CN102109691A - 一种触摸显示装置和触摸位置判定方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种触摸显示装置和触摸位置判定方法，其中，所述触摸显示装置包括上基板和下基板；位于所述下基板上并相互交叉的多条扫描线和多条数据线；位于扫描线与数据线形成的矩阵中的多个像素子单元；薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线；至少一个薄膜晶体管为双沟道薄膜晶体管，双沟道薄膜晶体管包括第一漏极和与像素子单元连接的第二漏极；触摸显示装置还具有多条触摸检测线和位于上基板的多个沉积有导电层的凸起，凸起与第一漏极的位置相对应；当触摸显示装置被触摸时，凸起将第一漏极和触摸检测线接通。本发明通过采用双沟道薄膜晶体管完成显示和触摸检测，制造工序简单且能够消除点缺陷。

Description

一种触摸显示装置和触摸位置判定方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是涉及一种触摸显示装置和触摸位置判定方法。

背景技术

随着电子技术的迅速发展，可携式电子装置逐渐成为现代人必不可少的随身产品。

可携式电子装置多为液晶显示屏(如薄膜晶体管液晶显示器TFT LCD)。图1是现有液晶显示屏的内部结构示意图，液晶显示屏包括上基板、下基板(图中未示出)、薄膜晶体管105、多个像素子单元106、多条扫描线104和多条数据线103。扫描线104都连接在扫描线驱动器101上，数据线103都连接在信号线驱动器102上。扫描线104和数据线103在交叉处彼此绝缘。薄膜晶体管105的栅极与扫描线104连接，源极与数据线103连接，漏极与像素子单元106的像素电极(图中未示出)连接。扫描线驱动器101通过在各条扫描线104中输入时间依次变化的脉冲，来逐行开启薄膜晶体管105，某一时间点只会有一行薄膜晶体管105处于开启状态。数据线103将控制信号输入像素电极，最后流入公共电极，通过调整像素子单元106中液晶分子两端的电压差，控制液晶分子的方向，由此实现控制一行像素子单元106的显示。通过循环逐行扫描，在液晶显示屏上呈现图像。

目前，多数手机上都附加有触控式面板(Touch Panel)的功能，使用户可以通过触控笔或手指来直接操作手机。

然而，现有的手机触控面板一般都是液晶显示屏与触控式面板叠加构成的按压式触控面板，由于上述按压式触控面板在液晶显示屏上覆盖了一层透明的触摸屏构成显示器，存在显示器的亮度降低以及显示器的厚度增加的缺点。

对此，现有技术存在一种整合入液晶显示屏的触控式面板。参见图2，当薄膜晶体管105打开时，数据线103上的电压会加到像素子单元106的像素电极1060，然后通过像素子单元106输出到公共电极(图中未示出)上；当用户有按压动作时，压敏电阻20的阻值降低，扫描线104上的电压通过压敏电阻20传输到像素子单元106的像素电极1060后，传递到数据线103上，使得数据线103的电压改变，若以扫描线104的方向作为X方向，数据线103的方向作为Y方向，则可以根据数据线103控制信号的改变确定触摸点的X坐标，通过扫描时序信号确定触摸点的Y坐标，由此确定触摸位置。

但是，由于在触控式面板中加入了压敏电阻，增加了一道制作压敏电阻的工序，延长了触控式面板的生产周期；而且，由于在按压压敏电阻时，扫描线电压通过压敏电阻传至像素电极，使像素电极和公共电极之间存在一个额外的压差，导致该像素电极所在像素子单元显示的亮度偏离正确值，形成一个点缺陷，即一个像素子单元只要被触摸就是一个点缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种触摸显示装置和触摸位置判定方法，而且触摸显示装置的制造工序简单、触摸点的亮度不受触摸干扰。

本发明提供了一种触摸显示装置，包括：

上基板和与上基板对应的下基板；

位于所述下基板上并相互交叉的多条扫描线和多条数据线；

位于所述扫描线与数据线形成的矩阵中的多个像素子单元；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线；

至少一个所述薄膜晶体管为双沟道薄膜晶体管，所述双沟道薄膜晶体管包括第一漏极和与所述像素子单元连接的第二漏极；

所述触摸显示装置还具有多条触摸检测线和位于上基板的多个沉积有导电层的凸起，所述凸起与所述第一漏极的位置相对应；当所述触摸显示装置被触摸时，所述凸起将所述第一漏极和所述触摸检测线接通。

本发明还提供了一种触摸位置判定方法，当上述触摸显示装置中的某个凸起被按压时，与所述凸起对应的数据线上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管栅极与第一漏极之间的第一沟道传递到所述第一漏极，并通过所述凸起将传递到第一漏极的控制信号传递给所述触摸检测线；当所述触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压有波动时，确定所述凸起被按压；

所述扫描线的方向为X方向，所述数据线的方向为Y方向；则根据所述触摸检测线的X方向位置，确定触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标。

本发明的触摸显示装置和触摸位置判定方法，使用双沟道薄膜晶体管代替薄膜晶体管，第二漏极与栅极形成的第二沟道用来完成基本显示的功能，第一漏极与栅极形成的第一沟道用于在发生触摸时，将数据线上的控制信号传递给触摸检测线完成触摸功能，通过薄膜晶体管的两个沟道实现整个触摸显示装置的显示和触摸互不干扰；由于本发明的触摸显示装置与现有的液晶显示屏都需要制备薄膜晶体管，所述本发明的触摸显示装置与现有液晶显示屏的工艺制程具有良好的相容性，不需调整生产线，制造工序简单，节约成本；通过将触摸检测线和数据线分开，使得在触摸检测时触摸检测线上的信号不会干扰数据线上的信号，触摸位置的像素子单元显示不受干扰，消除了触摸位置像素子单元的点缺陷问题；通过将触摸检测功能集合进液晶显示装置，既提高了整个触摸显示装置的亮度，又不增加触摸显示装置的厚度。

附图说明

图1是现有液晶显示装置的内部结构示意图；

图2是现有触摸显示装置的内部结构示意图；

图3是本发明触摸显示装置实施例一的主视示意图；

图4本发明触摸显示装置实施例一的局部主视示意图；

图5是沿图4中A-A线的截面图；

图6是本发明带有白色像素子单元的触摸显示装置主视示意图；

图7是本发明触摸显示装置在直流驱动帧反转模式的灰阶电压示意图；

图8是本发明触摸显示装置在直流驱动帧反转的情况下，有触摸发生时触摸检测线上的信号电压的示意图；

图9是本发明触摸显示装置在交流驱动行反转模式的灰阶电压示意图；

图10是本发明触摸显示装置在交流驱动行反转的情况下，有触摸发生时触摸检测线上的信号电压的示意图；

图11是本发明触摸显示装置实施例二的局部主视示意图；

图12是沿图11中C-C线的截面图；

图13是本发明触摸显示装置实施例三的一个截面示意图；

图14是本发明触摸显示装置实施例三的另一个截面示意图；

图15是本发明触摸显示装置实施例四的主视示意图；

图16是本发明触摸显示装置实施例四的截面示意图；

图17是本发明触摸位置判定方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明实施例作进一步详细的说明。

本发明在现有液晶显示屏的基础上增加了触摸检测的功能，形成了触摸显示装置，下面通过具体的实施例进行介绍。

实施例一

本实施例提供了一种触摸显示装置，请同时参见图3、图4、图5，图3是本实施例触摸显示装置的主视示意图；图4是本实施例触摸显示装置的局部主视示意图，图5是沿图4中A-A线的截面图。

所述触摸显示装置包括：上基板12、下基板11、多个支柱312、多条扫描线304、多条数据线303、多个像素子单元306、多个薄膜晶体管300、多条触摸检测线307、多个凸起309。

对于下基板11，先在下基板11上沉积扫描线304，然后在扫描线304和暴露的下基板上沉积栅极绝缘层311，之后，在栅极绝缘层311上依次沉积非晶硅层和N⁺掺杂的非晶硅层作为薄膜晶体管300源极和漏极之间的导电沟道；在所述N⁺掺杂的非晶硅层和暴露的栅极绝缘层311上沉积数据线303和薄膜晶体管300的源极、漏极，在数据线303上表面沉积数据线保护层314，在数据线保护层314上表面沉积触摸检测线307，最后沉积像素电极层315(例如B的像素电极)。当然，其中沉积的各层会根据实际需要进行遮挡和刻蚀以得到设计的图形，所使用的刻蚀和遮挡保护手段均属于现有技术，本发明对此不再赘述。

对于上基板12，先在上基板12上形成凸起309和支柱312，然后在凸起309的表面形成导电层310并在与像素电极对应的位置沉积公共电极308，导电层310和公共电极308彼此绝缘。最后在下基板11滴入定量的液晶，将上基板12和下基板11进行贴合密封。

下基板11与上基板12彼此对应，共同构成了触摸显示装置的上下表面；公共电极308位于上基板12，可以为ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等；支柱312用来保持液晶显示装置的盒厚。扫描线304和数据线303位于下基板11上相互交叉并绝缘。像素子单元306位于扫描线304与数据线303形成的矩阵中。像素子单元306包括红色像素子单元R、绿色像素子单元G或蓝色像素子单元B。薄膜晶体管300的漏极与像素子单元306的像素电极连接，栅极连接扫描线304，源极连接数据线303。

其中，至少一个所述薄膜晶体管300为双沟道薄膜晶体管305，双沟道薄膜晶体管305包括第一漏极3051和与所述像素子单元306连接的第二漏极3052。所述凸起309位于上基板12，与第一漏极3051的位置相对应，并且表面沉积有导电层310。凸起309可以和支柱312一起形成，例如借助有机膜等。当触摸显示装置被触摸时，凸起309将第一漏极3051和触摸检测线307接通。本实施例中触摸检测线307沉积在下基板11上，具体位于数据线的保护层314表面。

每条触摸检测线307的末端连接一个与参考电极连接的放大比较器(图中未示出)，参考电极的电压优选与公共电极电压相同。

在制造过程中，可以如图4中所示，在与双沟道薄膜晶体管305的双沟道对应位置，将扫描线304加宽作为栅极，将数据线303做出一个分支作为源极。扫描线304和下基板11的表面都沉积有栅极绝缘层311。

所述凸起309和双沟道薄膜晶体管305的分布密度可以根据实际需要进行设置，例如可以将所有的薄膜晶体管300都替换成双沟道薄膜晶体管305，也可以间隔若干个像素子单元306设置一个。

与凸起309对应的第一漏极3051的表面上依次沉积有数据线保护层314和像素电极层315，像素电极层315与第一漏极3051电连接；与凸起309对应的像素电极层315的上表面和触摸检测线307的上表面相平；凸起307的用于接触所述像素电极层315和触摸检测线307的表面呈平面。由于第一漏极3051的高度c和触摸检测线307的高度d相等，为防止短路或串扰，第一漏极3051和触摸检测线307之间需保持一定的距离e，e约为4～6μm。

在正常显示情况下，当一行扫描线304通过高脉冲时，与该扫描线304连接的所有薄膜晶体管300和双沟道薄膜晶体管305导通。对于薄膜晶体管300，与该薄膜晶体管300连接的数据线303上的控制信号通过源极和漏极之间的导电沟道传递给像素子单元306，与现有技术相同；对于双沟道薄膜晶体管305，与该双沟道薄膜晶体管305连接的数据线303上的控制信号通过源极和第二漏极3052之间的第二沟道传递给像素子单元306。

当触摸显示装置被触摸时，相应位置的凸起309被按压，凸起309上的导电层310将第一漏极3051和触摸检测线307接通，数据线303上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管305源极和第一漏极3051之间的第一沟道传递到第一漏极3051上，并通过所述凸起309的导电层将传递到第一漏极3051上的控制信号进一步传递到触摸检测线307上，与触摸检测线307上的信号电压叠加，该触摸检测线307末端的放大比较器将触摸检测线307上的信号电压与参考电极的电压进行比较，若触摸检测线307上的信号电压相对于参考电极电压有波动，则表示该触摸检测线307上有触摸发生。

若以扫描线304的方向作为X方向，数据线303的方向作为Y方向，则在所述放大比较器确定有触摸发生后，就可以根据触摸检测线307的位置确定该触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标，由此定位触摸点，供后续功能应用。

在设置了双沟道薄膜晶体管305后，相应的像素子单元306所发出的一部分光会被遮挡，导致白色偏移。因此，当像素子单元306包括红色像素子单元R、绿色像素子单元G和蓝色像素子单元B时，将双沟道薄膜晶体管305设置于蓝色像素子单元B内，以降低白色偏移的视觉影响。优选的，如图6所示，所述像素子单元306还包括白色像素子单元W(图6为带有白色像素子单元的触摸显示装置主视示意图)，则将双沟道薄膜晶体管305设置于白色像素子单元内。由于白色像素子单元W所起的作用是提供亮度，因此，在其上设置双沟道薄膜晶体管305不会影响其他提供彩色的像素子单元，彻底解决白色偏移的问题。

对触摸进行检测的方法分两种情况：

(1)公共电极电压为直流驱动；

图7是触摸显示装置在直流驱动帧反转模式的灰阶电压示意图，V0至V255表示数据线灰阶电压，公共电极电压Vcom为直流。本发明将触摸检测线307的参考电极电压设置为公共电极电压Vcom，这是由于数据线灰阶电压关于公共电极电压对称分布，易于判断触摸检测线上信号电压V307的波动。公共电极电压直流驱动方式可以用于帧反转、行反转、列反转、点反转；这里只介绍帧反转、行反转的触摸判定方式。

A、对于帧反转的驱动方式：

图8是本发明触摸显示装置在直流驱动帧反转的情况下，有触摸发生时触摸检测线上的信号电压示意图。例如数据线电压为V254灰阶电压，在第N帧进行触摸时，则触摸检测线的信号电压V307会被拉高Va；而在第N+1帧触摸时，触摸检测线的信号电压V307会被拉低Vb，如图8所示。由于在触摸检测线307的末端连接放大比较器，若V307偏离Vcom，就可以判断出在该帧上有触摸动作，进而确定触摸位置。当触摸显示装置中的某个凸起309被按压时，与被按压凸起309对应的数据线303上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管305栅极与第一漏极3051之间的第一沟道、并进一步通过所述凸起309传输到触摸检测线307上，改变触摸检测线307上的信号电压；当所述触摸检测线307上的信号电压相对于参考电极电压有波动时，确定所述凸起307被按压；根据所述触摸检测线307的X方向位置，确定触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标。可以采用放大比较器判断所述触摸检测线307上的信号相对于参考电极电压是否有波动。

B、对于行反转的驱动方式：

与帧反转的驱动方式相似，只要将图7、图8中的第N帧、第N+1帧换成第N行、第N+1行，触摸检测方式类似，此处不再赘述。

(2)公共电极电压为交流驱动；

图9是触摸显示装置在交流驱动行反转模式的灰阶电压示意图；图10是触摸显示装置在交流驱动行反转的情况下，有触摸发生时触摸检测线上的信号电压的示意图。其中VcomH、VcomL表示公共电极电压的峰值与波谷值，则触摸检测线的参考电极电压取Vmiddle＝(VcomH+VcomL)/2。触摸时，V307波形变化如图10所示。帧反转驱动与行反转类似，只要将第N行、第N+1行换成第N帧、第N+1帧。

本实施例的触摸显示装置，使用双沟道薄膜晶体管代替薄膜晶体管，第二漏极与栅极形成的第二沟道周来完成基本显示的功能，第一漏极与栅极形成的第一沟道用于在发生触摸时，将数据线上的控制信号依次从数据线、第一漏极、凸起传递到触摸检测线，以使触摸检测线完成触摸功能，通过薄膜晶体管的两个沟道实现整个触摸显示装置的显示和触摸互不干扰；由于本实施例的触摸显示装置与现有的液晶显示屏都需要制备薄膜晶体管，所以本实施例的触摸显示装置与现有液晶显示屏的工艺制程具有良好的相容性，不需调整生产线，制造工序简单，节约成本；通过将触摸检测线和数据线分开，使得在触摸检测时触摸检测线上的信号不会干扰数据线上的信号，触摸位置的像素子单元显示不受干扰，消除了触摸位置像素子单元的点缺陷问题；通过将触摸检测功能集合进液晶显示装置，既提高了整个触摸显示装置的亮度，又不增加触摸显示装置的厚度。

实施例二

图11是本实施例触摸显示装置的局部主视示意图，图12是沿图11中C-C线的截面图。为了进一步增大触摸显示装置的像素开口率，本实施例的触摸显示装置与实施例一相比，在与凸起309相对的第一漏极3051和下基板11之间、以及数据线303与下基板11之间具有栅极绝缘层311；与凸起309对应的第一漏极3051的上表面暴露出来；在与凸起309对应的触摸检测线307下方的栅极绝缘层311和下基板11之间还具有凸块301，凸块301将其上的栅极绝缘层311、数据线保护层314和触摸检测线307均垫高了所述凸块的高度，并且所述垫高的栅极绝缘层311直接接触数据线保护层314(即该位置的栅极绝缘层311与数据线保护层314之间没有数据线)；垫高的触摸检测线311上表面高于暴露的第一漏极3051上表面，且该触摸检测线311与第一漏极3051位于不同的电性层；凸起309的用于接触第一漏极3051和触摸检测线311的表面呈阶梯状，以使该凸起309被触摸时同时接触所述触摸检测线307和第一漏极3051。

图12和图5相比，区别在于：图12中与凸起309对应的第一漏极3051直接暴露出表面，而同时，由于凸块301将数据线保护层314和触摸检测线307垫高，即第一漏极3051上表面的高度i低于触摸检测线307上表面的高度h，触摸检测线307与第一漏极3051位于不同的电性层，并且，凸块301还将第一漏极3051和数据线303彼此隔开的更远，能够避免因第一漏极3051和数据线303之间距离过近造成的短路或串扰，因此触摸检测线307和第一漏极3051的距离g可以进一步缩小至1μm左右。g缩小了，第一漏极3051可以更靠近数据线303，像素子单元306露出的面积增大，可以提高整个触摸检测装置的像素开口率，进一步增加触摸检测装置的显示亮度。

实施例三

由于触摸检测线307位于数据线303的上方，触摸检测线307和数据线303之间存在寄生电容，该寄生电容会干扰数据线303中的信号，导致接收该数据线303信号的像素子单元306显示失真。

图13是本实施例触摸显示装置的一个截面示意图、图14是本实施例触摸显示装置的另一个截面示意图。为了降低所述寄生电容，本实施例在实施例一、实施例二的基础上，还在所述数据线303与触摸检测线307之间沉积有低介电常数的介质层302。另外，还可以使触摸检测线307的宽度b小于数据线303的宽度a，通过减少寄生电容的面积来降低寄生电容。

本实施例与实施例一、实施例二相比，在制造工序简单和消除点缺陷的情况下，降低数据线与触摸检测线之间的寄生电容，能够进一步提高像素子单元的显示画质。

实施例四

图15是本实施例触摸显示装置的主视示意图，图16是本实施例触摸显示装置的截面示意图。本实施例与上述三个实施例的不同之处在于，所述触摸检测线307位于上基板12。这样就不存在寄生电容和影响像素开口率的问题。由于凸起309设置在上基板，则凸起309需要直接与触摸检测线407相接触，从而当凸起309接触到双沟道薄膜晶体管的第一漏极3051时，触摸检测线407就等于和所述第一漏极3051接触，从而能够接收到来自数据线303的控制信号，进而根据该触摸检测线407上的信号进行判断是否发生触摸，以及根据扫描时序确定触摸位置的Y坐标，根据触摸检测线407的位置确定触摸位置的X坐标。

现有技术中，液晶显示装置中还具有黑色矩阵，所述黑色矩阵采用挡光树脂，将液晶显示装置显示屏幕中像素子单元以外的部位遮挡起来，避免杂光对显示画质的影响。

为了不影响触摸检测装置的像素开口率，将所述触摸检测线407沉积在上基板12的黑色矩阵上，且与数据线303对应。具体地，图16中示出了触摸检测线407围绕或部分连接凸起309的方式，所述凸起309的导电层与所述触摸检测线407电性接触。若所述触摸显示装置的黑色矩阵为铬材料，且各列彼此绝缘，则所述黑色矩阵的列即为触摸检测线407。由于铬材料本身导电，因此当使用黑色矩阵的列作为触摸检测线407时，相邻两列可以通过与行切断进行绝缘，行与列的间距可以为1μm。

触摸检测线407与上基板12的公共电极308之间可以通过沉积有机膜或氮化硅等实现绝缘。

本实施例与上述三个实施例相比，通过将触摸检测线设置在上基板的黑色矩阵上，在制造工序简单和消除点缺陷的情况下，不会引起寄生电容和像素开口率降低；通过使用导电铬材料的黑色矩阵作为触摸检测线，可以节省沉积触摸检测线的工艺步骤，使得工序更简捷，并提供优质的画面，提高用户的视觉体验。

实施例五

本实施例提供了一种触摸位置判定方法，图17是本实施例触摸位置判定方法的流程示意图。

S101，当触摸显示装置中的某个凸起被按压时，与所述凸起对应的数据线上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管的栅极与第一漏极之间的第一沟道传递到所述第一漏极，并通过所述凸起将传递到第一漏极的控制信号传递给所述触摸检测线；当所述触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压有波动时，确定所述凸起被按压；

可以采用放大比较器判断所述触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压是否有波动。

S102，所述扫描线的方向为X方向，所述数据线的方向为Y方向；则根据所述触摸检测线的X方向位置，确定触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标。

通过判断触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压是否有波动，来确定是否有触摸发生。当有触摸发生时，被触摸的凸起对应的数据线上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管栅极和第一漏极之间的第一沟道传递到所述第一漏极，并通过所述凸起将传递到第一漏极的控制信号传递给所述触摸检测线，叠加到触摸检测线上的信号；所述信号相对于参考电极电压有波动。

根据所述信号有波动的触摸检测线的X方向位置，确定触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标。

本实施例的触摸位置判定方法，通过判断触摸检测线上的信号相对于参考电极电压是否有波动，能够准确判断出是否发生触摸；通过发生触摸的触摸检测线位置以及发生触摸的扫描线时序，能够确定触摸的位置。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (14)

1.一种触摸显示装置，包括：

上基板和与上基板对应的下基板；

位于所述下基板上并相互交叉的多条扫描线和多条数据线；

位于所述扫描线与数据线形成的矩阵中的多个像素子单元；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线；

其特征在于：

至少一个所述薄膜晶体管为双沟道薄膜晶体管，所述双沟道薄膜晶体管包括第一漏极和与所述像素子单元连接的第二漏极；

所述触摸显示装置还具有多条触摸检测线和位于上基板的多个沉积有导电层的凸起，所述凸起与所述第一漏极的位置相对应；当所述触摸显示装置被触摸时，所述凸起将所述第一漏极和所述触摸检测线接通。

2.如权利要求1所述的触摸显示装置，其特征在于，所述数据线表面覆盖有数据线保护层，所述触摸检测线位于所述数据线保护层的表面。

3.如权利要求2所述的触摸显示装置，其特征在于，与所述凸起对应的第一漏极的表面上依次沉积有数据线保护层和像素电极层，所述像素电极层与所述第一漏极电连接；与所述凸起对应的像素电极层的上表面和触摸检测线的上表面相平；所述凸起的用于接触所述像素电极层和触摸检测线的表面呈平面。

4.如权利要求2所述的触摸显示装置，其特征在于，在与所述凸起相对的第一漏极和下基板之间、以及数据线与下基板之间具有栅极绝缘层；与所述凸起对应的所述第一漏极的上表面暴露出来；在与所述凸起对应的触摸检测线下方的栅极绝缘层和下基板之间还具有凸块，所述凸块将其上的栅极绝缘层、数据线保护层和触摸检测线均垫高了所述凸块的高度，并且所述垫高的栅极绝缘层直接接触数据线保护层；所述垫高的触摸检测线上表面高于所述暴露的第一漏极上表面，且该触摸检测线与第一漏极位于不同的电性层；所述凸起的用于接触所述第一漏极和触摸检测线的表面呈阶梯状。

5.如权利要求4所述的触摸显示装置，其特征在于，所述凸块与扫描线同步沉积形成。

6.如权利要求2-5任一项所述的触摸显示装置，其特征在于，在所述数据线与触摸检测线之间还沉积有低介电常数的介质层。

7.如权利要求2-5任一项所述的触摸显示装置，其特征在于，所述触摸检测线的宽度小于数据线的宽度。

8.如权利要求1所述的触摸显示装置，其特征在于，所述触摸检测线位于上基板的黑色矩阵上，且与数据线对应；所述触摸检测线围绕或部分连接所述凸起，所述凸起的导电层与所述触摸检测线电性接触。

9.如权利要求8所述的触摸显示装置，其特征在于，所述触摸显示装置的黑色矩阵为铬材料且所述黑色矩阵的各列彼此绝缘，则所述黑色矩阵的列即为触摸检测线。

10.如权利要求1-5、8、9任一项所述的触摸显示装置，其特征在于，所述像素子单元包括红色像素子单元、绿色像素子单元和蓝色像素子单元，则所述双沟道薄膜晶体管设置于蓝色像素子单元。

11.如权利要求1-5、8、9任一项所述的触摸显示装置，其特征在于，所述像素子单元包括红色像素子单元、绿色像素子单元、蓝色像素子单元和白色像素子单元，则所述双沟道薄膜晶体管设置于白色像素子单元。

12.如权利要求1-5、8、9任一项所述的触摸显示装置，其特征在于，每条所述触摸检测线的末端连接一个与参考电极连接的放大比较器。

13.一种触摸位置判定方法，其特征在于，当如权利要求1-12任一项所述的触摸显示装置中的某个凸起被按压时，与所述凸起对应的数据线上的控制信号通过双沟道薄膜晶体管栅极与第一漏极之间的第一沟道传递到所述第一漏极，并通过所述凸起将传递到第一漏极的控制信号传递给所述触摸检测线；当所述触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压有波动时，确定所述凸起被按压；

所述扫描线的方向为X方向，所述数据线的方向为Y方向；则根据所述触摸检测线的X方向位置，确定触摸位置的X坐标，并根据触摸发生时对应的扫描线时序，确定触摸位置的Y坐标。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，采用放大比较器判断所述触摸检测线上的信号电压相对于参考电极电压是否有波动。

Images