DE102015109880B4 - Pixelstruktur, Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, Arraysubstrat, Anzeigetafel und Anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Pixelstruktur, mit:mehreren Datenleitungen (21) und mehreren Abtastleitungen (22),mehreren Pixeleinheiten (23), die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen (21) mit den mehreren Abtastleitungen (22) gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten (23) einer der mehreren Datenleitungen (21) und einer der mehreren Abtastleitungen (22) entspricht und die mehreren Pixeleinheiten (23) Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten (234) umfassen, die nacheinander angeordnet sind,wobei jede der Pixeleinheiten (23) eine Pixelelektrode (251, 252, 253, 254) mit mehreren Spalten (261) aufweist, wobei ein Ende mindestens eines Spalts (261) mindestens eine Biegung (A1) aufweist,wobei die weiße Pixeleinheit (234) einen ersten Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) und einen zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) aufweist, wobei in einer Reihe von Pixeleinheiten (23) ein erster Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode (254) der weißen Pixeleinheit (234) elektrisch verbunden ist und ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit (23), die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt, elektrisch verbunden ist,wobei sich die Biegung (A1) des Spalts (261) in der Pixelelektrode, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor (242) elektrisch verbunden ist, zum zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) hin erstreckt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Gebiet der Anzeigetechnik und insbesondere eine Pixelstruktur, ein Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur, ein Arraysubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung.
  • Hintergrund
  • Mit der Entwicklung der Anzeigetechnik haben sich Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen), engl. Liquid Crystal Display - LCD, weit verbreitet, wobei die Anzeigewirkung der LCD-Vorrichtungen kontinuierlich verbessert wird.
  • Eine Pixelstruktur, die auf einem Dünnschichttransistor-Arraysubstrat (TFT-Arraysubstrat), engl. Thin Film Transistor - TFT, liegt, ist ein wichtiger Teil der LCD-Vorrichtung, wobei verschiedene Pixelstrukturen die LCD-Vorrichtung dazu zwingen, verschiedene Anzeigeeffekte zu erzeugen. 1 ist ein schematisches Strukturschaubild der Pixelstruktur aus dem Stand der Technik. Wie in 1 gezeigt, weist die Pixelstruktur der LCD-Vorrichtung mehrere Datenleitungen 11, mehrere Abtastleitungen 12, mehrere Pixeleinheiten 13, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen 11 mit den mehreren Abtastleitungen 12 gebildet sind, und eine TFT 14 sowie eine Pixelelektrode 15 auf, die in jeder Pixeleinheit 13 liegen, wobei der TFT 14 mit der Pixelelektrode 15 elektrisch verbunden ist, die in einer Pixeleinheit mit dem TFT 14 liegt. Eine rote Pixeleinheit, eine grüne Pixeleinheit, eine blaue Pixeleinheit und eine weiße Pixeleinheit sind in den Figuren mit den Buchstaben R, G, B bzw. W angegeben.
  • Die Pixelstruktur aus 1 umfasst die rote Pixeleinheit, die grüne Pixeleinheit, die blaue Pixeleinheit und die weiße Pixeleinheit. Als solche kann die Lichtdurchlässigkeit der gesamten LCD-Vorrichtung verbessert werden. Aufgrund der bereitgestellten weißen Pixeleinheiten wird jedoch bei einer Pixelstruktur mit gegebener Abmessung die Anzahl der roten Pixeleinheiten, der grünen Pixeleinheiten und der blauen Pixeleinheiten reduziert. Wenn ein einzelnes farbiges Bild angezeigt wird, sinkt somit die Helligkeit des einzelnen farbigen Bildes deutlich. Ferner sind relevante Technologien aus den folgenden Druckschriften bekannt. US 2008/0143897 A1 zeigt eine Flüssigkristallanzeige. Ein erstes Substrat und ein zweites Substrat korrespondieren miteinander. Eine Mehrzahl von ersten gemeinsamen Elektroden und eine zweite gemeinsame Elektrode sind auf dem ersten Substrat angeordnet. Eine Vielzahl von ersten Pixelelektroden und eine zweite Pixelelektrode entsprechen den ersten gemeinsamen Elektroden und der zweiten gemeinsamen Elektrode separat, wobei jede der Pixelelektroden eine Vielzahl von Elektrodenabschnitten umfasst, die eine Breite I haben, um einen Winkel theta gekippt sind und durch einen Abstand w getrennt sind. Eine Vielzahl von ersten Farbeinheiten und eine zweite Farbeinheit sind auf dem zweiten Substrat angeordnet und entsprechen den ersten Pixelelektroden und der zweiten Pixelelektrode separat, wobei mindestens eine der Breite I, des Abstands w und des Winkels theta in den ersten Farbeinheiten verschieden von der in der zweiten Farbeinheit ist. US 2012/0127409 A1 offenbart eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die ein Dünnfilmtransistorsubstrat, ein Gegensubstrat, das so angeordnet ist, dass es dem Dünnfilmtransistorsubstrat gegenüberliegt, und eine Flüssigkristallschicht umfasst, die zwischen dem Dünnfilmtransistorsubstrat und dem Gegensubstrat angeordnet ist. Das Dünnfilmtransistorsubstrat hat eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, um ein elektrisches Feld in Richtung der Substratebene anzulegen. Die erste Elektrode enthält eine Vielzahl von Streifenabschnitten, die sich in einer vorbestimmten Richtung erstrecken. Der Flüssigkristallschicht ist ein chiraler Dotierstoff zugesetzt, der die Rotation in einer Richtung verleiht, die einer durch ein zwischen den Streifenabschnitten und der zweiten Elektrode angelegtes elektrisches Feld induzierten Rotationsrichtung des Flüssigkristalls entgegengesetzt ist. US 2012/0218501 A1 offenbart eine Flüssigkristallanzeige, die ein erstes Substrat und ein gegenüberliegendes zweites Substrat, eine Flüssigkristallschicht, die zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat angeordnet ist, ein lichtblockierendes Element, das auf dem ersten Substrat oder dem zweiten Substrat angeordnet ist; eine erste felderzeugende Elektrode, die auf dem ersten Substrat angeordnet ist; eine zweite felderzeugende Elektrode, die auf dem ersten Substrat angeordnet ist und Zweigelektroden umfasst, die die erste felderzeugende Elektrode überlappen, und eine Gate-Leitung umfasst, die auf dem ersten Substrat angeordnet ist und sich in einer ersten Richtung erstreckt. Eine Zweigelektrode der Zweigelektroden umfasst einen zentralen Abschnitt und einen ersten Kantenabschnitt, der an einem Ende des zentralen Abschnitts angeordnet ist. Ein erster Winkel, der zwischen dem ersten Kantenabschnitt und einer zweiten Richtung gebildet wird, ist größer als ein zweiter Winkel, der zwischen der zweiten Richtung und dem zentralen Abschnitt gebildet wird, wobei die zweite Richtung senkrecht zu der ersten Richtung ist. US 2009/0140253 A1 offenbart eine neue TFT-Anordnung, die es ermöglicht, die Bildung von TFT über einem Verbindungsabschnitt zwischen den benachbarten SOI-Schichten zu verhindern, die durch den Prozess einschließlich der Abtrennung einer dünnen Einkristall-Halbleiterschicht von einem Halbleiterwafer hergestellt wurden. Die TFT-Anordnung ist durch die Struktur gekennzeichnet, bei der eine Vielzahl von TFTs, die jeweils zu verschiedenen Pixeln gehören, gesammelt und in der Nähe eines Schnittpunktabschnitts einer Abtastlinie und einer Signalleitung angeordnet sind. Diese Struktur ermöglicht es, dass der Abstand zwischen Bereichen, die mit der Vielzahl von TFTs versehen sind, extrem groß ist, verglichen mit dem Abstand zwischen benachbarten TFTs bei der herkömmlichen TFT-Anordnung, bei der alle TFTs in einem regelmäßigen Abstand angeordnet sind. Die Bildung eines TFTs über dem Verbindungsabschnitt kann durch die vorliegende Anordnung vermieden werden, was zur Bildung einer Anzeigevorrichtung mit einer vernachlässigbaren Menge an Anzeigefehlern führt.
  • Kurzzusammenfassung
  • Die vorliegende Offenbarung stellt eine Pixelstruktur, ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, ein Arraysubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung bereit, um ein technisches Problem aus dem Stand der Technik zu lösen, das darin besteht, dass die Helligkeit eines einzelnen farbigen Bildes in der Pixelstruktur, welche durch eine rote Pixeleinheit, eine grüne Pixeleinheit, eine blaue Pixeleinheit und eine weiße Pixeleinheit gebildet wird, deutlich gesenkt wird, wenn das einzelne farbige Bild angezeigt wird.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird eine Pixelstruktur bereitgestellt, die Folgendes aufweist:
    • mehrere Datenleitungen und mehreren Abtastleitungen,
    • mehrere Pixeleinheiten, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen entspricht und die mehreren Pixeleinheiten Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten umfassen, die nacheinander angeordnet sind,
    • wobei jede der Pixeleinheiten eine Pixelelektrode mit mehreren Spalten aufweist, wobei ein Ende mindestens eines Spalts mindestens eine Biegung aufweist,
    • wobei die weiße Pixeleinheit einen ersten Dünnschichttransistor und einen zweiten Dünnschichttransistor aufweist, wobei in einer Reihe von Pixeleinheiten ein erster Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode der weißen Pixeleinheit elektrisch verbunden ist und ein zweiter Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit, die an die weiße Pixeleinheit angrenzt, elektrisch verbunden ist,
    • wobei sich die Biegung des Spalts in der Pixelelektrode, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor elektrisch verbunden ist, zum zweiten Dünnschichttransistor hin erstreckt.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur bereitgestellt, das Folgendes umfasst:
    • Ausbilden eines ersten Dünnschichttransistors und eines zweiten Dünnschichttransistors,
    • Ausbilden von mehreren Datenleitungen und von mehreren Abtastleitungen, wobei mehrere Pixeleinheiten durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind und jede der Pixeleinheiten einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen entspricht und die mehreren Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten umfassen, die nacheinander angeordnet sind, und die weiße Pixeleinheit den ersten Dünnschichttransistor und den zweiten Dünnschichttransistor aufweist,
    • Ausbilden einer Pixelelektrode in jeder Pixeleinheit, wobei die Pixelelektrode mehrere Spalte aufweist und ein Ende mindestens eines Spalts mindestens eine Biegung aufweist und in einer Reihe von Pixeleinheiten ein erster Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode der weißen Pixeleinheit elektrisch verbunden ist und ein zweiter Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit, die an die weiße Pixeleinheit angrenzt, elektrisch verbunden ist und sich die Biegung des Spalts in der mit dem zweiten Dünnschichttransistor elektrisch verbundenen Pixelelektrode zum zweiten Dünnschichttransistor hin erstreckt.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner ein Arraysubstrat mit der oben genannten Pixelstruktur bereitgestellt.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner eine Anzeigetafel mit dem oben genannten Arraysubstrat bereitgestellt.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner eine Anzeigevorrichtung mit der oben genannten Anzeigetafel bereitgestellt.
  • Da in einer Reihe von Pixeleinheiten der zweite TFT der Pixeleinheit, die an die weiße Pixeleinheit angrenzt, innerhalb der weißen Pixeleinheit liegt, hat bei der Pixelstruktur, dem Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die von dem zweiten TFT gesteuerte Pixeleinheit mehr Raum zur Unterbringung der Pixelelektrode, um eine größer bemessene Pixelelektrode zu erlauben, so dass die Öffnung der Pixeleinheit mit der Pixelelektrode größer ist und somit die Helligkeit des farbigen Bildes, das der Pixeleinheit entspricht, effektiv verbessert wird, wenn das farbige Bild angezeigt wird.
  • Figurenliste
  • Weitere Merkmale, Gegenstände und Vorteile der vorliegenden Offenbarung ergeben sich aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung von nicht einschränkenden Ausführungsformen anhand der beigefügten Zeichnungen. Darin zeigen:
    • 1 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelstruktur aus dem Stand der Technik,
    • 2A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer anderen Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 2B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer anderen Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 3A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 3B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 4A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 4B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 5 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung,
    • 6 ein schematisches Schaubild des Aufbaus eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 7 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung,
    • 8 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
  • Ausführliche Beschreibung der Ausführungsformen
  • Die vorliegende Offenbarung wird nachfolgend zusammen mit den beigefügten Zeichnungen und Ausführungsformen weiter ausführlich veranschaulicht. Es ist zu verstehen, dass hier beschriebene besondere Ausführungsformen lediglich dazu dienen, die vorliegende Offenbarung zu erläutern und nicht die vorliegende Offenbarung zu beschränken. Es sei zusätzlich angemerkt, dass zur Vereinfachung der Beschreibung lediglich Teile des mit der vorliegenden Offenbarung zusammenhängenden Inhalts und nicht der gesamte Inhalt in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht ist.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird eine Pixelstruktur bereitgestellt. 2A ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung. Wie in 2A gezeigt, weist die Pixelstruktur mehrere Datenleitungen 21, mehrere Abtastleitungen 22 und mehrere Pixeleinheiten 23 auf, die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen 21 mit den mehreren Abtastleitungen 22 gebildet sind, wobei jede Pixeleinheit 23 einer der mehreren Datenleitungen 21 und einer der mehreren Abtastleitungen 21 entspricht. Die mehreren Pixeleinheiten umfassen Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe (die in 2A gezeigten roten Pixeleinheiten 231), Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe (die in 2A gezeigten grünen Pixeleinheiten 232), Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe (die in 2A gezeigten blauen Pixeleinheiten 233), und weiße Pixeleinheiten 234, die nacheinander angeordnet sind. Jede Pixeleinheit weist eine Pixelelektrode auf (wie etwa eine Pixelelektrode 251, die in der roten Pixeleinheit 231 enthalten ist, eine Pixelelektrode 252, die in der grünen Pixeleinheit 232 enthalten ist, eine Pixelelektrode 253, die in der blauen Pixeleinheit 233 enthalten ist, und eine Pixelelektrode 254, die in der weißen Pixeleinheit 234 enthalten ist). Die Pixelelektrode weist mehrere Spalte auf, wobei ein Ende mindestens eines Spalts mindestens eine Biegung A1 aufweist. Die weiße Pixeleinheit 234 weist einen ersten TFT 241 und einen zweiten TFT 242 auf. In einer Reihe von Pixeleinheiten ist ein erster TFT 241 jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode der weißen Pixeleinheit elektrisch verbunden, und der zweite TFT 242 ist mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die an die weiße Pixeleinheit angrenzt (eine Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231 in der gleichen Reihe mit der weißen Pixeleinheit 234, die an eine rechte Seite der weißen Pixeleinheit 234 in 2A angrenzt). Die Biegung des Spalts in der Pixelelektrode, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor elektrisch verbunden ist, erstreckt sich zum zweiten Dünnschichttransistor.
  • Es sei angemerkt, dass die Anzeige der Pixeleinheit durch die Pixelelektrode der Pixeleinheit und den Dünnschichttransistor implementiert ist, welcher mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden und zur Steuerung der Pixelelektrode ausgelegt ist. Der Dünnschichttransistor steuert die Pixelelektrode und steuert somit die Pixeleinheit mit der Pixelelektrode. Die mit der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbundene Abtastleitung kann den Dünnschichttransistor ein- oder ausschalten. Die mit der Source-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbundene Datenleitung kann ein Datensignal für die Pixelelektrode bereitstellen, die mit dem Dünnschichttransistor elektrisch verbunden ist, wenn der Dünnschichttransistor eingeschaltet ist. Auf dieser Grundlage entspricht jede der obigen Pixeleinheiten 23 einer der Datenleitungen 21 und einer der Abtastleitungen 22. Die Datenleitung 21, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist insbesondere diejenige, die zur Steuerung der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 elektrisch verbunden ist, und die Abtastleitung 22, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist diejenige, die zur Steuerung der Pixeleinheit 23 mit dem Dünnschichttransistor 24 elektrisch verbunden ist.
  • In 2A ist beispielhaft die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe als rote Pixeleinheit 231, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe als grüne Pixeleinheit 232 und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe als blaue Pixeleinheit 233 festgelegt. Bei weiteren Beispielen kann die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe als grüne Pixeleinheit, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe als rote Pixeleinheit und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe als blaue Pixeleinheit festgelegt sein oder alternativ die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe als blaue Pixeleinheit, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe als rote Pixeleinheit und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe als grüne Pixeleinheit festgelegt sein oder alternativ die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe jeweils als Kombination aus einer roten Pixeleinheit, einer grünen Pixeleinheit und einer blauen Pixeleinheit festgelegt sein, wobei dies nicht darauf beschränkt ist. Zur Vereinfachung der Beschreibung sind zum Beispiel die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe als rote Pixeleinheit 231, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe als grüne Pixeleinheit 232 und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe als blaue Pixeleinheit 233 festgelegt.
  • Da, wie oben beschrieben, in einer Reihe von Pixeleinheiten der zweite TFT 242 der Pixeleinheit (wobei es sich zum Beispiel um die rote Pixeleinheit, um die grüne Pixeleinheit oder um die blaue Pixeleinheit handeln kann), die an die weiße Pixeleinheit 234 angrenzt, innerhalb der weißen Pixeleinheit 234 liegt, hat die von dem zweiten TFT 242 gesteuerte Pixeleinheit mehr Raum zur Unterbringung der Pixelelektrode, um im Vergleich zum Aufbau aus dem Stand der Technik, bei dem der zweite TFT in der selbst gesteuerten Pixeleinheit liegt, eine größere Pixelelektrode zu erlauben, so dass die Öffnung der Pixeleinheit mit der Pixelelektrode größer ist und somit die Helligkeit des farbigen Bildes, das der Pixeleinheit entspricht, effektiv verbessert wird, wenn das farbige Bild angezeigt wird. Die Biegung des Spalts in der Pixeleinheit, die mit dem zweiten TFT elektrisch verbunden ist, erstreckt sich außerdem zum zweiten TFT hin, so dass der Einfluss auf die Lichtdurchlässigkeit, der durch das Ende der Biegung hervorgerufen wird, verringert werden kann.
  • Mit Bezug auf 2A ist in einer Reihe von Pixeleinheiten ein zweiter TFT 242 jeder weißen Pixeleinheit 234 mit einer Pixelelektrode 251 einer roten Pixeleinheit 231 elektrisch verbunden, die an die weiße Pixeleinheit 234 angrenzt. Beim Anzeigen eines roten Bildes kann die in 2 gezeigte Pixeleinheit somit die Helligkeit des roten Bildes effektiv verbessern.
  • Wie in 2A gezeigt, ist eine Source-Elektrode 241a des ersten TFT 241 mit der Datenleitung 21 (d.h. mit der Datenleitung 21 auf der linken Seite der weißen Pixeleinheit 234 in 2A), welche der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 entspricht, elektrisch verbunden, ist eine Gate-Elektrode 241 c des ersten TFT 241 mit der Abtastleitung 22 (d.h. mit der Abtastleitung 22 über der weißen Pixeleinheit 234 in 2A), welche der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 entspricht, elektrisch verbunden, und ist eine Drain-Elektrode 241 b des ersten TFT 241 mit der Pixelelektrode 254 der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Source-Elektrode 242a des zweiten TFT 242 mit der Datenleitung 21 (d.h. mit der Datenleitung 21 auf der linken Seite der weißen Pixeleinheit 234 in 2A) elektrisch verbunden, welche der roten Pixeleinheit 231 entspricht, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt. Eine Gate-Elektrode 242c des zweiten TFT 242 ist mit der Abtastleitung 22 (d.h. mit der Abtastleitung 22 unter der weißen Pixeleinheit 234 in 2A) elektrisch verbunden, welche der roten Pixeleinheit 231 entspricht, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt, und eine Drain-Elektrode 242b des zweiten TFT 242 ist mit der Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt, elektrisch verbunden. Zusätzlich ist eine Drain-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 mit der Pixelelektrode 252 der grünen Pixeleinheit 232 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 ist unter der grünen Pixeleinheit 232 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, und eine Source-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 ist auf der linken Seite der grünen Pixeleinheit 232 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden. Eine Drain-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 ist mit der Pixelelektrode 253 der blauen Pixeleinheit 233 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 ist unter der blauen Pixeleinheit 233 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, und eine Source-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 ist auf der linken Seite der blauen Pixeleinheit 233 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden.
  • Zusätzlich zur Art und Weise der elektrischen Verbindung, bei der sowohl der erste TFT 241 als auch der zweite TFT 241, wie in 2A gezeigt, mit der Datenleitung 21 und mit der Abtastleitung 22 verbunden sind, können auch andere Verbindungsarten angewendet werden. Mit Bezug auf 2B unterscheidet sich beispielsweise 2B von 2A dadurch, dass das Gate 241c des ersten TFT 241 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist und die Gate-Elektrode 242c des zweiten TFT 242 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist.
  • In eier Reihe von Pixeleinheiten kann zusätzlich zur Verbindung des zweiten TFT 242 mit der Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231, die an die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 angrenzt, wie in den 2A und 2B gezeigt, der zweite TFT 242 auch mit der Pixelelektrode 253 in der blauen Pixeleinheit 233 verbunden sein, die an die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 angrenzt, wie in 3A gezeigt. Mit der obigen Pixelstruktur kann die Helligkeit eines blauen Bildes effektiv verbessert werden, wenn das blaue Bild angezeigt wird.
  • In 3A ist eine Source-Elektrode 241a des ersten TFT 241 mit der Datenleitung 21 (d.h. mit der Datenleitung 21 auf der linken Seite der weißen Pixeleinheit 234 in 3A), welche der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 entspricht, elektrisch verbunden, ist eine Gate-Elektrode 241c des ersten TFT 241 mit der Abtastleitung 22 (d.h. mit der Abtastleitung 22 über der weißen Pixeleinheit 234 in 3A), welche der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 entspricht, elektrisch verbunden, und ist eine Drain-Elektrode 241b des ersten TFT 241 mit der Pixelelektrode 254 der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Source-Elektrode 242a des zweiten TFT 242 mit der Datenleitung 21 (d.h. mit der Datenleitung 21 auf der rechten Seite der weißen Pixeleinheit 234 in 3A) elektrisch verbunden, welche der blauen Pixeleinheit 233 entspricht, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt. Eine Gate-Elektrode 242c des zweiten TFT 242 ist mit der Abtastleitung 22 (d.h. mit der Abtastleitung 22 unter der weißen Pixeleinheit 234 in 3A) elektrisch verbunden, welche der blauen Pixeleinheit 233 entspricht, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt, und eine Drain-Elektrode 242b des zweiten TFT 242 ist mit der Pixelelektrode 253 der blauen Pixeleinheit 233, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 und angrenzend an diese liegt, elektrisch verbunden. Zusätzlich ist eine Drain-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 mit der Pixelelektrode 252 der grünen Pixeleinheit 232 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 ist unter der grünen Pixeleinheit 232 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, und eine Source-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 ist auf der rechten Seite der grünen Pixeleinheit 232 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden. Eine Drain-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 ist mit der Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 ist unter der roten Pixeleinheit 231 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, und eine Source-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 ist auf der rechten Seite der roten Pixeleinheit 231 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden.
  • Zusätzlich zur Art und Weise der elektrischen Verbindung, bei der sowohl der erste TFT 241 als auch der zweite TFT 241, wie in 3A gezeigt, mit der Datenleitung 21 und mit der Abtastleitung 22 verbunden sind, können auch andere Verbindungsarten angewendet werden. Mit Bezug auf 3B unterscheidet sich beispielsweise 3B von 3A dadurch, dass die Gate-Elektrode 241c des ersten TFT 241 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 241 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist und die Gate-Elektrode 242c des zweiten TFT 242 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist.
  • Wie in den 2A und 2B gezeigt, steuert in einer Reihe von Pixeleinheiten der zweite TFT 242 die rote Pixeleinheit 231, die an die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 angrenzt. Wie in den 3A und 3B gezeigt, steuert in einer Reihe von Pixeleinheiten der zweite TFT 242 die blaue Pixeleinheit 233, die an die weiße Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 242 angrenzt. Mit Bezug auf 4A kann außerdem der zweite TFT auch die Pixeleinheit derart steuern, dass in einer von zwei beliebigen angrenzenden Reihen von Pixeleinheiten ein zweiter TFT 2421 jeder weißen Pixeleinheit 234 mit einer Pixelelektrode 251 einer roten Pixeleinheit 231 elektrisch verbunden ist, die an die weiße Pixeleinheit 234 angrenzt. In der anderen der zwei beliebigen angrenzenden Reihen von Pixeleinheiten ist ein zweiter TFT 2422 jeder weißen Pixeleinheit 234 mit einer Pixelelektrode 253 einer blauen Pixeleinheit 233 elektrisch verbunden, die an die weiße Pixeleinheit 234 angrenzt. Im Vergleich zur Pixelstruktur aus dem Stand der Technik kann mit der obigen Pixelstruktur die Helligkeit eines roten Bildes oder eines blauen Bildes effektiv verbessert werden, wenn das rote Bild oder das blaue Bild angezeigt werden.
  • Wie in 4A gezeigt, ist in der weißen Pixeleinheit 234 mit einem zweiten TFT 2421, der zur Steuerung der roten Pixeleinheit 231 ausgelegt ist, eine Source-Elektrode 2411 a eines ersten TFT 2411 auf der rechten Seite der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2411 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode 2411c des ersten TFT 2411 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2411 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Drain-Elektrode 2411b des ersten 2411 mit der Pixelelektrode 254 der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2411 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Source-Elektrode 2421a des zweiten TFT 2421 auf der linken Seite der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2421 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode 2421c des zweiten TFT 2421 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2421 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Drain-Elektrode 2421b des zweiten TFT 2421 mit der Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231 elektrisch verbunden, die in der gleichen Reihe mit der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2412 und angrenzend an diese liegt. Darüber hinaus ist in einer Reihe von Pixeleinheiten, die die rote Pixeleinheit 233 aufweist, eine Drain-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 mit der Pixelelektrode 252 der grünen Pixeleinheit 232 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 unter der grünen Pixeleinheit 232 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Source-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 auf der linken Seite der grünen Pixeleinheit 232 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Drain-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 mit der Pixelelektrode 253 der blauen Pixeleinheit 233 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 unter der blauen Pixeleinheit 233 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Source-Elektrode des TFT 244 der blauen Pixeleinheit 233 auf der linken Seite der blauen Pixeleinheit 233 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden.
  • Wie in 4A gezeigt, ist in der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422, der zur Steuerung der blauen Pixeleinheit 233 ausgelegt ist, eine Source-Elektrode 2412a eines ersten TFT 2412 auf der linken Seite der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2412 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode 2412c des ersten TFT 2412 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2412 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Drain-Elektrode 2412b des ersten 2412 mit der Pixelelektrode 254 der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2412 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Source-Elektrode 2422a des zweiten TFT 2422 auf der rechten Seite der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode 2422c des zweiten TFT 2422 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden, eine Drain-Elektrode 2422b des zweiten TFT 2422 mit der Pixelelektrode 253 der blauen Pixeleinheit 233 elektrisch verbunden, die in der gleichen Reihe mit der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422 und angrenzend an diese liegt. Darüber hinaus ist in einer Reihe von Pixeleinheiten, die die blaue Pixeleinheit 233 aufweist, eine Drain-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 mit der Pixelelektrode 252 der grünen Pixeleinheit 232 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 unter der grünen Pixeleinheit 232 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Source-Elektrode des TFT 243 der grünen Pixeleinheit 232 auf der rechten Seite der grünen Pixeleinheit 232 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden. Ferner ist eine Drain-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 mit der Pixelelektrode 251 der roten Pixeleinheit 231 elektrisch verbunden, eine Gate-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 unter der roten Pixeleinheit 231 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und eine Source-Elektrode des TFT 244 der roten Pixeleinheit 231 auf der linken Seite der roten Pixeleinheit 231 mit der Datenleitung 21 elektrisch verbunden.
  • Zusätzlich zur Art und Weise der elektrischen Verbindung, bei der sowohl der erste TFT 241 als auch der zweite TFT 241, wie in 4A gezeigt, mit der Datenleitung 21 und mit der Abtastleitung 22 verbunden sind, können auch andere Verbindungsarten angewendet werden. Mit Bezug auf 4B unterscheidet sich beispielsweise 4B von 4A dadurch, dass bei der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2421, der zur Steuerung der roten Pixeleinheit 231 ausgelegt ist, das Gate 2411 c des ersten TFT 241 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2411 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist und die Gate-Elektrode 2421c des zweiten TFT 2421 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2421 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden ist. Weiterhin ist in der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422, der zur Steuerung der blauen Pixeleinheit 233 ausgelegt ist, die Gate-Elektrode 2412c des ersten TFT 2412 über der weißen Pixeleinheit 234 mit dem ersten TFT 2412 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden und die Gate-Elektrode 2422c des zweiten TFT 2422 unter der weißen Pixeleinheit 234 mit dem zweiten TFT 2422 mit der Abtastleitung 22 elektrisch verbunden.
  • Bei der obigen Pixelstruktur sind die Pixeleinheiten in einer Matrix angeordnet. Alternativ können die Pixeleinheiten auch versetzt angeordnet sein. Hinsichtlich der Pixelstruktur, die durch die versetzte Anordnung der Pixeleinheiten gebildet ist, kann auf die obige Pixelstruktur verwiesen werden, die durch das Anordnen der Pixeleinheiten als Matrix gebildet ist, wobei dies hier nicht wiederholt wird.
  • Es sei angemerkt, dass die obigen Pixelstrukturen als besondere Beispiele der Ausführung der vorliegenden Offenbarung gegeben sind, jedoch weitere Beispiele auch möglich sind. In einer von zwei angrenzenden Spalten von Pixeleinheiten ist beispielsweise ein zweiter TFT einer weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode einer blauen Pixeleinheit elektrisch verbunden, die in der gleichen Reihe wie die weiße Pixeleinheit und angrenzend an diese liegt, wobei in der anderen der beiden angrenzenden Spalte von Pixeleinheiten ein zweiter TFT einer weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode einer roten Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, die in der gleichen Reihe mit der weißen Pixeleinheit und angrenzend an diese liegt. Alternativ sind die weißen Pixeleinheiten mit den zweiten TFT, die zur Steuerung der roten Pixeleinheiten ausgelegt sind, und die weißen Pixeleinheiten mit den zweiten TFT, die zur Steuerung der blauen Pixeleinheiten ausgelegt sind, nicht gleichmäßig in der Pixelstruktur verteilt. Alle oben erwähnten Strukturen können angewendet werden, solange die Helligkeit eines spezifischen farbigen Bildes verbessert werden kann, wenn das spezifische farbige Bild angezeigt wird, was hier nicht einschränkt ist.
  • Bei der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur bereitgestellt. 5 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 5 gezeigt, umfasst das Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur die nachfolgenden Schritte S301-S303:
  • In Schritt S301 werden ein erster TFT und ein zweiter TFT ausgebildet.
  • Der ausgebildete erste TFT und der ausgebildete zweite TFT weisen insbesondere jeweils eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und einen aktiven Bereich zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode auf, wobei die Gate-Elektrode der beiden TFT über der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode liegen kann (TFT mit einer oben liegenden Gate-Struktur), oder unter der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode (TFT mit einer unten liegenden Gate-Struktur), was hier nicht beschränkt ist.
  • In Schritt S302 werden mehrere Datenleitungen und mehrere Abtastleitungen ausgebildet, wobei mehrere Pixeleinheiten durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen entspricht. Die mehreren Pixeleinheiten umfassen Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten, die nacheinander angeordnet sind, wobei die weiße Pixeleinheit den ersten Dünnschichttransistor und den zweiten Dünnschichttransistor aufweist.
  • In Schritt S303 wird in jeder Pixeleinheit eine Pixelelektrode ausgebildet. Die Pixelelektrode weist mehrere Spalte auf, wobei ein Ende mindestens eines Spalts mindestens eine Biegung aufweist. In einer Reihe von Pixeleinheiten ist ein erster Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode der weißen Pixeleinheit elektrisch verbunden und ein zweiter Dünnschichttransistor jeder weißen Pixeleinheit mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit elektrisch verbunden, die angrenzend an die weiße Pixeleinheit liegt. Die Biegung des Spalts in der Pixelelektrode, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor elektrisch verbunden ist, erstreckt sich zum zweiten Dünnschichttransistor.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner ein Arraysubstrat bereitgestellt. 6 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus des Arraysubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Mit Bezug auf 6 weist das Arraysubstrat ein Glassubstrat 41 und eine Pixelstruktur 42 auf, bei der es sich um die Pixelstruktur gemäß den obigen Ausführungsformen handeln kann.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner eine Anzeigetafel bereitgestellt. 7 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Mit Bezug auf 7 weist die Anzeigetafel ein Arraysubstrat 51, ein Farbfiltersubstrat 52, das gegenüber dem Arraysubstrat 51 liegt, und eine Flüssigkristallschicht 53 auf, die zwischen dem Arraysubstrat 51 und dem Farbfiltersubstrat 52 angeordnet ist. Die Flüssigkristallschicht 53 wird durch Flüssigkristallmoleküle 531 gebildet. Das Arraysubstrat 51 der vorliegenden Ausführungsform kann das Arraysubstrat gemäß den obigen Ausführungsformen sein.
  • Es sei angemerkt, dass die obige Anzeigetafel in Abhängigkeit von den spezifischen Anforderungen eine Berührungserfassungsfunktion haben kann oder nicht. Die Berührungserfassungsfunktion kann eine elektromagnetische Berührungserfassungsfunktion, eine kapazitive Berührungserfassungsfunktion oder eine elektromagnetisch und kapazitiv integrierte Berührungserfassungsfunktion sein.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ferner eine Anzeigevorrichtung 60 bereitgestellt. 8 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung 60. Mit Bezug auf 8 weist die Anzeigevorrichtung 60 eine Anzeigetafel 61 und ferner eine Treiberschaltung und weitere Vorrichtungen zur Unterstützung des normalen Betriebs der Anzeigevorrichtung 60 auf. Die Anzeigetafel 61 ist die Anzeigetafel gemäß den obigen Ausführungsformen. Die Anzeigevorrichtung 60 kann ein Mobiltelefon, ein Desktop-Computer, ein Laptop-Computer, ein Tablet-Computer oder ein elektronisches Papier sein.
  • Da in einer Reihe von Pixeleinheiten der zweite TFT der Pixeleinheit, die an die weiße Pixeleinheit angrenzt, innerhalb der weißen Pixeleinheit angeordnet ist, hat bei der Pixelstruktur, dem Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die durch den zweiten TFT gesteuerte Pixeleinheit mehr Raum zur Unterbringung der Pixelelektrode, um eine größere Pixelelektrode zu erlauben, so dass die Öffnung der Pixeleinheit mit der Pixelelektrode größer ist und somit die Helligkeit des farbigen Bildes, das der Pixeleinheit entspricht, effektiv verbessert wird, wenn das farbige Bild angezeigt wird.
  • Es sei angemerkt, dass vorstehend lediglich bevorzugte Ausführungsformen und die angewandten Technologieprinzipien der vorliegenden Offenbarung beschrieben sind. Es sollte für den Fachmann zu verstehen sein, dass die vorliegende Offenbarung nicht auf die hier beschriebenen besonderen Ausführungsformen beschränkt ist. Der Fachmann kann zahlreiche offensichtliche Änderungen, Anpassungen und Alternativen vornehmen, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Auch wenn die vorliegende Offenbarung mit den obigen Ausführungsformen ausführlich veranschaulicht ist, ist somit die vorliegende Offenbarung nicht nur auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und kann ferner noch weitere äquivalente Ausführungsformen umfassen, ohne von dem Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Der Umfang der vorliegenden Offenbarung hängt von den beigefügten Ansprüchen ab.

Claims (11)

  1. Pixelstruktur, mit: mehreren Datenleitungen (21) und mehreren Abtastleitungen (22), mehreren Pixeleinheiten (23), die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen (21) mit den mehreren Abtastleitungen (22) gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten (23) einer der mehreren Datenleitungen (21) und einer der mehreren Abtastleitungen (22) entspricht und die mehreren Pixeleinheiten (23) Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten (234) umfassen, die nacheinander angeordnet sind, wobei jede der Pixeleinheiten (23) eine Pixelelektrode (251, 252, 253, 254) mit mehreren Spalten (261) aufweist, wobei ein Ende mindestens eines Spalts (261) mindestens eine Biegung (A1) aufweist, wobei die weiße Pixeleinheit (234) einen ersten Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) und einen zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) aufweist, wobei in einer Reihe von Pixeleinheiten (23) ein erster Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode (254) der weißen Pixeleinheit (234) elektrisch verbunden ist und ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit (23), die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt, elektrisch verbunden ist, wobei sich die Biegung (A1) des Spalts (261) in der Pixelelektrode, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor (242) elektrisch verbunden ist, zum zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) hin erstreckt.
  2. Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei in einer Reihe von Pixeleinheiten (23) ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit einer dritten Farbe elektrisch verbunden ist, die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt.
  3. Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei in einer Reihe von Pixeleinheiten (23) ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit einer ersten Farbe elektrisch verbunden ist, die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt.
  4. Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei in einer von zwei beliebigen angrenzenden Reihen von Pixeleinheiten (23) ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit einer dritten Farbe elektrisch verbunden ist, die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt, und in der anderen der zwei beliebigen angrenzenden Reihen von Pixeleinheiten (23) ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit einer ersten Farbe elektrisch verbunden ist, die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt.
  5. Pixelstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe eine rote Pixeleinheit (231) ist, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe eine grüne Pixeleinheit (232) und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe eine blaue Pixeleinheit (233) oder die Pixeleinheit mit einer ersten Farbe eine grüne Pixeleinheit (232) ist, die Pixeleinheit mit einer zweiten Farbe eine rote Pixeleinheit (231) und die Pixeleinheit mit einer dritten Farbe eine blaue Pixeleinheit (233).
  6. Pixelstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Source-Elektrode (241a, 2411 a, 2421a) des ersten Dünnschichttransistors (241, 2411, 2421) mit der Datenleitung (21) elektrisch verbunden ist, die der weißen Pixeleinheit (234) entspricht, die den ersten Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) aufweist, eine Gate-Elektrode (241c, 2411 c, 2421c) des ersten Dünnschichttransistors (241, 2411, 2421) mit der Abtastleitung elektrisch verbunden ist, die der weißen Pixeleinheit (234) entspricht, wobei die weiße Pixeleinheit (234) den ersten Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) aufweist, eine Source-Elektrode (242a, 2421a, 2422a) des zweiten Dünnschichttransistors (242, 2421, 2422) mit der Datenleitung (21) elektrisch verbunden ist, die der Pixeleinheit (23) entspricht, wobei die Pixeleinheit (23) eine Pixelelektrode aufweist, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) elektrisch verbunden ist, und eine Gate-Elektrode (242c, 2421c, 2422c) des zweiten Dünnschichttransistors (242, 2421, 2422) mit der Abtastleitung (21) elektrisch verbunden ist, die der Pixeleinheit (23) entspricht, wobei die Pixeleinheit (23) eine Pixelelektrode aufweist, die mit dem zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) elektrisch verbunden ist.
  7. Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei die mehreren Pixeleinheiten (23) versetzt oder in einer Matrix angeordnet sind.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, das Folgendes umfasst: Ausbilden (301) eines ersten Dünnschichttransistors (241, 2411, 2421) und eines zweiten Dünnschichttransistors (242, 2421, 2422), Ausbilden (302) von mehreren Datenleitungen (21) und von mehreren Abtastleitungen (22), wobei mehrere Pixeleinheiten (23) durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen (21) mit den mehreren Abtastleitungen (22) gebildet sind und jede der Pixeleinheiten (23) einer der mehreren Datenleitungen (21) und einer der mehreren Abtastleitungen (22) entspricht und die mehreren Pixeleinheiten (23) Pixeleinheiten mit einer ersten Farbe, Pixeleinheiten mit einer zweiten Farbe, Pixeleinheiten mit einer dritten Farbe und weiße Pixeleinheiten (234) umfassen, die nacheinander angeordnet sind, und die weiße Pixeleinheit (234) den ersten Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) und den zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) aufweist, Ausbilden (303) einer Pixelelektrode in jeder Pixeleinheit (23), wobei die Pixelelektrode mehrere Spalte (261) aufweist und ein Ende mindestens eines Spalts (261) mindestens eine Biegung (A1) aufweist und in einer Reihe von Pixeleinheiten (23) ein erster Dünnschichttransistor (241, 2411, 2421) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode der weißen Pixeleinheit (234) elektrisch verbunden ist und ein zweiter Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) jeder weißen Pixeleinheit (234) mit einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit (23), die an die weiße Pixeleinheit (234) angrenzt, elektrisch verbunden ist, und wobei sich die Biegung (A1) des Spalts (261) in der mit dem zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) elektrisch verbundenen Pixelelektrode zum zweiten Dünnschichttransistor (242, 2421, 2422) hin erstreckt.
  9. Arraysubstrat (51), das die Pixelstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 7 aufweist.
  10. Anzeigetafel (61), die das Arraysubstrat nach Anspruch 9 aufweist.
  11. Anzeigevorrichtung (60), die die Anzeigetafel (61) nach Anspruch 10 aufweist.
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