列基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的栅极线、数据线、像素电极层和公共电极层；其中，公共电极层设置在像素电极层背离衬底基板的一侧，或者像素电极层设置在公共电极层背离衬底基板的一侧。

本发明还提供了一种显示面板，包括本发明提供的阵列基板。

本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的一种阵列基板、显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板中，将公共电极线设置为沿列方向延伸，并且设置在相邻的两个子像素之间的区域。并且同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置。现有的生产工艺中，可以实现与数据线同层设置的至少部分公共电极线与数据线之间的距离较小，小于现有技术中公共电极线与栅极线之间的距离，因而无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线，相对于现有技术，可以提高阵列基板的开口率，提升显示品质。

本发明提供的显示面板和显示装置具有本发明提供的阵列基板的有益效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是现有技术提供的一种阵列基板的局部平面结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；

图3是图2中区域A的一种局部结构示意图；

图4是图3提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的平面结构示意图；

图6是图5提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；

图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；

图8是图7提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；

图9是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；

图10是图9提供的阵列基板的一种剖面结构示意图；

图11是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；

图12是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；

图13是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图；

图14是本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图15是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图16是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

请参考图2和图3，图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图，图3是图2中区域A的一种局部结构示意图。本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：多条并列设置、且沿行方向延伸的栅极线10，多条并列设置、且沿列方向延伸的数据线20；多条栅极线10和多条数据线20交叉绝缘定义出子像素区域30；公共电极40和多条公共电极线50，公共电极线50与公共电极40电连接；公共电极线50沿列方向延伸，公共电极线50设置在相邻的两个子像素区域30之间的区域；同一条公共电极线50中，至少部分公共电极线50与数据线20同层设置。需要说明的是，图2中，为了清楚的示意公共电极线50，公共电极线50用虚线表示。

本实施例提供的阵列基板中还包括阵列设置的薄膜晶体管11，薄膜晶体管11包括栅极、源极和漏极，薄膜晶体管11的栅极与栅极线10电连接、源极与数据线20电连接。子像素区域30中还设置有像素电极31，薄膜晶体管11的漏极与像素电极31电连接。

图2和图3所示的阵列基板中，公共电极40为整面设置，公共电极线50与公共电极40电连接、为公共电极40传输电信号。同一条公共电极线50中，至少部分公共电极线50与数据线20同层设置，即为，使用数据线20所在的导电层设置至少部分公共电极线50。同一条公共电极线50可以全部都设置在数据线20所在的导电层，也可以将同一条公共电极线50中的部分走线设置在数据线20所在的导电层。现有的生产工艺中，可以实现公共电极线50与数据线20之间的距离较小。因而无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线50。

本发明提供的阵列基板中，将公共电极线设置为沿列方向延伸，并且设置在相邻的两个子像素之间的区域。并且同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置。现有的生产工艺中，可以实现与数据线同层设置的至少部分公共电极线与数据线之间的距离较小，小于现有技术中公共电极线与栅极线之间的距离，因而无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线，相对于现有技术，可以提高阵列基板的开口率，提升显示品质。

需要说明的是，本发明提供的阵列基板还可以具有触控功能，指纹识别功能等其他功能，本发明对触控功能的具体结构不作具体限制。

在一些可选的实施例中，请继续参考图3，公共电极40与公共电极线50通过第一过孔501电连接。请结合参考图4，图4是图3提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。已知的，现有技术提供的阵列基板中，包括衬底基板00，栅极线10与数据线20之间有第一绝缘层001，数据线20和公共电极40之间有第二绝缘层002。本实施例提供的技术方案中，在第二绝缘层002中设置第一过孔501，即可使公共电极40与公共电极线50通过第一过孔501电连接。现有技术中，公共电极线50与栅极线10同层设置，则需要在第一绝缘层001和第二绝缘层002中均设置过孔，以使公共电极线50与公共电极40电连接。本实施例提供的技术方案中，只需在第二绝缘层002中设置第一过孔501，即可使公共电极40与公共电极线50通过第一过孔501电连接。相对于现有技术，过孔的深度较小，制造工艺简单。

在一些可选的实施例中，请继续参考图3，第一过孔501与栅极线10之间的距离为d，0μm＜d≤20μm。本实施例提供的阵列基板中，第一过孔501与栅极线10之间的距离可以设置的较小，例如，第一过孔501可以与栅极线10紧邻设置。用于遮挡栅极线10和薄膜晶体管11的黑矩阵无需额外加宽，即可覆盖第一过孔501，进一步提升了阵列基板的开口率。

本发明实施例提供的阵列基板中，同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置，本发明在此示例性的提供了两个实施例，以说明公共电极线的具体设置方式。

公共电极线的第一种具体设置方式请继续参考图3，公共电极线50与数据线20同层设置。即为，公共电极线50全部设置在数据线20所在的导电层。在制作阵列基板的过程中，可以在同一工艺制程中同时形成公共电极线50和数据线20，提升了阵列基板的生产效率。

公共电极线的第二种具体设置方式请参考图5和图6，图5是本发明实施例提供的另一种阵列基板的平面结构示意图，图6是图5提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。图5沿用了图3的附图标记。本实施例提供的阵列基板中，公共电极线50包括多个走线部51和多个跨接部52；走线部51沿列方向延伸，且走线部51设置在相邻的两条栅极线10之间，走线部51与栅极线10同层设置；跨接部52与相邻的两个走线部51电连接；跨接部52与栅极线10交叉绝缘，跨接部52与数据线20同层设置。本实施例提供的阵列基板中，公共电极线50的部分结构走线部51与栅极线10同层设置，由于栅极线10沿行方向延伸，公共电极线50沿列方向延伸，为了防止公共电极线50和栅极线10相交，在栅极线对应的位置处设置了跨接部52，跨接部52将相邻的两个走线部51电连接。跨接部52与数据线20同层设置，因而跨接部52与栅极线10交叉绝缘。公共电极线50的多个走线部51和多个跨接部52形成了一个导电的通路，用于向公共电极40传输电信号。

具体的，请继续参考图5和图6，在一些可选的实施例中，相邻的两个走线部51包括第一走线部511和第二走线部512，第一走线部511和第二走线部512位于第一栅极线10的两侧；跨接部52通过第一跨接过孔521与第一走线部511电连接，跨接部52通过第二跨接过孔522与第二走线部512电连接；第一跨接过孔521与第二跨接过孔522位于栅极线10的两侧。可选的，跨接部52通过第一过孔501与公共电极线50电连接。

需要说明的是，公共电极线的具体设置方式有多种，本发明在此仅示例性了说明了两种公共电极线的具体设置方式。

在一些可选的实施例中，在本发明图5和图6所示的显示面板的基础上，为了进一步的提高阵列基板的开口率，第一走线部511可以与其相邻的数据线20部分交叠。具体的，请参考图7和图8，图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图，图8是图7提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。图7和图8示意了第一走线部511与其相邻的数据线20部分交叠的技术方案。在垂直于衬底基板00的x方向上，第一走线部511与其相邻的数据线20部分交叠。由于跨接部52与数据线20同层设置，因此在跨接部52的位置处，数据线20可以弯曲设置以避开跨接部52。可选的，具体的，请参考图9和图10，图9是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图，图10是图9提供的阵列基板的一种剖面结构示意图。图9和图10示意了第一走线部511与其相邻的数据线20完全交叠的技术方案。在垂直于衬底基板00的x方向上，第一走线部511与其相邻的数据线20部分交叠的另一种技术方案。可以理解的是，由于跨接部52与数据线20同层设置，因此在跨接部52的位置处，数据线20和第一走线部511中的至少一者需要弯曲设置，以使数据线20和跨接部52不会相交。第一走线部511的宽度可以和数据线20相同，在区域B中，数据线20完全覆盖第一走线部511。图7至图10所示的阵列基板中，第一走线部511可以与其相邻的数据线20部分交叠，可以进一步的节省阵列基板的空间，并且减小黑矩阵的覆盖面积，挺高阵列基板的开口率，提升显示品质。

需要说明的是，现有技术提供的阵列基板中，由于阵列基板的开口率较低，因而公共电极过孔的数量较少，以免进一步降低阵列基板的开口率。由于公共电极过孔的数量较少，公共电极的电压的均一性较差，进一步影响了显示品质。本发明实施例提供的阵列基板中，由于无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线，相对于现有技术，阵列基板的开口率较高。因而可以设置较多的第一过孔，第一过孔的数量越多，公共电极的电压越均一，显示品质越好。

可选的，请参考图5，第一过孔501设置在子像素区域30中。本发明实施例中第一过孔在子像素区域中的具体设置方式有多种，下面，本发明在此示例性的对第一过孔的具体设置方式进行说明。

在一些可选的实施例中，请参考图11，图11是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图。图11沿用了图3的附图标记。图11所示的阵列基板中，子像素区域30中均设置有第一过孔501。

在一些可选的实施例中，位于奇数行的子像素区域或者位于偶数行的子像素区域中设置有第一过孔。具体的，请参考图12，图12是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图。图12沿用了图3的附图标记。图12所示的阵列基板中，位于奇数行的子像素区域30a中设置有第一过孔501。

在一些可选的实施例中，位于奇数列的子像素区域或者位于偶数列的子像素区域中设置有第一过孔。具体的，请参考图13，图13是本发明实施例提供的又一种阵列基板的平面结构示意图。图13沿用了图3的附图标记。图13所示的阵列基板中，位于奇数列的子像素区域30b中设置有第一过孔501。

图11、图12、图13所示的实施例中，示意了第一过孔501的多种设置方式。由于本发明实施例提供的阵列基板中，无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线，相对于现有技术，阵列基板的开口率较高。因而可以设置较多的第一过孔，并且第一过孔设置的方式更加灵活，满足不同阵列基板的显示需求。

在一些可选的实施例中，请参考图4，阵列基板包括衬底基板00，以及设置在衬底基板上的栅极线10、数据线20、像素电极层和公共电极层；像素电极层中设置有像素电极31，公共电极层中设置有公共电极40，其中，像素电极层设置在公共电极层背离衬底基板的一侧。这种结构为middle-com结构，即为，公共电极层设置在衬底基板00和像素电极层之间。可选的，公共电极层设置在像素电极层背离衬底基板的一侧，具体的，请参考图14。图14与图4的区别之处在于，公共电极层设置在像素电极层背离衬底基板的一侧。

本发明还提供了一种显示面板，包括本发明提供的阵列基板。具体的，请参考图15，图15是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。可选的，本发明实施例提供的显示面板为液晶显示面板，包括本发明提供的阵列基板100、彩膜基板200和液晶层300。在其他可选的实现方式中，本发明提供的显示面板可以为有机发光二极管显示面板，本实施例对此不作具体限制。本发明提供的显示面板具有本发明提供的阵列基板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于阵列基板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。具体的，请参考图16，图16是本发明实施例提供的一种显示装置的平面结构示意图。图16提供的显示装置1000包括本发明上述任一实施例提供的显示面板100A。图16实施例仅以手机为例，对显示装置1000进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的一种阵列基板、显示面板和显示装置，至少达到了如下的有益效果：

本发明提供的阵列基板中，将公共电极线设置为沿列方向延伸，并且设置在相邻的两个子像素之间的区域。并且同一条公共电极线中，至少部分公共电极线与数据线同层设置。现有的生产工艺中，可以实现与数据线同层设置的至少部分公共电极线与数据线之间的距离较小，小于现有技术中公共电极线与栅极线之间的距离，因而无需设置较宽的黑矩阵以遮挡公共电极线，相对于现有技术，可以提高阵列基板的开口率，提升显示品质。

本发明提供的显示面板和显示装置具有本发明提供的阵列基板的有益效果。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多条并列设置、且沿行方向延伸的栅极线，多条并列设置、且沿列方向延伸的数据线；多条所述栅极线和多条所述数据线交叉绝缘定义出子像素区域；

公共电极和多条公共电极线，所述公共电极线与公共电极电连接；

所述公共电极线沿所述列方向延伸，所述公共电极线设置在相邻的两个所述子像素区域之间的区域；

同一条所述公共电极线中，至少部分所述公共电极线与所述数据线同层设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极与所述公共电极线通过第一过孔电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一过孔与所述栅极线之间的距离为d，0μm＜d≤20μm。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极线与所述数据线同层设置。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极线包括多个走线部和多个跨接部；

所述走线部沿所述列方向延伸，且所述走线部设置在相邻的两条所述栅极线之间，所述走线部与所述栅极线同层设置；

所述跨接部与相邻的两个所述走线部电连接；所述跨接部与所述栅极线交叉绝缘，所述跨接部与数据线同层设置。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述相邻的两个所述走线部包括第一走线部和第二走线部，所述第一走线部和所述第二走线部位于第一栅极线的两侧；

所述跨接部通过第一跨接过孔与所述第一走线部电连接，所述跨接部通过第二跨接过孔与所述第二走线部电连接；所述第一跨接过孔与所述第二跨接过孔位于所述栅极线的两侧。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述跨接部通过所述第一过孔与所述公共电极线电连接。

8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一过孔设置在所述子像素区域中。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

所述子像素区域中均设置有所述第一过孔。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

位于奇数行的所述子像素区域或者位于偶数行的所述子像素区域中设置有所述第一过孔。

11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

位于奇数列的所述子像素区域或者位于偶数列的所述子像素区域中设置有所述第一过孔。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极线、数据线、像素电极层和所述公共电极层；

其中，所述公共电极层设置在所述像素电极层背离所述衬底基板的一侧，或者所述像素电极层设置在所述公共电极层背离所述衬底基板的一侧。

13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的阵列基板。

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示面板。