CN101539701B - 液晶显示装置 - Google Patents

液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101539701B
CN101539701B CN2009101285591A CN200910128559A CN101539701B CN 101539701 B CN101539701 B CN 101539701B CN 2009101285591 A CN2009101285591 A CN 2009101285591A CN 200910128559 A CN200910128559 A CN 200910128559A CN 101539701 B CN101539701 B CN 101539701B
Authority
CN
China
Prior art keywords
above
mentioned
pixel
signal line
side
Prior art date
Application number
CN2009101285591A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101539701A (zh
Inventor
前出优次
佐藤贵夫
Original Assignee
株式会社日立显示器
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2008070579 priority Critical
Priority to JP2008070579A priority patent/JP2009223245A/ja
Priority to JP2008-070579 priority
Application filed by 株式会社日立显示器 filed Critical 株式会社日立显示器
Publication of CN101539701A publication Critical patent/CN101539701A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101539701B publication Critical patent/CN101539701B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Abstract

一种液晶显示装置,像素电极在覆盖栅极信号线而形成的第一绝缘膜上由各像素区域内形成的面状的透明导电膜构成,对置电极在覆盖像素电极而形成的第二绝缘膜上由具备与像素电极重叠配置的多个排列的线状部和连接线状部的端部的框部的透明导电膜构成,在将以栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像素时,第一像素的像素电极的栅极信号线一侧的边与栅极信号线的第一像素一侧的边重叠而形成,第二像素的像素电极的栅极信号线一侧的边与栅极信号线的第二像素一侧的边重叠而形成,第一像素的对置电极的栅极信号线一侧的框部和第二像素的对置电极的栅极信号线一侧的框部在栅极信号线上跨栅极信号线而共用形成。能提高像素的开口率。

Description

液晶显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及液晶显示装置,特别涉及被称为IPS(In PlaneSwitching,横向电场效 应)方式的液晶显示装置。

背景技术

[0002] 作为这样的液晶显示装置,众所周知有如下液晶显示装置:在夹持液晶而相对配 置的一对基板中的一块基板的液晶一侧的面的像素区域内具备:在其大致整个区域由透明 导电膜构成的面状的第一电极;和由在覆盖该第一电极而形成的绝缘膜的上面与该第一电 极重叠而排列的多个透明导电膜构成的线状的第二电极。

[0003] 在第一电极与第二电极之间,利用还包括与基板平行的成分的电场来驱动液晶的 分子,所以所谓的宽视场角优异,并且电极都是由透明导电膜形成的,所以也能获得开口率 优异的效果。

[0004] 另外,这样的液晶显示装置通常通过所谓的有源矩阵方式进行驱动。即,该液晶显 示装置将由相邻的一对栅极信号线与相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为像素区域, 并在该像素区域内具备:通过来自栅极信号线的信号导通的薄膜晶体管;经由该导通的薄 膜晶体管而被供给来自漏极信号线的信号的像素电极;以及使其与该像素电极之间产生驱 动液晶的电场的对置电极。

[0005] 在该情况下,公知将上述第一电极作为像素电极并将第二电极作为对置电极而发 挥功能的结构、或者将上述第一电极作为像素电极并将第二电极作为像素电极而发挥功能 的结构。

[0006] 例如在下述专利文献1中公开出这样的液晶显示装置。

[0007]专利文献 1 :W001/018597

发明内容

[0008] 但是,在上述液晶显示装置中,需要向像素电极针对每个像素独立地供给图像信 号,该像素的像素电极和与该像素相邻配置的另一个像素的像素电极是以电气且物理分离 的图案形成的。

[0009] 但是,由于该像素电极是在与画出该像素的栅极信号线或漏极信号线之间具有间 隙(与栅极信号线或漏极信号线不重叠)而配置的,所以例如在向栅极信号线供给信号的 情况下,发生从该栅极信号线到以该栅极信号线的两侧的各像素电极为终端的电力线。

[0010] 该电力线在上述栅极信号线的周围发生成为所谓光漏的原因的电场,所以在隔着 液晶相对的基板侧形成充分地覆盖上述栅极信号线的黑矩阵(遮光膜)。

[0011] 在该情况下,该黑矩阵由于其宽度大于上述栅极信号线的宽度,所以妨碍像素开 口率的提高,而期望其解决对策。

[0012] 本发明的目的在于提供一种提高开口率的液晶显示装置。

[0013] 简单地说明本申请公开的发明中的代表性的发明的概要,则如下所述。[0014] (1) 一种液晶显示装置,具有夹着液晶对置配置的第一基板和第二基板,其特征在 于,

[0015] 在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线,

[0016] 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线包围的区域作为一个像 素的像素区域时,

[0017] 上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面中具备:利用来自上述栅极信号线 的信号导通的薄膜晶体管;经由上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像 素电极;以及使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极,

[0018] 上述像素电极是在覆盖上述栅极信号线而形成的第一绝缘膜上,由各像素区域内 形成的面状的透明导电膜构成的,

[0019] 上述对置电极是在覆盖上述像素电极而形成的第二绝缘膜上,由具备与上述像素 电极重叠配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明导电膜构成的,

[0020] 在将以上述栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像 素时,

[0021] 上述第一像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的边是与上述栅极信号线的上 述第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的边 是与上述栅极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,

[0022] 上述第一像素的对置电极的上述栅极信号线一侧的框部和上述第二像素的对置 电极的上述栅极信号线一侧的框部是在上述栅极信号线上跨上述栅极信号线而共用地形 成的。

[0023] (2)在(1)中,其特征在于,在上述第二基板上具备与上述栅极信号线重叠配置的 遮光膜,上述遮光膜的宽度被设定为比上述栅极信号线的宽度小。

[0024] (3)在(1)中,其特征在于,在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分 别作为一方像素和另一方像素时,

[0025] 上述一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是与上述漏极信号线的上 述一个像素一侧的边重叠而形成的,上述另一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的 边是与上述漏极信号线的上述另一个像素一侧的边重叠而形成的,

[0026] 上述一方像素的对置电极的上述漏极信号线一侧的框部和上述另一方像素的对 置电极的上述漏极信号线一侧的框部是在上述漏极信号线上跨上述漏极信号线而共用地 形成的。

[0027] (4) 一种液晶显示装置,具有夹着液晶对置配置的第一基板和第二基板,其特征在 于,

[0028] 在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线,

[0029] 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线包围的区域作为一个像 素的像素区域时,

[0030] 上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面中具备:利用来自上述栅极信号线 的信号导通的薄膜晶体管;经由上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像 素电极;以及使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极,

[0031] 上述对置电极是在覆盖上述栅极信号线而形成的第一绝缘膜上,由至少跨越上述

6栅极信号线而直至相邻的像素为止形成的面状的透明导电膜构成的,

[0032] 上述像素电极是在覆盖上述对置电极而形成的第二绝缘膜上的各像素区域内,由 具备与上述对置电极重叠配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透 明导电膜构成的,

[0033] 在将以上述栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像 素时,

[0034] 上述第一像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的框部是与上述栅极信号线的 上述第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的 框部是与上述栅极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的。

[0035] (5)在(4)中,其特征在于,在上述第二基板中具备与上述栅极信号线重叠配置的 遮光膜,上述遮光膜的宽度被设定为比上述栅极信号线的宽度小。

[0036] (6)在(4)中,其特征在于,在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分 别作为一方像素和另一方像素时,

[0037] 上述一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框部是与上述漏极信号线的 上述一个像素一侧的边重叠而形成的,上述另一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧 的边是与上述漏极信号线的上述另一个像素一侧的边重叠而形成的。

[0038] (7) 一种液晶显示装置,具有夹着液晶对置配置的第一基板和第二基板,其特征在 于,

[0039] 在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线,

[0040] 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个 像素的像素区域时,

[0041] 上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面中具备:利用来自上述栅极信号线 的信号导通的薄膜晶体管;经由上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像 素电极;以及使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极,

[0042] 上述像素电极是在覆盖上述漏极信号线而形成的第一绝缘膜上,由各像素区域内 形成的面状的透明导电膜构成的,

[0043] 上述对置电极是在覆盖上述像素电极而形成的第二绝缘膜上,由具备与上述像素 电极重叠配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明导电膜构成的,

[0044] 在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像 素时,

[0045] 上述第一像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是与上述漏极信号线的上 述第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边 是与上述漏极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,

[0046] 上述第一像素的对置电极的上述漏极信号线一侧的框部和上述第二像素的对置 电极的上述漏极信号线一侧的框部是在上述漏极信号线上跨上述漏极信号线而共用地形 成的。

[0047] (8) 一种液晶显示装置,具有夹着液晶对置配置的第一基板和第二基板,其特征在 于,

[0048] 在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线,[0049] 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个 像素的像素区域时,

[0050] 上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面中具备:利用来自上述栅极信号线 的信号导通的薄膜晶体管;经由上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像 素电极;以及使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极,

[0051] 上述对置电极是在覆盖上述漏极信号线而形成的第一绝缘膜上,由至少跨越上述 漏极信号线而直至相邻的像素为止形成的面状的透明导电膜构成的,

[0052] 上述像素电极是在覆盖上述对置电极而形成的第二绝缘膜上的各像素区域内,由 具备与上述对置电极重叠配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透 明导电膜构成的,

[0053] 在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像 素时,

[0054] 上述第一像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框部是与上述漏极信号线的 上述第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的 框部是与上述漏极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的。

[0055] 另外,本发明不限于以上的结构,可以在不脱离本发明的技术思想的范围内进行 各种变更。另外,上述结构以外的本发明的结构的例子根据本申请说明书整体的记载或附 图将更加明确。

[0056] 根据本发明的液晶显示装置,能够实现开口率的提高。

[0057] 对于本发明的其他效果,根据说明书全体的记载将更加明确。

附图说明

[0058] 图1是示出本发明的液晶显示装置的实施例1中的主要部分的剖视图。

[0059] 图2是示出本发明的液晶显示装置的概略的俯视图。

[0060] 图3是本发明的液晶显示装置的实施例1中的像素的俯视图。

[0061] 图4A〜图4B是图3的IV(a)-IV(a)线处的剖视图、IV(b)-IV(b)线处的剖视图。

[0062] 图5是本发明的液晶显示装置的实施例2中的像素的俯视图。

[0063] 图6是图5的VI-VI线处的剖视图。

[0064] 图7A〜图7B是图5的VII(a)-VII(a)线处的剖视图、VII(b)_VII(b)线处的剖 视图。

具体实施方式

[0065] 参照附图说明本发明的实施例。另外,在各图以及各实施例中,对同一或类似的结 构要素附加相同标号,省略说明。

[0066] <实施例1>

[0067](整体的结构)

[0068] 图2是示出本发明的液晶显示装置的一个实施例的整体结构图。

[0069] 在图2中,液晶显示装置如下这样构成:将彼此相对配置的一对例如由玻璃构成 的基板SUB1、基板SUB2作为外围器,在该基板SUB1、基板SUB2之间夹持有液晶(未图示)。该液晶被兼作固定基板SUBl与基板SUB2的密封材料SL而封入,由该密封材料SL所包围 的区域构成显示区域AR。

[0070] 基板SUBl与基板SUB2相比,其面积形成得较大,例如在图中左侧边部以及上侧边 部处具有从上述基板SUB2露出的区域。在基板SUBl的左侧边部的上述区域安装有多个排 列的半导体装置SCN(V),在基板SUBl的上述上侧边部的区域安装有多个排列的半导体装 置SCN(He)。多个上述半导体装置SCN(V)构成扫描信号驱动电路并与后述的栅极信号线 GL连接,多个上述半导体装置SCN(He)构成图像信号驱动电路并与后述的漏极信号线DL连 接。

[0071] 在基板SUBl的液晶一侧的面且上述显示区域AR内,形成有沿着图中χ方向延伸 且沿着y方向排列的栅极信号线GL,而且形成有沿着图中y方向延伸且沿着χ方向排列的 漏极信号线DL。

[0072] 由相邻的一对栅极信号线GL与相邻的一对漏极信号线DL所包围的矩形形状的 区域构成形成像素的区域,由此,各像素在显示区域AR中配置成矩阵状。上述各栅极信号 线GL的左侧端部超过密封材料SL而延伸至显示区域AR的外侧,与接近的上述半导体装置 SCN(V)的输出端子连接,由该半导体装置SCN(V)提供扫描信号(电压)。上述各漏极信号 线DL的上侧端部超过密封材料SL而延伸至显示区域AR的外侧,与接近的上述半导体装置 SCN(He)的输出端子连接,由该半导体装置SCN(He)提供图像信号(电压)。

[0073] 例如如图中圆框P的放大图即圆框P’所示的那样,上述像素具备:被来自栅极信 号线GL的扫描信号导通的薄膜晶体管TFT、经由该导通的薄膜晶体管TFT而被供给来自漏 极信号线DL的图像信号的像素电极PX、以及被施加基准信号(电压)并通过与上述像素电 极PX之间的电位差来产生电场的对置电极CT。像素电极PX与对置电极CT都形成在相同 的基板SUBl上,上述电场的一部分包括与基板SUBl的表面平行的电场成分,所以将利用这 样的电场来驱动液晶分子的电场称为横向电场(In Plane Switching)方式。另外,上述对 置电极CT通过与栅极信号线GL平行配置的对置电压信号线CL而被施加上述基准信号,该 对置电压信号线CL超过上述密封材料SL而延伸,与形成在基板SUBl面上的对置电压端子 CTM相连接。

[0074] 在上述的实施例中,上述扫描信号驱动电路V、图像信号驱动电路He是安装于基 板SUBl上而构成的。但是,并不限于此,也可以构成为使以所谓的载带(tape carrier)方 式构成的半导体装置(在挠性基板上安装有半导体芯片的半导体装置)跨在上述基板SUBl 与未图示的印刷电路板之间而配置。

[0075](像素的结构)

[0076] 图3是示出形成在上述基板SUBl上的像素结构的一个实施例的俯视图。另外, 图1示出图3的I-I线处的剖视图,图4A示出IV(a)-IV(a)线处的剖视图,图4B示出 IV(b)-IV(b)线处的剖视图。另外,在图1中与基板SUB2 —起示出截面。

[0077] 首先,在图3中,在基板SUBl的液晶一侧的面(表面)上,沿着y方向排列而形成 了沿着图中X方向伸长的栅极信号线GL。在由这些各栅极信号线GL和后述的漏极信号线 DL所包围的区域内构成像素区域。

[0078] 而且,在基板SUBl的表面,以覆盖上述栅极信号线GL的方式形成有绝缘膜GI (参 照图1、图4A〜图4B)。该绝缘膜GI在后述的薄膜晶体管TFT的形成区域内作为该薄膜晶体管TFT的栅极绝缘膜发挥功能,用与其对应的膜厚来设定。

[0079] 在上述绝缘膜GI的上面、且与上述栅极信号线GL的一部分重叠的位置处,形成有 例如由非晶硅构成的非晶质的半导体层AS。该半导体层AS成为上述薄膜晶体管TFT的半 导体层。

[0080] 另外,形成有沿着图中y方向伸长且沿着χ方向排列的漏极信号线DL。该漏极信 号线DL在与上述栅极信号线GL的交叉部中,使栅极信号线GL向上述薄膜晶体管TFT的形 成区域侧延伸,该延伸部直至上述半导体层AS的上面而构成该薄膜晶体管TFT的漏电极 DT。

[0081 ] 另外,在上述半导体层AS上与上述漏电极DT对置形成有与该漏极信号线DL以及 漏电极DT同时形成的源电极ST。上述源电极ST从该半导体层AS向像素区域侧延伸,该延 伸部具有焊盘部PD。该焊盘部PD成为与后述的像素电极PX电连接的部分,并用比上述源 电极ST在半导体层AS上的部分大的面积形成。

[0082] 由此,上述薄膜晶体管TFT构成以栅极信号线GL的一部分为栅电极的所谓反交错 结构的MIS(Metal Insulator Semiconductor,金属绝缘体半导体)型的晶体管。

[0083] 在基板SUBl的表面,覆盖上述薄膜晶体管TFT而形成有例如由无机绝缘膜PASi 与有机绝缘膜PASo的依次层叠体构成的保护膜PAS。通过将保护膜PAS的上层作为有机绝 缘膜PASo,使保护膜PAS的表面平坦化。

[0084] 另外,在上述保护膜PAS的上面,例如利用ITO (Indium TinOxide :氧化铟锡)等 透明导电膜形成像素电极PX。该像素电极PX构成为在每个像素中覆盖像素区域的大致整 个区域而形成的面状电极。在该情况下,上述像素电极PX的图中上侧的边形成为与位于该 像素的图中上侧处的栅极信号线GL的该像素一侧的边重叠(图中用ovr表示),图中下侧 的边形成为与位于该像素的图中下侧处的栅极信号线GL的该像素一侧的边重叠(图中用 ovr表示)。由此,如图1所示,在栅极信号线GL中,在与其行进方向平行的各边中的一个 边上重叠形成有该像素的像素电极PX (图中用ovr表示),在另一个边上重叠形成有以上述 栅极信号线GL为界与该像素相邻的另一个像素的像素电极PX(图中用ovr表示)。另外, 返回到图3,上述像素电极PX的图中左侧的边形成为与位于该像素电极PX的图中左侧处的 漏极信号线DL的该像素电极PX侧的边重叠(图中用ovr’表示),图中右侧的边形成为与 位于该像素的图中右侧处的漏极信号线DL的该像素一侧的边重叠(图中用ovr’表示)。 由此,如图4B所示,在漏极信号线DL中,在与其行进方向平行的各边中的一个边上重叠形 成有该像素的像素电极PX(图中用ovr’表示),在另一个边上重叠形成有以上述漏极信号 线DL为界而与该像素相邻的另一个像素的像素电极PX(图中ovr’表示)。

[0085] 另外,上述像素电极PX通过以使上述薄膜晶体管TFT的源电极ST的焊盘部PD露 出的方式形成的保护膜PAS的贯通孔TH (参照图4A),与上述焊盘部PD电连接。

[0086] 在基板SUBl的表面,覆盖上述像素电极PX而形成有例如由无机绝缘膜构成的绝 缘膜IN(参照图1、图4A〜图4B)。该绝缘膜IN作为用于在上述像素电极PX与形成于上 述绝缘膜IN的上面的后述的对置电极CT之间形成保持电容的电介质膜而发挥功能。

[0087] 上述对置电极CT例如由IT0(Indium Tin Oxide)等透明导电膜构成。而且,由与 上述像素电极PX重叠而排列的多个线状电极构成。即,上述对置电极CT是通过在从该像 素跨栅极信号线GL以及漏极信号线DL而直至相邻像素而形成的透明导电膜上针对每个像

10素区域设置所排列的多个狭缝SLT而形成的。此处,每个像素区域内的对置电极CT成为将 所排列的多个线状电极与其周围相互连接的框部CT(FR)、CT(FR’ ) 一体连接的形状。

[0088] 另外,返回到图3,上述对置电极CT的图中上侧的上述框部CT(FR)成为与以图 中上侧的栅极信号线GL为界而相邻的另一个像素的对置电极CT的图中下侧的上述框部 CT(FR)共用,该共用的框部CT (FR)形成为至少与上述栅极信号线GL重叠。另外,上述对置 电极CT的图中下侧的上述框部CT(FR)成为与以图中下侧的栅极信号线GL为界而相邻的 另一个像素的对置电极CT的图中上侧的上述框部CT (FR)共用,该共用的框部CT (FR)形成 为至少与上述栅极信号线GL重叠。由此,对置电极CT的上述框部CT(FR)被配置成如图1 所示那样,在栅极信号线GL的上方覆盖以该栅极信号线GL为界而彼此相邻的各像素的像 素电极PX的分离部,并与各个像素电极PX具有重叠部ovr。

[0089] 由此,如由图1可知,上述栅极信号线GL形成为在其附近,被像素电极PX和对置 电极CT完全覆盖的结构。因此,以栅极信号线GL为始点而发生的电力线的全部以像素电 极PX或对置电极CT为终端,而直至液晶LC侧的层。因此,栅极信号线GL的附近处的液晶 完全不会受到由于来自上述栅极信号线GL的电力线而引起的影响,而在各像素中直到与 上述栅极信号线GL接近的区域中,能够正常地驱动液晶LC的分子。另外,来自相邻的像素 的像素电极PX的电力线也能够以在与该像素电极PX之间具有重叠部ovr的对置电极CT 为终端,所以也能够抑制由来自相邻的像素的像素电极的电力线而引起的影响。因此,能够 构成为使在基板SUB2侧与上述栅极信号线GL重叠形成的黑矩阵(遮光膜)BM的宽度w形 成得比以往更窄,能够提高像素的开口率。在该情况下,在上述实施例中,由于构成为使像 素电极PX与对置电极CT的重叠部ovr在栅极信号线GL上定位,所以上述黑矩阵BM的宽 度w能够构成为小于栅极信号线GL的宽度W。另外,在图1中,示出了在基板SUB2的液晶 一侧的面上以上述黑矩阵BM为界而相邻的各个像素区域内形成有滤色器FIL的结构。

[0090] 另外,在栅极信号线GL的上方,形成像素电极PX与对置电极CT的上述重叠部 ovr,从而能够与栅极信号线GL接近地形成对置电极CT的上述狭缝SLT的端部,能够扩大 作为电极的区域,所以从该观点来看,也能够实现像素的开口率的提高。

[0091] 另外,返回到图3,上述对置电极CT的图中左侧的上述框部与以图中左侧的漏极 信号线DL为界而相邻的另一个像素的对置电极CT的图中右侧的上述框部共用,该共用的 框部CT(FR’)形成为至少与上述漏极信号线DL重叠。另外,上述对置电极CT的图中右侧 的上述框部CT(FR’ )与以图中右侧的漏极信号线DL为界而相邻的另一个像素的对置电极 CT的图中左侧的上述框部CT(FR’)共用,该共用的框部CT(FR’)形成为至少与上述漏极信 号线DL重叠。由此,对置电极CT的上述框部CT(FR’ )被配置成如图4B所示,在漏极信号 线DL的上方覆盖以该漏极信号线DL为界而彼此相邻的各像素的像素电极PX的分离部,与 各个像素电极PX具有重叠部ovr’。

[0092] 由此,如由图4B可知,上述漏极信号线DL构成为在其附近,被像素电极PX和对置 电极CT完全覆盖的结构。因此,以漏极信号线DL为始点而发生的电力线的全部以像素电 极PX或对置电极CT为终端,而直至液晶LC侧的层。另外,来自相邻的像素的像素电极PX 的电力线也能够以在与该像素电极PX之间具有重叠部ovr’的对置电极CT为终端,所以也 能够抑制由来自相邻的像素的像素电极的电力线而产生的影响。因此,漏极信号线DL的附 近处的液晶不会受到由来自上述漏极信号线DL的电力线而产生的影响,而在各像素中直到与上述漏极信号线DL接近的区域中正常地驱动液晶LC的分子。因此,虽然在图4B中未 图示,但在基板SUB2侧存在与上述漏极信号线DL重叠形成的黑矩阵(遮光膜)BM的情况 下,能够使其宽度形成为比以往更窄,能够提高像素的开口率。在该情况下,由于构成为使 像素电极PX与对置电极CT的重叠部能够在漏极信号线DL上定位,所以上述黑矩阵BM的 宽度能够构成为小于漏极信号线DL的宽度。

[0093] 在图3所示的像素中,其薄膜晶体管TFT是将半导体作为非晶质(非晶, amorphous)的晶体管,但也可以具备由被称为所谓多晶硅的半导体层构成的薄膜晶体管 TFT。其在后述的实施例中也相同。

[0094] 另外,图3所示的像素在基板SUB2侧与漏极信号线DL重叠而形成了黑矩阵BM,但 该黑矩阵BM也可以与漏极信号线DL重叠而形成。其在后述的实施例中也相同。

[0095] 另外,图3所示的像素与栅极信号线GL的情况同样地形成为,即使在漏极信号线 DL侧,使以该漏极信号线DL为界而相邻的像素各自的像素电极PX与上述漏极信号线DL重 叠,并在对置电极CT中覆盖上述漏极信号线DL。但是,对于这样的结构,也可以在栅极信号 线GL侧采用,而在漏极信号线DL侧不采用。其原因为漏极信号线DL的宽度相对于栅极信 号线GL的宽度极其窄。其在后述的实施例中也相同。相反,对于本实施例中说明的结构, 也可以在栅极信号线GL侧不采用,而在漏极信号线DL侧采用。

[0096] 另外,在实施例1说明的像素的结构中,为了简单地说明,省略了在基板SUB1、基 板SUB2各自的液晶一侧成为最上层的取向膜。其在后述的实施例中也相同。

[0097] <实施例2>

[0098] 图5是说明本发明的第二实施例的液晶显示装置的一个例子的俯视图,成为与图 3对应的图。另夕卜,图6示出图5的VI-VI线处的剖视图,图7A示出VII (a)-VII (a)线处的 剖视图,图7B示出VII (b)-VII (b)线处的剖视图。另外,在图6中,与基板SUB2 —起示出 截面。

[0099] 与图3的情况相比较大的不同的结构在于,像素电极PX与对置电极CT的层结构 中的配置关系相反。即,构成为在覆盖薄膜晶体管TFT而形成的保护膜PAS的上面形成有 对置电极CT,进而在覆盖该对置电极CT而形成的绝缘膜IN上形成有像素电极PX。在该情 况下,为了在液晶LC侧产生电场,下层的对置电极CT由面状的透明导电膜构成,上层的像 素电极PX由具有多个排列的线状部的透明导电膜构成。

[0100] 进而,详细而言,上述对置电极CT是跨画出该像素的上述栅极信号线GL以及漏极 信号线DL而直至相邻的另一像素而形成的。因此,在各像素区域内避开用于实现薄膜晶体 管TFT与像素电极PX的电连接的后述的贯通孔TH的区域(用标号CT(OL)表示对置电极 CT的轮廓),而在显示区域AR(参照图2)的整个区域形成上述对置电极CT。

[0101] 另外,上述像素电极PX构成为针对每个像素区域独立地形成,且具备连接多个排 列的线状部的周边的端部的框部PX(FR)、PX(FR’)。其是用于使由各线状部构成的电极电 连接。

[0102] 如图6所示,在以栅极信号线GL为界而与该像素相邻的另一个像素中,该像素的 像素电极PX的上述栅极信号线GL侧的框部PX(FR)形成为与该栅极信号线GL的该像素一 侧的边重叠(图中用ovr表示),另一个像素的像素电极PX的上述栅极信号线GL侧的框部 PX(FR)形成为与该栅极信号线GL的上述另一个像素一侧的边重叠(图中ovr表示)。[0103] 由此,能够减小以栅极信号线GL为界而彼此相邻的某像素的像素电极PX与另一 个像素的像素电极PX之间的间隙部,并且能够使该间隙部在上述栅极信号线GL上定位。由 此,这将缩小在与以上述栅极信号线GL为界而相邻的像素各自的像素电极PX之间产生的 电场(即在与相邻像素的像素电极PX之间产生的电场)的区域的范围。另外,能够用栅极 信号线GL将该间隙部遮光。由此,如图6所示,在基板SUB2上与上述栅极信号线GL重叠 配置的黑矩阵(遮光膜)BM仅覆盖彼此相邻的像素电极PX的间隙部是充分的,其宽度w至 少能够用比栅极信号线GL的宽度W小的宽度来形成。

[0104] 另外,上述像素电极PX通过绝缘膜IN以及保护膜PAS中形成的贯通孔TH与薄膜 晶体管TFT的源电极ST (焊盘部PD)连接。在该情况下,如上所述,避开该贯通孔TH的形 成区域而形成上述对置电极CT。

[0105] 另外,如图7B所示,在以漏极信号线DL为界而与该像素相邻的另一个像素中,该 像素的像素电极PX的上述漏极信号线DL侧的框部PX(FR’ )形成为与该漏极信号线DL的 该像素一侧的边重叠(用标号ovr’表示),另一个像素的像素电极PX的上述漏极信号线 DL侧的框部PX(FR’)形成为与该漏极信号线DL的上述另一个像素一侧的边重叠(用标号 ovr*表不)ο

[0106] 由此,能够减小以漏极信号线DL为界而彼此相邻的某像素的像素电极PX与另一 个像素的像素电极PX之间的间隙部,并且可以使该间隙部在上述漏极信号线DL上定位。由 此,可以减小在与以上述漏极信号线DL为界而相邻的像素各自的像素电极PX之间发生的 电场(即在与相邻的像素的像素电极PX之间发生的电场)的区域的范围。另外,能够用漏 极信号线DL将该间隙部遮光。由此,虽然在图7B中省略了图示,但只要具有在基板SUB2 上与上述漏极信号线DL重叠配置的黑矩阵(遮光膜)BM,则该黑矩阵BM仅覆盖上述各像素 电极PX的间隙部是充分的,其宽度至少能够用比漏极信号线DL的宽度小的宽度来形成。

[0107] 另外,在本实施例中,也可以作为在栅极信号线GL侧具有重叠部ovr的结构,而在 漏极信号线DL侧不具有重叠部ovr’的结构。相反,也可以作为在栅极信号线GL侧不具有 重叠部ovr的结构,而在漏极信号线DL侧具有重叠部ovr’的结构。

[0108] 以上,使用实施例说明了本发明,但至此所述的各实施例中说明的结构仅为一个 例子,本发明可以在不脱离技术思想的范围内进行适当的变更。另外,各个实施例中说明的 结构只要不相互矛盾,就可以组合使用。

Claims (7)

1. 一种液晶显示装置,具有夹着液晶而相对配置的第一基板和第二基板,其特征在于, 上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线, 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个像素的像素区域时,上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具备: 由来自上述栅极信号线的信号导通的薄膜晶体管;通过上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像素电极;以及 使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极, 上述像素电极是在覆盖上述栅极信号线而形成的第一绝缘膜上由形成在各像素区域 内的面状的透明导电膜构成的,上述对置电极是在覆盖上述像素电极而形成的第二绝缘膜上由具备与上述像素电极 重叠而配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明导电膜构成的, 在将以上述栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像素时, 上述第一像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的边是与上述栅极信号线的上述第 一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的边是与 上述栅极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,上述第一像素的对置电极的上述栅极信号线一侧的框部和上述第二像素的对置电极 的上述栅极信号线一侧的框部是在上述栅极信号线上跨上述栅极信号线而共用形成的。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,在上述第二基板上具备与上述栅极信号线重叠而配置的遮光膜,上述遮光膜的宽度被 设定为比上述栅极信号线的宽度小。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为一方像素和另一方像素时,上述一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是与上述漏极信号线的上述一 方像素一侧的边重叠而形成的,上述另一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是 与上述漏极信号线的上述另一方像素一侧的边重叠而形成的,上述一方像素的对置电极的上述漏极信号线一侧的框部和上述另一方像素的对置电 极的上述漏极信号线一侧的框部是在上述漏极信号线上跨上述漏极信号线而共用形成的。
4. 一种液晶显示装置,其具有夹着液晶而相对配置的第一基板和第二基板,其特征在于,上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线, 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个像素 的像素区域时,上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具备: 由来自上述栅极信号线的信号导通的薄膜晶体管;通过上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像素电极;以及 使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极, 上述对置电极是在覆盖上述栅极信号线而形成的第一绝缘膜上,由至少跨上述栅极信号线而至相邻的像素所形成的面状的透明导电膜构成的,上述像素电极是在覆盖上述对置电极而形成的第二绝缘膜上的各像素区域内,由具备 与上述对置电极重叠而配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明 导电膜构成的,在将以上述栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像素时, 上述第一像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的框部是与上述栅极信号线的上述 第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的框部 是与上述栅极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为一方像素和另一方像素时,上述一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框部是与上述漏极信号线的上述 一方像素一侧的边重叠而形成的,上述另一方像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框 部是与上述漏极信号线的上述另一方像素一侧的边重叠而形成的。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于,在上述第二基板上具备与上述栅极信号线重叠而配置的遮光膜,上述遮光膜的宽度被 设定为比上述栅极信号线的宽度小。
6. 一种液晶显示装置,其具有夹着液晶而相对配置的第一基板和第二基板,其特征在于,上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线, 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个像素 的像素区域时,上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具备: 由来自上述栅极信号线的信号导通的薄膜晶体管;通过上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像素电极;以及 使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极, 上述像素电极是在覆盖上述漏极信号线而形成的第一绝缘膜上由形成在各像素区域 内的面状的透明导电膜构成的,上述对置电极是在覆盖上述像素电极而形成的第二绝缘膜上由具备与上述像素电极 重叠而配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明导电膜构成的, 在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像素时, 上述第一像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是与上述漏极信号线的上述第 一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的边是与 上述漏极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,上述第一像素的对置电极的上述漏极信号线一侧的框部和上述第二像素的对置电极 的上述漏极信号线一侧的框部是在上述漏极信号线上跨上述漏极信号线而共用形成的。
7. 一种液晶显示装置,其具有夹着液晶相对配置的第一基板和第二基板,其特征在于, 上述第一基板的上述液晶一侧的面上具有多条栅极信号线和多条漏极信号线, 在将由相邻的一对栅极信号线和相邻的一对漏极信号线所包围的区域作为一个像素的像素区域时,上述像素在上述第一基板的上述液晶一侧的面上具备: 由来自上述栅极信号线的信号导通的薄膜晶体管;通过上述薄膜晶体管而被供给来自上述漏极信号线的信号的像素电极;以及 使其与上述像素电极之间产生驱动上述液晶的电场的对置电极, 上述对置电极是在覆盖上述漏极信号线而形成的第一绝缘膜上,由至少跨上述漏极信 号线而至相邻的像素所形成的面状的透明导电膜构成的,上述像素电极是在覆盖上述对置电极而形成的第二绝缘膜上的各像素区域内,由具备 与上述对置电极重叠而配置的多个排列的线状部和连接上述线状部的端部的框部的透明 导电膜构成的,在将以上述漏极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为第一像素和第二像素时, 上述第一像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框部是与上述漏极信号线的上述 第一像素一侧的边重叠而形成的,上述第二像素的像素电极的上述漏极信号线一侧的框部 是与上述漏极信号线的上述第二像素一侧的边重叠而形成的,在将以上述栅极信号线为界而彼此相邻的两个像素分别作为一方像素和另一方像素时,上述一方像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的框部是与上述栅极信号线的上述 一方像素一侧的边重叠而形成的,上述另一方像素的像素电极的上述栅极信号线一侧的框 部是与上述栅极信号线的上述另一方像素一侧的边重叠而形成的。
CN2009101285591A 2008-03-19 2009-03-18 液晶显示装置 CN101539701B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008070579 2008-03-19
JP2008070579A JP2009223245A (ja) 2008-03-19 2008-03-19 液晶表示装置
JP2008-070579 2008-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101539701A CN101539701A (zh) 2009-09-23
CN101539701B true CN101539701B (zh) 2011-03-30

Family

ID=41088383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101285591A CN101539701B (zh) 2008-03-19 2009-03-18 液晶显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8228478B2 (zh)
JP (1) JP2009223245A (zh)
CN (1) CN101539701B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013078903A1 (zh) * 2011-12-01 2013-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板及显示设备

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009223245A (ja) * 2008-03-19 2009-10-01 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101685046B1 (ko) * 2009-10-28 2016-12-12 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 패널
US8659734B2 (en) 2011-01-03 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR101785044B1 (ko) * 2011-04-21 2017-10-13 엘지디스플레이 주식회사 블랙매트릭스용 마스크
JP5875001B2 (ja) * 2012-03-14 2016-03-02 Nltテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置
JP5941756B2 (ja) * 2012-06-06 2016-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP6002478B2 (ja) * 2012-07-04 2016-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2014021449A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置、および液晶表示装置の製造方法
KR20140053653A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103792745A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示面板
JP6116220B2 (ja) * 2012-12-12 2017-04-19 三菱電機株式会社 液晶表示パネル
JP2014178367A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Japan Display Inc 液晶表示パネル及び電子機器
CN103278986B (zh) * 2013-04-01 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN103744243B (zh) * 2013-12-31 2016-09-28 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
JP2015129863A (ja) 2014-01-08 2015-07-16 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2017076058A (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP2017156718A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018147396A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106896608B (zh) * 2017-04-28 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN109270756A (zh) * 2018-09-30 2019-01-25 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661492B2 (en) * 2000-05-23 2003-12-09 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD device
KR20050068442A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN1862349A (zh) * 2005-05-10 2006-11-15 三菱电机株式会社 液晶显示装置及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125872B2 (ja) * 1998-09-14 2001-01-22 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
KR100881357B1 (ko) 1999-09-07 2009-02-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
JP2002323706A (ja) * 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR100820646B1 (ko) * 2001-09-05 2008-04-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4946135B2 (ja) 2006-01-31 2012-06-06 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
WO2007088644A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-09 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus using an electric field substantially parallel to the substrate surfaces
JP4061416B2 (ja) 2006-02-22 2008-03-19 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
JP2008032897A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP4449953B2 (ja) * 2006-07-27 2010-04-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
TWI414864B (zh) * 2007-02-05 2013-11-11 Hydis Tech Co Ltd 邊緣電場切換模式之液晶顯示器
JP2009223245A (ja) * 2008-03-19 2009-10-01 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661492B2 (en) * 2000-05-23 2003-12-09 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD device
KR20050068442A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
CN1862349A (zh) * 2005-05-10 2006-11-15 三菱电机株式会社 液晶显示装置及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013078903A1 (zh) * 2011-12-01 2013-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板及显示设备
US9195100B2 (en) 2011-12-01 2015-11-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal panel and display device with pixel electrode and common electrode whose projections are overlapped

Also Published As

Publication number Publication date
US20090237342A1 (en) 2009-09-24
CN101539701A (zh) 2009-09-23
US8743330B2 (en) 2014-06-03
JP2009223245A (ja) 2009-10-01
US8228478B2 (en) 2012-07-24
US20120268358A1 (en) 2012-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9869916B2 (en) Liquid crystal display device
KR102015015B1 (ko) 액정 표시 장치
US10281785B2 (en) Liquid crystal display device having large holding capacitance in the pixel
WO2017140000A1 (zh) Va型coa液晶显示面板
JP5394655B2 (ja) 液晶表示装置
US10108055B2 (en) Curved liquid crystal display
JP4086842B2 (ja) 液晶表示装置
US6710835B2 (en) Liquid crystal display device with stacked insulating film of different layers
US7106391B2 (en) Thin film transistor substrate for a liquid crystal display wherein a black matrix formed on the substrate comprises an inner aperture formed completely within the black matrix
KR100920344B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP4381782B2 (ja) 液晶表示装置
KR101427708B1 (ko) 액정 표시 패널
US7453540B2 (en) Liquid crystal display device with particular electrodes
US7259820B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR100850398B1 (ko) 액정 표시 장치
EP2149813B1 (en) Array substrate, methods of manufacturing the array substrate, and liquid crystal display device having the array substrate
US7443477B2 (en) In-plane switching liquid crystal display
KR100373667B1 (ko) 액정 표시 장치
JP3164489B2 (ja) 液晶表示パネル
US7298430B2 (en) Liquid crystal display device
US7855767B2 (en) Transflective liquid crystal display
TWI289818B (en) Optoelectronic device and electronic machine providing the device
EP0595363B1 (en) Transmission type active matrix liquid crystal device
JP4606103B2 (ja) 液晶表示装置
US9293649B2 (en) Display device having dummy data lines

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: PANASONIC LCD CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: IPS ALPHA SUPPORT CO., LTD.

Owner name: IPS ALPHA SUPPORT CO., LTD.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110928

Address after: Chiba County, Japan

Co-patentee after: IPS pioneer support society

Patentee after: Hitachi Display Co., Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Hitachi Display Co., Ltd.

Effective date of registration: 20110928

Address after: Chiba County, Japan

Co-patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd.

Patentee after: Hitachi Display Co., Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Co-patentee before: IPS pioneer support society

Patentee before: Hitachi Display Co., Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: JAPAN DISPLAY, INC.

Free format text: FORMER NAME: APAN DISPLAY EAST, INC.

Owner name: APAN DISPLAY EAST, INC.

Free format text: FORMER NAME: HITACHI DISPLAY CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Chiba County, Japan

Patentee after: Japan Display East Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Hitachi Display Co., Ltd.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Patentee after: Japan Display Central Inc.

Patentee after: Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd.

Address before: Chiba County, Japan

Patentee before: Japan Display East Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20090923

Assignee: BOE Technology Group Co., Ltd.

Assignor: Japan Display Co., Ltd. | Panasonic LCD Monitor Co., Ltd.

Contract record no.: 2013990000688

Denomination of invention: Liquid crystal display device

Granted publication date: 20110330

License type: Common License

Record date: 20131016

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model