CN111176042A - 阵列基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板、显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、多条数据线、多个像素电极。多条数据线包括相邻的第一数据线和第二数据线；多个像素电极括至少一个桥接像素电极，所述桥接像素电极在所述衬底基板的正投影位于所述第一数据线和第二数据线在所述衬底基板的正投影之间；其中，所述桥接像素电极靠近所述第一数据线的一侧设置有第一缺口，所述桥接像素电极靠近所述第二数据线的一侧设置有第二缺口。该阵列基板的桥接像素电极与两侧数据线具有相近的侧向场电容，从而减弱了桥接像素电极电压串扰(V‑crosstalk)的问题，改善了显示效果。

Description

阵列基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，LCD显示已经占据了显示行业的主导地位。而采用ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)结构的产品因具有宽视角、响应速度快和对比度高等优点成为了主流的显示模式。相关技术中，ADS结构的显示面板需要在部分像素电极上设置缺口，然而，该缺口会影响显示面板的显示效果。
需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示装置。该阵列基板能够提高显示面板的显示效果。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板、多条数据线、多个像素电极。多条数据线包括相邻的第一数据线和第二数据线；多个像素电极包括至少一个桥接像素电极，所述桥接像素电极在所述衬底基板的正投影位于所述第一数据线和第二数据线在所述衬底基板的正投影之间；其中，所述桥接像素电极靠近所述第一数据线的一侧设置有第一缺口，所述桥接像素电极靠近所述第二数据线的一侧设置有第二缺口。
本发明的一种示例性实施例中，所述桥接像素电极为多个，多个所述桥接像素电极包括位于相邻行的第一桥接像素电极和第二桥接像素电极，所述阵列基板还包括：多个公共子电极、公共连接线、连接电极。所述公共子电极与所述像素电极一一对应设置，相对应的所述公共子电极与所述像素电极在阵列基板的正投影至少部分重合；公共连接线用于电连接位于同一行的所述公共子电极；连接电极包括相连接的第一连接块和第二连接块，所述第一连接块在所述衬底基板的正投影位于所述第一桥接像素电极第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内，所述第二连接块在所述衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内。
本发明的一种示例性实施例中，所述第一连接块通过过孔和与所述第一桥接像素电极对应的公共子电极电连接，所述第二连接块通过过孔和一公共连接线电连接，该公共连接线电连接与所述第二桥接像素电极对应的公共子电极。
本发明的一种示例性实施例中，所述第一连接块通过过孔和与所述第一桥接像素电极对应的公共子电极电连接，所述第二连接块通过过孔和与所述第二桥接像素电极对应的公共子电极电连接。
本发明的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括沿第二方向延伸的数据线，所述公共连接线包括电连接的引线部、跨接部。引线部沿第一方向延伸；所述跨接部在所述衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极的第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内，且所述跨接部的在第二方向的宽度大于所述引线部在第二方向的宽度，所述第二连接块通过所述跨接部与所述公共连接线电连接。
本发明的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的栅线，所述所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极分别位于一所述栅线的两侧，所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极的第一缺口均靠近该栅线设置。
本发明的一种示例性实施例中，所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极位于同一列；所述阵列基板还包括栅线，所述栅线在所述衬底基板的正投影位于相邻行的所述公共子电极在所述衬底基板的正投影之间，所述栅线包括电连接的走线部、栅极部；栅极部在衬底基板的正投影位于相邻数据线在衬底基板的正投影之间，且所述栅极部的宽度大于所述走线部的宽度。
本发明的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述公共连接线与所述薄膜晶体管的栅极层同层设置；所述公共子电极设置于所述薄膜晶体管栅极层面向所述衬底基板的一侧；所述像素电极设置于所述薄膜晶体管源漏层背离所述衬底基板的一侧；所述阵列基板包括用于形成多种颜色子像素单元的像素电极，至少对应一种颜色的像素电极均为所述桥接像素电极。
本发明的一种示例性实施例中，同一列像素电极形成同一颜色的子像素单元，与第一颜色对应的像素电极设置为桥接像素电极，第一公共子电极与桥接像素电极对应设置；其中，位于同一行且相邻列的第一公共子电极分别通过所述连接电极与上一行公共子电极、下一行公共子电极连接。
根据本发明的一个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。
本公开提出一种阵列基板、显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、多条数据线、多个像素电极。多条数据线包括相邻的第一数据线和第二数据线；多个像素电极包括至少一个桥接像素电极，所述桥接像素电极在所述衬底基板的正投影位于所述第一数据线和第二数据线在所述衬底基板的正投影之间；其中，所述桥接像素电极靠近所述第一数据线的一侧设置有第一缺口，所述桥接像素电极靠近所述第二数据线的一侧设置有第二缺口。该阵列基板在桥接像素电极的两侧均设置缺口，从而使得桥接像素电极与两侧数据线具有相同的侧向场电容，进而避免了桥接像素电极电压串扰(V-crosstalk)的问题，改善了显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中一种阵列基板的结构示意图；
图2为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图；
图3为本公开阵列基板另一种示例性实施例的结构示意图；
图4为图3中虚线6处的剖视图；
图5为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图；
图6为图5的局部放大图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
如图1所示，为相关技术中一种阵列基板的结构示意图。该阵列基板包括多个阵列分布的像素电极(如图1中141、142)和公共子电极(如图1中111、112)，像素电极和公共子电极一一相对设置，相对应的像素电极和公共子电极在阵列基板上的正投影至少部分重合。位于同一行的公共子电极通过一公共连接线电连接，如图1所示，公共子电极111所在行的所有公共子电极通过公共连接线121电连接，公共子电极112所在行的所有公共子电极通过公共连接线122电连接。其中，位于相邻行的公共子电极111和112通过连接电极15电连接，连接电极15位于像素电极层，一端通过过孔与公共子电极111电连接，另一端通过过孔与公共连接线122电连接，从而连接相邻行的公共子电极。如图1所示，由于需要设置连接电极15，像素电极141的左下方和像素电极142的左上方需要设置相应的缺口，连接电极15可以在该缺口位置处通过过孔与公共子电极电连接。设置有缺口的像素电极可以称为桥接像素电极，桥接像素电极与左右两侧数据线161、162具有不同的侧向场电容，从而导致数据线上电压变化时，桥接像素电极存在电压串扰(V-crosstalk)、出现显示横纹等问题。
基于此，本示例性实施例提供一种阵列基板，如图2所示，为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图。该阵列基板包括：衬底基板401、多条数据线11、12、13、多个像素电极21、22、23、24。多条数据线沿第二方向X延伸，且包括相邻的第一数据线11和第二数据线12；多个像素电极包括桥接像素电极21，所述桥接像素电极21在所述衬底基板401的正投影位于所述第一数据线11和第二数据线12在所述衬底基板的正投影之间；其中，所述桥接像素电极21靠近所述第一数据线11的一侧设置有第一缺口211，所述桥接像素电极21靠近所述第二数据线12的一侧设置有第二缺口212。
该阵列基板在桥接像素电极的两侧均设置缺口，其中，第一缺口可以用于设置连接电极，第一缺口靠近第一数据线11设置，第二缺口靠近第二数据线12设置，从而使得桥接像素电极与两侧数据线具有相近的侧向场电容，进而减弱了桥接像素电极电压串扰(V-crosstalk)的问题，改善了显示效果。
其中，第一缺口和第二缺口的面积可以相等或相近。第二缺口可以设置于桥接像素电极靠近第二数据线12的任意位置，如图2所示，第二缺口可以设置于桥接像素电极的右上方，应该理解的是，第二缺口还可以设置于桥接像素电极的右下方等位置，第二缺口还可以为多个。
本示例性实施例中，如图3所示，为本公开阵列基板另一种示例性实施例的结构示意图。所述桥接像素电极可以为多个，多个所述桥接像素电极包括位于相邻行的第一桥接像素电极21和第二桥接像素电极22，所述阵列基板还可以包括：多个公共子电极(图3示例性的给出了公共子电极31、32)、连接电极4。所述公共子电极与所述像素电极一一对应设置，相对应的所述公共子电极与所述像素电极在衬底基板的正投影至少部分重合，例如，公共子电极31和第一桥接像素电极21对应设置，公共子电极32和第二桥接像素电极22对应设置，且位于同一行的所述公共子电极通过公共连接线电连接，例如，公共子电极31所在行的公共子电极通过公共连接线51电连接，公共子电极32所在行的公共子电极通过公共连接线52电连接。示例性的，公共连接线可以直接形成于公共子电极背离衬底基板的一侧，公共连接线直接和公共子电极搭接，从而将位于同一行的公共子电极电连接；或者在其他实施例中，公共连接线和公共子电极之间可以设置绝缘层，二者通过贯穿绝缘层的过孔电连接。连接电极4包括相连接的第一连接块41和第二连接块42，所述第一连接块41在所述衬底基板401的正投影位于所述第一桥接像素电极21的第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内，所述第二连接块42在所述衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极22的第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内。其中，连接电极4可以与所述像素电极同层，即通过同一构图工艺形成，材料相同，但不一定位于相同平面或相同高度。应该理解的是，在其他示例性实施例中，连接电极还可以位于其他导电层。
本示例性实施例中，如图4所示，为图3中虚线6处的剖视图。所述阵列基板可以包括：公共子电极31、32、公共连接线51、52、数据线11、第一绝缘层402、第二绝缘层403、连接电极4，公共子电极31、32设置于衬底基板401的一侧，公共连接线51、52设置于公共子电极31、32背离衬底基板401的一侧，第一绝缘层402位于公共连接线51、52背离衬底基板的一侧，数据线11设置于第一绝缘层402背离衬底基板的一侧，第二绝缘层403设置于数据线11背离衬底基板的一侧，连接电极4设置于第二绝缘层403背离衬底基板的一侧。该阵列基板可以包括薄膜晶体管，所述公共连接线51、52可以与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，即通过一次构图工艺形成；数据线11可以与薄膜晶体管的源漏极同层设置，即通过一次构图工艺形成。所述第一连接块41可以通过过孔和与所述第一桥接像素电极21对应的公共子电极31电连接，所述第二连接块42可以通过过孔和一公共连接线52电连接，该公共连接线52电连接与所述第二桥接像素电极42对应的公共子电极32。其中，像素电极层和公共电极层可以由氧化铟锡形成，氧化铟锡具有一定的透明度可以提高显示面板的出光率。栅极层可以由金属或合金形成，例如，栅极层可以由铜、铝、银等金属或其合金形成。由于金属的导电率一般大于氧化铟锡的导电率，通过公共连接线52连接第二连接块42和公共子电极32可以减小第二连接块42和公共子电极32之间的电阻，从而提高各个公共子电极上电压的均一性。
在其他示例性实施例中，所述第一连接块还可以通过过孔和与所述第一桥接像素电极对应的公共子电极电连接，所述第二连接块还可以直接通过过孔和与所述第二桥接像素电极对应的公共子电极电连接。这些都属于本公开的保护范围。
本示例性实施例中，如图3所示，所述公共连接线52可以包括电连接的：引线部521和跨接部522。引线部521可以沿第一方向Y延伸，所述跨接部522在衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极22的第一缺口范围内，且所述跨接部522在第二方向X的宽度大于所述引线部521在第二方向X的宽度，所述第二连接块42通过所述跨接部522与所述公共连接线52电连接。其中，设置较小宽度的引线部521可以减小引线部521和数据线之间的寄生电容。
本示例性实施例中，如图3所示，所述第一桥接像素电极21和所述第二桥接像素电极22可以位于同一列。所述第一桥接像素电极21和所述第二桥接像素电极22的第一缺口均靠近位于其之间的栅线设置。例如，如图3所示，第一桥接像素电极21的第一缺口设置于第一桥接像素电极21的左下方，第二桥接像素电极22的第一缺口设置于第二桥接像素电极22的左上方，连接电极可以在该缺口位置处通过过孔与公共子电极电连接。该设置可以减小连接电极的延伸长度，从而减小延伸电极和其他结构层之间产生的寄生电容。应该理解的是，在其他示例性实施例中，所述第一桥接像素电极21和所述第二桥接像素电极22可以位于不同列。所述第一桥接像素电极21的第一缺口和所述第二桥接像素电极22的第一缺口可以设置于其他位置。
本示例性实施例中，连接电极可以仅电连接部分公共子电极即可实现在列方向上电连接所有公共子电极。相应的，像素电极中仅需要将部分像素电极设置为上述的桥接像素电极(即设置有缺口的像素电极)，其他像素电极为正常像素电极(即没有设置缺口的像素电极)。本示例性实施例中，所述阵列基板可以包括对应多种颜色的像素电极，至少一种颜色的像素电极均为所述桥接像素电极。由于桥接像素电极与其他正常像素电极具有不同的面积，该设置将同一颜色子像素单元的像素电极均设置为桥接像素电极，可以使得同一颜色子像素单元的像素电极具有相同的面积，从而避免了同一颜色子像素单元发光不均匀。
本示例性实施例中，如图5所示，为本公开阵列基板一种示例性实施例的结构示意图，其中，501为栅线，502为数据线，栅线沿第一方向Y延伸，数据线沿第二方向X延伸。该阵列基板可以包括三种颜色的子像素单元，第n+1列像素电极位于第一颜色子像素单元，第n+2列像素电极位于第二颜色子像素单元，第n+3列像素电极位于第三颜色子像素单元。对应第一颜色的像素电极71位于第n+1列，像素电极71与公共子电极72对应设置。其中，像素电极71均为桥接像素电极。位于同一行且相邻列的公共子电极72分别通过所述连接电极73与上一行公共子电极、下一行公共子电极连接。如图5所示，第三行第一列的公共子电极72与第二行第一列的公共子电极72电连接，第三行第四列的公共子电极72与第四行第四列的公共子电极72电连接。本示例性实施例中，桥接像素电极可以位于同一种颜色的子像素单元，从而避免了同一颜色子像素单元发光不均匀。此外，由图5可以看出，连接电极沿第一方向Y和第二方向X间隔分布，第一方向Y可以行方向，第二方向X可以为列方向，在行方向上，相邻的连接电极位于不同列，在列方向上，相邻连接电极位于不同行，该设置可以避免由于公共子电极上的电荷沿同一列方向延伸，从而造成的公共子电极上电压不均匀的问题。
本示例性实施例中，如图5、6所示，图6为图5的局部放大图。所述阵列基板还包括栅线501，所述栅线501在衬底基板的正投影位于相邻行的所述公共子电极在衬底基板的正投影之间，所述栅线501包括走线部81、栅极部82，栅极部82在衬底基板的正投影位于相邻数据线502在衬底基板的正投影之间，且所述栅极部82的在数据线延伸方向的宽度大于所述走线部81在数据线在延伸方向的宽度。栅极部82可以形成控制像素开关的薄膜晶体管的栅极，如图6所示，该薄膜晶体管还包括有源层83、第一极85、第二极84，有源层83位于栅极部82背离所述衬底基板的一侧，且有源层83在衬底基板的正投影位于栅极部82在衬底基板的正投影上。有源层83包括沟道区、第一源漏接触部以及第二源漏接触部，薄膜晶体管的第一极85连接数据线502，且第一极85与第一源漏接触部在衬底基板的正投影至少部分重合，第一极85通过过孔与第一源漏接触部电连接；薄膜晶体管的第二极84电连接像素电极，且第二极84与第二源漏接触部在衬底基板的正投影至少部分重合，第二极84通过过孔与第二源漏接触部电连接。设置较小宽度的走线部81可以减小走线部81和数据线502之间的寄生电容。
本示例性实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板。该显示面板与上述的阵列基板具有相同的技术特征和工作原理，此处不再赘述。
本示例性实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。该显示装置可以为手机、电视、平板电脑等显示装置。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
多条数据线，包括相邻的第一数据线和第二数据线；
多个像素电极，包括至少一个桥接像素电极，所述桥接像素电极在所述衬底基板的正投影位于所述第一数据线和第二数据线在所述衬底基板的正投影之间；
其中，所述桥接像素电极靠近所述第一数据线的一侧设置有第一缺口，所述桥接像素电极靠近所述第二数据线的一侧设置有第二缺口。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述桥接像素电极为多个，多个所述桥接像素电极包括位于相邻行的第一桥接像素电极和第二桥接像素电极，所述阵列基板还包括：
多个公共子电极，所述公共子电极与所述像素电极一一对应设置，相对应的所述公共子电极与所述像素电极在阵列基板的正投影至少部分重合；
公共连接线，用于电连接所述公共子电极；
连接电极，包括相连接的第一连接块和第二连接块，所述第一连接块在所述衬底基板的正投影位于所述第一桥接像素电极第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内，所述第二连接块在所述衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一连接块通过过孔和与所述第一桥接像素电极对应的公共子电极电连接，所述第二连接块通过过孔和一公共连接线电连接，该公共连接线电连接与所述第二桥接像素电极对应的公共子电极。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接块通过过孔和与所述第一桥接像素电极对应的公共子电极电连接，所述第二连接块通过过孔和与所述第二桥接像素电极对应的公共子电极电连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿第二方向延伸的数据线，所述公共连接线包括电连接的：
引线部，沿第一方向延伸，所述第一方向与第二方向不同；
跨接部，所述跨接部在所述衬底基板的正投影位于所述第二桥接像素电极的第一缺口在所述衬底基板的正投影范围内，且所述跨接部的在第二方向的宽度大于所述引线部在第二方向的宽度，所述第二连接块通过所述跨接部与所述公共连接线电连接。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的栅线，所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极分别位于一所述栅线的两侧，所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极的第一缺口均靠近该栅线设置。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一桥接像素电极和所述第二桥接像素电极位于同一列；
所述阵列基板还包括沿第一方向延伸的栅线和沿第二方向延伸的数据线，所述第一方向与第二方向不同；
所述栅线在所述衬底基板的正投影位于相邻行的所述公共子电极在所述衬底基板的正投影之间，所述栅线包括电连接的：
走线部；
栅极部，在所述衬底基板的正投影位于相邻数据线在所述衬底基板的正投影之间，且所述栅极部在所述第二方向上的宽度大于所述走线部在所述第二方向上的宽度。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括，薄膜晶体管，所述公共连接线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；
所述公共子电极设置于所述薄膜晶体管栅极面向所述衬底基板的一侧；
所述像素电极设置于所述薄膜晶体管源漏极背离所述衬底基板的一侧；
所述阵列基板包括用于形成多种颜色子像素单元的像素电极，至少对应一种颜色的像素电极均为所述桥接像素电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，同一列像素电极形成同一颜色的子像素单元，与第一颜色对应的像素电极设置为桥接像素电极，第一公共子电极与桥接像素电极对应设置；
其中，位于同一行且相邻列的第一公共子电极分别通过所述连接电极与上一行公共子电极、下一行公共子电极连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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