CN109270754B - 阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板,包括设置在衬底上绝缘间隔的不同层的第一信号线和第二信号线,所述第一信号线的一端包括第一导电部,所述第二信号线的一端包括第二导电部,所述第一导电部和第二导电部通过连接结构电连接,所述第一导电部所在区域与所述第二导电部所在区域在所述衬底上的正投影至少部分重叠。相应地,本发明还提供一种显示装置。本发明能够减少信号线之间断路的发生,改善不同信号线之间的连接效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
在显示装置的制作过程中,为满足不同层信号线之间的电连接,经常需要在显示面板的周边位置设置转接结构,即在两层信号线之间的绝缘层上设置过孔,利用氧化铟锡(ITO)等连接结构将两层信号线相连,转接处的设计直接影响了电连接的质量。
图1是现有的两层信号线转接处的连接示意图,图2是图1沿AA线的剖示图。由于两层信号线11和12在衬底上的投影相对设置但互不重叠,因此,当信号线11或12上加载电信号时,两个信号线11和12相互靠近的一端会累积大量的静电荷,很容易发生尖端放电,进而在两个信号线11和12之间的间隙处产生静电击穿,导致连接结构13位于间隙处的部分发生断裂,一旦断裂,就容易导致两个信号线11和12之间发生断路,影响信号传输。因此,如何改善不同信号线之间的连接效果成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种阵列基板和显示装置,以减少信号线之间断路的发生,改善不同信号线之间的连接效果。
为了解决上述技术问题之一,本发明提供一种阵列基板,包括设置在衬底上绝缘间隔的不同层的第一信号线和第二信号线,所述第一信号线的一端包括第一导电部,所述第二信号线的一端包括第二导电部,所述第一导电部和第二导电部通过连接结构电连接,所述第一导电部所在区域与所述第二导电部所在区域在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
优选地,所述第二导电部位于所述第一导电部所在层上方,所述第一导电部所在层与所述第二导电部所在层之间设置有绝缘层,所述第二导电部所在层上方设置有钝化层,
所述连接结构通过同时贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一过孔与所述第一导电部相连,并通过贯穿钝化层的第二过孔与所述第二导电部相连。
优选地,所述第一过孔和所述第二过孔的数量均为多个,且所述第一过孔与所述第二过孔一一对应。
优选地,所述第一导电部在所述衬底上的正投影与所述第二导电部在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
优选地,所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二导电部在所述衬底上的正投影范围内,所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二导电部在所述衬底上的正投影范围外,且每个第一过孔的正投影与相应的第二过孔的正投影不重叠且相互邻接。
优选地,所述第二导电部包括至少一个贯穿所述第二导电部的狭缝,所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述狭缝在所述衬底上的正投影范围内,所述第二过孔在所述衬底上的投影位于所述狭缝在所述衬底上的正投影范围外,且每个第一过孔的正投影与相应的第二过孔的正投影不重叠且相互邻接。
优选地,所述狭缝在所述衬底上的正投影为矩形,且所述狭缝在所述衬底上的正投影覆盖多个第一过孔在所述衬底上的正投影。
优选地,所述第一导电部包括第一梳柄部和与该第一梳柄部相连的多个间隔设置的第一梳齿部,所述第一导电部所在区域为所述第一梳柄部、多个第一梳齿部以及第一梳齿部之间的间隔所在区域总和;
所述第二导电部包括第二梳柄部和与该第二梳柄部相连的多个间隔设置的第二梳齿部,所述第二导电部所在区域为所述第二梳柄部、多个第二梳齿部以及第二梳齿部之间的间隔所在区域总和;
所述第一梳齿部在所述衬底上的正投影与所述第二梳齿部在所述衬底上的正投影交替分布,所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一梳齿部在所述衬底上的正投影内,所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二梳齿部在所述衬底上的正投影内。
优选地,所述衬底包括显示区和环绕所述显示区的非显示区,所述第一信号线、所述第一导电部、所述第二信号线和所述第二导电部均设置在所述非显示区。
优选地,所述显示区设置有异层设置的栅线和数据线,所述第一信号线、所述第一导电部与所述栅线同层设置且材料相同,所述第二信号线、所述第二导电部与所述数据线同层设置且材料相同。
优选地,所述显示区还设置有电极层,所述电极层设置在所述数据线所在层上方,所述连接结构与所述电极层同层设置且材料相同。
优选地,所述连接结构的材料为透明导电材料。
相应地,本发明还提供一种显示装置,包括本发明提供的上述阵列基板。
在本发明中,第一导电部和第二导电部所在区域在衬底上的正投影有重叠,那么会有两种情况:一是第一导电部与第二导电部的在衬底上的正投影之间有交叠,这样可以避免尖端相对的现象,从而防止由于尖端放电而产生的静电击穿,进而减少连接结构断裂现象的发生;二是第一导电部和第二导电部均包括多个导电部分,当第一导电部的导电部分与第二导电部的导电部分在衬底上的正投影有交叠时,同样可以避免尖端相对现象;当第一导电部的导电部分和第二导电部的导电部分无交叠时,即使第一导电部的其中一个导电部分与第二导电部的一个导电部分断开,而第一导电部的其他导电部分与第二导电部的其他导电部分也是连接在一起的,从而减少了第一导电部和第二导电部完全断开的概率。因此,不论哪种方式都可以减少因尖端放电而导致的第一导电部与第二导电部断开的现象,保证第一信号线和第二信号线的电连接,进而改善显示装置的显示效果。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是现有技术中两层信号线转接处的连接示意图;
图2是图1沿A-A线的剖示图;
图3是本发明实施例中提供的第一导电部与第二导电部的第一种连接方式俯视图;
图4是图3沿B-B线的剖示图;
图5是本发明实施例中提供的第一导电部与第二导电部的第二种连接方式俯视图;
图6是图5沿C-C线的剖示图;
图7是本发明实施例中提供的第一导电部与第二导电部的第三种连接方式俯视图;
图8是图7沿D-D线的剖示图。
其中,附图标记为:
11、12:现有技术中的信号线;13:现有技术中的连接结构;
20:衬底;21:第一信号线;22:第二信号线;23:第一导电部;23a:第一梳柄部;23b、第一梳齿部;24:第二导电部;24a、第二梳柄部;24b、第二梳齿部;241:狭缝;25:本发明的连接结构;26:第一过孔;27:第二过孔;28:绝缘层;29:钝化层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
作为本发明的一方面,提供一种阵列基板,结合图3至图8所示,所述阵列基板包括设置在衬底20上绝缘间隔的不同层的第一信号线21和第二信号线22,第一信号线21的一端包括第一导电部23,第二信号线22的一端包括第二导电部24,第一导电部23和第二导电部24通过连接结构25电连接,第一导电部23所在区域与第二导电部24所在区域在衬底20上的正投影至少部分重叠。第一导电部23和第一信号线21可以为一体结构,第二导电部24和第二信号线22可以为一体结构。
其中,第一导电部23所在区域可以看作:以第一导电部23沿衬底20长度方向的尺寸为长、以第一导电部23沿衬底20宽度方向的尺寸为宽,形成的矩形区域;第二导电部24所在区域可以看作:以第二导电部24沿衬底20长度方向的尺寸为长、以第二导电部24沿衬底20宽度方向的尺寸为宽,形成的矩形区域。
在本发明中,第一导电部23和第二导电部24所在区域有重叠,那么会有两种情况:一是第一导电部23与第二导电部24在衬底20上的正投影之间有交叠,这样可以避免尖端相对的现象,从而防止由于尖端放电而产生的静电击穿,进而减少连接结构25断裂现象的发生;二是第一导电部23和第二导电部24均包括多个导电部分,当第一导电部23的导电部分与第二导电部24的导电部分在衬底20上的正投影有交叠时,同样可以避免尖端相对现象;当第一导电部23的导电部分和第二导电部24的导电部分无交叠时,即使第一导电部23的其中一个导电部分与第二导电部24的一个导电部分之间断开,而第一导电部23的其他导电部分与第二导电部24的其他导电部分也是连接在一起的,从而减少了第一导电部23和第二导电部24完全断开的概率。因此,不论哪种方式都可以减少因尖端放电而导致的第一导电部23与第二导电部24断开的现象,保证第一信号线21和第二信号线22的电连接。
其中,如图4、图6和图8所示,示意性地,第二导电部24位于第一导电部23所在层上方,第一导电部23所在层与第二导电部24所在层之间设置有绝缘层28,第二导电部24所在层上方设置有钝化层29。连接结构25通过同时贯穿钝化层29和绝缘层28的第一过孔26与第一导电部23相连,并通过贯穿钝化层29的第二过孔27与第二导电部24相连。连接结构25的材料可以为透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)等。
优选地,第一过孔26和第二过孔27的数量均为多个,从而增大连接结构25与第一导电部23以及第二导电部24的接触面积。为了便于设置多个第一过孔26和多个第二过孔27,可以使第一导电部23的宽度大于第一信号线21的宽度,第二导电部24的宽度大于第二信号线22的宽度。另外,第一过孔26与第二过孔27一一对应。
本发明尤其适用于阵列基板的显示区周边的转接。具体地,衬底20包括显示区和环绕所述显示区的非显示区,第一信号线21、第一导电部23、第二信号线22和第二导电部24均设置在所述非显示区。第一信号线21可以与显示区中的栅线相连,第二信号线22可以与驱动电路相连,从而为栅线提供扫描信号,当然第一信号线21和第二信号线22也可以用于其他信号的传输。下面结合图3至图8对第一导电部23和第二导电部24的几种具体连接方式进行介绍。
在图3至图6中,第一导电部23在衬底20上的正投影与第二导电部24在衬底20上的正投影至少部分重叠。即,第一导电部23和第二导电部24的导电本体是至少部分重叠的,从而防止出现尖端相对的现象,防止尖端放电,进而防止因尖端放电而导致的连接结构断开的现象发生。
实施例一
具体地,第一导电部23和第二导电部24的第一种连接方式如图3和图4所示,其中,第一导电部23在衬底20上的正投影的一部分(一半左右)位于第二导电部24在衬底20上的正投影范围内、另一部分位于第二导电部24在衬底20上的正投影之外。第二过孔27在衬底20上的正投影位于第二导电部24在衬底20上的正投影范围内,第一过孔26在衬底20上的正投影位于第二导电部24在衬底20上的正投影范围外,且每个第一过孔26的正投影与相应的第二过孔27的正投影不重叠且相互邻接。也就是说,第二过孔27位于第二导电部24边缘的上方,第一过孔26位于第一导电部23上方且靠近第二导电部24边缘的位置,从而使得第一过孔26和第二过孔27相连通形成为一个大的过孔,连接结构25可以通过这个大的过孔同时将第一导电部23和第二导电部24电连接。因此,与现有技术相比,在相同的面积内,本发明的有效导电面积增大,从而保证导电效果。
实施例二
第一导电部23和第二导电部24的第二种连接方式如图5和图6所示,第一导电部23在衬底20上的正投影的大部分或全部位于第二导电部24在衬底20上的正投影范围内。第二导电部24上包括至少一个贯穿第二导电部24的狭缝241,第一过孔26在衬底20上的正投影位于狭缝241在衬底20上的正投影范围内,第二过孔27在衬底上的投影位于狭缝241在衬底20上的正投影范围外,且每个第一过孔26的正投影与相应的第二过孔27的正投影不重叠且相互邻接。和图4中的设置方式相类似地,图6中的第一过孔26和第二过孔27也是相连通的,从而增大了有效导电面积。其中,在第二导电部24形成狭缝241后,可以便于第一过孔26的设置,并且,狭缝241还可以减少第一导电部23和第二导电部24之间的交叠电容。
本发明对狭缝241的形状没有特别限定,具体可以采用图5中的形状,狭缝241在衬底20上的正投影为矩形,且狭缝241在衬底20上的正投影覆盖多个第一过孔26在衬底20上的正投影。
另外,在实际应用中,当非显示区走线密集、空间紧张的情况下,可以采用图3设置方式,并将第一过孔26和第二过孔27设置的较大;当非显示区空间布局允许的情况下,可以采用图5的设置方式,使得第一导电部23和第二导电部24形成大面积的交叠,以便于设置多行多列第一过孔26和第二过孔27。
实施例三
第一导电部23和第二导电部24的第三种连接方式如图7和图8所示,为了清楚地看出第一导电部23和第二导电部24的结构以及二者的连接关系,在图7中将连接结构25以透明膜层表示,未进行图案填充。第一导电部23包括第一梳柄部23a和与该第一梳柄部23a相连的多个间隔设置的第一梳齿部23b,第一导电部23所在区域为第一梳柄部23a、多个第一梳齿部23b以及第一梳齿部23b之间的间隔所在区域总和。第二导电部24包括第二梳柄部24a和与该第二梳柄部24a相连的多个间隔设置的第二梳齿部24b,第二导电部24所在区域为第二梳柄部24a、多个第二梳齿部24b以及第二梳齿部24b之间的间隔所在区域总和。并且,第一梳齿部23b在衬底20上的正投影与第二梳齿部24b在衬底20上的正投影交替分布,第一过孔26在衬底20上的正投影位于第一梳齿部23b在衬底20上的正投影内,第二过孔27在所述衬底20上的正投影位于第二梳齿部24b在衬底20上的正投影内。
优选地,第一梳齿部23b和第二梳齿部24b在衬底20上的正投影可以部分重叠;如此,可以减少因尖端放电对连接结构25的损伤。当然,第一梳齿部23b和第二梳齿部24b在衬底20上的正投影也可以没有重叠,这时,即使连接结构25位于其中一个第一梳齿部23b和第二梳齿部24b之间的部分因尖端放电而断开时,其他第一梳齿部23b和第二梳齿部24b之间还是电连接的,并通过第一梳柄部23a和第二梳柄部24a使第一导电部23和第二导电部24电连接,从而减少第一导电部23和第二导电部24完全断开的情况发生,同时还可以避免双层叠加而形成较厚的孤岛。
通常,衬底20的显示区设置有异层设置的栅线和数据线(未示出),当第一信号线21、第二信号线22、第一导电部23和第二导电部24设置在非显示区时,可以将第一信号线21、第一导电部23与所述栅线同层设置,且三者材料相同(均采用诸如铜等金属);并且将第二信号线22、第二导电部24与所述数据线同层设置,且三者材料相同(均采用诸如铜等金属),从而使得第一信号线21、第一导电部23与栅线采用同一次构图工艺制作,第二信号线22、第二导电部24和数据线采用同一次构图工艺制作,以简化工艺过程。
显示区还设置有电极层,所述电极层设置在所述数据线所在层上方,连接结构25与所述电极层同层设置且材料相同,从而使得电极层与连接结构25同步制作,以简化工艺过程。具体地,显示区包括多个像素单元,每个像素单元中设置有薄膜晶体管,电极层包括与像素单元一一对应的像素电极。形成电极层和连接结构25的过程包括:在形成数据线、第二导电部24和第二信号线22后,形成覆盖显示区和非显示区的整层钝化层29;之后,通过光刻构图工艺同时形成对应于薄膜晶体管的漏极的像素电极过孔、对应于第一导电部23的第一过孔26、对应于第二导电部24的第二过孔27;之后,形成透明导电材料层,并对该透明导电材料层进行光刻构图工艺,以形成包括像素电极和连接结构25的图形。
作为本发明的另一方面,提供一种显示装置,包括上述阵列基板。所述显示装置可以为电子纸、有机电致显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由于所述阵列基板可以减少因尖端放电导致的连接结构断开的现象,因此,使用所述阵列基板的显示装置的信号传输效果更好,显示质量更高。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板,包括设置在衬底上绝缘间隔的不同层的第一信号线和第二信号线,所述第一信号线的一端包括第一导电部,所述第二信号线的一端包括第二导电部,所述第一导电部和第二导电部通过连接结构电连接,其特征在于,
第二导电部位于所述第一导电部所在层上方,所述第一导电部所在层与所述第二导电部所在层之间设置有绝缘层,所述第二导电部所在层上方设置有钝化层,所述连接结构通过同时贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一过孔与所述第一导电部相连,并通过贯穿钝化层的第二过孔与所述第二导电部相连;
所述第一导电部包括第一梳柄部和与该第一梳柄部相连的多个间隔设置的第一梳齿部,所述第一导电部所在区域为所述第一梳柄部、多个第一梳齿部以及第一梳齿部之间的间隔所在区域总和;
所述第二导电部包括第二梳柄部和与该第二梳柄部相连的多个间隔设置的第二梳齿部,所述第二导电部所在区域为所述第二梳柄部、多个第二梳齿部以及第二梳齿部之间的间隔所在区域总和;
所述第一梳齿部在所述衬底上的正投影与所述第二梳齿部在所述衬底上的正投影交替分布,所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一梳齿部在所述衬底上的正投影内,所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二梳齿部在所述衬底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔和所述第二过孔的数量均为多个,且所述第一过孔与所述第二过孔一一对应。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电部在所述衬底上的正投影与所述第二导电部在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底包括显示区和环绕所述显示区的非显示区,所述第一信号线、所述第一导电部、所述第二信号线和所述第二导电部均设置在所述非显示区。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区设置有异层设置的栅线和数据线,所述第一信号线、所述第一导电部与所述栅线同层设置且材料相同,所述第二信号线、所述第二导电部与所述数据线同层设置且材料相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区还设置有电极层,所述电极层设置在所述数据线所在层上方,所述连接结构与所述电极层同层设置且材料相同。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述连接结构的材料为透明导电材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。
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CN117916884A (zh) * | 2022-07-14 | 2024-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093736A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Ips阵列基板及其制作方法、显示器件 |
CN106462018A (zh) * | 2016-08-09 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法和修复方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4777500B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2011-09-21 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびそれを用いた表示装置ならびにアレイ基板の製造方法 |
KR101542394B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2015-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101981279B1 (ko) * | 2011-09-05 | 2019-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TWI440186B (zh) | 2011-09-23 | 2014-06-01 | E Ink Holdings Inc | 驅動基板及使用其之顯示裝置 |
JP2013218126A (ja) | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Japan Display Inc | 表示装置 |
JP6278633B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置およびその製造方法 |
CN103472646B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
JP6335652B2 (ja) * | 2014-05-27 | 2018-05-30 | 三菱電機株式会社 | 表示装置、薄膜トランジスタの製造方法 |
JP6463065B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2019-01-30 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびこれを備える液晶表示パネルならびにアレイ基板の検査方法 |
CN204481026U (zh) | 2015-04-17 | 2015-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
KR102436641B1 (ko) * | 2015-10-23 | 2022-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
US9772708B2 (en) * | 2015-12-18 | 2017-09-26 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with asymmetric masking layer |
US10025410B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-07-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
US10067585B2 (en) * | 2015-12-28 | 2018-09-04 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with multilayered capacitor |
CN105607361A (zh) | 2015-12-30 | 2016-05-25 | 上海中航光电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093736A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Ips阵列基板及其制作方法、显示器件 |
CN106462018A (zh) * | 2016-08-09 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制造方法和修复方法 |
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US11282868B2 (en) | 2022-03-22 |
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