CN104317123A - 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，其中，所述像素结构包括：多条数据线和多条扫描线；多个像素单元以及位于其中的具有多条狭缝的像素电极，且狭缝的端部具有至少一个拐角区域；位于白色像素单元中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接；其中，与第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向该第二薄膜晶体管所在方向延伸。本发明的技术方案通过增大第二薄膜晶体管所控制的像素单元的开口，可以有效地提高该像素单元所对应的颜色画面的亮度。

Description

像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示装置的应用越来越广泛，且显示效果不断地得到改善。
在液晶显示装置中，位于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板上的像素结构是其重要的组成部分，不同的像素结构可以使液晶显示装置产生不同的显示效果。图1是现有技术的像素结构的结构示意图。如图1所示，在现有技术中，液晶显示装置中的像素结构包括：多条数据线11和多条扫描线12，以及多条数据线11和多条扫描线12交叉形成的多个像素单元13；位于像素单元13中的薄膜晶体管14和像素电极15，且每个薄膜晶体管14与其所在的像素单元中的像素电极15电连接，其中，R、G、B和W分别代表红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元和白色像素单元。
图1中的像素结构由红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元和白色像素单元构成，这样可以提升整体的穿透率。然而，由于设置有白色像素单元，在像素结构大小一定的情况下，会使红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元的数量减少，因此，当显示单色画面时，单色画面的亮度会明显下降。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中由红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元和白色像素单元构成的像素结构当显示单色画面时单色画面的亮度会明显下降的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供一种像素结构，包括：
多条数据线和多条扫描线；
所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元、第二颜色像素单元、第三颜色像素单元和白色像素单元；
位于所述像素单元中的像素电极，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝的端部具有至少一个拐角区域；
位于所述白色像素单元中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接；
其中，与所述第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向所述第二薄膜晶体管所在方向延伸。
第二方面，本发明实施例还提供一种像素结构的制造方法，包括：
形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元、第二颜色像素单元、第三颜色像素单元和白色像素单元，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述白色像素单元中；
在所述像素单元中形成像素电极，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝的端部具有至少一个拐角区域，并使所述第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接，其中，与所述第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向所述第二薄膜晶体管所在方向延伸。
第三方面，本发明实施例还提供一种阵列基板，包括上述第一方面所述的像素结构。
第四方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述第三方面所述的阵列基板。
第五方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述第四方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过将与白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的第二薄膜晶体管设置在该白色像素单元内，可以使该第二薄膜晶体管控制的像素单元有更大的空间来设置像素电极，相应的像素电极可以做得更大，这样该像素电极所在的像素单元的开口会更大，在显示该像素单元所对应的颜色画面时，可以有效地提高该颜色画面的亮度。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是现有技术的像素结构的结构示意图；
图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图；
图2b是本发明实施例提供的另一种像素结构的结构示意图；
图3a是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图3b是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图4a是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图4b是本发明实施例提供的再一种像素结构的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种像素结构的制造方法的流程示意图；
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
本发明实施例提供一种像素结构。图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图。如图2a所示，所述像素结构包括：多条数据线21和多条扫描线22；所述多条数据线21和所述多条扫描线22交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线21和一条扫描线22对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元(图中为红色像素单元231)、第二颜色像素单元(图中为绿色像素单元232)、第三颜色像素单元(图中为蓝色像素单元233)和白色像素单元234；位于所述像素单元中的像素电极(红色像素单元231中的像素电极251、绿色像素单元232中的像素电极252、蓝色像素单元233中的像素电极253和白色像素单元234中的像素电极254)，所述像素电极具有多条狭缝261，所述狭缝261的端部具有至少一个拐角区域A1；位于所述白色像素单元234中的第一薄膜晶体管241和第二薄膜晶体管242，其中，所述第一薄膜晶体管241与其所在的白色像素单元234中的像素电极254电连接，所述第二薄膜晶体管242和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极(在图中与白色像素单元234位于同一行且与其右侧相邻的红色像素单元231中的像素电极251)电连接；其中，与所述第二薄膜晶体管242电连接的像素电极的拐角区域A1向所述第二薄膜晶体管242所在方向延伸。
需要说明的是，像素单元进行显示是由位于像素单元中的像素电极和与该像素电极电连接的且控制该像素电极的薄膜晶体管来实现的，在薄膜晶体管对像素电极进行控制的同时，也就实现了薄膜晶体管对所述像素电极所在的像素单元的控制。与薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线可以控制薄膜晶体管的开启或者关闭，与薄膜晶体管的源极电连接的数据线可以在薄膜晶体管开启时，为与其电连接的像素电极提供数据信号。鉴于此，上述的像素单元与一条数据线21和一条扫描线22对应，可以理解为：与像素单元对应的一条数据线21为控制该像素单元的薄膜晶体管所电连接的数据线，与像素单元对应的一条扫描线22为控制该像素单元的薄膜晶体管所电连接的扫描线。
在图2a中，第一颜色像素单元设置为红色像素单元231、第二颜色像素单元设置为绿色像素单元232和第三颜色像素单元设置为蓝色像素单元233，这只是对第一颜色像素单元、第二颜色像素单元和第三颜色像素单元设置的一个具体示例，在其他示例中，也可以设置第一颜色像素单元为绿色像素单元、第二像素单元为红色像素单元和第三像素单元为蓝色像素单元；或者也可以设置第一颜色像素单元为蓝色像素单元、第二颜色像素单元为红色像素单元和第三颜色像素单元为绿色像素单元，还可以设置为红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元的其他组合，在此不作限定。另外，为了描述的方便，下面就以第一颜色像素单元设置为红色像素单元231、第二像素单元设置为绿色像素单元232和第三像素单元设置为蓝色像素单元233作为第一颜色像素单元、第二颜色像素单元和第三颜色像素单元的设置情况进行说明。
如上所述，通过将与白色像素单元234位于同一行且与其一侧相邻的像素单元(可以为红色像素单元、绿色像素单元或者蓝色像素单元)中的第二薄膜晶体管242设置在该白色像素单元234内，与现有技术中将第二薄膜晶体管242设置在其所控制的像素单元中相比，可以使该第二薄膜晶体管242控制的像素单元有更大的空间来设置像素电极，相应的像素电极可以做得更大，这样该像素电极所在的像素单元的开口会更大，在显示该像素单元所对应的颜色画面时，可以有效地提高该颜色画面的亮度。此外，通过将与第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向该第二薄膜晶体管所在方向延伸，还可以减小该拐角区域的端部对透光率的影响。
参见图2a，所述白色像素单元234中的第二薄膜晶体管242和与所述白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231中的像素电极251电连接，因此，图2a所示的像素结构，在显示红色画面时，可以更好地提高红色画面的亮度。
在图2a中，第一薄膜晶体管241的源极241a和与其所在的白色像素单元234对应的数据线21(在图2a中位于白色像素单元234右侧的数据线21)电连接；第一薄膜晶体管241的栅极241c和与其所在的白色像素单元234对应的扫描线22(在图2a中位于白色像素单元234上方的扫描线22)电连接；第一薄膜晶体管241的漏极241b与其所在的白色像素单元234中的像素电极254电连接。第二薄膜晶体管242的源极242a和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231对应的数据线21(在图2a中位于白色像素单元234左侧的数据线21)电连接；第二薄膜晶体管242的栅极242c和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231对应的扫描线22(在图2a中位于白色像素单元234下方的扫描线22)电连接；第二薄膜晶体管242的漏极242b和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231中的像素电极251电连接。此外，绿色像素单元232中的薄膜晶体管243的漏极与位于该绿色像素单元232中的像素电极252电连接，栅极与该绿色像素单元232下方的扫描线22电连接，源极与该绿色像素单元232左侧的数据线21电连接；蓝色像素单元233中的薄膜晶体管244的漏极与位于该蓝色像素单元233中的像素电极253电连接，栅极与该蓝色像素单元233下方的扫描线22电连接，源极与该蓝色像素单元253左侧的数据线21电连接。
除了图2a中第一薄膜晶体管241和第二薄膜晶体管242分别与数据线21和扫描线22的电连接方式外，还可以有其他的方式。例如，参见图2b，与图2a不同的是，第一薄膜晶体管241的栅极241c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管242的栅极242c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接。
除了图2a和图2b所示的第二薄膜晶体管242和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231中的像素电极251电连接外，参见图3a，第二薄膜晶体管242还可以和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233中的像素电极电253连接。上述的像素结构，在显示蓝色画面时，可以更好地提高蓝色画面的亮度。
在图3a中，第一薄膜晶体管241的源极241a和与其所在的白色像素单元234对应的数据线21(在图3a中位于白色像素单元234左侧的数据线21)电连接；第一薄膜晶体管241的栅极241c和与其所在的白色像素单元234对应的扫描线22(在图3a中位于白色像素单元234上方的扫描线22)电连接；第一薄膜晶体管241的漏极241b与其所在的白色像素单元234中的像素电极254电连接。第二薄膜晶体管242的源极242a和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233对应的数据线21(在图3a中位于白色像素单元234右侧的数据线21)电连接；第二薄膜晶体管242的栅极242c和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233对应的扫描线22(在图3a中位于白色像素单元234下方的扫描线22)电连接；第二薄膜晶体管242的漏极242b和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233中的像素电极253电连接。此外，绿色像素单元232中的薄膜晶体管243的漏极与位于该绿色像素单元232中的像素电极252电连接，栅极与该绿色像素单元232下方的扫描线22电连接，源极与该绿色像素单元232右侧的数据线21电连接；红色像素单元231中的薄膜晶体管244的漏极与位于该红色像素单元231中的像素电极251电连接，栅极与该红色像素单元231下方的扫描线22电连接，源极与该红色像素单元231右侧的数据线21电连接。
除了图3a中第一薄膜晶体管241和第二薄膜晶体管242分别与数据线21和扫描线22的电连接方式外，还可以有其他的方式。例如，参见图3b，与图3a不同的是，第一薄膜晶体管241的栅极241c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管242的栅极242c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接。
在图2a和图2b中，第二薄膜晶体管242控制与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231，图3a和图3b中的第二薄膜晶体管242控制与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233。除此之外，参见图4a，第二薄膜晶体管对像素单元的控制也可以为：对于任意相邻两行像素单元，一行像素单元中的白色像素单元234中的第二薄膜晶体管2421和与所述白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231中的像素电极251电连接，另一行像素单元中的白色像素单元234中的第二薄膜晶体管2422和与所述白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233中的像素电极253电连接。上述的像素结构，与现有技术的像素结构相比，在显示蓝色画面或者红色画面时，也可以有效地提高蓝色画面或者红色画面的亮度。
如图4a所示，在控制红色像素单元231的第二薄膜晶体管2421所在的白色像素单元234中，第一薄膜晶体管2411的源极2411a和与其所在的白色像素单元234右侧的数据线21电连接，第一薄膜晶体管2411的栅极2411c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接，第一薄膜晶体管2411的漏极2411b与其所在的白色像素单元234中的像素电极254电连接；第二薄膜晶体管2421的源极2421a和与其所在的白色像素单元234左侧的数据线21电连接，第二薄膜晶体管2421的栅极2421c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管2421的漏极2421b和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的红色像素单元231中的像素电极251电连接；此外，在该红色像素单元231所在的行中，绿色像素单元232中的薄膜晶体管243的漏极与位于该绿色像素单元232中的像素电极252电连接，栅极与该绿色像素单元232下方的扫描线22电连接，源极与该绿色像素单元232左侧的数据线21电连接；蓝色像素单元233中的薄膜晶体管244的漏极与位于该蓝色像素单元233中的像素电极253电连接，栅极与该蓝色像素单元233下方的扫描线22电连接，源极与该蓝色像素单元233左侧的数据线21电连接。
如图4a所示，在控制蓝色像素单元233的第二薄膜晶体管2422所在的白色像素单元234中，第一薄膜晶体管2412的源极2412a和与其所在的白色像素单元234左侧的数据线21电连接，第一薄膜晶体管2412的栅极2412c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接，第一薄膜晶体管2412的漏极2412b与其所在的白色像素单元234中的像素电极254电连接；第二薄膜晶体管2422的源极2422a和与其所在的白色像素单元234右侧的数据线21电连接，第二薄膜晶体管2422的栅极2422c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管2422的漏极2422b和与其所在的白色像素单元234位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元233中的像素电极253电连接；此外，在该蓝色像素单元233所在的行中，绿色像素单元232中的薄膜晶体管243的漏极与位于该绿色像素单元232中的像素电极252电连接，栅极与该绿色像素单元232下方的扫描线22电连接，源极与该绿色像素单元232右侧的数据线21电连接；红色像素单元231中的薄膜晶体管244的漏极与位于该红色像素单元231中的像素电极251电连接，栅极与该红色像素单元231下方的扫描线22电连接，源极与该红色像素单元231左侧的数据线21电连接。
除了图4a中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别与数据线21和扫描线22的电连接方式外，还可以有其他的方式。例如，参见图4b，与图4a不同的是，在控制红色像素单元231的第二薄膜晶体管2421所在的白色像素单元234中，第一薄膜晶体管2411的栅极2411c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管2421的栅极2421c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接；在控制蓝色像素单元233的第二薄膜晶体管2422所在的白色像素单元234中，第一薄膜晶体管2412的栅极2412c和与其所在的白色像素单元234上方的扫描线22电连接，第二薄膜晶体管2422的栅极2422c和与其所在的白色像素单元234下方的扫描线22电连接。
在上述的像素结构中，像素单元的排列方式采用了阵列排列。除此之外，像素单元的排列方式也可以采用交错排列。关于交错排列所形成的像素结构，请参照上述采用阵列排列的像素结构，在此不再赘述。
需要说明的是，上述给出的像素结构，仅是本发明实施例的一些具体的示例，还可以有其他的示例，例如：对于任意相邻两列像素单元，一列像素单元中的白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与白色像素单元位于同一行且与其相邻的蓝色像素单元中的像素电极电连接，另一列像素单元中的白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与白色像素单元位于同一行且与其相邻的红色像素单元中的像素电极电连接；或者控制红色像素单元的第二薄膜晶体管所在的白色像素单元和控制蓝色像素单元的第二薄膜晶体管所在的白色像素单元在像素结构中不均匀分布等，只要能够在显示某一颜色画面时，可以提高该颜色画面的亮度即可，在此不作限定。
本发明实施例还提供一种像素结构的制造方法。图5是本发明实施例提供的一种像素结构的制造方法的流程示意图。如图5所示，所述像素结构的制造方法包括：
步骤301、形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
具体地，形成的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均包括栅极、源极、漏极以及位于源极和漏极之间的有源区，其中，两个薄膜晶体管的栅极可以位于源极和漏极上方(顶栅极结构的薄膜晶体管)，也可以位于源极和漏极下方(底栅极结构的薄膜晶体管)，在此不作限定。
步骤302、形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元、第二颜色像素单元、第三颜色像素单元和白色像素单元，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述白色像素单元中；
步骤303、在所述像素单元中形成像素电极，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝的端部具有至少一个拐角区域，并使所述第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接，其中，与所述第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向所述第二薄膜晶体管所在方向延伸。
本发明实施例还提供一种阵列基板。图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参见图6，所述阵列基板包括：玻璃基板41和像素结构42，所述像素结构42为上述各实施例所述的像素结构。
本发明实施例还提供一种显示面板。图7是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图7，所述显示面板包括阵列基板51、与阵列基板51相对设置的彩膜基板52以及位于阵列基板51和彩膜基板52之间的液晶层53，其中，液晶层53由液晶分子531形成。本实施例中的阵列基板51为上述实施例中所述的阵列基板。
需要说明的是，上述显示面板可以具有触控功能，也可以不具有触控功能，在实际制作时，可以根据具体的需要进行选择和设计。其中，触控功能可以为电磁触控功能、电容触控功能或者电磁电容触控功能等。
本发明实施例还提供一种显示装置。图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参见图8，显示装置60包括显示面板61，还可以包括驱动电路和其他用于支持显示装置60正常工作的器件。其中，所述显示面板61为上述实施例中所述的显示面板。上述的显示装置60可以为手机、台式电脑、笔记本、平板电脑、电子纸中的一种。
本发明实施例提供的像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过将与白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的第二薄膜晶体管设置在该白色像素单元内，可以使该第二薄膜晶体管控制的像素单元有更大的空间来设置像素电极，相应的像素电极可以做得更大，这样该像素电极所在的像素单元的开口会更大，在显示该像素单元所对应的颜色画面时，可以有效地提高该颜色画面的亮度。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
多条数据线和多条扫描线；
所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元、第二颜色像素单元、第三颜色像素单元和白色像素单元；
位于所述像素单元中的像素电极，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝的端部具有至少一个拐角区域；
位于所述白色像素单元中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接；
其中，与所述第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向所述第二薄膜晶体管所在方向延伸。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与所述白色像素单元位于同一行且与其相邻的第三颜色像素单元中的像素电极电连接。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与所述白色像素单元位于同一行且与其相邻的第一颜色像素单元中的像素电极电连接。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，对于任意相邻两行像素单元，一行像素单元中的白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与所述白色像素单元位于同一行且与其相邻的第三颜色像素单元中的像素电极电连接，另一行像素单元中的白色像素单元中的第二薄膜晶体管和与所述白色像素单元位于同一行且与其相邻的第一颜色像素单元中的像素电极电连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一颜色像素单元为红色像素单元、所述第二颜色像素单元为绿色像素单元和所述第三颜色像素单元为蓝色像素单元；或者
所述第一颜色像素单元为绿色像素单元、所述第二颜色像素单元为红色像素单元和所述第三颜色像素单元为蓝色像素单元。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源极和与其所在的白色像素单元对应的数据线电连接；
所述第一薄膜晶体管的栅极和与其所在的白色像素单元对应的扫描线电连接；
所述第二薄膜晶体管的源极和与其电连接的像素电极所在的像素单元对应的数据线电连接；
所述第二薄膜晶体管的栅极和与其电连接的像素电极所在的像素单元对应的扫描线电连接。
7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元的排列方式为交错排列或者矩阵排列。
8.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，且所述像素单元为依次排列的第一颜色像素单元、第二颜色像素单元、第三颜色像素单元和白色像素单元，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在所述白色像素单元中；
在所述像素单元中形成像素电极，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝的端部具有至少一个拐角区域，并使所述第一薄膜晶体管与其所在的白色像素单元中的像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管和与其所在的白色像素单元位于同一行且与其一侧相邻的像素单元中的像素电极电连接，其中，与所述第二薄膜晶体管电连接的像素电极的拐角区域向所述第二薄膜晶体管所在方向延伸。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的像素结构。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016161970A1 (zh) * 2015-04-08 2016-10-13 深圳晶华显示器材有限公司 液晶显示器
CN106647086A (zh) * 2016-12-20 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN108333821A (zh) * 2018-02-28 2018-07-27 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110412807A (zh) * 2015-04-02 2019-11-05 群创光电股份有限公司 显示设备
CN112666767A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321959B (zh) * 2015-09-10 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
CN110109305B (zh) * 2019-04-12 2020-12-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612023A (zh) * 2003-10-29 2005-05-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法
CN101329460A (zh) * 2007-06-20 2008-12-24 乐金显示有限公司 液晶显示装置
US20090179842A1 (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Industrial Technology Research Institute Flat display panel
CN102109691A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 上海天马微电子有限公司 一种触摸显示装置和触摸位置判定方法
KR20120042433A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 그 제조방법
JP2012212079A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Japan Display West Co Ltd 表示装置
CN102854680A (zh) * 2012-09-25 2013-01-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种高透光率透明显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7768597B2 (en) 2006-12-14 2010-08-03 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display
WO2009072452A1 (en) 2007-12-03 2009-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Tft arrangement for display device
JP5639857B2 (ja) 2010-11-18 2014-12-10 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101844015B1 (ko) 2011-02-24 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103116238B (zh) * 2013-02-05 2015-09-09 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
KR102145466B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널
US9361841B2 (en) * 2014-09-03 2016-06-07 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel and display device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1612023A (zh) * 2003-10-29 2005-05-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法
CN101329460A (zh) * 2007-06-20 2008-12-24 乐金显示有限公司 液晶显示装置
US20090179842A1 (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Industrial Technology Research Institute Flat display panel
CN102109691A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 上海天马微电子有限公司 一种触摸显示装置和触摸位置判定方法
KR20120042433A (ko) * 2010-10-25 2012-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 그 제조방법
JP2012212079A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Japan Display West Co Ltd 表示装置
CN102854680A (zh) * 2012-09-25 2013-01-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种高透光率透明显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110412807A (zh) * 2015-04-02 2019-11-05 群创光电股份有限公司 显示设备
CN110412807B (zh) * 2015-04-02 2022-06-21 群创光电股份有限公司 显示设备
WO2016161970A1 (zh) * 2015-04-08 2016-10-13 深圳晶华显示器材有限公司 液晶显示器
CN106647086A (zh) * 2016-12-20 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN106647086B (zh) * 2016-12-20 2020-06-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN108333821A (zh) * 2018-02-28 2018-07-27 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN108333821B (zh) * 2018-02-28 2021-04-23 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112666767A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112666767B (zh) * 2020-12-28 2022-07-29 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

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